KR20060052084A - 패턴 형성 방법 및 기능성 막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기능성 막의 패턴을 형성할 때, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 형성 가능한 패턴 형성 방법, 및 기능성 막을 제공하는 것을 과제로 한다.
기능성 막의 형성에 앞서, 설계 패턴을 부(副)영역으로 분할하고, 또한 해당 복수의 부영역을 서로 인접하지 않는 복수의 그룹으로 분류한다. 우선, 제1 그룹에 대해 묘화, 건조를 행하여 배선막(38a, 38b, 38d)을 형성한 후, 제2 그룹에 대해 묘화를 행하여 액상체의 패턴(33c, 33e, 33f, 33g)을 형성한다. 그 후 건조 공정을 거쳐 일체화된 기능성 막을 완성한다.
패턴, 기능성 막, 부영역, 액상체

Description

패턴 형성 방법 및 기능성 막{FUNCTIONAL FILM AND METHOD OF PATTERN FORMATION}
도 1은 본 실시 형태에서의 액체 방울 토출 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 TFT용 게이트 배선의 일례를 나타내는 평면도.
도 3은 게이트 배선의 패턴 형성 공정을 설명하는 플로차트.
도 4(a)는 게이트 배선의 설계 패턴을 나타내는 도면이고, (b)는 더미 패턴의 설계 패턴을 나타내는 도면.
도 5는 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 제1 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴을 나타내는 평면도.
도 7은 제2 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴을 나타내는 평면도.
도 8은 더미 기판 위에 형성된 더미 패턴의 일부를 나타내는 평면도.
도 9(a), (b)는 본 실시 형태와의 비교예이며, 액상체 패턴의 종래예를 나타내는 단면도.
도 10은 변형예 1에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면.
도 11은 변형예 2에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면.
도 12는 변형예 3에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면.
도 13은 변형예 4에서의 전극 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면.
도 14는 변형예 5에서의 제2 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴을 나타내는 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
30 … 기능성 막의 설계 패턴으로서의 게이트 배선의 설계 패턴,
30A … 폭광부(wide portion),
30B … 게이트 전극부,
30C … 폭협부(narrow portion),
31 … 더미 패턴의 설계 패턴,
31A ~ 31C … 띠 형상부,
32A … 더미 패턴,
33a ~ 33g … 액상체의 패턴,
34 … 기능성 막으로서의 게이트 배선,
34A … 폭광부,
34B … 게이트 전극부,
34C … 폭협부,
36 … 벌지(bulge),
37c, 37e, 37f, 37g … 액상체의 패턴,
38a, 38b, 38d … 배선막,
40a ~ 40g … 부영역,
41a ~ 41f … 부영역,
42a ~ 42g … 부영역,
43a ~ 43f … 부영역,
60 … 기능성 막의 설계 패턴으로서의 전기 배선의 설계 패턴,
61a ~ 61e … 부영역,
100 … 액체 방울 토출 장치,
102 … 헤드 기구부,
103 … 기판 기구부,
104 … 액상체 공급부,
105 … 제어부,
106 … 지지 다리,
107 … 정반(定盤),
110 … 헤드부,
111 … 캐리지,
112 … 캐리지 나사 결합부,
113 … Y축 가이드,
114 … Y축 모터,
120 … 기판,
121 … 재치(載置)대,
122 … 재치대 나사 결합부,
123 … X축 가이드,
124 … X축 모터,
130 … 탱크,
131a, 131b … 튜브,
132 … 펌프,
133 … 액상체.
본 발명은 액체 방울 토출법을 사용한 기능성 막의 패턴 형성 방법, 및 액체 방울 토출법을 사용하여 형성되는 기능성 막에 관한 것이다.
최근, 반도체 집적 회로 등이 미세한 배선 패턴의 형성 방법으로서 액체 방울 토출법을 사용한 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 이 문헌에 개시되어 있는 기술은, 기능성 재료(예를 들면, 도전성 재료)를 포함한 액상체(液狀體)를 액체 방울 토출 헤드로부터 기판 위에 토출시켜, 기판 위에 재료를 배치하여 배선 패턴을 형성하는 것으로서, 소량 다종 생산에 대응 가능하다는 등 매우 유효 하다라고 되어 있다.
[특허문헌 1] 일본공개특허 2003-317945호 공보
그런데, 상술한 방법에 의해 형성되는 배선(기능성 막)의 패턴은 매우 미세한 것이기 때문에, 기판 위에 배치된 액상체는 표면/계면의 동역학적 영향(예를 들면, 표면 장력이나 젖는 성질)을 적지 않게 받게 된다. 이 때문에, 액상체가 단독의 액체 방울로서 기판 위에 배치되어 있는 경우는 제쳐 두고, 복수의 액체 방울이 기판 위에서 서로 겹쳐, 액상체가 특정 패턴으로서의 집합체를 형성했을 경우에는, 액상체의 패턴은 이 동역학적 영향에 의해서 변형하거나 분열을 일으키거나 하는 경우가 있다. 즉, 기판 위에 설계 패턴대로 액상체의 패턴을 형성하는 것이 곤란한 경우가 있다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 기능성 막의 패턴을 형성할 때, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 형성 가능한 패턴 형성 방법, 및 기능성 막을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 액체 방울 토출법을 사용하여 기판 위에 소정 패턴의 기능성 막을 형성하는 패턴 형성 방법으로서, 상기 기능성 막의 설계 패턴에 대하여, 해당 설계 패턴을 분할하는 복수의 부(副)영역을 설정하고, 또한 상기 복수의 부영역을 서로 인접하지 않는 복수의 그룹으로 분류하는 부영역 설정 공정과, 상기 부영역 설정 공정으로 분류된 제1 그룹에 속하는 부영역을 그리도록 상기 액상체를 배치하는 제 1 묘화 공정과, 상기 부영역 설정 공정으로 분류된 제2 그룹에 속하는 부영역을 그리도록 상기 액상체를 배치하는 제2 묘화 공정을 갖고 있고, 상기 제1 묘화 공정과 상기 제2 묘화 공정 사이에, 상기 제1 묘화 공정에서 배치된 액상체를 고화시키는 고화 공정을 갖고 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 기능성 막이란 특정 기능을 발휘하는 막 형상의 것을 가리키고 있으며, 예를 들면 발광막, 착색막, 도전성 막 등이 포함된다. 이들 기능성 막으로서의 주기능이란, 각각 발광성, 흡광성, 도전성의 것들로서, 해당 주기능을 갖는 기능성 재료로서는, 예를 들면 발광성 재료로서의 유기 EL(일렉트로루미네선스) 재료, 흡광성 재료로서의 안료(顔料), 도전성 재료로서의 금속 등이 있다.
설계 패턴이란, 형성하고자 하는 기능성 막의 모티프로서의 패턴을 가리키고 있으며, 액상체나 막재료로 실제로 형성되어 있는 패턴과 구별하기 위해서, 이와 같이 표현하고 있다.
상술한 바와 같이, 액상체가 특정 패턴으로서의 집합체를 형성했을 경우에는, 액상체의 패턴은 표면 장력이나 젖는 성질 등의 영향에 의해서 변형하거나 분열을 일으키거나 하는 경우가 있다. 그리고 이러한 액상체의 거동은, 기판 위에 배치된 액상체의 패턴의 크기, 형상 등에 크게 의존한다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 의하면, 서로 인접하지 않는 부영역의 그룹 마다 기능성 막의 패턴을 형성하기 때문에, 기판 위에 배치된 액상체의 거동을, 설정한 부영역의 형상이나 크기에 의해서 제어하는 것이 가능해진다. 이렇게 해서, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있다.
또, 상기 패턴 형성 방법에서, 상기 고화 공정은 상기 제1 묘화 공정에서 배치된 액상체를 건조시키는 공정인 것을 특징으로 한다.
건조를 사용한 묘화 공정에서는, 건조에 의한 액상체에 포함되는 고형분을 고화하여 기능성 막을 얻는다. 이때, 얻어지는 기능성 막의 용적과 비교하여 지극히 큰 액상체를 설계 패턴에 따라 묘화해야하므로, 액상체의 거동이나 패턴 형상이 패턴의 치수에 크게 영향을 받게 된다. 본 발명에 의하면, 액상체의 패턴이 부영역의 그룹마다 고화되므로, 건조를 사용한 패턴 형성 방법에서 정밀한 기능성 막을 얻는 것이 가능해진다.
고화 공정은, 예를 들면 액상체로서 광(光)경화성 수지를 포함한 액상체를 사용하여 자외선을 조사함으로써 행할 수도 있지만, 이 경우 액상체의 조성이 제한되어 버리게 된다. 이 패턴 형성 방법에 의하면, 건조에 의해 제1 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴이 고화되므로, 액상체의 선택의 자유도가 높아진다.
또, 상기 패턴 형성 방법은 상기 부영역 설정 공정에서, 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상의 영역으로서 상기 부영역을 설정하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상이란, 예를 들면 직사각형 형상과 같은 일정한 폭 치수를 갖고 객관적으로 규정할 수 있는 형상을 가리키고 있으며, 정사각형과 같이 폭과 길이를 구별할 수 없는 듯한 형상도 포함된다. 또, 원형이나 타원형 등에 대하여도, 그 직경이나 짧은 축의 길이를 폭이라 생각하고 이 형상에 포함하는 것으로 한다. 또, 사다리꼴과 같이 폭이 변화하는 형상이라도 그 변화가 작은 것이면 거의 일정한 폭을 갖는 형상에 포함된다.
액상체가 있는 설계 패턴으로 기판 위에 배치되었을 경우에, 해당 액상체의 거동은 설계 패턴의 폭의 영향을 강하게 받는다. 예를 들면, 폭이 넓은 영역과 폭이 좁은 영역이 결합한 것 같은 설계 패턴으로 액상체가 배치되었을 경우에는, 폭에 의존하는 액상체면의 곡율의 차이에 기인하여, 폭이 좁은 영역으로부터 폭이 넓은 영역을 향해서 액상체가 유동하고, 상기 두 개의 영역 사이에서 막 두께 차이가 생기게 된다. 즉, 폭이 현저하게 다른 영역을 포함하여 액상체의 패턴이 형성되었을 경우에는, 상기 액상체의 거동을 잘 제어할 수 없다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 의하면, 부영역을 거의 일정한 폭을 갖는 형상으로 함으로써 상술한 과제를 회피할 수 있다.
또, 상기 패턴 형성 방법은 상기 부영역 설정 공정에서, 동일한 정도의 폭으로 규정되는 부영역이 같은 그룹에 속하도록 상기 부영역의 분할 및 상기 그룹의 분류를 행하는 것을 특징으로 한다.
부영역의 폭은 해당 부영역에 대응하는 액상체의 패턴이 형성되었을 경우에 액상체의 거동에 크게 영향을 주므로, 동일한 정도의 폭의 부영역을 같은 그룹에 속하도록 함으로써, 액상체를 더 적절히 제어할 수 있다.
또, 상기 기능성 막의 설계 패턴이 가늘고 길게 신장된 영역을 포함하고 있고, 상기 신장된 영역의 신장 방향을 따라 해당 영역을 특정 길이 이하로 구획하도록 부영역이 설정되는 패턴 형성 방법에서, 상기 특정 길이는 상기 신장된 영역과 같은 폭의 띠 형상의 패턴을 그리도록 상기 제2 액상체를 한번에 배치했을 경우에 형성되는 액상체의 패턴에, 거의 같은 간격으로 나타나는 볼록부의 해당 간격과 동 일한 것을 특징으로 한다.
여기서, 가늘고 길게 신장된 영역이란, 반드시 직선적인 형상일 필요는 없고, 굴곡된 띠 모양의 형상이라도 좋다.
가늘고 길게 신장된 설계 패턴으로 액상체를 배치했을 경우에, 액상체의 패턴에는 토출 후의 액상체의 거동 결과, 액류(液溜)로서의 볼록부(벌지)가 형성되는 경우가 있다. 본원 발명자의 지견에 의하면, 이 볼록부는 좁은 폭의 영역에 액상체가 집중적으로 배치된 결과, 높아진 내압을 내리려고 하여 나타나는 것이라고 생각되고 있다.
이 패턴 형성 방법에 의하면, 기능성 막의 설계 패턴이 가늘고 길게 신장된 영역을 포함한 경우에, 볼록부의 발생 간격 이하로 구획하여 부영역을 설정함으로써, 상술한 바와 같은 볼록부를 발생시키지 않고, 정밀도가 좋은 액상체의 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.
또, 상기 기능성 막의 설계 패턴이 가늘고 길게 신장된 영역을 포함하고 있고, 상기 신장된 영역의 신장 방향을 따라 해당 영역을 특정 길이 이하로 구획하도록 부영역이 설정되는 패턴 형성 방법에서, 상기 부영역 설정 공정에 앞서, 더미 기판 위에 상기 신장된 영역과 같은 폭의 띠 형상의 패턴을 그리도록 상기 제2 액상체를 배치하여 더미 패턴을 형성하는 더미 패턴 형성 공정을 갖고 있고, 상기 더미 패턴에 거의 같은 간격으로 나타나는 볼록부의 해당 간격에 의해서, 상기 특정 길이를 규정하는 것을 특징으로 한다.
상술한 볼록부의 간격은, 액상체와 기판 표면의 젖는 성질, 액상체의 표면 장력, 설계 패턴의 폭, 배치 액상체의 양 등에 의존하는 것으로서, 형성하고 싶은 기능성 막에 의해서 변화한다. 이 패턴 형성 방법에 의하면, 형성하고 싶은 기능성 막과 같은 조건(기판의 재질, 표면 처리 방법, 액상체의 조성 등)으로 처리한 더미 기판 위에 미리 더미 패턴을 형성하고, 볼록부의 발생 간격을 알 수 있으므로, 최적의 부영역의 설정이 가능하게 된다.
또, 상기 패턴 형성 방법에서, 상기 기판의 패턴을 형성하는 면에는 상기 기능성 막의 설계 패턴에 대응하는 영역을 둘러싸도록, 발액 처리 내지 뱅크 형성이 이루어지고 있는 것을 특징으로 한다.
이 패턴 형성 방법에 의하면, 발액 처리 내지 뱅크 형성에 의해서, 기판 위에 배치된 액상체를 보다 확실하게 부영역 내에 남길 수 있다.
본 발명은, 소정의 패턴으로 형성된 기능성 막으로서, 상기 기능성 막의 패턴은 복수의 부영역으로 분할되어 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기능성 막은 부영역 단위로 형성되어 있기 때문에, 패턴의 막 두께나 형상에 관한 정밀도가 뛰어나다.
또, 상기 기능성 막에서, 상기 부영역은 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상의 영역으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 기능성 막의 부영역은 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상으로 되어 있으므로, 패턴의 막 두께나 형상에 관한 정밀도가 뛰어나다
이하, 본 발명의 매우 바람직한 실시 형태를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
또한, 이하에 서술하는 실시 형태는, 본 발명의 매우 적합한 구체적인 예이기 때문에, 기술적으로 바람직한 여러 가지의 한정이 부가되어 있지만, 본 발명의 범위는 이하의 설명에서 특별히 본 발명을 한정하는 취지의 기재가 없는 한, 이들 형태에 한정되는 것은 아니다. 또, 이하의 설명에서 참조하는 도면에서, 도시되는 패턴의 치수비는 실제의 것과는 반드시 일치하고 있지는 않다.
(액체 방울 토출 장치의 구성)
우선 처음에, 패턴의 묘화에 사용하는 액체 방울 토출 장치의 구성에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에서의 액체 방울 토출 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
액체 방울 토출 장치(100)는 도 1에 나타내듯이, 액체 방울을 토출하는 헤드부(110)를 갖는 헤드 기구부(102)와, 헤드부(110)로부터 토출된 액체 방울의 토출 대상인 기판(120)을 재치하는 기판 기구부(103)와, 헤드부(110)에 액상체(133)를 공급하는 액상체 공급부(104)와, 이들 각 기구부 및 공급부를 총괄적으로 제어하는 제어부(105)를 포함한다.
헤드부(110)는 복수의 노즐을 갖고 있고, 각 노즐마다 액체 방울을 기판(120)을 향해서 토출하는 것이 가능하다. 또, 액체 방울의 토출은 제어부(105)에 의해서 노즐마다 제어 가능하다. 기판(120)으로서는, 유리 기판, 금속 기판, 합성 수지 기판 등, 평판 형상의 것이면 대체로 이용할 수 있다.
액체 방울 토출 장치(100)는 상(床) 위에 설치된 복수의 지지 다리(106)와, 지지 다리(106)의 위쪽에 설치된 정반(定盤)(107)을 구비하고 있다. 정반(107)의 윗쪽에는 기판 기구부(103)가 정반(107)의 길이 방향(X축 방향)에 걸쳐서 배치되어 있고, 기판 기구부(103)의 윗쪽에는 정반(107)에 고정된 2개의 기둥으로 양팔보로 지지되어 있는 헤드 기구부(102)가 기판 기구부(103)와 직교하는 방향(Y축 방향)에 걸쳐서 배치되어 있다. 또, 정반(107)의 한쪽 단부(端部) 위에는, 헤드 기구부(102)의 헤드부(110)로부터 연통하여 액상체(133)를 공급하는 액상체 공급부(104)가 배치되어 있다. 또한, 정반(107)의 아랫쪽에는 제어부(105)가 수용되어 있다.
헤드 기구부(102)는 액상체(133)를 토출하는 헤드부(110)와, 헤드부(110)를 탑재한 캐리지(111)와, 캐리지(111)의 Y축 방향으로의 이동을 안내하는 Y축 가이드(113)와, Y축 가이드(113)를 따라서 설치된 Y축 볼나사(115)와, Y축 볼나사(115)를 정역회전시키는 Y축 모터(114)와, 캐리지(111)의 하부에 있고, Y축 볼나사(115)와 나사 결합하여 캐리지(111)를 이동시키는 암 나사부가 형성된 캐리지 나사 결합부(112)를 구비하고 있다.
기판 기구부(103)의 이동 기구는, 헤드 기구부(102)와 거의 같은 구성으로 X축 방향에 배치되어 있으며, 기판(120)을 재치하고 있는 재치대(121)와, 재치대(121)의 이동을 안내하는 X축 가이드(123)와, X축 가이드(123)를 따라서 설치된 X축 볼나사(125)와, X축 볼나사(125)를 정역회전시키는 X축 모터(124)와, 재치대(121)의 하부에 있고, X축 볼나사(125)와 나사 결합하여 재치대(121)를 이동시키는 재치대 나사 결합부(122)로 구성되어 있다.
또한, 헤드 기구부(102) 및 기판 기구부(103)에는 도시하고 있지 않지만, 헤 드부(110)와 재치대(121)의 이동한 위치를 검출하는 위치 검출 수단이 각각 구비되어 있다. 또, 캐리지(111)와 재치대(121)에는 XY축에 직교하는 Z축을 회전축 방향으로 한, 회전 방향을 조정하는 기구가 일체로 구성되며, 헤드부(110)의 회전 방향 조정, 및 재치대(121)의 회전 방향 조정이 가능하다.
이들 구성에 의해, 헤드부(110)와 기판(120)은 각각 Y축 방향 및 X축 방향으로 왕복가능하게 상대 이동할 수 있다. 헤드부(110)의 이동에 대해 설명하면, Y축 모터(114)의 정역회전에 의해서 Y축 볼나사(115)가 정역회전하고, Y축 볼나사(115)에 나사 결합하고 있는 캐리지 나사 결합부(112)가, Y축 가이드(113)를 따라서 이동함으로써, 캐리지 나사 결합부(112)와 일체의 캐리지(111)가 임의의 위치로 이동한다. 즉, Y축 모터(114)의 구동에 의해, 캐리지(111)에 탑재한 헤드부(110)가 Y축 방향으로 자유롭게 이동한다. 마찬가지로, 재치대(121)에 배치된 기판(120)도 X축 방향으로 자유롭게 이동한다.
이와 같이, X축 모터(124), Y축 모터(114)의 구동 제어에 의해, 헤드부(110)의 기판(120)에 대한 상대 이동이 가능하고, 액체 방울을 기판(120) 위의 임의의 위치에 토출할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 위치 제어와, 헤드부(110)의 토출 제어를 동기(同期)시켜 행함으로써, 기판(120) 위에 소정 패턴을 묘화할 수 있다.
헤드부(110)에 액상체(133)를 공급하는 액상체 공급부(104)는 헤드부(110)에 연통하는 유로를 형성하는 튜브(131a)와, 튜브(131a)에 액체를 보내는 펌프(132)와, 펌프(132)에 액상체(133)를 공급하는 튜브(131b)(유로)와, 튜브(131b)에 연 통하여 액상체(133)를 저장하는 탱크(130)로 이루어져 있으며, 정반(107) 위의 일단에 배치되어 있다.
(게이트 배선의 형성에 대해)
이하에서는, 기능성 막의 패턴 형성에 대하여 TFT용 게이트 배선을 예로 설명을 행한다.
단, 이하의 설명에서의 게이트 배선은, 어디까지나 기능성 막의 일례에 지나지 않고, 본 발명이 적용되는 기능성 막은 전자 디바이스에서의 모든 패턴의 도전성 막(배선)이나, 유기 EL(일렉트로루미네선스) 디스플레이 패널에서의 발광 셀막, 액정 디스플레이 패널에서의 칼라 필터막 등, 다방면에 걸쳐 있다.
(게이트 배선의 구성)
도 2는 TFT용 게이트 배선의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2에서, 게이트 배선(34)은 본 발명의 기능성 막에 대응한다. 스트라이프 형상으로 형성된 복수의 게이트 배선(34)의 각각은, 폭광부(34A), 게이트 전극부(34B), 폭협부(34C)를 갖고 있다. 또한, 도 2에서, 폭광부(34A), 게이트 전극부(34B), 폭협부(34C)의 길이나 폭의 비율은 실제의 것과 반드시 일치하고 있지는 않다.
폭광부(34A)는 게이트 배선(34)에서 X축 방향으로 연장하는 주간(主幹) 부분이다. 그리고, 폭광부(34A)의 폭, 즉 폭광부(34A)의 길이 방향에 직교하는 방향의 길이는 게이트 전극부(34B), 폭협부(34C)의 폭 치수보다도 길다. 구체적으로는 폭광부(34A)의 폭은 거의 20μm이다.
게이트 전극부(34B)는 폭광부(34A)로부터 Y축 방향으로 돌출한 부분이며, TFT 소자에서의 게이트 전극을 이루는 부분이다. 게이트 전극부(34B)의 폭은 거의 10μm이며, 폭광부(34A)의 폭 치수보다도 짧게 되어 있다.
폭협부(34C)는 게이트 배선(34)에서, 폭광부(34A)보다도 폭이 좁게 되어 있는 부분이다. 이 부분은, 뒤의 디바이스 제조 공정에 의해 형성되는 소스 배선이나 드레인 배선(모두 도시 생략)과 입체 교차하는 부분에 해당하기 때문에, 배선의 겹침에 의해서 생기는 전기 용량을 저감하기 위해서, 이와 같이 폭이 좁게 형성되어 있다. 구체적으로는, 폭광부(34C)의 폭은 거의 7μm이다.
(액상체의 개략 구성)
게이트 배선(34)을 형성하기 위한 액상체로서는, 기능성 재료로서의 도전성 미립자를 분산매에 분산시킨 것이 사용된다. 액상체에 분산되는 도전성 미립자로서는 금, 은, 구리, 파라듐, 니켈 중 어느 것인가를 함유하는 금속 미립자 이 외에, 도전성 폴리머나 초전도체의 미립자 등이 사용된다.
이들 도전성 미립자에 대하여는, 분산성을 향상시키기 위해 그 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다. 도전성 미립자의 표면에 코팅하는 코팅재로서는 구연산 등을 들 수 있다.
도전성 미립자의 입경은 5nm 이상 0.1μm 이하인 것이 바람직하다. 0.1μm보다 크면 후술하는 액체 방울 토출 장치의 헤드의 노즐의 막힘이 일어나기 쉽고, 액체 방울 토출법에 의한 토출이 곤란하게 되기 때문이다. 또, 5nm보다 작으면 도전성 미립자에 대한 코팅재의 체적비가 커져, 얻어지는 막 중의 유기물의 비 율이 과다하게 되기 때문이다.
도전성 미립자를 함유하는 액체의 분산매로서는, 실온에서의 증기압이 0.001mmHg 이상 200 mmHg 이하(약 0.133Pa 이상 26600Pa 이하)인 것이 바람직하다. 증기압이 200mmHg보다 높으면 토출 후에 분산매가 급격하게 증발해 버려, 양호한 막을 형성하는 것이 곤란해지기 때문이다.
또, 분산매의 증기압은 0.001mmHg 이상 50mmHg 이하(약 0.133Pa 이상 6650Pa 이하)인 것이 더 바람직하다. 증기압이 50mmHg보다 높으면 액체 방울 토출법으로 액체 방울을 토출할 때에 건조에 의한 노즐 막힘이 일어나기 쉽고, 안정적인 토출이 곤란하게 되기 때문이다.
한편, 실온에서의 증기압이 0.001mmHg보다 낮은 분산매의 경우에는, 건조가 늦어져 막 중에 분산매가 잔류하기 쉬워져, 후속 공정의 열 및/또는 광처리 후에 양질의 도전성 막을 얻기 어려워진다.
사용하는 분산매로서는, 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로, 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로 나프탈렌, 데카히드로 나프탈렌, 시클로헥실 벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 1, 2-디메톡시 에탄, 비스(2-메톡시 에틸) 에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한, 프로 필렌 카보네이트, γ-부티롤락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 포름아미드, 디메틸 설폭사이드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 그 안정성, 또 액체 방울 토출법에의 적용의 용이점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 더욱 바람직한 분산매로서는, 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다. 이러한 분산매는, 단독으로도 또는 2종 이상의 혼합물로서도 사용할 수 있다.
도전성 미립자의 분산질 농도로서는, 1 질량% 이상 80 질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 원하는 도전성 막의 막 두께에 따라 조정할 수 있다. 80 질량%를 넘으면 응집을 일으키기 쉬워지고, 균일한 막을 얻기 어려워진다.
액상체의 표면 장력으로서는, 0.02N/m 이상 0.07N/m 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 액체 방울 토출법으로 액상체를 토출할 때, 표면 장력이 0.02N/m 미만이면, 잉크 조성물의 노즐면에 대한 젖는 성질이 증대하기 때문에, 비행 굴곡이 생기기 쉬워지고, 0.07N/m를 넘으면, 노즐 선단에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않기 때문에, 토출량, 토출 타이밍의 제어가 곤란하게 되기 때문이다.
표면 장력을 조정하기 위하여, 상기 분산액에는 기판(120)과의 접촉각을 부당하게 저하시키지 않는 범위에서, 불소계, 실리콘계, 비이온계 등의 표면 장력 조절제를 미량 첨가할 수 있다. 비이온계 표면 장력 조절제는 액체의 기판에의 젖는 성질을 양호화하고, 막의 레벨링성을 개량하며, 도막(塗膜)의 꺼칠꺼칠함 발생, 도톨도톨함 발생 등의 방지에 도움이 되는 것이다.
상기 분산액은 필요에 따라 알코올, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합 물을 포함하고 있어도 지장이 없다.
또, 액상체에는 막으로서 형성되었을 때의 정착성을 좋게 하기 위해서, 바인더 수지를 첨가할 수 있다. 바인더 수지로서는, 예를 들면 아크릴산과 스틸렌의 공중합체 등이 사용된다. 형성된 막의 정착성이라고 하는 관점에서 보면, 바인더 수지는 많은 것이 바람직하지만, 도전성막으로서의 주기능, 즉 도전성이라고 하는 관점에서 보면, 바인더 수지는 소량인 것이 바람직하다.
분산액의 점도는 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 액체 방울 토출법으로 토출할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 잉크의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또 점도가 50mPa·s보다 큰 경우는, 노즐 구멍에서의 막힘 빈도가 높아져 원활한 액체 방울의 토출이 곤란해지기 때문이다.
(게이트 배선의 형성 공정의 전체 설명)
여기에서는, 도 3의 플로차트에 따라 도 4 ~ 도 7을 참조하여 게이트 배선의 형성 공정 전체에 대해 설명한다. 도 3은 게이트 배선의 패턴 형성의 공정을 설명하는 플로차트이다. 도 4(a)는 게이트 배선의 설계 패턴을 나타내는 도면이다. 도 4(b)는 더미 패턴의 설계 패턴을 나타내는 도면이다. 또한, 설계 패턴이란 형성하고자 하는 기능성 막의 모티프로서의 패턴을 가리키고 있으며, 액상체나 막재료로 실제로 형성되어 있는 패턴과 구별하기 위해서 이와 같이 표현하고 있다.
상술한 게이트 배선(34)(도 2 참조)의 패턴 형성에 앞서, 우선 기판이 준비된다(도 3의 S1a). 기판의 재료로서는 유리, 실리콘, 수지 등 제조하는 디바이스 의 종류나 이 디바이스의 부위에 따라 적당히 선택되어 사용되지만, 본 실시 형태에서는 유리 기판을 사용한다. 또, 이때, 제품에 사용되는 것과 동일한 조건(재질, 표면 평활도 등)의 기판이 더미 기판으로서 준비된다(도 3의 S1b).
다음에, 기판 표면(배선 패턴을 형성하는 측의 면)에 대해 발액 처리를 행한다(도 3의 S2a). 발액 처리로서는, 예를 들면 자체 조직화막을 기판 표면에 형성하는 방법이 있다. 「자체 조직화막」(SAM:Self-Assembled-Monolayerse)이란, 그 막 형성면의 구성 원자와 결합 가능한 관능기(官能基)가 직쇄 분자에 결합되어 있는 화합물을, 기체 또는 액체 상태로 구성면과 공존시킴으로써, 상기 관능기가 막 형성면에 흡착하여 막 형성면의 구성 원자와 결합하여 직쇄 분자가 막 형성면 위에 형성된 치밀한 단분자막이다. 본 실시 형태에서는, 기판과 헵타데카플루오로테트라히드로데실트리에톡시실란을 동일한 밀폐 용기에 넣어 96시간 실온에서 방치함으로써, 자체 조직화막을 형성한다. 또한, 이때, 먼저 준비한 더미 기판에도 동조건의 발액 처리가 이루어진다(도 3의 S2b).
발액 처리(도 3의 S2a) 후, 기판 표면의 게이트 배선을 형성하는 영역에, 친액 처리를 행한다(도 3의 S3a). 구체적으로는, 게이트 배선의 설계 패턴(도 4(a) 참조)으로 형태를 낸 마스크를 통하여 플라즈마 상태의 산소를 조사(플라즈마 처리법)하고, 조사된 영역의 자체 조직화 분자나 그 밖의 부착 불순물을 제거하는 것으로 행한다.
이 공정에 의해, 기판 표면에 게이트 배선의 설계 패턴에서 친액성의 영역이 형성된다. 그리고, 이 친액성 영역의 외측은 발액성의 영역으로 되어 있으므로, 후 술하는 패턴 형성 공정에서, 액상체의 패턴을 설계 패턴에 맞추어 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
이때, 먼저 준비된 더미 기판에도 같은 친액 처리가 이루어지지만(도 3의 S3b), 형성되는 친액성 영역은 정규의 기판의 경우와 달리 도 4(b)에 나타내는 가늘고 긴 띠 형상의 형태를 하고 있다.
상술한 발액 처리 공정과 친액 처리 공정이란, 통틀어 기판 전처리 공정으로 불리고 있다. 이 기판 전처리 공정은, 액상체의 패턴을 설계 패턴(30)에 맞추어 정밀도 좋게 형성하기 위해서 행해지고 있다. 단, 기판 전처리 공정은 후술하는 패턴 형성 공정을 행하는데 있어서의 필수의 공정은 아니고, 본원 발명의 효과를 얻는데 있어서도 필수는 아니다.
기판의 전처리 공정으로서 상술한 방법 외에, 뱅크 형성으로 불리는 방법도 있으므로 설명해 둔다.
뱅크 형성은, 레지스트 기술을 사용하여 기판 위에 설계 패턴의 윤곽에 따라서, 뱅크 형상의 수지 구조체(뱅크)를 형성하는 것이다. 수지로서는, 아크릴 수지나 폴리이미드 수지 등이 사용된다.
이 뱅크 형성에 앞서, 기판 표면을 친액 처리해도 좋고, 뱅크 형성 후에 뱅크 부분에 대하여 발액 처리를 행해도 좋다. 이때의 발액 처리 방법으로서는, 예를 들면 대기 분위기 중에서 테트라플루오르메탄을 처리 가스로 하는 플라즈마 처리법(CF4 플라즈마 처리법)이 사용된다. 또, 뱅크 수지로서 발액성을 갖는 재료(예를 들면, 불소기를 갖는 수지 재료)를 사용함으로써, 발액 처리를 생략하도록 해도 좋다.
친액 처리 공정(S3a, S3b) 후, 더미 기판에 대하여 도 4(b)에 나타내는 설계 패턴(31)을 그리도록, 액상체의 토출이 행해지고, 더미 패턴이 형성된다(도 3의 S4). 이때, 더미 기판 위에 배치하는 액상체의 양은 제품으로서의 게이트 배선(34)(도 2 참조)의 막 두께를 얻기 위해서 필요한 양과 동일하게 되어 있다.
도 4(b)에서, 더미 패턴의 설계 패턴(31)은 가늘고 긴 띠 형상의 형태를 한 띠 형상부(31A, 31B, 31C)로 구성되어 있고, 띠 형상부(31A)의 폭은 게이트 배선의 설계 패턴(30)의 폭광부(30A)(도 2의 폭광부(34A)에 대응)의 폭과 동일하게 되어 있다. 또, 띠 형상부(31B)의 폭은 게이트 배선의 설계 패턴(30)의 게이트 전극부(30B)(도 2의 게이트 전극부(34B)에 대응)의 폭과, 띠 형상부(31C)의 폭은 게이트 배선의 설계 패턴(30)의 폭협부(30C)(도 2의 폭협부(34C)에 대응)의 폭과 각각 동일하게 되어 있다.
더미 패턴 형성 공정은, 이 후에 계속되는 부영역 설정 공정(도 3의 S5)과 밀접하게 관계되는 공정이지만, 상세한 설명은 뒤로 미루기로 한다.
더미 패턴 형성 공정 후, 도 4(a)에 나타내는 게이트 배선의 설계 패턴(30)을 부영역으로 분할하고, 각 부영역을 그룹으로 분류한다(도 3의 부영역 설정 공정 S5). 이 부영역 설정 공정은 기판에 대하여 어떤 처리를 행하는 것이 아니며, 소위 정보 처리의 일종이다.
도 5는 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할의 일례를 나타내는 도면이 다. 이 도면에서, 인접하는 부영역 사이의 경계는 상상선으로 나타내고 있고, 또 편의상 같은 그룹에 속하는 부영역을 같은 해칭으로 나타내고 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 설계 패턴(30)은 직사각형 형상의 부영역(40a~ 40g)으로 분할되어 있다. 폭광부(30A)는 폭:20μm×길이:35μm의 부영역(40b, 40d(40a))과 폭:20μm×길이:30μm의 부영역(40c)으로 구성되어 있다. 게이트 전극부(30B)의 영역은 폭:10μm×길이:LB1의 부영역(40g)으로 되어 있다. 폭협부(30C)의 영역은 폭:7μm×길이:LC1의 부영역(40e(40f))으로 되어 있다.
부영역의 그룹 분류는, 인접하는 부영역이 같은 그룹에 속하지 않도록 이루어진다. 본 실시 형태에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이 부영역(40a, 40b, 40d)이 A그룹으로, 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)이 B그룹으로 분류된다. 본 실시 형태에서는, 특히 게이트 전극부(30B)의 폭(10μm)으로 규정되는 부영역(40g)과, 폭협부(30C)의 폭(7μm)으로 규정되는 부영역(40e, 40f)은 같은 B그룹에 속하고 있으며, 이와 같이 분류도의 폭으로 규정되는 부영역이 같은 그룹에 속하도록 부영역을 설정했을 경우에는, 더 적절한 제어를 기대할 수 있다(자세한 것은 후술한다). 또한, 그룹 분류는 반드시 2개의 그룹으로 해야만 하는 것은 아니고,「인접하는 부영역이 같은 그룹에 속하지 않는다」라고 하는 조건을 채우는 한, 3개나 4개라도 상관없다.
이와 같이, 복잡한 형상으로 이루어지는 설계 패턴(30)은 일정한 폭과 일정한 길이로 규정되는 직사각형 형상의 부영역(40a~ 40g)으로 분할되고, 또한 그룹 분류된다. 부영역의 분할에 대하여는, 몇 가지 유의 사항이 있고, 상술한 더미 패턴 형성 공정(도 3의 S4)과도 깊게 관계하고 있는 것이지만, 그들에 대하여는 잠시 후에 자세히 설명한다.
부영역의 분할, 그룹 분류가 끝나면, 부영역 설정 후의 설계 패턴(30)(도 5 참조)을 기초로, 액상체의 토출을 행한다(도 3의 제1 묘화 공정 S6). 구체적으로는, 도 5에 나타내는 설계 패턴(30)을 액체 방울 토출 장치(100)에 기억시키고, 기판 전처리(도 3의 S2a, S3a)가 된 기판을 액체 방울 토출 장치(100)의 배치대(121)(도 1 참조)에 재치하고, 액체 방울 토출법에 의한 묘화를 행한다.
도 6은, 제1 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴을 나타내는 평면도이다. 도면 중, 가상선으로 나타내는 영역은 도 5에 나타내는 설계 패턴(부영역)을 나타내고 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 묘화 공정에서는 설계 패턴(30)의 A그룹에 속하는 부영역(40a, 40b, 40d)(도 5 참조)을 그리도록 액상체의 토출이 행해지고, 그물망으로 나타내는 액상체의 패턴(33a, 33b, 33d)이 형성된다. 기판 표면에는, 이미 도 4에 나타내는 게이트 배선의 설계 패턴(30)에 맞춘 친액/발액 처리가 이루어지고 있으므로, 샤프한 윤곽을 가진 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
A그룹에 속하는 부영역(40a, 40b, 40d)은 서로 인접하지 않도록 선택되어 있기 때문에, 해당 그룹 영역에 대응하는 액상체의 패턴(33a, 33b, 33d)은 각각이 독립한 패턴으로 되어 있다. 즉, 이러한 패턴은 각각이 독립한 동역학 체계에 의해서 지배되고 있다고 할 수 있으며, 이는 부영역(40a, 40b, 40d)의 단위 로 패턴의 제어를 하고 있다고 바꾸어 말할 수도 있다.
다음에, 액상체의 패턴(33a, 33b, 33d)을 건조시켜, 액상체에 포함되는 기능성 재료 등을 기판 위에 정착시킨다(도 3의 제1 건조 공정 S7). 이 고화 공정으로서의 건조 공정은 기판을 건조 장치에 이송하여 행해도 좋고, 액체 방울 토출 장치(100)(도 1 참조)와 건조 장치를 조합한 제조 장치에 의해서, 재치대(121)(도 1 참조) 위에 기판을 둔 채로 행해도 좋다. 이 건조 공정에 의해서, 액상체의 분산매나 각종 용제는 증발하고, 기판 위에는 도전성 재료를 포함한 도전성막으로서의 배선막(38a, 38b, 38d)이 형성된다.
다음에, 제1 건조 공정에 의해서 배선막(38a, 38b, 38d)이 형성된 기판에 대하여, 다시 액상체의 토출을 행한다(도 3의 제2 묘화 공정 S8). 구체적으로는, B그룹에 속하는 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)(도 6 참조)을 그리도록 액상체를 토출시켜 액상체의 패턴을 형성한다.
도 7은 제2 묘화 공정에서 형성된 액상체의 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 7에서 그물망으로 나타내는 액상체의 패턴(33c, 33e, 33f, 33g)은, 각각 도 6의 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)에 대응하는 패턴으로서 형성되어 있다. 기판 표면에는, 이미 도 4에 나타내는 게이트 배선의 설계 패턴(30)에 맞춘 친액/발액 처리가 이루어져 있어, 샤프한 윤곽을 가진 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
B그룹에 속하는 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)은 서로 인접하지 않도록 선택되어 있기 때문에, 해당 그룹 영역에 대응하는 액상체의 패턴(33c, 33e, 33 f, 33g)은 각각이 독립한 패턴으로 되어 있다. 즉, 이들 패턴은 각각이 독립한 동역학 체계에 의해서 지배되고 있다고 할 수 있다. 그리고, 이것은 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)의 단위로 패턴의 제어가 행해지고 있다고 바꾸어 말할 수도 있다.
액상체의 패턴(33c, 33e, 33f, 33g) 형성 후, 건조 장치에 이송하는 등 기판마다 건조시켜(도 3의 제2 건조 공정 S9), 액상체에 포함되는 기능성 재료 등을 기판 위에 정착시킨다. 이렇게 해서, 액상체의 패턴(33c, 33e, 33f, 33g)은 먼저 형성된 배선막(38a, 38b, 38d)과 일체화하여 게이트 배선(34)(도 2 참조)을 형성한다.
게이트 배선(34)(도 2 참조)이 형성된 기판은, 필요에 따라 소성된 후 디바이스 제조 공정으로 보내지며, 예를 들면 디스플레이 장치의 배선 등으로서 사용된다.
상술한 설명에서 알 수 있듯이, 설계 패턴을 복수의 부영역으로 분할하고, 서로 인접하지 않는 부영역의 그룹마다 패턴의 묘화와 건조를 행함으로써, 액상체의 패턴을 부영역 단위로 확실히 제어하는 것이 가능해진다.
(패턴 준비 공정에 관한 상세)
상술한 공정에서, 더미 패턴 형성 공정(도 3의 S4), 부영역 설정 공정(도 3의 S5)은, 통틀어 패턴 준비 공정으로 불린다. 이하에서는, 이러한 공정에 관하여, 도 8, 도 9를 참조하여 상세히 설명한다.
도 8은 더미 기판 위에 형성된 더미 패턴의 일부를 나타내는 평면도이며, 도 4(b)의 띠 형상부(31A)에 대응하는 패턴을 나타내고 있다.
도 8에서 액상체로 이루어지는 더미 패턴(32A)은 가상선으로 나타내는 설계 패턴으로서의 띠 형상부(31A)와 일치하지 않고, 같은 간격으로 발생한 액류인 벌지(36)(볼록부)를 갖고 있다. 이와 같이, 설계 패턴(띠 형상부(31A))대로 액상체(액체 방울)를 정확히 착탄시켰다고 해도, 기판 위의 액상체는 젖는 성질이나 표면 장력 등의 동역학적 영향에 지배되어 행동하여, 형상을 변화시키거나 분열을 일으키거나 하는 경우가 있다. 그리고, 그러한 케이스 중 하나가, 가늘고 길게 신장된 설계 패턴으로 액상체를 묘화했을 때의 벌지(36)의 발생이다. 본원 발명자의 지견에 의하면, 이 벌지(36)는 좁은 폭의 영역에 액상체가 집중적으로 배치된 결과, 높아진 내압을 내리려고 하여 나타나는 것이라고 생각되고 있다.
또한, 상세한 설명은 생략하지만, 도 4(b)에 나타내는 띠 형상부(31B, 31C)에 대응하는 더미 패턴에 대하여도, 도 8의 더미 패턴(32A)과 같이, 거의 같은 간격으로 벌지(36)가 발생하고 있다. 벌지의 발생 간격은 패턴의 폭이 좁을 수록 짧아지는 경향을 나타낸다.
도 8의 더미 패턴(32A)과 같이, 액상체의 패턴을 형성했을 때에 벌지가 발생해 버리면, 설계 패턴대로의 배선막을 형성할 수 없게 되어 버리기 때문에, 벌지가 발생하는지 아닌지의 조건을 미리 알아 두는 것은 중요하다. 그런데, 벌지의 발생 조건은 친액 영역의 친액성, 발액 영역의 발액성, 액상체의 표면 장력, 띠 형상부의 폭, 배치하는 액상체의 양 등에 의존하여 변화하기 때문에, 다양한 액상체(기능성 재료), 다양한 패턴에 적용할 수 있는 조건을 계산 등으로 구하는 것은 곤란 하다.
이 더미 패턴 형성 공정은 이러한 사정에 감안하여 설치되어 있다. 즉, 게이트 배선의 설계 패턴(30)(도 4(a) 참조)에 포함되는 가늘고 길게 신장된 영역, 즉, 폭광부(30A), 게이트 전극부(30B), 폭협부(30C)와 같은 폭의 띠 형상의 패턴으로 더미 패턴을 형성함으로써, 벌지의 발생 조건으로서 패턴의 폭 치수와의 관계를 알 수 있는 것이다.
예를 들면, 도 8에 나타내는 더미 패턴(32A)의 예에서는 벌지(36)의 발생 간격은 약 90μm이다. 이 때문에, 도 4(a)의 설계 패턴(30)으로 액상체의 패턴을 한번에 형성하면, 100μm의 길이로 신장하는 폭광부(30A)에 상당하는 영역에서, 벌지를 발생시켜 버릴 가능성이 높다고 생각할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 폭광부(30A)를 폭:20μm×길이:70μm의 직사각형 형상의 부영역(40a, 40b, 40d)과, 폭:20μm×길이:45μm의 직사각형 형상의 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)으로 분할하고 있다. 이와 같이, 더미 패턴(32A)에서의 벌지(36)의 발생 간격(약 90μm) 이하의 길이로 폭광부(30A)를 부영역으로 분할함으로써, 액상체의 패턴을 형성했을 경우에, 벌지가 발생하는 것을 미리 막을 수 있는 것이다.
마찬가지로 게이트 전극부(30B)나 폭협부(30C)에 상당하는 영역에 대하여도 말할 수 있지만, 본 실시 형태의 경우, 부영역(40e, 40f)의 길이는 띠 형상부(31B, 31C)(도 4(b) 참조)에 대응하는 더미 패턴에 나타나는 벌지의 발생 간격보다도 짧게 되어 있으므로, 굳이 분할할 필요는 없다.
상술한 바와 같은 벌지의 발생은, 액상체의 패턴이 젖는 성질이나 표면 장력 등의 동역학적 영향에 의해서 형상을 변화시키는 경우의 하나이지만, 이러한 경우 외에도 특징적인 예가 있으므로, 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 본 실시 형태와의 비교예이며, 액상체 패턴의 종래예를 나타내는 단면도이다.
도 9로 나타내는 액상체의 패턴(90)은 도 4(a)의 상상선(想像線) 영역(E)에 상당하는 부분의 단면도이다. 도 9(a)에서는 폭협부(90C)(도 4(a)의 폭협부(30C)에 대응)의 두께는, 폭광부(90A)(도 4(a)의 폭광부(30A)에 대응)의 두께에 비해 얇게 되어 있다. 또, 도 9(b)에서는 폭협부(90C)의 부분에 액상체의 패턴이 형성되어 있지 않고, 패턴(90)이 도중에 분단된 것 같은 형태로 되어 있다.
이와 같이, 폭이 다른 두 개의 영역이 접하고 있는 부분에서는 해당 두 개의 영역(도 9의 예에서는, 폭광부(90A)와 폭협부(90C)) 사이에 액상체의 이동이 일어나, 막 두께의 불균등이나 결함을 발생시키는 경우가 있다. 본원 발명자의 지견에 의하면, 이러한 액상체의 이동 현상은 폭광부(90A)와 폭협부(90C)에서의 액상체 표면의 곡율 차이에서 유래하는 것이라고 생각된다. 즉, 거의 균일한 두께로 패턴(90)이 구성되었을 경우에는, 폭이 좁은 폭협부(90C)의 액상체의 표면은 폭이 넓은 폭광부(90A)의 액상체의 표면보다 곡율이 커진다. 그리고, 이 곡율의 차이와 함께 표면 장력과의 균형을 유지하는 관계로부터 액상체의 내압에도 차이가 발생하기 때문에, 해당 내압 차이에 의해서 액상체의 유동이 발생하여, 정상 상태에 대하여 도 9에 나타내는 패턴으로 되는 것이다.
본 실시 형태에서는 도 5에 나타내는 바와 같이, 폭광부(30A)의 폭(20μm) 으로 규정되는 부영역(40a ~ 40d), 게이트 전극부(30B)의 폭(10μm)으로 규정되는 부영역(40g), 폭협부(30C)의 폭(7μm)으로 규정되는 부영역(40e, 40f)과 같이, 일정한 폭으로 규정되는 부영역에서 게이트 배선의 설계 패턴(30)을 분할하고 있다. 직사각형 형상과 같은 일정한 폭으로 규정 가능한 형상의 부영역 내에서는, 액상체는 상술한 바와 같은 유동을 일으키지 않고, 안정된 형상을 유지하는 것이 가능하고, 이렇게 하여 균일한 막을 형성할 수 있다.
상술한 설명에서 알 수 있듯이, 액상체의 패턴을 형성하는 경우에서는, 그 설계 패턴의 형상이나 치수는, 토출 후의 액상체의 거동에 크게 영향을 준다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하면, 설계 패턴의 형상이나 치수에 상관없이 부영역 단위로 액상체의 거동을 제어할 수 있기 때문에, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있다.
본 실시 형태에서는, A그룹의 묘화, 건조를 선행하여 행하고, 그 다음에 B그룹의 묘화, 건조를 행하여 게이트 배선을 형성하고 있지만, 이 순서는 반대로 행할 수도 있다. 이때, 어느 쪽 그룹의 묘화, 건조를 선행하여 행할지에 대하여는, 액상체와 친액 영역(설계 패턴(30)(도 4(a), 도 5 참조)에 맞추어 실시되고 있다)의 젖는 성질의 정도에 따라서 선택하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 젖는 성질이 현저하게 큰 경우에는, 도 6과 같이 A그룹부터 먼저 묘화를 행하면, 액상체의 패턴(33a, 33b)의 액상체가 폭의 좁은 부영역(40e, 40g)에도 젖어 퍼져 버려, 제1 묘화 공정에서 정밀한 액상체의 패턴을 형성하는 것이 곤란한 경우가 있다. 이러한 경우에는, 폭이 좁은 부영역을 포함한 B그룹부 터 먼저 묘화, 건조를 행하도록 하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태와 같이, 동일한 정도의 폭으로 규정되는 부영역을 같은 그룹에 속하도록 부영역 설정을 행하면, 이러한 그룹 단위의 순서에 의한 제어가 가능하다.
(변형예 1)
도 10은 변형예 1에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면이다.
이하, 앞의 실시 형태와 중복하는 부분에 대하여는 설명을 생략하고, 차이점을 중심으로 변형예 1의 설명을 행한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 이 변형예 1에서는, A그룹에 속하는 부영역으로서 부영역(41a, 41b, 41c)이, B그룹에 속하는 부영역으로서 부영역(41d, 41e, 41f)이 설정되어 있다. 여기서, 부영역(41f)은 게이트 전극부(30B)의 폭(10μm)으로 규정되는 부영역이며, 게이트 전극부(30B)로부터 폭광부(30A)의 일부에 연장하도록 설정되어 있다. 또, 폭광부(30A)를 구성하는 부영역(41b와 41c(41a))이란, 각각 길이가 다른 부영역이며, 특히 부호 41b는 20μm×20μm의 정사각형 형상의 부영역이다.
이 변형예 1처럼, 폭광부(30A)와 게이트 전극부(30B)가 접하는 부분에서, 부영역은 그 접속 부분을 경계로서 분할하지 않으면 안된다는 것은 아니다. 중요한 것은, 「거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상」의 부영역으로 분할하는 것이며, 그 배리에이션은 다양하다.
또, 폭광부(30A)의 분할은 등분(等分)이 아니면 안된다는 것도 아니다. 중 요한 것은 「벌지를 발생시키지 않는 길이(더미 패턴에서의 벌지의 발생 간격 이하의 길이)」의 부영역으로 분할하는 것이며, 그 배리에이션은 다양하다.
또, 정사각형 형상의 부영역(41b)에서는 어느 쪽이 폭이고 어느 쪽이 길이인지 구별이 되지않지만, 정사각형 형상으로 액상체의 패턴이 형성되었다고 해도, 해당 패턴이 안정된 형상을 유지할 수 있는 것은 분명하고, 정사각형 형상을 「거의 일정한 폭을 갖는 형상」이 아니라고 하는 합리적인 이유는 없다. 즉, 본 발명에서 「거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상」은 이러한 형상으로 패턴이 형성되었을 경우에, 해당 패턴이 안정된 형상을 유지할 수 있을 것인가 라는 관점도 포함하여 특정되는 것이 당연하며, 정사각형 형상은 당연히 여기에 포함된다.
(변형예 2)
도 11은 변형예 2에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면이다.
이하, 앞의 실시 형태와 중복하는 부분에 대하여는 설명을 생략하고, 차이점을 중심으로 변형예 2의 설명을 행한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 이 변형예 2에서는 A그룹에 속하는 부영역으로서 부영역(42a, 42b, 42c)이, B그룹에 속하는 부영역으로서 부영역(42f)이, C그룹에 속하는 부영역으로서 부영역(42d, 42e, 42g)이 설정되어 있다.
이 변형예 2과 같이, 부영역으로 분류되는 그룹은 3개라도 좋다. 이 경우, 예를 들면 A그룹에 대해 묘화, 건조를 행하고, 그 다음에 B그룹에 대해 묘화, 건조를 행하며, 마지막에 C그룹에 대해 묘화, 건조를 행하게 된다. 즉, 그룹은 몇 개라도 상관없지만, 그룹의 수가 많아지면 공정 전체에 필요로 하는 시간이 길어진다.
또, 이 변형예 2에서는 게이트 전극부(30B)의 폭(10μm)으로 규정되는 부영역(42f, 42g)이, 변형예 1에서의 부영역(41f)을 Y축 방향으로 분할한 것처럼 설정되어 있다. 이와 같이, 부영역의 설정은 그 분할을 세분화하여 행하는 것을 부정하는 것은 아니다.
(변형예 3)
도 12는 변형예 3에서의 게이트 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면이다.
이하, 앞의 실시 형태와 중복하는 부분에 대하여는 설명을 생략하고, 차이점을 중심으로 변형예 3의 설명을 행한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 이 변형예 3에서는 A그룹으로서 부영역(43a, 43b, 43e)이, B그룹으로서 부영역(43c, 43d, 43f)이 설정되어 있다. 여기서, 부영역(43b, 43c)은 약간의 단차나 곡선적인 윤곽을 갖고 있고, 엄밀하게 직사각형 형상이라고는 부를 수 없는 부영역이다.
이 변형예 3과 같이, 폭협부(30C)의 폭(7μm)으로 규정되는 부영역(43d와 43e)이 각각 다른 그룹에 속하고 있어도 좋다. 또, 부영역(43b, 43c)과 같이, 엄밀하게 직사각형 형상이라고는 부를 수 없는 형상에 대하여도 객관적으로 거의 일정한 폭(이 경우는 20μm)으로 규정할 수 있는 것에 대하여는, 본 발명에서의 「거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상」에 포함된다.
(변형예 4)
도 13은 변형예 4에서의 전극 배선의 설계 패턴의 부영역 분할을 나타내는 도면이다. 이하, 앞의 실시 형태와 중복하는 부분에 대하여는 설명을 생략하고, 차이점을 중심으로 변형예 4의 설명을 행한다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 전극 배선의 설계 패턴(60)은 A그룹으로서, 원형의 부영역(61a)과, 굴곡한 띠형상의 부영역(61c)과, 사다리꼴 형상의 부영역(61e)을 포함하고 있다. 또, B그룹으로서 대략 직사각형 형상의 부영역(61b)과, 사다리꼴 형상의 부영역(61d)을 포함하고 있다.
원형의 부영역(61a)은 그 직경을 폭으로 간주했을 때에, 그 중심을 회전축으로 하는 회전 방향에 대하여 일정한 폭으로 규정하는 것이 가능하다라고 간주할 수 있다. 또, 정사각형 형상의 경우와 같이, 원형 형상으로 액상체의 패턴이 형성되었다고 해도, 해당 패턴이 안정된 형상을 유지할 수 있는 것은 분명하다. 즉, 「일정한 폭으로 규정 가능한 형상」이란, 병진 또는 회전의 한 방향에 대하여, 일정한 폭(지름)으로 규정하는 것이 가능한 형상의 것으로서, 원형 형상은 본 발명에서의 「거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상」에 포함된다. 또, 부영역(61c)과 같은 굴곡한 띠 형상이나, 부영역(61d, 61e)과 같은 윗변과 아랫변의 차이가 작은 사다리꼴 형상도, 본 발명에서의 「거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상」에 포함된다.
(변형예 5)
도 14는 변형예 5에서의 제2 묘화 공정에 대해 형성된 액상체의 패턴을 나타 내는 평면도이다. 이하, 앞의 실시 형태와 중복하는 부분에 대하여는 설명을 생략 하고, 차이점을 중심으로 변형예 5의 설명을 행한다.
이 변형예 5에서는, 제2 묘화 공정에서 B그룹에 속하는 부영역(40c, 40e, 40f, 40g)(도 5, 도 6 참조)을 그대로 그리는 것이 아니라, 이미 형성되어 있는 배선막(38a, 38b, 38d)에 일부의 영역이 겹치도록 패턴이 형성된다. 즉, 액상체의 패턴(37e, 37f, 37g)은 각각 대응하는 부영역(40e, 40f, 40g)(도 5, 도 6 참조)과 같은 폭으로, 장변 방향으로 약간 긴 패턴으로 형성되어 있다.
이 변형예 5와 같이, 반드시 설정한 부영역에 대하여 엄밀하게 액상체의 패턴을 형성해야 한다는 것은 아니고, 다른 그룹의 부영역에 일부가 겹치도록 패턴이 형성되어 있어도 상관없다.
본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 설계 패턴이 복수의 폭 치수를 갖는 영역으로 구성되어 있었다고 해도, 형상이나 막 두께 분포가 안정화하는 범위라면, 그 영역을 굳이 분할해야 한다는 것은 아니다. 또, 각 실시 형태의 각 구성은 이들을 적당히 조합하거나 생략하거나 도시하지 않은 다른 구성과 조합하거나 할 수 있다.
본 발명에 의하면 기능성 막의 패턴을 형성할 때, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 형성 가능한 패턴 형성 방법, 및 기능성 막을 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면 서로 인접하지 않는 부영역의 그룹마다 기능성 막의 패턴을 형성하기 때문에, 기판 위에 배치된 액상체의 거동을, 설정한 부영역의 형상이 나 크기에 의해서 제어하는 것이 가능해진다. 이렇게 해서, 선폭이나 형상 등에 대하여 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (9)

  1. 액체 방울 토출법을 사용하여 기판 위에 소정 패턴의 기능성 막을 형성하는 패턴 형성 방법으로서,
    상기 기능성 막의 설계 패턴에 대하여 해당 설계 패턴을 분할하는 복수의 부(副)영역을 설정하고, 또한 상기 복수의 부영역을 서로 인접하지 않는 복수의 그룹으로 분류하는 부영역 설정 공정과,
    상기 부영역 설정 공정에서 분류된 제1 그룹에 속하는 부영역을 그리도록 액상체(液狀體)를 배치하는 제1 묘화 공정과,
    상기 부영역 설정 공정에서 분류된 제2 그룹에 속하는 부영역을 그리도록 상기 액상체를 배치하는 제2 묘화 공정을 갖고 있고,
    상기 제1 묘화 공정과 상기 제2 묘화 공정 사이에 상기 제1 묘화 공정에서 배치된 액상체를 고화(固化)시키는 고화 공정을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고화 공정은 상기 제1 묘화 공정에서 배치된 액상체를 건조시키는 공정인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 부영역 설정 공정에서, 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상의 영역으로서 상기 부영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 부영역 설정 공정에서, 동일한 정도의 폭으로 규정되는 부영역이 같은 그룹에 속하도록 상기 부영역의 분할 및 상기 그룹의 분류를 행하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기능성 막의 설계 패턴이 가늘고 길게 신장된 영역을 포함하고 있고, 상기 부영역 설정 공정에서 상기 신장된 영역의 신장 방향을 따라 해당 영역을 특정 길이 이하로 구획하도록 상기 부영역을 설정하고,
    상기 특정 길이는 상기 신장된 영역과 같은 폭의 띠 형상의 패턴을 그리도록 상기 제2 액상체를 한번에 배치했을 경우에 형성되는 액상체의 패턴에 거의 같은 간격으로 나타나는 볼록부의 해당 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 부영역 설정 공정에 앞서, 더미 기판 위에 상기 신장된 영역과 같은 폭의 띠 형상의 패턴을 그리도록 상기 제2 액상체를 배치하여 더미 패턴을 형성하는 더미 패턴 형성 공정을 갖고 있고,
    상기 더미 패턴에 거의 같은 간격으로 나타나는 볼록부의 해당 간격에 의해서 상기 특정 길이를 규정하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 패턴을 형성하는 면에는 상기 기능성 막의 설계 패턴에 대응하는 영역을 둘러싸도록 발액(撥液) 처리 내지 뱅크 형성이 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 소정 패턴으로 형성된 기능성 막으로서,
    상기 기능성 막의 패턴은 복수의 부영역으로 분할되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기능성 막.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 부영역은 거의 일정한 폭으로 규정 가능한 형상의 영역으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 기능성 막.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4689322B2 (ja) * 2005-03-31 2011-05-25 シャープ株式会社 線パターン形成方法
JP2009075252A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Ricoh Co Ltd 積層構造体およびその形成方法、配線基板、マトリクス基板、電子表示装置
JP5707749B2 (ja) * 2010-06-25 2015-04-30 富士ゼロックス株式会社 パターン形成方法及びパターン形成装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2839133B2 (ja) * 1994-03-31 1998-12-16 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置及び液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を備えた装置の製造方法
US5984470A (en) * 1995-04-20 1999-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for producing color filter with alignment error detection
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
JP3972354B2 (ja) * 2000-10-17 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の製造方法
WO2003005424A1 (fr) 2001-07-03 2003-01-16 Tokyo Electron Limited Dispositif de revetement et procede de revetement
JP3578162B2 (ja) * 2002-04-16 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4168795B2 (ja) * 2002-04-19 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器
JP2003317945A (ja) 2002-04-19 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス、及び電子機器
JP2003316279A (ja) 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
JP3979354B2 (ja) * 2002-11-08 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 膜状構成要素の製造方法
JP4401806B2 (ja) * 2003-02-18 2010-01-20 シャープ株式会社 複合膜の製造方法、複合膜、カラーフィルタ、及びカラーフィルタを備えた表示装置
JP3923462B2 (ja) * 2003-10-02 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US7494923B2 (en) * 2004-06-14 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device

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