JP5707749B2 - パターン形成方法及びパターン形成装置 - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5707749B2 JP5707749B2 JP2010145512A JP2010145512A JP5707749B2 JP 5707749 B2 JP5707749 B2 JP 5707749B2 JP 2010145512 A JP2010145512 A JP 2010145512A JP 2010145512 A JP2010145512 A JP 2010145512A JP 5707749 B2 JP5707749 B2 JP 5707749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- bulge
- forming
- linear
- guiding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
請求項1の発明は、基材の表面にパターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成する線状パターン形成工程と、前記線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、パターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を付与して、前記線状パターンの幅方向における片側の縁で接触し、前記パターン形成材料及び前記溶媒を含むバルジ誘導用パターンを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、前記バルジ誘導用パターン形成工程及び前記線状パターン形成工程を行う前に、前記基材の表面において前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する予定のパターン形成領域外に前記組成物の液滴を付与してバルジ確認用パターンを形成する工程と、を含み、前記バルジ確認用パターンに発生したバルジの位置に応じて前記バルジ誘導用パターン形成工程及び前記線状パターン形成工程を行うパターン形成方法。
請求項2の発明は、前記バルジ誘導用パターンを形成した後、前記線状パターンを形成する請求項1に記載のパターン形成方法。
請求項3の発明は、基材の表面に液滴を付与してパターンを形成するパターン形成手段と、前記パターン形成手段により前記基材の表面にパターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、パターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を付与して、前記線状パターンの幅方向における片側の縁で接触し、前記パターン形成材料及び前記溶媒を含むバルジ誘導用パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段が、前記パターン形成手段により前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する前に、前記基材の表面において前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する予定のパターン形成領域外に前記組成物の液滴を付与してバルジ確認用パターンを形成し、前記バルジ確認用パターンに発生したバルジの位置に応じて前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する手段であるパターン形成装置。
請求項4の発明は、前記制御手段が、前記バルジ誘導用パターンを形成した後、該バルジ誘導用パターンと接触する前記線状パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する請求項3に記載のパターン形成装置。
請求項5の発明は、前記パターン形成手段が、前記バルジ誘導用パターンを形成するための前記組成物の液滴を付与する第1液滴付与手段と、前記線状パターンを形成するための前記組成物の液滴を付与する第2液滴付与手段とを有する請求項3又は請求項4に記載のパターン形成装置。
請求項2の発明によれば、バルジ誘導用パターンと同時に線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジが確実に制御されるパターン形成方法が提供される。
請求項1の発明によれば、バルジ確認用パターンを形成しない場合に比べ、線状パターンに生じるバルジがより確実に制御されるパターン形成方法が提供される。
請求項3の発明によれば、液滴を付与してバルジ誘導用パターンを形成せずに線状パターンを形成する場合に比べ、容易に線状パターンを形成するパターン形成装置が提供される。
請求項4の発明によれば、制御手段が、バルジ誘導用パターンと同時に線状パターンを形成するようにパターン形成手段を制御する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジが確実に制御されるパターン形成装置が提供される。
請求項3の発明によれば、制御手段が、バルジ確認用パターンを形成せずにバルジ誘導用パターン及び線状パターンを形成するようにパターン形成手段を制御する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジがより確実に制御されるパターン形成装置が提供される。
請求項5の発明によれば、パターン形成手段が、バルジ誘導用パターンを形成するための液滴と、線状パターンを形成するための組成物の液滴を同じ液滴付与手段から付与する場合に比べ、バルジ誘導用パターンとともに線状パターンが迅速に形成されるパターン形成装置が提供される。
従来の工業用インクジェットなどの液滴吐出法において、基板上に配置された液状の機能性インク等の組成物(単に「組成物」と称する場合がある。)は、基板の表面/界面の動力学的な(例えば、表面張力や濡れ性)影響を受ける。幅が数十μm程度の微細な線状のパターン(単に「線状パターン」と称する場合がある。)を作製する場合、複数の液滴が基板上で重なり合うように作製すると、この動力学的な影響を受け、基板上に着弾した組成物は表面エネルギーを最小化しようと変形や分裂を起こす。この現象により線状パターンに生じた膨らんだ部分(膨部)はバルジとも呼ばれる。
本実施形態に係るパターン形成方法は、基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成する線状パターン形成工程と、前記線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状パターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターンを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。前記バルジ誘導用パターンは、前記線状パターンの膨らむ部分を前記片縁側に誘導する作用を有する。
また、本実施形態に係るパターン形成方法は、バルジ誘導用パターン形成工程及び線状パターン形成工程を行う前に、バルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成するバルジ確認用パターン形成工程をさらに含んでもよい。
また、線状パターンを形成した後、必要に応じて加熱工程を含んでもよい。
以下、各工程について説明する。
図1は基材の表面に組成物を付与して形成した複数の線状パターンを示している。バルジの発生は機能性インクと基材表面のそれぞれの性質に依存するため、同じ組成物により同じ基材の表面に線状パターンを形成すれば、ほぼ決まった位置にバルジが発生する。そこで、バルジ誘導用パターン形成工程及び線状パターン形成工程を行う前に、バルジ確認用パターン形成工程では、線状パターンの形成に用いる組成物を用い、基材の表面においてバルジ誘導用パターンと線状パターンを形成する予定のパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ確認用パターン(ダミーパターン)を形成する。
バルジ誘導用パターン形成工程では、基材の表面に液滴を付与して、線状パターンの幅方向における片側の縁で接触し、線状パターンの膨らむ部分(バルジ)を線状のパターンの片側の縁に誘導するためのバルジ誘導用パターンを形成する。例えば、図2に示すように、平行な2本の線状パターン12A,12Bを形成する場合は、各線状パターン12A,12Bの中央部分と両端部において各線状パターン12A,12Bの外側(線状パターン同士が向き合っている側とは反対側)で接触するようにバルジ誘導用パターン10A,10B,10Cを形成する。
また例えば、両パターンを同じ機能性インクによって形成する場合は、バルジ誘導用パターンを形成するための専用の液滴付与手段を設ける必要はなく、例えば一般的なインクジェット方式のパターン形成装置(インクジェット装置)を用いてバルジ誘導用パターンと線状パターンが形成される。
線状パターンの長さ、幅、形状などを考慮し、線状パターンに発生すると考えられるバルジを予め定めた方向に誘導し易い形状、方向、及び大きさにバルジ誘導用パターンを形成すればよい。
線状パターン形成工程では、基材の表面に機能性インク等の組成物の液滴を線状に付与して、片縁側でバルジ誘導用パターン10A,10B,10Cと接触する線状パターン12A,12Bを形成する。
線状パターンの形成は、バルジ誘導用パターンを形成すると共に又はバルジ誘導用パターンを形成した後に行えばよいが、バルジを予め定めた方向に誘導し易くする観点から、バルジ誘導用パターンを形成した後に線状パターンを形成することが望ましい。
特に好ましい溶液は、3−フルオロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、4−フルオロベンゾトリフルオリド、3−フルオロピリジン、トルエン、2−フルオロトルエン、2−フルオロベンゾトリフルオリド、3−フルオロトルエン、ピリジン、4−フルオロトルエン、2,5−ジフルオロトルエン、1−クロロ−2,4−ジフルオロベンゼン、2−フルオロピリジン、3−クロロフルオロベンゼン、1−クロロ−2,5−ジフルオロベンゼン、4−クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、2−クロロフルオロベンゼン、p−キシレン、m−キシレン、o−キシレン、2,6−ルチジン、2−フルオロ−m−キシレン、3−フルオロ−o−キシレン、2−クロロベンゾトリフルオリド、ジメチルホルムアミド、2−クロロ−6−フルオロトルエン、2−フルオロアニソール、アニソール、2,3−ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、4−フルオロアニソール、3−フルオロアニソール、3−トリフルオロメチルアニソール、2−メチルアニソール、フェネトール、ベンゾジオキソール、4−メチルアニソール、3−メチルアニソール、4−フルオロ−3−メチルアニソール、1,2−ジクロロベンゼン、2−フルオロベンゾニトリル、4−フルオロベラトロール、2,6−ジメチルアニソール、アニリン、3−フルオロベンゾニトリル、2,5−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、3,5−ジメチルアニソール、N,N−ジメチルアニリン、1−フルオロ−3,5−ジメトキシベンゼン、フェニルアセテート、N−メチルアニリン、メチルベンゾエート、N−メチルピロリドン、モルホリン、1,2−ジヒドロナフタレン、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、3,4−ジメチルアニソール、o−トルニトリル、ベラトロール、エチルベンゾエート、N,N−ジエチルアニリン、プロピルベンゾエート、1−メチルナフタレン、ブチルベンゾエート、2−メチルビフェニル、2−フェニルピリジン及び2,2’−ビトリルから選択される1以上の溶媒を、溶媒として含む。
インクジェット方式での吐出性を考慮した場合、表面張力は、好ましくは、20〜60dyn/cmの範囲、特に好ましくは、25〜50dyn/cmの範囲がよい。また、粘度の範囲は1〜25mPa・s、望ましくは約1〜15mPa・sがよい。この範囲の有機溶剤の例として、テトラデカン(粘度:2.0〜2.3(20℃)、表面張力25.7dyn/cm)が挙げられる。但し、有機溶剤と機能性材料を混合した場合、有機溶剤の物性だけでは表面張力や粘度は決まらない。
線状パターン形成工程の後、必要に応じて、基材の表面に形成されているパターンを加熱して残留溶媒を除去する。また分散剤を含む組成物の場合は分散剤を除去する。加熱温度と雰囲気は、組成物の種類に応じて選択すればよい。
金属粒子と炭化水素系の分散剤を含む機能性インクを用いて導電性パターンを形成する場合は、酸素を含む雰囲気中で加熱を行う。例えば、線状パターン形成工程後の基材を室温のステンレスパットに載せて、予め定めた温度に設定された送風炉内で数分〜数時間保持する。これにより分散剤は溶媒残渣とともに蒸散する。
次に、本実施形態に係るパターン形成装置について説明する。
本実施形態に係るパターン形成装置は、基材の表面に液滴を付与してパターンを形成するパターン形成手段と、前記パターン形成手段により前記基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する制御手段と、を有する。前記バルジ誘導用パターンは、前記機能性線状パターンの膨らむ部分を前記片縁側に誘導する作用を有する。
パターン形成手段30は、バルジ誘導用パターン10Aを形成するための組成物の液滴10を付与する第1液滴付与手段31と、線状パターン12Aを形成するための組成物の液滴12を付与する第2液滴付与手段32とを有する。
なお、本実施形態に係るパターン形成装置は、パターン形成手段30が液滴を付与する手段として組成物の液滴のみを付与する液滴付与手段を備えて、バルジ誘導用パターン10A,10B,10Cと線状パターン12A,12Bを順次形成する構成としてもよい。
制御手段40は、パターン形成手段30により基材16の表面に組成物の液滴12を線状に付与して線状パターン12Aを形成すると共に又は線状パターン12Aを形成する前に、線状パターン12Aの片縁側で接触し、線状パターン12Aの膨らむ部分を片縁側に誘導するためのバルジ誘導用パターン10Aを形成するようにパターン形成手段30を制御する。
Agナノメタルインク(アルバックマテリアル株式会社製、「L−Ag1TeH」、平均粒子サイズ:3〜7nm、溶媒:テトラデカン)をインクジェット法によってガラス面上に付与して2本の平行な線状パターン(幅:約25μm、線間隔:約70μm)を形成した。
その結果、上記図4(A)に示すように、線状パターンにバルジが発生した。
Agナノメタルインク(アルバックマテリアル株式会社製、「L−Ag1TeH」、平均粒子サイズ:3〜7nm、溶媒:テトラデカン)をインクジェット法によってガラス面上に付与して、比較例1においてバルジが発生した位置で平行となるように2本のバルジ誘導用パターン(幅:約25μm、長さ:約150μm、線間隔:約100μm)を形成した。
次いで、上記Agナノメタルインクをインクジェット法によってガラス面上に付与して、外縁側でバルジ誘導用パターンと接するように2本の平行となる線状パターン(幅:約25μm、線間隔:約70μm)を形成した。
その結果、上記図4(B)に示すように、線状パターンの中央部分に発生したバルジは外縁側に誘導された。
Agナノメタルインク(アルバックマテリアル株式会社製、「L−Ag1TeH」、平均粒子サイズ:3〜7nm、溶媒:テトラデカン)をインクジェット法によってガラス面上に付与して、比較例1においてバルジが発生した位置及び端部において、2本の平行となる線状パターン(幅:約25μm、線間隔:約70μm)を形成した。
次いで、上記Agナノメタルインクをインクジェット法によってガラス面上に付与して、外縁側でバルジ誘導用パターンと接するように2本の平行となる線状パターン(幅:約25μm、線間隔:約30μm)を形成した。
その結果、上記図4(C)及び図5に示すように、線状パターンの中央部分及び端部に発生したバルジは外縁側に誘導された。
10 液滴
12A、12B 線状パターン
12 液滴
16 基材
30 パターン形成手段
31 液滴付与手段
32 液滴付与手段
40 制御手段
100 パターン形成装置
Claims (5)
- 基材の表面にパターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成する線状パターン形成工程と、
前記線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、パターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を付与して、前記線状パターンの幅方向における片側の縁で接触し、前記パターン形成材料及び前記溶媒を含むバルジ誘導用パターンを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、
前記バルジ誘導用パターン形成工程及び前記線状パターン形成工程を行う前に、前記基材の表面において前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する予定のパターン形成領域外に前記組成物の液滴を付与してバルジ確認用パターンを形成する工程と、を含み、前記バルジ確認用パターンに発生したバルジの位置に応じて前記バルジ誘導用パターン形成工程及び前記線状パターン形成工程を行うパターン形成方法。 - 前記バルジ誘導用パターンを形成した後、前記線状パターンを形成する請求項1に記載のパターン形成方法。
- 基材の表面に液滴を付与してパターンを形成するパターン形成手段と、
前記パターン形成手段により前記基材の表面にパターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を線状に付与して線状パターンを形成すると共に又は前記線状パターンを形成する前に、パターン形成材料及び溶媒を含む組成物の液滴を付与して、前記線状パターンの幅方向における片側の縁で接触し、前記パターン形成材料及び前記溶媒を含むバルジ誘導用パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段が、前記パターン形成手段により前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する前に、前記基材の表面において前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成する予定のパターン形成領域外に前記組成物の液滴を付与してバルジ確認用パターンを形成し、前記バルジ確認用パターンに発生したバルジの位置に応じて前記バルジ誘導用パターンと前記線状パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する手段であるパターン形成装置。 - 前記制御手段が、前記バルジ誘導用パターンを形成した後、該バルジ誘導用パターンと接触する前記線状パターンを形成するように前記パターン形成手段を制御する請求項3に記載のパターン形成装置。
- 前記パターン形成手段が、前記バルジ誘導用パターンを形成するための前記組成物の液滴を付与する第1液滴付与手段と、前記線状パターンを形成するための前記組成物の液滴を付与する第2液滴付与手段とを有する請求項3又は請求項4に記載のパターン形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010145512A JP5707749B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010145512A JP5707749B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012005979A JP2012005979A (ja) | 2012-01-12 |
JP5707749B2 true JP5707749B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=45537169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010145512A Expired - Fee Related JP5707749B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5707749B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4401806B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2010-01-20 | シャープ株式会社 | 複合膜の製造方法、複合膜、カラーフィルタ、及びカラーフィルタを備えた表示装置 |
JP2004349638A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP4539032B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法 |
JP4075929B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法 |
JP4155257B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および機能性膜 |
-
2010
- 2010-06-25 JP JP2010145512A patent/JP5707749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012005979A (ja) | 2012-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101660556B1 (ko) | 카본 나노 튜브 배향 집합체 생산용 기재 및 카본 나노 튜브 배향 집합체의 제조 방법 | |
US9370047B2 (en) | Resistive heating device for fabrication of nanostructures | |
KR100813243B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 층간 배선 및 그제조 방법 | |
TWI639240B (zh) | Oxide semiconductor layer, method for producing the same, precursor for oxide semiconductor, oxide semiconductor layer, semiconductor device, and electronic device | |
US8309051B2 (en) | Method for making the carbon nanotube heat sink | |
JP2005286158A (ja) | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器 | |
KR101482655B1 (ko) | 탄소기반 자기조립층의 열처리를 통한 고품질 그래핀의 제조 방법 | |
US20190134713A1 (en) | Additive manufacturing | |
TW201135757A (en) | Conductive film and method for manufacturing same | |
KR20100028287A (ko) | 구리 나노입자의 저온 환원 소결을 위한 환원제 및 이를이용한 저온 소결 방법 | |
US7781017B1 (en) | Method for making carbon nanotube-base device | |
KR102299665B1 (ko) | 원자층 증착법을 이용한 칼코지나이드 박막의 선택적 증착 방법 | |
JP5707749B2 (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 | |
CN113193115B (zh) | 一种悬空碳纳米管场效应晶体管及其制备方法 | |
US9748507B2 (en) | Single electron transistor having nanoparticles of uniform pattern arrangement | |
KR101806916B1 (ko) | 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법 | |
KR20140090641A (ko) | 도전성 패턴 형성용 기재, 회로 기판 및 그들의 제조 방법 | |
KR20140111221A (ko) | 트랜지스터 및 이의 제조방법 | |
KR101914382B1 (ko) | 금속 나노와이어 패턴의 제조 방법, 이를 이용한 금속 나노와이어 전극 | |
KR101317756B1 (ko) | 그래핀을 사용한 반도체 양자점 보호층 제조 방법 | |
TW201109609A (en) | Manufacturing apparatus and manufacturing method for carbon nanotube heat sink | |
JP2013173639A (ja) | カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法 | |
KR20130050171A (ko) | 그래핀 나노-리본, 그래핀 나노-리본의 제조 방법, 및 그래핀 나노-리본을 이용한 전자 소자 | |
JP2005288636A (ja) | ナノインデントエッジとアンチドット触媒配列を利用したカーボンナノチューブの形成法 | |
TWI261860B (en) | Electron emitter, method for manufacturing the same, electro-optical device, and electronic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140424 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141014 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141125 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5707749 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |