KR20060051745A - 전극 형성 방법 - Google Patents

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도요다 고세이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 투광성이 높으며, 저저항인 투광성 전극의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 반도체 발광 소자(100)는, 사파이어 기판 상에 버퍼층(102), 비도핑 GaN층(103), 고 캐리어 농도 n+층(104), n형 층(105), 발광층(106), p형 층(107), p형 컨택트층(108)의 순으로 적층하여 형성되며, 적어도 산소가 존재하는 분위기 하에서 전자선 증착법 또는 이온 플레이팅법에 의해 형성되고, 후에 소성되어 형성된 ITO로 이루어지는 투광성 전극(110)을 갖는다.
반도체 발광 소자, 사파이어 기판, 버퍼층, 고 캐리어 농도 n+층, 투광성 p 전극(ITO)

Description

전극 형성 방법{METHOD FOR FORMING ELECTRODE}
도 1은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자(100)의 구성을 도시하는 단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100 : 반도체 발광 소자
101 : 사파이어 기판
102 : 버퍼층
103 : 비도핑 GaN층
104 : 고 캐리어 농도 n+층
105 : n형 층
106 : 발광층
107 : p형 층
108 : p형 컨택트층
110 : 투광성 p 전극(ITO)
120 : 후막 p 전극
130 : 보호막
140 : n 전극
[특허 문헌 1] 일본 특허 제3394488호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특개 제2003-17748호 공보
본 발명은, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체를 적층하여 형성한 반도체 소자의 전극의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 특히 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지는 투광성 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.
현재, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자는 비도전성 사파이어 기판을 이용하여, n 전극, p 전극 모두 반도체 소자층 측에 형성한 것이 일반적이다. 여기서, 소위 페이스 업형 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자에서는, p형 층 표면에 예를 들면 합금화한 금(Au) 및 코발트(Co)로 이루어지는 박막 투광성 전극을 이용하여, 광을 전극을 형성한 측으로부터 추출하고 있다. 그러나, Au/Co 박막 투광성 전극은, 광 투과율이 60% 정도이어서, 광 추출 효율은 충분하다 할 수 없다.
한편, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자의 투광성 전극으로서, 산화 인듐 주석(ITO)을 이용하는 것이 제안되어 있다.
산화 인듐 주석(ITO)에 대해서는, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자에 이용한 경우의 특성이 충분하게는 해명되어 있지 않으며, 또한 전극으로서 형성하기 위한 최적 조건을 개발할 필요가 있다. 따라서, 본 발명의 목적은, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자의 투광성 전극으로서 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지는 전극의 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 양태에 따른 수단에 의하면, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체를 적층하여 형성한 반도체 소자의 전극의 형성 방법에서, 전극은, 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지며, 상기 산화 인듐 주석(ITO)을, 적어도 산소가 존재하는 분위기 하에서 전자선 증착법 또는 이온 플레이팅법에 의해 증착시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제2 양태에 따른 수단에 의하면, 상기 산화 인듐 주석(ITO)막 형성 후, 300℃ 이상의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 제3 양태에 따른 수단에 의하면, 상기 산화 인듐 주석(ITO)막 형성은, 0.01 ㎩ 이상의 산소 분위기 하에서 행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제4 양태에 따른 수단에 의하면, 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지는 전극 상에, 와이어 본딩을 위한 패드 전극을 형성하는 것이며, 상기 패드 전극의 최하층으로서, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 1 종류를 포함하는 막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
〈실시예〉
본 발명의 주된 특징인 ITO는, Sn의 비율이 2%∼20%가 양호하다. ITO의 두 께는 10 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하로 하면 된다. 10 ㎚ 미만에서는 전류의 확산이 불충분해지는 것 외에, 박리가 발생하기 쉬워진다. 또한, 10 ㎛를 초과하면 광 투과성이 악화된다. ITO의 두께는, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 200 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하이다.
ITO 막 형성 시의 산소압은 0.01 ㎩ 이상 10 ㎩ 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.03 ㎩ 이상 2 ㎩ 이하, 보다 바람직하게는 0.05 ㎩ 이상 1 ㎩ 이하이다. 0.01 ㎩ 이상으로 하면, 저항값이 낮은 전극을 형성할 수 있다. 또한, 후공정의 소성에 의해 80% 이상의 광 투과도를 얻을 수 있다. 산소압을 0.06 ㎩ 이상으로 하면, 후공정의 소성에 상관없이도 90% 이상의 광 투과도를 얻을 수 있다. 소성은, 300℃ 이상 1000℃ 이하에서 행하면 된다. 300℃ 미만에서는 소성의 효과가 충분하다고는 할 수 없으며, 1000℃를 초과하면 반도체 소자의 특성 열화를 가져온다. 보다 바람직하게는, 500℃ 이상 900℃ 이하, 보다 바람직하게는 600℃ 이상 800℃ 이하이다. 또한, 소성은 불활성 가스 분위기 하, 특히 질소 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.
와이어 본딩을 위한 패드 전극에 대해서는, 후막의 금(Au)에 의해 형성하면 된다. 두께는 0.5∼3 ㎛의 범위 내에서 임의로 설정된다. 주로 금(Au)에 의해 패드 전극을 형성하는 경우, ITO로 이루어지는 투광성 전극과의 사이에 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 또는 알루미늄(Al)을 형성하면, 패드 전극과 ITO로 이루어지는 투광성 전극과의 접합도가 높아진다. 특히, 니켈(Ni)을 이용한 경우, 접합도가 보다 높아진다.
본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자는, 상기 발명의 주된 구성에 따른 한정 외에는, 임의의 구성을 취할 수 있다. 또한, 발광 소자는 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 포토 커플러 그 밖의 임의의 발광 소자로 하여도 된다. 특히, 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법으로서는 임의의 제조 방법을 이용할 수 있다.
구체적으로는, 결정 성장시키는 기판으로서는, 사파이어, 첨정석, Si, SiC, ZnO, MgO 혹은, Ⅲ족 질화물계 화합물 단결정 등을 이용할 수 있다. Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층을 결정 성장시키는 방법으서는, 분자선 기상 성장법(MBE), 유기 금속 기상 성장법(MOVPE), 수소화 기상 성장법(HVPE), 액상 성장법 등이 유효하다.
발광층을 다중 양자 웰 구조로 하는 경우에는, 적어도 인듐(In)을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 AlxGayIn1 -x-yN(0≤ x< 1, 0< y≤ 1)로 이루어지는 웰층을 포함하는 것이 좋다. 발광층의 구성은, 예를 들면 도핑되었거나, 또는 도핑되지 않은 GayIn1-yN(0< y≤ 1)로 이루어지는 웰층과, 상기 웰층보다도 밴드 갭이 큰 임의의 조성의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 AlGaInN으로 이루어지는 장벽층을 들 수 있다. 바람직한 예로서는 도핑되지 않은 GayIn1-yN(0< y≤ 1)의 웰층과 도핑되지 않은 GaN으로 이루어지는 장벽층이다.
전극 형성층 등의 Ⅲ족 질화물 반도체층은, 적어도 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로서 표시되는 2원계, 3원계 혹은 4원계의 반도체로 이루어지는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체로 형성할 수 있다. 또한, 이들 Ⅲ족 원소의 일부는, 붕소(B), 탈륨(Tl)으로 치환하여도 되며, 또한, 질소(N)의 일부를 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi)로 치환하여도 된다.
또한, 이들 반도체를 이용하여 n형의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층을 형성하는 경우에는, n형 불순물로서 Si, Ge, Se, Te, C 등을 첨가하고, p형 불순물로서는 Zn, Mg, Be, Ca, Sr, Ba 등을 첨가할 수 있다.
이상의 본 발명의 수단에 의해, 상기한 과제를 효과적, 혹은 합리적으로 해결할 수 있다.
[제1 실시예]
먼저, 본 발명의 전극 형성 방법에 의한, ITO의 광 투과성의 향상과 시트 저항의 억제의 효과를 나타내기 위해, 다음의 실험을 행하였다. 산화 주석과 산화 인듐의 혼합물(산화 주석 5%)을 타깃으로 하여, 전자선 증착법에 의해 사파이어 기판 상에 300 ㎚의 막 두께의 ITO를 형성하였다. 이 때, 증착 장치 내부를 1×10-2 ㎩ 이하의 고진공으로 한 후, 산소를 4가지의 압력으로 도입하여, 각각 ITO를 형성하였다. 산소압은, 0.0 ㎩(즉, 산소 도입하지 않음), 0.005 ㎩, 0.015 ㎩, 0.06 ㎩, 0.1 ㎩의 5가지로 하였다. 이 후, 일단, 파장 470 ㎚의 청색광에 대한 광 투과성과 시트 저항을 측정하였다. 다음으로 각각, 질소 분위기 하에서 400℃, 10분간의 소성을 행한 후, 재차 광 투과성과 시트 저항을 측정하였다. 이 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 광 투과성은 사파이어 기판의 그것을 100%로 한 경우의 상대 값이다.
Figure 112005054584083-PAT00001
ITO를 형성할 때에 산소를 도입하지 않은 경우, 소성의 전후에서 광 투과성에 현저한 차가 있었다. 즉, 소성 전에는 광 투과성이 65%에 머물렀지만, 소성 후에는 100%로 되었다. 한편, 시트 저항은 100Ω/□ 정도로, 소성 전후에서의 차는 거의 없었다.
산소가 0.005 ㎩ 존재하는 동안에 ITO를 형성한 경우, 소성의 전후에서 광 투과성에 현저한 차가 있었다. 즉, 소성 전에는 광 투과성이 60%에 머물렀지만, 소성 후에는 90%로 되었다. 또한, 시트 저항은 소성 전후에 차가 거의 없으며, 27Ω/□ 정도이고, 개선의 여지는 있지만, 비교적 양호하였다.
산소가 0.015 ㎩ 존재하는 동안에 ITO를 형성한 경우, 소성의 전후로 광 투과성에 현저한 차가 있었다. 즉, 소성 전에는 광 투과성이 57%에 머물렀지만, 소성 후에는 88%로 되었다. 또한, 시트 저항은 소성 전후에 차가 거의 없으며, 16Ω/□ 정도로, 매우 양호하였다.
산소가 0.06 ㎩ 존재하는 동안에 ITO를 형성한 경우, 광 투과성, 시트 저항 모두 소성의 전후에서 차가 거의 없으며, 매우 양호하였다. 즉, 광 투과성은 93% 정도, 시트 저항도 16Ω/□ 정도이었다.
산소가 0.1 ㎩ 존재하는 동안에 ITO를 형성한 경우, 광 투과성, 시트 저항 모두 매우 양호하였다. 즉, 광 투과성은 소성의 전후로 함께 96% 정도, 시트 저항은 소성 전의 14Ω/□로부터 8Ω/□로 작아져서, 시트 저항이 개선되었다.
이상의 결과는, 소성에 의해, ITO의 재결정이 진행됨으로써 광 투과성이 좋게 되어, 산소가 미량 존재하는 동안에 ITO를 형성함으로써, 화학 양론적으로(스토이카이어메트릭(stoichiometric)적으로) 이상적인 ITO 조성으로 되기 때문에 저항값이 억제되는 것으로 하여 설명할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 따르면, 투광성 전극으로서 매우 양호한 ITO 막을 형성할 수 있다.
[제2 실시예]
도 1에, 본 발명이 실시예에 따르는 반도체 발광 소자(100)의 모식적인 단면도를 나타낸다. 반도체 발광 소자(100)에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 두께 약 300 ㎛의 사파이어 기판(101)의 위에, 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지는 막 두께 약 15 ㎚의 버퍼층(102)이 성막되며, 그 위에 비도핑의 GaN으로 이루어지는 막 두께 약 500 ㎚의 층(103)이 성막되고, 그 위에 실리콘(Si)을 1×1018/㎤ 도핑한 GaN으로 이루어지는 막 두께 약 5 ㎛의 n형 컨택트층(104)(고캐리어 농도 n+층)이 형성되어 있다.
또한, 이 n형 컨택트층(104)의 위에는, 실리콘(Si)을 1×1017/㎤ 도핑한 막 두께 25 ㎚의 n형 Al0.15Ga0.85N으로 이루어지는 n형 층(105)이 형성되어 있다. 또한, 그 위에는, 막 두께 3 ㎚의 비도핑 In0.2Ga0.8N으로 이루어지는 웰층(1061)과 막 두께 20 ㎚의 비도핑 GaN으로 이루어지는 장벽층(1062)을 3쌍 적층하여 다중 양자 웰 구조의 발광층(106)이 형성되어 있다.
또한, 이 발광층(106)의 위에는, Mg을 2×1019/㎤ 도핑한 막 두께 25 ㎚의 p형 Al0.15Ga0.85N으로 이루어지는 p형 층(107)이 형성되어 있다. p형 층(107)의 위에는, Mg을 8×1019/㎤ 도핑한 막 두께 100 ㎚의 p형 GaN으로 이루어지는 p형 컨택트층(108)을 형성하였다.
또한, p형 컨택트층(108)의 위에는 ITO로 이루어지는 투광성 p 전극(110)이, n형 컨택트층(104) 상에는 n 전극(140)이 형성되어 있다. 투광성 p 전극(110)은, p형 컨택트층(108)에 직접 접합하는 막 두께 약 300 ㎚의 ITO로 구성되어 있다.
후막 p 전극(120)은, 막 두께 약 30 ㎚의 니켈(Ni)로 이루어지는 제1 층(121)과, 막 두께 약 1.5 ㎛의 금(Au)으로 이루어지는 제2 층(122)과, 막 두께 약 10 ㎚의 알루미늄(Al)으로 이루어지는 제3 층(123)을 투광성 p 전극(110)의 위에서 순차적으로 적층시킴으로써 구성되어 있다.
다층 구조의 n 전극(140)은, n형 컨택트층(104)의 일부 노출된 부분의 위에서부터, 막 두께 약 18 ㎚의 바나듐(V)으로 이루어지는 제1 층(141)과 막 두께 약 100 ㎚의 알루미늄(Al)으로 이루어지는 제2 층(142)을 적층시킴으로써 구성되어 있다.
반도체 발광 소자는, 사파이어 기판 상에 버퍼층(102), 비도핑 GaN층(103), 고 캐리어 농도 n+층(104), n형 층(105), 발광층(106), p형 층(107), p형 컨택트층(108)을 순서대로 에피택셜 성장시키고, n 전극(140)을 형성하기 위한 에칭을 행한 후, 다음과 같이 전극 형성을 행하였다.
먼저, 포토레지스트에 의해 투광성 p 전극(ITO)(110)을 형성할 영역을 창으로 한 마스크를 형성한 후, 산화 주석과 산화 인듐의 혼합물(산화 주석 5%)을 타깃으로 하여, 전자선 증착법에 의해 300 ㎚의 막 두께의 ITO로 이루어지는 투광성 p 전극(110)을 산소압 0.06 ㎩ 하에서 형성하였다. 다음으로, 질소 분위기 하에서, 600℃, 5분간의 소성을 행하였다. 이 후 포토레지스트를 제거하였다.
다음으로, 포토레지스트에 의해 후막 p 전극(120)을 형성할 영역을 창으로 한 마스크를 형성한 후, 막 두께 약 30 ㎚의 니켈(Ni)로 이루어지는 제1 층(121)과, 막 두께 약 1.5 ㎛의 금(Au)으로 이루어지는 제2 층(122)과, 막 두께 약 10 ㎚의 알루미늄(Al)으로 이루어지는 제3 층(123)을 투광성 p 전극(110)의 위에 순서대로 형성하였다. 이 후, 포토레지스트를 제거하였다.
전적으로 마찬가지로, 포토레지스트에 의해 n 전극(140)을 형성할 영역을 창으로 한 마스크를 형성한 후, 막 두께 약 18 ㎚의 바나듐(V)으로 이루어지는 제1 층(141)과 막 두께 약 100 ㎚의 알루미늄(Al)으로 이루어지는 제2 층(142)을, 고 캐리어 농도 n+층(103)이 노출된 영역에 형성하였다. 이 후 포토레지스트를 제거하였다.
다음으로, 투광성 p 전극(ITO)(110), 후막 p 전극(120), n 전극(140)을 가열 처리하였다. 마지막으로, SiO2로 이루어지는 보호막(130)을 형성하였다. 또한, 보호막(130)은, SiO2 대신 SiNx를 이용하여도 된다.
〔비교예〕
상기 실시예에서, 투광성 p 전극(ITO)(110) 대신, 최하층에서부터 순서대로 9Å의 Co, 29Å의 Au, 9Å의 Co, 30Å의 Au의 4층을 적층함으로써 박막 투명 전극을 형성하고, 후막 p 전극(120) 대신 최하층에서부터 순서대로, 막 두께 40 ㎚의 Au, 막 두께 30 ㎚의 Cr, 막 두께 650 ㎚의 Au, 막 두께 10 ㎚의 Al로 형성한 비교에 따른 반도체 발광 소자를 준비하며, 상기 반도체 발광 소자(100)와 물성을 비교하였다. 이 때, Ag 스템에 실장하고, 또한 투명 페이스트로 피복하였다.
Au/Co/Au/Co의 4층을 적층하여 얼로이화한 투명 전극을 갖는 비교에 따른 반도체 발광 소자는, 구동 전압이 3.15 V, 광도가 77 mcd, 전체 방사속(放射束)이 3.4 ㎽인데 비해, 본 발명에 따른 도 1의 반도체 발광 소자(100)는, 구동 전압이 3.27 V, 광도가 146 mcd, 전체 방사속이 7.6 ㎽이었다. 즉, Au/Co의 박막 투명 전극을 갖는 반도체 발광 소자에 대하여, 본 발명의 ITO로 이루어지는 투광성 전극을 갖는 반도체 발광 소자는, 구동 전압에 거의 변화가 없으며, 또한 광도 및 전체 방사속이 현저하게 향상되었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명자들은, ITO를 산소가 존재하는 분위기 하에서 전자선 증착법 또는 이온 플레이팅법에 의해 증착시킴으로써, 적합한 투광성 전극을 형성할 수 있는 것을 발견하였다. 이 후, 가열에 의해 ITO의 소성을 행함으로써, 투광성이 높으며, 저항율이 낮은 전극을 형성할 수 있는 것도 발견하였다. 또한, ITO 형성 시에 산소를 0.06 ㎩ 이상으로 하면, 소성을 행하지 않고, 투광성이 높으며, 저항율이 낮은 전극을 형성할 수 있는 것도 발견하였다.
ITO로 이루어지는 투광성 전극에 접하여, 와이어 본딩을 위한 소위 패드 전극을 형성할 필요가 있는데, 본 발명자들은 예를 들면 금의 후막 전극과 ITO 사이에, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 또는 알루미늄(Al)을 형성하면 접합도를 높게 할 수 있는 것도 발견하였다.

Claims (4)

  1. Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체를 적층하여 형성한 반도체 소자의 전극의 형성 방법에 있어서,
    상기 전극은, 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지며,
    상기 산화 인듐 주석(ITO)을, 적어도 산소가 존재하는 분위기 하에서 전자선 증착법 또는 이온 플레이팅법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화 인듐 주석(ITO) 막 형성 후, 300℃ 이상의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화 인듐 주석(ITO)막 형성을, 0.01 ㎩ 이상의 산소 분위기 하에서 행하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화 인듐 주석(ITO)으로 이루어지는 전극 상에, 와이어 본딩을 위한 패드 전극을 형성하는 것이며,
    상기 패드 전극의 최하층으로서, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 1 종류를 포함하는 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5232970B2 (ja) * 2006-04-13 2013-07-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ
JP5326225B2 (ja) * 2006-05-29 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
DE102006054069A1 (de) * 2006-09-26 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
EP1906461B1 (de) * 2006-09-26 2020-03-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
JP2009164233A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Rohm Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2009231549A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
US8569735B2 (en) 2008-06-16 2013-10-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element, electrode and manufacturing method for the element, and lamp
TWI407596B (zh) * 2009-03-06 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 側邊散熱型發光二極體及其製程
JP5434343B2 (ja) * 2009-07-31 2014-03-05 豊田合成株式会社 Ｉｔｏ電極の形成方法、半導体素子のｉｔｏ電極及びｉｔｏ電極を備えた半導体素子
JP2011035314A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法
US9502612B2 (en) 2009-09-20 2016-11-22 Viagan Ltd. Light emitting diode package with enhanced heat conduction
CN102194956B (zh) * 2010-03-09 2012-08-22 上海蓝光科技有限公司 蒸镀ito的方法
US8941137B2 (en) 2011-03-06 2015-01-27 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
JP5992174B2 (ja) * 2011-03-31 2016-09-14 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR20140001332A (ko) * 2012-06-26 2014-01-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2014165337A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法
TWI581452B (zh) 2014-10-24 2017-05-01 Nat Chunghsing Univ High light extraction rate of light-emitting diodes, conductive films, and conductive films The production method
JP2018046301A (ja) * 2017-12-14 2018-03-22 ローム株式会社 発光素子および発光素子パッケージ
DE102018111889A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN113661578A (zh) * 2019-04-09 2021-11-16 ams有限公司 用于与焊盘的欧姆接触的氧化铟锡(ito)层的片上集成

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482216A (en) * 1980-11-11 1984-11-13 Citizen Watch Co., Ltd. Solid state complementary electrochromic display devices
US5157540A (en) * 1990-07-11 1992-10-20 Toray Industries, Inc. Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it
US6351068B2 (en) * 1995-12-20 2002-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same
JP3693468B2 (ja) * 1997-07-23 2005-09-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3394488B2 (ja) 2000-01-24 2003-04-07 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP2003017748A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US6995401B2 (en) * 2002-10-23 2006-02-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
KR20040065503A (ko) * 2003-01-14 2004-07-22 삼성코닝 주식회사 인듐주석 산화물 막의 형성방법
JP4512940B2 (ja) * 2003-12-24 2010-07-28 三菱マテリアル株式会社 錫ドープ酸化インジウム微粒子分散液とその製造方法、および該分散液を用いた熱線遮蔽性を有する合わせガラス用中間膜、ならびにその合わせガラス

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