KR20060022636A - 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기 - Google Patents

반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기 Download PDF

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KR20060022636A
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semiconductor device
radiation
signal
semiconductor
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카츠미 시바야마
유타카 쿠수야마
마사히로 하야시
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 소자(10)를 접속하는 배선 기판으로서, 입력면(20a)으로부터 출력면(20b)에의 복수의 관통 구멍(20c)이 소정의 배열로 형성된 관통 구멍 그룹(20d)을 갖는 유리 기판, 및 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 관통 구멍(20c)의 각각의 내벽에 입력면(20a)과 출력면(20b)의 사이를 전기적으로 도통하도록 형성된 도전성 부재(21)로 이루어지는 배선 기판(20)을 사용한다. 입력면(20a)에 접속되는 반도체 소자(10)의 범프 전극(12)은, 관통 구멍 그룹(20d), 도전성 부재(21), 및 관통 구멍 그룹(20d)을 덮는 영역에 형성된 도전부(22)에 대응하며, 복수의 관통 구멍(20c)의 각각의 내부에 범프 전극(12)의 일부가 속으로 들어가도록 접속된다. 이것에 의해, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 양호하게 접속되는 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기를 얻을 수 있다.

Description

반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기 {SEMICONDUCTOR DEVICE AND RADIATION DETECTOR EMPLOYING IT}
본 발명은, 전기 신호를 유도하는 도전로가 설치된 배선 기판을 갖는 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기에 관한 것이다.
CT용 센서 등에 사용되는 방사선 검출기로서, 반도체 광 검출 소자의 광 입사면에 신틸레이터를 설치한 구성의 검출기가 있다. 이와 같은 방사선 검출기에 있어서, 검출 대상이 되는 X선,γ선, 하전 입자선 등의 방사선이 신틸레이터에 입사하면, 신틸레이션 광이 발생한다. 그리고, 반도체 광 검출 소자는 신틸레이터로부터 입사한 신틸레이션 광을 검출하고, 방사선의 강도에 대응하는 전기 신호를 출력한다.
또, 반도체 광 검출 소자로부터 출력되는 전기 신호에 대하여, 그 신호 처리를 행하기 위해 신호 처리 소자가 설치된다. 이 때, 반도체 소자와 신호 처리 소자를 전기적으로 접속하여 전기 신호를 전달하는 구성의 하나로서, 도전로가 설치된 배선 기판에 반도체 소자를 접속하여 일체의 반도체 장치를 구성하며, 이 반도체 장치의 배선 기판에 신호 처리 소자를 접속하는 구성이 사용되고 있다. 배선 기판을 사용한 이러한 반도체 장치는, 방사선 검출기 이외에도 여러 가지 용도로 사용 된다(예를 들면, 특허 제2555720호 공보, 특개평 3-203341호 공보 참조).
배선 기판에 반도체 소자를 접속하는 구성의 반도체 장치에서는, 반도체 소자의 칩을 플립 칩 본딩에 의해 배선 기판 상에 실장할 때, 반도체 소자에 설치된 범프 전극을 통하여, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 전기적으로 접속된다.
이와 같은 구성에 있어서는, 반도체 소자와 배선 기판을 물리적, 전기적으로 양호하게 접속하는 것이 중요하다. 그렇지만, 상기와 같이 범프 전극을 사용한 접속 구성에서는, 큰 범프 전극이 과도하게 부서지거나 혹은, 인접하는 범프 전극끼리 접촉하고 마는 등, 범프 전극의 크기나 높이, 배치 등에 의해 반도체 소자와 배선 기판과의 접속에 문제가 생기는 경우가 있다.
본 발명은, 이상의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 양호하게 접속되는 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 반도체 장치는, (1) 전기 신호를 출력하는 반도체 소자와, (2) 신호 입력면 및 신호 출력면의 사이에서 전기 신호를 유도하는 도전로가 설치되고, 신호 입력면에 반도체 소자가 접속된 배선 기판을 구비하며, (3) 배선 기판은, 복수의 관통 구멍을 갖는 관통 구멍 그룹이 설치된 절연 기판과, 관통 구멍 그룹에 포함되는 관통 구멍의 각각에 설치되며 신호 입력면 및 신호 출력면의 사이를 전기적으로 도통하여 도전로로서 기능하는 도전성 부재를 가지고 구성되며, (4) 반도체 소자와 배선 기판의 관통 구멍 그룹에 설치된 도전성 부재는, 관통 구멍 그룹에 대응하여 형성된 범프 전극을 통하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기한 반도체 장치에 있어서는, 반도체 광 검출 소자 등의 반도체 소자를 접속하는 배선 기판으로서 입력면으로부터 출력면에의 복수의 관통 구멍이 소정의 배열로 형성된 관통 구멍 그룹을 갖는 절연 기판을 사용하고 있다. 그리고, 이 관통 구멍 그룹에 대하여 반도체 소자의 범프 전극을 대응시키고, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 관통 구멍 그룹에 설치된 도전로인 도전성 부재를 접속하고 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 반도체 소자를 배선 기판 상에 실장할 때에, 도전성 부재가 설치된 관통 구멍 그룹에 있어서의 복수의 관통 구멍의 각각의 내부에 범프 전극의 일부가 속으로 들어간다. 이것에 의해, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 범프 전극을 통하여 양호하게 접속되는 반도체 장치가 실현된다. 여기서, 배선 기판에 있어서의 도전로의 구성에 대해서는, 도전성 부재는 절연 기판에 설치된 관통 구멍의 내벽에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또, 배선 기판의 절연 기판으로서는, 코어 유리부 및 코어 유리부의 주위에 설치된 피복 유리부를 포함하는 파이버 형상의 유리 부재를 묶어서 형성된 다발 형상의 유리 부재를 원하는 두께로 절단하는 동시에, 코어 유리부를 제거함으로써 관통 구멍이 형성된 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 도전성 부재를 설치하기 위한 관통 구멍이 원하는 구멍 지름 및 피치로 형성된 유리 기판에 의해 배선 기판을 구성할 수 있다. 혹은, 이것 이외의 구성의 유리 기판, 또는 유리 기판 이외의 절연 기판을 사용해도 된다.
또, 배선 기판의 신호 출력면에 접속되며 반도체 소자로부터의 전기 신호를 처리하는 신호 처리 수단을 또한 구비하는 구성으로 해도 된다. 이것에 의해, 반도체 소자로부터 출력된 전기 신호가 신호 처리 수단으로 처리되는 구성의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
또, 본 발명에 의한 방사선 검출기는, 상기한 반도체 장치를 포함하여 구성된 방사선 검출기로서, (1) 반도체 소자를 포함하며, 입사한 방사선을 검출하여 전기 신호를 출력하는 방사선 검출 수단과, (2) 방사선 검출 수단으로부터의 전기 신호를 처리하는 신호 처리 수단과, (3) 배선 기판을 포함하며, 방사선 검출 수단 및 신호 처리 수단이 각각 신호 입력면 및 신호 출력면에 접속된 배선 기판부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기한 방사선 검출기에 있어서는, 방사선 검출 수단과 신호 처리 수단을 전기적으로 접속하여 전기 신호를 전달하는 배선 기판부로서, 방사선 검출 수단에 포함되는 반도체 소자와 함께 상기의 반도체 장치를 구성하는 배선 기판을 사용하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전성 부재가 양호하게 접속되므로, 방사선 검출 수단으로부터 신호 처리 수단에의 전기 신호의 전달, 및 신호 처리 수단에 있어서의 전기 신호의 처리를 확실히 행할 수 있는 방사선 검출기가 실현된다.
이와 같이 상기의 반도체 장치를 방사선 검출기에 적용하는 경우, 배선 기판에 사용되는 절연 기판은, 방사선 차폐 기능을 갖는 소정의 유리 재료로 형성된 유리 기판인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 방사선 검출 수단으로부터 신호 처리 수단에의 방사선의 투과를 억제할 수 있다. 이와 같은 유리 재료로서는, 예를 들면 납을 함유하는 유리 재료가 있다.
또, 방사선 검출 수단의 구성에 대해서는, 방사선 검출 수단은, 방사선의 입사에 의해 신틸레이션 광을 발생하는 신틸레이터와, 신틸레이터로부터의 신틸레이션 광을 검출하는 반도체 소자인 반도체 광 검출 소자를 갖는 구성을 이용할 수 있다. 혹은, 방사선 검출 수단으로서는, 입사한 방사선을 검출하는 반도체 소자인 반도체 검출 소자를 갖는 구성을 이용해도 된다.
도 1은 반도체 장치의 일 실시 형태의 단면 구조를 나타내는 측면 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 반도체 장치의 구성을 분해하여 나타내는 사시도이다.
도 3a, 도 3b는 배선 기판의 관통 구멍, 및 관통 구멍에 설치되는 도전성 부재의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4a, 도 4b는 배선 기판에서의 관통 구멍 그룹에 설치된 도전성 부재와 범프 전극과의 접속의 일례에 대해 나타내는 도면이다.
도 5a, 도 5b는 배선 기판에서의 관통 구멍 그룹에 설치된 도전성 부재와 범프 전극과의 접속의 다른 예에 대해 나타내는 도면이다.
도 6은 반도체 장치의 구성의 일례를 나타내는 측면 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 구성의 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 8은 반도체 장치의 구성의 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 9는 도 1에 나타낸 반도체 장치를 사용한 방사선 검출기의 일실시 형태의 단면 구조를 나타내는 측면 단면도이다.
도 10은 도 9에 나타낸 방사선 검출기의 구성을 분해하여 나타내는 사시도이다.
도 11a∼도 11e는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12a, 도 12b는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13a, 도 13b는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 14a∼도 14c는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 도면과 함께 본 발명에 의한 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기의 매우 적합한 실시 형태에 대해 상세히 설명한다. 또한, 도면에 있어서는 동일 요소에는 동일 부호를 부여하고 중복하는 설명은 생략한다. 또, 도면의 치수 비율은 설명의 것과 반드시 일치하는 않는다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 장치의 일 실시 형태의 단면 구조를 나타내는 측면 단면도이다. 또, 도 2는 도 1에 나타낸 반도체 장치의 구성을, 각 구성요소를 분해하여 나타내는 사시도이다. 이하의 각 도면에 있어서는, 설명의 편의상, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 배선 기판에 있어서의 도전 방향에 따른 축을 z축, 이 z축에 직교하는 두 축을 x축, y축으로 한다.
또한, 후술하는 반도체 장치를 사용한 방사선 검출기에 있어서는, 이 z축은 방사선이 입사하는 방향에 따른 축으로 되어 있다. 또, 여기서는 z축의 부(-)의 방향이, 배선 기판에 있어서의 신호 입력면으로부터 신호 출력면으로 향하는 도전 방향, 및 반도체 장치 또는 방사선 검출기에 있어서의 각 구성요소의 배열 방향으로 되어 있다.
도 1에 나타낸 반도체 장치는, 반도체 소자(10)와 반도체 소자(10)를 접속하는 배선 기판(20)을 구비하고 있다. 이들은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 소정의 배열 방향에 따라 상류측(도면 중의 상부측)으로부터 하류측(하부측)으로 이 순서로 배치되어 있다. 이하에 있어서는, 반도체 소자(10)를 포토 다이오드 어레이로 한 예에 대해 설명한다.
포토 다이오드 어레이(PD 어레이)(10)는, 반도체 장치의 상류측 부분을 구성하고 있다. 이 PD 어레이(10)는, 그 광 입사면(10a)으로부터 입사한 광을 검출하고, 그것에 대응하는 전기 신호를 출력하는 포토 다이오드(PD)가 복수개 배열된 반도체 광 검출 소자 어레이이다.
도 2에 있어서는, PD 어레이(10)의 구성예로서 x축 및 y축을 배열 축으로 하여 3×3=9개의 포토 다이오드(11)가 2 차원으로 배열되도록 형성된 PD 어레이를 나타내고 있다. 또, PD 어레이(10)의 하부면(10b)은, 각 포토 다이오드(11)로부터의 검출 신호를 출력하기 위한 신호 출력면으로 되어 있다. 이 신호 출력면(10b)에는, 검출 신호 출력용의 전극인 9개의 범프 전극(12)이, 각각 포토 다이오드(11)에 대응하도록, 3×3으로 배열되어서 설치되어 있다. 또한, 도시하고 있지 않으나, 기판 전극(공통 전극)용의 범프 전극도 검출 신호 출력용의 전극과 같은 형태를 취하고 있다.
배선 기판(20)은, 반도체 장치의 하류측 부분을 구성하고 있다. 이 배선 기판(20)에는, 신호 입력면(20a)과 신호 출력면(20b)과의 사이에 전기 신호를 유도하는 도전로가 설치되어 있고, 그 신호 입력면(20a)에 상기한 PD 어레이(10)가 접속되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 배선 기판(20)에는, 코어 유리부와 코어 유리부의 주위에 설치된 피복 유리부를 포함하는 파이버 형상의 유리 부재(유리 파이버)를 묶어서 다발 형상의 유리 부재로 하고, 그것을 유리 파이버의 축과 교차하는 소정 방향에서 원하는 두께로 절단한 유리 기판이 사용되고 있다.
도 3a 및 도 3b는 배선 기판(20)의 관통 구멍(20c), 및 관통 구멍(20c)에 설치되는 도전성 부재(21)의 구성의 일례를 나타내는 도면으로, 도 3a는 상면도, 도 3b는 I-I 화살표 단면도를 나타내고 있다.
배선 기판(20)을 구성하는 유리 기판에서는, 유리 기판에 포함되어 있는 복수의 유리 파이버 중 소정의 유리 파이버에 대하여, 그 중앙부에 있는 코어 유리부가 제거되어 신호 입력면(20a)으로부터 신호 출력면(20b)에의 관통 구멍(20c)이 형성되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, x축 및 y축을 배열 축으로 하여 4×4=16개의 관통 구멍(20c)이 2차원으로 배열되도록 형성되어 있고, 이들 16개의 관통 구멍(20c)으로부터 1조(組)의 관통 구멍 그룹(20d)이 구성되어 있다. 그리고, 도 2에 나타내는 바와 같이, PD 어레이(10)에서의 포토 다이오드(11)의 배열에 대응하여, x축 및 y축을 배열 축으로 하여 3×3=9조의 관통 구멍 그룹(20d)이 2차원으로 배열되어서 설치되어 있다. 이것에 의해, PD 어레이(10)에 있어서의 반도체 소자인 포토 다이오드(11)와, 배선 기판(20)에 있어서의 복수의 관통 구멍(20c)을 갖는 관통 구멍 그룹(20d)이 1대 1로 대응하고 있다.
관통 구멍 그룹(20d)은, PD 어레이(10)에 있어서의 범프 전극(12)과 동일한 피치로 형성되어 있다. 또, 각각의 관통 구멍(20c)은 도 3b에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(20)의 신호 입력면(20a) 및 신호 출력면(20b)에 대하여 수직인 축을 중심축으로 하여, 원 형상의 단면 형상을 가지고 형성되어 있다.
관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 16개의 관통 구멍(20c)의 각각에 대해, 입력면(20a)과 출력면(20b)과의 사이를 전기적으로 도통하고, 도전로로서 기능하는 도전성 부재(21)가 설치되어 있다. 이 도전성 부재(21)는, 유리 기판에서의 관통 구멍(20c)의 내벽에 형성된 부재로서 설치되어 있다.
구체적으로는, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(20c) 내에는 그 내벽에 도통부(21c)가 형성되어 있다. 또, 입력면(20a) 상에서 관통 구멍(20c)의 외주부에는 도통부(21c)와 연속하는 입력부(21a)가 형성되어 있다. 또, 출력면(20b) 상에서 관통 구멍(20c)의 외주부에는 도통부(21c)와 연속하는 출력부(21b)가 형성되어 있다. 이들 도통부(21c), 입력부(21a), 및 출력부(21b)에 의해, 배선 기판(20)에서의 도전로로 되는 도전성 부재(21)가 구성된다.
배선 기판(20)의 입력면(20a) 상에는, 관통 구멍 그룹(20d)의 각각에 대응하 여, 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 16개의 관통 구멍(20c)을 덮는 직사각형 형상의 영역에 도전부(22)가 형성되어 있다. 이 도전부(22)는, 관통 구멍 그룹(20d)에서의 관통 구멍(20c)에 설치된 16개의 도전성 부재(21)의 입력부(21a)를 포함하며, 그것들을 일체의 도전성 부재로 하는 것이다. 또, PD 어레이(10)의 범프 전극(12)은, 배선 기판(20)의 입력면(20a)에 대하여 관통 구멍 그룹(20d), 도전성 부재(21), 및 도전부(22)에 대응하도록 형성되어 있고, 도전부(22)는 범프 전극(12)이 접속되는 전극 패드로 되어 있다.
범프 전극(12)은, 배선 기판(20)에서의 대응하는 도전성 부재(21)및 도전부(22)에 대하여, 도전부(22)가 덮는 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되며 도전성 부재(21)가 설치된 16개의 관통 구멍(20c)의 각각, 혹은 일부의 내부에 범프 전극(12)의 일부가 속으로 들어가도록 접속된다. 이것에 의해, PD 어레이(10)에서의 검출 신호를 출력하는 포토 다이오드(11)는, 범프 전극(12)을 통하여 배선 기판(20)에서의 검출 신호를 전달하는 도전로인 도전성 부재(21)에 전기적으로 접속된다.
또, 배선 기판(20)의 출력면(20b) 상에는, 입력면(20a) 상과 동일하게 관통 구멍 그룹(20d)의 각각에 대응하여, 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 16개의 관통 구멍(20c)을 덮는 직사각형 형상의 영역에 도전부(23)가 형성되어 있다. 이 도전부(23)는, 관통 구멍 그룹(20d)에서의 관통 구멍(20c)에 설치된 16개의 도전성 부재(21)의 출력부(21b)를 포함하며, 그것들을 일체의 도전성 부재로 하는 것이다.
본 실시 형태에 의한 반도체 장치의 효과에 대해 설명한다.
도 1∼도 3a, 도 3b에 나타낸 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자 어레이 인 PD 어레이(10)를 접속하는 배선 기판(20)으로서, 입력면(20a)으로부터 출력면(20b)에 소정의 배열로 형성된 복수의 관통 구멍(20c)으로 이루어지는 관통 구멍 그룹(20d)을 갖는 유리 기판을 사용하고 있다. 그리고, 이 관통 구멍 그룹(20d)에 대하여 PD 어레이(10)의 범프 전극(12)을 대응시켜서, 반도체 소자인 PD 어레이(10)의 포토 다이오드(11)와 배선 기판(20)에서의 대응하는 도전성 부재(21)를 접속하고 있다.
이와 같은 구성에 의하면, PD 어레이(10)를 배선 기판(20) 상에 실장할 때에, 도전성 부재(21)가 설치된 관통 구멍 그룹(20d)에 있어서의 복수의 관통 구멍(20c)의 각각, 혹은 일부의 내부에 범프 전극(12)의 일부가 속으로 들어간다. 이것에 의해, PD 어레이(10)의 포토 다이오드(11)와 배선 기판(20)에서의 대응하는 도전로인 도전성 부재(21) 및 도전부(22)가, 범프 전극(12)을 통하여 양호하게 접속된다. 배선 기판(20)에서의 도전성 부재(21)로서는, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 바와 같이, 관통 구멍(20c)의 내벽에 형성된 부재를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 상기 실시 형태에서는, 배선 기판(20)의 유리 기판으로서 복수 개의 유리 파이버로 일체로 형성되는 동시에, 그 소정 위치에 코어 유리부를 제거한 관통 구멍(20c)이 설치된 유리 기판을 사용하고 있다. 이것에 의해, 도전성 부재(21)를 설치하기 위한 관통 구멍(20c)이 원하는 구멍 지름 및 피치로 형성된 유리 기판에 의해 배선 기판(20)을 구성할 수 있다. 예를 들면, 이와 같은 구성의 유리 기판에서는, 관통 구멍(20c)을 미세한 구멍 지름 및 피치로 형성할 수 있다. 또, 배선 기판(20)의 대 면적화, 박형화를 용이하게 행할 수 있다.
또한, 배선 기판(20)의 기판으로서는, 상기와 같이 복수의 관통 구멍을 갖는 관통 구멍 그룹이 설치되어 있는 것이면, 이것 이외의 구성의 유리 기판을 사용해도 된다. 또, 유리 기판 이외의 절연 기판을 사용해도 된다. 예를 들면, 기판 재료로서는 유리나 세라믹스 등, 혹은 그들의 복합 소재로 이루어지는 비도전성 무기 재료, 또는 에폭시나 아크릴, 폴리이미드, 실리콘 등, 혹은 그러한 복합 소재로 이루어지는 비도전성 유기 재료, 또는 그들의 무기 재료 및 유기 재료의 복합 소재 등을 사용할 수 있다.
또, 유리 기판 등의 절연 기판에서의 관통 구멍의 구성에 대해서도, 유리 기판을 구성하고 있는 유리 파이버의 코어 유리부를 제거하여 관통 구멍을 형성하는 상기 구성에 한하지 않고, 절연 기판의 구성에 따라 여러 가지 구성을 이용해도 된다. 예를 들면, 소정의 절연 재료로 이루어지는 절연 기판에 대하여, 에칭이나 드릴, 레이저 등을 사용하여 관통 구멍을 형성하는 구성을 이용할 수 있다.
또, 배선 기판(20)에 접속되는 반도체 소자(10)에 대해서는, 상기 실시 형태에서는 반도체 광 검출 소자 어레이인 포토 다이오드 어레이를 사용한 예를 설명하였으나, 이외에도 여러 가지 반도체 소자를 사용해도 된다.
상기 구성의 반도체 장치에 있어서의 반도체 소자(10)의 범프 전극(12)과, 배선 기판(20)의 도전성 부재(21)와의 접속에 대하여 다시 설명한다.
도 4a 및 도 4b는, 배선 기판(20)에서의 관통 구멍 그룹(20d)에 설치된 도전성 부재(21)와, 반도체 소자(10)의 출력면(10b)에 설치된 범프 전극(12)과의 접속의 일례에 대해 나타내는 도면으로, 도 4a는 접속 전의 상태를 나타내며, 도 4b는 접속 후의 상태를 나타내고 있다.
본 구성예에서는, 도 4a에 나타내는 바와 같이 반도체 소자(10)와 배선 기판(20)을 접속하기 위한 범프 전극(12)에 대하여, 그 크기에 비해 범프의 피치가 좁고, 범프 전극(12) 사이의 틈이 좁은 구성으로 되어 있다.
이에 대해, 상기 구성의 배선 기판(20)에 의하면, 범프 전극(12)에 대응하는 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 복수의 관통 구멍(20c)의 각각에 있어서, 관통 구멍이 뻗는 방향으로 범프가 젖어서, 관통 구멍(20c)의 내부에 범프 전극(12)의 일부가 속으로 들어가게 된다. 이것에 의해, 인접하는 범프 전극(12)끼리 접촉하는 쇼트 불량의 발생이 억제된다. 또, 반도체 소자(10)의 칩과 배선 기판(20)과의 갭을 균일하게 유지할 수 있다. 또, 범프 전극(12)과 도전성 부재(21)와의 접합 면적이 커지므로, 반도체 소자(10) 및 배선 기판(20)의 접속 강도도 향상된다.
도 5a 및 도 5b는, 배선 기판(20)에서의 관통 구멍 그룹(20d)에 설치된 도전성 부재(21)와, 반도체 소자(10)의 출력면(10b)에 설치된 범프 전극(12)과의 접속의 다른 예에 대해 나타내는 도면으로, 도 5a는 접속 전의 상태를 나타내고, 도 5b는 접속 후의 상태를 나타내고 있다.
본 구성예에서는, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 반도체 소자(10)와 배선 기판(20)을 접속하기 위한 범프 전극(12)에 대해, 그 크기 및 높이가 다른 범프가 존재하거나, 혹은 범프의 크기에 편차가 있는 구성으로 되어 있다.
이에 대해, 상기 구성의 배선 기판(20)에 의하면, 범프 전극(12)에 대응하는 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 복수의 관통 구멍(20c)의 각각, 혹은 일부에 있어 서, 범프 전극(12)의 크기나 높이에 따라, 관통 구멍(20c)의 내부에 범프 전극(12)의 일부가 속으로 들어가게 된다. 이것에 의해, 인접하는 범프 전극(12)끼리 접촉하는 쇼트 불량의 발생이 억제된다. 또, 반도체 소자(10)의 칩과 배선 기판(20)과의 갭을 균일하게 유지할 수 있다. 또, 범프 전극(12)과 도전성 부재(21)와의 접합 면적이 커지므로, 반도체 소자(10) 및 배선 기판(20)의 접속 강도도 향상된다.
반도체 장치의 구성에 대해, 그 구체적인 실시예와 함께 설명한다. 또한, 이하의 도 6∼도 8에 있어서는, 도시(圖示)의 간략화를 위해, 배선 기판(20)의 구성에 대하여 복수의 관통 구멍(20c)을 갖는 관통 구멍 그룹(20d)만을 나타내며, 배선이나 도전성 부재 등의 도시를 생략한다. 또한, 배선 기판(20)에 있어서의 도전성 부재(21), 및 도전부(22, 23)의 구성에 대해서는, 도 1∼도 3a, 도 3b에 나타낸 실시 형태와 같다.
도 6은, 반도체 장치의 구성의 일례를 나타내는 측면 단면도이다. 본 구성예에서는, 범프 전극(12)을 통하여 입력면(20a)에 반도체 소자(10)가 접속된 배선 기판(20)에 대해, 그 출력면(20b)과 범프 전극(26)을 통하여 다른 배선 기판(25)이 접속되어 있다.
이와 같은 구성에서는, 배선 기판(20)에서의 도전로인 도전성 부재(21), 및 배선 기판(25)에서의 도전로(도시하고 있지 않다)를 통하여, 반도체 소자(10)로부터의 전기 신호를 외부 회로 등에 출력할 수 있다.
도 7은, 반도체 장치의 구성의 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다. 본 구성예에서는, 출력면(20b)의 소정의 위치에 리드 선(27)이 납땜 또는 용접 가공에 의하여 접속되어 있는 배선 기판(20)에 대해, 그 입력면(20a)에 범프 전극(12)을 통하여 반도체 소자(10)가 접속되어 있다.
이와 같은 구성에서는, 배선 기판(20)에서의 도전로인 도전성 부재(21), 및 리드(27)를 통하여, 반도체 소자(10)로부터의 전기 신호를 외부 회로 등에 출력할 수 있다. 또, 리드(27)에 대신하여, 플렉시블 배선 기판을 다이렉트 범프 본딩이나 와이어 본딩, ACF, ACP, NCP 등에 의해 접속하는 구성으로 해도 된다.
도 8은, 반도체 장치의 구성의 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다. 본 구성예에서는, 범프 전극(12)을 통하여 입력면(20a)에 반도체 소자(10)가 접속된 배선 기판(20)에 대해, 그 출력면(20b)에 범프 전극(29)을 통하여 반도체 소자(28)가 접속되어 있다.
이와 같은 구성에서는, 배선 기판(20)에서의 도전로인 도전성 부재(21)를 통하여 반도체 소자(10, 28)의 사이에 전기 신호를 입출력하고, 반도체 소자(28)에 의한 반도체 소자(10)의 제어, 반도체 소자(10)에 의한 반도체 소자(28)의 제어, 혹은 반도체 소자(10, 28)의 상호의 제어 등을 행할 수 있게 된다. 예를 들면, 반도체 소자(28)로서 전기 신호를 처리하는 신호 처리 소자를 사용하면, PD 어레이 등의 반도체 소자(10)로부터 출력된 전기 신호가 신호 처리 소자(28)로 처리되는 구성의 반도체 장치를 얻을 수 있다. 또, 반도체 소자(28)에 더하여, 저항 소자나 용량 소자 등을 접속해도 된다.
다음에, 상술한 반도체 장치를 사용한 본 발명에 의한 방사선 검출기의 구성에 대해 설명한다.
도 9는, 도 1에 나타낸 반도체 장치를 사용한 방사선 검출기의 일 실시 형태의 단면 구조를 나타내는 측면 단면도이다. 또, 도 10은 도 9에 나타낸 방사선 검출기의 구성을 각 구성요소를 분해하여 나타내는 사시도이다. 또한, 이 도면에는 주요 부분만을 나타내고 있으며, PD 어레이의 기판 전극에 대응한 부분 등은 도시를 생략하고 있다.
도 9에 나타낸 방사선 검출기는, 신틸레이터(15)와, 반도체 장치(5)와, 신호 처리부(3)를 구비하고 있다. 이들은, 도 10에 나타내는 바와 같이, 소정의 배열 방향에 따라 상류측(도면 중의 상부측)으로부터 하류측(하부측)으로 이 순서로 배치되어 있다.
이들 중, PD 어레이(10) 및 배선 기판(20)으로 이루어지는 반도체 장치(5)의 구성에 대해서는, 도 1에 나타낸 반도체 장치에 대해 상술한 대로이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 반도체 장치(5)를 방사선 검출기에 적용하고 있기 때문에, 배선 기판(20)에 사용되는 유리 기판의 유리 재료로서는, 바람직하게는 납을 함유하는 납 유리 재료 등의 방사선 차폐 기능을 갖는 소정의 유리 재료가 사용된다.
반도체 장치(5)의 PD 어레이(10)의 상류측에는 신틸레이터(15)가 설치되어 있고, 그 상부면(15a)이 방사선 검출기에 있어서의 방사선 입사면으로 되어 있다. 신틸레이터(15)는, 입사면(15a)으로부터 X선,γ선, 하전 입자선 등의 방사선이 검출 대상으로서 입사함으로써, 소정 파장의 신틸레이션 광을 발생한다. 또, 신틸레이터(15)의 하부면인 광 출사면(15b)과 PD 어레이(10)의 상부면인 광 입사면(10a)은, 신틸레이션 광을 투과시키는 광학 접착제(16)를 통하여 광학적으로 접속, 접착 되어 있다.
여기서, 신틸레이터(15) 및 PD 어레이(10)에 의해, 본 방사선 검출기에 있어서의 방사선 검출부(1)가 구성되어 있다. 이 방사선 검출부(1)는, 입사 한 방사선을 검출하고, 그 강도에 대응하는 전기 신호를 출력하는 검출 수단이다. 또, 배선 기판(20)에 의해, 방사선 검출부(1)와 신호 처리부(3)를 접속하는 배선 기판부(2)가 구성되어 있다.
반도체 장치(5)의 배선 기판(20)의 하류측에는, 신호 처리부(3)와 하우징(패키지)(40)이 설치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 신호 처리부(3)는 PD 어레이(10)로부터의 검출 신호를 처리하기 위한 신호 처리 회로가 설치된 신호 처리 소자(30)로 이루어진다.
신호 처리 소자(30)의 상부면 상에는 범프 전극(31)이 형성되어 있다. 범프 전극(31)은, 배선 기판(20)의 출력면(20b)에 대해 관통 구멍 그룹(20d), 도전성 부재(21), 및 도전부(23)에 대응하도록 형성되어 있고, 도전부(23)는 범프 전극(31)이 접속되는 전극 패드로 되어 있다. 이것에 의해, 배선 기판(20)에서의 검출 신호를 전달하는 도전로인 도전성 부재(21)는, 범프 전극(31)을 통하여 신호 처리 소자(30)에 설치된 신호 처리 회로에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 도면에서는 PD 어레이의 신호 출력에 대응한 범프 전극만 나타내고 있으나, 신호 처리 회로의 구동 신호나 신호 처리 회로로부터의 출력 신호도 이와 같이 범프 전극을 통하여 배선 기판(20)의 출력면(20b) 상에 있는 소정의 도전부(도시하고 있지 않음)에 접속하며, 배선 기판(20)의 출력면(20b) 상에 있는 전극 패드 (도시하고 있지 않다)와 하우징(40) 상의 범프 전극(44)을 통하여 소정의 리드(43)와 전기적으로 접속된다.
또, 하우징(40)은 신틸레이터(15)와 PD 어레이(10) 및 배선 기판(20)으로 이루어지는 반도체 장치(5)와 신호 처리 소자(30)를 일체로 유지하는 유지 부재이다. 이 하우징(40)은, 그 상부면 상에 볼록부로서 설치되고 신호 처리 소자(30)를 내부에 수용하는 소자 수용부(41)와, 소자 수용부(41)의 외주에 설치되고 범프 전극(44)을 통하여 배선 기판(20)의 출력면(20b)상의 소정 위치에 설치된 전극 패드(도시하고 있지 않다)에 접속되는 동시에, 신틸레이터(15), 반도체 장치(5), 및 신호 처리 소자(30)를 지지하는 지지부(42)를 갖는다. 또, 하우징(40)의 하부면에는, 전기 신호의 외부에의 입출력에 사용되는 리드(43)가 설치되어 있다.
이상의 구성에 있어서, 방사선 검출부(1)의 신틸레이터(15)에 X선 등의 방사선이 입사하면, 신틸레이터(15) 내에서 신틸레이션 광이 발생하며, 광학 접착제(16)를 통하여 반도체 소자인 PD 어레이(10)의 포토 다이오드(11)에 입사한다. 포토 다이오드(11)는, 이 신틸레이션 광을 검출하고, 방사선의 강도에 대응한 전기 신호를 출력한다.
PD 어레이(10)의 각 포토 다이오드(11)로부터 출력한 전기 신호는, 대응하는 범프 전극(12), 배선 기판(20)의 도전성 부재(21), 및 범프 전극(31)을 순차로 통하여 신호 처리 소자(30)에 입력된다. 그리고, 신호 처리 소자(30)의 신호 처리 회로에 있어서, 전기 신호에 대하여 필요한 신호 처리가 행해진다.
본 실시 형태에 의한 방사선 검출기의 효과에 대해 설명한다.
도 9 및 도 10에 나타낸 방사선 검출기에 있어서는, 방사선 검출부(1)와 신호 처리부(3)를 전기적으로 접속하여 검출 신호를 전달하는 배선 기판부(2)로서, 방사선 검출부(1)에 포함되는 PD 어레이(10)와 함께 반도체 장치(5)를 구성하는 상기 구성의 배선 기판(20)을 사용하고 있다. 이와 같은 구성에 의하면, PD 어레이(10)의 포토 다이오드(11)와 배선 기판(20)에서의 도전성 부재(21)가 양호하게 접속되므로, 방사선 검출부(1)로부터 신호 처리부(3)에의 검출 신호의 전달, 및 신호 처리부(3)에 있어서의 검출 신호의 처리를 확실히 행할 수 있는 방사선 검출기가 실현된다.
이와 같이, 반도체 소자 및 배선 기판으로 이루어지는 반도체 장치를 방사선 검출기에 적용하는 경우, 배선 기판(20)에 사용되는 절연 기판으로서는, 방사선 차폐 기능을 갖는 소정의 유리 재료로 형성된 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 배선 기판(20)의 표면(20a)측에 위치하는 방사선 검출부(1)로부터 하부면(20b)측에 위치하는 신호 처리부(3)에의 방사선의 투과를 억제할 수 있다.
이와 같은 유리 재료로서는, 예를 들면 납을 함유하는 유리 재료가 있다. 납 유리를 사용하는 경우, 유리 재료에 함유시키는 납의 양에 대해서는, 그 방사선 검출기에 있어서 요구되는 방사선 차폐 기능의 정도 등에 따라 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 또, 납 유리 이외에서 방사선 차폐 기능을 갖는 유리 재료를 사용해도 된다. 혹은, 방사선의 차폐가 불필요한 경우나, 방사선 검출기 이외의 장치에 상기한 반도체 장치를 적용하는 경우 등에는, 도 1에 관하여 상술한 바와 같이, 방사선 차폐 기능을 갖지 않은 유리 재료, 혹은 유리 재료 이외의 절연 재료를 사용해도 된다.
다음에, 도 11a∼도 14c를 이용하여, 도 1에 나타낸 반도체 장치, 및 도 9에 나타낸 방사선 검출기에서의 배선 기판에 사용되는 유리 기판의 구성, 및 그 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 또한, 여기서는, 관통 구멍을 갖는 유리 기판의 일반적인 구성예 및 그 제조 방법에 대해 나타내고 있다. 이 때문에, 이하에 나타내는 유리 기판은, 상술한 반도체 장치 및 방사선 검출기에 사용되고 있는 배선 기판과는 다른 형상 및 구성으로 되어 있다.
먼저, 도 11a에 나타내는 바와 같이, 코어 유리부(63)와, 그 주위에 설치된 피복 유리부(65)를 포함하는 모재(母材)(61)를 준비한다. 이 모재(61)는, 외경이 예를 들면 40∼45㎜ 정도이며, 코어 유리부(63)의 외경은 예를 들면 28∼31㎜ 정도이다. 코어 유리부(63)는 산(酸)용해성 유리로 이루어지며, 피복 유리부(65)는 납 유리, 소다 석회 유리, 코바 유리, 파이렉스 유리 등으로 이루어진다. 그리고, 도 11b에 나타내는 바와 같이 상기 모재(61)를 선긋기하여, 파이버 형상의 유리 부재인 유리 파이버(67)를 제작한다. 유리 파이버(67)의 외경은, 예를 들면 0.4㎜ 정도이다.
다음에, 도 11c에 나타내는 바와 같이, 상기 유리 파이버(67)를 복수 개 묶어서 소정의 형태(69)로 정렬한다. 여기서는, 유리 파이버(67)의 중심축방향에서 보아, 6각형 형상을 나타내는 금형(69)을 사용하여 1만개 정도의 유리 파이버(67)를 금형 적층한다. 이것에 의해, 유리 파이버(67)는 도 11d에 나타내는 바와 같이, 그 중심축 방향에서 보아 6각형 형상으로 되도록 정렬된다. 또한, 유리 파이버(67)의 중심축 방향에서 보아, 3각형 형상 혹은 4각형 형상을 나타내는 금형을 사용하고, 유리 파이버(67)를 그 중심축 방향에서 보아 3각형 형상 혹은 4각형 형상으로 되도록 정렬해도 된다.
계속하여, 도 11e에 나타내는 바와 같이 정렬한 상태로 유리 파이버(67)의 다발을 선긋기하고, 멀티 파이버(71)를 제작한다. 멀티 파이버(71)의 외경은 예를 들면 0.7 ㎜정도이다.
다음에, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 선긋기한 멀티 파이버(71)를 소정의 유리관(73) 내에 복수 개 정렬하여 수납한다. 유리관(73)의 내경은 100㎜ 정도이다. 그리고, 도 12b에 나타내는 바와 같이, 유리관(73) 내에 수납된 멀티 파이버(71)끼리를 가열 융착한다. 이 때, 유리관(73)의 한쪽의 단부에 이 유리관보다 가는 유리관(75)을 접속하고, 로터리 펌프 등으로 배기하여 내부의 압력을 저하시킴으로써, 유리관(73)과 그 내부에 수납된 멀티 파이버(71)끼리 가열시에 대기압으로 틈새 없이 접촉하여 융착할 수 있다.
가열 온도는, 예를 들면 600℃ 정도이며, 내부의 압력은 0.5Pa 정도이다. 또한, 유리관(73)의 다른 쪽의 단부는 밀봉되어 있다. 이상의 공정에 의해, 유리관(73) 내에 있어서 복수의 멀티 파이버(71)가 융착된 상태의 다발 형상의 유리 부재(77)가 형성된다.
계속하여, 유리관(75), 및 밀봉하고 있던 부분을 제거한다. 그 후, 도 13a에 나타내는 바와 같이, 유리관(73)의 외주를 지석(砥石)(79) 등에 의해 연마하고, 다 발 형상의 유리 부재(77)의 정형(整形)(외경 내기)을 행한다. 이 다발 형상의 유리 부재(77)의 외경 내기에는, 외주 연마기를 사용할 수 있다.
그리고, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 다발 형상의 유리 부재(77)를 원하는 두께로 절단한다. 이 때, 다발 형상의 유리 부재(77)를 그 중심축에 직교하는 축(1)에 따라 슬라이서(81)로 절단함으로써, 도 1에 나타낸 배선 기판(20)과 같이, 관통 구멍이 상부면 및 하부면에 대하여 수직인 축을 중심축으로 하는 형상으로 되는 유리 기판을 얻을 수 있다.
혹은, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 중심축에 직교하는 축(1)에 대하여 소정 각도 θ로 경사지도록, 다발 형상의 유리 부재(77)를 슬라이서(81)로 절단해도 된다. 또한, 슬라이서(81)에 의해 절단된 유리 부재에 대해 그 절단면을 연마한다. 이들 공정에 의해, 도 14a 및 도 14b에 나타내는 바와 같이, 판 형상의 유리 부재(83)가 형성된다. 또한, 여기서는, 각도 θ로 경사지도록 절단한 경우의 유리 부재(83)를 예로서 나타내고 있다.
계속하여, 도 14c에 나타내는 바와 같이, 판 형상의 유리 부재(83)로부터 코어 유리재(63)를 제거(심 빼기)한다. 이 때, HNO3 혹은 HCl를 사용하여 에칭 기술에 의해 코어 유리부(63)를 제거한다. 이것에 의해, 판 형상의 유리 부재(83)를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(84)이 복수 형성되게 되고, 관통 구멍을 갖는 유리 기판이 형성된다.
상술한 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기에 있어서의 배선 기판 (20)으로서는, 예를 들면 상기의 제조 방법에 의해 얻어진 유리 기판에서의 관통 구멍에 도전로로 되는 도전성 부재를 형성한 것을 사용할 수 있다. 즉, 이와 같은 구성의 유리 기판에 있어서, 그 기판의 형상 및 관통 구멍의 개수, 배치 등을 반도체 장치 또는 방사선 검출기의 구성에 따라 설정한다.
그리고, 유리 기판에 설치된 관통 구멍에 도전로로 되는 도전성 부재를 형성하고, 또한 그 각 면에 각각 필요한 전극 및 배선으로 이루어지는 전기 배선 패턴을 형성함으로써, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같은 구성을 갖는 배선 기판을 얻을 수 있다. 또한, 도 2에 있어서는, 상기 구성의 유리 기판을 사용한 경우에서의 복수 개의 유리 파이버로 이루어지는 6각형 형상의 멀티 파이버의 배치를, 배선 기판(20)의 상부면(20a) 상에 점선에 의해 도시하고 있다.
다음에, 도 9에 나타낸 방사선 검출기의 제조 방법에 대해, 도 1에 나타낸 반도체 장치의 제조 방법과 합하여, 그 구체적인 구성예와 함께 개략적으로 설명한다.
먼저, 상술한 바와 같이 복수의 유리 파이버를 묶은 다발 형상의 유리 부재를 절단하여 형성되는 동시에, 소정의 코어 유리부를 제거함으로써 복수의 관통 구멍을 갖는 관통 구멍 그룹이 설치된 유리 기판을 준비한다. 그리고, 그 관통 구멍에 도전로로 되는 도전성 부재를 형성하고, 또한 입력면 및 출력면으로 되는 양면에 각각 필요한 전극 및 배선을 갖는 전기 배선 패턴을 형성하고, 반도체 장치(5)에 사용되는 배선 기판(20)을 제작한다.
도 1 및 도 9에 나타낸 구성에서는, 반도체 장치(5)에서의 배선 기판에 대 해, 유리 기판에 설치된 관통 구멍 그룹(20d)에 포함되는 관통 구멍(20c)의 각각에 대하여, 도통부(21c), 입력부(21a), 및 출력부(21b)로 이루어지는 도전성 부재(21)를 형성한다. 또한, 그 입력면(20a) 상에 관통 구멍 그룹(20d)의 각각에 대응하는 도전부(22)를 형성하고, 출력면(20b) 상에 동일하게 도전부(23)를 형성하여, 배선 기판(20)으로 한다.
유리 기판에 형성하는 상기한 도전성 부재 및 전기 배선 패턴으로서는, 예를 들면, 질화 티탄(TiN), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 동(Cu), 은(Ag), 금(Au), 혹은 그들의 합금으로 이루어지는 도전성 금속층에 의해 형성할 수 있다. 이와 같은 금속층은, 단일의 금속층이라도 되고, 복합막 혹은 적층막이라도 된다. 또, 그 구체적인 형성 방법으로서는, 증착, CVD, 도금, 스팩터 등의 방법에 의해 금속막을 형성할 수 있고, 포토리소그래피나 에칭 프로세스에 의해 유리 기판 상에 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 혹은, 유리 기판에 대해 원하는 패턴의 마스크를 설치하고 나서 전술한 방법으로 금속층을 형성하고, 마스크를 제거하는 방법(마스크 증착이나 리프트 오프 법 등)도 있다. 또한, 필요가 있으면, 배선 기판(20)에 다시 범프 전극을 형성하는 경우도 있다.
배선 기판(20)을 제작한 후, 범프 전극(31)이 형성된 신호 처리 소자(30)의 IC 칩을, 배선 기판(20)의 출력면(20b) 상에 설치되어 전극 패드로서 기능하는 도전부(23)에 대하여 얼라인먼트하고, 그것들을 물리적, 전기적으로 접속한다. 또, 범프 전극(12)이 형성된 PD 어레이(10)를, 배선 기판(20)의 입력면(20a)상에 설치되어 전극 패드로서 기능하는 도전부(22)에 대하여 얼라인먼트하고, 그것들을 물리 적, 전기적으로 접속한다.
범프 전극(31, 12)을 형성하는 범프 재료로서는, 예를 들면, 주석(Sn), 납(Pb), 인디움(In), 금(Au), 동(Cu) 등의 금속, 이들을 포함하는 땜납, 도전성 필러를 함유하는 수지, 혹은 그것들의 복합재료를 사용하거나, 층 구조로 할 수 있다. 또, 범프 전극과 그 아래의 전극 패드와의 사이에, 언더 범프 메탈(UBM)을 개재시켜도 된다.
또, 범프 전극에 의한 실장시에는, 배선 기판(20)을 미리 100℃ 정도의 범프 전극 재료의 융점 부근의 소정 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 배선 기판(20)에 설치된 관통 구멍(20c)의 내부의 공기가 팽창한다.
다음에, PD 어레이(10) 또는 신호 처리 소자(30)의 칩과 배선 기판(20)을 얼라인먼트한 후, 칩을 가열하여 배선 기판(20) 상에 탑재한다. 이 시점에서 범프가 녹거나 또는 범프가 부드러워진다. 그리고, 배선 기판(20) 및 탑재한 칩에 공기나 질소를 내뿜어서 급랭한다. 이 때, 관통 구멍(20c)의 내부에서 팽창하고 있던 공기가 수축함으로써, 범프 전극 재료가 관통 구멍(20c)의 내부에까지 도전성 부재(21)의 표면을 타고 침투해 가고, 범프 전극과 도전성 부재(21)가 양호하게 접속된다.
계속하여, 범프 전극(44)이 형성된 하우징(40)을, 배선 기판(20)의 출력면(20b) 상에 설치된 대응하는 전극 패드(도시하고 있지 않다)에 대해 얼라인먼트하고, 그것들을 물리적, 전기적으로 접속한다. 이상에 의해, 하우징(40)에 설치된 리드(43)를 통한 외부 회로와의 신호의 입출력 동작이 가능해진다. 또한, PD 어레이(10)의 광 입사면(10a) 상에, 광학 접착제(16)를 통하여 신틸레이터(15)를 실장함 으로써, 도 9에 나타낸 방사선 검출기를 얻을 수 있다.
여기서, 반도체 장치(5)에 있어서 반도체 광 검출 소자 어레이로서 설치되어 있는 PD 어레이(10)에 대해서는, 포토 다이오드가 광 입사면(표면)(10a)에 형성되어 있는 표면 입사형의 것을 사용해도 되고, 혹은 포토 다이오드가 신호 출력면(이면)(10b)에 형성되어 있는 이면 입사형의 것을 사용해도 된다. 또, 광 검출 소자인 포토 다이오드의 개수나 배열 등에 대해서도, 적절히 설정해도 된다.
또, 포토 다이오드로부터의 검출 신호를 출력면(10b)으로부터 출력하는 구성에 대해서는, PD 어레이의 구체적인 구성에 따라, 예를 들면 출력면(10b) 상에 형성된 배선 패턴에 의한 구성이나, PD 어레이(10) 내에 형성된 관통 전극에 의한 구성 등을 이용할 수 있다.
또, 도 9에 나타낸 방사선 검출기에서는, 방사선 검출부(1)의 구성으로서 방사선의 입사에 의해 신틸레이션 광을 발생하는 신틸레이터(15)와, 신틸레이터(15)로부터의 신틸레이션 광을 검출하는 반도체 광 검출 소자인 포토 다이오드(11)가 설치된 PD 어레이(10)를 갖는 구성을 이용하고 있다. 이와 같은 구성은, 입사한 X선 등의 방사선을 신틸레이터(15)에 의해 소정 파장의 광(예를 들면, 가시광선)으로 변환한 후에 Si-PD 어레이 등의 반도체 광 검출 소자로 검출하는 간접 검출형의 구성이다.
혹은, 방사선 검출부로서 신틸레이터를 설치하지 않고, 입사한 방사선을 검출하는 반도체 검출 소자를 갖는 구성을 이용하는 것도 가능하다. 이러한 구성은, 입사한 X선 등의 방사선을 CdTe나 CdZnTe 등으로 이루어지는 반도체 검출 소자로 검출하는 직접 검출형의 구성이다. 혹은 Si에 있어서도 두께를 충분히 두껍게 하여 전체 공핍시켜 사용하거나, 이면으로부터 입사할 수 있는 구조로 하는 것으로도 실현될 수 있다. 이것은, 예를 들면 도 9의 구성에 있어서, 신틸레이터(15)를 제외하는 동시에, PD 어레이(10)를 반도체 검출 소자 어레이에 옮겨놓은 구성에 상당한다. 이 경우, 반도체 검출 소자 어레이와 배선 기판에 의해 반도체 장치가 구성된다.
또, 반도체 소자 및 배선 기판으로 이루어지는 상기 구성의 반도체 장치는, 방사선 검출기 이외에도 여러 가지 장치에 대하여 적용 가능하다. 이 경우, 반도체 소자로서는, 반도체 광 검출 소자나 반도체 검출 소자 이외의 소자를 사용해도 된다. 또, 배선 기판, 및 배선 기판의 신호 입력면에 접속된 반도체 소자에 더하여, 배선 기판의 신호 출력면에 신호 처리 소자를 접속하고, 반도체 소자와 반도체 소자로부터의 전기 신호를 처리하는 신호 처리 소자가 배선 기판을 통하여 일체로 된 반도체 장치로 해도 된다.
또, 배선 기판(20)과 신호 처리 소자(30)의 접속 등에 대해서는, 상기 실시 형태와 같이, 범프 전극을 통한 전기적인 접속에 의한 다이렉트 본딩 방식을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 금속 범프 전극을 전기적 접속 수단으로서 사용함으로써, 각부를 매우 적합하게 전기적으로 접속할 수 있다.
또, 도 9에 나타낸 방사선 검출기에서는, 배선 기판(20)의 출력면(20b)에 입력면(20a)과 동일하게 도전부(23)를 설치하고, 그것을 전극 패드로서 신호 처리 소자(30)의 범프 전극(31)을 접속하고 있다. 이것에 의해, 배선 기판(20)과 신호 처 리 소자(30)를 범프 전극(31)을 통하여 양호하게 접속할 수 있다. 이 출력면(20b) 상의 전극 패드에 대해서는, 도전성 부재(21)의 출력부(21b)를 포함하는 도전부(23)와는 별도로 전극 패드를 설치하는 구성으로 해도 된다.
혹은, 이와 같은 범프 전극을 사용한 구성 이외에도, 범프 전극에 의한 접속 후에 언더필 수지를 충전하는 구성이나, 이방성 도전성 필름(ACF) 방식, 이방성 도전성 페이스트(ACP) 방식, 비도전성 페이스트(NCP) 방식에 의한 구성 등을 이용해도 된다. 또, 각각의 기판에 대해서는, 필요에 따라 전극 패드를 개구시킨 상태로 절연성 물질로 이루어지는 패시베이션 막을 형성해도 된다.
본 발명에 의한 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기는, 이상 상세하게 설명한 바와 같이, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 양호하게 접속되는 반도체 장치, 및 그것을 사용한 방사선 검출기로서 이용 가능하다. 즉, 반도체 광 검출 소자 등의 반도체 소자를 접속하는 배선 기판으로서 입력면으로부터 출력면에의 복수의 관통 구멍이 소정의 배열로 형성된 관통 구멍 그룹을 갖는 절연 기판을 사용하는 동시에, 이 관통 구멍 그룹에 대하여 반도체 소자의 범프 전극을 대응시키고, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 관통 구멍 그룹에 설치된 도전로인 도전성 부재를 접속하는 구성에 의하면, 반도체 소자를 배선 기판 상에 실장할 때에, 도전성 부재가 설치된 관통 구멍 그룹에 있어서의 복수의 관통 구멍의 각각의 내부에 범프 전극의 일부가 속으로 들어간다. 이것에 의해, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전로가 범프 전극을 통하여 양호하게 접속되는 반도체 장치가 실현된다.
또, 이러한 구성의 반도체 장치를 적용한 방사선 검출기에 의하면, 반도체 소자와 배선 기판에서의 대응하는 도전성 부재가 양호하게 접속되므로, 방사선 검출 수단으로부터 신호 처리 수단에의 검출 신호의 전달, 및 신호 처리 수단에 있어서의 검출 신호의 처리를 확실히 행할 수 있는 방사선 검출기가 실현된다.

Claims (8)

  1. 전기 신호를 출력하는 반도체 소자와,
    신호 입력면 및 신호 출력면의 사이에서 상기 전기 신호를 유도하는 도전로가 설치되며, 상기 신호 입력면에 상기 반도체 소자가 접속된 배선 기판을 구비하고,
    상기 배선 기판은, 복수의 관통 구멍을 갖는 관통 구멍 그룹이 설치된 절연 기판과, 상기 관통 구멍 그룹에 포함되는 상기 관통 구멍의 각각에 설치되고 상기 신호 입력면 및 상기 신호 출력면의 사이를 전기적으로 도통하여 상기 도전로로서 기능하는 도전성 부재를 가지고 구성되며,
    상기 반도체 소자와, 상기 배선 기판의 상기 관통 구멍 그룹에 설치된 상기 도전성 부재는, 상기 관통 구멍 그룹에 대응하여 형성된 범프 전극을 통하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 부재는, 상기 절연 기판에 설치된 상기 관통 구멍의 내벽에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 절연 기판은, 코어 유리부 및 상기 코어 유리부의 주위에 설치된 피복 유리부를 포함하는 파이버 형상의 유리 부재를 묶어서 형성된 다발 형상의 유리 부재를 원하는 두께로 절단하는 동시에, 상기 코어 유리부를 제거함으로써 상기 관통 구멍이 형성된 유리 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배선 기판의 상기 신호 출력면에 접속되고, 상기 반도체 소자로부터의 상기 전기 신호를 처리하는 신호 처리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 기재된 반도체 장치를 포함하여 구성된 방사선 검출기로서,
    상기 반도체 소자를 포함하며, 입사한 방사선을 검출하여 상기 전기 신호를 출력하는 방사선 검출 수단과,
    상기 방사선 검출 수단으로부터의 상기 전기 신호를 처리하는 상기 신호 처리 수단과,
    상기 배선 기판을 포함하며, 상기 방사선 검출 수단 및 상기 신호 처리 수단이 각각 상기 신호 입력면 및 상기 신호 출력면에 접속된 배선 기판부를 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 배선 기판에 사용되는 상기 절연 기판은, 방사선 차폐 기능을 갖는 소 정의 재료로 형성된 유리 기판인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 방사선 검출 수단은, 방사선의 입사에 의해 신틸레이션 광을 발생하는 신틸레이터와, 상기 신틸레이터로부터의 상기 신틸레이션 광을 검출하는 상기 반도체 소자인 반도체 광 검출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 방사선 검출 수단은, 입사한 방사선을 검출하는 상기 반도체 소자인 반도체 검출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421209B2 (ja) * 2003-04-11 2010-02-24 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
KR20060131327A (ko) 2005-06-16 2006-12-20 엘지전자 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
TWI311438B (en) * 2006-08-28 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Image sensor module
JP2008258258A (ja) * 2007-04-02 2008-10-23 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US8071953B2 (en) * 2008-04-29 2011-12-06 Redlen Technologies, Inc. ACF attachment for radiation detector
GB0821158D0 (en) 2008-11-20 2008-12-24 Durham Scient Crystals Ltd Semiconductor device connection
US8575558B2 (en) * 2010-11-30 2013-11-05 General Electric Company Detector array with a through-via interposer
US9917118B2 (en) * 2011-09-09 2018-03-13 Zecotek Imaging Systems Pte. Ltd. Photodetector array and method of manufacture
JP5731344B2 (ja) 2011-09-28 2015-06-10 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
TWI482240B (zh) * 2011-12-19 2015-04-21 Nat Univ Tsing Hua 半導體之貫孔內連接線的製造方法
EP2772939B1 (en) 2013-03-01 2016-10-19 Ams Ag Semiconductor device for detection of radiation and method of producing a semiconductor device for detection of radiation
JP6565238B2 (ja) * 2015-03-17 2019-08-28 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド
JP6747487B2 (ja) * 2018-10-26 2020-08-26 大日本印刷株式会社 放射線検出装置
ES2757984B2 (es) 2018-10-31 2021-02-16 Univ Valencia Politecnica Dispositivo para la deteccion de rayos gamma con tabiques activos
CN112888161B (zh) * 2020-12-31 2023-01-17 中国建筑材料科学研究总院有限公司 陶瓷单模块、阵列式过孔陶瓷基板及其制造方法和应用

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
EP0368262B1 (en) 1988-11-09 2001-02-14 Nitto Denko Corporation Wiring substrate, film carrier, semiconductor device made by using the film carrier, and mounting structure comprising the semiconductor device
JP2555720B2 (ja) 1988-12-19 1996-11-20 富士通株式会社 半田バンプ部品の実装方法
JPH0758013B2 (ja) 1989-07-19 1995-06-21 日立造船株式会社 煙突解体装置
JPH0351477U (ko) * 1989-09-26 1991-05-20
JPH03203341A (ja) 1989-12-29 1991-09-05 Hoya Corp 微小電極を有する基板およびその製造方法
US5245191A (en) * 1992-04-14 1993-09-14 The Board Of Regents Of The University Of Arizona Semiconductor sensor for gamma-ray tomographic imaging system
JPH1020042A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Shimadzu Corp Ｘ線ｃｔ用固体検出器
JPH1056040A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3272993B2 (ja) 1997-09-12 2002-04-08 日本特殊陶業株式会社 中継基板、その製造方法、及びその接続方法
JPH11121648A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子部品実装体およびこれを構成する基板
JP3236812B2 (ja) * 1998-02-19 2001-12-10 京セラ株式会社 多層配線基板
WO2000065376A1 (en) * 1999-04-26 2000-11-02 Simage Oy Device for imaging radiation
JP2001053111A (ja) 1999-08-10 2001-02-23 Matsushita Electric Works Ltd フリップチップ実装構造
JP2001330677A (ja) 2000-05-24 2001-11-30 Canon Inc 放射線検出装置
GB2364791B (en) 2000-07-14 2004-12-29 Evan Arkas Optical channel plates
JP2002148342A (ja) * 2000-11-07 2002-05-22 Canon Inc 放射線撮像装置
JP2003017676A (ja) * 2001-04-27 2003-01-17 Canon Inc 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮像システム
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
DE10244177A1 (de) * 2002-09-23 2004-04-08 Siemens Ag Bilddetektor für Röntgeneinrichtungen mit rückseitig kontaktierten, organischen Bild-Sensoren
JP4365108B2 (ja) 2003-01-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 配線基板、及びそれを用いた放射線検出器
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