KR20060003910A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 플라즈마 처리 장치에 있어서,피처리체를 처리하는 처리 용기와,유전체 벽을 가지며, 상기 처리 용기의 상부에 설치되고, 상기 유전체 벽과 상기 처리 용기를 기밀로 하는 시일 부재와,상기 처리 용기내에 설치되고, 상기 피처리체를 탑재하는 탑재대와,상기 처리 용기내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입부와,상기 유전체 외부에 설치되고, 처리 용기내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 제 1 전극과,상기 탑재대에 배치된 제 2 전극과,상기 유전체 벽을 덮도록 설치된 금속제의 커버를 구비하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체는 벨자(bell jar) 형상인플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체 벽의 주위에 안테나를 배치하는플라즈마 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 안테나에 고주파 전원이 접속되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 안테나는 코일형인플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 탑재대는 히터를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 시일 부재는 상기 유전체 벽의 시일 면과 상기 처리 용기의 시일 면 사이에 설치되고, 상기 시일 부재의 상하면에 돌기가 형성되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 돌기는 복수 형성되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 돌기는 반원형의 돌기 또는 볼록한 돌기로 형성하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극에 고주파 전원이 접속되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 플라즈마 처리 장치에 있어서,피처리체를 반입하는 제 1 처리 용기와,상기 제 1 처리 용기의 상방에 설치되고, 유전체 부재로 구성하는 제 2 처리 용기와,상기 제 2 처리 용기에 설치되고, 상기 처리 용기내에 플라즈마를 생성하기 위한 안테나 부재와,상기 제 1 처리 용기내에 배치되고, 상기 피처리체를 탑재하는 탑재대와,상기 처리 용기내에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입부와,상기 제 2 처리 용기의 주위에 배치하는 안테나와,상기 안테나에 고주파 전력을 정합기를 거쳐서 도입하는 고주파 전원과,상기 제 2 처리 용기의 상기 유전체 부재를 덮도록 배치하는 금속제의 커버와,상기 처리 용기내를 배기하는 배기 장치를 구비하고,상기 안테나와 상기 정합기는 적어도 1개 이상의 전극에서 접속되고, 해당 전극을 거쳐서 상기 안테나에 상기 고주파 전력이 공급되어 상기 처리 용기내에 상기 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 유전체 부재는 석영 또는 세라믹스재로 형성되는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 안테나는 코일형으로 이루어진플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 탑재대에 제 1 전극이 배치되는플라즈마 처리 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 유전체 부재의 상부에 설치되고, 상기 제 1 전극에 대향하는 전극이 설치되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극에는 고주파 전원이 접속되는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 전극은 제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극으로 구성하는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 안테나와 상기 전극은 클립을 거쳐서 접속하는플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 가스 도입부는 상기 제 1 처리 용기와 제 2 처리 용기 사이에 설치되고, 복수의 가스 도입 구멍을 형성하여 환상으로 설치되는플라즈마 처리 장치.
- 플라즈마 처리 장치에 있어서,피처리체를 처리하는 처리 용기와,상기 처리 용기내에 설치되고, 상기 피처리체를 탑재하는 탑재대와,상기 처리 용기에 배치되고, 상기 처리 용기내의 중앙 공간부를 향하여 처리 가스를 도입하는 복수의 가스 분출 구멍을 갖는 가스 도입부와,상기 처리 용기내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 수단과,상기 처리 용기내를 배기하는 배기 장치를 구비하고,상기 공간부측에 면하는 상기 가스 분출 구멍은 해당 면에 수직으로 형성되는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 공간부측의 면이 테이퍼면을 형성하는플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 가스 분출 구멍은 소정의 각도로 형성되는플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 가스 분출 구멍은 상기 공간부측의 출구가 모떼기되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 가스 도입부는 환형으로 형성되는 홈부와 상기 홈과 연통하는 상기 처리 가스 통로를 갖는플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 홈과 상기 처리 가스 통로의 접속부에 원주방향으로 구멍이 형성되어 있는플라즈마 처리 장치.
- 제 4 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 고주파 전원은 450kHz 내지 60MHz의 주파수인 고주파 전력을 발생가능 한플라즈마 처리 장치.
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