JP4089873B2 - プラズマ処理装置およびその初期化方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置およびその初期化方法にかかり，特に，プラズマ処理装置のクリーニング後や，他のプロセスを行う場合，あるいはパーティクル発生防止等のための，プラズマ処理装置の初期化が効率よく行えるプラズマ処理装置およびその初期化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては，昨今，高密度化および高集積化が進んでいる。このため，デザインルールが厳しくなり，例えば，ゲート配線パターンなどの線幅は一層小さくなり，下層の半導体デバイスと上層の配線層との接続部であるコンタクトホールでは高アスペクト比化が進んでいる。
【０００３】
このように，厳しいデザインルールで設計された半導体装置の製造のためには，その製造工程の管理は重要である。例えばエッチングの工程においては，微細なパターンや高アスペクト比を有するコンタクトホールのエッチングを確実に行わなくてはならない。このため，エッチングレートを管理し，所望のパターンを確実に形成することが不可欠である。
【０００４】
ところが，エッチングを行うプラズマ処理装置，特に誘導結合プラズマ（以下ＩＣＰという）により行われるプラズマ処理装置においては，例えば石英等からなるチャンバーに電位がかかっていないため，エッチングされた材料がチャンバー内壁等に異物として付着しやすい。このチャンバー内壁等に付着した異物は，エッチング時のプラズマ状態に影響を及ぼし，エッチングレートを変動させる要因になる。
【０００５】
特に，半導体装置の進歩に伴う多様な要求に応えるため，種々のプロセスを行う場合がある。一例を挙げると，コンタクトホールにタングステン等の材料を埋め込む前に，コンタクトホール底部表面が酸化したり変質したりして生じた酸化膜（例えばＳｉＯ_２）をエッチングする必要がある。しかし，通常エッチングされる酸化膜以外の導電材料，例えばＰｏｌｙ−Ｓｉ，Ｗ，ＷＳｉ，ＣｏＳｉ等の材料をエッチングする場合には，その後再び酸化膜をエッチングするとメモリー効果と呼ばれる現象を引き起こす。
【０００６】
メモリー効果とは，次のような現象である。例えばＣｏＳｉなどの金属材料からなる膜をエッチングすると，エッチングされた物質が石英材からなるチャンバー内やその内壁などに付着し，プラズマ内に生成した電子やイオン等が付着物を介して接地されることによりプラズマが不安定となり，プラズマ状態に影響を受ける。よってその直後，酸化膜をターゲットとして同一条件でエッチングを行っても，プラズマが不安定になっているので，定常状態のエッチングレートにならないという現象である。つまり通常エッチングする膜以外のものをエッチングすると，通常チャンバー内やその内壁に付着するものとは異なる材料が付着し，これによりプラズマに対するインピーダンスが変化し，ひいてはプラズマ状態が影響を受け，メモリー効果が引き起こされることになる。
【０００７】
図１８は，従来のプラズマ処理装置における，半導体ウェハ載置部１０の一例を示す概略断面図である。図１８に示すように，半導体ウェハ載置部１０は，ガイドリング８０およびサセプタ１５３ａを有している。
【０００８】
サセプタ１５３ａは，例えばＡｌＮなどからなる。ガイドリング８０は，例えばＳｉＯ_２などの石英材からなり，サセプタ１５３ａの外周を囲うような形状で，上面はサセプタ１５３ａよりも上方に位置し，半導体ウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できように構成される。
【０００９】
このような半導体ウェハ載置部１０を有するプラズマ処理装置で，例えば，通常ＳｉＯ_２膜の半導体ウェハのエッチングを行っている場合，途中で，Ｐｏｌｙ−Ｓｉで表面が覆われた半導体ウェハの表面のエッチングを行った後，続いて表面がＳｉＯ_２のウェハをエッチングした際，エッチングレートが低下する。この場合，例えばＳｉＯ_２膜の半導体ウェハを５枚（エッチング時間として例えば１５０秒相当）の処理を行わないと通常のエッチングレートに回復しないという事態が起こる。
【００１０】
これは，Ｐｏｌｙ−ＳｉのＳｉが飛散しチャンバー内壁表面に付着したために減衰していたプラズマ状態が，ＳｉＯ_２膜の半導体ウェハを数枚エッチングしたことによりチャンバー内部に再び酸化物がある程度堆積され，プラズマ状態が元の定常状態に戻るためと考えられる。
【００１１】
そこで，エッチングレートを定常状態に戻すためには，ダミーウェハを用いてのエッチングが行われる。しかしながら，ダミーウェハを用意するには，時間，労働力，および費用が不可欠であり，生産および作業効率を悪化させる点で好ましくない。
【００１２】
また，チャンバー内壁に付着した付着物は，例えばＣｌＦ_３ガスを用いたクリーニングではエッチング除去しづらく，また行ったとしても，装置が定常状態に復帰するためにはやはり，一定枚数のダミーウェハを用いたエッチングを行わなくてはならない。
【００１３】
さらに，複数の半導体ウェハのエッチング処理を行った場合は，装置の稼動時間が長くなるので，チャンバーの内壁に付着した付着物が厚くなって膜応力により剥がれたり，処理ガス中のイオンおよびラジカルにより付着物が還元，侵食などストレスが付加されて剥がれたりすることにより，パーティクルとして発生することがある。
【００１４】
このような場合にはやはり，表面が酸化膜で覆われたウェハをダミーウェハとしてプラズマ処理を行って，チャンバー内壁に酸化物を付着させるとパーティクルの発生が押さえられることもわかっている。しかしながら，この作業も，生産および作業効率の点から好ましくない。
【００１５】
また，サセプタ１５３ａの周囲に配されるガイドリング８０は，上面はサセプタ１５３ａよりも上方に位置するように構成されているため，ウェハの周囲においてプラズマが乱れる要因となり，成膜やエッチングなどのプラズマ処理の面内均一性を損なうという問題点もあった。
【００１６】
また，従来，誘電体壁，特にベルジャー型誘電体壁と処理室の間をシールするために，Ｏリングや，両面が平面に形成された平型またはＬ型のガスケットが使用されていた。
【００１７】
しかしながら，Ｏリングを使用した場合には，破損対策のためにＯリングの接触面以外を保護する必要があった。また，平型またはＬ型のガスケットを使用した場合には，シール面に十分な面圧が確保できず，真空漏洩が生じやすいという問題点があった。
【００１８】
さらにまた，従来，処理室内に処理ガスを導入する際には，天井部に複数のガス導入孔が形成された構造，いわゆるシャワーヘッドを用いて天井部から導入を行っていた。
【００１９】
しかしながら，シャワーヘッド構造では，ウェハとガス導入孔との間隔が処理装置の構造に応じて制限され，またウェハ外周部のガス分布が変化するため，成膜やエッチングなどのプラズマ処理の面内均一性を損なうという問題があった。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は，従来のプラズマ処理装置およびその初期化方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，装置の立ち上げが効率よく行え，酸化膜以外の材料のエッチングを適宜行うことができ，パーティクル発生を防止することの可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置およびその初期化方法を提供することである。
【００２１】
さらに，本発明の別の目的は，処理装置内における載置台など当該装置を構成する部材の材質組成に基づく金属汚染を防止することが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置を提供することである。
【００２２】
さらに，本発明の別の目的は，ウェハ上でガスの流れが均一となり，プラズマを処理面全面において均一に分布させることにより，成膜やエッチングなどのプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能な，新規かつ改良されたガス導入構造を有するプラズマ処理装置を提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明によれば，誘電体壁を介して処理室内に誘導プラズマを励起するように構成されたプラズマ処理装置において，処理室内において被処理体を載置する載置台の少なくとも載置面を着脱自在に覆うことが可能な誘電体部材，例えば石英を備えるプラズマ処理装置が提供される。
【００２４】
かかる構成によれば，プラズマ処理装置において処理中にパーティクル発生等のトラブルが発生した際にチャンバー内をｗｅｔ ｃｌｅａｎｉｎｇなどの清掃を行った場合や定期的なメンテナンスをした場合等に，またエッチング対象物，例えばメタルエッチングから酸化膜エッチングへ移行する場合など別のプロセスへ移行する場合に，さらにはチャンバー内を初期状態に戻す場合など載置台上に配置する誘電体部材をプラズマ中にてエッチングすることで，ダミーウェハを用いずに効率よくプラズマ処理装置のチャンバー内を初期化することができると共に，載置台の載置面は誘電体部材でおおわれているので，たとえ載置台を構成する材料が金属等の不純物が含まれていても，チャンバー内や被処理体がこの金属に汚染されることを防止することができる。
【００２５】
また，誘電体部材の載置面の周囲には，被処理体をガイドするガイドリングが形成されていてもよく，ガイドリングの表面は，前記被処理体の処理面よりも低い位置に形成されていてもよい。誘電体部材は，載置台の上部に被せることが可能な凹部状をなすことができる。さらに誘電体部材は，相互に分離可能な載置面部とガイドリング部とから成るアセンブリとして構成してもよい。
【００２６】
かかる構成によれば，被処理体および誘電体部材を的確に載置可能であり，また，プラズマを被処理体の処理面において均一化することが可能であるとともに，誘電体部材の製造および消耗時の交換が容易になる。
【００２７】
さらに本発明の別の観点によれば，誘電体壁，例えばベルジャー形状の誘電体壁を介して処理室内に誘導プラズマを励起するように構成されたプラズマ処理装置において，誘電体壁と処理室との間には，フッ素系エラストマー材料から成り，その両面に少なくとも一列の環状突起が形成された平型のガスケットが配されることを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。
【００２８】
かかる構成によれば，シール面全体を保護することが可能であると共に，適切な面圧を確保することが可能なので，より気密性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
【００２９】
さらに，本発明の別の観点によれば，処理室内に配された被処理体に対してプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において，処理室の側壁と天井部との間には，処理室の上方に向かって開孔する複数のガス噴出孔を備えたガス導入リングが配されることを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。
【００３０】
ガス噴出孔は，上向きのテーパ面に開孔していてもよく，ガス噴出孔は，処理室の一点に向けて開孔していてもよい。また，プラズマ処理装置は，ベルジャー型誘電体壁を介して処理室内に誘導プラズマを励起するものであり，天井部は，ベルジャー型誘電体壁であってもよい。
【００３１】
かかる構成によれば，処理室の側面から，処理室の所定位置，例えば中央部に向けて均一にガスを噴出することが可能となる。その結果，ガスの流れがウェハ上で均一となり，プラズマも均一に生成され，成膜やエッチングなどのプラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。
【００３２】
さらに，誘電体壁を介して処理室内に誘導プラズマを励起するように構成され，処理室内において被処理体を載置する載置台の少なくとも載置面を着脱自在に覆うことが可能な誘電体部材を備えたプラズマ処理装置の初期化方法であって，プラズマ処理装置の初期化時には，誘電体部材を露出させた状態で，所定時間にわたり，処理室内にプラズマを励起して，プラズマを安定して生成させることができるプラズマ処理装置の初期化方法が提供される。このプラズマ処理装置の初期化は，他のプロセスへの移行時，プラズマ処理装置の立ち上げ時またはパーティクル発生時に行われる。初期化の際，処理室内にはＡｒガスのプラズマを励起して，プラズマが安定して生成されるようにしてもよい。
【００３３】
上記方法によれば，プラズマ処理装置の初期化を，稼働率の点で効率良く行うことができ，パーティクル発生防止にも効果があることから，信頼性の高いプロセスが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置およびその初期化方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３５】
（第１の実施の形態）
図１は，本発明の第１の実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す概観図である。図１に示すように，プラズマ処理装置１５０は，半導体ウェハ上の酸化膜やその他材料の膜を除去するエッチング装置であり，誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式を採用することができる。
【００３６】
この装置１５０は，略円筒状のチャンバー１５１，および略円筒状のベルジャー１５２を有している。ベルジャー１５２は，チャンバー１５１の上方に，後述するガスケット１７９を介して，気密に設けられている。ベルジャー１５２は，例えば石英やセラミックス材料等の誘電体材料で形成されている。
【００３７】
チャンバー１５１内には，サセプタ１５３が備えられている。サセプタ１５３は，被処理体である半導体ウェハ（以下単にウェハという）１を水平に支持するためのものである。サセプタ１５３の上面には，本実施の形態にかかる誘電体部材１８０が配されているが，その詳細な構造については，後述する。なお，誘電体部材１８０はサセプタ１５３により支持されているが，より確実に支持するため図１に示すようにチャンバー１５１の底面から起立したシャフト１８４を設けて誘電体部材１８０を支持させるようにしてもよい。このシャフト１８４は１つでもよいし，また複数設けてもよい。例えば誘電体部材１８０のサセプタ１５３より外側に張出した部分を支持するシャフト１８４を３本又は４本設け，各シャフト１８４をそれぞれ誘電体部材１８０の周方向に等間隔に配置してもよい。
【００３８】
支持部材１５４は，略円筒形状をなし，サセプタ１５３を支持している。ヒータ１５６はウェハ１を加熱するために，サセプタ１５３内に埋設されている。電源１７５は，電源接続線１７７を介してヒータ１５６に電力を供給する。
【００３９】
コイル１５７は，アンテナ部材としてベルジャー１５２の周囲に巻回されている。高周波電源１５８は，整合器１５９を介して，コイル１５７に接続されている。高周波電源１５８は，例えば４５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚ（好ましくは４５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚ）の周波数を有する高周波電力を発生可能である。
【００４０】
ここで，ベルジャー１５２上部の構成について説明する。図３は，ベルジャー１５２上部の構成を示す概略断面図，図４は，図３に示すＰ部分の拡大図である。この図３に示すように，ベルジャー１５２外部の上部には，サセプタ１５３に対する対向電極２０１が設けられている。対向電極２０１は，Ａｌ等により形成され，ベルジャー１５２との間に，中心部に配置されるベルジャー１５２との緩衝防止用のキャップ２０３，スペーサリング２０５を介して設けられている。キャップ２０３，スペーサリング２０５はテフロン（登録商標）などの樹脂で形成され，ベルジャー１５２を密閉するように押えている。
【００４１】
対向電極２０１は，その上部に設けられたＡｌ製のカバー２０７に接続され，更にカバー２０７は，ベルジャー１５２側面を覆うＡｌ製のシースカバー２０９に接続されている。対向電極２０１は，カバー２０７，シースカバー２０９を介して接地されている。
【００４２】
カバー２０７の更に上方には，整合器１５９が設けられており，図３のＰ部分を介してコイル１５７と電気的に接続されている。図４に示すように，Ｐ部分は，整合器１５９と接続された電極２１１，電極２１１に接続された電極２１３，電極２１３に接続された電極２１５，及び電極２１５にネジ２１９により接続された電極２１７を有し，各電極は取外しが可能となっている。さらに電極２１７は，クリップ２２１に接続され，クリップ２２１がコイル１５７を狭持することで，整合器１５９とコイル１５７が電気的に接続される。
【００４３】
クリップ２２１は，電極２１７とコイル１５７とを電気的に接続させる機能を有すればよく，図５に示したように，接続部２２３をネジ２２５によりコイル１５７に接続するようにしてもよい。電極２１３，２１５は，銅に銀をコートしたものなどが用いられる。電極２１３，２１５の外側は，アミド系樹脂などの耐熱樹脂で形成されたカバー２２７で被覆され，さらにＡｌ製のカバー２２９で覆われている。上記のように，高周波電源１５８から整合器１５９を介してコイル１５７に高周波電力を供給することにより，ベルジャー１５２内に誘導電磁界が形成される。
【００４４】
ガス供給機構１６０は，半導体ウェハ表面をエッチングするためのＡｒを供給するＡｒ供給源１６１，および金属材料の酸化物を還元するためのＨ_２を供給するＨ_２供給源１６２を有している。ガスライン１６３および１６４は，各々ガス供給源１６１および１６２に接続されている。バルブ１６５，１７８，およびマスフローコントローラ１６６が各ラインに設けられている。
【００４５】
ガス導入リング１６７は，ベルジャー１５２とチャンバー１５１側壁の天井部との間に環状に設けられ，矢印に示す方向，すなわちベルジャー１５２内の空間部１５５の中央部（α点）に向けて処理ガスを噴出可能であり，チャンバー１５１側壁の上部にボルト等によりガスケット１７９を介して気密に固定されている。そして，ガス導入リング１６７の内周側壁面には，空間部１５５の略中央部に向けて処理ガスを噴出する複数のガス導入孔１６７ａが形成されている。このガス導入孔１６７ａは，ベルジャー１５２の外側に配置する誘導コイルの巻数（コイルの高さ）の１／２の位置で空間部１５５の中央部に向かって処理ガスを噴出させる角度に配置されている。またガス導入孔１６７ａは等間隔に配置しているので，ベルジャー１５２の空間部１５５内に均一に処理ガスを噴出することができる。
なお，このガス導入孔１６７ａは，これに限られず，装置の大きさに応じて均一な流れを形成するように個数や噴出均等角度が調整される。本実施の形態では，２０個形成されている。またガス導入孔１６７ａの噴出均等角度は，成形角度により任意にすることができ，空間部１５５の中央部，すなわち半導体ウェハ上部に向けた角度（固定）としてもよい。
【００４６】
図６にも示すように，ガス導入リング１６７には環状に形成された溝１６７ｂと連通するガス通路１６７ｄが設けられ，このガス通路１６７ｄにはガスライン１６３および１６４が接続されている。ガスライン１６３および１６４からのガスはガス通路１６７ｄを介してガス導入リング１６７内に注入され，ガス導入孔１６７ａを介してエッチングガスが空間部１５５中央に向け導入される。
【００４７】
ガス導入リング１６７は，図６に示すように，空間部１５５側の側面１６７ｃを垂直に形成し，その垂直面である側面１６７ｃにガス導入孔１６７ａを開孔させるように構成することができる。ただし，かかる構成の場合には，孔上部から噴出するガス流Ａと，孔下部から噴出するガス流Ｂとの間に速度差が生じるため，ガス導入孔１６７ａから処理ガスが噴出した際に，ガス導入孔１６７ａの出口付近で乱流（渦巻流）が形成されることなどから，空間部１５５内に均一にガスを導入することができない。
【００４８】
そこで，図７に示すように，ガス導入リング１６７の空間部１５５側の側面１６７ｃにテーパ面１６７ｆを形成し，このテーパ面１６７ｆに対して，上向きに形成されたガス導入孔１６７ａが略垂直に開孔し，さらにガス導入孔１６７ａの方向は誘導コイルの巻数（コイルの高さ）の１／２の高さ位置になるように角度調整可能に構成することにより，孔上部から噴出するガス流Ａと，孔下部から噴出するガス流Ｂとの間の速度差を軽減し，チャンバー内にガスを均一に導入することが可能となる。また，ガス導入孔１６７ａの，空間部１５５側の出口付近は，出口１６７ｇのように面取りされ，ガス噴出時の抵抗を軽減するように構成することが好ましい。
【００４９】
次に，図８を参照しながら，ガス導入リング１６７内の溝１６７ｂにガスを導入するためのガス通路１６７ｄの構成について説明する。図８は，ガス通路１６７ｄの構成を示す図であり，同図（ａ）は，上方からの概観図，同図（ｂ）は同図（ａ）のＱ方向からの概観図，同図（ｃ）は，同図（ａ）のＲ−Ｒ断面の概観図である。
【００５０】
図８に示すように，ガス導入リング１６７には，内部の溝１６７ｂにガスを導入するガス通路１６７ｄが設けられている。ガス導入リング１６７の外側には，図８（ｂ）に示すように，ガス通路１６７ｄの入口が設けられている。ガス通路１６７ｄと溝１６７ｂとの接続部の上部には，同図（ａ），（ｃ）に示すように横穴１６７ｈが設けられ，ガス通路１６７ｄと溝１６７ｂとの接続部の溝１６７ｂ側壁は塞がれ，ガス通路１６７ｄから導入されるガスは横穴１６７ｈを通過して溝１６７ｂに導入されるように構成されている。この構成により，ガスは溝１６７ｂの周方向に流れやすくなり，ガス導入リング１６７に複数のガス導入孔１６７ａが形成されている場合に，空間部１５５に向けて噴出されるガスをより均一にする効果がある。
【００５１】
また，チャンバー１５１側壁とベルジャー１５２側壁との接続部には，真空度を保つため，ガスケット１７９を介して気密に接続されている。図９は，本発明の一実施形態にかかるガスケットの断面図である。図９に示すようにガスケット１７９は，ベルジャー１５２のシール面とガス導入リング１６７の上部のシール面との間に介して設けられている。これにより気密性が維持され，さらにはベルジャー１５２のシール面を保護し破損を防止できる。また，このガスケット１７９は，さらに気密性維持の向上を目的として例えばフッ素系エラストマー材料から構成してもよく，リング形状をなすガスケットの上下面に，半円の山または甲山状の突起１７９ａ，１７９ｂを成形した形状としてもよい。なお，ガスケット１７９の下面には上記突起１７９ａがなくてもよく，またガスケット１７９の上面は突起１７９ａを２個など複数設けてもよい。
【００５２】
真空ポンプを含む排気装置１６９は，排気管１６８に接続されている。チャンバー１５１の底壁の一部は開口しており，この開口部には凹状の排気部１８２が気密に接続されている。上記排気管１６８は，排気部１８２の側面開口部に接続されている。上記排気部１８２の底部には，サセプタ１５３を支持する支持部材１５４が設けられている。そして排気装置１６９を作動させてチャンバー１５１およびベルジャー１５２の内部を排気部１８２，排気管１６８を介して所定の真空度に減圧することができる。
【００５３】
また，ゲートバルブ１７０が，チャンバー１５１の側壁に設けられている。ウェハ１は，このゲートバルブ１７０を開にした状態で，隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。また，サセプタ１５３に埋設されている電極１７３は，整合器１７２を介して，高周波電源１７１に接続されており，バイアス印加が可能となっている。
【００５４】
このように構成されるプラズマ処理装置における処理動作を説明する。まず，ゲートバルブ１７０を開にして，チャンバー１５１内にウェハ１を挿入し，リフターピン駆動機構１８１が有するリフターピン昇降駆動部１８１ｂによってリフターピン１８１ａが上昇し，このリフターピン１８１ａでウェハ１を受け取った後，リフターピン１８１ａが下降して，サセプタ１５３上にウェハ１を載置する。その後，ゲートバルブ１７０を閉じ，排気装置１６９により，チャンバー１５１およびベルジャー１５２を排気して所定の減圧状態にする。引き続き，Ａｒ供給源１６１およびＨ_２供給源１６２からチャンバー１５１内にＡｒガスおよびＨ_２ガスを供給しつつ，高周波電源１５８からコイル１５７に高周波電力を供給してベルジャー１５２内の空間部１５５に誘導電磁界を形成する。
【００５５】
この誘導電磁界によりベルジャー１５２内の空間部１５５にプラズマが生成され，このプラズマによりウェハ１の表面の例えば酸化膜がエッチング除去される。例えばＨ_２ガス使用した場合など，必要に応じてヒータ１５６に電源１７５から電力を供給し，加熱してもよい。また高周波電源１７１からサセプタ１５３にバイアス電圧を印加してもよい。
【００５６】
この際の処理条件の一例を挙げると，たとえば圧力が０．１〜１３．３Ｐａ，好ましくは０．１〜２．７Ｐａ，ウェハ温度が１００〜５００℃，ガス流量が，Ａｒは０．００１〜０．０３Ｌ／ｍｉｎ好ましくは０．００５〜０．０１５Ｌ／ｍｉｎ，Ｈ_２は０〜０．０６Ｌ／ｍｉｎ好ましくは０〜０．０３Ｌ／ｍｉｎ，プラズマ処理装置１５０の高周波電源１５８の周波数が４５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚ好ましくは４５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚ，バイアス電圧が−２０〜−２００Ｖ（０〜５００Ｗ）である。このような条件のプラズマにより３０秒程度処理することにより，例えば酸化膜としてＳｉＯ_２が１〜１０ｎｍ程度除去される。
【００５７】
図２は，第１の実施の形態にかかる半導体ウェハ載置部１００を示す概略断面図である。図２に示すように，半導体ウェハ載置部１００は，サセプタ１５３および誘電体部材１８０を有している。
【００５８】
サセプタ１５３は，例えばＡｌＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＣ材などからなる。誘電体部材１８０は，例えばＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮ，またはＳｉ_３Ｎ_４などプラズマ処理時に誘電を維持される材料からなる。このサセプタ１５３には誘電体部材１８０が載置できるようになっている。本実施の形態における誘電体部材１８０は１例として石英を用いている。
【００５９】
サセプタ１５３の上面部分の誘電体部材１８０は，厚さｔ１となっており，薄すぎると加工が難しく，耐久性に劣り，厚いものはコストがかかる点を考慮して例えば０．５〜５ｍｍ程度，好ましくは０．５〜１ｍｍとすることができる。
【００６０】
サセプタ１５３の外周部分を覆う誘電体部材１８０の上面中央部には下側に凹となる段差ｔ２が設けられており，ウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できるように構成されている。段差ｔ２はウェハ１の厚さが約０．７ｍｍ程度であるので，例えば，０．５〜３ｍｍ程度，好ましくは１〜３ｍｍで，より好ましくはウェハのレベルと同レベルがよい。
【００６１】
また，上記誘電体部材１８０は，サセプタ１５３よりも外径が大きく形成され，サセプタ１５３に載置したときに，サセプタ１５３よりも外側にはみ出す外縁部１８０ａが設けられている。また，誘電体部材１８０は，その中央部に下側に凸となる凸部１８０ｎが形成されており，サセプタ１５３に設けられた上側に凹となる凹部１５３ｎに収るようになっている。
【００６２】
具体的には例えばサセプタ１５３の凹部１５３ｎは図２に示すような座ぐりとし，このサセプタ１５３の凹部１５３ｎに誘電体部材１８０の凸部１８０ｎが当接し，サセプタ１５３の縁部の上面に誘電体部材１８０の外縁部１８０ａの下面が当接するようにしてもよい。これにより，誘電体部材１８０は，サセプタ１５３からずれ落ちることなく，サセプタ１５３上に安定的に載置することができる。
【００６３】
このような半導体ウェハ載置部１００を有するプラズマ処理装置１５０においては，メモリー効果に対する初期化，あるいはパーティクル発生防止のために，従来はダミーウェハを用いてプラズマ処理を行っていた。その替わりに，例えばウェハ１の搬出入の間に，ウェハ１を載置しない状態で誘電体部材１８０のエッチングを行う。これをアフタープロセス処理と名づける。
【００６４】
実際には，ＩＣＰ用の高周波電源１５８の出力が２００〜１０００Ｗ（好ましくは２００〜７００Ｗ），バイアス電圧用の電源１７１の出力が１００〜５００Ｗ（好ましくは４００Ｗ）でその周波数が１３．５６ＭＨｚ，圧力約０．１〜１．３３Ｐａ（好ましくは０．６７Ｐａ）で，Ａｒガスのみを用いることが好ましく，そのＡｒガスの流量は０．００１〜０．０６Ｌ／ｍｉｎ（好ましくは０．００１〜０．０３Ｌ／ｍｉｎ，あるいは０．０３８Ｌ／ｍｉｎ）サセプタ温度は−２０〜５００℃，好ましくは２００℃である（ＡｒガスとＨ_２ガスの混合ガスを用いる場合にはサセプタ温度は５００℃である）。また処理時間は５〜３０ｓｅｃで，例えば１０ｓｅｃ程度が好ましい。このような処理条件で誘電体部材をエッチングしてベルジャー内壁面に誘電体部材を付着させることでメモり効果及びパーティクルの発生を防止することができる。
【００６５】
ここで，パーティクル発生のメカニズム及びメモリー効果について，図１０，１１，１２，１３を参照しながら説明する。図１０は，ＳＥＭ−ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光器付走査型電子顕微鏡）による元素組成分析図，図１１は，パーティクル発生の概念図，図１２，１３は，メモリー効果によるエッチング量の変動を示す図である。
【００６６】
図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）は，それぞれＳｉ，ベルジャー１５２側壁堆積物，ＳｉＯ_２の元素組成分析図である。図１０に示すように，Ｓｉ，ベルジャー１５２側壁堆積物，ＳｉＯ_２から検出されたＳｉ元素：Ｏ元素の比はそれぞれ，１００：０，４９：４６，３４：６６である。よって，ベルジャー１５２側壁堆積物は，Ｓｉ元素とＯ元素とが約１：１に含まれることから，ＳｉＯであると推測される。
【００６７】
ＳｉＯがベルジャー１５２側壁に堆積するのは，図１１（ａ）に示すように，ベルジャー１５２内の空間１５５に，エッチングされたＳｉＯ_２が存在する場合，処理ガス中の水素ガスがプラズマより解離して生ずるＨ^＋により還元され，ＳｉＯとなるためと考えられる。
【００６８】
図１１（ｂ）に示すように，多数枚のウエハの処理などに伴い，ＳｉＯの堆積量が多くなると，堆積物３１５のように膜状になる。図１１（ｃ）に示すように，このような，ＳｉリッチなＳｉＯ膜は，ある程度の膜厚になるとストレスにより堆積物３１７のように剥がれ落ちることになり，これがパーティクルとなるのである。よって上記のように，パーティクル発生を抑制するためのアフタープロセス処理は，ＳｉＯ_２を還元しないＡｒガスのみで行うことが好ましい。
【００６９】
また，図１２，１３には，それぞれ同一のエッチング条件で処理を行った際のエッチング量が示されているが，図示したように，１枚目の半導体ウエハではＳｉＯ_２をエッチングし，２枚目の半導体ウエハでそれぞれＣＯＳｉ_２，Ｐｏｌｙ−Ｓｉをエッチングした場合，３枚目にＳｉＯ_２をエッチングしても，当初のエッチング量とは変化してしまう，メモリー効果が生ずる。
【００７０】
このメモリー効果は，異なる物質をエッチングすると，チャンバー内壁に付着する物質が異なるので，生成されるプラズマが不安定となるために生ずると考えられる。このようにメモリー効果が起こった場合，次の処理（ここでは４枚目の半導体ウエハのエッチング）の前に，上述のアフタープロセス処理を行うと，図示のように，ＣＯＳｉ_２，またはＰｏｌｙ−Ｓｉをエッチングする前のエッチング量に戻ることが分かる。これは，チャンバー内壁が再びもとの物質で覆われ，プラズマ状態が安定するためであると考えられる。このようにアフタープロセス処理は，メモリー効果を解消させる効果がある。
【００７１】
また，アフタープロセス処理のため上記のような条件で誘電体部材１８０を処理する場合，定常状態のエッチングレートに復帰させるために必要なプラズマ処理時間については以下のような結果が得られている。
【００７２】
酸化膜以外の，例えばＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）やＣｏＳｉ_２（コバルトシリコン，コバルトシリサイド）等の導電性の材料をエッチングした後のメモリー効果に対する対策のためには約１５０秒，チャンバー内をメインテナンスする際に，薬剤などを用いたウエットクリーニング後の初期化には約３００秒，パーティクル防止には約１５００秒の処理時間が必要だったのが，数十秒の誘電体部材をエッチングすることにより，チャンバー内を定常状態に戻すことができ，最適なエッチングが可能となる。
【００７３】
特に処理ガスとして用いられるＡｒガスとＨ_２ガスの混合ガスのプラズマでシリコン酸化膜のエッチングを繰り返し行うと，スパッタされたＳｉＯｘが処理容器内壁や処理容器内の部材表面に付着し，処理ガスＨ_２ガスがプラズマより解離してＨ^＋およびＨ^＊が生成され，侵食されて起こると考えられる。よって，例えばＳｉＯ_２などよりなる誘電体部材１８０をプラズマ処理して，処理容器内壁や処理容器内の部材表面を新たにＳｉＯ_２等の誘電体で覆うことにより，パーティクルの生じにくい表面状態とし，パーティクル発生を抑制することができる。パーティクル防止のためのプラズマ処理には，処理ガスとしてＡｒガスを用いることが好ましい。
【００７４】
また，上記処理時間は，ダミーウェハを用いて処理するとすれば，１枚３０秒程度の処理時間としてメモリー効果に対する対策，薬剤などを用いたウエットクリーニング後の初期化，およびパーティクル防止のために行う場合，それぞれ約５枚，１０枚，５０枚に相当することになる。このように誘電体部材１８０を処理する本実施の形態にかかるプラズマ処理装置およびその初期化方法によれば，メモリー効果に対する対策，薬剤などを用いたウエットクリーニング後の初期化，およびパーティクル防止のためにダミーウェハを用意する必要がなくなり，作業および生産効率を向上させる効果がある。また，誘電体部材１８０は，エッチング後の消耗時に交換が可能である。
【００７５】
（第２の実施の形態）
図１４は，第２の実施の形態にかかる半導体ウェハ載置部５００を示す概略断面図である。図１４に示すように，半導体ウェハ載置部５００は，プラズマ処理装置１５０において半導体ウェハ載置部１００に替えて用いることができる。第１の実施形態と重複する構成および機能については同じ符号を付し説明を省略する。
【００７６】
サセプタ１５３ａは，中央が凸に構成され，例えばＡｌＮなどからなる。誘電体部材５８０は，例えばＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮ，またはＳｉ_３Ｎ_４などプラズマ処理時に誘電を維持される材料からなり，サセプタ１５３ａ全体を覆うような形状である。サセプタ１５３ａの上面の誘電体部材５８０は，厚さｔ１となっており，薄すぎると加工が難しく，耐久性に劣り，厚いものはコストがかかる点を考慮して例えば０．５〜５ｍｍ程度，好ましくは１〜３ｍｍとすることができる。
【００７７】
サセプタ１５３ａの外周部分を覆う誘電体部材５８０の上面には段差ｔ２が設けられており，ウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できるように構成されている。段差ｔ２はウェハ１の厚さが約０．７ｍｍ程度であるので，例えば，０．５〜３ｍｍ程度，好ましくは１〜３ｍｍで，より好ましくはウェハの厚さと同じレベルとすることができる。
【００７８】
このような半導体ウェハ載置部５００を有するプラズマ処理装置１５０で，メモリー効果およびウエット処理に対する初期化，あるいはパーティクル発生防止のために従来ダミーウェハを用いて行っていた処理の替わりに，ウェハ１を載置せずに誘電体部材５８０のエッチングを行う。
【００７９】
エッチングの条件，および所要時間等は，第１の実施の形態と同様であるが，誘電体部材５８０は，サセプタ１５３ａを覆うように構成されているので，シャフトにより支持する必要が無い。また，パーティクル発生防止のためのプラズマ処理時には，処理ガスとしてＡｒガスを用いることが好ましい。
【００８０】
（第３の実施の形態）
図１５は，第３の実施の形態にかかる半導体ウェハ載置部６００を示す概略断面図である。図１５に示すように，半導体ウェハ載置部６００は，プラズマ処理装置１５０において半導体ウェハ載置部１００に替えて用いることができる。第１および第２の実施形態と重複する構成および機能については同じ符号を付し説明を省略する。
【００８１】
半導体ウェハ載置部６００は，サセプタ１５３ａおよび誘電体部材６８０，６８２を有している。誘電体部材６８０，６８２は，例えばＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮ，またはＳｉ_３Ｎ_４などプラズマ処理時に誘電を維持される材料からなり，サセプタ１５３ａ全体を覆うような形状である。
【００８２】
誘電体部材６８０は厚さｔ１となっており，薄すぎると加工が難しく，耐久性に劣り，厚いものはコストがかかる点を考慮して例えば０．５〜５ｍｍ程度，好ましくは１〜３ｍｍとすることができる。
【００８３】
サセプタ１５３ａの外周部分を覆う誘電体部材６８２の上面には段差ｔ３が設けられており，誘電体部材６８０およびウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できるように構成されている。段差ｔ３は，誘電体部材６８０の厚さが０．５〜３ｍｍ程度，ウェハ１の厚さが約０．７ｍｍ程度であるので，例えば，１〜４ｍｍ程度で，好ましくはウェハの表面と同じレベルになる面とするのがよい。
【００８４】
このような半導体ウェハ載置部６００を装備したプラズマ処理装置１５０で，メモリー効果およびウエット処理に対する初期化，あるいはパーティクル発生防止のために従来ダミーウェハを用いて行っていた処理の替わりに，ウェハ１を載置せずに誘電体部材６８０のエッチングを行う。
【００８５】
エッチングの条件，および所要時間等は，第１および第２の実施の形態と同様であるが，誘電体部材を２つのパーツのアセンブリとしたことで，誘電体部材５８０に比べ製造時の加工がし易く，エッチングによって消耗した場合の交換が容易となる効果がある。また，パーティクル発生防止のためのプラズマ処理時には，処理ガスとしてＡｒガスを用いることが好ましい。
【００８６】
（第４実施の形態）
図１６は，第４の実施の形態にかかる半導体ウェハ載置部７００を示す概略断面図である。図１６に示すように，半導体ウェハ載置部７００は，プラズマ処理装置１５０において半導体ウェハ載置部１００に替えて用いることができる。第１，第２および第３の実施形態と重複する構成および機能については同じ符号を付し説明を省略する。
【００８７】
半導体ウェハ載置部７００は，サセプタ１５３ａおよび誘電体部材７８０，７８２を有している。誘電体部材７８０，７８２は，例えばＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮ，またはＳｉ_３Ｎ_４などプラズマ処理時に誘電を維持される材料からなり，サセプタ１５３ａ全体を覆うような形状である。
【００８８】
誘電体部材７８０のサセプタ１５３ａの上面部分は厚さｔ１となっており，薄すぎると加工が難しく，耐久性に劣り，厚いものはコストがかかる点を考慮して例えば０．５〜５ｍｍ程度とすることができる。
【００８９】
サセプタ１５３ａの外周部分を覆う誘電体部材７８０の上面には段差ｔ２が設けられており，ウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できるように構成されている。段差ｔ２は，ウェハ１の厚さが約０．７ｍｍ程度であることから，例えば，０．５〜３ｍｍ程度，好ましくはウェハ面と同じレベルの面がよい。
【００９０】
このような半導体ウェハ載置部７００を装備したプラズマ処理装置１５０で，メモリー効果およびウエット処理に対する初期化，あるいはパーティクル発生防止のために従来ダミーウェハを用いて行っていた処理の替わりに，ウェハ１を載置せずに誘電体部材７８０のエッチングを行う。
【００９１】
エッチングの条件，および所要時間等は，先の実施の形態と同様であるが，誘電体部材を２つのパーツのアセンブリとしたことで，誘電体部材５８０に比べエッチングによって消耗した場合の交換が容易となり，また，第２および第３の実施の形態にかかる誘電体部材に比べ，少ない材料で同様の効果が得られる効果がある。パーティクル発生防止のためのプラズマ処理時には，処理ガスとしてＡｒガスを用いることが好ましい。
【００９２】
（第５の実施の形態）
図１７は，第５の実施の形態にかかる半導体ウェハ載置部８００を示す概略断面図である。図１７に示すように，半導体ウェハ載置部８００は，プラズマ処理装置１５０において半導体ウェハ載置部１００に替えて用いることができる。第１，第２，第３および第４の実施形態と重複する構成および機能については同じ符号を付し説明を省略する。
【００９３】
半導体ウェハ載置部８００は，円柱形状のサセプタ１５３ｂおよび誘電体部材８８０を有している。誘電体部材８８０は，例えばＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮ，またはＳｉ_３Ｎ_４などプラズマ処理時に誘電を維持される材料からなり，サセプ１５３ｂ全体を覆うような形状である。サセプタ１５３ｂは，誘電体部材８８０の形状に合わせ，一部の形状がサセプタ１５３，１５３ａと異なっている。
【００９４】
誘電体部材８８０のサセプタ１５３ｂの上面部分は厚さｔ１となっており，薄すぎると加工が難しく，耐久性に劣り，厚いものはコストがかかる点を考慮して例えば０．５〜５ｍｍ程度とすることができる。
【００９５】
サセプタ１５３ｂの外周部分を覆う誘電体部材８８０の上面には段差ｔ２が設けられており，ウェハ１の外周をガイドして的確な位置に載置できるように構成されている。段差ｔ２は，ウェハ１の厚さが約０．７ｍｍ程度であることから，例えば，０．５〜３ｍｍ程度，好ましくはウェハと同じレベルの面とするのがよい。
【００９６】
このような半導体ウェハ載置部８００を装備したプラズマ処理装置１５０で，メモリー効果およびウエット処理に対する初期化，あるいはパーティクル発生防止のために従来ダミーウェハを用いて行っていた処理の替わりに，ウェハ１を載置せずに誘電体部材８８０のエッチングを行う。
【００９７】
エッチングの条件，および所要時間等は，第１の実施の形態と同様であるが，誘電体部材を第１，第２，第３および第４の実施の形態にかかる誘電体部材に比べ簡略化された形状にしたことで，エッチングによって消耗した場合の交換が容易となり，少ない材料で同様の効果が得られ，半導体装置の量産を行うプラズマ処理装置に用いる場合により好ましい。また，パーティクル発生防止のためのプラズマ処理時には，処理ガスとしてＡｒガスを用いることが好ましい。
【００９８】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかるプラズマ処理装置およびその初期化方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９９】
例えば，誘電体部材の形状および材質はかかる例に限定されない。同様の効果が得られるものであれば異なる形状および材質であっても良い。また，処理条件および処理時間などは各プラズマ処理装置に特有なものであり，本発明を限定するものではない。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，装置の立ち上げ，および他のプロセスへの移行が効率的に行え，パーティクル発生を防止することの可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置およびその初期化方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す概観図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる半導体ウェハ載置部１００を示す概略断面図である。
【図３】ベルジャー１５２上部の構成を示す概略断面図である。
【図４】図３におけるＰ部分の拡大図である。
【図５】接続部２２３の平面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態にかかるガス導入リングの概略断面図である。
【図７】本発明の別の実施形態にかかるガス導入リングの概略断面図である。
【図８】ガス通路１６７ｄの構成を示す図である。
【図９】本発明の一実施の形態にかかるガスケットの断面図である。
【図１０】ＳＥＭ−ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光器付走査型電子顕微鏡）による元素組成分析図である。
【図１１】パーティクル発生の概念図である。
【図１２】メモリー効果によるエッチング量の変動を示す図である。
【図１３】メモリー効果によるエッチング量の変動を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態にかかる半導体ウェハ載置部５００を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態にかかる半導体ウェハ載置部６００を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態にかかる半導体ウェハ載置部７００を示す概略断面図である。
【図１７】本発明の第５の実施形態にかかる半導体ウェハ載置部８００を示す概略断面図である。
【図１８】従来のプラズマ処理装置における，半導体ウェハ載置部１０の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１００ 半導体ウェハ載置部
１５０ プラズマ処理装置
１５３ サセプタ
１８０ 誘電体部材

Claims (30)

1. 被処理体を搬入する処理容器と、
   前記処理容器内にプラズマを生成するためのアンテナ部材と、
   前記処理容器内に配置され、第１の誘電体からなり前記被処理体を加熱するサセプタと、
   前記サセプタの上面を覆うように前記サセプタと別体で配置され、該上面に前記被処理体を載置するための第２の誘電体で構成する誘電体部材と、
   前記処理容器内に処理ガスを導入するためのガス導入部と、
   前記処理容器内を排気する排気装置とを備え、
   前記誘電体部材の上面には前記被処理体をガイドする凹部が形成され、前記誘電体部材の外径は、前記サセプタの外径よりも大きいこと特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記凹部の表面は、前記被処理体の処理面よりも低く位置するように形成されていること特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 外縁部を有する前記誘電体部材は、相互に分離可能な載置面部および載置面周囲部から構成されていること特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
4. 前記誘電体部材は、前記サセプタの外側にはみ出す外縁部を有していること特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記サセプタの上面には、凹部が形成されており、
   前記誘電体部材の下面には、凸部が形成され、前記サセプタの上面の凹部と嵌合されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記処理容器の上方には、第３の誘電体からなるベルジャーが形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記ガス噴出孔は、前記ベルジャーの２分の１の高さの前記ベルジャーの中央の空間部に向かって処理ガスを噴出するように開口していることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第２の誘電体は、石英で構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第１の誘電体は、ＡｌＮから形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
10. 前記第３の誘電体の上部に、前記サセプタおよび前記誘電体部材に対向する対向電極が設けられる請求項６に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記アンテナは、コイルからなる請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
12. 前記コイルは、第３の誘電体の周囲に巻回されている請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記アンテナには、整合器を介して高周波電源が接続されている請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
14. 前記サセプタには電極が埋設されている請求項１〜１３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
15. 前記ガス導入部は、前記処理容器と前記ベルジャーの間に設けられ、複数のガス導入孔を形成して環状に設けられる請求項６〜１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
16. 前記第３の誘電体を覆うように設けられた金属製のカバーを有する請求項６〜１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
17. 前記サセプタは、第１の電極を配置する請求項１〜１６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
18. 前記第１の電極に高周波電源が接続されている請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
19. 前記第１の電極に対向する第２の電極を配置する請求項１７または１８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
20. 前記サセプタは、ヒータを有する請求項１〜１９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
21. 前記高周波電源は、４５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚの周波数の高周波電力を発生可能である請求項１３〜２０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
22. 誘電体壁を有する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、第１の誘電体からなるサセプタと、前記サセプタの上面を覆うように前記サセプタと別体で配置され、前記サセプタより外径が大きく、第２の誘電体からなり、前記第２の誘電体の上面に前記被処理体をガイドするための凹部が形成された誘電体部材と、前記処理容器内にプラズマを生成するためのアンテナ部材とを備え、前記アンテナ部材に高周波電力を供給して前記誘電体壁を介して前記処理容器内にてプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
    前記処理容器内に第１の処理ガスを供給し、第１のプラズマを生成して前記誘電体部材の凹部にガイドされた被処理体をエッチングし、前記処理容器内に不安定状態を形成する工程と、
    前記誘電体部材を露出させた状態を形成する工程と、
    前記処理容器内に第２の処理ガスを供給して第２のプラズマを生成して前記誘電体部材を処理する初期化工程とを備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
23. 前記初期化工程は、他のプロセスへの移行時、プラズマ処理装置の立ち上げ時、または、プラズマ処理装置内でのパーティクル発生によって前記処理容器内に不安定状態が形成された後に行われることを特徴とする請求項２２に記載のプラズマ処理方法。
24. 前記第２の処理ガスは、Ａｒガスであることを特徴とする請求項２２または請求項２３のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
25. 前記被処理体には、エッチング対象となる導電性の膜が形成されていることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
26. 前記第１の処理ガスは、Ａｒガス及びＨ_２ガスであることを特徴とする請求項２２〜２５のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
27. 前記誘電体部材は、石英又はセラミックス材であることを特徴とする請求項２２〜２６のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
28. 前記初期化工程の処理時間は、５〜３０秒であることを特徴とする請求項２２〜２７のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
29. 前記導電性の膜として、Ｐｏｌｙ−ＳｉまたはＣｏＳｉ_２が形成されていることを特徴とする請求項２５〜２８のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
30. 前記プラズマは、高周波プラズマあるいは誘導結合プラズマであることを特徴とする請求項２２〜２９のいずれかに記載のプラズマ処理方法。

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