KR20050079279A - 발광 다이오드 - Google Patents

발광 다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR20050079279A
KR20050079279A KR1020040007441A KR20040007441A KR20050079279A KR 20050079279 A KR20050079279 A KR 20050079279A KR 1020040007441 A KR1020040007441 A KR 1020040007441A KR 20040007441 A KR20040007441 A KR 20040007441A KR 20050079279 A KR20050079279 A KR 20050079279A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
light emitting
emitting diode
layer
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020040007441A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100581831B1 (ko
Inventor
신종언
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040007441A priority Critical patent/KR100581831B1/ko
Priority to EP05290226.9A priority patent/EP1562238B1/en
Priority to JP2005025536A priority patent/JP4605370B2/ja
Priority to CNA2005100016797A priority patent/CN1652363A/zh
Priority to US11/049,747 priority patent/US7317212B2/en
Publication of KR20050079279A publication Critical patent/KR20050079279A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100581831B1 publication Critical patent/KR100581831B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04C—STRUCTURAL ELEMENTS; BUILDING MATERIALS
    • E04C1/00—Building elements of block or other shape for the construction of parts of buildings
    • E04C1/40—Building elements of block or other shape for the construction of parts of buildings built-up from parts of different materials, e.g. composed of layers of different materials or stones with filling material or with insulating inserts
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B2/00—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls
    • E04B2/02—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls built-up from layers of building elements
    • E04B2/04—Walls having neither cavities between, nor in, the solid elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
    • E04B2/00—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls
    • E04B2/02—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls built-up from layers of building elements
    • E04B2002/0256—Special features of building elements
    • E04B2002/0271—Building elements with the appearance of rock layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 발광 다이오드의 N-반도체층 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들 또는 돌출부들을 N-반도체층 또는 P-반도체층에 어레이시켜 구성한다.
따라서, 본 발명은 활성층 전후의 반도체층 내부 또는 표면에 광의 전반사를 줄일 수 있는 구조물을 형성하여 발광 다이오드의 광을 효율적으로 추출하여 휘도를 증가시킬 수 있는 효과가 발생한다.

Description

발광 다이오드 {Light emitting diode}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 활성층 전후의 반도체층 내부 또는 표면에 광의 전반사를 줄일 수 있는 구조물을 형성하여 발광 다이오드의 광을 효율적으로 추출하여 휘도를 증가시킬 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다.
III/V족 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드의 제작 기술은 AlGaAs/GaAs 물질을 이용한 적색 발광 다이오드부터 AlGaInP/InP를 사용한 적색 및 녹색 발광 다이오드의 개발로 응용 범위가 확대되어 왔으며, 최근, GaN계 물질을 이용한 청색 발광 다이오드의 개발로 총 천연색의 구현이 가능하게 됨으로써, 신호등과 총 천연색 디스플레이 등 그 용도가 광범위하게 전개되고 있다.
또한, GaN계 물질은 자외선 발광 다이오드의 개발로 이어져 장래에 일반 조명용으로 사용될 수 있는 가능성을 한층 높이고 있다.
이렇게 다양한 발광 다이오드가 개발되어 널리 사용되고 있지만, 아직까지 발광 다이오드의 휘도를 향상시키는 연구는 진행되고 있다.
발광 다이오드의 휘도를 향상시키기 위해서, 발광 다이오드 성장시 구조를 개선시키고, 칩 디자인(Chip design) 및 조립을 개선시키는 방법들이 연구되어 왔다.
그러나, 발광 다이오드 구조를 변경하여 휘도를 향상시키는 방법은 양자 효율을 고려하면 한계가 있어, 최근에는 내부에서 발생된 광을 외부로 잘 추출할 수 있는 추출 효율을 높이는 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 추출 효율을 높이기 위하여, 물질과 물질 사이의 계면에서 발생되는 흡수 또는 반사에 의한 감소를 줄이기 위한 여러 가지 시도가 있는데, 예를 들어 질화물계 발광 다이오드에서 사파이어와 질화물 계면에서 발생되는 전반사를 줄이기 위하여, 사파이어 기판에 패턴을 형성하거나 요철을 주는 방법이 사용되고 있으며 또는, 사파이어 기판을 분리하여 흡수나 전반사를 제거하는 방법도 시도되고 있다.
그리고, 질화물과 공기와의 굴절률 차이에 의한 전반사 감소를 위하여 질화물 표면을 거칠게하여 추출 효율을 증가시키는 방법도 있다.
그밖에, 칩 디자인 및 조립을 개선하여 내부에서 발생된 광을 효율적으로 추출하려는 많은 방법이 시도되고 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 활성층 전후의 반도체층 내부 또는 표면에 광의 전반사를 줄일 수 있는 구조물을 형성하여 발광 다이오드의 광을 효율적으로 추출하여 휘도를 증가시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 기판 상부에 N-반도체층, 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 P-반도체층에서 N-반도체층 일부까지 제거되어, 상기 N-반도체층의 일부영역이 노출되어 있고; 상기 N-반도체층의 노출된 영역 상부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 있는 발광 다이오드에 있어서,
상기 N-반도체층과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 반도체층 내부 영역과, N-반도체층과 P-반도체층의 내부 영역 중 선택된 어느 한 영역에는 상호 이격되며, 상기 N-반도체층 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는,N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,
상기 N-반도체 기판과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 반도체층 내부 영역 또는, N-반도체 기판과 P-반도체층 양자의 내부 영역에는,
상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 또 다른 양태(樣態)는, N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,
상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 중 선택된 어느 한 영역 또는, 상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 양자의 영역에는,
상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 돌출부들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따라 발광 다이오드의 휘도를 개선하기 위한 방법을 설명하기 위한 개념도로서, 활성층(10) 상부에 형성된 P-GaN층(20) 내부에는 상기 P-GaN층(20)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 마이크로 렌즈(30)가 복수개 형성되어 있다.
상기 마이크로 렌즈(30)는 상면이 볼록하거나 또는, 상, 하면이 볼록하게 형성할 수 있다.
그러므로, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 활성층(10)에서 방출되는 광이 임계각보다 큰 각도( THETA 1~)를 가지는 경로(A)로 진행할 때, P-GaN층(20) 내부에 마이크로 렌즈(30)가 존재하지 않을 경우 전반사되어 외부로 방출되지 못하고, 'B'의 경로로 진행한다.
상기 P-GaN층(20) 내부에 마이크로 렌즈(30)가 존재하면, 광은 마이크로 렌즈(30)에서 굴절되고, 마이크로 렌즈(30)의 곡률 반경으로 임계각 보다 작은 각도 (THETA 2)로 외부로 방출되는 'C'의 경로로 진행된다.
그러므로, 본 발명의 제 1 실시예에서는 발광 다이오드의 P-GaN층(20) 내부에 복수개의 마이크로 렌즈(30)를 형성하여, 활성층(10)에서 방출되는 광의 전반사를 줄일 수 있게 되어, 광의 손실이 줄어들게 된다.
그리고, 상기 활성층에서 발생된 광이 마이크로 렌즈에 도달되면, 렌즈의 집속에 의하여 큰 손실 없이, 광이 공기 중으로 빠져 나올 수 있다.
결국, 발광 다이오드의 광 추출 효율을 높일 수 있게 된다.
도 2a와 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도로서, 먼저, 도 2a의 발광 다이오드는 사파이어 기판(100) 상부에 N-GaN층(110), 활성층(120)과 P-GaN층(130)이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 P-GaN층(130)에서 N-GaN층(110) 일부까지 제거되어, 상기 N-GaN층(110)의 일부영역이 노출되어 있고; 상기 N-GaN층(130)과 P-GaN층(130) 내부에는 상호 이격된 복수개의 마이크로 렌즈들(171,172)이 어레이되어 있으며; 상기 N-GaN층(110)의 노출된 영역 상부에 N전극패드(151)가 형성되어 있고, 상기 P-GaN층(130) 상부에 P전극패드(152)가 형성되어 이루어진다.
그리고, 도 2b의 발광 다이오드는 N-AlGaAs 기판(200) 상부에 활성층(210)과 P-AlGaAs층(220)이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 활성층(210) 주변의 N-AlGaAs 기판(200)과 P-AlGaAs층(210) 내부에는 상호 이격된 복수개의 마이크로 렌즈들(271,272)이 어레이되어 있으며; 상기 N-AlGaAs 기판(200)의 하부에 N전극패드(231)가 형성되어 있고, 상기 P-AlGaAs층(220) 상부에 P전극패드(232)가 형성되어 이루어진다.
상기 도 2a와 2b는 마이크로 렌즈들을 활성층 전후의 N-타입 또는 P-타입 물질에만 독립적으로 적용할 수도 있으며, 동시에 적용할 수도 있다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈들은 활성층과 평행하게 어레이되는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 발광 다이오드의 휘도를 개선하기 위한 방법을 설명하기 위한 개념도로서, 활성층(10) 상부에 형성된 P-GaN층(20) 상부면에 상기 P-GaN층(20)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지고, 상호 이격된 복수개의 돌출부들(50)이 형성되어 있다.
상기 활성층(10)에서 방출되는 광이 임계각보다 큰 각도( THETA 3)를 가지는 경로(D)로 진행할 때, P-GaN층(20) 내부에 돌출부(50)가 존재하지 않을 경우 전반사되어 외부로 방출되지 못하고, 'E'의 경로로 진행한다.
그리고, P-GaN층(20) 내부에 돌출부(50)가 존재하면, 광은 돌출부(50)에서 굴절되고, 임계각보다 작은 각도( THETA 4)로 외부로 방출되는 'F'의 경로로 진행된다.
이 때, 광이 돌출부(50)를 통하여 외부로 방출될 때, 임계각보다 작은 각도로 진행되는 것은, 상기 돌출부(50)의 굴절률이 P-GaN층(20)보다 작기 때문이다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 발광 다이오드의 P-GaN층(20) 상부면에 복수개의 돌출부(50)를 형성하여, 활성층(10)에서 방출되는 광의 전반사를 줄일 수 있게 되어, 광의 손실이 줄어들게 된다.
도 4a와 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도로서, 도 4a의 발광 다이오드는 도 2a의 발광 다이오드 구조에서, P-GaN층(130) 내부에 마이크로 렌즈를 형성하지 않고, P-GaN층(130) 상부면에 P-GaN층(130)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 복수개의 돌출부들(301)을 형성하는 것이다.
그리고, 도 4b의 발광 다이오드는 도 2b의 발광 다이오드 구조에서, P-GaN층(130) 내부에 마이크로 렌즈를 형성하지 않고, P-GaN층(130) 상부면과 N-AlGaAs 기판(200) 하부면에 P-GaN층(130)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 복수개의 돌출부들(302)을 형성하는 것이다.
이 때, 도 4a와 4b의 발광 다이오드에서 P-GaN(130) 상부면에는 전류확산용 투명전극을 더 형성할 수 있고, 그 전류확산용 투명전극 상부에 돌출부들을 형성할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 돌출부들의 형상을 도시한 사시도로서, 돌출부들은 열과 행으로 배열된 마이크로 렌즈들(도 5a의 311), 원기둥들(도 5b의 312)과 사각기둥들(도 5c의 313) 중 선택된 어느 하나 또는, 스트라이프(Strife) 형태로 배열된 직사각 기둥들(도 5d의 314)과 반원 기둥들(도 5e의 315) 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다.
여기서, 마이크로 렌즈의 직경(d1), 원기둥의 직경(d2), 사각기둥의 폭(W1), 반원기둥의 선폭(W2)과 직각기둥의 선폭(W3)은 1㎚ ~ 100㎛의 범위내에 존재하는 것이 바람직하다.
전술된 바와 같이, 본 발명은 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드를 제조할 때, 휘도를 개선시킬 목적으로 성장층 내부 또는 표면에 성장층과 굴절률이 다른 물질을 도입하여 내부에서 발생된 광의 추출 효율을 극대화시킬 수 있는 것이다.
그리고, 마이크로 렌즈들과 돌출부들은 ITO, ZnO, IrO 등의 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide, TCO)과 SiO2, Si3N4 등의 유전체 물질 그리고 Al, Ni, Au, Co, Cr 등의 금속으로 형성할 수 있으며, 그 형태가 마이크로 렌즈(Micro-lens) 모양일 때 그 효과는 극대화될 수 있다.
이 때, 상기 마이크로 렌즈들과 돌출부들은 일정한 간격 또는 랜덤(Random)하게 형성한다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 활성층 전후의 반도체층 내부 또는 표면에 광의 전반사를 줄일 수 있는 구조물을 형성하여 발광 다이오드의 광을 효율적으로 추출하여 휘도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따라 발광 다이오드의 휘도를 개선하기 위한 방법을 설명하기 위한 개념도
도 2a와 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 발광 다이오드의 휘도를 개선하기 위한 방법을 설명하기 위한 개념도
도 4a와 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략적인 단면도
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 돌출부들의 형상을 도시한 사시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10,120,210 : 활성층 20,130 : P-GaN층
30,171,172,311 : 마이크로 렌즈 50,301,302 : 돌출부
100 : 사파이어 기판 110 : N-GaN층
151,231 : N-전극패드 152,232 : P-전극패드
200 : N-AlGaAs 기판 220 : P-AlGaAs층
312 : 원기둥 313 : 사각기둥
314 : 직사각 기둥 315 : 반원기둥

Claims (7)

  1. 기판 상부에 N-반도체층, 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 P-반도체층에서 N-반도체층 일부까지 제거되어, 상기 N-반도체층의 일부영역이 노출되어 있고; 상기 N-반도체층의 노출된 영역 상부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 있는 발광 다이오드에 있어서,
    상기 N-반도체층과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 반도체층 내부 영역과, N-반도체층과 P-반도체층의 내부 영역 중 선택된 어느 한 영역에는 상호 이격되며, 상기 N-반도체층 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,
    상기 N-반도체 기판과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 반도체층 내부 영역 또는, N-반도체 기판과 P-반도체층 양자의 내부 영역에는,
    상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈들은,
    ITO, ZnO, IrO, SiO2, Si3N4, Al, Ni, Au, Co와 Cr 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,
    상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 중 선택된 어느 한 영역 또는, 상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 양자의 영역에는,
    상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 돌출부들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 돌출부들은,
    열과 행으로 배열된 마이크로 렌즈들, 원기둥들과 사각기둥들 중 선택된 어느 하나 또는, 스트라이프 형태로 배열된 직사각 기둥들과 반원 기둥들 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 돌출부들은,
    ITO, ZnO, IrO, SiO2, Si3N4, Al, Ni, Au, Co와 Cr 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈의 직경(d1), 원기둥의 직경(d2), 사각기둥의 폭(W1), 반원기둥의 선폭(W2)과 직각기둥의 선폭(W3)은 1㎚ ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
KR1020040007441A 2004-02-05 2004-02-05 발광 다이오드 KR100581831B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040007441A KR100581831B1 (ko) 2004-02-05 2004-02-05 발광 다이오드
EP05290226.9A EP1562238B1 (en) 2004-02-05 2005-02-01 Light emitting diode
JP2005025536A JP4605370B2 (ja) 2004-02-05 2005-02-01 発光ダイオード
CNA2005100016797A CN1652363A (zh) 2004-02-05 2005-02-03 发光二极管
US11/049,747 US7317212B2 (en) 2004-02-05 2005-02-04 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040007441A KR100581831B1 (ko) 2004-02-05 2004-02-05 발광 다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050079279A true KR20050079279A (ko) 2005-08-10
KR100581831B1 KR100581831B1 (ko) 2006-05-23

Family

ID=34676003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040007441A KR100581831B1 (ko) 2004-02-05 2004-02-05 발광 다이오드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7317212B2 (ko)
EP (1) EP1562238B1 (ko)
JP (1) JP4605370B2 (ko)
KR (1) KR100581831B1 (ko)
CN (1) CN1652363A (ko)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687527B1 (ko) * 2006-11-03 2007-02-27 한양대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 형성 방법
KR100691123B1 (ko) * 2005-09-27 2007-03-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 다이오드의 제조방법
KR100801617B1 (ko) * 2006-02-24 2008-02-11 서울옵토디바이스주식회사 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법
KR100838195B1 (ko) * 2006-03-06 2008-06-13 서울옵토디바이스주식회사 질화물 반도체 발광 다이오드를 제조하는 방법 및 그것에의해 제조된 발광 다이오드
KR100862505B1 (ko) * 2006-02-01 2008-10-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
KR100886359B1 (ko) * 2007-03-19 2009-03-03 전남대학교산학협력단 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
KR100887067B1 (ko) * 2006-02-14 2009-03-04 삼성전기주식회사 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR100898976B1 (ko) * 2006-06-28 2009-05-25 서울반도체 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
US7888694B2 (en) 2006-02-10 2011-02-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting device with light extraction layer formed within
US7935554B2 (en) 2004-12-08 2011-05-03 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101039934B1 (ko) * 2008-11-20 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8026118B2 (en) 2005-12-14 2011-09-27 Showa Denko K.K. Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
WO2011162479A2 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
US8114691B2 (en) 2004-12-08 2012-02-14 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having textured structure and method of manufacturing the same
KR101125449B1 (ko) * 2010-04-06 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101154510B1 (ko) * 2010-06-24 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광 다이오드
KR101298927B1 (ko) * 2011-12-26 2013-08-22 전자부품연구원 질화물계 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
US8907360B2 (en) 2009-11-13 2014-12-09 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US8963183B2 (en) 2010-07-28 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having distributed Bragg reflector

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200701507A (en) * 2005-06-24 2007-01-01 Epitech Technology Corp Light-emitting diode
WO2007097242A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光素子
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
JP4854566B2 (ja) * 2006-06-15 2012-01-18 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子
US20070295951A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Jen-Inn Chyi Light-emitting diode incorporating an array of light extracting spots
TWI343663B (en) * 2007-05-15 2011-06-11 Epistar Corp Light emitting diode device and manufacturing method therof
KR101393785B1 (ko) * 2007-05-21 2014-05-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR101361029B1 (ko) * 2007-10-19 2014-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
TW200929601A (en) * 2007-12-26 2009-07-01 Epistar Corp Semiconductor device
US20100200880A1 (en) * 2008-06-06 2010-08-12 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor wafers and semiconductor devices and methods of making semiconductor wafers and devices
US8513685B2 (en) * 2008-11-13 2013-08-20 3M Innovative Properties Company Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements
CN101504964A (zh) * 2008-12-16 2009-08-12 杭州士兰明芯科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法
TWM386591U (en) * 2009-07-30 2010-08-11 Sino American Silicon Prod Inc Nano patterned substrate and epitaxial structure
KR101125395B1 (ko) * 2009-10-28 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101081278B1 (ko) 2009-10-28 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101034053B1 (ko) * 2010-05-25 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2012015154A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Ngk Insulators Ltd 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
KR101798231B1 (ko) * 2010-07-05 2017-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2012026695A2 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with improved luminous efficiency
KR20120034910A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101904324B1 (ko) * 2011-09-15 2018-10-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101394565B1 (ko) * 2012-08-21 2014-05-14 한국산업기술대학교산학협력단 광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법
KR20150039926A (ko) * 2013-10-04 2015-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN104701350B (zh) * 2015-03-03 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法
US20200411724A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Lumileds Llc Nanocone arrays for enhancing light outcoupling and package efficiency

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3981023A (en) * 1974-09-16 1976-09-14 Northern Electric Company Limited Integral lens light emitting diode
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3448441B2 (ja) * 1996-11-29 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光装置
JP3706452B2 (ja) * 1996-12-24 2005-10-12 ローム株式会社 半導体発光素子
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
WO2000065667A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 Nova Crystals, Inc. Led having embedded light reflectors to enhance led output efficiency
KR100700993B1 (ko) 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP3662806B2 (ja) * 2000-03-29 2005-06-22 日本電気株式会社 窒化物系半導体層の製造方法
TW579608B (en) * 2000-11-24 2004-03-11 High Link Technology Corp Method and structure of forming electrode for light emitting device
CN1284250C (zh) * 2001-03-21 2006-11-08 三菱电线工业株式会社 半导体发光元件
JP4704628B2 (ja) * 2001-08-31 2011-06-15 アーベル・システムズ株式会社 発光ダイオード
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8114691B2 (en) 2004-12-08 2012-02-14 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having textured structure and method of manufacturing the same
US7935554B2 (en) 2004-12-08 2011-05-03 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100691123B1 (ko) * 2005-09-27 2007-03-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 다이오드의 제조방법
US8026118B2 (en) 2005-12-14 2011-09-27 Showa Denko K.K. Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
US7989239B2 (en) 2006-02-01 2011-08-02 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode and method of manufacturing the same
KR100862505B1 (ko) * 2006-02-01 2008-10-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
US8183068B2 (en) 2006-02-10 2012-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US7888694B2 (en) 2006-02-10 2011-02-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting device with light extraction layer formed within
KR100887067B1 (ko) * 2006-02-14 2009-03-04 삼성전기주식회사 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR100801617B1 (ko) * 2006-02-24 2008-02-11 서울옵토디바이스주식회사 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법
KR100838195B1 (ko) * 2006-03-06 2008-06-13 서울옵토디바이스주식회사 질화물 반도체 발광 다이오드를 제조하는 방법 및 그것에의해 제조된 발광 다이오드
KR100898976B1 (ko) * 2006-06-28 2009-05-25 서울반도체 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
KR100687527B1 (ko) * 2006-11-03 2007-02-27 한양대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 형성 방법
KR100886359B1 (ko) * 2007-03-19 2009-03-03 전남대학교산학협력단 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
KR101039934B1 (ko) * 2008-11-20 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9324919B2 (en) 2009-11-13 2016-04-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same
US10128306B2 (en) 2009-11-13 2018-11-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US10141480B2 (en) 2009-11-13 2018-11-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same
US8907360B2 (en) 2009-11-13 2014-12-09 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US9343631B2 (en) 2009-11-13 2016-05-17 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US9577157B2 (en) 2009-11-13 2017-02-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same
KR101125449B1 (ko) * 2010-04-06 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2011162479A3 (en) * 2010-06-24 2012-02-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
KR101154510B1 (ko) * 2010-06-24 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광 다이오드
US9142715B2 (en) 2010-06-24 2015-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
WO2011162479A2 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
US8963183B2 (en) 2010-07-28 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having distributed Bragg reflector
KR101298927B1 (ko) * 2011-12-26 2013-08-22 전자부품연구원 질화물계 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4605370B2 (ja) 2011-01-05
US20050173718A1 (en) 2005-08-11
EP1562238A2 (en) 2005-08-10
EP1562238A3 (en) 2011-10-05
JP2005223329A (ja) 2005-08-18
KR100581831B1 (ko) 2006-05-23
US7317212B2 (en) 2008-01-08
CN1652363A (zh) 2005-08-10
EP1562238B1 (en) 2017-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100581831B1 (ko) 발광 다이오드
US10403608B2 (en) Light-emitting diode (LED) device for realizing multi-colors
US7915606B2 (en) Semiconductor light emitting device
US7872266B2 (en) Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same
EP2254167B1 (en) Light emitting device
US8618565B2 (en) High efficiency light emitting diode
US8847256B2 (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting system
US20140299905A1 (en) Light emitting diode with improved luminous efficiency
KR20100095134A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
EP2232594B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR20070093653A (ko) 발광 다이오드의 제조방법
JP2011091402A (ja) 発光素子、発光素子の製造方法
CN103811614B (zh) 具有异质材料结构的发光元件及其制造方法
US9368684B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
US20120168797A1 (en) Light emitting diode chip and method for manufacturing the same
KR101781305B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US20090140281A1 (en) Semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same
KR100723230B1 (ko) 질화물 반도체 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
KR20100054594A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101582329B1 (ko) 발광 다이오드 소자, 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
KR102249648B1 (ko) 적색 발광소자 및 조명시스템
JP2002124699A (ja) 発光素子およびその製造方法
JP2006332560A (ja) 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130424

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140424

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150424

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160422

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170424

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180424

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190424

Year of fee payment: 14