JP2005223329A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】活性層10の上部のP-GaN層20には、P-GaN層20の屈折率より小さい屈折率を有する物質よりなるマイクロレンズ30が複数個、形成されている。マイクロレンズ30は、上面が凸状、あるいは上下に凸状であるように形成する。 活性層10から放出される光が臨界角より大きい角度(θ1)を有する経路(A)に進む時、P-GaN層20の内部にマイクロレンズ30が存在しない場合、全反射されて外部に放出できず、‘B'の経路に進む。P-GaN層20の内部にマイクロレンズ30が存在すれば、光はマイクロレンズ30で屈折され、マイクロレンズ30の曲率半径による臨界角より小さい角度(θ2)で外部に放出される‘C'の経路に進行する。活性層10から放出される光の全反射を減らすことができ、発光ダイオードの光抽出効率をアップすることができる。
【選択図】図1
Description
このように多様な発光ダイオードが開発され多用されているが、未だに発光ダイオードの輝度を向上させる研究は続けられている。
発光ダイオードの輝度を向上させるため、発光ダイオードの成長時構造を改善し、チップデザイン(Chip design)及び組立を改善する方法が研究されてきた。
しかし、発光ダイオードの構造を変更して輝度を向上させる方法は、量子効率を考慮すれば限界がある。そこで最近は、内部から発生された光を外部によく抽出できる抽出効率を高める研究が、活発になされてつつある。
その他、チップデザイン及び組立を改善して、内部から発生された光を効率的に抽出しようとする多くの方法が図られている。
前記N型半導体層とP型半導体層のうちいずれか一つの半導体層の内部領域と、N型半導体層とP型半導体層の双方の内部領域のうち、いずれか一つの領域には、相互に離隔され、前記N型半導体層またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個のマイクロレンズが配列されていることを特徴とする発光ダイオードが提供される。
前記N型半導体基板とP型半導体層のうちいずれか一つの半導体層の内部領域、またはN型半導体板とP型半導体層の両者の内部領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体基板またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個のマイクロレンズが配列されていることを特徴とする発光ダイオードが提供される。
前記N型半導体基板の下面とP型半導体層の上面のうちいずれか一つの領域、または前記N型半導体基板の下面とP型半導体層の上面の双方の領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体基板またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個の凸部が配列されていることを特徴とする発光ダイオードが提供される。
前記P型半導体層の上面または前記基板とN型半導体層の界面のうち、いずれか一つの領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体層またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個の凸部が配列されていることを特徴とする発光ダイオードが提供される。
図1は本発明の第1の実施形態によって、発光ダイオードの輝度を改善するための方法を説明するための概念図である。活性層10の上部に形成されたP-GaN層20の内部には、前記P-GaN層20の屈折率より小さい屈折率を有する物質よりなるマイクロレンズ30が複数個、形成されている。
前記マイクロレンズ30は、上面が凸状、あるいは上下に凸状であるように形成することができる。
前記P-GaN層20の内部にマイクロレンズ30が存在すれば、光はマイクロレンズ30で屈折され、マイクロレンズ30の曲率半径による臨界角より小さい角度(θ2)で外部に放出される‘C'の経路に進行する。
そして、前記活性層から発生された光がマイクロレンズに到達すれば、レンズの集束によって大した損失なしに光が空気中に抜け出られる。
つまり、発光ダイオードの光抽出効率をアップすることができるようになる。
ここで、光を透過できる物質は、ITO、ZnO、IrO、CuO、NiO、InO、Al2O3、TiO、SnO、SrTiO3、SiO2、Si3N4、Al、Ni、Au、
Co及びCrのうち、いずれか一つの物質である。
ここで、前記マイクロレンズは活性層に平行に配列されることが望ましい。
前記活性層10から放出される光が臨界角より大きい角度(θ3)を有する経路(D)に進行する際、P-GaN層20の内部に凸部50が存在しない場合、全反射され、外部に放出できず、‘E'の経路に進行する。
この際、光が凸部50を介して外部に放出される時、臨界角より小さい角度に進む理由は、前記凸部50の屈折率がP-GaN層20より小さいからである。
したがって、本発明の第2実施形態では、発光ダイオードのP-GaN層20の上部面に複数個の凸部50を形成して、活性層10から放出される光の全反射を減らすことができ、それによって光の損失を減少させる。
そして、前記N電極パッド151は、前記複数個の凸部301の一部を覆って、前記N型半導体層110の露出された領域の上部に形成されている。
この際、前記マイクロレンズと凸部は、一定した間隔またはランダム(Random)に形成する。
20、130 : P-GaN層
30、171、172、311 : マイクロレンズ
50、301、302 : 凸部
100 : サファイア基板
110 :N-GaN層
151、231 : N電極パッド
152、232 : P電極パッド
200 : N-AlGaAs基板
220 : P-AlGaAs層
312 : 円筒
313 : 四角筒
314 : 長方形筒
315 :半円筒
Claims (11)
- 基板の上部にN型半導体層、活性層及びP型半導体層が順次に形成され、前記P型半導体層からN型半導体層の一部まで部分的にエッチングされることによって、前記N型半導体層の露出された領域の上部にN型電極パッドが形成され、前記P型半導体層の上部にP電極パッドが形成されている発光ダイオードにおいて、
前記N型半導体層とP型半導体層のいずれか一つの半導体層の内部領域とN型半導体層と、P型半導体層の双方の内部領域のうち、いずれか一つの領域には、相互に離隔され、前記N半導体層またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個のマイクロレンズが配列されていることを特徴とする発光ダイオード。 - N型半導体基板の上部に、活性層及びP型半導体層が順次に形成され、前記N型半導体基板の下部にN電極パッドが形成されており、前記P型半導体層の上部にP電極パッドが形成された発光ダイオードにおいて、
前記N型半導体基板とP型半導体層のうち、いずれか一つの半導体層の内部領域、またはN型半導体基板とP型半導体層の両者の内部領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体基板またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個のマイクロレンズが配列されていることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記マイクロレンズは、
ITO、ZnO、IrO、CuO、NiO、InO、Al2O3、TiO、SnO、SrTiO3、SiO2、Si3N4、Al、Ni、Au、Co及びCrのうち、いずれか一つで形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード。 - N型半導体基板の上部に活性層とP型半導体層が順次に形成されており、前記N型半導体基板の下部にN電極パッドが形成されており、前記P型半導体層の上部にP電極パッドが形成されてなる発光ダイオードにおいて、
前記N型半導体基板の下部面とP型半導体層の上部面のうち、いずれか一つの領域、または前記N型半導体基板の下部面とP型半導体層の上部面の両者の領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体基板またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個の凸部が配列されていることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記凸部は、
列と行に配列されたマイクロレンズ、円筒及び四角筒のうち、いずれか一つまたはストライプ状に配列された長方形筒と半円筒のうち、いずれか一つで形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード。 - 前記凸部は、
ITO、ZnO、IrO、CuO、NiO、InO、Al2O3、TiO、SnO、SrTiO3、SiO2、Si3N4、Al、Ni、Au、CoとCrのうち、いずれか一つで形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の発光ダイオード。 - 前記マイクロレンズの直径(d1)、円筒の直径(d2)、四角筒の幅(W1)、半円筒の線幅(W2)及び直角筒の線幅(W3)は、それぞれ1nm〜100μmであることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 基板の上部にN型半導体層、活性層及びP型半導体層が順次に形成され、前記P型半導体層からN型半導体層の一部まで部分的にエッチングされることによって、前記N型半導体層の露出された領域の上部にN型電極パッドが形成され、前記P型半導体層の上部にP電極パッドが形成されている発光ダイオードにおいて、
前記P型半導体層の上部面、または前記基板とN型半導体層の界面のうち、いずれか一つの領域には、
相互に離隔され、前記N型半導体層またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個の凸部が配列されていることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記N型半導体層の露出された領域の上部にも相互に離隔され、前記N型半導体基板またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個の凸部がさらに配列されており、
前記N電極パッドは、前記複数個の凸部の一部を覆って、前記N型半導体層の露出された領域上部に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオード。 - 前記凸部は、
列と行に配列されたマイクロレンズ、円筒及び四角筒のうち、いずれか一つ、またはストライプ状に配列された長方形筒と半円筒のうち、いずれか一つで形成されていることを特徴とする請求項8または9に記載の発光ダイオード。 - 前記凸部は、
一定の間隔またはランダム(Random)に形成されていることを特徴とする請求項8または9に記載の発光ダイオード。
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