KR20050058849A - 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 실리콘 기판에 로직 영역, 고전압 영역 및 셀 영역을 분리하는 단계와;상기 실리콘 기판 전면에 터널 산화막과, 플로팅 게이트 폴리 및 IPD를 증착한 후 패터닝 공정으로 셀 플로팅 게이트를 형성하는 단계와;IPD를 증착하고 패터닝없이 식각하여 상기 셀 플로팅 게이트 측벽에 스페이서를 형성한 후 산화 공정을 진행하여 제 1 산화막을 형성하는 단계와;상기 제 1 산화막 상에 실리콘막을 형성하고, 고전압 및 셀 영역을 포토레지스트 패턴으로 블로킹 하는 단계와;상기 로직 영역의 실리콘막 및 제 1 산화막을 제거하는 단계와;상기 고전압 영역 및 셀 영역을 블로킹시킨 포토레지스트 패턴을 제거한 후에 세정 공정을 진행하는 단계와;상기 세정 공정을 진행한 결과물 전면에 산화 공정을 진행하여 로직 영역에 제 2 산화막을 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 IPD는 ONO 구조 또는 ALD 방식의 Al2O3막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 산화막은 100~250Å인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘막은 언도프트 비정질 실리콘을 30~100Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘막과 제 1 산화막 제거 공정은 실리콘막은 건식 식각으로, 상기 제 1 산화막은 HF가 포함된 습식 용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘막과 제 1 산화막 제거 공정은 CF3와 O2가 포함된 가스를 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘막과 제 1 산화막 제거 공정은 HF가 포함된 습식 식각 용액으로 식각하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 산화막은 20~70Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
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