KR20050043787A - 1급 아민 및 니트릴로부터의 3급 아민의 제조 방법 - Google Patents

1급 아민 및 니트릴로부터의 3급 아민의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본원에는 수소 기체 및 금속 촉매, 또는 금속-함유 촉매 조성물의 존재 하에 약 50 내지 약 200 ℃의 온도 및 약 100 내지 1500 psig의 압력에서 1급 아민과 니트릴로부터 3급 아민 화합물을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 상기 방법에 사용되는 1급 아민과 니트릴은 디아민 및(또는) 디니트릴이거나 1급 아민 및(또는) 니트릴을 함께 사용할 수도 있다. 또한, 상기 기재된 방법에 의해 제조된 신규 3급 아민 화합물이 개시되어 있다.

Description

1급 아민 및 니트릴로부터의 3급 아민의 제조 방법 {Process for the Preparation of Tertiary Amines from Primary Amines and Nitriles}
본 발명은 환원 조건 하에서 1급 아민 및 니트릴 잔기로부터 3급 아민을 제조하는 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 생성물에 관한 것이다.
통상적인 화학물질 또는 신규 화학물질을 효율적으로 제조하기 위한 신규 기술이 화학 산업이 유래된 이후 지속적으로 개발되어 왔다. 특히, 임의의 3급 아민 합성 기술의 향상은 다양한 적용을 가능하게 하므로 매우 가치있는 일이 될 것이다. 3급 아민의 적용 분야는 생체활성물, 완충액, 계면 활성제용 전구체, 부식 억제제 및 폴리우레탄 촉매로서의 용도를 포함한다. 추가의 관능기, 예를 들어 니트릴, 알콜, 에테르, 아미드, 추가 3급 아민 중심, 아릴 및 플루오르화된 알킬 기를 혼입하는 능력 또한 바람직할 것이다. 추가의 관능기는 중합체 주쇄에 고도로 관능화된 기질의 혼입을 가능하게 하여, 중합체에 특유의 성질을 제공할 것이다.
니트릴과 아민이 환원 조건 하에 반응하여 알킬화된 아민 생성물을 형성한다는 것이 공지되어 있다. 예를 들어, 과량의 디메틸아민은 촉매 환원 조건 하에서 아디포니트릴과 반응하는 경우에 각각의 니트릴 상에서 단일 환원성 아민화 반응을 수행하여 N,N,N',N'-테트라메틸헥사메틸렌디아민을 생성한다 (U.S. 5,463,130, U.S. 5,557,011 및 U.S. 5,894,074). 2급 아민과 니트릴을 반응시켜 3급 아민을 형성하는 방법 이외에도, U.S. 3,673,251은 1급 아민과 니트릴을 반응시켜 2급 아민을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 예를 들어, 1,1'-디-(N-메틸아미노메틸)비페닐-3,3'은 메틸아민과 1,1'-디시아노비페닐-3,3'을 반응시켜 수득할 수 있다. 그러나, 1급 아민과 니트릴로부터 직접 3급 아민을 제조하는 방법은 개시되어 있지 않다.
또한, 천연 생성물, 항종양 활성을 나타내는 기질, 및 중합체 착색-부위 첨가제에 유용한 전구체인 비스(시아노알킬)아미노알칸을 효율적으로 제공하는 방법이 요구되고 있다. 현재까지, 이러한 목적을 위한 화합물들은 고가의 할로-알킬니트릴을 중간체로 사용해야 하는 다단계 방법에 의해 합성되어 왔다. 예를 들어, 러시아 연구원 (Vasil'eva, E.I.)의 논문 [Freidlina, R.Kh. Izvestiya Akademii Nauk SSR, Seriya Khimicheskaya, No. 2, pp. 237-240, February, 1966]에서는 메틸아민을 2당량의 클로로발레로니트릴과 반응시키는 비스(5-시아노부틸)아미노메탄의 합성법을 개시하고 있다.
1급 아민과 니트릴로부터 직접 3급 아민을 제조하는 방법이 개시되어 있지 않기 때문에, 유사한 적용 분야에 유용한 3급 아민의 경우 상업적으로 실용적인 경로가 존재하지 않기 때문에 이 화합물의 입수가능성은 매우 낮다. 상기 타입 화합물의 입수가능성을 높이기 위해 공지된 3급 아민, 및 1급 아민과 니트릴로부터 제조된 신규 3급 아민에 대한 신규 경로가 요구되고 있다.
<발명의 요약>
하기 화학식 III의 1급 아민과 1종 이상의 하기 화학식 II의 니트릴을 수소 기체 및 촉매의 존재 하에 약 50 내지 약 200 ℃의 온도 및 약 100 내지 1500 psig의 압력에서 접촉시키는 것을 포함하는, 1종 이상의 하기 화학식 I의 3급 아민을 제조하는 방법이 본원에 개시되어 있다.
상기 식에서,
R 및 R'는 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴 잔기로 구성된 군으로부터 선택되고,
A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택된다.
A-R-CN
상기 식에서,
R은 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴 잔기로 구성된 군으로부터 선택된다.
H2N-R'-A'
상기 식에서,
R'는 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴 잔기로 구성된 군으로부터 선택된다.
또한, 상기 기재된 방법에 의해 제조된 3급 아민 화합물이 기재되어 있다.
본 발명의 추가 개시문은 하기 화학식 V, VI 또는 VII의 신규 3급 아민 화합물을 추가로 개시하고 있다.
본 발명은 환원 조건 하에 1급 아민과 니트릴 잔기로부터 3급 아민을 제조하는 방법을 개시하고 있다. 상기 방법은 1종 이상의 니트릴 화합물을 1종 이상의 1급 아민 화합물과 접촉시켜 수행된다. 니트릴은 과량 몰농도의 1급 아민 중에 사용되는 것이 바람직하다. 이 방법은 일반적으로 반응식 A에 의해 설명될 수 있다.
상기 식에서,
R 및 R'는 독립적으로 C1-C12 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 또는 헤테로시클릭이고,
A는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되고,
A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택된다.
상기 방법에 의해 제조될 수 있는 여러 타입의 화합물 중 일부는 간단한 트리알킬 아민을 포함하며, 여기서 질소 중심 주변의 알킬 쇄 종류를 변화시켜, 가장 간단한 경우에 아세토니트릴과 메틸아민으로부터 디메틸아민을 제조할 수 있다. 디아민 (예를 들어, 1,3-디아미노프로판)은 또한 동일한 방식으로 아세토니트릴과 반응하여 N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-프로판디아민을 형성할 수 있다. 내부 3급 아민을 갖는 디올은 시아노-알칸올을 본원에 기재된 조건 하에 1급 아민과 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 본 발명에 의해 효율적으로 형성되는 화합물의 또다른 군은 디니트릴과 1급 아민의 반응에 의해 형성되는 비스(시아노알킬)아미노알칸이다. 1급 아민 상의 관능기를 변화시킨 후에 생성된 니트릴을 수소화시키면, 3급 아민 1개와 1급 아민 2개를 갖는 독특한 단량체를 생성할 수 있다. 이어서, 이들 독특한 단량체는 중합체 내로 혼입되어 중합체에게 특유의 물리적 성질을 제공할 수 있다.
본 발명의 방법에 사용할 수 있는 적합한 니트릴 출발물질 중 일부를 하기 화학식 II에 나타내었다.
<화학식 II>
A-R-CN
이 화합물들은 일관능성, 이관능성 또는 다관능성 화합물 일 수 있다. 즉, 이들은 1개 이상의 니트릴 기를 함유할 수 있으며, 1종 이상의 다른 관능기를 가질 수도 있다. R기는 C1-C12 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 또는 헤테로시클릭 잔기이다. A기는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 또는 실릴 잔기이다.
본 발명에 적합한 아민 출발물질은 하기 화학식 III의 모노-1급 아민 또는 디-1급 아민일 수 있다.
<화학식 III>
A'-R'-NH2
상기 식에서, R'는 C1-C12 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 또는 헤테로시클릭 잔기이고, A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 또는 실릴 잔기이다.
본 발명은 1:1 몰비의 니트릴과 아민을 사용하여 수행될 수 있다. 과량의 니트릴 대 아민 (약 2:1 내지 약 5:1)이 바람직하다. 니트릴 대 아민의 비율이 약 2:1 내지 약 4:1인 것이 가장 바람직하다.
본 발명에 사용될 수 있는 1급 아민은 디아민 (두 개의 아민 기를 가짐; 예를 들어 1,2-디아미노시클로헥산)일 수 있다. 유사하게, 본 발명의 니트릴은 디니트릴 (두 개의 니트릴 기를 가짐; 예를 들어 아디포니트릴)일 수 있다. 또한, 아민 출발물질과 니트릴 출발물질의 조합이 달라질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 방법에서 모노아민 또는 디아민은 모노니트릴 또는 디니트릴과 함께 사용될 수 있다. 부가적으로, 1종 이상의 아민을 니트릴의 조합과 함께 사용할 수도, 또는 1종 이상의 니트릴을 아민의 조합과 함께 사용할 수도 있다. 니트릴 조합의 사용은 하기 표 1에 예시되어 있으며, 단 이것이 본원에 기재된 본 발명의 범위를 제한하지는 않는다.
본 발명에 적합한 촉매는 팔라듐, 로듐, 백금 및 이리듐으로 구성된 군으로부터 선택된 금속 원소를 포함한다. 촉매는 팔라듐을 포함하는 것이 바람직하다. 팔라듐을 포함하는 촉매의 예로는 팔라듐 블랙 (palladium black) 또는 지지체 상의 팔라듐이 포함되나 이에 한정되지는 않으며, 여기서 지지체 상의 팔라듐 함량은 약 0.1 내지 10 중량％ 적재율이다. 촉매는 또한 혼합 금속 조성물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 촉매는 약 0.1 내지 10％의 1종 이상의 추가 금속과 함께 팔라듐을 포함할 수 있다. 팔라듐과 함께 사용되는 혼합 금속 조성물의 원소는 로듐, 백금, 이리듐 및 루테늄으로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
단일 환원성 아민화 반응을 촉진하는 것으로 알려진 다른 촉매 시스템 (예를 들어, 산화 구리-산화 지르코늄)도 또한 사용할 수 있다.
지지체 물질을 본 발명의 촉매와 함께 사용할 수 있다. 적합한 지지체로는 활성탄, 탄화 규소 및 산화성 지지체 (예를 들어, 알루미나, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 마그네시아, 산화 구리)가 있으나, 이들로 한정되지는 않는다.
촉매는 압출물, 거대 과립, 펠렛 (pellet), 구체, 슬러리 또는 건조 분말을 포함하나 이에 한정되지 않는 임의의 바람직한 형태로 사용될 수 있다.
본 발명의 방법은 약 100 내지 약 1500 psig 범위의 수소 압력 하에 수행된다. 수소 압력은 약 500 내지 1000 psig 범위가 가장 바람직하다. 온도는 약 50 내지 약 200 ℃ 범위로 유지되어야만 하며, 약 80 내지 약 130 ℃ 범위가 바람직하다.
상기 방법을 수용하는데 용매가 반드시 필요하지는 않다. 그러나, 물, 메탄올, 에탄올, 3급-부틸 에테르, 테트라히드로푸란 및 N-메틸피롤리디논과 같은 용매, 및 아민 및 니트릴 출발 화합물을 용해시키는 것으로 알려진 다른 용매가 적합하다. 또한, 본 발명은 배치식으로 (batchwise) 또는 연속 반응기에서 수행될 수 있다. 최종 알킬화된 아민 생성물은 통상적인 방법으로 정제될 수 있다.
하기 실시예는 배치 (batch) 방법으로 수행되었다.
범례
BCPAM은 비스(5-시아노펜틸)아미노메탄을 의미하고,
ADN은 아디포니트릴을 의미한다.
실시예 1: 4:1 몰비의 니트릴과 1급 아민을 사용하는 비스(5-시아노펜틸)아미노메탄 (하기 화학식 VIII으로 나타냄) (IUPAC 명칭: 6-[(5-시아노-펜틸)-메틸-아미노]헥산니트릴)의 제조 방법.
고압멸균용 300 cc 반응기에 5％ Pd/알루미나 분말 촉매 2.77 g (2.3％ 또는 니트릴:촉매 = 42:1), 40％ (중량/중량) 수성 메틸아민 20.8 g (0.27 mol) 및 ADN 116.0 g (1.1 mol)을 가하였다. 반응기를 밀폐시키고, 질소 및 수소로 퍼징 (purged)하여 산소를 제거하였다. 반응은 500 psig의 수소 압력 하에 110 ℃에서 수행하였다. 소모된 수소는 1-리터 용기로부터 계속 보충하였다. 120 분 후에 반응 혼합물은 ADN (47％), BCPAM (41％) 및 다른 생성물을 포함하였다. BCPAM에 대한 선택도는 79％였다.
실시예 2: 2:1 몰비의 니트릴과 1급 아민을 사용하는 비스(5-시아노펜틸)아미노메탄 (IUPAC 명칭: 6-[(5-시아노-펜틸)-메틸-아미노]-헥산니트릴)의 제조 방법.
고압멸균용 300 cc 반응기에 5％ Pd/알루미나 분말 촉매 5.46 g, 40％ (중량/중량) 수성 메틸아민 41.6 g (0.54 mol) 및 ADN 116.0 g (1.1 mol)을 가하였다. 반응기를 밀폐시키고, 질소 및 수소로 퍼징하여 산소를 제거하였다. 반응은 500 psig의 수소 압력 하에 110 ℃에서 수행하였다. 소모된 수소는 1-리터 용기로부터 계속 보충하였다. 575 분 후에 반응 혼합물은 ADN (6％), BCPAM (67％) 및 다른 생성물을 포함하였다. BCPAM에 대한 선택도는 72％였다.
실시예 3: 비스(5-시아노펜틸)아미노프로판의 제조 방법.
아디포니트릴 116.0 g 및 프로필아민 15.7 mL (4:1 비율의 디니트릴과 1급 아민)를 촉매 2.8 g (알루미나 분말 상의 5 중량％ Pd)과 함께 고압멸균용 300 cc 반응기에 가하였다. 질소로 퍼징한 후, 반응물을 수소로 50 psig까지 가압하고, 가열하기 시작하였다. 수소는 계속 보충하였다. 온도가 110 ℃에 도달한 후에, 교반 속도를 1000 rpm까지 증가시키고, 수소 압력을 500 psig까지 증가시켰다. 이 온도 및 압력을 1.5 시간 동안 유지하였다. 생성 혼합물은 비스(시아노펜틸)아미노프로판 (39％) 및 비전환된 아디포니트릴 (36％)을 포함하였다.
표 1의 실시예 4 내지 8은 다른 니트릴 또는 니트릴의 조합을 다양한 아민과 함께 사용하는 본원 개시의 방법을 나타낸다. 이들 실시예는 니트릴 출발물질 20 부에 대하여 5 중량％ Pd/Al203 촉매 1부를 사용하는 배치 방법으로 수행하였으며, 500 psig의 수소 압력 및 100 ℃의 온도를 3 시간 동안 유지하였다. 실시예 4, 6 및 8의 독특한 3급 아민 생성물을 퍼킨 엘머 1600 시리즈 (Perkin Elmer 1600 Series) 푸리에 변환 (Fourier Transform) 적외선 기기, 및 휴렛 팩커드 5890 시리즈 (Hewlett Packard 5890 series) 기체 크로마토그래피와 연결된 휴렛 팩커드 5971 시리즈 질량 선택 검출기를 이용하는 IR로 분석하였다.
분석은 하기 구조를 갖는 독특한 3급 아민의 제조 방법을 증명한다.
표 2의 실시예는 본원 개시의 방법에서 다른 촉매의 사용을 나타낸다. 하기 실시예는 아디포니트릴 20 부에 대하여 촉매 1 부를 사용하는 배치 방식으로 수행하였다. 메틸아민 (40 중량％ aq.) 대 아디포니트릴의 몰비는 각각의 경우에 1 대 4였다. 500 psig의 수소 압력 및 100 ℃의 온도를 3 시간 동안 유지하였다.
실시예 15 : 1:1 몰비의 니트릴과 1급 아민을 사용하는 방법.
고압멸균용 300 cc 반응기에 5％ Pd/알루미나 분말 촉매 3.66 g, 40％ (중량/중량) 수성 메틸아민 55.8 g (0.72 mol), 아디포니트릴 77.7 g (0.72 mol) 및 비페닐 2.3 g (기체 크로마토그래피 분석에 대한 내부 표준)을 가하였다. 반응기를 밀폐시키고, 질소 및 수소로 퍼징하여 산소를 제거하였다. 반응은 500 psig의 수소 압력 하에 110 ℃에서 수행하였다. 소모된 수소는 1-리터 용기로부터 계속 보충하였다. 240 분 후에 조 생성 혼합물은 아디포니트릴 (13％), BCPAM (46％)을 포함하였다. 선택도는 65％였다.
300 분 후에 조 생성 혼합물은 아디포니트릴 (4％), BCPAM (52％) 및 다른 생성물을 포함하였다. BCPAM에 대한 선택도는 62％였다.
실시예 16: 1:2 몰비의 아디포니트릴과 1급 아민을 사용하는 방법.
고압멸균용 300 cc 반응기에 5％ Pd/알루미나 분말 촉매 2.74 g, 40％ (중량/중량) 수성 메틸아민 83.71 g (1.1 mol), 아디포니트릴 58.3 g (0.54 mol) 및 비페닐 1.7 g (기체 크로마토그래피 분석에 대한 내부 표준)을 가하였다. 반응기를 밀폐시키고, 질소 및 수소로 퍼징하여 산소를 제거하였다. 반응은 500 psig의 수소 압력 하에 110 ℃에서 수행하였다. 소모된 수소는 1-리터 용기로부터 계속 보충하였다. 360 분 후에 반응 혼합물은 ADN (12％), BCPAM (29％)을 포함하였다. 선택도는 49％였다. 410 분 후에 반응 혼합물은 ADN (5％), BCPAM (31％)을 포함하였다. 선택도는 44％였다.

Claims (18)

1종 이상의 하기 화학식 III의 1급 아민과 1종 이상의 하기 화학식 II의 니트릴을 수소 기체 및 촉매의 존재 하에 약 50 내지 약 200 ℃의 온도 및 약 100 내지 약 1500 psig의 압력에서, 상기 니트릴과 아민을 1 초과:1의 비율로 접촉시키는 것을 포함하는, 1종 이상의 하기 화학식 I의 3급 아민 생성물을 제조하는 방법.
<화학식 I>
(상기 식에서,
R은 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
R'는 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되고,
A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택됨);
<화학식 II>
A-R-CN
(상기 식에서,
R은 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A는 수소, 시아노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴 잔기로 구성된 군으로부터 선택되고,
단, A가 H, 또는 직쇄 또는 분지쇄 지방족이고, R이 직쇄 또는 분지쇄 지방족인 경우, 상기 니트릴은 C2-C7 니트릴임);
<화학식 III>
H2N-R'-A'
(상기 식에서,
R'는 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족 및 헤테로시클릭 잔기로 구성된 군으로부터 선택된 C1-C12 치환기이고,
A'는 수소, 아미노, 아미드, 직쇄 또는 분지쇄 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로시클릭, 알콕시, 아릴옥시, 히드록시, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴아미노, 디아릴아미노, 할로아릴, 플루오르화된 알킬, 및 실릴 잔기로 구성된 군으로부터 선택됨).
제1항에 있어서, 촉매가 팔라듐, 이리듐, 로듐 및 백금으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 것인 방법.
제2항에 있어서, 촉매가 팔라듐을 포함하는 것인 방법.
제2항에 있어서, 상기 촉매가 2종 이상의 금속을 포함하는 것인 방법.
제2항에 있어서, 촉매가 알루미나, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 탄화 규소, 활성탄, 산화 구리 또는 산화 마그네슘 상에서 지지되는 방법.
제5항에 있어서, 촉매가 지지체의 약 0.1 중량％ 내지 약 10 중량％의 양으로 존재하는 것인 방법.
제1항에 있어서, 1종이 넘는 니트릴 화합물을 1종 이상의 아민과 접촉시키는 방법.
제1항에 있어서, 1종이 넘는 아민을 1종 이상의 니트릴과 접촉시키는 방법.
제1항에 있어서, 3급 아민 생성물이 화학식 VIII의 화합물인 방법.
<화학식 VIII>
제1항의 방법에 의해 제조된 화합물.
제10항에 있어서, 아민이 메틸아민이고, 니트릴이 아디포니트릴인 화합물.
제10항에 있어서, 아민이 메틸아민이고, 니트릴이 히드록시프로피오니트릴인 화합물.
제10항에 있어서, 니트릴이 아디포니트릴이고, 상기 아민이 2-아미노에탄올인 화합물.
제10항에 있어서, 상기 아민이 메틸아민이고, 상기 니트릴이 아디포니트릴과 글루타로니트릴의 1:1 몰비의 혼합물인 화합물.
화학식 VI의 3급 아민 생성물.
<화학식 VI>
화학식 VII의 3급 아민 생성물.
<화학식 VII>
화학식 VIII의 화합물.
<화학식 VIII>
제1항에 있어서, 생성된 3급 아민이 디니트릴이며, 상기 디니트릴을 수소화시키는 것을 더 포함하는 방법.
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