KR20050026342A - 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 - Google Patents
레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050026342A KR20050026342A KR1020040071165A KR20040071165A KR20050026342A KR 20050026342 A KR20050026342 A KR 20050026342A KR 1020040071165 A KR1020040071165 A KR 1020040071165A KR 20040071165 A KR20040071165 A KR 20040071165A KR 20050026342 A KR20050026342 A KR 20050026342A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- pulses
- laser beam
- optical systems
- straight line
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Abstract
Description
Claims (19)
- 펄스 발진형 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기와,다수의 광학계를 가지는 렌즈 조립체, 및상기 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기(同期)하여 상기 렌즈 조립체의 위치를 제어하여 상기 다수의 광학계로부터 적어도 2개의 광학계를 선택하는 위치 제어 수단을 포함하고,선택된 다수의 광학계가 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 다수의 제2 펄스를 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 펄스 발진형 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기와,다수의 광학계를 가지는 렌즈 조립체와,상기 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 상기 렌즈 조립체의 위치를 제어하여 상기 다수의 광학계로부터 적어도 2개의 광학계를 선택하는 위치 제어 수단과, 및빔 균질기를 포함하고,선택된 다수의 광학계가 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 다수의 제2 펄스를 형성하고,공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 상기 다수의 제2 펄스가 상기 빔 균질기에 의해 균일화된 후에 동일 영역에 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 펄스 발진형 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기와,다수의 광학계를 가지는 렌즈 조립체, 및상기 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 상기 렌즈 조립체의 위치를 제어하여 상기 다수의 광학계로부터 적어도 2개의 광학계를 선택하는 위치 제어 수단을 포함하고,선택된 다수의 광학계가 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 제1 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스와 공간적 에너지 분포가 제2 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스를 포함하는 다수의 제2 펄스를 형성하고,상기 제1 직선과 상기 제2 직선은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 펄스 발진형 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기와,다수의 광학계를 가지는 렌즈 조립체와,상기 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 상기 렌즈 조립체의 위치를 제어하여 상기 다수의 광학계로부터 적어도 2개의 광학계를 선택하는 위치 제어 수단과, 및빔 균질기를 포함하고,선택된 다수의 광학계가 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 제1 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스와 공간적 에너지 분포가 제2 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스를 포함하는 다수의 제2 펄스를 형성하고,공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 상기 다수의 제2 펄스가 상기 빔 균질기에 의해 균일화된 후에 동일 영역에 조사되고,상기 제1 직선과 상기 제2 직선은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 펄스 발진형 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기와,렌즈 어레이(array)와 광학계를 가지는 빔 균질기, 및상기 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 펄스의 발진에 동기하여 상기 렌즈 어레이의 위치를 제어하여 상기 렌즈 어레이에 있어서의 상기 레이저 빔의 입사 위치를 제어하는 위치 제어 수단을 포함하고,상기 렌즈 어레이로부터 방출된 레이저 빔이 상기 광학계에 의해 동일 영역에 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 엑시머 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, GdVO4 레이저로 이루어진 군으로부터 선택된 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 공간적 에너지 분포가 다른 다수의 펄스를 가지는 펄스 발진형 레이저 빔을 동일 영역에 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계로부터 적어도 2개의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계, 및공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 상기 다수의 제2 펄스를 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 제1 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스와 공간적 에너지 분포가 제2 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스를 포함하는 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 직선과 상기 제2 직선은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 제1 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스와 공간적 에너지 분포가 제2 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스를 포함하는 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계, 및상기 선택된 다수의 광학계에 의해 형성된 상기 다수의 제2 펄스를 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하고,상기 제1 직선과 상기 제2 직선은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 어레이의 위치를 제어하여 상기 렌즈 어레이에 있어서의 상기 레이저 빔의 입사 위치를 제어하는 단계와,상기 렌즈 어레이로부터 방출된 레이저 빔을 광학계에 의해 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계, 및공간적 에너지 분포가 서로 반전 또는 회전된 상기 다수의 제2 펄스를 반도체막의 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 제1 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 조립체의 다수의 광학계를 선택하는 단계와,선택된 다수의 광학계에 의해 상기 다수의 제1 펄스로부터 공간적 에너지 분포가 제1 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스와 공간적 에너지 분포가 제2 직선을 중심으로 하여 서로 반전된 펄스를 포함하는 다수의 제2 펄스를 형성하는 단계, 및상기 선택된 다수의 광학계에 의해 형성된 상기 다수의 제2 펄스를 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하고,상기 제1 직선과 상기 제2 직선은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 펄스 발진형 레이저 빔이 가지는 다수의 펄스의 발진에 동기하여 렌즈 어레이의 위치를 제어하여 상기 렌즈 어레이에 있어서의 상기 레이저 빔의 입사 위치를 제어하는 단계와,상기 렌즈 어레이로부터 방출된 레이저 빔을 반도체막의 동일 영역에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 엑시머 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, GdVO4 레이저로 이루어진 군으로부터 선택된 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 엑시머 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, GdVO4 레이저로 이루어진 군으로부터 선택된 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 엑시머 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, GdVO4 레이저로 이루어진 군으로부터 선택된 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 엑시머 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, GdVO4 레이저로 이루어진 군으로부터 선택된 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317049 | 2003-09-09 | ||
JPJP-P-2003-00317049 | 2003-09-09 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110109324A Division KR101268107B1 (ko) | 2003-09-09 | 2011-10-25 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050026342A true KR20050026342A (ko) | 2005-03-15 |
KR101114950B1 KR101114950B1 (ko) | 2012-03-07 |
Family
ID=34225262
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040071165A KR101114950B1 (ko) | 2003-09-09 | 2004-09-07 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 |
KR1020110109324A KR101268107B1 (ko) | 2003-09-09 | 2011-10-25 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110109324A KR101268107B1 (ko) | 2003-09-09 | 2011-10-25 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7450307B2 (ko) |
KR (2) | KR101114950B1 (ko) |
CN (1) | CN100449683C (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100956339B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2010-05-06 | 삼성전자주식회사 | 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법 |
JP4579575B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 |
EP1708008B1 (en) * | 2005-04-01 | 2011-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer and laser irradition apparatus |
WO2007049525A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
US7563661B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystallization method for semiconductor film, manufacturing method for semiconductor device, and laser irradiation apparatus |
JP5099368B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2012-12-19 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
US20080240186A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Xinbing Liu | Polygonal cross-section laser rod for low-cost flashlamp-pumped laser |
US8170072B2 (en) * | 2008-01-07 | 2012-05-01 | Ihi Corporation | Laser annealing method and apparatus |
EP2317386B1 (en) * | 2008-12-23 | 2012-07-11 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9193647B2 (en) | 2012-01-30 | 2015-11-24 | Basf Se | Process for preparing butadiene and/or butenes from n-butane |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4733944A (en) * | 1986-01-24 | 1988-03-29 | Xmr, Inc. | Optical beam integration system |
JPH10256179A (ja) | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー光の照射装置及びレーザー光の照射方法 |
US5948291A (en) | 1997-04-29 | 1999-09-07 | General Scanning, Inc. | Laser beam distributor and computer program for controlling the same |
US6313435B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-11-06 | 3M Innovative Properties Company | Mask orbiting for laser ablated feature formation |
US6563567B1 (en) * | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
US6393042B1 (en) * | 1999-03-08 | 2002-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer and laser irradiation apparatus |
DE60045653D1 (de) * | 1999-08-13 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab | Laserbestrahlungsgerät |
GB0019454D0 (en) * | 2000-08-09 | 2000-09-27 | Stevens Brian T | Laser system |
TW523791B (en) | 2000-09-01 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Lab | Method of processing beam, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
EP1273907A4 (en) * | 2000-11-17 | 2006-08-30 | Ebara Corp | METHOD AND INSTRUMENT FOR WAFER INSPECTION AND ELECTRON BEAM |
JP4837170B2 (ja) | 2001-01-12 | 2011-12-14 | 株式会社Ihi | レーザアニール方法及び装置 |
US20020126479A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | High power incoherent light source with laser array |
JP3903761B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置 |
US7551537B2 (en) * | 2002-10-15 | 2009-06-23 | Sony Corporation | Method and apparatus for making master optical disk |
JP4555033B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2010-09-29 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置並びに方法、電子デバイスの製造方法、及び光変調素子 |
JP4688525B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-05-25 | 株式会社 日立ディスプレイズ | パターン修正装置および表示装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-08-11 US US10/915,438 patent/US7450307B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-07 KR KR1020040071165A patent/KR101114950B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-08 CN CNB200410079131XA patent/CN100449683C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-14 US US11/898,765 patent/US7623292B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-25 KR KR1020110109324A patent/KR101268107B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110123711A (ko) | 2011-11-15 |
CN100449683C (zh) | 2009-01-07 |
US7623292B2 (en) | 2009-11-24 |
US7450307B2 (en) | 2008-11-11 |
KR101268107B1 (ko) | 2013-05-29 |
KR101114950B1 (ko) | 2012-03-07 |
CN1612287A (zh) | 2005-05-04 |
US20050055016A1 (en) | 2005-03-10 |
US20080011968A1 (en) | 2008-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101268107B1 (ko) | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 | |
US6239913B1 (en) | Laser optical apparatus | |
JP5437079B2 (ja) | レーザアニール方法及び装置 | |
US6512634B2 (en) | Beam homogenizer, laser illumination apparatus and method, and semiconductor device | |
US6943086B2 (en) | Laser annealing apparatus, TFT device and annealing method of the same | |
JP4021135B2 (ja) | レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 | |
JPH10244392A (ja) | レーザー照射装置 | |
JP2004311906A (ja) | レーザ処理装置及びレーザ処理方法 | |
JP2004103628A (ja) | レーザアニール装置及びtft基板のレーザアニール方法 | |
KR101054235B1 (ko) | 레이저 조사 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및레이저 조사 시스템 | |
JP4780943B2 (ja) | レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 | |
JP4190901B2 (ja) | レーザ照射装置および半導体装置の作製方法 | |
JP4799825B2 (ja) | レーザ照射方法 | |
JP4628879B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP4969024B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2008060314A (ja) | レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4619035B2 (ja) | ビームホモジナイザ及びレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 | |
JP2000202673A (ja) | レ―ザ―照射装置 | |
WO2020184153A1 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2004134785A (ja) | ビームホモジナイザおよびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 | |
CN114188240A (zh) | 激光照射装置以及激光照射方法 | |
WO2020090396A1 (ja) | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 | |
CN117730397A (zh) | 用于激光退火的方法和装置 | |
JP2000052079A (ja) | レ―ザ―光の照射方法及び半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180103 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200115 Year of fee payment: 9 |