KR20050014767A

KR20050014767A - 패턴제조시스템, 노광장치 및 노광방법

Info

Publication number: KR20050014767A
Application number: KR1020040060622A
Authority: KR
Inventors: 모리타세이키; 수가누마아츠시; 나카야다이수케; 사와노미츠루
Original assignee: 후지 샤신 필름 가부시기가이샤
Priority date: 2003-07-31
Filing date: 2004-07-30
Publication date: 2005-02-07
Also published as: TW200517789A; CN1580950A; US20050036783A1

Abstract

본 발명은, 에칭액의 열화 등에 의한 패턴선의 선폭의 완성의 편차를 조정해서 패턴을 형성함으로써 정밀도가 높은 완성으로 하는 것을 과제로 한다.

가공용 패턴데이터(100)에 의해 지정된 패턴선의 선폭과 노광량을 이용해서 기판상의 동박상에 도포된 레지스트에 직접 묘화해서 노광하고, 노광된 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하고, 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭해서 패턴을 형성한다. 이 때, 에칭후의 형성패턴을 스캔해서 화상정보(200)를 얻고, 화상정보(200)의 패턴선의 선폭과 에칭후의 목표인 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭을 비교하고, 이 비교결과에 기초하여 가공용 패턴데이터(100)에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정해서 조정된 선폭을 이용하여 레지스트를 직접 묘화한다.

Description

패턴제조시스템, 노광장치 및 노광방법{PATTERN PRODUCTION SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD}

본 발명은 프린트기판의 회로패턴 등을 제조할 때 발생하는 현상액이나 에칭액의 열화 등에 의한 완성의 편차를 억제하는 패턴제조시스템에 관한 것이다.

예를 들면, 프린트기판의 회로기판을 제조하는 경우, 종래는, 포토마스크를 제작하고, 이 포토마스크를 이용해서 기판상의 레지스트를 노광하여 경화시킨 후, 그 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 이용해서 기판상의 동박을 에칭함으로써 회로패턴을 형성하는 방법을 예로 들 수 있다. 상기종래의 방법에 있어서는 에칭을 행할 때, 레지스트패턴선의 정밀도에 의존해서 기판상의 동박이 에칭되는 양이 변하고, 완성되는 회로패턴선의 선폭에 편차가 발생한다는 문제가 있었다. 그래서, 형성하고자 하고 있는 회로패턴선의 밀도에 기초하여 미리 입력데이터의 보정을 행하여 포토마스크의 패턴선의 조정을 행하도록 한 것이 있다(예를 들면, 일본 특허공개 평6-186724호공보).

또, 레지스트패턴의 선폭이 소정의 선폭이하이면 오버에칭이 발생하므로, 이 오버에칭이 발생하는 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 미리 측정해 두고, 소정의 선폭이하의 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 굵게 하도록 보정라인을 부가하는 것도 있다(예를 들면, 일본 특허공개 2001-134627호공보).

또는, 에칭액을 반복사용함으로써 에칭액이 열화되어, 에칭된 회로패턴의 선폭이 상이하게 되는 완성의 편차를 방지하기 위해서, 기판의 빈 영역(배선부분 이외의 영역)에 테스트패턴을 매립하고, 에칭후에 그 테스트패턴을 화상인식해서 에칭된 양의 변화를 인식해서 그것에 따라 새로운 에칭액의 공급이나 샤워압을 변화시키도록 제어하는 것도 있다(예를 들면, 일본 특허공개 평9-162522호공보).

그러나, 상술의 일본 특허공개 평6-186724호공보나 일본 특허공개 2001-134627호공보에 기재된 방법에서는, 입력데이터의 선폭을 보정해서 완성된 회로패턴선의 선폭을 지정된 선폭에 가깝게 하도록 하는 것이지만, 반복가공을 행함으로써 현상액이나 에칭액이 서서히 열화하여, 이 열화에 따라 발생하는 완성의 편차를 억제할 수는 없다. 또, 이러한 포토마스크를 제작하는 방법에서 에칭액의 열화 등에 따른 완성의 편차를 억제하기 위해서는 몇번이나 포토마스크를 다시 제작할 필요가 있어 생산비용이 높아지게 된다.

한편, 일본 특허공개 평9-162522호공보에 기재된 방법에서는, 패턴선이 에칭된 양의 변화를 인색해서, 새로운 에칭액의 공급이나 샤워압을 변화시킴으로써 완성이 일정하게 되도록 에칭의 진행을 제어하고자 하고 있지만, 이러한 새로운 에칭액의 공급이나 샤워압의 변화에 의한 제어로는 응답성이 양호하지 않고 완성의 편차가 남게 된다는 문제가 있다.

또, 최근 회로패턴의 복잡화, 고정밀·미세화에 따라 보다 정밀도가 높은 완성이 요구되고, 이러한 에칭액의 열화 등에 의해 발생하는 완성의 편차도 무시할 수 없는 것으로 되어 오고 있다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여, 생산비용이 높아지지 않고, 현상액이나 에칭액의 열화 등에 영향을 미치지 않아 완성이 균일하게 되고, 완성 정밀도가 높은 패턴제조시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도1은 제1실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도2는 제1실시형태의 노광장치의 블록도이다.

도3은 레이저 직접 묘화장치를 나타내는 도이다.

도4는 패턴제조시스템의 동작을 나타내는 플로챠트이다.

도5는 기판상의 영영의 분할을 설명하기 위한 도이다.

도6은 선폭의 비교를 설명하기 위한 도이다.

도7은 목표로 하는 선폭과 실제로 형성된 선폭의 차분과, 그 보정량의 관계를 나타내는 도이다.

도8은 선폭을 비교하는 방법을 설명하기 위한 도이다.

도9는 선폭의 보정량과 보정 노광량의 관계를 나타내는 도이다.

도10은 제2실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도11은 제2실시형태의 노광장치의 블록도이다.

도12는 제3실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도13은 중화적정 곡선의 일례이다.

도14는 제3실시형태의 노광장치의 블록도이다.

도15는 패턴제조시스템의 작용을 설명하기 위한 플로챠트이다.

도16은 레지스트 용해량과 가공용 패턴데이터의 패턴선의 보정량의 관계를 나타내는 도이다.

도17은 구분의 분할을 설명하기 위한 도이다.

도18은 선폭의 보정량과 노광의 보정량의 관계를 나타내는 도이다.

도19는 제4실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도20은 제4실시형태의 블록도이다.

도21은 현상처리한 레지스트의 면적과 레지스트 용해량의 관계를 나타내는 도이다.

도22는 제5실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도23은 제5실시형태의 노광장치의 블록도이다.

도24는 제6실시형태의 패턴제조시스템의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도25는 제6실시형태의 노광장치의 블록도이다.

(부호의 설명)

A:동박접착공정 B:면조정공정

C:라미네이션공정 1,1a:패턴제조시스템

4,4a:노광장치 5,5a:현상장치

6,6a:에칭장치 7:CAM

8:네트워크 11,11a:패턴제조시스템

14,14a,14b,14c:노광장치 15,15a,15b:현상장치

16,16c:에칭장치 17:CAM

18:네트워크 41:데이터변환수단

42,42a:선폭비교수단 43,43a:조정수단

44:노광제어수단 45:보정부

50,60:화상인식장치 140:레이저 직접 묘화장치

141:데이터변환수단 143,143a,143c:조정수단

144:노광제어수단 145:보정부

142,150,151,160:열화검출수단 100:가공용 패턴데이터

200,200a:화상정보 201:목표 형성패턴

202,202a:비교결과 203:목표 레지스트패턴

1200,1200a,1200b,1200c:검출결과 1100:가공용 패턴데이터

본 발명의 패턴제조시스템은, 목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에 기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화노광하는 노광부와, 노광된 상기 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하는 현상부와, 상기 피에칭재를 에칭해서 형성패턴을 형성하는 에칭부와, 상기 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 상기 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 어느 하나또는 어느 것의 조합에 기초하여, 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.

여기에서, 「가공용 패턴」, 「레지스트패턴」, 「형성패턴」, 「목표 형성패턴」은 패턴선의 좌표값과 선폭으로 나타내어지는 것이다.

또, 「목표 형성패턴」이란 형성하고자 하고 있는 형성패턴, 그 때의 패턴선의 좌표값과 선폭으로 나타내어지는 것이다. 또, 「목표 레지스트패턴」이란 형성하고자 하고 있는 레지스트패턴이며, 그 때의 패턴선의 좌표값과 선폭으로 나타내어지는 것이다.

「피에칭재」란 기판상에 부착된 동박과 같이, 에칭액에 의해 에칭되는 것을 말한다.

또, 상기 보정부는 에칭후의 상기 형성패턴을 스캔해서 화상정보를 얻는 화상인식수단과, 상기 화상정보의 패턴선의 선폭과 상기 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 선폭비교수단과, 상기 선폭비교수단에 의한 비교결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것이어도 좋다.

또는, 상기 보정부는 현상후의 상기 레지스트패턴을 스캔해서 화상정보를 얻는 화상인식수단과, 상기 화상정보의 패턴의 선폭과 목표 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 선폭비교수단과, 상기 선폭비교수단에 의한 비교결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것이어도 좋다.

「가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭의 조정」은, 보정량을 구해서 가공용 패턴데이터의 선폭을 이 보정량을 더한 선폭으로 직접 다시 기록하는 것이어도 되지만, 가공용 패턴데이터는 직접 다시 기록하지 않고, 구한 보정량과 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 선폭을 가산해서 조정완료 선폭을 별도 취득하는 것이어도 좋다.

「화상정보의 패턴선의 선폭과 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭의 비교」는, 화상정보의 패턴선의 선폭과 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭의 차이를 볼 수 있는 것이면 어떠한 것이어도 좋고, 예를 들면, 대응하는 패턴선의 선폭을 비교하는 것이어도, 패턴선의 면적을 구하여 면적을 비교하는 것이어도 좋다. 또, 비교는 차분을 구하여 비교하는 것이라도, 비율을 구하여 비교하는 것이라도 좋다.

또, 상기 조정수단은, 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결과의 관계를 미리 기억하고, 그 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 비교결과에 대응하는 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것이어도 좋다.

「비교결과」란, 에칭해서 얻어진 형성패턴의 선폭과 목표로 하는 목표 형성패턴의 선폭을 비교한 결과, 또는, 현상해서 얻어진 레지스트패턴의 선폭과 목표로 하는 목표 레지스트패턴의 선폭을 비교한 결과이며, 「보정량」이란, 에칭후의 형성패턴의 선폭을 목표 형성패턴의 선폭으로 하기 위해 가공용 패턴데이터의 패턴선의 선폭을 보정하는 양, 또는 현상후의 레지스트패턴의 선폭을 목표 레지스트패턴의 선폭으로 하기 위해 가공용 패턴데이터의 패턴선의 선폭을 보정하는 양이며, 「보정량과 비교결의 관계」는, 실제로 에칭후의 형성패턴선의 선폭, 또는 현상후의 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 계측해서 실험적으로 구한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 선폭이 다른 패턴선을 포함하는 테스트용 패턴을 이용해서 에칭이나 현상을 행하고, 그 결과 얻어진 패턴의 선폭을 계측함으로써 구한 관계를 사용할 수 있다.

제조장치에는, 가공조건이 동일하게 되도록 해서 가공을 행해도 장소에 따라 형성된 결과가 다르게 되는 것처럼, 각각 장치마다 특유의 로컬리티가 나타난다.

그래서, 상기 선폭비교수단은, 상기 목표 형성패턴을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 비교결과를 얻도록 하고, 상기 조정수단이 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계를 상기 구분마다 미리 기억하고, 상기 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 각 구분마다의 비교결과에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것이 바람직하다.

또는, 상기 조정수단은 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량과 비교결의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 비교결과에 대응하는 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것이어도 좋다.

「보정량과 비교결의 관계」는, 실제로 에칭후의 형성패턴선의 선폭, 또는현상후의 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 계측해서 실험적으로 구한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 선폭이 다른 패턴선을 포함하는 테스트용 패턴을 이용해서 에칭이나 현상을 행하고, 그 결과 얻어진 패턴의 선폭을 계측함으로써 구한 관계를 사용할 수 있다.

또한, 상기 보정부는, 상기 현상부에서 이용하는 현상액의 열화를 검출하는 열화검출수단과, 상기 열화검출수단에 의한 검출결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것이어도좋다.

상기 열화검출수단은, 상기 현상부에서 이용하는 현상액에 용해된 레지스트 용해량을 측정하는 측정수단을 가지며, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 현상액의 열화를 검출하는 것이어도 좋다.

「레지스트 용해량」은, 예를 들면 중화적정법 등을 이용해서 현상액으로 용해되어 있는 레지스트의 양을 구할 수 있다.

상기 열화검출수단은, 상기 현상부로 현상처리한 기판의 처리면적에 기초하여 현상액의 열화를 검출하는 것이어도 좋다.

「처리면적」이란, 현상액으로 기판상의 레지스트를 용해한 부분의 면적의 누적이며, 레지스트를 용해한 부분의 면적은, 예를 들면, 노광장치로 레지스트에 묘화한 면적으로부터 구할 수 있다. 또는, 현상장치로 현상처리한 기판의 매수로부터 레지스트를 용해한 부분의 면적을 근사적으로 구할 수도 있다.

상기 열화검출수단은, 상기 현상부에서 이용하는 현상액의 PH값을 측정하는측정수단을 갖고, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 현상액의 열화를 검출하는 것이어도 좋다.

상기 조정수단은, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것이어도 좋다.

「보정량」이란, 현상후의 레지스트패턴의 선폭이 원하는 선폭으로 완성되도록 가공용 패턴데이터의 패턴선의 선폭을 보정하는 양이며, 「보정량과 검출결의 관계」는, 실제로 현상후의 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 계측해서 실험적으로 구한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 선폭이 다른 패턴선을 포함하는 테스트용 패턴을 이용해서 현상을 행하고, 그 결과 얻어진 패턴의 선폭을 계측함으로써 구한 관계를 사용할 수 있다.

그래서, 상기 조정수단은, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를, 상기 기판을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것이 바람직하다.

상기 조정수단은, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것이어도 좋다.

또, 상기 보정부는, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화를 검출하는 열화검출수단과, 상기 열화검출수단에 의한 검출결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것이어도 좋다.

에칭액의 열화에 의해, 기판상의 동박은 에칭되는 양이 적어지고, 에칭후에 형성되는 형성패턴의 패턴선의 선폭도 변화되게 된다. 그래서, 에칭액의 열화를 검출한 「검출결과」는, 에칭액의 에칭능력을 나타내는 것이면 좋고, 예를 들면, 에칭액의 PH값을 이용할 수 있다.

그래서, 상기 열화검출수단은, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 PH값을 측정하는 측정수단을 갖고, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 에칭액의 열화를 검출하는 것이어도 좋다.

또, 상기 조정수단은, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것이어도 좋다.

또, 상기 조정수단은, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 상기 기판을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것이어도 좋다.

또한, 상기 조정수단은, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것이어도 좋다.

또, 본원 발명의 노광장치는, 현상 및 에칭을 거쳐서 목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에 기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화 노광하는 노광부와, 현상후의 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 에칭후의 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 적어도 하나를 포함하는 차이정보를 취득하는 차이정보 취득부와, 상기 차이정보에 기초해서 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.

또, 차이정보 취득부는, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또한, 상기 차이정보 취득부는 상기 화상정보를 취득하는 유닛을 갖는 것이어도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 상기 현상액 및/또는 상기 에칭액의 상태에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또한, 상기 차이정보 취득부는, 현상액 및/또는 에칭액의 상태를 검출하는 유닛을 갖는 것이라도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 검출하는 유닛을 갖는 것이어도 좋다.

또한, 상기 차이정보 취득부는, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수와, 상기 기판의 사이즈에 기초해서 검출하는 것이어도 좋다.

또한, 상기 차이정보 취득부는, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수와, 상기 기판면상의 상기 현상 및/또는 상기 에칭을 실시하는 면적에 기초해서 검출하는 것이어도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 상기 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수를, 상기 노광의 회수에 기초하여 구하는 유닛을 갖는 것이어도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 상기 노광의 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또, 상기 차이정보 취득부는, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 제1취득유닛과, 상기 노광 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 제2취득유닛을 가지며, 상기 제1유닛과 제2유닛을 전환하는 전환유닛을 더 구비하는 것이 바람직하다.

상기 전환유닛은, 제1취득유닛에 의한 상기 차이정보의 취득과 제2취득유닛에 의한 상기 차이정보의 취득을 소정 회수 행할 때마다 전환하는 것이어도 좋다.

상기 보정부는, 상기 기판면을 따라 분할된 분할영역마다 상기 보정을 행하는 것이어도 좋다.

상기 차이정보 취득부는, 상기 기판면의 일부에 대하여 상기 차이정보의 취득을 행하는 것이어도 좋다.

본원 발명의 노광방법은, 현상 및 에칭을 거쳐서 목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에 기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화 노광을 행하는 방법으로서, 상기 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 상기 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 적어도 하나를 포함하는 차이정보를 취득하고, 상기 차이정보에 기초해서 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 것을 특징으로 하는 것이기도 한다.

또한, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또, 현상액 및/또는 상기 에칭액의 상태에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또한, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

또는, 상기 노광의 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것이어도 좋다.

이하, 본 발명의 패턴제조시스템의 제1실시형태에 대해서 도면을 이용해서 설명한다.

도1은, 패턴제조시스템의 제1실시형태를 나타내는 도이며, 이 패턴제조시스템(1)에 의해 형성패턴의 일례인 회로패턴을 제조하는 경우에 대해서 설명한다. 기판상에 회로패턴을 형성하는 경우에는, 우선, 동박접착공정(A)에 있어서 기판상에 회로형성재인 동박을 접착하고, 면조정공정(B)에 있어서 접착한 동박의 상면을 기계연마나 화학연마로 면조정 처리하고, 라미네이션공정(C)에 있어서, 면조정한 동박 상면에 레지스트(레지스트재)를 라미네이트한다. 다음에, 본 발명의 패턴제조시스템(1)에 의해 기판에 도포된 레지스트를 노광하고, 노광된 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하고, 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭해서 형성패턴을 형성한다.

상기 패턴제조시스템(1)은, 라미네이트된 레지스트재에 패턴을 노광하는 직접 묘화형의 노광장치(노광부)(4), 노광된 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하는 현상장치(현상부)(5), 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭해서 형성패턴을 형성하는 에칭장치(에칭부)(6)를 구비하고 있다.

에칭장치(6)에는, 동박을 에칭해서 형성된 형성패턴을 스캔한 화상정보(200)가 얻어지도록, CCD카메라를 이용한 광학식 검사기(AOI) 등의 화상인식장치(화상인식수단)(60)이 설치되고, 화상인식장치(60)는 노광장치(4)와 네트워크(8)로 접속되어서, 화상정보(200)가 화상인식장치(60)로부터 노광장치(4)에 송신된다.

CAD(Computer Aided Design) 등을 이용해서 설계된 목표 형성패턴(실제로 형성하고자 하는 회로패턴)은, CAM(Computer Aided Manufacturing)(7)에 입력되고, CAM(7)에서는 목표 형성패턴의 면형상 레이아웃처리, 위치맞춤용 마킹, 식별용 심볼데이터, 패턴의 균일화용 더미데이터 등의 부가정보의 부가 등을 행한 후에, 회로패턴을 가공하기 위한 좌표값, 선폭 등을 포함하는 가공용 패턴데이터(100)(예를 들면, 거버(Gerber)데이터 등)로 변환되어서 노광장치(4)에 출력된다.

노광장치(4)는 도2에 나타내듯이, CAM으로부터 입력된 가공용 패턴데이터(100)를 가공에 적합한 형식으로 변환하는 데이터변환수단(41)과, 회로패턴이 설계대로의 완성으로 되도록 가공용 패턴데이터나 노광장치의 노광량을 보정하는 보정부(45)와, 가공용 패턴데이터(100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(노광용 광원을 포함함)(44)을 구비하고 있다. 이하, 본 실시형태에서는, 보정수단(45)을 노광장치(4)내에 설치한 경우에 대해서 설명하지만, 다른 컴퓨터에 보정수단(45)을 구비한 보정장치(보정부)를 노광장치(4)에 접속하도록 해도 좋다.

또, 보정수단(45)은 에칭후에 화상인식장치(60)로 인식된 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)을 비교해서 비교결과(차이정보)(202)를 얻는 선폭비교수단(차이정보 취득부)(42)과, 얻어진 비교결과(202)에 기초하여, 에칭후의 형성패턴을 목표 형성패턴(201)에 가까워지도록 가공용 패턴데이터(100)나 노광량을 조정하는 조정수단(43)을 구비하고 있다.

상기 노광장치(4)로서, 레이저 등을 이용해서 레지스트에 직접 묘화하는 직접 묘화장치가 이용된다. 예를 들면, 도3에 나타내듯이, 레이저 직접 묘화장치(40)는 레이저 발생장치로부터 발사되는 레이저빔(LB)을 빔스플리터나 빔세퍼레이터를 통해 복수의 묘화용 광속(L)으로 분할하고, 분할된 광속이 일렬로 배열되는 묘화용 광속(LL)으로 되어서 묘화 테이블(T)상에 도달하도록 구성되고, 묘화 테이블(T)에 세트된 기판(S)상을 주 주사방향(Y방향)과 부 주사방향(X방향)으로 묘화용 광속(LL)을 주사시켜서 기판(S)에 일렬로 배열된 도트로 묘화를 행하는 것이다. 구체적으로는, 일본 특허공개 평7-15993공보나 일본 특허공개 평9-323180공보 등에 개시되어 있다. 또는, 직접 묘화형의 노광장치로서, LCD(액정표시소자)나 DMD(디지털 마이크로미러 디바이스) 등의 공간 광변조소자를 이용하는 것이어도 좋다.

이러한 레이저 직접 묘화장치(40)로 기판상의 레지스트에 묘화를 행하는 경우에는, 가공용 패턴데이터(100)를 래스터데이터로 변환한 것을 묘화데이터로 하고, 이 묘화데이터에 기초하여 노광제어수단(44)으로 노광이 행해진다. 또, 노광은 장치에 설정되어 있는 표준 노광량에 기초하여 행하지만, 필요에 따라서 노광량을 조정하는 것이 가능하다. 노광량을 조정하기 위해서는, 조정수단(43)에 의해 구한 노광량을 묘화데이터와는 다른 정보로서 노광제어수단(44)에 전달할 수도 있지만, 노광량을 묘화데이터의 화소를 다치(多値)로 나타내는 것으로 하고, 조정수단(43)에 의해 구한 노광량에 대응한 다치로 묘화데이터를 변환해서 노광제어수단(44)에 전달할 수도 있다(예를 들면 1화소를 255계조로 나타내고, 255가 최대의 노광량을 나타내고, 수치가 작을 수록 노광량은 작아진다).

여기에서, 패턴제조시스템(1)을 이용해서 같은 회로패턴을 반복해서 제조하는 경우의 작용에 대해서 도4의 플로챠트에 따라 설명한다.

먼저, 회로패턴을 제조하기 위해서, 노광장치(4)는 CAM으로부터 가공용 패턴데이터(100)를 수신하고(S100), 노광장치(4)에서는 수신한 거버데이터 등의 벡터데이터 형식의 가공용 패턴데이터(100)를 데이터변환수단(41)으로 래스터데이터 형식의 가공용 패턴데이터(묘화데이터)로 변환하고(S101), 노광제어수단(44)으로 기판의 동박상에 도포된 레지스트의 노광을 행한다(S102).

기판의 동박상에 도포된 레지스트가 노광되면, 현상장치(5)로 현상을 행해서 불필요한 레지스트가 제거되고(포지티브형 레지스트의 경우는 노광된 레지스트가 제거되고, 네가티브형 레지스트의 경우는 노광되어 있지 않은 레지스트가 제거된다), 동박의 상면에 레지스트패턴이 형성된다(S103). 또한, 레지스트패턴이 형성된기판상의 동박을 에칭장치(6)로 에칭해서 형성패턴이 형성된다(S104). 형성된 형성패턴은 화상인식장치(60)에 의해 스캔되고(S105), 얻어진 화상정보(200)는 노광장치(4)에 송신된다.

노광장치(4)에서는, 화상인식장치(60)에서 얻어진 화상정보(200)를 미리 기억하고 있던 목표 형성패턴(201)의 패턴선의 선폭의 비교를 선폭비교수단(42)으로 행한다(S106). 가공에 이용되는 가공용 패턴데이터(100)는 패턴선의 간격(소밀), 노광량, 현상액의 상태, 에칭액의 상태 등의 여러가지 가공조건을 고려해서 형성후의 형성패턴이 본래 필요로 하는 목표 형성패턴(201)의 선폭으로 완성되도록 CAM 등으로 보정된 데이터(예를 들면, 설계단계에서 지정된 선폭보다 부분적으로 굵게 하거나 가늘게 한 것)로 되어 있는 경우가 많다. 그래서, 목표 형성패턴(201)은 가공용 패턴데이터(100)와는 다르게 CAD(도시생략)나 CAM(7) 등으로부터 완성 목표가 되는 선폭을 갖는 데이터를 받아, 목표 형성패턴(201)으로서 미리 기억해 둔다.

선폭비교수단(42)에 의해 화상정보(200)의 패턴선의 선폭과 목표 형성패턴(201)의 패턴선의 선폭의 비교를 행하기 위해서, 예를 들면, 노광장치, 현상장치, 에칭장치의 각 장치에 순차 세트해서 가공을 행하는 기판상의 영역을, 도5에 나타내듯이, 복수의 영역(D1,D2,D3,D4)으로 분할한다. 또한, 분할된 기판상의 복수의 영역에 대응하도록 목표 형성패턴(201)을 복수의 영역으로 분할하고, 대응하는 각영역마다(D1,D2,D3,D4) 비교를 행한다.

목표 형성패턴(201)이 래스터데이터로 기억되어 있는 경우에는, 비교를 행하기 위해서 화상정보(200)(비트맵)와 목표 형성패턴(201)의 각 영역을 겹쳐서(도6참조, ●는 겹쳐진 부분이며 ○는 겹쳐지지 않은 부분을 나타낸다), 겹쳐지지 않은 부분의 도트(○부분)를 세어서 패턴선의 선폭의 차분이나 면적의 차분(또는, 비)을 구한다. 예를 들면, 도6에 나타내듯이, 소정 영역에서 발생한 패턴선의 선폭의 차분(Δd)이 2도트인 경우에는 이 2도트의 차분에 기초해서 보정을 행한다. 또한, 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)을 겹쳤을 때, 같은 영역내라도 패턴선에 의해 차분이 2도트이거나, 3도트인 경우도 있지만, 차분의 평균값이나 대표값(빈번하게 발생하는 차분)을 이용해서 보정한다.

또는, 목표 형성패턴(201)이 벡터데이터로서 기억되어 있는 경우에는, 화상정보(200)로부터 선폭을 대략 계산하여, 목표 형성패턴(201)의 선폭(또는, 면적)과의 차분을 구해서 비교하는 것도 가능하다.

이렇게 해서 얻어진 비교결과(202)로부터, 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)의 차가 소정의 값 이하인 경우에는(S107-YES), 그대로 같은 가공용 패턴데이터(100)를 이용해서 다음 기판의 가공을 행할 수 있지만, 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)의 차가 소정의 값 이상인 경우에는(S107-N0), 가공용 패턴데이터(100)를 보정할 필요가 있다.

그래서, 선폭비교수단(42)에 의해 얻어진 비교결과(202)에 기초해서 에칭후의 형성패턴의 선폭이 목표로 하는 선폭(목표 형성패턴의 선폭)으로 되도록 조정수단(43)에서는 가공용 패턴데이터(100)로 지정된 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정한다(S108).

목표로 하는 선폭과 실제로 형성된 선폭의 차분(Δd)과, 그 차를 없애기 위해서 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량(ΔW) 사이에는 예를 들면, 도7에 나타내는 관계가 있으며,

ΔW=f1(Δd)-------------(1)

로 나타내어진다. 이 관계는 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등에 기초해서 구하여 미리 기억해 두고, 이것에 기초해서 선폭의 조정을 행한다.

또한, 현상액이나 에칭액의 순환, 샤워압, 반송방향, 패턴선의 소밀(疏密) 등에 기인해서, 형성되는 패턴선의 선폭이 기판의 장소에 따라 다르다는 로컬리티가 발생하고, 선폭의 차분(Δd)과 그 차를 없애기 위한 보정량(ΔW)의 관계에도, 마찬가지로 로컬리티가 발생한다. 그래서, 이들 로컬리티를 흡수할 수 있도록, 기판을 복수의 영역으로 분할하고, 영역마다 목표로 하는 선폭과 실제로 형성된 선폭의 차분(Δd)과 그 차를 없애기 위한 보정량(ΔW)의 관계를 구하고, 그 영역에 있어서 가장 적절한 보정이 되는 관계를 기억해 둔다. 또한, 이 영역의 분할은 가늘수록, 장소에 따른 차이에 대응해서 조정하는 것이 가능해진다.

선폭을 보정하는 양은, 선폭비교수단(42)에 의해 구한 비교결과(202)(상술과 같이 선폭의 차분과 선폭을 보정하는 양의 관계가 구해져 있는 경우에는, 화상정보(200)의 패턴선의 선폭과 목표 형성패턴(201)의 패턴선의 선폭의 차분)에 기초하여 상술의 관계를 이용해서 구해진다. 예를 들면, 어느 1개의 영역(D1)에서 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)의 선폭과 차분이 d1인 경우에는, 그 때의 보정량(W1)을 이용하여 이 영역(D1)의 전체의 선폭을 W1만큼 가늘게 하도록조정한다(도7참조).

상술한 바와 같이, 같은 영역내의 패턴선은 모두 같은 보정을 행하도록(즉, 도4에 나타내는 D1, D2, D3, D4에 대응해서 기억하고 있는 상술의 관계를 이용하여, 각 영역에 있는 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭에 같은 보정량의 보정을 행하도록) 할 수도 있지만, 도8에 나타내듯이, 선폭비교수단(42)에 의해 구한 차분이, D1내의 위치[P1(X1,Y1)]에서는 차분(d1)이며, 위치[P2(X2,Y2)]에서는 차분(d2)인 바와 같이 같은 영역(D1)내에서도 장소에 따라 차분에 차이가 생기는 경우에는, 위치(P1)의 근방의 패턴선에 대해서는 차분(d1)에 대한 보정량(W1)만큼 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 보정하고, 위치(P2)의 근방의 패턴선에 대해서는 차분(d2)에 대한 보정량(W2)만큼 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 보정하도록 해도 좋다(단, D1내에 대응해서 기억하고 있는 관계는 도7에 나타내는, 그 영역의 대표적인 1개의 관계를 기억하고 있다).

이상, 형성패턴의 패턴선의 선폭의 조정을 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 직접 보정하는 경우에 대해서 설명했지만, 가공용 패턴데이터(100)의 노광량을 조정해서 에칭후의 형성패턴의 패턴선의 선폭을 조정하는 것도 가능하다. 노광량을 바꾸어서 형성패턴의 패턴선의 선폭을 조정하기 위해서는, 노광량을 변화시키면 그것에 따라 어느 정도 패턴선의 선폭이 변하는지를 기억해 두고 노광량의 조정을 행한다. 패턴선의 보정량(ΔW)과, 이 보정량(ΔW)만큼 선폭을 바꾸기 위한 노광량을 보정하는 보정량(ΔE) 사이에는, 예를 들면, 도9에 나타내는 관계가 있으며,

ΔW=f2(ΔE)--------------(2)

로 나타내어진다. 이 관계도, 상술의 (1)식과 마찬가지로, 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등에 기초해서 구해서 미리 기억해 둔다. 또한, 이 관계도 기판의 장소에 따라 로컬리티가 발생하기 때문에, 복수의 영역으로 나누어서 기억해 두는 것이 바람직하다.

노광량을 조정해서 형성패턴의 선폭을 조정하기 위해서는, 상술과 마찬가지로, 선폭비교수단(42)에 의해 구한 비교결과(202)(선폭의 차분(d1))을 구하고, 우선 (1)식에 기초해서 선폭을 보정하는 보정량(W1)을 구한다. 또한 (2)식의 관계에 기초해서, 보정량(W1)으로부터 노광량을 보정하는 보정량(E1)을 구하고(도9 참조), 보정량(E1)으로 노광제어부(44)에 전달하는 노광량을 보정한다.

선폭의 조정을 행하는 경우와 마찬가지로 노광량의 조정도, 기판상의 영역을 복수의 영역으로 분할하고, 분할한 기판상의 복수의 영역에 대응하도록 목표 형성패턴(201)을 복수의 영역으로 분할해서, 대응하는 각 영역마다 비교를 행하도록 한 것이 바람직하다. 또한, 같은 영역에 대해서는 일제히 같은 보정을 행하도록 해도 좋고, 영역내의 위치(예를 들면, 상술의 P1, P2)에 따라 바꾸도록 해도 좋다.

이상 설명한 바와 같이, 선폭비교수단(42)에 의해 얻어진 비교결과(202)가 소정의 값 이상인 경우에는, 노광량 또는 가공용 패턴데이터(100)의 선폭을 조정한 것을 이용해서 다음 기판의 동박상의 레지스트를 노광한다(S102).

레지스트가 노광된 기판은 현상장치(5)에 의해 불필요한 레지스트가 제거되고, 동박의 상면에 레지스트패턴이 형성된다(S103). 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박은 에칭장치(6)로 에칭되어서 형성패턴이 형성된다(S104). 형성패턴이 형성된 기판은, 다시, 화상인식장치(60)에 의해 스캔되고(S105), 얻어진 화상정보(200)가 노광장치(4)에 송신된다. 이하, 상술과 마찬가지로, 선폭비교수단(42)에 의해 얻어진 비교결과(202)로부터(S106), 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)의 차분이 소정의 값이하인 경우에는(S107-YES), 조정을 행하지 않고 같은 노광량으로 같은 가공용 패턴데이터(100)를 이용해서 다음 기판의 가공을 행하지만, 화상정보(200)와 목표 형성패턴(201)의 차가 소정의 값이상이 되는 경우에는(S107-NO), 노광량이나 가공용 패턴데이터(100)를 다시 보정해서(S108) ,다음 기판의 가공을 행한다.

또한, 이상, 조정수단(43)에서는 소정의 값이상의 차가 있는 경우에 조정을 행한다고 설명했지만, 차가 약간이라도 있으면 조정을 행하도록 해도 좋다.

이와 같이, 선폭이나 노광량의 조정을 반복해서 행함으로써, 에칭후에 형성된 패턴이 항상 같은 정밀도로 완성되도록 할 수 있다.

다음에, 제2실시형태는, 현상후의 레지스트패턴을 스캔해서 선폭의 조정을 행하는 경우에 대해서 설명한다. 도10은, 제2실시형태의 패턴제조시스템(1a)의 실시형태를 나타내는 도이다. 제1실시형태와 동일한 구성에는 동일부호를 붙여서 상세한 설명은 생략하고, 상이한 것에 대해서만 설명한다.

본 실시형태의 패턴제조시스템(1a)은, 노광장치(4a), 현상장치(5a), 에칭장치(6a)를 구비하고 있다.

본 실시형태에서는, 에칭장치(6a)에 화상인식장치를 설치하지 않고, 현상장치(5a)에 노광한 레지스트를 현상해서 형성된 레지스트패턴을 스캔한화상정보(200a)를 얻기 위한 화상인식장치(50)를 설치하고, 화상인식장치(50)와 노광장치(4a)를 네트워크(8)로 접속하고, 얻어진 화상정보(200a)를 노광장치(4a)에 송신한다.

또한, 노광장치(4a)는, 도11에 나타내듯이, 현상후에 화상인식장치(50)로 인식된 화상정보(200a)의 패턴선의 선폭과, 현상후에 형성된 레지스트패턴의 목표인 목표 레지스트패턴(203)의 패턴선의 선폭을 비교해서 비교결과(차이정보)(202a)를 얻는 선폭비교수단(차이정보 취득부)(42a)과, 얻어진 비교결과(202a)에 기초하여 현상후의 레지스트패턴이 목표 레지스트패턴(203)에 가까워지도록 가공용 패턴데이터(100)나 노광량을 조정하는 조정수단(43a)과, 가공용 패턴데이터(100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(44)을 구비하고 있다.

화상인식장치(50)는 상술의 실시형태의 화상인식장치(60)와 대략 동일한 것으로 현상된 레지스트의 레지스트패턴의 화상정보(200a)를 얻을 수 있도록 현상장치(5a)에 설치된 것이다.

또, 목표 레지스트패턴(203)은 현상후의 레지스트패턴의 완성 목표가 되는 선폭의 것을 CAM 등으로 시뮬레이션하고, 그 데이터를 받아서 목표 레지스트패턴(203)으로서 미리 기억해 둔다.

조정수단(43a)에서는, 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결과(202a)의 관계나, 노광량을 보정하는 보정량과 비교결과(202a)의 관계를 미리 기억해 두고, 선폭비교수단(42a)에 의해 얻은 화상정보(200a)와 목표 레지스트패턴(203)의 비교결과(202a)에 기초하여 상술의 실시형태와 거의 같은 조정을 행한다. 또한, 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결과(202a)의 관계나, 노광량을 보정하는 보정량과 비교결과(202a)의 관계는 상술의 실시형태와 마찬가지로, 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등에 기초해서 구해서 미리 기억해 두고, 이것에 기초해서 노광량이나 가공용 패턴데이터(100)의 패턴선의 선폭의 조정을 행한다.

이러한 구성을 구비함으로써, 제2실시형태에서는 현상후에 화상인식장치(50)에 의해 얻어진 화상정보(200a)의 패턴선의 선폭과 목표 레지스트패턴(203)의 패턴선의 선폭의 비교결과(202a)에 기초하여 현상후에 목표 레지스트패턴(203)의 선폭에 레지스트패턴이 완성되도록, 가공용 패턴데이터(100)로 지정된 선폭이나 노광량의 조정을 수시로 행한다.

이상 설명한 바와 같이, 제2실시형태에서는, 현상후에 형성된 레지스트패턴이 같은 정밀도로 완성되도록 하는 것이 가능해진다.

상술의 각 실시형태에서는, 에칭후의 형성패턴이 현상후의 레지스트패턴 중 어느 하나가 목표의 정밀도로 완성되어 있는지를 확인해서 노광하는 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정하는 경우에 대해서 설명했지만, 에칭장치와 현상장치의 양쪽에 화상인식장치를 설치하도록 해서, 에칭후의 형성패턴과 목표 형성패턴의 비교결과와, 현상후의 레지스트패턴과 목표 레지스트패턴의 비교결과의 양쪽을 보고 패턴선의 선폭의 차가 크게 발생한 공정을 기준으로 해서 가공용 패턴데이터를 조정하도록 하면, 보다 적절한 조정을 행하는 것이 가능하다. 또는 양쪽의 비교결과를 가미해서 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다.

또한, 상술의 각 실시형태에서는, 에칭후의 형성패턴의 패턴선의 선폭과 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 경우나, 현상후의 레지스트패턴의 패턴선의 선폭과 목표 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 경우에 있어서, 기판을 복수의 영역으로 나누고, 각 영역마다 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계를 기억해서 보정하는 경우에 대해서 설명했지만, 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계는 전체적으로 하나의 관계를 기억하고, 각 영역마다 나타내어지는 비교결과에 대응해서 각 영역마다 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다.

또, 상술의 각 실시형태에서는 기판을 복수의 영역으로 나누어서 비교하는 경우에 대해서 설명했지만, 장소에 따라 발생하는 로컬리티가 크게 나타나지 않는 경우에는, 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계는 전체적으로 하나의 관계를 기억하고, 영역으로 나누지 않고 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다.

또, 상술의 각 실시형태에서는, 패턴의 오차를 판단하기 위한 대상은, 선폭에는 한정되지 않고, 선폭을 포함하는 패턴의 형상이어도 좋다. 즉, 목적으로 하는 패턴의 형상과 현상이나 에칭의 결과 얻어진 패턴의 현상의 차이에 기초하여, 노광량이나 패턴데이터를 보정하도록 해도 좋다.

도12는, 패턴제조시스템의 제3실시형태를 나타내는 도이며, 이 패턴제조시스템(11)에 의해 형성패턴의 일례인 회로패턴을 제조하는 경우에 대해서 설명한다. 기판상에 회로패턴을 형성하는 경우에는, 우선, 동박접착공정(A)에 있어서 기판상에 회로형성재인 동박을 접착하고, 면조정공정(B)에 있어서 접착한 동박의 상면을 기계연마나 화학연마로 면조정 처리하고, 라미네이션공정(C)에 있어서, 면조정한 동박면상에 레지스트(레지스트재)를 라미네이트한다. 다음에, 본 발명의 패턴제조시스템(11)에 의해, 기판에 도포된 레지스트를 노광하고, 노광된 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하고, 레지스트 패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭해서 형성패턴을 형성한다.

상기 패턴제조시스템(11)은, 라미네이트된 레지스트재에 패턴을 노광하는 직접 묘화형의 노광장치(노광수단)(14), 노광된 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하는 현상장치(현상수단)(15), 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭 해서 형성패턴을 형성하는 에칭장치(에칭수단)(16)를 구비하고 있다.

현상장치(15)에는 현상액의 열화를 검출할 수 있도록 열화검출수단(150)이 설치되고, 열화검출수단(150)은 노광장치(14)와 네트워크(18)로 접속되고, 검출결과(차이정보)(1200)가 열화검출수단(150)으로부터 노광장치(14)에 송신된다.

열화검출수단(150)으로서, 현상장치(5)에 레지스트 용해량을 측정하는 측정장치(측정수단)가 설치되고, 측정장치의 측정결과에 기초하여 현상액의 열화상태를 나타내는 검출결과(1200)가 얻어진다. 측정장치로서, 구체적으로는, PH법이나 중화적정법을 이용해서 측정하는 자동 분석장치나 액관리장치 등이 이용된다.

예를 들면, 중화적정법을 이용해서 레지스트 용해량의 측정을 행하는 경우는, 현상장치(15)에서 사용되고 있는 현상액(예를 들면, 탄산나트륨 수용액)의 일부를 샘플링해서 측정장치로 인출하고, 인출한 현상액에 염산을 적하시켜서 PH값의 변화를 측정하고, PH값의 변화로부터 레지스트 용해량을 산정할 수 있다. 샘플링한 현상액에 염산(HCl)을 적하시키면서 PH값을 측정하면, 예를 들면, 도13에 나타내는 중화적정 곡선을 그리고, 중화적정 곡선의 제1변곡점의 적하량(Aml)과 제2변곡점의 적하량(Bml)의 값으로부터 레지스트 용해량(S)이 얻어진다.

S=k×(B-2A)/C

단, C: 현상액의 샘플링량

k: 용해량에의 환산계수

이 측정해서 얻어진 용해량(S)으로부터 현상액의 열화를 검출할 수 있다.

노광장치(14)는 도14에 나타내듯이, CAM(17)으로부터 입력된 가공용 패턴데이터(1100)를 가공에 적합한 형식으로 변환하는 데이터변환수단(141)과, 회로패턴이 설계 대로의 완성으로 되도록 가공용 패턴데이터나 노광장치의 노광량을 보정하는 보정부(145)와, 가공용 패턴데이터(1100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(노광용 광원을 포함)(144)을 구비하고 있다. 보정부(145)는 열화검출수단(150)에 의해 얻어진 검출결과(1200)를 차이정보 취득부(140)에 의해 취득해서, 가공용 패턴데이터(1100)나 노광량을 조정하는 조정수단(143)을 구비하고 있다. 이하, 본 실시형태에서는, 보정부(145)를 노광장치(14)내에 설치한 경우에 대해서 설명하지만, 다른 컴퓨터 데이터에 보정부(145)를 구비한 보정장치(보정부)를 노광장치(14)에 접속하도록 해도 좋다.

상기 노광장치(14)로서, 레이저 등을 이용해서 레지스트로 직접 묘화하는 직접 묘화장치가 이용된다. 예를 들면, 도3에 나타내듯이, 레이저 직접 묘화장치(40)는 레이저 발생장치로부터 발사되는 레이저빔(LB)을 빔스플리터나 빔세퍼레이터를 통해 복수의 묘화용 광속(L)으로 분할하고, 분할된 광속이 일렬로 배열되는 묘화용 광속(LL)으로 되어 묘화 테이블(T)상에 도달하도록 구성되고, 묘화 테이블(T)에 세트된 기판(S)상을 주 주사방향(Y방향)과 부 주사방향(X방향)으로 묘화용 광속(LL)을 주사시켜서 기판(S)에 일렬로 배열된 도트로 묘화를 행하는 것이다. 구체적으로는, 일본 특허공개 평7-15993호공보나 일본 특허공개 평9-323180호공보에 개시되어 있다. 또는, 직접 묘화형의 노광장치로서, LCD나 DMD 등의 공간 광변조소자를 이용하는 것이어도 좋다.

이러한 레이저광을 복수의 묘화 광속으로 분해해서 도트로 묘화를 행하는 레이저 직접 묘화장치(40)를 이용하여, 기판의 동박상에 도포된 레지스트에 회로패턴의 묘화를 행하기 위해서는, 가공용 패턴데이터(1100)를 래스터데이터로 변환한 것을 묘화데이터로서 이용하고, 이 묘화데이터에 기초해서 노광제어수단(144)으로 노광이 행해진다. 또, 노광은 노광장치에 설정되어 있는 표준 노광량에 기초해서 행하지만, 필요에 따라서 노광량을 조정하는 것이 가능하다. 노광량을 조정하기 위해서는, 조정수단(143)으로 구한 노광량을 묘화데이터와는 다른 정보로서 노광제어수단(144)에 전달할 수도 있지만, 노광량을 묘화데이터의 화소를 다치로 나타내는 것으로 하고, 조정수단(143)에 의해 구한 노광량에 대응한 다치로 묘화데이터를 변환해서 노광제어 수단(144)에 전달할 수도 있다. 예를 들면, 1화소(1도트)를 255계조로 나타내는 것으로 하고, 255가 최대의 노광량을 나타내고, 수치가 작을 수록 작은 노광량을 나타내는 것으로 한다. 노광제어수단(144)에서는, 이렇게 다치(계조)로 나타내어진 묘화데이터에 기초해서 제조에 따른 노광량으로 노광을 행한다.

여기에서, 패턴제조시스템(11)을 이용해서 같은 회로패턴을 반복해서 제조하는 경우의 작용에 대해서, 도15의 플로챠트에 따라서 설명한다.

먼저, 소정의 회로패턴을 제조하기 위해서, 노광장치(14)는 CAM(7)으로부터 가공용 패턴데이터(1100)를 수신하고(S1100), 노광장치(14)에서는 수신한 거버데이터 등의 벡터데이터 형식의 가공용 패턴데이터(1100)를 데이터변환수단(141)으로 래스터데이터 형식의 가공용 패턴데이터(묘화데이터)로 변환하고(S1101), 래스터데이터 형식의 가공용 패턴데이터를 이용해서 노광제어수단(144)으로 레지스트의 노광을 행한다(S1102).

레지스트가 노광되면 현상장치(15)에 의해 현상을 행하여 불필요한 레지스트가 제거되고(포지티브형 레지스트의 경우는 노광된 레지스트가 제거되고, 네가티브형 레지스트의 경우는 노광되어 있지 않은 레지스트가 제거된다), 동박의 상면에 레지스트패턴이 형성된다(S1103). 또한, 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭장치(6)로 에칭해서 형성패턴을 형성한다(S1104).

한편, 현상장치(15)에 이용되는 현상액은, 열화검출수단(150)에 의해 예를 들면 소정의 간격으로 샘플링되고, 측정장치에 의해 레지스트 용해량이 측정된다. 이 측정결과에 기초해서 현상액의 열화의 정도가 검출되고, 이 검출결과(1200)는 네트워크(18)를 통해 측정장치로부터 노광장치(14)에 수시로 송신된다.

현상장치(15)에서 같은 현상액을 이용하여, 반복 현상하면 현상액중에 용해된 레지스트의 양은 많아져서 레지스트는 현상되기 어려워진다. 그 때문에, 본래현상되어야 할 양의 레지스트가 현상되지 않고, 완성된 레지스트패턴의 패턴선의 선폭이 가늘어진다. 레지스트패턴의 패턴선이 가늘어지면, 그 레지스트패턴을 이용해서 에칭하여 형성된 형성패턴의 패턴선의 선폭도 가늘어져, 목표로 하는 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭과는 일치하지 않게 된다.

그래서, 레지스트패턴의 패턴선이 원하는 선폭으로 완성되기 위해서는, 노광장치(14)는 검출결과(1200)를 수신하고(S1105), 수신한 검출결과(1200), 즉, 레지스트 용해량이 소정의 값 이하인 경우에는 (S1106-YES), 그대로 같은 가공용 패턴데이터(1100)를 이용해서 다음의 기판의 가공을 행해도 좋지만, 레지스트 용해량이 소정의 값 이상인 경우에는(S1106-NO), 가공용 패턴데이터(1100)를 보정해서 노광을 행할 필요가 있다.

그래서, 조정수단(143)은 레지스트 용해량에 기초해서 에칭후의 형성패턴의 선폭이 목표로 하는 선폭(목표 형성패턴의 선폭)으로 되도록 가공용 패턴데이터(1100)로 지정된 패턴선의 선폭을 조정한다(S1107).

형성패턴의 패턴선의 선폭이 원하는 선폭으로 완성되도록 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭의 보정하는 보정량(ΔW)과 레지스트 용해량(D) 사이에는 예를 들면, 도16에 나타내는 관계가 있다.

ΔW=f1(Sr)------------------(3)

Sr:레지스트 용해량

으로 나타내어진다. 이 관계는 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등으로부터 구하고, 구한 관계를 미리 노광장치(14)에 기억해두고, 조정수단(143)에서는 이것에 기초해서 선폭의 조정을 행한다.

또한, 현상후의 순환·샤워압, 반송방향, 패턴선의 소밀 등에 기인해서 형성패턴의 패턴선의 선폭이 기판의 장소에 따라 다르다는 로컬리티가 발생한다. 상기 보정량(ΔW)과 레지스트 용해량(D)의 관계에도 동일한 로컬리티가 발생한다. 그래서, 이들 로컬리티를 흡수할 수 있도록, 예를 들면, 노광장치, 현상장치, 에칭장치의 각 장치에 순차 세트해서 가공을 행하는 기판상의 영역을, 도17에 나타내는 복수의 구분(D1, D2, D3, D4)으로 분할하고, 각 구분마다 보정량(ΔW)과 레지스트 용해량(D)의 관계를 구하고, 각 구분에 있어서 가장 적절한 보정이 얻어지도록 보정량(ΔW)과 레지스트 용해량(D)의 관계를 기억해 둔다. 이 구분의 분할은 가늘게 할 수록, 장소에 대응해서 가늘게 조정을 하는 것이 가능해진다.

그래서, 노광장치(14)에서는, 측정장치(150)로부터 수신한 레지스트 용해량에 기초해서, 조정수단(143)으로 상술의 관계를 이용해서 선폭을 보정하는 양을 구한다. 예를 들면, 레지스트 용해량이 Sr1인 경우에는, 그 때의 보정량(W1)을 이용해서 조정한다(도16참조).

또, 도17에 나타내는 D1, D2, D3, D4에 대응해서 상술의 관계를 기억하고 있는 경우에는 분할한 기판상의 복수의 구분에 대응하도록 가공용 패턴데이터(1100)도 복수의 구분으로 분할하고, 각 구분마다 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭의 보정을 행한다.

이상, 형성패턴의 패턴선의 선폭이 원하는 선폭으로 되도록, 가공용 패턴데디터(1100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 경우에 대해서 설명했지만, 가공용 패턴데이터(1100)의 노광량을 조정해서 형성패턴의 패턴선의 선폭을 조정하는 것도 가능하다. 노광량을 바꾸어서 형성패턴의 패턴선의 선폭을 조정하기 위해서는, 노광량을 변화시키면 그것에 따라 어느 정도 형성패턴의 패턴선의 선폭이 변하는지를 기억해 두고 노광량의 조정을 행한다. 패턴선의 보정량(ΔW)과, 이 보정량(ΔW)만큼 선폭을 바꾸기 위한 노광량을 보정하는 보정량(ΔE) 사이에는, 예를 들면, 도18에 나타내는 관계가 있으며,

ΔW=f2(ΔE)------------------(4)

로 나타내어진다. 이 관계도, 상술의 (1)식과 마찬가지로, 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등에 기초해서 구하고, 구한 관계를 미리 노광장치(14)에 기억해 둔다. 또, 이 관계도 기판의 장소에 따라 로컬리티가 발생하기 때문에, 복수의 구분으로 나누어서 기억해 두는 것이 바람직하다.

노광량을 조정해서 형성패턴의 선폭을 조정하기 위해서는, 상술과 마찬가지로, 조정수단(143)에 의해, 먼저, 검출결과(1200)(레지스트 용해량)와, (3)식에 기초해서 선폭을 보정하는 보정량(W1)을 구한다. 또한 (4)식의 관계에 기초해서, 보정량(W1)으로부터 노광량을 보정하는 보정량(E1)을 구하고(도18 참조), 보정량(E1)으로 노광제어부(144)에 전달하는 노광량을 보정한다.

선폭의 조정을 행하는 경우와 마찬가지로 노광량의 조정도, 기판상의 구분을 복수의 구분으로 분할하고, 분할한 기판상의 복수의 구분에 대응하도록 가공용 패턴데이터(1100)를 복수의 구분으로 분할하고, 대응하는 각 구분마다 보정해서 조정한 것이 바람직하다.

이상 설명한 바와 같이, 측정장치로 계측된 레지스트 용해량이 소정의 값이상인 경우에는, 노광량 또는 가공용 패턴데이터(1100)의 선폭을 조정한 것을 이용해서 다음에 가공하는 기판의 레지스트를 노광한다(S1102).

레지스트가 노광된 기판은 현상장치(15)에 의해 불필요한 레지스트가 제거되고, 동박의 상면에 레지스트패턴이 형성된다(S1103). 레지스트패턴이 형성된 기판상의 동박은 에칭장치(16)에 의해 에칭되어서 형성패턴이 형성된다(S1104).

이하, 상술과 마찬가지로, 측정장치(150)로 계측된 레지스트 용해량이 소정의 값이하인 경우에는(S1106-YES), 조정을 행하지 않고 같은 노광량으로 같은 가공용 패턴데이터(1100)를 이용해서 다음 기판의 가공을 행하지만, 레지스트 용해량이 소정의 값이상이 되는 경우에는(S1106-NO), 가공용 패턴데이터(1100)를 다시 보정해서(S1107), 다음 기판의 가공을 행한다.

이상, 조정수단(143)에서는 소정의 값이상의 차가 있는 경우에 조정을 행하는 것으로서 설명했지만, 차가 약간이라도 있으면 조정을 행하도록 해도 좋다.

또한, 레지스트 용해량을 측정해서 가공용 패턴데이터의 패턴선을 보정하는 경우에 대해서 설명했지만, 측정장치로 샘플링한 현상액의 PH값을 측정해서 보정하도록 해도 좋다. 이 경우에는 PH값과 가공용 패턴데이터의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 구해서 미리 노광장치에 기억시키고, 이 관계에 기초해서 보정을 행한다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이, 현상액에 용해되어 있는 레지스트 용해량이나 PH값을 측정해서 현상액의 열화를 검출하고, 형성패턴이 원하는 선폭으로 되도록 레지스트 용해량에 따라 노광량이나 가공용 패턴데이터의 선폭을 조정하는 것이 가능하다.

다음에, 제4실시형태에서는, 현상처리한 레지스트의 처리면적에 기초해서 현상액의 열화를 검출하는 경우에 대해서 설명한다. 도19는, 제4실시형태의 패턴제조시스템(11a)의 실시형태를 나타내는 도이다. 제3실시형태와 동일한 구성에는 동일부호를 붙여서 상세한 설명은 생략하고, 상이한 것에 대해서만 설명한다.

본 실시형태의 패턴제조시스템(11a)은 노광장치(14a), 현상장치(15a), 에칭장치(16)를 구비하고 있다.

본 실시형태에서는, 현상장치(15a)에 열화검출수단을 설치하지 않고, 노광장치(14a)에 열화검출수단(42)을 설치한다. 또한, 노광장치(14a)에는 도21에 나타내듯이, CAM(17)으로부터 입력된 가공용 패턴데이터(1100)를 가공에 적합한 형식으로 변환하는 데이터변환수단(141)과, 열화검출수단(차이정보 취득부)(142)으로 얻어진 검출결과(차이정보)(1200a)에 기초하여 가공용 패턴데이터(1100)를 조정하는 조정수단(143a)과, 가공용 패턴데이터(1100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(144)을 구비하고 있다.

열화검출수단(142)은 노광제어수단(144)으로 레지스트를 노광한 노광면적을 누적하고, 누적된 노광면적으로부터 현상처리한 레지스트의 처리면적을 구하고, 이 처리면적에 기초하여 레지스트 용해량을 구한다. 포지티브형 레지스트의 경우는 노광된 레지스트가 현상액에 용해되고, 네가티브형 레지스트의 경우는 노광되어 있지 않은 레지스트가 현상액에 용해되기 때문에, 포지티브형 레지스트의 경우는, 누적된 노광면적이 처리면적으로 되고, 네가티브형 레지스트의 경우는, 기판상에 레지스트가 도포된 면적으로부터 노광면적을 뺀 것이 처리면적이 된다.

현상장치(15a)의 현상액에 용해된 레지스트 용해량(Sr)과 현상처리된 레지스트의 처리면적(Sd)에는 예를 들면, 도21에 나타내는 관계가 있으며,

Sr=f3(Sd)-----------(5)

로 나타내어진다. 그래서, 현상처리된 레지스트의 처리면적과 레지스트 용해량의 관계를 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등으로부터 구하고, 구한 관계를 미리 노광장치(14a)에 기억해 둔다.

조정수단(143a)은 식(5)의 관계에 기초해서 레지스트의 처리면적(Sd1)으로부터 레지스트 용해량(Sr1)을 구하고, 다시 식(3)의 관계에 기초해서 레지스트 용해량(Sr1)으로부터 패턴선의 보정을 행하는 보정량(ΔW)을 구하여 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭의 보정을 행한다.

또한, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 기판상을 복수의 구분으로 분할하고, 각 구분마다 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 레지스트 용해량의 관계를 구하고, 각 구분에 있어서 가장 적절한 보정이 얻어지도록 한 것이 바람직하다.

또한, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 노광량을 변화시키면 그것에 따라 어느 정도 형성패턴의 패턴선의 선폭이 변하는지를 노광장치(14a)에 기억시켜 두고, 노광제어부(144)에 전달하는 노광량을 보정해서 형성패턴의 패턴선이 완성되는 선폭을 조정해도 좋다. 이 관계도 장치에 의존해서 로컬리티가 발생하기 때문에, 복수의 구분으로 나누어서 기억해 두는 것이 바람직하다.

또한, 현상장치와 노광장치를 네트워크로 접속하고, 현상액을 교환한 경우에는 노광장치로부터 현상액의 교환을 수신해서, 누적된 레지스트의 처리면적을 클리어하도록 구성한 것이 바람직하다. 또는 필요에 따라서, 노광장치의 조작패널 등으로부터 수동으로 입력하는 것에 의해 현상한 레지스트의 처리면적을 클리어하도록 해도 좋다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이 현상하는 레지스트의 처리면적으로부터 현상액의 열화를 검출하고, 현상후에 완성되는 레지스트패턴이 원하는 선폭으로 되도록, 현상하는 레지스트의 처리면적에 따라서 노광량이나 가공용 패턴데이터의 선폭을 조정하여 최종적으로 에칭후에 형성되는 형성패턴을 항상 균일한 완성으로 하는 것이 가능하다.

다음에, 제5실시형태는 현상처리한 레지스트의 처리면적을 현상장치로 얻어 현상액의 열화를 검출하는 경우에 대해서 설명한다. 도22는, 제5실시형태의 패턴제조시스템(11b)의 실시형태를 나타내는 도이다. 상술의 실시형태와 동일한 구성에는 동일부호를 붙여서 상세한 설명은 생략하고, 상이한 것에 대해서만 설명한다.

본 실시형태의 패턴제조시스템(11b)은 노광장치(14b), 현상장치(15b), 에칭장치(16)를 구비하고 있다.

또한, 본 실시형태의 현상장치(15b)는 현상액의 열화를 검출하는 열화검출수단(151)이 설치된다. 열화검출수단(151)은 노광장치(14b)와 네트워크(18)로 접속되어 검출결과(1200b)가 열화검출수단(151)으로부터 노광장치(14b)에 송신된다.

열화검출수단(151)은, 예를 들면, 현상장치(15b)를 현상하는 기판의 매수를카운트할 수 있도록 구성하고, 1매당의 레지스트를 현상하는 처리면적과 기판의 매수로부터 현상 처리한 레지스트의 처리면적을 구해서 검출결과(차이정보)(1200b)로 한다.

또한, 노광장치(14b)는 도23에 나타내듯이, CAM(17)으로부터 입력된 가공용 패턴데이터(1100)를 가공에 적합한 형식으로 변환하는 데이터변환수단(141)과, 열화검출수단(151)으로 얻어진 처리면적을 차이정보 취득부(146a)에 의해 취득해서 가공용 패턴데이터(1100)를 조정하는 조정수단(143a)과, 가공용 패턴데이터(1100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(144)을 구비하고 있다.

그래서, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 현상처리한 레지스트의 처리면적과 레지스트 용해량의 관계를 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등으로부터 구하고, 구한 관계를 미리 노광장치(14b)에 기억시켜 둔다. 조정수단(143a)은 상술의 실시형태와 마찬가지로, 이 관계와 열화검출수단(151)으로부터 수신한 현상처리한 레지스트의 처리면적으로부터 레지스트의 용해량을 구하고, 다시 레지스트의 용해량으로부터 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량을 구하여, 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭의 조정을 행한다.

또한, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 노광량을 변화시키면 그것에 따라 어느 정도 패턴선의 선폭이 바뀌는지를 노광장치(14b)에 기억시켜 두고, 노광제어부(144)에 전달하는 노광량을 보정해서 형성패턴의 패턴선의 완성되는 선폭을 조정해도 좋다. 이 관계도 장치에 의존해서 로컬리티가 발생하기 때문에, 복수의 구분으로 나누어 기억시켜 두는 것이 바람직하다.

또, 상술의 실시형태와 마찬가지로 현상장치와 노광장치를 네트워크로 접속하고, 현상액을 교환한 경우에는 노광장치로부터 현상액의 교환을 수신해서 레지스트의 처리면적을 클리어하도록 구성한 것이 바람직하다. 또는, 필요에 따라, 노광장치의 조작패널 등으로부터 수동 입력으로 현상한 레지스트의 처리면적을 클리어하도록 해도 좋다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이, 현상하는 레지스트의 처리면적으로부터 현상액의 열화를 검출하고, 형성패턴이 원하는 선폭이 되도록 현상하는 레지스트의 처리면적에 따라서 가공용 패턴데이터의 선폭이나 노광량을 조정하고, 최종적으로 에칭후에 형성되는 형성패턴을 항상 같은 완성으로 하는 것이 가능하다.

다음에, 제6실시형태는, 에칭액의 열화를 검출해서 에칭후의 형성패턴의 패턴선이 일정한 선폭이 되도록 조정을 행하는 경우에 대해서 설명한다. 도24는, 제6실시형태의 패턴제조시스템(11c)의 실시형태를 나타내는 도이다. 상술의 실시형태와 동일한 구성에는 동일부호를 붙여서 상세한 설명은 생략하고, 상이한 것에 대해서만 설명한다.

본 실시형태의 패턴제조시스템(11c)은 노광장치(14c), 현상장치(15a), 에칭장치(16c)를 구비하고 있다.

본 실시형태에서는, 에칭장치(16c)에 에칭액의 열화를 검출하는 열화검출수단(160)이 설치된다. 열화검출수단(160)은 노광장치(14c)와 네트워크(18)로 접속되어 검출결과(1200c)가 열화검출수단(160)으로부터 노광장치(14)에 송신된다.

열화검출수단(160)으로서, 예를 들면, 에칭장치(16c)에 에칭액의 PH값을 측정하는 측정장치(측정수단)를 설치하고, 에칭액을 샘플링해서 측정한 PH값을 검출결과(1200c)로서 얻는다.

또한, 노광장치(14c)는, 도25에 나타내듯이, CAM(17)으로부터 입력된 가공용 패턴데이터(1100)를 가공에 적합한 형식으로 변환하는 데이터변환수단(141)과, 열화검출수단(160)으로 얻어진 에칭액의 PH값(차이정보)을 차이정보 취득수단(146c)으로부터 취득해서 가공용 패턴데이터(1100)를 조정하는 조정수단(143c)과, 가공용 패턴데이터(1100)에 따라서 노광을 행하는 노광제어수단(144)을 구비하고 있다.

그래서, 본 실시형태에서는 에칭액의 PH값과 가공용 패턴데이터(1100)의 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과로부터 구하고, 구한 관계를 미리 노광장치(14c)에 기억시켜 둔다. 조정수단(143c)은 이 관계와 에칭장치(16c)의 열화검출수단(160)으로부터 수신한 에칭액의 PH값에 기초해서 가공용 패턴데이터(1100)로 지정된 패턴선의 선폭의 조정을 행한다.

또한, 에칭액의 순환, 샤워압, 반송방향, 패턴선의 소밀 등에 기인해서 에칭후의 형성패턴의 패턴선의 선폭이 기판의 장소에 따라 다르다는 로컬리티가 발생하고, 보정량과 에칭액의 PH값의 관계에도, 같은 로컬리티가 발생한다. 그래서, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 기판상을 복수의 구분으로 분할하고, 각 구분마다 보정량과 에칭액의 PH값의 관계를 구하고, 각 구분에 있어서 가장 적절한 보정이 얻어지도록 한 것이 바람직하다.

또한, 상술의 실시형태와 마찬가지로, 노광량을 변화시키면 그것에 따라 어느 정도 형성패턴의 패턴선의 선폭이 변하는지를 노광장치(14c)에 기억시켜 두고, 노광제어부(144)에 전달하는 노광량을 보정해서 레지스트패턴의 패턴선이 완성되는 선폭을 조정해도 좋다. 이 관계도 장치에 의존해서 로컬리티가 발생하기 때문에 복수의 구분으로 나누어서 기억해 두는 것이 바람직하다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이, 에칭액의 PH값으로부터 에칭액의 열화를 검출하고, 에칭후에 완성된 형성패턴이 원하는 선폭이 되도록 에칭액의 PH값에 따라서 가공용 패턴데이터의 선폭이나 노광량을 조정하고, 형성패턴을 항상 같은 완성으로 하는 것이 가능하다.

또한, 현상액의 열화 또는 에칭액의 열화 중 어느 하나를 검출하여, 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭 또는 노광량의 조정을 행했지만, 현상액의 열화와 에칭액의 열화의 양쪽의 열화를 검출하여, 양쪽의 검출결과로부터 형성패턴의 선폭을 목표 형성패턴의 선폭으로 완성하기 위해서 가공용 패턴데이터의 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정하기 위한 보정량을, 실험을 행해서 얻어진 결과나 실제로 제조해서 얻어진 결과 등으로부터 구해서 기억해 두도록 해도 좋다.

또, 기판상의 영역을 복수의 구분으로 나누어서 비교하는 경우에 대해서 설명했지만, 장소에 따른 로컬리티가 크게 나타나지 않는 경우에는, 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계는 전체적으로 하나의 관계를 기억하여, 구분으로 나누지 않고 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다.

또한, 상술의 실시형태에 있어서, 에칭장치(6)에 CCD카메라를 이용한 광학식 검사기(AOI) 등의 화상인식장치를 설치하고, 동박을 에칭해서 형성된 형성패턴을 스캔한 화상정보를 얻고, 형성패턴의 완성을 확인할 수 있도록 구성하면, 육안으로 완성 정밀도를 확인할 수 있게 된다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이, 선폭, 즉 패턴의 형상에 영향을 미치는 요인이 되는 현상액의 상태나 에칭액의 상태에 기초하여, 노광량이나 가공용 패턴데이터의 조정이 가능하다.

또한, 현상이나 에칭의 회수에 기초하여, 각각 현상액이나 에칭액의 상태를 검출 또는 예상할 수 있다. 또, 현상이나 에칭의 회수와 기판 사이즈에 기초하여 노광량이나 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다.

또한, 노광회수에 기초해서 현상 또는 에칭후의 패턴형상에 발생하는 오차를 예상하고, 그것에 기초하여 노광량이나 가공용 패턴데이터를 조정하도록 해도 좋다. 이 경우, 노광회수로부터 현상액이나 에칭액의 상태를 예상할 수도 있다.

또한, 노광회수에 기초한 노광량이나 가공용 패턴데이터의 조정과, 패턴의 화상정보에 기초한 조정을 교대로 행해도 좋다. 예를 들면, 노광회수에 기초한 조정을 소정 회수 행할 때마다, 화상정보에 기초한 조정을 행하도록 해도 좋다. 이 경우, 노광회수에 기초한 조정과 화상정보에 기초한 조정을 전환하는 수단을 노광장치에 설치해도 좋다.

또, 상술의 각 실시형태에서는 동박을 에칭하는 경우에 대해서 설명했지만, 에칭의 대상은 동박에 한정되지 않고, 액정표시장치의 반사막을 형성하기 위한 알루미늄 등의 각종 금속이나, ITO 등의 금속산화물이나 반도체 등이어도 좋다.

또, 본 실시형태에서는, 레지스트패턴 및 형성패턴의 형성의 오차나 그 요인에 기초하여, 묘화데이터나 노광량을 보정하고 있지만, 이 오차의 요인이 처리개시로부터의 경과시간이나 현상액이나 에칭액이 세트되고 난 후의 경과시간이어도 좋다. 또, 오차의 요인이 현상액이나 에칭액의 색이나 점도 등의 액의 열화상태를 나타내는 정보이어도 좋다.

또한, 묘화데이터의 노광량의 보정은, 기판에 대한 노광, 현상, 및 에칭 중 어느 하나가 소정 회수 행해질 때마다 실행되도록 해도 좋다.

또, 기판을 제조할 때, 에칭을 필요로 하지 않는 방법을 채용하는 경우라도, 현상후의 레지스트패턴의 오차 및 그 요인에 기초하여, 묘화데이터나 노광량을 보정할 수 있다.

또, 상술의 각 실시형태에서는, 회로패턴에 대해서 설명했지만, 유리기판에 착색감광재나 레지스트재를 도포해서 컬러필터의 제조를 행하는 컬러필터 제조장치에 있어서도, 마찬가지로 현상후나 에칭후에 형성된 패턴의 편차가 없어지도록 조정하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 플라즈마 디스플레이, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등의 컬러필터제조에 대응하는 것이 가능하다.

또한, 실리콘 웨이퍼에 레지스트를 도포해서 반도체의 제조를 행하는 반도체제조장치에 있어서도 마찬가지로 조정하는 것이 가능하다.

이상, 상세하게 설명한 바와 같이, 에칭액의 열화나 현상액의 열화에 따라서 수시로 가공용 패턴데이터를 조정함으로써, 보다 정밀도가 높은 완성을 유지하는 것이 가능하게 된다.

본 발명의 패턴제조시스템에 따르면, 에칭후의 형성패턴을 스캔해서 얻은 화상정보와 본래 형성후에 필요로 하는 에칭후의 목표 형성패턴을 비교하여, 비교한 결과에 본래 필요로 하는 목표 형성패턴의 정밀도가 얻어지지 않는 경우에는, 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정하고, 조정한 선폭이나 노광량을 이용해서 직접 묘화형의 노광장치로 레지스트에 직접 묘화해서 노광하기 때문에, 현상액이나 에칭액의 열화 등에 의한 완성의 편차를 없앨 수 있다.

또한, 종래 행해져 온 필름 또는 유리 원판에 그린 마스크패턴을 이용해서 레지스트를 노광하는 경우에는, 이러한 편차에 대응하기 위해서 매번 마스크패턴을 다시 제작할 필요가 있어 가격이 높아지지만, 직접 묘화형의 노광장치를 이용해서 패턴선의 선폭이나 노광량을 수시로 바꾸는 것에 의해, 비용상승을 초래하지 않고 항상 완성이 균일하게 되도록 조정할 수 있다.

또는, 현상후의 레지스트패턴을 스캔해서 얻은 화상정보와 현상후에 본래 필요로 하는 목표 레지스트패턴을 비교하도록 하면, 현상공정까지 발생하는 완성의 편차를 파악할 수 있어, 현상공정까지의 편차를 조정할 수 있다.

또한, 에칭공정과 현상공정의 양 공정에서 발생하는 완성의 편차를 검출할수 있도록 하면, 편차가 발생한 공정에 대응해서 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정하는 것이 가능해져, 보다 적절한 보정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결의 관계로서 실측해서 얻은 것을 기억해 두도록 하면, 각 제조장치에 대응한 보정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결의 관계를 복수의 구분으로 나누어서 기억해 둔 경우에는, 제조장치가 갖는 로컬리티에 의한 완성의 편차를 없애도록 보정할 수 있기 때문에, 보다 정확하며 균일한 완성으로 할 수 있게 된다.

또, 노광량을 보정하는 보정량과 비교에 의해 얻어진 차분 등의 비교결의 관계로서 실측해서 얻은 것을 기억해 둠으로써, 각 제조장치에 대응한 보정을 노광량을 조정함으로써도 가능하게 된다.

또한, 현상액이나 에칭액의 열화를 검출하고, 검출결과에 기초하여, 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭이나 노광량을 조정하고, 조정한 선폭이나 노광량을 이용해서 직접 묘화형의 노광장치로 레지스트에 직접 묘화해서 노광하기 때문에, 현상액이나 에칭액의 열화 등에 의한 완성의 편차를 없앨 수 있다.

또한, 현상처리한 레지스트의 면적으로부터 현상액의 열화를 간접적으로 검출하도록 하면, 현상액의 열화를 직접 검출하는 검출장치를 설치하지 않아도, 노광장치로 노광한 면적이나 가공한 기판의 매수로부터 열화상태를 파악하는 것이 가능하다.

또, 현상액의 PH값이나 에칭액의 PH값을 측정함으로써, 현상액의 열화나 에칭액의 열화를 검출하는 것이 가능하다.

또한, 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 검출결의 관계로서 실측해서 얻은 것을 기억해 두도록 하면, 각 제조장치에 대응한 보정을 행하는 것이 가능하게 된다.

Claims

목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에 기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화노광하는 노광부;

노광된 상기 레지스트를 현상해서 레지스트패턴을 형성하는 현상부;

상기 피에칭재를 에칭해서 형성패턴을 형성하는 에칭부; 및

상기 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 상기 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 어느 하나 또는 어느 것의 조합에 기초하여, 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제1항에 있어서, 상기 보정부가, 에칭후의 상기 형성패턴을 스캔해서 화상정보를 얻는 화상인식수단;

상기 화상정보의 패턴선의 선폭과 상기 목표 형성패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 선폭비교수단; 및

상기 선폭비교수단에 의한 비교결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제1항에 있어서, 상기 보정부가, 현상후의 상기 레지스트패턴을 스캔해서 화상정보를 얻는 화상인식수단;

상기 화상정보의 패턴의 선폭과 목표 레지스트패턴의 패턴선의 선폭을 비교하는 선폭비교수단; 및

상기 선폭비교수단에 의한 비교결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량과 비교결과의 관계를 미리 기억하고, 그 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 비교결과에 대응하는 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 선폭비교수단이, 상기 목표 형성패턴을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 비교결과를 얻는 것이며,

상기 조정수단이, 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 보정량과 비교결의 관계를 상기 구분마다 미리 기억하고, 상기 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 각 구분마다의 비교결과에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터로 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량과 비교결의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초하여 상기 선폭비교수단에 의해 얻어진 비교결과에 대응하는 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제1항에 있어서, 상기 보정부가, 상기 현상부에서 이용하는 현상액의 열화를 검출하는 열화검출수단; 및

상기 열화검출수단에 의한 검출결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항에 있어서, 상기 열화검출수단이, 상기 현상부에서 이용하는 현상액에 용해된 레지스트 용해량을 측정하는 측정수단을 가지며, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 현상액의 열화를 검출하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항에 있어서, 상기 열화검출수단이, 상기 현상부로 현상처리한 기판의 처리면적에 기초하여 현상액의 열화를 검출하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항에 있어서, 상기 열화검출수단이, 상기 현상부에서 이용하는 현상액의 PH값을 측정하는 측정수단을 갖고, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 현상액의 열화를 검출하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를, 상기 기판을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 현상부에서 이용되는 현상액의 열화와 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량의 관계를미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제1항에 있어서, 상기 보정부가, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화를 검출하는 열화검출수단; 및

상기 열화검출수단에 의한 검출결과에 기초하여, 상기 소정의 노광량 및 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭 중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제14항에 있어서, 상기 열화검출수단이, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 PH값을 측정하는 측정수단을 갖고, 상기 측정수단의 측정결과에 기초해서 에칭액의 열화를 검출하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 그 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 패턴선의 선폭을 보정하는 보정량의 관계를 상기 기판을 복수의 구분으로 나눈 각 구분마다 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응하는 상기 각 구분마다의 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 가공용 패턴데이터에 의해 지정된 패턴선의 선폭을 각 구분마다 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 조정수단이, 상기 에칭부에서 이용되는 에칭액의 열화와 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정량의 관계를 미리 기억하고, 상기 관계에 기초해서 상기 열화검출수단이 검출한 검출결과에 따른 열화에 대응한 보정량을 구하고, 상기 보정량을 이용해서 상기 소정의 노광량을 조정하는 것임을 특징으로 하는 패턴제조시스템.
현상 및 에칭을 거쳐서 목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에 기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화 노광하는 노광부;

현상후의 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 에칭후의 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 하나이상을 포함하는 차이정보를 취득하는 차이정보 취득부; 및

상기 차이정보에 기초해서 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제20항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가 상기 화상정보를 취득하는 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 상기 현상액 및/또는 상기 에칭액의 상태에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제22항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 현상액 및/또는 에칭액의 상태를 검출하는 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제22항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 검출하는 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수와, 상기 기판의 사이즈에 기초해서 검출하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수와, 상기 기판면상의 상기 현상 및/또는 상기 에칭을 실시하는 면적에 기초해서 검출하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제25항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 상기 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수를 상기 노광의 회수에 기초하여 구하는 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가 상기 노광의 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 제1취득유닛; 및

상기 노광 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 제2취득유닛을 가지며,

상기 제1유닛과 제2유닛을 전환하는 전환유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제30항에 있어서, 상기 전환유닛이, 제1취득유닛에 의한 상기 차이정보의 취득과 제2취득유닛에 의한 상기 차이정보의 취득을 소정 회수 행할 때마다 전환하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 보정부가 상기 기판면을 따라 분할된 분할영역마다 상기 보정을 행하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
제19항에 있어서, 상기 차이정보 취득부가 상기 기판면의 일부에 대하여 상기 차이정보의 취득을 행하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
현상 및 에칭을 거쳐서 목표 형성패턴을 형성하기 위한 가공용 패턴데이터에기초하여, 기판에 부착시킨 피에칭재상의 레지스트에 소정의 노광량으로 직접 묘화 노광을 행하는 방법으로서,

상기 레지스트패턴의 형상과 목표 레지스트패턴의 형상의 차이, 상기 형성패턴의 형상과 상기 목표 형성패턴의 형상의 차이, 상기 차이의 요인이 되는 성분 중 하나이상을 포함하는 차이정보를 취득하고,

상기 차이정보에 기초해서 상기 가공용 패턴데이터 및/또는 상기 소정의 노광량을 보정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제34항에 있어서, 상기 레지스트패턴의 화상정보와 상기 목표 레지스트패턴의 형상의 비교 및/또는 상기 형성패턴의 화상정보와 상기 목표 형성패턴의 형상의 비교에 의해 상기 차이정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제34항에 있어서, 상기 현상액 및/또는 상기 에칭액의 상태에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제34항에 있어서, 같은 현상액을 이용해서 현상을 행한 회수 및/또는 같은 에칭액을 이용해서 에칭을 행한 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제34항에 있어서, 상기 노광의 회수에 기초해서 상기 차이정보를 취득하는것을 특징으로 하는 노광방법.