KR20050013939A - 탄성 표면파 장치, 통신기 - Google Patents

탄성 표면파 장치, 통신기

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KR20050013939A KR1020040058307A KR20040058307A KR20050013939A KR 20050013939 A KR20050013939 A KR 20050013939A KR 1020040058307 A KR1020040058307 A KR 1020040058307A KR 20040058307 A KR20040058307 A KR 20040058307A KR 20050013939 A KR20050013939 A KR 20050013939A
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Abstract

본 발명은 협대역화를 도모하면서, 삽입손실의 증가를 억제할 수 있는 탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 1단자쌍 탄성 표면파 공진자인, 각 직렬 공진자(11a, 1lb, 11c) 및 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12c, 12d)를 사다리형으로 배치한다. 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12c, 12d)의 각 반공진 주파수보다, 각 직렬 공진자(11a, 1lb, 11c) 중, 예를 들면 통과대역을 형성하는 각 직렬 공진자(11a, 1lb)의 공진 주파수를 낮게 설정한다. 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12c, 12d)와 각 직렬 공진자(11a, 11b)로 형성되는 유도성 영역에, 직렬 공진자(11c)의 용량성 영역을 설정한다.

Description

탄성 표면파 장치, 통신기{Surface acoustic wave device and communication apparatus}
본 발명은 통과대역이 협대역화된 통신기 등에 적합하게 사용되는 필터로서 이용되는 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 1단자쌍 탄성 표면파 공진자를, 복수, 사다리형으로 사용하여 이루어지는 탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신기에 관한 것이다.
종래, 휴대전화 등의 소형 통신기에 사용되는 대역 필터로서의 탄성 표면파 장치의 설계 방법으로서, 1단자쌍 탄성 표면파 공진자를, 직렬암(series arms)과, 병렬암(parallel arms)으로 번갈아 배치되어 이루어지는, 사다리형의 밴드패스 필터가 특허문헌 1에 개시되어 있다.
특허문헌 1에 나타난 구성의 사다리형 필터는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제1의 1단자쌍 탄성 표면파 공진자를 직렬로, 제2의 1단자쌍 탄성 표면파 공진자를 병렬로 접속하고, 도 16에 나타내는 바와 같이, 병렬 공진자(52a, 52b, 52c, 52d)의 반공진 주파수(fap)와 직렬 공진자(51a, 5lb, 51c)의 공진 주파수(frs)를 실질적으로 일치시킴으로써, 저손실이며 또한 광대역이라는 필터로서 사용하는 데 매우 양호한 특성을 얻을 수 있기 때문에, 주로 통신기용 필터 등에 폭넓게 이용되어 왔다.
또한, 특허문헌 1에서는, 병렬 공진자(52a, 52b, 52c, 52d)의 반공진 주파수(fap)보다 직렬 공진자(51a, 5lb, 51c)의 공진 주파수(frs)를 높게 설정함으로써 넓은 통과대역폭을 얻을 수 있다고 기재되어 있다.
그러나, 필터 특성으로서는 일반적으로 광대역화하면 좋다고 하는 것은 아니며, 사양(仕樣;specification)에 따른 대역폭으로 해야만 한다.
도 17 및 도 18에 나타내는 바와 같이, 최근, GPS용이나 TDS－CDMA용으로서, 좁은 통과대역폭의 필터 특성을 필요로 하는 경우가 생겨 왔다. 그 외에도, 좁은 통과대역폭을 갖는 것으로서는, PHS용이나 PDC용 등을 들 수 있다. 이들, GPS용, TDS－CDMA용, PHS용, PDC용의 통과대역을 비대역폭으로 나타내면, 각각 0.2%, 0.7%, 1.8%, 1.7%가 된다. 비대역폭이란, 통과대역폭을 그 중심 주파수로 나눈 비율을 나타낸다. 그 밖에 종래 있는 사양으로서는, PCS용, DCS용, WCDMA용 등이 있는데, 비대역폭으로 나타내면 각각, 3.1%, 4.1%, 2.8%가 된다.
후자의 그룹은 광대역화가 요구되기 때문에 특허문헌 1의 설계 방법을 사용하는 것이 바람직하지만, 전자의 그룹은 반대로 협대역화가 요구되기 때문에, 종래의 설계 방법은 바람직하지 않다. 따라서, 전자의 그룹, 구체적으로는 비대역폭이 2.5%이하의 사양에 대해서, 효과적인 설계 방법이 지금까지 존재하지 않았다.
이들 협대역 사양에 맞춘 대역폭으로 설정하기 위해서는, 압전 기판의 종류를 변경하거나, 또한 압전 기판 등의 막두께를 얇게 함으로써 어느 정도는 조정할 수 있으나, 종래의 설계 방법을 사용하는 한에서는 한계가 있어 곤란하다. 특히, 통과대역폭의 중심 주파수가 1.5GHz를 넘는 고주파 필터에서는, 주파수가 높기 때문에 막두께가 원래 얇지만, 협대역 특성을 얻고자 해서, 막두께를 더욱 얇게 하면 오믹 손실(ohmic loss)의 증대로 이어져서 좋지 않다. 따라서, 막두께를 어느 정도 두껍게 한 채 협대역 특성을 얻는 것이 필요해진다.
특허문헌 2에 그 해결방법의 하나가 기재되어 있다. 즉 전극지(electrode fingers)의 수를 줄여서 공진 주파수와 반공진 주파수의 주파수 간격을 좁게 함으로써, 통과대역폭의 감소가 도모된다.
또한, 특허문헌 3에 있어서는, 각 단간에 부정합 손실을 억제하는 용량성 소자 또는 유도성 소자를 형성함으로써 통과대역 저역측에 있어서의 삽입손실의 증가를 억제할 수 있는 기술이 개시되어 있다.
한편, 특허문헌 4에는, 하나의 직렬 공진자의 반공진 주파수를 병렬 공진자의 공진 주파수보다도 낮게 함으로써, 통과대역의 저역측의 감쇠량을 크게 할 수 있는 기술이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 5에는, 직렬암에, 적어도 하나가 공진 주파수가 다른 공진자를 포함하는 탄성 표면파 공진자를 복수개 직렬 접속함과 아울러, 병렬암에, 적어도 하나가 공진 주파수가 다른 공진자를 포함하는 탄성 표면파 공진자를 복수개 병렬 접속하여 구성함으로써, 통과대역을 감소하는 기술이 개시되어 있다.
[특허문헌 1]
일본국 특허공개 평5-183380호 공보(공개일:1993년 7월 23일）
[특허문헌 2]
일본국 특허공개 평11-163664호 공보(공개일:1999년 6월 18일）
[특허문헌 3]
일본국 특허공개 평10-13187호 공보(공개일:1998년 1월 16일）
[특허문헌 4]
일본국 특허공개 2002-232264호 공보(공개일:2002년 8월 16일）
[특허문헌 5]
일본국 특허공개 평11-312951호 공보(공개일:1999년 11월 9일）
그러나, 상기 특허문헌 1의 기재에 의거하는 협대역화에서는, 삽입손실의 증대화를 초래한다고 하는 문제를 발생시키고 있다.
즉, 특허문헌 1에 따르면, 병렬 공진자(52a, 52b, 52c, 52d)의 반공진 주파수(fap)보다 직렬 공진자(51a, 5lb, 51c)의 공진 주파수(frs)를 높게 설정함으로써 넓은 통과대역폭을 얻을 수 있다고 기재되어 있다. 이 기재로부터, 반대로, 도 19에 나타내는 바와 같이, 병렬 공진자(52a, 52b, 52c, 52d)의 반공진 주파수(fap)보다 직렬 공진자(51a, 5lb, 51c)의 공진 주파수(frs)를 낮게 설정하는 것이 고려되었으나, 그것은 이상적인 협대역화로는 되지 않는 것을 알 수 있었다.
도 20에, fap≒frs로 실질적으로 일치시켰을 때, 또한 fap〉frs로 했을 때의 전송 특성의 비교 결과를 나타내었다. 도 20으로부터, fap〉frs로 했을 때에는 통과대역 전체의 삽입손실이 크게 악화되고 있는 것으로부터, 단순히 병렬 공진자(52a, 52b, 52c, 52d)의 반공진 주파수(fap)보다 직렬 공진자(51a, 5lb, 51c)의 공진 주파수(frs)를 낮게 한 것만으로는 삽입손실을 유지한 채 통과대역폭을 좁게 할 수 없다는 것을 알 수 있다.
한편, 특허문헌 2에서는, 전극지의 수를 줄임으로써 통과대역폭의 감소가 도모된다. 그러나, 공진 주파수와 반공진 주파수의 주파수 간격을 좁게 하면 할수록, 반공진점의 임피던스가 작아져서 Q가 악화된다. 이에 따라, 통과대역폭은 감소하지만 삽입손실이 악화된다고 하는 단점이 발생한다.
또한, 특허문헌 3에 있어서는, 각 단간에 부정합 손실을 억제하는 용량성 소자 또는 유도성 소자를 형성하는 구성이 개시되어 있다. 그러나, 이것은 통과대역폭을 좁게 할 수 있는 기술이 아니다. 따라서, 본 발명과는 발명의 구성도 주지도 다르다.
또한, 특허문헌 4에서는, 직렬 공진자의 반공진 주파수를 병렬 공진자의 공진 주파수보다도 낮게 하는 구성이 개시되어 있다. 그러나, 이것은 통과대역폭을 좁게 할 수 있는 기술이 아니다. 또한, 본 발명과 같이 병렬 공진자의 반공진 주파수보다 직렬 공진자의 공진 주파수를 낮게 하는 것이 아니라, 실질적으로 일치시킨 후에, 통과대역 저역측의 감쇠량을 크게 할 수 있는 기술이다. 따라서, 본 발명과는 발명의 구성도 주지도 다르다.
또한, 특허문헌 5에 있어서는, 직렬암과, 병렬암에, 적어도 하나가 각각 공진 주파수가 다른 공진자를 포함하는 탄성 표면파 공진자를 복수개 접속하는 구성이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 5는, 병렬 공진자의 반공진점과 직렬 공진자의 공진점을 실질적으로 일치시킨 후에, 공진 주파수와 반공진 주파수의 Δf를 작게 하여, 통과대역폭을 좁게 하는 것이며, 바텀(bottom) 특성이 악화되거나, 통과대역 근방에 큰 리플(ripple)이 발생한다고 하는 문제를 갖고 있다.
본 발명의 목적은 병렬 공진자군(群)의 반공진 주파수보다 직렬 공진자군의 공진 주파수를 낮게 하고, 또한 일부의 직렬 공진자 또는 병렬 공진자의 공진 또는 반공진 주파수를 소정 범위에 배치함으로써, 압전 기판이나 막두께의 대폭적인 변경을 회피하고, 종래에 비하여 대역내 리플이 작고 삽입손실이 양호하며, 또한 V.S.W.R. 특성이 좋은 좁은 통과대역폭을 실현한 탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신기를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치를 나타내는 것으로, 도 1a는 블록도, 도 1b는 상기 탄성 표면파 장치에 사용한 각 공진자의 각 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 상기 탄성 표면파 장치의 개략 평면도이다.
도 3은 상기 탄성 표면파 장치에 사용하는 공진자에 있어서의, 용량성 영역 및 유도성 영역을 나타내기 위한 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 상기 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 상기 제 1 실시형태에 따른, 탄성 표면파 장치의 V.S.W.R. 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 각 공진자의 각 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 상기 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 상기 제 2 실시형태에 따른, 탄성 표면파 장치의 V.S.W.R. 특성을 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 각 공진자의 각 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 10은 상기 제 3 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11은 상기 제 3 실시형태에 따른, 탄성 표면파 장치의 V.S.W.R. 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 각 공진자의 각 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 13은 상기 제 4 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 14는 상기 제 4 실시형태에 따른, 탄성 표면파 장치의 V.S.W.R. 특성을 나타내는 그래프이다.
도 15는 종래의 탄성 표면파 장치의 블록도이다.
도 16은 종래의 탄성 표면파 장치에 있어서의 각 공진자의 각 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 17은 GPS용의 주파수 대역을 나타내는 그래프이다.
도 18은 TDS－CDMA용의 주파수 대역을 나타내는 그래프이다.
도 19는 종래의 탄성 표면파 장치에 있어서의 각 공진자의 각 임피던스 특성의 다른 예를 나타내는 그래프이다.
도 20은 상기 도 16 및 도 19의 각 임피던스 특성에 따른 각 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
11a, 1lb, 11c : 직렬 공진자(1단자쌍 탄성 표면파 공진자)
12a, 12b, 12c, 12d : 병렬 공진자(1단자쌍 탄성 표면파 공진자)
본 발명의 탄성 표면파 장치는, 이상의 과제를 해결하기 위하여, 직렬측 탄성 표면파 공진자와, 병렬측 탄성 표면파 공진자를 사다리형으로 배치하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있음과 아울러, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자로 형성되는 유도성 영역에, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파공진자 또는 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 용량성 영역이 배치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있으므로, 협대역화할 수 있다.
또한, 상기 구성은, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자로 형성되는 유도성 영역에, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 용량성 영역이 배치되어 있기 때문에, 삽입손실의 증가를 억제하는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 탄성 표면파 장치는, 이상의 과제를 해결하기 위하여, 직렬측 탄성 표면파 공진자와, 병렬측 탄성 표면파 공진자를 사다리형으로 배치하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있음과 아울러, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 사이에 용량성 영역이 배치된, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파공진자를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있으므로, 협대역화할 수 있다.
또한, 상기 구성은, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 사이에 용량성 영역이 배치된, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파 공진자를 갖기 때문에, 삽입손실의 증가를 억제하는 것이 가능해진다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에 있어서는, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에 있어서는, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에 있어서는, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있음과 아울러, 다른 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에 있어서는, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러, 다른 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치에 있어서는, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있어도 좋다.
본 발명에 따른 통신기는, 전술한 과제를 해결하기 위하여, 상기의 어딘가에 기재된 탄성 표면파 장치를 갖는 것을 특징으로 하고 있다. 상기 구성에 따르면, 협대역화를 도모하면서, 삽입손실의 열화를 회피할 수 있는 탄성 표면파 장치를 갖고 있기 때문에, 통과대역에 대하여 협대역화가 요구되고 있는 통신기의 통신 특성을 향상할 수 있다.
<발명의 실시형태>
본 발명의 각 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 14에 의거하여 설명하면, 이하와 같다.
(제 1 실시형태)
본 발명에 따른 제 1 실시형태로서, 사다리형 필터를 적용한 중심 주파수가 2017.5MHz대의 TDS－CDMA용 필터에 대하여 나타낸다. 도 2에, 제 1 실시형태의 탄성 표면파 장치에 있어서의, 압전 기판(30)상에 있어서의, 필터로서의 각 1단자쌍 탄성 표면파 공진자의 각 전극의 개략 평면도를 나타낸다. 상기 탄성 표면파 장치의 회로 구성은 도 1a에 나타내는 바와 같이, 도 15와 동일하다.
제 1 실시형태에서는, 36°Ycut X전파 LiTaO3로 이루어지는, 칩형상의 압전 기판(30)상에, 서로 직렬로 접속된 복수의, 예를 들면 3개의 각 1단자쌍 탄성 표면파 공진자(이하, 각 직렬 공진자라고 기재함)(11a, 1lb, 11c)와, 서로 병렬로 접속된 복수의 예를 들면 4개의 다른 각 1단자쌍 탄성 표면파 공진자(이하, 각 병렬 공진자라고 기재함)(12a, 12b, 12c, 12d)가 서로 사다리형으로 조합되어서 형성되어 있다.
또한, 압전 기판(30)상에는, 각 입출력 단자 패드(21a, 2lb)와, 각 접지 단자 패드(22a, 22b, 22c)가 형성되어 있다. 상기의 각 공진자나 각 단자 패드는 알루미늄 등의 도전성이 우수한 금속을 사용하여, 리프트 오프(lift-off) 공정 등에 의해 형성되어 있다. 칩형상의 압전 기판(30)상의 각 단자 패드와 패키지의 전기적 도통(導通)에는, 도전성 범프를 통한 페이스 다운 본딩(face down bonding)에 의한 실장이 사용되고 있다.
병렬 공진자(12a)는, 중앙에 빗형 전극(41)을, 그 양측에 반사기(42)를 배치한 구조를 갖고 있는 1단자쌍 탄성 표면파 공진자이다. 다른 각 병렬 공진자(12b,12c, 12d), 및 각 직렬 공진자(11a, 1lb, 11c)도, 각각, 병렬 공진자(12a)와 동일한 구조를 갖고 있는 1단자쌍 탄성 표면파 공진자이다.
그리고, 본 실시형태에서는, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 각 직렬 공진자(11a, 1lb, 11c)(이하, 상기의 3개의 각 직렬 공진자를 통합하여 나타내는 경우는, 직렬 공진자군(群)이라고 기재함) 중, 예를 들면 통과대역을 형성하는 각 직렬 공진자(11a, 1lb)의 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12c, 12d)(이하, 상기의 4개의 각 병렬 공진자를 통합하여 나타내는 경우는, 병렬 공진자군이라고 기재함)의 각 반공진 주파수보다 낮게 설정함과 아울러, 각 직렬 공진자(11a, 1lb)의 공진 주파수와 병렬 공진자군의 반공진 주파수 사이에 있는 유도성 영역에, 직렬 공진자군 중 하나, 예를 들면 직렬 공진자(11c)의 용량성 영역이 설정되도록, 병렬 공진자군 및 직렬 공진자군이 설정되어 있다. 도 1b에서는, 병렬 공진자군을 통합하여 부재번호 12로, 또한 직렬 공진자군을 통합하여 부재번호 11로 나타내고 있다. 또한, 이하의 각 임피던스 특성을 나타내는 각 그래프에 있어서도, 동일하게 나타내었다.
상기의 유도성 영역 및 용량성 영역은, 도 3에 나타내는 1단자쌍 탄성 표면파 공진자의 임피던스 특성에 의해 정의된다. 따라서, 상기의 유도성 영역은, 낮은 쪽과 높은 쪽의 각 용량성 영역 각각의 사이에 끼워져 있게 된다. 이에 따라, 상기의 유도성 영역에는, 직렬 공진자(11c)에 있어서의 낮은 쪽의 용량성 영역만이 존재하도록 설정되게 된다.
이하에, 각 공진자의 설계 파라미터의 일례를 여기에서 서술한다. 직렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각, 1.932㎛, 1.939㎛, 1.911㎛, 교차폭은 각각 26㎛, 26㎛, 16㎛, 쌍수는 모두 43쌍이며, 병렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각 1.974㎛, 1.998㎛, 1.998㎛, 1.974㎛, 교차폭은 각각 58.8㎛, 53.7㎛, 27.8㎛, 56.7㎛, 쌍수는 각각 36쌍, 90쌍, 90쌍, 36쌍이다. 각 공진자에 있어서의 막두께 대 파장의 비율의 평균값은 8.3%이다.
한편, 여기에서는 일례로서 이들 파라미터를 사용하였으나, 각 공진자의 공진ㆍ반공진 주파수을 소망의 값으로 조정할 수 있다면, 막두께ㆍduty를 조정해도 좋고, 또한 각 공진자에 가해지는 기생 인덕턴스, 교락 용량(bridge capacitance) 등을 조정해도 좋다. 한편, 이번에는 압전 기판으로서 36°Ycut X전파 LiTaO3로 이루어지는 압전 기판(30)을 사용하고 있으나, 압전 기판의 종류에 의존하는 것은 아니며, 38∼46°Ycut X전파 LiTaO3기판이나 64∼72°LiNbO3기판과 같은 다른 압전 기판이라도 본 발명은 효과를 발휘할 수 있다. 전극 형성 방법도, 리프트 오프 공정이 아니라 에칭 공정이어도 좋으며, 형성법은 불문한다.
이 때의 전송 특성을 도 4에, V.S.W.R.(전압 정재파비) 특성을 도 5에 나타낸다. 한편, V.S.W.R. 특성은 1.0에 가까울수록 좋다. 도 4로부터, 통과대역에 있어서의 삽입손실이 양호한 협대역 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. fap≒frs로 한 종래의 설계 방법을 사용한 도 20의 특성과 비교하여, 본 실시형태는 3dB 삽입손실 대역폭이 25MHz가 되어, 종래 특성의 대역폭 51.1MHz로부터 26.1MHz의 대역폭 감소가 확인되었다. 또한, 도 5로부터, V.S.W.R. 특성은, 통과대역 내에 있어서, 시장 요구인 2.0이하가 되고 있으며, 충분한 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.
도 1b로부터, 직렬 공진자군 중, 통과대역을 형성하는 각 직렬 공진자(11a, 1lb)의 공진 주파수는, 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 각 반공진 주파수보다 낮게 설정하고, 직렬 공진자(11c)만이 그 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 반공진 주파수 이상으로, 바람직하게는 보다 높게 설정되어 있다.
여기에서, 이러한 주파수 관계로 한 것은 이하의 이유에 의한다. 1단자쌍 탄성 표면파 공진자에 있어서, 도 3에 나타내는 바와 같이 공진 주파수보다 낮은 측 및 반공진 주파수보다 높은 측은 용량성이 되고, 공진－반공진 주파수간은 유도성이 된다.
여기에서, 통과대역폭을 좁게 하고자, fap〉frs로 설정한 구조로 하면, fap로부터 frs 사이에서 병렬 공진자, 직렬 공진자 모두 유도성의 영역이 생기고, 통과대역에 있어서 임피던스가 설정값인, 예를 들면 50Ω으로부터 크게 벗어나서 삽입손실 악화의 원인이 된다.
그래서, 직렬 공진자(11c)의 용량성 영역을 매칭이 벗어난 유도성 영역과 맞추도록 직렬 공진자(11c)의 공진 주파수나 반공진 주파수를 조정함으로써, 통과대역에 있어서 매칭이 잘 맞고, 통과대역폭을 좁게 설정하면서, 또한 삽입손실 등이 양호한 전송 특성이 얻어지게 된다.
여기에서, 직렬 공진자(11c)의 반공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 공진 주파수로부터, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자(11a, 1lb)의 공진 주파수까지의 사이에 배치하는 것에 의해서도 마찬가지로 협대역화의 효과가 얻어지지만, 이 구성에서는 직렬 공진자(11c)의 반공진 주파수가 통과 대역내에 위치하게 되기 때문에, 통과대역 좌측 숄더(left shoulder)의 삽입손실이 크게 악화되어 바람직한 구성이 아니다.
사다리형의 탄성 표면파 장치에 있어서, 본 실시형태의 구성으로 함으로써, 종래에 비하여 삽입손실이 양호한 통과대역폭이 좁은 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
(제 2 실시형태)
본 발명에 따른 제 2 실시형태로서, 제 1 실시형태와 마찬가지로 사다리형의 탄성 표면파 장치에 적용한 중심 주파수가 2017.5MHz대의 TDS－CDMA용 필터에 대하여 나타낸다. 회로 구성, 및 압전 기판, 전극 형성법 등은 제 1 실시형태와 동일하다. 또한, 상기 제 1 실시형태와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부재번호나 명칭을 사용하고, 그들의 상세한 설명을 생략하였다.
각 공진자의 설계 파라미터를 이하에 나타낸다. 직렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각, 1.932㎛, 1.939㎛, 1.831㎛, 교차폭은 각각 26㎛, 26㎛, 36㎛, 쌍수는 모두 43쌍이다.
병렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각 1.974㎛, 1.998㎛, 1.998㎛, 1.974㎛, 교차폭은 각각 58.8㎛, 53.7㎛, 27.8㎛, 56.7㎛, 쌍수는 각각 36쌍, 90쌍, 90쌍, 36쌍이다. 이 때의 임피던스 특성은 도 6에 나타내는 바와 같다.
이 때의 전송 특성을 도 7에, V.S.W.R. 특성을 도 8에 나타낸다. 도 7로부터, 통과대역에 있어서의 삽입손실이 양호하고, 또한 리플이 없는 협대역 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 제 1 실시형태의 전송 특성과 비교하여, 통과대역에 리플이 없는 것을 알 수 있다. 또한, 도 8로부터, V.S.W.R. 특성은 통과대역 내에 있어서, 시장 요구인 2.0이하가 되고 있으며, 충분한 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.
도 6으로부터, 직렬 공진자군 중, 통과대역을 형성하는 각 직렬 공진자(11a, 11b)의 공진 주파수는, 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 반공진 주파수보다 낮게 하고, 직렬 공진자(11c)만이 그 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 각 직렬 공진자(11a, 1lb)의 반공진 주파수 이상으로, 바람직하게는 보다 높게 설정하고 있다.
여기에서, 이러한 주파수 관계로 한 것은 이하의 이유에 의한다. 통상, 1단자쌍 탄성 표면파 공진자에 있어서, 도 6중에 나타내는 바와 같이, 공진 주파수의 저역측 근방에 반사기의 스톱 밴드(stop band)의 하한 주파수 부근에 상당하는 리플이 발생한다. 따라서, 직렬 공진자(11c)의 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자군의 반공진 주파수 이상, 바람직하게는 보다 높게 하는 것이, 그 리플이 통과대역 내에 머물지 않으며 리플의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 일부의 직렬 공진자의 반공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 한 구성이라도, 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
사다리형의 탄성 표면파 장치에 있어서, 본 실시형태의 구성으로 함으로써,종래에 비하여 삽입손실이 양호하며, 또한 리플이 적고, 통과대역폭이 좁은 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
(제 3 실시형태)
제 3 실시형태도 마찬가지로 사다리형의 탄성 표면파 장치에 적용한 중심 주파수가 2017.5MHz대의 TDS－CDMA용 필터에 대하여 나타낸다. 회로 구성, 및 압전 기판, 전극 형성법 등은 제 1 실시형태와 동일하다. 또한, 상기 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부재번호나 명칭을 사용하고, 그들 상세한 설명을 생략하였다.
각 공진자의 설계 파라미터를 이하에 나타낸다. 직렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각, 2.032㎛, 1.939㎛, 1.871㎛, 교차폭은 각각 26㎛, 26㎛, 36㎛, 쌍수는 모두 43쌍이다.
병렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각 1.974㎛, 1.998㎛, 1.998㎛, 1.974㎛, 교차폭은 각각 58.8㎛, 53.7㎛, 27.8㎛, 56.7㎛, 쌍수는 각각 36쌍, 90쌍, 90쌍, 36쌍이다. 이 때의 임피던스 특성을 도 9에 나타낸다.
이 때의 전송 특성을 도 10에, V.S.W.R. 특성을 도 11에 나타낸다. 도 10으로부터, 통과대역에 있어서의 삽입손실이 양호하고, 또한 리플이 없는 협대역 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 도 11로부터, 제 2 실시형태와 비교하여 양호한 V.S.W.R. 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 도 9로부터, 직렬 공진자군 중, 그들의 일부이며, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자(1lb)의 공진 주파수는, 통과대역을 형성하는 병렬공진자군의 반공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 하며, 직렬 공진자(11a)의 반공진 주파수는 병렬 공진자군의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 하고, 또한 다른 직렬 공진자(11c)의 공진 주파수는, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자(1lb)의 반공진 주파수 이상, 바람직하게는 보다 높게 하고 있다. 여기에서, 이러한 주파수 관계로 한 것은 이하의 이유에 의한다.
양호한 V.S.W.R. 특성을 얻기 위하여, 직렬 공진자군 중, 적어도 2개의 직렬 공진자는, 그들의 유도성 영역이 통과대역의 양측에 각각 배치되도록 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 배치함으로써, 통과대역 양측에 배치한 2개의 직렬 공진자는 통과대역에 있어서의 임피던스값이 서로 다르기 때문에, 임피던스 조정의 폭이 넓어져서 매칭이 맞기 쉬워진다. 이 결과, 본 실시형태에 있어서는, V.S.W.R. 특성이 제 2 실시형태와 비교하여 좋아지는 것이라고 생각된다.
이러한 사다리형의 탄성 표면파 장치에 있어서, 본 실시형태의 구성으로 함으로써, 종래에 비하여 삽입손실이 양호하며, 또한 리플이 적고, V.S.W.R. 특성이 양호한 통과대역폭이 좁은 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
(제 4 실시형태)
본 발명에 따른 제 4 실시형태도 마찬가지로 사다리형의 탄성 표면파 장치에 적용한 중심 주파수가 2017.5MHz대의 TDS－CDMA용 필터에 대하여 나타낸다. 회로 구성, 및 압전 기판, 전극 형성법 등은 제 1 실시형태와 동일하다. 각 공진자의 설계 파라미터를 이하에 나타낸다. 또한, 상기 제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부재번호나 명칭을 사용하고, 그들의상세한 설명을 생략하였다.
직렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각, 1.930㎛, 1.937㎛, 1.930㎛, 교차폭은 모두 26㎛, 쌍수는 모두 43쌍이다.
병렬 공진자군의 각 빗형 전극에 있어서의 전극 피치는 각각 1.974㎛, 1.984㎛, 2.102㎛, 1.974㎛, 교차폭은 각각 58.8㎛, 53.7㎛, 87.8㎛, 56.7㎛, 쌍수는 각각 36쌍, 60쌍, 60쌍, 36쌍이다. 이 때의 임피던스 특성을 도 12에 나타낸다.
이 때의 전송 특성을 도 13에, V.S.W.R. 특성을 도 14에 나타낸다. 도 13으로부터, 통과대역에 있어서의 삽입손실이 양호하며, 또한 리플이 없는 협대역 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 도 14로부터, V.S.W.R. 특성은, 통과대역 내에 있어서, 시장 요구인 2.0이하가 되고 있으며, 양호한 특성이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.
도 12로부터, 병렬 공진자군 중, 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12d)의 반공진 주파수는, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자군의 공진 주파수보다 높게 하고, 다른 병렬 공진자(12c)만이 그 반공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12d)의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 하고 있다.
이와 같이, 일부의 병렬 공진자의 반공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자군의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 함으로써, 제 1 실시형태와 마찬가지로 통과대역에 있어서 매칭이 맞으며, 통과대역폭을 좁게 하면서, 또한 삽입손실이 양호한 전송 특성이 얻어지게 된다.
이 때, 본 실시형태에서는, 일부의 병렬 공진자의 반공진 주파수를, 그것을 제외한 다른 병렬 공진자군, 다시 말하면 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 한 것은, 통과대역 내의 리플 특성이 양호해지기 때문이다.
통상, 1단자쌍 탄성 표면파 공진자에 있어서, 도 12중에 나타내는 바와 같이, 반공진 주파수의 고역측 근방에 반사기의 스톱 밴드의 상한 주파수 부근에 상당하는 리플이 발생한다. 따라서, 상기의 주파수 관계로 함으로써, 그 리플이 통과대역 내에 머물지 않으며, 통과대역 내에서의 리플의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 일부의 병렬 공진자의 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자군의 반공진 주파수 이상, 바람직하게는 보다 높게 한 구성이라도, 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
덧붙여서, 제 3 실시형태와 마찬가지로, 병렬 공진자군 중, 2개의 병렬 공진자를, 그들의 유도성 영역이 통과대역의 양측에 각각 배치되도록 설정한 구성으로 함으로써, V.S.W.R. 특성이 양호한 필터가 얻어지는 것은 명백하다.
그러나, 병렬 공진자(12c)의 공진 주파수를, 통과대역을 형성하는 각 병렬 공진자(12a, 12b, 12d)의 반공진 주파수로부터, 통과대역을 형성하는 직렬 공진자군의 반공진 주파수 사이에 배치하는 구성에서는, 병렬 공진자(12c)의 공진 주파수가 통과대역 내에 위치하게 되기 때문에, 통과대역 우측 숄더(right shoulder)의 삽입손실이 크게 악화되어 바람직한 구성이 아니다.
사다리형의 탄성 표면파 장치에 있어서, 본 실시형태의 구성으로 함으로써,종래에 비하여, 삽입손실이 양호하며, 통과대역폭이 좁은 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
이 때, 일부의 병렬 공진자의 반공진 주파수를, 그것을 제외한 다른 통과대역을 형성하는 병렬 공진자군의 공진 주파수 이하, 바람직하게는 보다 낮게 하는 구성으로 함으로써, 통과대역에서의 리플이 더욱 적어진다.
또한, 이 때, 병렬 공진자군 중, 2개의 병렬 공진자를, 그들의 유도성 영역이 통과대역의 양측에 각각 배치되도록 설정한 구성으로 함으로써, V.S.W.R. 특성이 더욱 좋아진다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 협대역화를 도모하면서, 삽입손실의 증가를 억제할 수 있고, GPS용, TDS－CDMA용, PHS용, PDC용 등의 협대역화가 소망되고 있는 통신기의 대역 필터로서 적합하게 사용할 수 있으며, 상기 통신기의 통신 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는, 이상과 같이, 직렬측 탄성 표면파 공진자와, 병렬측 탄성 표면파 공진자가 사다리형으로 배치되며, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있음과 아울러, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자로 형성되는 유도성 영역에, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 용량성 영역이 배치되어 있는 구성이다.
그러므로, 상기 구성은, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있으므로, 협대역화할 수 있다.
또한, 상기 구성은, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자로 형성되는 유도성 영역에, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 용량성 영역이 배치되어 있기 때문에, 삽입손실의 증가를 억제하는 것이 가능해진다.
따라서, 상기 구성은, 협대역화를 도모하면서, 삽입손실의 증가를 억제할 수 있다는 효과를 이룬다.

Claims (13)

  1. 직렬측 탄성 표면파 공진자와, 병렬측 탄성 표면파 공진자를 사다리형으로 배치하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있음과 아울러,
    상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자로 형성되는 유도성 영역에, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 용량성 영역이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 직렬측 탄성 표면파 공진자와, 병렬측 탄성 표면파 공진자를 사다리형으로 배치하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수보다도 낮게 설정되어 있음과 아울러,
    통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 사이에 용량성 영역이 배치된, 상기 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 직렬측 탄성 표면파 공진자와 통과대역을 형성하는 적어도 1개의 병렬측 탄성 표면파 공진자와는 다른 적어도 하나의 병렬측 탄성 표면파 공진자 또는 적어도 하나의 직렬측 탄성 표면파 공진자를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있음과 아울러,
    다른 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러,
    다른 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 일부의 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수 이상으로 설정되어 있음과 아울러,
    일부의 직렬측 탄성 표면파 공진자의 반공진 주파수가, 통과대역을 형성하는 병렬측 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 탄성 표면파 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 통신기.
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