KR20040108743A - 변환 선로를 포함하는 4선식 전기 회로망 - Google Patents

Abstract

전기 부품을 전기적으로 매칭시키기 위해 바람직하게 세라믹 기판 내에 또는 세라믹 기판 위에 형성된 변환 선로를 포함하는 회로망이 제공된다. 상기 변환 선로는 원하는 위상 변위를 달성하기 위해 사전 설정된 전기적 길이를 가지고, 접힌(folded) 전기 도체(LE)를 포함하며, 상기 전기 도체에 의해 상기 변환 선로의 직선 섹션들(A)이 서로 직각으로 연결되고, 이 때 결합 보상을 위해 각 도체 섹션들의 폭(d)이 상이하게 선택된다.

Description

변환 선로를 포함하는 4선식 전기 회로망{ELECTRIC FOUR-WIRE NETWORK WITH A TRANSFORMATION LINE}

전기 부품을 회로 환경에 매칭시키기 위해서는 상기 전기 부품에 종종 전기 매칭 회로망(matching network)이 필요하다. 그러한 전기 매칭 회로망은 인덕터, 커패시터 및 변환 선로를 포함하며, 실질적으로 외부 환경에 부품의 임피던스를 매칭시키는데 사용된다. 그러한 매칭 회로망은 종종, 회로망을 형성하는 개별 소자들이 모두 하나의 기판에 집적되는 수동 집적 회로망으로 구현되며, 상기 기판은 바람직하게 부품의 지지 기판을 형성한다. 세라믹스 내에 세라믹 부품을 형성하는 것도 가능하며, 상기 세라믹스의 세라믹 바디 내 또는 상기 세라믹 부품의 세라믹 바디 위에 매칭 소자가 장착되어 상기 부품과 통합된다.

매칭 회로망의 구성 요소인 전기 변환 선로들은 다층 세라믹 기판 내에 구현될 수 있으며, 상기 기판 내에는 전술한 것처럼 또 다른 소자들이 집적될 수 있다. 변환 선로들은 예컨대 이동 통신 단말기용 프론트-엔드 모듈 내에 설치되어 핀 다이오드 스위치의 구성 요소로서 사용될 수 있고, 예컨대 약 90°의 위상 변위를 달성해야 한다. 또한 그러한 변환 선로는 소오스 임피던스 및 부하 임피던스의 사전 설정 하에 최대한 우수한 매칭 특성을 나타내야 한다. 또 다른 용도의 예로서 역시 이동 통신 단말기 내에 설치되어 안테나를 상기 단말기의 송신로 및 수신로에 연결하는 듀플렉서 내에 변환 선로가 사용될 수 있다.

특히 이동 통신 단말기 내에 설치된 변환 선로들에 대한 또 다른 요건은 필요 면적 및 필요 공간이 최대한 작아야 한다는 것이다. 프론트 엔드 모듈에서는 위상 변위가 이루어지도록 하기 위해, 예컨대 외부 치수들이 대부분 세라믹 기판 내 파장의 단편보다 작다. 위상 변위는 특정한 구조적 길이를 가진 도체에 의해서만 이루어질 수 있기 때문에, 현재 사용되고 있는 변환 선로들은 펴진 상태로 존재하며 부분적으로 다층으로 형성된다. 도체 섹션들이 겹쳐지게 하는 폴딩 공정 및 다층 구현을 통해 상이한 라인 섹션들 사이의 용량성 결합 및 유도성 결합이 제공된다. 그 결과 단일층의 형태로 접히지 않도록 구현되는, 구조적 길이가 동일한 이상적인 라인과 달리 추가적인 위상 변위 및 매칭 변동이 야기된다. 또한 변환 선로가 부품 또는 추가의 매칭 회로망과 연결되는 접속점의 위치 및 제공되는 면적은 집적될 회로 부품들의 잔여 소자들에 따라 달라지기 때문에 임의로 선택될 수 없다.

변환 선로의 한 예로 소위 3중 플레이트(tri-plate) 라인이 있으며, 상기 3중 플레이트 라인의 경우 2개의 차폐 접지층 사이, 즉 2개의 금속 평면 사이에 예컨대 접힌 도체가 놓이고, 상기 접힌 도체는 각각 하나의 세라믹 층에 의해 상기접지층들과 분리된다. 상부 차폐 접지 평면과 하부 차폐 접지 평면 사이의 간격은 특성 임피던스에 영향을 미치기 때문에 적절하게 선택된다. 그러나 세라믹층의 두께는 기술적인 이유로, 그리고 공통 기판 내에 있는 또 다른 소자들과의 집적이 요구될 수 있으므로 임의로 선택될 수 없고, 제한된 개수의 제공 가능한 적절한 층 두께들로부터 선택되어야 하기 때문에 최적의 매칭이 불가능하다.

공지되어 있는 공간 절약형 변환 선로 내에는 도체가 예컨대 꼬불꼬불하게 2층으로 형성되어 있다. 이 때 도체가 연장되어 있는 두 평면의 대칭 배치가 선택됨에 따라 상기 두 도체 평면 내 도체의 특성 임피던스가 같아지고, 소오스 임피던스 및 부하 임피던스와 일치하게 된다. 도체의 개별 섹션들간의 결합은 평행하게 놓인 도체 섹션들이 서로 충분한 간격을 유지함으로써 최소화되며, 상기 간격은 일반적으로 도체의 폭보다 크다. 2개의 층 내에서 중첩되어 놓인 섹션들이 서로에 대해 직각으로 배치되거나, 한 도체 평면의 도체 섹션들이 다른 평면의 도체 섹션들의 투영체(projection) 사이에 놓임으로써 상이한 도체 평면 내에 있는 도체 섹션들간의 결합도가 감소된다. 전송 선로의 위상 회전을 증가시키기 위해 도체의 구조적 길이가 연장될 수 있다. 이는 제한된 면적에서 도체의 개별 섹션들이 더 가깝게 놓이는 경우에만 가능하다. 그러나 그로 인해 라인 섹션들의 상호 결합도가 증가되고, 소오스와 부하간의 매칭이 악화된다.

본 발명은 전기 부품을 전기적으로 매칭시키기 위해 바람직하게 세라믹 기판 내에 또는 세라믹 기판 위에 형성된 변환 선로(transformation line)를 포함하는 회로망에 관한 것이다.

도 1은 2개의 평면에 접혀지면서 연장된, 공지되어 있는 전송 선로의 도체를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 2는 3중 플레이트 라인으로 구현된 전송 선로의 개략적인 횡단면도이다.

도 3은 공지되어 있는 전송 선로의 스미스 차트이다.

도 4는 본 발명에 따른 전송 선로의 도체의 개략적 평면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 전송 선로의 스미스 차트이다.

본 발명의 목적은, 계속 소형화되는 부품에도 적합하고 예컨대 10 dB보다 더 높은 바람직한 매칭을 달성할 수 있는, 변환 선로를 구비한 회로망을 제공하는 것이다.

상기 목적은 청구항 1의 특징들을 가지는 회로망에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 그 외 청구항들에 제시된다.

본 발명은 기판 내에 또는 기판 상에 형성된, 미리 정해진 길이를 갖는 변환 선로를 구비한 회로망을 제공한다. 변환 선로를 위해 제공되는 면적의 활용도를 더 개선하기 위해 도체가 접혀지고, 이 때 도체 섹션들은 직선으로 형성되며 서로 직각으로 연결된다. 그로 인해 야기되는, 도체의 인접 섹션들간의 불리한 결합은 섹션들 내에 있는 도체의 폭이 상이하게 형성됨으로써 참작(고려)된다. 발명자는 개별 도체 섹션들의 폭의 의도적인 변경이 결합에 영향을 주기 때문에 도체 폭의 적절한 선택을 통해 개별 섹션들 내에서 바람직한 매칭이 달성될 수 있다는 사실을 인식하였다. 예컨대 서로 용량성으로 및 유도성으로 결합되는 2개의 도체 섹션을 가정해보면, 상기 두 도체 섹션들 중 하나에서 도체 폭이 증가됨으로써 예컨대 유도성 결합이 감소될 수 있다. 또한 하나의 섹션 내에서 도체 폭이 증가되면 본래 장애가 있는, 인접 도체 섹션으로의 기생 용량성 결합이 증가될 수 있다. 따라서 개별 도체 섹션의 도체 폭의 변동에 의해 변환 선로의 전기적 매칭이 개선될 수 있다. 모든 도체 섹션들의 폭이 서로 종속되지 않으면서 적절하게 선택됨으로써, 매칭이 최적화될 수 있고 원하는 값으로 정확하게 조정될 수 있다. 종래의 회로 환경은 예컨대 50 Ω으로의 매칭을 필요로 할 수 있다.

본 발명에 의하면, 변환 선로의 필요 공간이 증가되지 않으면서 변환 선로의 전기적 매칭의 최적화 및 그에 따라 전기 부품을 바람직한 값으로 정확하게 매칭시키기 위한 회로망의 최적화가 간단한 방법으로 구현될 수 있다. 그에 반해 본 발명에서는 공지된 변환 선로들에서 허용할 수 없을 정도로 매우 많은 결합을 야기함으로써 매칭이 악화되게 하는 배열도 가능하지만, 이는 본 발명에 의해 보상된다. 그 결과, 변환 선로의 필요 면적이 더욱 감소될 수 있고, 선택적으로 또는 추가적으로 기존에는 구현하기 어려웠던 기하학적 형태의 변환 선로의 제공이 가능하다. 그럼으로써 기판 상에 제공되는 면적의 활용이 본 발명에 의해 개선될 수 있다. 본 발명에 있어서 필요면적 증가의 방지는, 위상 변위 정도에 결정적인 영향을 미치는 도체의 구조적 길이 및 전기적 길이가 본 발명에 의해 크게 변동되지 않도록 하는 방법에 의해서만 가능하다.

도체의 섹션이라 함은 정해진 길이를 가지는, 도체의 임의의 단편을 의미한다. 일반적으로 그리고 전송 선로의 계산 및 구성에 있어서도 접혀진(folded) 라인의 두 꼭지점 사이의 섹션들을 정의하는 것이 더 간단하다.

종래의 전송 선로와 마찬가지로 본 발명에 따른 전송 선로도 2개의 도체 평면 내에 접힌 도체로 구현될 수 있다. 2개의 도체 평면은 절연체, 바람직하게는 세라믹층에 의해 서로 분리된다. 또 다른 절연층, 특히 또 다른 세라믹층은 접지에 연결된 차폐 평면으로부터 도체 평면을 분리한다.

전송 선로는 2개의 접지 평면 사이에 1개의 도체 평면이 배치되는 3중 플레이트 라인으로도 구현될 수 있다. 본 발명에 의하면, 2개의 도체 평면을 분리하는 절연층이 공지되어 있는 변환 선로들의 경우보다 더 얇게 형성될 수 있다. 그로 인해 야기되는 결합 장애는 본 발명에 의해 보상될 수 있다. 상이한 도체 평면에서 연장되는 2개의 도체 부분은 도통 접속을 통해 서로 연결된다.

2개의 평면 내에서 연장되는 섹션들은 평행한 섹션들이 서로 겹치지 않도록 배열된다. 2개의 평면 내에서 서로 평행한 섹션들은 적어도 최소 길이만큼 서로 어긋나게 놓인다. 상이한 도체 평면 내 섹션들 사이의 교차는 바람직하게 섹션 단부에서 멀리 떨어진 곳에서, 바람직하게는 도체 섹션의 중간에서 이루어진다. 개별 섹션들 내에서 도체의 폭이 변동하는 경우 바람직하게 한계 조건이 준수된다. 따라서 특히 도체 섹션의 폭은 서로 평행한 도체 섹션들의 간격과 똑같이 예컨대 100 ㎛에서 선택되는, 기술적으로 대부분 제한되어 있는 최소값을 가져야 한다. 그러나 이러한 최소 간격 및 최소 폭은 본 발명의 대상이 아니라 단지 최적화 과정에서 한계 조건으로서 고려되며, 그에 상응하게 전송 선로의 정확한 실시예에 반영된다. 다른 한계 조건들과 최소값들도 준수될 수 있다.

변환 선로의 도체의 구조적 길이는 상기 도체의 전기적 길이가 λ/4-라인에 상응하도록 선택된다. λ/4-라인은 여러 가지 경우에 회로 상태가 "SHORT"에서 "OPEN"으로 바뀌어야 하는 곳에 필요하다. 그러나 본 발명에 따른 회로망의 변환 선로는 λ/4와 상이한 위상 변위를 야기할 수 있다.

50Ω에서 바람직한 임피던스 매칭이 이루어지는데, 그 이유는 많은 회로 환경에서 상기 값이 요구되기 때문이다. 그러나 변환 선로 및 회로망이 50Ω과 상이한 다른 회로 환경에 매칭되는 것도 가능하다. 임피던스 매칭은 3중 플레이트 라인 내에서 도체 평면들로부터 차폐 평면들까지의 거리를 변동시킴으로써 이루어질 수 있다. 그러나 특히 사전 설정된 기판 내에 제공되는 층 두께가 원하는 임피던스의 조정을 수행하는데 충분치 않은 경우에는 별도의 임피던스 변환을 추가로 수행하여 회로망 내에 적절한 소자를 제공하는 것이 가능하다.

본 발명에 따른 회로망은 바람직하게 예컨대 최소 수축을 나타내도록 최적화된 LTCC 세라믹과 같은 다층 세라믹 내에 집적된다. LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic)로 구현되는 그러한 저수축(low-shrink) 세라믹은 회로망 소자들의 고집적을 가능케 하며, 경우에 따라 추가로 고유 부품들이 세라믹 내에 집적될 수 있게 해 준다. 왜냐하면 상기 기술을 이용하면 부품 구조 및 회로망 구조가 정확하게 재생산될 수 있는 동시에 고가의 세라믹 및 저손실 금속 도체를 얻을 수 있기 때문이다. 통상적으로 회로망의 기판은 부품의 지지 기판이며, 예컨대 SMD 프로세스를 이용한 단계에서 상기 기판 위에 부품이 고정되어 상기 기판과 부품이 접촉된다. 부품이 음향파로 동작하는 부품인 경우, 예컨대 플립칩 어레이가 선택될 수 있다.

집적 회로망일 수 있는 회로망의 기판은 동시에 다수의 부품들 및 상기 부품들에 속하는 회로망이 집적되는 모듈의 기판을 의미할 수도 있다.

하기에는 실시예 및 관련 도면을 참고로 본 발명에 따른 회로망의 최적화 방법이 더 상세히 설명된다.

도 1 및 도 2를 참고로 공지되어 있는 전송 선로를 더 상세하게 설명한다. 상기 도면들은 단지 설명을 위한 것으로, 축척에 맞게 도시된 것은 아니다. 공지되어 있는 3중 플레이트 어레이는 세라믹 중간층에 의해 서로 분리되는 제 1 도체 평면(LE1)과 제 2 도체 평면(LE2)으로 구성되어 있다. 제 1 및 제 2 도체 평면의 상부와 하부에는 마찬가지로 세라믹 중간층에 의해 분리되면서 접지와 연결된 차폐 평면(ME1, ME2), 예컨대 금속 평면(도 2 참조)이 각각 하나씩 배치된다. 도체 평면들과 차폐 평면들이 바람직하게 서로 대칭을 이루어 배치됨에 따라, 인접한 도체 평면(LE)에서 차폐 평면(ME)까지의 간격이 균등하다(dE). 상기 간격(dE)은 두 도체 평면(LE1, LE2) 사이의 간격(dL)과 상이할 수 있다. 공지되어 있는 전송 선로에서는 예컨대 dE = 125 ㎛인 반면, dL = 95 ㎛이다. 도 1에서 제 1 도체 평면에 접힌 도체(LE1)가 도시되어 있고, 제 2 도체 평면에는 접힌 도체(LE2)의 투영체가 점선으로 표시되어 있다. 도체는 직각으로 연결된 직선 섹션들로 이루어져 있다. 상기 섹션들은 서로 평행한 직선 도체 섹션들이 겹치지 않게 놓이는 방식으로 2개의 도체(LE1 및 LE2) 내에 배치되어 있다. 2개의 평면에 놓인 전체 도체의 두 부분 도체(LE1, LE2)는 도통 접속(DK)을 통해 서로 연결된다. 2개의 접속점(T1, T2)에서 도체 또는 전송 선로가 외부 회로 환경, 예컨대 회로망 또는 부품과 연결된다. 도체는 균일한 폭(d0)을 갖는다.

도 3에는 전술한 공지된 전송 선로로부터 계산된 매칭이 스미스 차트에 도시되어 있다. 공지되어 있는 전송 선로의 매칭은 15 dB보다 훨씬 더 낮고, 임피던스 매칭은 약 35Ω으로 되어 있다.

본 발명에 따르면 하나 또는 2개의 도체 평면(LE1, LE2)의 개별 도체 섹션들의 폭이 변동하며, 특히 증가한다. 그로 인해 관련 도체 섹션들(A1 내지 A6)과 동일 도체 평면 또는 그 밑에 놓인, 도 4에는 도시되지 않은 도체 평면(LE2)의 인접한 도체 섹션들의 결합도가 감소되거나, 결합 특성이 변한다. 도체 섹션(A)의 확장에 의해 예컨대 유도성 결합이 감소되고, 그와 반대로 용량성 결합은 증가된다. 관련 도체 섹션(A3, A4, A5 및 A6)에 대한 도체 스트립 섹션들의 폭(d₃, d₄, d₅및 d₆)은 단지 예시로 제시된 것이다. 가상의 "최초" 도체 폭이 "d₀"으로 주어져 있다. 도체가 최적으로 매칭되면 정상적인 경우에는 변동하는 모든 도체 섹션(Ax)의 폭들(d_x)이 서로 상이한 값을 취하게 된다. 그러나 개별 도체 섹션들의 폭이 모두 동일한 것도 가능하다. 이는 특히 최초의 구조와 비교했을때 변하지 않은 도체 섹션에 해당된다. 도 4에는 도체 평면 "LE1"만 도시되어 있으며, 그 아래에 놓인 제 2 도체 평면(LE2)은 적절하게 변동되거나 변동될 수 있고, 그 결과 폭이 상이한 도체 섹션들이 제공된다.

도 5에는 도 4에 도시된 전송 선로와 관련된 스미스 차트가 도시되어 있다. 도 3과의 비교를 통해 본 발명에 따른 전송 선로의 전기적 매칭이 훨씬 더 개선된것을 알 수 있다. 본 발명에 따른 전송 선로의 전기적 매칭값은 거의 50Ω에 달하며, 예컨대 정확히 λ/4의 위상 변위값을 갖는다. 그러나 위상 변위의 크기는 두 평면 중 하나 또는 두 평면 모두에 있는 도체의 구조적 길이뿐만 아니라 전기적 길이의 증가 또는 감소에 의해 상응하게 변동될 수 있다. 따라서 λ/4와 차이가 나는 값만큼의 위상 변위도 가능하다.

본 발명에 따른 전송 선로의 매칭을 위한 최적화 프로세스시 하기와 같은 과정을 거쳐 진행될 수 있다. 먼저 폭이 균일한 섹션들을 가진 도체부터 상기 도체의 전기적 특성값을 계산하거나 시뮬레이팅한다. 이어서 1개의 섹션 폭을 변동시키고 전기적 특성값을 다시 계산한다. 그로 인해 얻은 효과( = 스미스 차트에서 벡터로서 매칭의 전환)는 가변 섹션을 위한 매칭 척도로서 저장된다. 이어서 출발 구조에서부터 또 다른 섹션의 폭을 변동시키고 전기적 특성값을 다시 계산한다. 그럼으로써 또 다른 매칭 척도를 얻게 된다. 필요한 경우, 각각의 매칭 척도를 이용하여 획득한 효과 및 기존에 문제에 따라, 상기 효과의 보간법 및 그에 상응하게 변동된 각 섹션의 폭에 의해 효율이 아직 더 변동될 수 있는 2개의 매칭 척도에 의해 원하는 또는 요구된 매칭이 달성될 수 있다. 요구 수준이 높은 매칭의 경우, 다른 섹션들 또는 모든 섹션들을 위한 추가의 매칭 척도를 산출하고, 개별 매칭 척도들로부터 부가적으로 원하는 매칭을 구성하는 것이 필요할 수 있다. 그렇게 하여 얻어진 구조를 위해 최종적으로 추가의 매칭이 필요할 수 있는데, 그 이유는 계산된 각각의 매칭 척도들이 상호 영향을 미칠 수 있기 때문이다.

새로운 방식의 전송 선로를 구비한 본 발명에 따른 회로망은 임의의 전기 부품의 매칭에 사용될 수 있다. 바람직하게는 전기 부품을 더욱 소형화하는데 반드시 필요한 수동 통합 회로망을 위해 본 발명에 따른 전송 선로가 사용된다. 무선 통신 단말기, 예컨대 휴대폰의 프론트 엔드 모듈 부품들의 전기적 매칭시 본 발명에 따른 회로망에도 매우 바람직하게 사용된다. 이 경우 목적한 또는 이미 도달된 외부 치수를 구하기 위해서는 부품 기판 또는 프론트 엔드 모듈 기판 내로 수동 집적 소자가 반드시 집적되어야 한다.

추가의 회로망 부품들을 수용하고 부품 기판으로서의 기능을 충족하기 위해서 도 2에 도시된 층 시퀀스보다 더 많은 층들이 상기 기판에 보강된다. 기판의 두께 내지는 상기 기판에 필요한 층들의 개수는 기판 내에 집적될 회로망 소자들 및 회로망 부품들의 개수에 좌우된다. 기판 세라믹 내에 구현될 부품들을 기초로 하여 적절한 세라믹층을 위한 재료도 선택된다.

이 경우 2개의 기판 평면(LE1과 LE2) 사이의 중간층을 위해 절연 세라믹이 사용되며, 상기 절연 세라믹의 바람직하게 낮은 유전 상수가 라인의 임피던스의 결정에 관여한다. 중간층의 유전 상수가 더 낮으면 라인 평면들 사이의 결합도도 감소된다. 그러나 본 발명을 통해 그러한 결합도가 감소되거나 바람직하게 이용될 수 있다. 도체 평면(LE1)과 접지에 연결된 차폐 평면(ME1) 사이의 세라믹층들도 전기적으로 절연되도록 조정되며, 이 경우에도 물론 적절한 유전 상수의 값이 고려될 수 있다. 통상적으로는 중간층을 포함한 모든 세라믹층들에 대해 동일한 세라믹이 사용된다. 그러나 본 발명에 의해서는, 특히 본 발명에 따라 다시 요구될 수 있는 결합도를 원하는 값으로 조정하기 위해 중간층에 나머지 세라믹층들과 상이한세라믹이 사용될 수도 있다.

개별 부품들을 위해 제공되는 면적은 일반적으로 도통 접속에 의해 그리고 동일 평면 내에 이미 존재하거나 구현된 다른 소자들에 의해 결정된다. 본 발명을 통해 임의로 형성된 제공 면적에의 매우 우수한 매칭이 구현될 수 있다.

Claims (13)

1. 전기 부품의 전기적 매칭을 위한 회로망으로서,

   상기 회로망은 기판 내에 또는 기판 상에 형성된, 사전 설정된 전기적 길이를 가진 변환 선로를 포함하고, 상기 변환 선로는 접혀진(folded) 전기 도체(LE)를 포함하며, 상기 도체에서 직선 섹션들(A)이 서로 직각으로 연결되고, 상기 섹션들마다 상기 도체의 폭이 상이한, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 개별 섹션들(A)에서 상기 도체(LE)의 폭(d)은, 상기 도체의 상이한 섹션들간의 결합 장애가 보상되고 주어진 환경에 대해 25 dB보다 나은 임피던스 매칭이 달성되도록 선택되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 접힌 도체(LE)는 제 1 평면 내에서 연장되고, 상기 제 1 평면은 하나 이상의 세라믹층에 의해 상기 제 1 평면에 평행하며 접지와 연결된 차폐 평면과 분리되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 도체(LE)는 세라믹 중간층에 의해 분리된 2개의 평면에 걸쳐서 연장되는 2개의 부분 도체(LE1, LE2)로 구성되며, 상기 두 부분 도체는 도통 접속(DK)을 통해 서로 연결되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 2개의 평면 내에서 연장되는 상기 섹션들(A)은 서로 평행한 섹션들(A)이 서로 겹치지 않고 적어도 최소 길이만큼 서로 어긋나게 배치되는 방식으로 배치되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
6. 제 5항에 있어서,

   상이한 평면 내에 서로 평행하게 놓인 섹션들(A)의 엇배치(dislocation) 길이뿐만 아니라, 하나의 평면 내에 서로 평행하게 놓인 인접 섹션들간의 거리의 경우에도 100㎛의 최소 길이가 준수되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 도체의 모든 섹션들(A)이 상기 최소 길이에 상응하는 하나 이상의 폭(d)을 갖는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
8. 제 3항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 변환 선로가 접지와 연결된 2개의 차폐 평면(ME)을 가진 3중 플레이트 라인(tri-plate line)으로 형성되고, 상기 차폐 평면들과 1개의 도체 평면 사이에놓인 2개의 세라믹층들이 동일한 두께(dE)를 갖는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 변환 선로가 λ/4 라인으로서 형성되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 변환 선로가 50Ω에 매칭되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,

    임피던스 변환을 위해 추가 소자를 사용한 외부 환경에의 임피던스 매칭이 보증되는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 기판은 다층 세라믹이고, 부품 또는 모듈을 위한 지지대를 형성하는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.
13. 제 12항에 있어서,

    상기 부품 또는 상기 모듈은 음향파로 동작하는 하나 이상의 부품을 포함하는, 전기 부품의 전기 매칭 회로망.