KR20040100485A - 질소 플라즈마 처리된 ｉｔｏ 필름 및 이를 양극으로사용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면에 상기 ITO의 구성원소인 In, Sn, O 중 1종 이상의 원소와 질소가 반응하여 생성된 질소 화합물 또는 질소 원자를 함유하는 증착된 질소 화합물을 포함하는 ITO 필름, 또, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면을 질소 플라즈마 처리하는 것이 특징인 ITO 필름의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따라 제조된 ITO 필름을 양극으로 사용한 유기 발광 소자는 저 전압, 고 효율, 장 수명 특성을 발휘한다.

Description

질소 플라즈마 처리된 ＩＴＯ 필름 및 이를 양극으로 사용한 유기 발광 소자{THE ITO FILM TREATED BY NITROGEN PLASMA AND THE ORGANIC LUMINESCENT DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 질소 플라즈마로 표면 처리된 인듐 주석 산화물(ITO) 필름, 이의 제조 방법 및 상기 ITO 필름을 양극으로 사용하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
근래, 공액 고분자(conjugated polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린) (PPV)을 이용한 유기 발광 소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액 고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터 (thin film transistor), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기 발광 소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 두 개의 반대 전극 사이에 박막의 유기물들로 이루어져 있고, 그 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어져 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 가장 대표적인 유기 발광 소자의 다층 구조는 양극(2)으로부터 정공을 주입 받는 정공 주입층(hole injection layer)(3), 정공을 전달하는 정공 이송층(hole transporting layer)(4), 정공과 전자가 결합하는 발광층(emitting layer) (5), 음극(7)을 포함한다. 이와 같은 유기 발광 소자는 소자의 효율과 수명을 더욱 향상시키기 위하여 상기 층들을 혼합 물질로 구성하거나 추가적인 역할을 하는 층들을 도입할 수 있다. 또한, 소자의 제작을간단히 하기 위하여 여러 가지의 기능을 동시에 갖는 물질을 사용하여 사용되는 층의 수를 줄일 수도 있다.
유기 발광 소자에서 발광된 빛을 외부로 발산하기 위하여 기판의 한쪽 전극은 가시광선에 대하여 흡수가 적은 투명한 물질을 사용하게 되는데, 이 투명 전극 물질로 ITO(Indium Tin Oxide)가 일반적으로 사용되며, 이 물질은 정공을 주입하는 양극으로 사용된다.
유기 발광 소자의 원리는 다음과 같다. 일 함수가 높은 양극과 낮은 음극에서 발생된 각각의 정공과 전자가 정공 주입층/정공 수송층 및 전자 주입층을 통하여 발광층에 주입되면, 발광층 내에 엑시톤(Exciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 소멸될 때 그 에너지에 해당하는 빛을 발생하게 된다.
유기 발광 소자의 연구는 주로 소자의 효율(efficiency), 수명, 구동 전압 및 발광색에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 특히, 효율 및 수명의 경우 유기 발광 물질과 전극 사이의 계면 상에서의 전하 주입이 가장 큰 영향을 주기 때문에 계면 특성을 향상시키는 것에 대한 연구가 집중되고 있다.
특히, ITO 표면과 정공 주입층 사이의 계면 특성 향상을 위한 ITO 표면 처리 방법이 일반적으로 알려져 있다. 현재 ITO 표면 처리에 사용되고 있는 방법으로는 초음파 (utrasonification) 세척, 자외선 오존(UV Ozone) 세척, 플라즈마 처리 등이 있다. 특히, 산소 플라즈마 처리는 소자의 효율을 향상시키고 수명을 증가시키는 결과를 가져온다(C.C.Wu et al., Applied Physics Letter,70,1348,1997). 산소 플라즈마를 처리한 ITO는 일 함수가 증가되고 표면이 균일하게 되며 면저항이 증가한다는 결과가 알려져 있으며(S.Fujita et al, Japanese Journal of Applied Physics, 36,350,1997/J.S.Kim et al, Journal of Applied Physics 84,6859,1995), 이러한 플라즈마 처리 결과, 일 함수 증가에 의한 정공 주입의 향상과 ITO 표면의 오염물질 제거에 의한 성능 향상이 나타난다.
또한, ITO의 무기 산화물 전극과 유기물인 정공 주입층 사이의 계면은 일반적인 유기물과 유기물 사이의 계면에 비하여 불안정한 구조를 갖게 된다. 이를 개선하기 위하여 도 2에 나타낸 것과 같이 정공 터널층(정공 투과층)을 ITO와 정공 주입층 사이에 넣어 유기물 막의 부착력 및 정공 주입을 개선하기도 한다.
본 발명자는 산소 플라즈마 대신 질소 플라즈마를 사용하여 ITO 표면을 처리한 결과, ITO 표면에 얇은 질소 화합물이 형성되고, 이로 인해 ITO의 표면에서 일 함수가 감소함에도 불구하고, 상기 질소 화합물 피막을 갖는 ITO 양극을 사용한 유기 발광 소자의 경우 산소 플라즈마를 처리한 ITO 양극을 사용한 유기 발광 소자 보다, 광효율, 구동 전압, 수명 면에서 우수하다는 것을 발견하였다. 본 발명은 상기 발견에 기초한 것이다.
도 1은 기판/양극/정공주입층/정공이송층/발광층/전자이송층/음극을 포함하는 구조를 가지는 일반적인 유기 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 기판/양극/정공투과층/정공주입층/정공이송층/발광층/전자이송층/음극을 포함하는 구조를 가지는 일반적인 유기발광소자의 단면도이다.
도면 부호 1은 기판이고, 2는 양극이고, 3은 정공 주입층이고, 4는 정공 이송층이고, 5는 발광층이고, 6은 전자 이송층이고, 7은 음극, 10은 정공 투과층이다.
도 3은 본 발명에 따라 제작된 유기 발광 소자의 시간에 따른 휘도의 세기를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따라 제작된 유기 발광 소자의 전류밀도에 따른 광효율을 나타내는 그래프이다.
도 5는 산소, 아르곤산소, 질소 가스를 사용하여 플라즈마 처리된 ITO 표면의 XPS 그래프이다.
도 6은 질소 가스를 사용하여 플라즈마 처리된 ITO 표면의 XPS 그래프의 세밀도이다.
본 발명은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면에 상기 ITO의 구성원소인 In, Sn, O 중 1종 이상의 원소와 질소가 반응하여 생성된 질소 화합물 또는 질소 원자를 함유하는 증착된 질소 화합물을 포함하는 ITO 필름을 제공한다.
또, 본 발명은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면을 질소 플라즈마 처리하는 것이 특징인 ITO 필름의 제조 방법을 제공한다.
나아가, 본 발명은 기판, 양극, 빛을 발산하는 발광층, 음극을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서, 양극으로 본 발명에 따라 제조된 ITO 필름을 사용하는 유기 발광 소자를 제공한다.
이하에서는 본 발명을 구체적으로 설명한다.
ITO는 투명한 전도성 산화물 박막으로 높은 투명도와 낮은 면저항 및 패턴형성의 용이성이라는 장점 때문에 유기 발광 소자뿐만 아니라 액정 표시 소자 (LCD)나 태양전지, 플라즈마 디스플레이, E-Paper 등의 여러 분야에서 전극 물질로 응용되고 있으며, 브라운관 모니터 전자파 차폐 및 ITO 잉크에 응용되고 있다.
한편, 유기 발광 소자의 양극으로써 ITO를 살펴보면 다음과 같다.
ITO는 Sn으로 강하게 도핑된 n 형 산화 인듐이다. 산화 인듐은 산소 이온의 2p 궤도(orbital)가 가전자대를 형성하고 In의 5s 궤도가 전도대를 형성하는 반도체로서, 일반적으로 어느 정도 환원됨에 따라 산소 이온과 도핑된 Sn 이온이 도너 역할을 하며 이들 농도가 증가함에 따라 페르미 레벨이 전도대 위에 위치하게 되어 금속의 성질을 띠게 된다.
일반적으로 ITO는 표면이 내부보다 높은 Sn 농도를 나타낸다. 이렇게 되면 페르미 레벨이 상승하게 되어 작은 일 함수를 가지게 되는데, 표면을 산소 플라즈마로 처리하게 되면 Sn 농도가 높은 표면이 식각되고 또한 산소가 공급되어 표면 산소의 농도가 커지게 된다. 따라서, 산소 플라즈마 처리에 의하여 일 함수가 커지게 되고 그 결과 정공 주입의 장벽이 작아지게 되어 소자의 성능이 향상된다고 알려져 있다.
그러나, 유기 발광 소자 중 유기물 층, 예컨대 정공 주입층으로 산소원자가 확산되어 들어갈 경우 유기물이 산화되어 정공 주입층으로서의 특성을 잃어버릴 수 있다.
따라서, 본 발명은 내부적으로 유기 발광 소자의 양극으로 사용되는 ITO 산화물에 의해 유기물 층으로 산소 확산 문제가 발생할 수 있다는 점을 처음으로 인식하고, 또, ITO 양극을 산소 플라즈마로 처리할 경우 산소 농도의 증가로 인한 유기물 층으로 산소 원자의 확산 문제가 일어날 수 있다는 가능성을 고려하여, 상기 문제점을 해결하기 위해 질소 플라즈마 처리함으로써 질소 화합물 표면을 포함하는 ITO 필름을 제공하는 것을 특징으로 한다.
ITO 표면을 질소 플라즈마로 처리하면, 플라즈마 방전 가스로 사용된 일부 질소 분자들이 플라즈마 조건에서 이온화하여 ITO 표면의 In, Sn, O 원자들과 반응하여 질소 화합물을 만들 수 있으며, 플라즈마 방전 가스 중 일부 질소 성분을 포함하는 질소 화합물이 표면에 증착될 수 있다.
질소 플라즈마로 처리한 ITO 표면을 XPS 분석한 데이터를 살펴보면, 질소 화합물의 예로서, InN이 발견된다.
ITO 표면에 형성된 질소 화합물은 ITO 표면의 산소 농도를 낮출 수 있고, 또 질소 화합물 피막은 ITO 표면에서 정공 주입층으로의 산소 원자의 확산을 막아주는 역할을 하고, 유기 발광 소자에서 정공 투과층과 같이 정공 주입 향상, 계면 접착력 향상에 기여할 수 있다. 따라서, 이러한 ITO 표면에서의 질소 화합물의 작용으로 인하여 유기발광소자의 성능이 향상될 수 있다.
또, 질소 플라즈마 사용에 의해 표면 식각에 의한 Sn 농도를 감소시킴으로써, 유기 발광 소자의 ITO 계면을 안정성화시켜, 수명 및 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 사용된 질소 플라즈마는 플라즈마 방전 가스로 질소 가스를 사용할 수 있으며 질소와 산소, 아르곤, 수소 가스 등과의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 또, 방전 가스로 질소 가스 대신 암모니아 또는 암모니아와의 혼합가스를 사용할 수 있다.
방전 가스로 수소 및 암모니아 산소를 혼합하여 사용함으로서 ITO 표면의 산소 농도 조절이 가능하다. 아르곤의 경우 표면 식각율이 다른 원자에 비하여 좋다. 따라서 이러한 원소들을 혼합한 가스를 사용함으로서 ITO 표면의 균일도와 산소 농도의 조절이 가능하다.
반응성 가스 특히 산소와 반응성이 좋은 수소 가스를 질소와 혼합(< 3%)하여 사용하거나 또는 NH3가스를 질소 가스와 혼합하여 사용 할 경우 ITO 표면에 있는 산소 원자와 수소 원자가 반응하여(환원) 표면을 산소부족 상태로 만들어 ITO 표면에 질소 화합물을 형성하기 좋은 조건이 될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 질소 플라즈마 처리는 하기와 같은 비제한적인 예에 의해 수행될 수 있다.
RF 플라즈마 반응기 속에 ITO Glass 를 넣은 후 터보 진공 펌프를 사용하여 진공도 1X10-6torr 진공까지 진공을 뽑은 후 100sccm 질소 MFC(Mass Flow Controller)를 사용하여 63sccm의 질소를 흘려 진공도 14mtorr 를 10분 유지한 후 RF 발생기 및 조절기를 사용하여 RF 출력을 설정하여 질소 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이때 플라즈마 처리 조건의 변수로는 진공도, RF 출력, 처리시간이 있으며 진공도는 질소 MFC를 사용하여 조절하고, 출력은 및 처리 시간은 RF 조절기를 사용하여 조절할 수 있다.
본 발명에서 사용가능한 질소 플라즈마의 출력 범위는 30W ~ 150W가 바람직하다. 출력이 낮아지면 질소 화합물 층의 형성이 어려워지고, 출력이 150W 이상이 되면 ITO 표면 식각이 커지고 표면 균일도가 줄어들며, 질소화합물 막이 증가하여 정공 터널링이 어려워진다.
질소 플라즈마 처리에 의해 형성된 층이 산소 원자의 확산을 방지할 수 있는 한, 본 발명의 사상은 ITO 외에 일반적인 양극용 금속 산화물 전도체에도 적용가능하며, 이는 본 발명의 균등범위에 속한다. 상기 금속 산화물의 예로 IZO(Indium Zinc Oxide)가 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시 예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
<실시예 1>
ITO 투명 전극(양극)의 제조
ITO가 1000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판 (corning 7059 glass)을 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 사용한 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2 차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후, 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이어서, 플라즈마 세정기로 이송하고, 질소 플라즈마를 이용하여 14 mtorr의 압력에서 50W 조건에서 상기 기판을 5 분간 플라즈마 처리한 후 진공 증착기로 기판을 이송시켰다.
정공 투과층의 형성
상기 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공 투과층 물질로 사용될 화학식 1e로 나타내는 화합물을 20 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 투과층을 형성하였다.
정공 주입층의 형성
상기 정공 투과층 위에 화학식 1a로 나타내는 화합물인 Hexaazatriphenylenehexacabonitrile HAT-hexacarbonitrile 을 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성시켰다.
정공 이송층의 형성
상기 정공 주입층 위에 화학식 1c로 나타내는 화합물인 NPB(400 Å)를 진공증착하여 정공 이송층을 형성시켰다.
발광층의 형성
상기 정공 이송층 위에 화학식 1b로 나타내는 발광층 역할을 하는 Alq3를 300 Å의 두께로 진공 증착 하여 발광층을 형성시켰다.
전자 이송층의 형성
상기 발광층 위에 전자 이송층의 역할을 하는 상기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 200 Å의 두께로 증착하여 유기물층의 박막 형성을 완료하였다.
음극 형성
상기 전자 이송층 위에 순차적으로 12 Å의 두께로 리튬 플루오라이드(LiF)와 2500 Å의 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며 증착시 진공도는 2 x 10-7~ 5 x 10-8torr를 유지하였다.
<비교예 1, 2, 3, 4>
실시예 1에서 질소 플라즈마 처리를 하지 않거나(비교예 1) 질소 플라즈마대신 산소를 방전가스로 한 플라즈마(비교예 2), 아르곤: 산소 = 2 : 1로 된 혼합가스를 방전가스로 한 플라즈마(비교예 3), 아르곤을 방전가스로 한 플라즈마(비교예 4)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 수행하여, ITO 양극 및 유기 발광 소자를 제조하였다.
<실험>
상기 실시예 1, 비교예 2, 3에서 제조된 유기 발광 소자에 대해 광 효율, 구동 전압, 수명을 비교하여 표 1에 나타내었다.
광 효율은 유기 발광 소자에 상온에서 100mA/cm2의 전류밀도로 전류를 흘렸을 경우 유기 발광 소자의 단위 면적 당 밝기（cd/m２）를 측정한 후 전류 밀도로 나누어준　값으로, 단위는 cd/A이다.
구동전압은　전류밀도　10mA/cm2로　전류를　흘렸을 때　유기 발광 소자의　전극　양단에　걸리는　전압（Ｖ）을　나타낸 것이다．　
수명은　유기　발광 소자를　상온　２５Ｃ에서　100mA/cm2의　전류 밀도로　전류를　흘렸을 때　초기　밝기의　５０％밝기를　나타내는　시간이다．
광효율(cd/A)(100mA/㎠) 구동 전압(V)(10mA/㎠) 수명(12)(100mA/㎠)
비교예 2O2플라즈마 3.1 4.5 50시간
비교예 3Ar: O2플라즈마 3.5 4.3 200시간
비교예 4Ar 플라즈마 2.9 3.7 335시간
실시예 1N2플라즈마 3.9 3.9 500시간 이상
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 질소플라즈마를 사용하여 ITO 표면을 처리한 실시예 1의 경우 산소 및 아르곤 산소 혼합가스를 사용하여 플라즈마 처리 한 비교예 2, 3 보다 광 효율은 약 25%, 10% 상승하였으며, 구동 전압은 약 15%, 10% 감소하였으며, 수명은 1000%, 250% 상승하였다.
따라서, 유기발광소자에서 질소 플라즈마 처리한 ITO 양극을 사용하면 산소 플라즈마 또는 아르곤 산소 플라즈마를 처리한 ITO 양극을 사용한 경우에 비하여 고 효율 저 전압 장 수명 유기발광소자의 제작이 가능하다는 것을 알 수 있다.
도 3은 플라즈마 종류에 따른 수명을 나타내었으며, 도 4에서는 플라즈마 종류에 따른 광 효율을 전류밀도에 대하여 나타내었다.
도 5에는 산소, 아르곤산소, 질소가스를 사용하여 플라즈마 처리된 ITO 표면의 XPS 그래프를 나타내었다. 도 6에는 질소 플라즈마 처리된 ITO 표면의 XPS 데이터를 세밀하게 측정한 것이다. 도 6을 살펴보면, 결합에너지 397eV~400eV에서 2개의 nitride Peak이 관측되었으며, 이것은 InN 으로 보이고, 또한 결합에너지 404eV에서 nitrite 피크가 나타났다.
상기 실시예 1, 비교예 1 내지 4에서 제조된 ITO 양극에 대하여 ITO의 일 함수 및 ITO의 원자 조성비를 하기 표 2에 나타내었다.
ITO처리조건 일함수(eV) 원자 조성비 %
In Sn O N
비교예 1무처리 4.94 37.0 7.0 56.0
비교예 2O2플라즈마 5.85 39.9 3.0 57.1
비교예 3Ar:O2플라즈마 5.87 40.0 3.0 57.0
비교예 4Ar 플라즈마 5.15 40.5 2.5 56.0
실시예 1N2플라즈마 4.89 35.8 2.4 48.7 13.3
도 5, 6 및 표 2에 나타낸 것과 같이 질소 플라즈마 처리한 ITO 표면에서는 약 13.3%의 질소 원자가 관측되었으며, 이 양은 산소 원자의 약 27% 에 해당하는 양이다.
표 2로부터 산소를 포함하는 기체를 방전 가스로 사용한 플라즈마를 사용한 비교예 2, 3의 경우 일 함수가 커짐을 알 수 있고, 또한 XPS 분석 결과 산소 플라즈마를 처리한 ITO 표면에서는 Sn의 농도가 감소하며, 산소의 농도가 증가하여 일 함수를 증가시킴을 알 수 있다.
표 2에 나타난 바와 같이, 질소 플라즈마를 사용한 실시예 1의 경우는 ITO의 표면에서 산소의 농도가 감소하여 일 함수가 감소됨에도 불구하고, 표 1에 나타난 바와 같이, 비교예 2, 3에 비해 광 효율이 상승하고, 구동 전압이 감소하고, 수명이 길어지는 효과를 발휘하였다.
따라서, 도 5, 6 및 표 2로부터 플라즈마 방전 가스로 사용된 일부 질소 함유 분자들이 플라즈마 조건에서 이온화하여 ITO 표면의 In, Sn, O 원자들과 반응하여 질소 화합물을 만들거나 증착된다고 볼 수 있으며, 이러한 질소 화합물 또는 질소 원자들이 상기 성능 향상에 기여한다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따라 질소 플라즈마로 ITO 양극의 표면을 처리한 유기 발광 소자는 양극의 표면에 형성된 질소 화합물 또는 질소 원자에 의해 정공 주입층 또는 정공 투과층과의 계면 특성을 안정화시켜 소자의 수명 및 효율을 향상시킬 수 있으며 소자를 저전압으로 구동시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면에 상기 ITO의 구성원소인 In, Sn, O 원자들 중 1종 이상과 질소가 반응하여 생성된 질소 화합물, 또는 질소 원자를 함유하는 증착된 질소 화합물을 포함하는 ITO 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질소 화합물 표면은 ITO 필름을 질소 플라즈마 처리하여 형성시킨 것이 특징인 ITO 필름.
  3. 제2항에　있어서, 질소　플라즈마의 방전 가스로 질소 또는 암모니아 단독 또는 질소와 암모니아를 포함한 혼합가스를 사용하는 것이 특징인 ITO 필름.
  4. 제2항에　있어서,　질소 플라즈마의 방전 가스로 질소와 암모니아에서 선택된 1종 이상의 가스와; 산소, 아르곤, 및 수소로 구성된 군에서 선택된 1종 이상 가스의 혼합 가스를 사용하는 것이 특징인 ITO 필름.
  5. 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)을 포함하는 필름의 표면을 질소 플라즈마 처리하는 것이 특징인 ITO 필름의 제조 방법.
  6. 기판, 양극, 발광층, 음극을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서, 양극으로제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 ITO 필름을 사용하는 것이 특징인 유기 발광 소자.　
  7. 기판, 양극, 발광층, 음극을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서, 양극으로 제5항의 제조방법에 의해 제조된 ITO 필름을 사용하는 것이 특징인 유기 발광 소자.　
  8. 제6항 또는 제7항에　있어서,　유기 발광 소자는 정공 주입층을 포함하고, 정공 주입층이 Hexaazatriphenylenehexacabonitrile HAT-hexacarbonitrile을 포함하는 것이 특징인 유기발광소자．
  9. 질소 플라즈마 처리된 유기 발광 소자 양극용 금속 산화물 전도체.
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