KR100340411B1 - 양극이 처리된 유기발광소자 제조방법 - Google Patents
양극이 처리된 유기발광소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (11)
- 유기기판위에 적층된 ITO(Indium Tin Oxide)를 준비하여 세척하는 단계;상기 세척된 ITO에 F를 함유하는 플라즈마를 작용시켜 표면을 처리하는 단계;상기 ITO 위에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층의 적어도 일부분 위에 음극을 형성하는 단계로 구성된 유기발광소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 SF6플라즈마, CF4플라즈마 및 CCl2F2플라즈마로 이루어진 일군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ITO를 세척하는 단계는,ITO를 DI워터샤워로 세척하는 단계;ITO를 트리클로로에틸렌 속에서 초음파세척하는 단계; 및아세톤 및 이소프로필알콜로 세척하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 약 30W의 출력으로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 약 70W의 출력으로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는,클로로폼이 함유된 MEH-PPV 용액을 ITO 위에 스핀코팅하는 단계; 및상기 코팅된 MEH-PPV 용액을 진공상태에서 고온의 판(hot plate)에 올려 놓고 건조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 음극은 일함수가 2.5∼3.3 eV인 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 음극은 Ca인 것을 특징으로 하는 방법.
- 유리기판위에 적층된 양극인 ITO와, 상기 ITO에 형성되어 빛이 발산되는 발광층 및 상기 발광층 위에 형성된 음극으로 이루어진 유기발광소자에 있어서,상기 ITO에 F를 함유하는 플라즈마를 인가하여 ITO의 표면을 처리하는 유기발광소자의 ITO 표면처리방법.
- 제9항에 있어서, 상기 SF6플라즈마는 약 30W의 출력으로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 SF6플라즈마는 약 70W의 출력으로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
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