KR20040096419A - 열전도성 에폭시 수지 성형체 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자부품 등에서 발생하는 열을 효과적으로 전도시킬 수 있는 열전도성 에폭시 수지 성형체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 아조메틴기(-CH=N-)를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지 조성물(15)에 자기장을 적용하여 분자쇄를 특정한 방향으로 배향시킨 후, 상기 에폭시 수지 조성물을 경화시키는 과정을 거쳐서 얻은 열전도성 에폭시 수지 성형체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 방법으로 얻어진 열전도성 에폭시 수지 성형체는 열전도성이 0.5∼30 W/(m·k) 범위로 아주 우수하여, 각종 전자부품에서 발생하는 열을 외부로 전도 혹은 절연시키는 역할을 하는 방열재료와 절연제로 유용하게 사용될 수 있다.
Description
본 발명은 전자부품 등에서 발생하는 열을 전도하는 열전도성 에폭시 수지 성형체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 고성능화, 소형화, 경량화 등에 수반하여 반도체 패키지의 고밀도화, LSI의 고집적화와 고속화등이 이루어지고 있다. 따라서, 각종 전자부품에서 발생되는 열이 증대되어, 전자부품에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방산시키고자 하는 대책을 마련하는 것이 중요한 과제로 떠오르고 있다. 현재 이러한 외부로의 열 방산에 대한 대책으로써 금속, 세라믹스, 고분자 조성물 등의 방열 재료들로 제조된 열전도성 성형체가 프린트 배선기판, 반도체 패키지, 케이스, 방열 파이프, 방열판, 열 확산판 등의 방열 부품에 주성분으로 사용되고 있다.
상기 열전도성 성형체 중에서, 일반적으로 에폭시 수지 조성물로부터 제조된 열전도성 에폭시 수지 성형체가 전기 절연성, 기계적 성질, 내열성, 내약품성, 접착성 등에서 우수하기 때문에 주로 전기전자분야에서 주형물, 적층판, 봉지재, 접착제 등의 용도로 널리 사용되고 있다.
열전도성 에폭시 수지 성형체를 구성하는 에폭시 수지 조성물로는 수지, 고무 등의 고분자 매트릭스 재료에 열전도율이 높은 열전도성 충전재를 배합하여 제조된 것들이 알려져 있다. 상기 열전도성 충전재의 예로서는, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 석영 등의 금속산화물, 질화붕소, 질화알루미늄 등의 금속질화물, 탄화규소 등의 금속탄화물, 수산화알루미늄 등의 금속수산화물, 금, 은, 동 등의 금속, 탄소섬유, 흑연 등이 사용되고 있다.
앞서 일반적인 경우와는 달리 상대적으로 좀더 높은 열전도성이 요구되는 부분에서는, 에폭시 수지에 특수한 열전도성 충전재를 배합하여 만들어진 열전도성 에폭시 수지 조성물과 이 조성물로 제조된 열전도성 에폭시 수지 성형체가 이미 개시되어 있다. 이러한 특수한 종류의 열전도성 충전재들로는 표면개질 산화알루미늄, 구형 크리스토볼라이트(cristobalite), 특정한 입자크기를 가지는 무기충전재등이 일본 특공평 제 06-51778호 공보, 특개 제 2001-172472호 공보, 특개 제 2001-348488호 공보 등에 개시되어 알려져 있다. 또한, 특개평 제 11-323162호 공보에는 메소제닉(mesogenic)기를 가지는 액정성(liquid cristalline) 에폭시 수지등을 중합시켜 제조된 열전도성이 향상된 절연조성물이 개시되어 있다. 이러한 절연조성물은 열전도성 충전재들을 배합하지 않고도 0.4 W/(m·k) 이상의 높은 열전도성을 가지게 되는 특징을 지닌다.
하지만, 최근 전자 부품들의 고성능화에 따라서 발열량이 증대되어 이제는 기존의 종래기술에 의한 조성물로 제조된 열전도성 에폭시 수지 성형체보다 높은 열전도성을 갖는 성형체 물질이 필요하게 되었다.
본 발명의 목적은 우수한 열전도성을 나타내는 열전도성 에폭시 수지 성형체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 시트(sheet)의 사시도이다.
도 2는 시트의 두께 방향으로 향상된 열전도성을 지니는 열전도성 에폭시 수지 시트(sheet)를 제조하는 방법을 보여주는 개략도이다.
도 3은 시트의 표면과 평행인 방향으로 향상된 열전도성을 지니는 열전도성 에폭시 수지 시트(sheet)를 제조하는 방법을 보여주는 개략도이다.
본 발명은 아조메틴(azomethine)기(-CH=N-)를 함유하는 분자쇄를 갖는 에폭시 수지를 주성분으로 하는 우수한 열전도성을 나타낼 수 있는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 제공한다. 상기 성형체는 0.5∼30 W/(m·k) 범위 값의 아주 우수한 열전도율을 지닌다.
또한, 본 발명은 상기 열전도성 에폭시 수지 성형체를 제조하는 방법을 제공한다. 이의 제조방법은 에폭시 수지의 분자쇄를 특정방향으로 배향시키기 위해 에폭시 수지 조성물에 자기장을 적용하는 단계 및 상기 특정방향으로 배향된 에폭시 수지 분자쇄를 갖는 에폭시 수지 조성물을 경화시키는 단계로 구성된다.
본 발명의 다른 측면과 이점에 대해서는 실시예들과 도면들을 가지고 이하 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다루는 열전도성 에폭시 수지 성형체는 하나 이상의 아조메틴기(-CH=N-)를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지를 주성분으로 한다. 상기 열전도성 에폭시 수지 성형체의 열전도율은 0.5∼30 W/(m·k)의 값을 지닌다. 또한, 이러한 열전도성 에폭시 수지 성형체는 하나 이상의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻을 수 있다. 이러한 열전도성 에폭시 수지 성형체는 전자 기기의 부품들에서 발생하는 열을 외부로 전도 혹은 방산시킬 수 있다. 따라서 상기 성형체는 프린트 배선기판, 반도체 패키지, 봉지재, 케이스, 방열 파이프, 방열판, 열 확산판, 접착제 등의 방열재료혹은 절연제로 적용될 수 있어, 각종 전자부품에서 발생하는 열을 외부로 전도 혹은 절연시키는 역할을 한다.
이하 에폭시 수지 조성물에 대해서 설명한다. 상기 에폭시 수지 조성물은 하나 이상의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지를 주성분으로 한다. 이러한 에폭시 수지는 아조메틴기를 함유하는 분자쇄에 대해 종축방향으로 효율적으로 열을 전도할 수가 있다. 여기서 "주성분"이라 함은 최종 생성된 열전도성에폭시 수지 성형체 총 중량에 대하여 에폭시 수지 함유량이 50 중량%이상 되는 것을 의미하고, 바람직하게는 70 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 80 중량% 이상을 함유하는 것이다. 이러한 방법으로 제조된 에폭시 수지 성형체는, 에폭시 수지를 50 중량% 이상으로 함유하게 되면 에폭시 수지 내의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄에 의해 열전도 기능을 최적의 조건에서 효율적으로 수행할 수 있게 된다.
에폭시 수지의 구체적인 예로서는 테레프탈릴이덴-비스-(4-아미노-3-메틸페놀)디글리시딜에테르, 테레프탈릴이덴-비스-(p-아미노페놀)디글리시딜에테르, 4-아조메틴 벤졸 디글리시딜에테르, 4,4'-디아조메틴 벤졸 디글리시딜에테르, 1,5-비스-4-[아자-2-(메틸-4-하이드록시페닐)-비닐]페녹시 펜탄 디글리시딜에테르 등이 있다.
상기 에폭시 수지의 분자쇄는 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기를 주성분으로 함유하는 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지 내에 도입된 메소제닉기는 특정 온도에서 규칙적으로 배열되어 액정상태로 존재하게 된다. 이것은 메소제닉기를 함유하는 에폭시 수지의 분자쇄들이 고도의 배향성을 갖도록 만들 수 있다. 에폭시 수지의 하나의 분자쇄에 함유되는 메소제닉기의 수는 하나 이상이며, 하나의 메소제닉기에 함유되는 아조메틴기의 수도 하나 이상으로 구성된다.
상기 에폭시 수지는 바람직하게는 하기 일반식 (1)∼(4)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 메소제닉기를 포함한다. 여기서 메소제닉기는 아조메틴기를 하나 이상 함유한다. 하기 일반식 중에서 X는 R, F, Cl, Br, I, CN, 또는 NO2이고, n은 0∼4 사이의 임의의 정수를 나타내며, R은 지방족 탄화수소를 의미한다.
상기 일반식 (1)∼(4)의 메소제닉기가 도입된 에폭시 수지는 고도의 방향성을 지니는 분자쇄를 가지게 된다. 따라서, 최종 생성물인 에폭시 수지 성형체는 에폭시 수지의 분자쇄가 배향된 특정 방향으로 아주 우수한 열 전도성을 지니게 된다.
상기 일반식 (1)∼(4)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 메소제닉기를 함유하는 에폭시 수지의 예로서는, 테레프탈릴이덴-비스-(4-아미노-3-메틸페놀)디글리시딜에테르, 테레프탈릴이덴-비스-(p-아미노페놀)디글리시딜에테르, 4-아조메틴 벤졸 디글리시딜에테르, 1,5-비스-4-[아자-2-(메틸-4-하이드록시페닐)-비닐]페녹시 펜탄 디글리시딜에테르 등이 있다.
액정 상태의 종류로는 네마틱(nematic), 스멕틱(smectic),콜레스테릭(cholesteric) 그리고 디스코틱(discotic) 등으로 분류할 수 있다. 이러한 액정 상태는 통상적으로 직교 편광자(orthogonal polarizer)를 이용한 편광 검사법으로 확인할 수 있으며, 상기 액정 상태의 에폭시 수지는 강한 복굴절성을 나타내게 된다. 에폭시 수지는 스멕틱 액정 상태를 나타내는 것이 바람직한데, 이것은 이러한 에폭시 수지가 좋은 열전도성을 지니기 때문이다. 스멕틱 액정 상태를 나타낼 수 있는 에폭시 수지는 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기를 에폭시 수지 안에 도입함으로써 얻을 수 있다. 상기 메소제닉기의 액정상태로의 상 전이는 온도와 조성물 내의 메소제닉기의 함유량을 조절함으로써 가능하다. 하지만 온도에 의해서 상 전이가 조절되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 에폭시 수지는 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기 이외에 다른 메소제닉기를 포함할 수 있다. 이러한 메소제닉기의 예로서는 바이페닐, 시아노바이페닐, 테르페닐, 시아노테르페닐, 페닐벤조아트, 아조벤젠, 아족시벤젠, 스틸벤, 페닐시클로헥실, 바이페닐시클로헥실, 페녹시페닐, 벤질이덴아닐린, 벤질벤조아트, 페닐피리미딘, 페닐디옥산, 벤조일아닐린, 톨란, 그리고 이들의 유도체들이 가능하다.
또한, 상기 에폭시 수지는 아조메틴기를 함유하는 복수 개의 메소제닉기들을 결합하는, 혹은 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기와 다른 종류의 메소제닉기들을 결합하는 연성 단편들(굴곡 분자쇄;spacer)을 포함한다.
이러한 연성 단편의 예로서는 지방족 탄화수소기, 지방족 에스테르기, 지방족 에테르기, 그리고 실록산 결합으로 이루어진 분자쇄가 있다.
바람직하게는, 상기 에폭시 수지 조성물은 조성물 안에 포함된 에폭시 수지를 경화시기키 위해 경화제를 첨가하게 된다. 상기 경화제의 예로서는, 아민계 경화제, 산무수물계 경화제, 페놀계 경화제, 폴리머캡탄계 경화제, 폴리아미노아마이드계 경화제, 이소시아나트계 경화제, 그리고 블록이소시아나트계 경화제 등을 들 수가 있다. 이들 경화제를 에폭시 수지 조성물에 첨가함에 있어서, 첨가될 경화제의 배합량은 경화제의 종류나 요구되는 열전도성 에폭시 수지 성형체의 물리적 성질을 고려하여 결정한다. 구체적인 경화제의 배합량은 바람직하게는 에폭시기 1몰에 대하여 첨가될 경화제가 0.005∼5 비율로, 더욱 바람직하게는 0.01∼3, 가장 바람직하게는 0.5∼1.5 비율의 화학적 당량으로 첨가되는 것이 좋다. 1몰의 에폭시기와 배합될 경화제의 당량비가 0.005보다 적을 경우에는 에폭시 수지의 경화가 신속히 이루어지지 못하며, 1몰의 에폭시기와 배합될 경화제의 당량비가 5를 초과할 경우에는 급속한 경화가 이루어져, 에폭시 수지의 배향성을 조절하기가 힘들어지기 때문이다. 본 발명에서의 "화학적 당량"이란, 아민계 경화제를 예를 들면, 에폭시기 1몰에 대한 아민의 활성수소의 몰수를 의미한다.
아민계 경화제의 예로서는 지방족 아민류, 폴리에테르 폴리아민류, 지환족 아민류, 그리고 방향족 아민류 등이 있다. 지방족 아민류의 예로서는 에틸렌디아민, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노프로판, 헥사메틸렌디아민, 2,5-디메틸헥사메틸렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 이미노비스프로필아민, 비스(헥사메틸렌)트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, N-하이드록시에틸에틸렌디아민, 그리고 테트라(하이드록시에틸)에틸렌디아민 등이 있다. 폴리에테르 폴리아민류의 예로서는 트리에틸렌글리콜디아민, 테트라에틸렌글리콜디아민, 디에틸렌글리콜비스(프로필아민), 폴리옥시프로필렌디아민, 그리고 폴리옥시프로필렌트리아민 등이 있다. 지환족 아민류의 예로서는 이소포론디아민, 멘탄디아민, N-아미노에틸피페라진, 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, 비스(아미노메틸)시클로헥산, 3,9-비스(3-아미노프로필)2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 그리고 노보넨디아민 등이 있다. 방향족 아민류의 예로서는 테트라클로로-p-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노아니졸, 2,4-톨루엔디아민, 2,4-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디아미노디페닐메탄, 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄, 2,4-디아미노디페닐술폰, 4,4′-디아미노디페닐술폰, m-아미노페놀, m-아미노벤질아민, 벤질디메틸아민, 2-디메틸아미노메틸페놀, 트리에탄올아민, 메틸벤질아민, α-(m-아미노페닐)에틸아민, α-(p-아미노페닐)에틸아민, 디아미노디에틸디메틸디페닐메탄, 그리고 α,α′-비스(4-아미노페닐)-p-디이소프로필벤젠 등이 있다.
산 무수물계 경화제의 구체적인 예로서는 도데시닐 무수호박산, 폴리아디픽산무수물, 폴리아젤라익 산무수물, 폴리세바식 산무수물, 폴리(에틸옥타데칸이산)무수물, 폴리(페닐헥사데칸이산)무수물, 메틸테트라하이드로 프탈릭 산무수물, 메틸헥사하이드로 프탈릭 산무수물, 헥사하이드로 프탈릭 산무수물, 메틸하이믹 산무수물, 테트라하이드로 프탈릭 산무수물, 트리알킬테트라하이드로 프탈릭 산무수물, 메틸시클로헥센디카르복실 산무수물, 메틸시클로헥센테트라카르복실 산무수물, 프탈릭 산무수물, 트리멜리틱 산무수물, 파이로멜리틱 산무수물, 벤조페논테트라 카르복실 산무수물, 에틸렌 글리콜비스트리멜리테이트, 콜렌딕 산무수물, 나딕 산무수물, 메틸나딕 산무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르복실 산무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라하이드로-1-나프탈렌 호박산 이무수물, 그리고 1-메틸-디카르복시-1,2,3,4-테트라하이드로-1-나프탈렌 호박산 이무수물 등이 있다.
페놀 경화제의 예로서는 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페놀 노발락, 비스페놀 A 노발락, o-크레졸 노발락, m-크레졸 노발락, p-크레졸 노발락, 크실레놀 노발락, 폴리-p-하이드록시스티렌, 레조르시놀, 케이트콜, t-부틸케이트콜, t-부틸하이드로키논, 플루오르글리시놀, 파이로갈롤, t-부틸파이로갈롤, 알릴 파이로갈롤, 폴리알릴 파이로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 1,2-디하이드록시나프탈렌, 1,3-디하이드록시나프탈렌, 1,4-디하이드록시나프탈렌, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 1,7-디하이드록시나프탈렌, 1,8-디하이드록시나프탈렌, 2,3-디하이드록시나프탈렌, 2,4-디하이드록시나프탈렌, 2,5-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 2,7-디하이드록시나프탈렌, 2,8-디하이드록시나프탈렌, 그리고 상기 디하이드록시나프탈렌의 알릴화된 혹은 폴리알릴화된 화합물, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 페놀 노발락, 알릴화 파이로갈롤 등이 있다.
상기 경화제들은 단독으로 혹은 복수의 경화제를 조합하여 에폭시 수지 조성물내에 첨가될 수 있다. 이 경화제들은 보통 에폭시 수지 조성물 내에 첨가된 직후 에폭시 수지를 경화하는 타입일 수 있다. 선택적으로, 에폭시 수지의 경화시기를늦추기 위한 잠재성 경화제를 사용할 수도 있는데, 이 경우 잠재성 경화제를 미리 첨가해도 경화되지 않고 나중에 가열 등의 방법으로 경화시킬 수 있다. 잠재성 경화제의 예로서는 디시안디아미드, 구아니딘 화합물, 아디픽산 디하이드라자이드, 세바식 산 디하이드라자이드, 이소프탈릭산 디하이드라자이드 등의 질소를 함유하는 화합물, 아민이미드류, 3급 아민염, 이미다졸염, 루이스산 그리고 이로부터 유도된 염, 브란스테드산염 등을 들 수 있다.
에폭시 수지 조성물에 포함된 에폭시 수지를 경화시키는 또 다른 방법으로는, 염화 알루미늄(AlCl3), 염화 주석(SnCl4), 염화 티타늄(TiCl4), 염화 붕소(BF3), 염화 인(PCl3), 플루오르화 안티몬(SbF5) 등의 화합물을 이용한 양이온 공중합을 들수 있다. 또한, 브롬화 테트라부틸암모늄, 염화 디메틸디벤질암모늄과 같은 암모늄 염을 이용한 음이온 공중합을 통해서도 에폭시 수지 조성물에 함유된 에폭시 수지를 경화시키는 것이 가능하다.
그리고, 상기 에폭시 수지 성형체의 열전도성을 향상시키기 위해 에폭시 수지 조성물 내에 열전도성 충전재를 적당히 첨가할 수 있다. 열전도성 충전재의 예로서는 금속, 금속산화물, 금속질화물, 금속탄화물, 금속수산화물, 금속피복수지, 탄소섬유, 흑연화 탄소섬유, 천연흑연, 인조흑연, 구형 흑연입자, 메조카본 마이크로비즈(mesocarbon microbeads), 위스커 카본(whisker carbon), 마이크로코일드 카본(microcoiled carbon), 나노코일드 카본(nanocoiled carbon), 그리고 카본 나노튜브(carbon nanotube), 카본 나노호른(carbon nanohorn) 등을 들 수 있다. 금속의종류에는 은, 구리, 금, 백금, 그리고 지르콘 등이 있고; 금속산화물에는 산화알루미늄, 그리고 산화마그네슘; 금속질화물에는 질화붕소, 질화알루미늄, 그리고 질화규소 등이; 금속탄화물에는 탄화규소등이; 그리고 금속수산화물에는 수산화알루미늄과 수산화마그네슘 등이 있다. 상기의 열전도성 충전재들은 단독으로 혹은 복수의 충전재들을 조합하여 첨가할 수 있다. 게다가, 열전도성 충전재와 에폭시 수지 사이의 젖음성(wettablility)를 개선하거나 충전재의 계면 보강, 분산성 개선 등의 목적들을 달성하기 위해 통상의 접합제(coupling agent)가 열전도성 충전재 표면에 처리될 수 있다.
또한, 본 발명의 열전도성 에폭시 수지 성형체의 열전도성을 향상시키기 위해 다량의 열전도성 충전재를 에폭시 수지 조성물 내에 첨가할 수 있다. 보다 상세하게는, 열전도성 충전재는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 100 중량부 이상 1,000 중량부 미만의 함유량으로 첨가될 수 있다. 하지만, 에폭시 수지 조성물에 첨가되는 열전도성 충전재의 함유량은 바람직하게는 에폭시 수지 100중량부에 대하여, 100 중량부 이하로, 더욱 바람직하게는 80 중량부 이하로, 가장 바람직하게는 70 중량부 이하로 함유되는 것이 적당하다. 한편, 에폭시 수지 성형체의 경량화가 요구될 때에는 대체로 에폭시 수지 조성물 내에 열전도성 충전재를 포함하지 않는 것이 바람직하나, 첨가한다면 에폭시 수지 100 중량부에 대해서 충전재를 5 중량부 이하, 보다 바람직하게는 1 중량부 이하로 첨가하는 것이 좋다. 하지만 가장 바람직하게는 조성물 내에 열전도성 충전재를 첨가하지 않는 것이 좋다.
또한, 에폭시 수지 조성물 내에 안료, 염료, 형광물질, 분산제, 안정제, 자외선 흡수제, 에너지 소광제(quencher), 정전기 방지제, 산화방지제, 연소지연제, 열안정제, 미끄럼방지제, 가소제, 용제 등을 필요에 따라 소량으로 첨가할 수 있다.
이하, 열전도성 에폭시 수지 성형체에 대해서 상세히 설명한다.
본 발명의 열전도성 에폭시 수지 성형체는 상기 에폭시 수지 조성물을 소정의 형태로 성형시킨 다음 이를 경화시켜서 얻을 수 있다. 상기 에폭시 수지 내의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄들은 특정한 방향성을 가지는데, 이러한 방향성 때문에 에폭시 수지 성형체는 현저하게 향상된 열전도성을 지니게 된다. 상기 열전도성 에폭시 수지 성형체의 열전도율은 0.5∼30 W/(m·k)이며, 바람직하게는 분자쇄가 배향된 방향으로 0.53∼0.89 W/(m·k) 범위가 적당하다. 열전도율이 0.5 W/(m·k) 이하일 경우, 전자부품에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출시키기가 용이하지 않으며, 에폭시 수지의 물리적 성질을 고려해 볼 때, 열전도율이 30 W/(m·k)이상인 열전도성 에폭시 수지 성형체를 얻기 또한 곤란하기 때문이다.
따라서, 상기의 적당한 범위의 열전도성을 갖는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 얻기 위해서는 상기 일반식 (1)∼(4)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 메소제닉기를 에폭시 수지 내의 분자쇄에 도입하고, 이들 분자쇄를 일정 방향으로 배향시킴으로써 가능하다.
에폭시 수지 조성물로부터 에폭시 수지 성형체를 제조하기 위해서는 주형기구를 이용해 에폭시 수지 조성물을 성형시킨 후, 각종 배향방법을 이용하여 에폭시 수지의 분자쇄를 특정방향으로 배향시킨다. 에폭시 수지의 배향 작업은 에폭시 수지 조성물이 경화되기 이전 혹은 경화되는 도중에 가능하다. 하지만, 에폭시 수지의 경화시에 배향작업이 이루어지는 것이, 에폭시 수지의 경화와 배향 작업을 동시에 수행하여 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조시간을 단축시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 에폭시 수지의 배향방법에는 러빙(rubbing)과 유동장, 전단장(shear field), 자기장, 전기장 등을 이용한 방법을 들 수가 있다. 이 방법들 중에서, 자기장을 이용하는 것이 바람직한데, 그 이유는 배향 방향 및 배향도를 용이하게 제어할 수 있고, 열전도율을 제어하기 용이하기 때문이다. 에폭시 수지 조성물에 자기장을 적용시키면, 조성물 내의 에폭시 수지 분자쇄들이 자력선과 평행방향으로 혹은 수직방향으로 배향된다. 이후, 자기장에 의해 에폭시 수지의 배향 방향이 유지된 상태에서 에폭시 수지 조성물을 경화시키게 된다.
자기장을 발생시키는 자기장발생기구로는 영구자석, 전자석, 초전도자석, 그리고코일 등을 들 수가 있다. 이들 중에서 초전도자석을 이용하는 것이 바람직한데, 그 이유는 초전도자석이 실제적인 자속밀도를 갖는 자기장을 발생시키기 때문이다.
에폭시 수지 조성물에 적용되는 자기장의 자속밀도는 바람직하게는 0.5∼20 T(Tesla), 더욱 바람직하게는 1∼20 T, 가장 바람직하게는 2∼10 T가 적당하다. 상기 자속밀도가 0.5 T보다 작을 경우에는 에폭시 수지의 분자쇄들이 충분히 배향될 수가 없어서, 에폭시 수지 성형체의 열전도성을 바람직한 범위에서 제어하기가 쉽지 않으며, 20T 이상의 자속밀도를 갖는 자장을 만들어 내기도 사실상 용이하지가않기 때문이다. 실제적으로는 2∼10 T 범위의 자속밀도가 유효하며, 이 범위의 자속밀도에서 에폭시 수지의 분자쇄를 효과적으로 배향시킬 수 있어 높은 열전도성을 지니는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 얻을 수 있다.
에폭시 수지를 성형시키는 주형기구로서 예를 들면, 트랜스퍼 성형장치, 프레스 성형장치, 주형 성형장치, 사출 성형장치, 그리고 압출 성형장치 등이 사용된다. 상기 장치를 이용한 열전도성 에폭시 수지 성형체는 시트, 필름, 블록, 입자, 그리고 섬유상 등의 형태로 제조될 수 있다.
또한, 에폭시 수지 조성물 내의 에폭시 수지를 경화시키는 방법으로는 에폭시 수지 내의 에폭시기를 자기공중합(self-polymerization)시키는 방법과 상기 에폭시 수지와 경화제를 반응시키는 방법을 들 수가 있다. 이러한 반응들에는 열경화, 광경화, 방사선경화, 습기경화 반응 등을 들 수가 있다.
본 발명의 실시예에서는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 시트형으로 제조하게 되는데, 시트형은 그 두께가 바람직하게는 0.02∼10 mm, 더욱 바람직하게는 0.1∼7 mm, 가장 바람직하게는 0.2∼5 mm이 적당하다. 이것은 시트의 두께가 0.02 mm 미만일 경우에는 시트를 적용물에 적용시키고자 할때, 시트의 조작이 어렵고, 시트의 두께가 10 mm를 초과하는 경우에는 열전도성이 떨어질 수 있기 때문이다.
이하, 실시예에 의해 에폭시 수지 조성물로부터 열전도성 에폭시 수지 성형체를 제조하는 방법에 대해서 도면 1∼3을 통해서 상세히 설명한다. 본 실시예에서 열전도성 에폭시 수지 성형체는 도면 1의 시트(11)로 나타내었다.
우선, 열전도성 시트(11)의 두께 방향으로 아조메틴기를 함유하는 에폭시 수지의 분자쇄들을 배향시키는 작업에 대하여 설명한다(도면 1에 나타낸 Z축 방향). 도면 2에 나타낸 것처럼, 금형(12a) 내부에 시트(11) 형태의 캐버티(cavity) (13a)를 만든다. 그리고 금형(12a) 상하로 한쌍의 영구자석(14a)을 배열하여 자기장을 발생시키도록 하면, 영구자석(14a)에서 발생하는 자력선 M1의 방향과 캐버티(13a)의 두께방향이 서로 평행하게 일치된다.
다음으로 캐버티(13a)를 에폭시 수지 조성물(15)로 충전시킨다. 금형(12a)에는 캐버티(13a)내에 충전된 에폭시 수지 조성물(15)에 포함된 에폭시 수지를 용융상태로 보존시키기 위한 가열장치가 준비되어 있다(도면에는 나타나 있지 않다). 또한, 에폭시 수지 조성물(15)이 메소제닉기가 도입된 에폭시 수지를 포함할 경우에도, 상기 에폭시 수지는 온도를 조절하여 액정 상태로 유지될 수가 있다. 이렇게 에폭시 수지 조성물을 준비한 후, 영구자석(14a)을 사용하여 캐버티(13a)안의 조성물(14)에 소정의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시킨다. 상기 자기장은 캐버티(13a)에 에폭시 수지 조성물이 충전되기 전에도 적용할 수 있다. 자력선 M1이 시트상의 에폭시 수지 조성물(15)의 두께 방향으로 평행하게 일치하기 때문에 에폭시 수지의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄를 시트상의 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향으로 배향시킬 수 있다. 이러한 배향 상태를 유지하면서 에폭시 수지 조성물(15)을 경화시킨다. 상기 자기장은 경화시에도 물론 분자쇄의 배향을 유지시키기 위해 계속 조성물(15)에 적용시킨다. 경화 후, 금형(12a)에서 생성물을 추출하여 에폭시 수지의 분자쇄가 두께방향으로 배향된 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 상기 시트(11)는 두께방향으로 0.5∼30 W/(m·k)범위의 열전도성을 지닌다.
상기 열전도성 에폭시 수지 시트(11)는 두께방향으로 높은 열전도성이 요구되는 회로기판 재료나 반도체 패키지용 방열시트 등에 적절히 이용될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다. 본 실시예에서는 에폭시 수지의 분자쇄 방향이 열전도성 에폭시 수지 시트(11)의 표면에 평행하게 배향된다(도면 1의 X, Y축 방향). 도면 3에 나타난 것처럼, 한쌍의 영구자석(14b)을 금형(12b)의 양 측면에 위치시켜 자력선 M2가 금형(12b)의 캐버티(13b)의 계면에 평행하도록 만든다. 캐버티(13b)는 시트(11)의 형태와 같고, 영구자석(14b)을 이용해 케버티(13b)에 충전된 에폭시 수지 조성물(15)에 자기장을 적용시킨다. 이렇게 하면 자력선 M2의 방향이 시트상의 에폭시 수지 조성물(15)의 표면과 평행하게 되어, 에폭시 수지 내에 아조메틴기를 함유하는 분자쇄들이 에폭시 수지 조성물(15)의 표면에 평행한 방향으로 배향된다. 이러한 배향 상태를 유지하면서 에폭시 수지 조성물(15)을 경화시킨다. 상기 자기장은 경화시에도 분자쇄의 배향을 유지시키기 위해 계속 조성물에 적용시킨다. 경화 후, 금형(12b)에서 생성물을 추출하여 시트 표면에 평행하게 에폭시 수지의 분자쇄가 배향된 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 상기 시트(11)는 표면방향으로 0.5∼30 W/(m·k)범위의 열전도성을 지닌다.
본 발명의 실시예에 의한 효과의 이점에 대해서 하기에 상세히 기술한다.
본 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체는 아조메틴기를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어진다. 이 성형체는 0.5∼30 W/(m·k)범위의 열전도성을 지니며, 이러한 구성으로 제조된 성형체는 메소제닉기를 함유하는 에폭시 수지의 분자쇄 구성 때문에 아주 우수한 열전도성을 나타낸다. 또한 상기 성형체에 열전도성 충전재를 배합할 경우, 에폭시 수지 자체의 열전도성이 향상되어 좋은 열전도성을 지니게 된다. 하지만, 에폭시 수지 자체도 열전도성이 좋기 때문에 충전재를 첨가하지 않을 수도 있다. 이것은 성형체의 경량화를 가져온다.
본 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체는 에폭시 수지의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄들이 특정한 방향으로 배향되어, 그 배향방향으로 0.5∼30 W/(m·k)범위의 열전도성을 지니게 된다.
본 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체는 에폭시 수지가 바람직하게는 상기 일반식 (1)∼(4)로 표현되는 메소제닉기들로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 함유하는 분자쇄를 가지는 것을 특징으로 한다. 상기 메소제닉기는 강한 결합을 지니는 아조메틴기와 벤젠고리를 함유하기 때문에, 에폭시 수지를 액정상태로 안정화시키는 것이 가능하다. 따라서, 메소제닉기로 인한 액정성을 이용하여 아조메틴기를 함유한 분자쇄들을 특정 방향으로 고도로 배향시킬 수 있다. 이것은 에폭시 수지 성형체가 특정 배향방향으로 아주 우수한 열전도성을 지니게 해 준다. 이렇게 메소제닉기들의 액정성을 이용하면 아주 우수한 열전도성을 갖는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 얻을 수 있다.
본 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체는 바람직하게는 시트형태이며, 두께방향으로 0.5∼30 W/(m·k)범위의 열전도성을 지니게 된다. 시트상의 열전도성 에폭시 수지 성형체는 회로기판 재료, 방열시트와 같이 시트형태이면서 두께방향으로 아주 높은 열전도성이 요구되는 부분에 적용될 수 있다.
본 실시예에 따른 열전도성 에폭시 수지 성형체를 제조하는 방법에서는 특정방향으로 에폭시 수지 조성물에 자기장을 적용시킨 후 조성물을 경화시키게 된다. 이렇게 하면 상기 에폭시 수지의 아조메틴기를 함유하는 분자쇄들이 특정 방향으로 배향되기 때문에, 특정 방향으로 아주 우수한 열전도성을 가지는 열전도성 에폭시 수지 성형체를 쉽게 얻을 수 있다.
하기의 실시예에 의해 본 발명의 내용을 설명하고자 하나, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니며, 다른 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 있어서 자명하다.
상기 에폭시 수지 조성물은 열전도성 충전재 이외에 보강제를 배합할 수도 있다. 보강제의 예로서는 아라미드 섬유, 탄화규소 섬유, 알루미나 섬유, 붕소 섬유, 탄화 텅스텐섬유, 유리섬유 등의 내열성, 기계적 강도가 우수한 강화섬유 등을 들 수 있다.
한 쌍의 영구자석(14a/14b)을 배치하여, 이들 영구자석 사이에 금형(12a/12b) 하나를 위치시킨다. 여기서 한 쌍의 영구자석중 하나를 생략할 수도 있다.
상기 영구자석은 N극 한쌍, 혹은 S극 한쌍을 배치하여 서로 마주보게 할 수 있다.
상기 자력선 M1, M2는 직선상이지만, 곡선상이나 다른 형태로 될 수도 있다. 또한, 자력선 M1, M2 또는 캐버티 13a, 13b는 서로에 대해서 회전될 수 있다.
다음으로, 하기 실시예를 비교예를 들어 상세히 설명한다.
(실시예 1)
상기 일반식 (3)으로 표현된 에폭시 수지로서 테레프탈릴이덴-비스-(4-아미노-3-메틸페놀)디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 A"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서 처럼 시트형태로 제조하기 위해 170℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 1T의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시키면서 170℃에서 10분간 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 여기서 자력선 M1은 시트상의 상기 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향과 평행하도록 하였다.
(실시예 2, 3)
표 1에 기재된 자속밀도를 적용시키는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 에폭시 수지 조성물을 사용하여 열전도성 에폭시 수지 시트를 제조한다.
(실시예 4)
상기 일반식 (3)으로 표현된 에폭시 수지로서 테레프탈릴이덴-비스-(p-아미노페놀)디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 B"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해 190℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 10T의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시키면서 190℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 여기서 자력선 M1은 시트상의 상기 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향과 평행하도록 하였다.
(실시예 5)
상기 일반식 (1)로 표현된 에폭시 수지로서 4-아조메티닉 벤졸 디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 C"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해 150℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 10T의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시키면서 125℃에서 4시간 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 여기서 자력선 M1은 시트상의 상기 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향과 평행하도록 하였다.
(실시예 6)
상기 일반식 (2)로 표현된 아조메틴기를 갖는 에폭시 수지로서 4-디조메티닉 벤졸 디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 D"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해230℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 10T의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시키면서 230℃에서 5분 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다. 여기서 자력선 M1은 시트상의 상기 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향과 평행하도록 하였다.
(실시예 7)
상기 일반식 (1)로 표현된 에폭시 수지로서 1,5-비스-4-[2-아자-2-(메틸-4-하이드록시페닐)-비닐]페녹시 펜탄 디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 E"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해 150℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 10T의 자속밀도를 갖는 자기장을 적용시키면서 105℃에서 2시간 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)을 얻었다. 여기서 자력선 M1은 시트상의 상기 에폭시 수지 조성물(15)의 두께방향과 평행하도록 하였다.
(비교예 1)
에폭시 수지로서 비스페놀 A 글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 F"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해 150℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 자기장에 노출시키지 않고 80℃에서 2시간 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다.
(비교예 2)
에폭시 수지로서 4,4′-바이페놀 디글리시딜에테르 (이하 "에폭시 수지 G"로 명한다) 및 경화제로서 4,4′-디아미노-1,2-디페닐에탄을 각각 1 : 0.5의 몰비로 섞어 에폭시 수지 조성물(15)를 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물(15)을 도면 2에서처럼 시트형태로 제조하기 위해 150℃로 가열된 금형(12a)의 캐버티(13a) 내부에 용융된 상태로 보존한 후, 자기장에 노출시키지 않고 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이렇게 해서 2 mm 두께의 열전도성 에폭시 수지 시트(11)를 얻었다.
상기 실시예 1∼7, 비교예 1, 2로부터 제조된 열전도성 에폭시 수지 시트들의 두께 방향으로의 열전도성을 레이져 플래쉬법(laser flash method)에 의해 측정하였다. 상기 에폭시 수지 시트들의 열전도성 측정치는 표 1에 나타난 바와 같다.
[표 1]
| 실시예 | 비교예 | ||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 1 | 2 | |
| 에폭시 수지 | A | A | A | B | C | D | E | F | G |
| 자속밀도(T) | 1 | 5 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 0 | 0 |
| 열전도성(W/(m·k)) | 0.76 | 0.80 | 0.89 | 0.78 | 0.64 | 0.57 | 0.53 | 0.19 | 0.24 |
표 1에서 나타난 것처럼 실시예 1∼7로부터 얻어진 열전도성 에폭시 수지 시트들은 두께 방향으로의 열전도성이 0.5 W/(m·k) 이상으로 아주 우수하기 때문에 열전도를 효율적으로 수행할 수 있다.
한편, 비교예 1, 2에서 얻어진 열전도성 에폭시 수지 시트들은 0.5 W/(m·k)미만의 낮은 열전도성을 가지기 때문에 열전도성이 상대적으로 많이 떨어진다.
본 발명을 상기 실시예들로 구체화하여 상세히 설명하였으나 본 발명이 상기 실시예로만 한정되는 것은 아니며, 하기 청구항에 기술된 본 발명의 기술적 범위 안에서 다른 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 있어서 자명하다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 아조메틴기(-CH=N-)를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지 조성물(15)에 자기장을 적용해 분자쇄를 특정한 방향으로 배향시킨 후, 상기 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어진 본 발명의 열전도성 에폭시 수지 성형체는 열전도성이 0.5∼30 W/(m·k) 범위로 아주 우수하여, 각종 전자부품에서 발생하는 외부로 열을 전도 혹은 절연시키는 역할을 하는 프린트 배선기판, 반도체 패키지, 봉지재, 케이스, 방열 파이프, 방열판, 열 확산판, 접착제 등의 방열재료 혹은 절연제로 유용하게 사용될 수 있다.
Claims (9)
- 아조메틴기(-CH=N-)를 함유하는 분자쇄를 가지는 에폭시 수지를 주성분으로 하고, 0.5∼30 W/(m·k) 범위의 열전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.
- 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 분자쇄는 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기를 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.
- 제 2항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 분자쇄는 하기 일반식 (1)∼(4)로 표현된 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기들로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.(단, 상기 식 중에서 X는 R, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2이고; n은 0∼4 사이의 임의의 정수이며, R은 지방족 탄화수소를 나타낸다)
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 분자쇄는 특정방향으로 배향되어 있고, 상기 성형체는 상기 특정방향으로 0.5∼30 W/(m·k) 범위의 열전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.
- 제 4항에 있어서, 상기 성형체는 특정 두께의 시트상의 형태이며, 상기 특정 배향 방향은 상기 시트의 두께방향과 평행한 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.
- 제 4항에 있어서, 상기 성형체는 상기 특정 배향 방향으로 0.53∼0.89 W/(m·k) 범위의 열전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체.
- 상기 방법은, 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물로부터 제조되며, 상기 에폭시 수지는 아조메틴기를 함유하는 분자쇄를 가지며, 0.5∼30 W/(m·k)의 열전도성을 가지는 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조방법에 있어서,i) 상기 에폭시 수지 조성물에 자기장을 적용시켜 상기 에폭시 수지의 분자쇄를 특정 방향으로 배향시키는 단계; 및ii) 상기 특정 방향으로 분자쇄가 배향된 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 분자쇄는 아조메틴기를 함유하는 메소제닉기를 함유하며, 상기 에폭시 수지 내의 메소제닉기를 액정상태로 만드는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조방법.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 성형체(11)는 0.53∼0.89 W/(m·k) 범위의 열전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 에폭시 수지 성형체의 제조방법.
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