KR20040095720A - Ｔａｂ용 테이프 캐리어의 제조방법 - Google Patents

Abstract

분할된 단면에서의 파상 및 그 부분에서의 회로 패턴의 인열을 방지하는 방식으로 TAB(Tape Automated Bonding)용 테이프 캐리어를 제조할 수 있는 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 의해 신뢰성이 높은 TAB용 테이프 캐리어를 효율적으로 제조할 수 있다. 상기 방법에서는 금속 지지층(1)에 수지 용액을 도포하고 건조시켜 장척의 금속 지지층(1)상에 절연층(2)을 형성한다. 그 다음, 절연층(2)상에 복수열의 배선 패턴(3)을 세미-애디티스(semi-additive)법에 의해 형성한다. 그 후, 금속 지지층(1)에서 배선 패턴(3)의 인접한 열 사이의 공간에 슬릿구(S)를 형성한다. 그 다음, 슬릿구(S)를 따라 절연층(2)을 분할하여 연속 시트를 각 스트립으로 분리함으로써 TAB용 테이프 캐리어(12)를 얻는다.

Description

ＴＡＢ용 테이프 캐리어의 제조방법{METHOD OF PRODUCING TAB TAPE CARRIER}

본 발명은 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법, 보다 구체적으로는 TAB법에 의해 전자 부품을 탑재하는데 사용되는 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 관한 것이다.

TAB용 테이프 캐리어는 TAB법에 의해 반도체 소자로 이루어진 전자 부품 등을 탑재하기 위해 널리 사용되어 왔다. 이러한 TAB용 테이프 캐리어에는 보통 전자 부품을 탑재하도록 설계된 복수열의 배선 패턴이 TAB용 테이프 캐리어의 종방향을 따라 소정 간격으로 서로 이격되어 있다.

이러한 TAB용 테이프 캐리어는 통상 다음과 같은 단계로 제조된다. 먼저, 금속 지지층 및 금속 지지층상에 적층되어 있는 절연층을 포함한 광폭 장척 기판을 준비한다. 그 다음, 상기 장척 기판의 절연층상에 도체층으로 이루어진 배선 패턴을 복수열로 형성한 후, 이들을 최종단계에서 배선 패턴의 각 열로 분할한다.

일본 특허 제 3356076 호에는, (a) 롤-대-롤(roll-to-roll) 방법으로 시트 도체층상에 폴리이미드계 광택제를 캐스트 성막한 후, 경화시켜 폴리이미드막으로 이루어진 절연층을 형성하는 단계, (b) 롤-대-롤 방법으로 에칭하여 상기 시트 도체층에 각각 복수열의 배선 회로를 배열시킨 복수열의 배선 회로를 형성함과 동시에, 롤-대-롤 방법으로 에칭하여 인접한 배선 회로 열 사이에 상기 폴리이미드막이 상기 슬릿구로부터 노출되도록 슬릿구를 마련하는 단계, (c) 롤-대-롤 방법으로 상기 슬릿구를 피복하지 않는 방식으로 상기 배선 회로를 포함한 도체층상에 커버레이(coverlay)를 형성하는 단계, 및 (d) 복수열의 배선 회로를 닙롤(nip roll)을 사용하여 롤-대-롤 방법으로 상기 슬릿구를 따라 각각의 배선 회로 열로 분리하는 단계를 포함하는 가요성 인쇄된 배선판의 제조방법이 제안되어 있다.

상기 인용된 일본 특허 제 3356076 호의 방법에는, 시트 도체층상에 폴리이미드계 광택제를 캐스트 성막한 후, 경화시켜 폴리이미드막으로 이루어진 절연층을 형성했기 때문에, 폴리이미드계 광택제가 경화될 때 도체층에 300℃ 이상의 열이력이 주어진다.

한편, 도체층은 보통 전기 특성이 양호하고, 저렴하고, 쉽게 입수되는 동박으로 이루어진다. 그러나, 동박은 폴리이미드계 광택제의 경화 온도에서 어닐링되어 항복점이 저하되고 외력에 의해 소성 변형이 쉽게 일어난다.

이 때문에, 열이력이 주어진 상태로 도체층을 닙롤을 사용하여 슬릿구를 따라 각각의 배선 회로 열로 분할되면, 분할된 단면에서 파상이 생겨, 종종 그 위에서 도체층이 인열된다. 이러한 문제는, 특히 COF(chip on film) 등의 미세 배선 패턴이 요구되는 회로에 적용될 때 사용된 도체층의 두께가 너무 얇아 더욱 현저하게 나타난다.

또한, 상기 인용된 일본 특허 제 3356076 호에는, 도체층과 반대측에 있는 절연층상에 접착제를 통해 캐리어 시트를 마련한 것이 기재되어 있다. 그러나, 접착제를 사용하면, 접착제 특성에 의해 야기되는 내열성 온도 및 내약품성에 있어서의 제약을 받고, 분할될 때 절연층의 단면에 접착제 플래시가 발생하거나, 분할 후 캐리어 시트상에 잔존하는 접착제가 배선 회로의 신뢰성을 저하시킨다.

본 발명의 목적은 분할된 단면에서의 파상 및 회로 패턴의 인열을 방지하는 방식으로 TAB용 테이프 캐리어를 제조할 수 있는 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법을 제공하여 신뢰성이 높은 TAB용 테이프 캐리어를 효율적으로 제조하는데 있다.

본 발명은 장척의 금속 지지층상에 절연층을 직접 형성하는 단계, 상기 절연층상에 복수열의 배선 패턴을 직접 형성하는 단계, 상기 금속 지지층에서 상기 배선 패턴의 인접한 열 사이의 공간에 슬릿구를 형성하는 단계, 및 상기 슬릿구를 따라 상기 절연층을 분할하여, 복수열의 배선 패턴을 배선 패턴의 각 열로 분할하는 단계를 포함하는, TAB용 테이프 캐리어의 신규한 제조방법을 제공한다.

상기 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 있어서, 상기 금속 지지층이 스테인레스박인 것이 바람직하다.

본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 따르면, 절연층이 금속 지지층에 형성된 슬릿구를 따라 분할되어 복수열의 배선 패턴이 배선 패턴의 각 열로 분리되기 때문에, 본 방법에 의해 제조된 TAB용 테이프 캐리어가 분할된 단면에서 파상이 생기는 것을 방지할 수 있고, 회로 패턴의 두께가 얇게 형성되었더라도 회로 패턴이 인열되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 임의의 접착제를 사용하지 않고 절연층을 금속 지지층에 직접 형성하고 배선 패턴을 절연층에 직접 형성하기 때문에, TAB용 테이프 캐리어는 접착제에 의해 야기되는 내열성 온도 및 내약품성에 있어서의 제약을 받지 않는다. 이는 TAB용 테이프 캐리어가 전자 부품의 제조 공정 또는 탑재 공정시 충분한 내열성을 가질 수 있게 하여 접착제에 의해 야기되는 신뢰성의저하를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법은, 예컨대 COF(chip on film) 등의 박막 및 미세 배선 패턴을 요하는 회로에의 적용시 효율적으로 사용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법의 한 실시태양을 나타내는 공정도로서, (a)는 장척의 금속 지지층을 준비하는 단계를 나타내고, (b)는 장척의 금속 지지층상에 절연층을 직접 형성하는 단계를 나타내고, (c)는 절연층의 전면에 베이스층이 되는 도체 박막을 형성하는 단계를 나타내고, (d)는 금속 지지층, 절연층 및 베이스층의 두께 방향으로 금속 지지층, 절연층 및 베이스층을 관통하도록 공급 홀을 형성하는 단계를 나타내고, (e)는 복수열의 배선 패턴과 반대 패턴을 갖는 도금 레지스트를 형성하는 단계를 나타내고, (f)는 베이스층에서 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 부분에 전해 도금에 의해 복수열의 배선 패턴을 형성하는 단계를 나타낸다.

도 2는 도 1의 제조방법 이후에 수행되는, 본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법의 한 실시태양을 나타내는 공정도로서, (g)는 도금 레지스트를 제거하는 단계를 나타내고, (h)는 도금 레지스트가 형성된 베이스층 부분을 제거하는 단계를 나타내고, (i)는 각 배선 패턴의 배선의 중간 부분을 피복하도록 땜납 레지스트를 형성하는 단계를 나타내고, (j)는 금속 지지층에서 탑재 영역에 해당하는 영역에 개구부를 형성함과 동시에, 배선 패턴이 형성되어 있는 각 열 사이에 슬릿구를 형성하는 단계를 나타내고, (k)는 슬릿구를 따라 절연층을 분할하여 연속 시트를 배선 패턴의 각 열로 분리하여 TAB용 테이프 캐리어를 제조하는 단계를 나타낸다.

도 3은, 도 1에 나타낸 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법의 공정도로서, 도 3a는 연속 시트를 나타내는 사시도이고, 도 3b는 도 3a에 나타낸 연속 시트의 주요 부분의 평면도이다.

도 4는 도 1에 나타낸 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 있어서, 슬릿구를 따라 절연층을 분리하는 방법의 한 실시태양을 나타내는 설명도이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1: 금속 지지층 2: 절연층

3: 배선 패턴 4: 베이스층

5: 공급 홀 6: 도금 레지스트

7: 땜납 레지스트 8: 배선

9: 개구부 10: 시트

11: 탑재 부분 12: TAB용 테이프 캐리어

R: 탑재 영역 S: 슬릿구

L: 열

본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법의 한 실시태양을 나타내는 제조 공정을 나타내는 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법의 실시태양을 하기에 설명할 것이다.

본 방법에서는 도 1(a)에 나타낸 바와 같이 먼저 장척의 금속 지지층(1)을 제조한다.

금속 지지층(1)의 재료는 임의의 특정한 것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 스테인레스박, 동박 및 니켈박 등을 금속 지지층(1)의 재료로서 들 수 있다. 스테인레스박은 고탄성율을 가져 후술한 바와 같이 분할될 때 잘 분할될 수 있고, 열이력에 의한 기계 특성의 변화도 거의 생기지 않기 때문에 금속 지지층(1)으로서 바람직하게 사용된다. 또한, AISI(미국철강협회)에 의해 규격화된, 예를 들어, SUS301, SUS304, SUS305, SUS309, SUS310, SUS316, SUS317, SUS321 및 SUS347을 비롯한 다양한 스테인레스강을 스테인레스박으로 사용할 수 있다.

예컨대 3 내지 100㎛, 바람직하게는 5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 8 내지 20㎛의 두께를 갖는 금속 지지층(1)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 지지층(1)은 그 폭이 100 내지 1000㎜, 바람직하게는 150 내지 400㎜ 정도인 장척의테이프 형상인 것이 바람직하다.

계속해서, 절연층(2)을 도 1(b)에 나타낸 바와 같이 장척의 금속 지지층(1)상에 직접 형성한다.

절연층(2)을 이루는 절연재에 대한 특별한 제한은 없다. 사용될 수 있는 절연재로는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 아크릴산 수지, 폴리에테르 니트릴 수지, 폴리에테르 설폰 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌 나프탈레이트 수지 및 폴리비닐 클로라이드 수지 등의 합성 수지를 들 수 있다. 바람직하게는 폴리이미드 수지가 사용된다.

금속 지지층(1)상에 절연층(2)을 직접 형성하기 위해, 예컨대 수지 용액을 금속 지지층(1)의 표면에 도포하여 건조시킨 후 가열 경화시킨다. 수지 용액은 상기 언급한 수지를 유기 용매 등에 용해함으로써 조제할 수 있다. 예컨대, 수지 용액으로서 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아미드산 수지의 용액을 사용할 수 있다. 또한, 수지 용액을 닥터 블레이드법, 스핀 코팅법 등의 공지된 피복 방법에 의해 금속 지지층(1)에 도포시킬 수 있다. 그 다음, 수지 용액을 적절히 가열하여 건조시킨 후, 200 내지 600℃에서 가열 경화시켜, 금속 지지층(1)상에 가요성 수지 막으로 이루어진 절연층(2)을 직접 형성한다.

또한, 절연층(2)은, 예컨대 감광성 폴리아미드산 수지 등의 감광성 수지의 용액을 금속 지지층(1)상에 도포한 후 노광 및 현상함으로써 소정 패턴의 형태로 형성할 수 있다.

또한, 절연층(2)은, 미리 막 형상으로 형성된 B급 수지를 금속 지지층(1)의표면에 가열 및 압착에 의해 결합시키는 방법에 의해 형성할 수도 있다.

이렇게 형성된 절연층(2)의 두께는, 예컨대 3 내지 50㎛, 바람직하게는 5 내지 30㎛이다.

계속해서, 상기 절연층(2)상에 복수열의 배선 패턴(3)을 직접 형성한다. 배선 패턴(3)에 사용되는 도체 물질로서는, 예컨대 구리, 니켈, 금, 땜납 또는 이들의 합금을 들 수 있다. 바람직하게는 구리가 사용된다. 배선 패턴(3)을 절연층(2)의 표면에, 예컨대 서브트랙티브(subtractive)법, 애디티브법, 세미-애디티브법 등의 공지된 패턴화 방법에 의해 형성한다. 상기 배선 패턴(3)을 형성하는 방법에 대해서는 특별한 제한이 없다.

서브트랙티브법에서는, 먼저 절연층(2)의 전면에 도체층을 적층시킨다. 그 다음, 도체층상에 복수열의 회로 패턴(3)에 해당하는 패턴을 갖는 에칭 레지스트를 형성하여 도체층을 에칭하고, 이 에칭 레지스트를 레지스트로서 사용한다. 그 후 에칭 레지스트를 제거한다.

애디티브법에서는, 먼저 절연층(2)상에 복수열의 회로 패턴(3)과 반대 패턴(반전 패턴)을 갖는 도금 레지스트를 형성한다. 계속해서, 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 절연층(2) 표면에 무전해 도금에 의해 배선 패턴(3)을 형성한다. 그 후, 도금 레지스트를 제거한다.

세미-애디티브법에서는, 먼저 절연층(2)상에 베이스층이 되는 도체 박막을 형성한다. 그 다음, 상기 베이스층상에 복수열의 회로 패턴(3)과 반대 패턴(반전 패턴)을 갖는 도금 레지스트를 형성한다. 계속해서, 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 베이스층 표면에 전해 도금에 의해 배선 패턴(3)을 형성한다. 그 다음, 도금 레지스트를 제거한 후, 도금 레지스트 및 도금 레지스트가 적층되어 있던 부분의 베이스층을 제거한다.

이들 패턴화 방법 중에서는, 도 1(c) 내지 도 2(h)에 나타낸 바와 같이 세미-애디티브법이 바람직하게 사용된다.

특히, 세미-애디티브법에서는, 먼저 도 1(c)에 나타낸 바와 같이, 절연층(2)의 전면에 베이스층(4)이 되는 도체 박막을 형성한다. 베이스층(4)을 형성하는데 진공증착법, 특히 스퍼터 증착법이 바람직하게 사용된다. 또한, 베이스층(4)이 되는 도체 박막은 크롬이나 구리 등이 바람직하게 사용된다. 보다 구체적으로는, 예컨대 절연층(2)의 전면에 크롬 박막 및 구리 박막을 스퍼터 증착법에 의해 연속해서 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 베이스층(4)의 형성시, 예컨대 크롬 박막의 두께 및 구리 박막의 두께를 각각 100 내지 600Å 및 500 내지 2000Å이 되게 설정하는 것이 바람직하다.

그 다음, 도 1(d)에 나타낸 바와 같이, 배선 패턴(3)의 각 열의 폭방향 양 단부에 해당하는 위치에 복수의 공급 홀(5)을, 금속 지지층(1), 절연층(2) 및 베이스층(4)의 두께 방향으로 금속 지지층(1), 절연층(2) 및 베이스층(4)을 관통하도록 형성한다. 이들 공급 홀(5)은 소정 간격으로 종방향으로 이격되어 있다(도 3 참조). 공급 홀(5)은, 예컨대 드릴 가공, 레이저 가공, 펀칭 가공, 에칭 등의 공지된 가공 방법에 의해 천공될 수 있다. 공급 홀(5)을 형성하는데 펀칭 가공이 바람직하게 사용된다.

그 다음, 도 1(e)에 나타낸 바와 같이, 베이스층(4)상에 복수열의 배선 패턴(3)과 반대 패턴(반전 패턴)을 갖는 도금 레지스트(6)를 형성한다. 도금 레지스트(6)를, 예컨대 액상 포토레지스트 및 무수 막 포토레지스트를 이용하는 공지된 방법에 의해 배선 패턴(3)의 각 열에 배선 패턴(3)과 반대 패턴을 갖는 레지스트 패턴으로서 형성한다. 또한, 이 도금 레지스트(6)를 금속 지지층(1)의 전면에도 형성한다.

계속해서, 도 1(f)에 나타낸 바와 같이, 베이스층(4)상에 도금 레지스트(6)가 형성되어 있지 않은 곳에 전해 도금에 의해 복수열의 배선 패턴(3)을 형성한다. 전해 구리 도금이 바람직하게 사용된다.

그 다음, 도 2(g)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(6)를 화학 에칭(습윤 에칭) 등의 공지된 에칭법 또는 박리에 의해 제거한다. 그 후, 도 2(h)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(6)가 형성되어 있던 곳의 베이스층(4)도 화학 에칭 등의 에칭법에 의해 제거한다.

그 결과, 절연층(2)상에 배선 패턴(3)이 복수열로 형성된다. 즉, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 일반적으로 전자 부품을 탑재하기 위한 직사각형 탑재 영역(R)에 배선 패턴(3)이 형성된다. 특히, 장척의 금속 지지층(1)의 폭 방향(종방향에 직교하는 방향)으로 서로 인접하게 배열된 배선 패턴(3)의 각 열(L)마다 배열되어 있고, 금속 지지층(1)의 종방향으로 소정 간격으로 서로 떨어져 이격되어 있는 각각의 탑재 영역(R)에 배선 패턴(3)이 형성된다.

이렇게 형성된 배선 패턴(3)의 두께는, 예컨대 3 내지 50㎛, 바람직하게는 5내지 25㎛이다.

계속해서, 도 2(i)에 나타낸 바와 같이, 땜납 레지스트(7)를 배선 패턴(3)의 배선(8)의 중간 부분을 피복하도록 형성한다(도 3b 참조). 그 다음, 땜납 레지스트(7)로부터 노출된 각 배선(8)의 양 단부에 니켈 도금 층 및 금 도금 층(미도시)을 형성한다.

땜납 레지스트(7)를, 예컨대 감광성 땜납 레지스트를 사용하여 사진법 또는 인쇄법 등의 공지된 방법에 의해 소정 패턴의 형태로 형성할 수 있다. 또한, 니켈 도금 층 및 금 도금 층을, 예컨대 전해 니켈 도금 및 전해 금 도금에 의해 각각 형성할 수 있다.

이렇게 형성된 땜납 레지스트(7)의 두께는, 예컨대 5 내지 30㎛, 바람직하게는 8 내지 20㎛이다.

그 다음, 도 2(j)에 나타낸 바와 같이, 금속 지지층(1)에서 탑재 영역(R)에 해당하는 부분에 개구부(9)를 형성하고(도 3b 참조), 또한 배선 패턴(3)이 형성되어 있는 인접한 각 열(L) 사이에 슬릿구(S)를 형성한다(도 3a 참조).

개구부(9) 및 슬릿구(S)는, 예컨대 금속 지지층(1)에서 탑재 영역(R)에 해당하는 부분 뿐만 아니라 습윤 에칭(화학 에칭)에 의해 금속 지지층(1)의 종방향을 따라 배선 패턴(3)의 인접한 열(L) 사이의 한정된 공간에 해당하는 부분에 동시에 개구형성함으로써 금속 지지층(1)에 형성될 수 있다. 에칭법은 다음과 같은 방식으로 수행될 수 있다. 먼저, 금속 지지층(1)에서 탑재 영역(R)에 해당하는 부분 및 배선 패턴(3)의 인접한 열(L) 사이의 한정된 공간에 해당하는 부분을 제외한 금속 지지층(1)의 전면을 에칭 레지스트로 피복한다. 그 다음, 금속 지지층(1)을 염화 제2철 용액 등의 공지된 에칭액을 이용하여 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거한다.

이렇게 형성된 슬릿구(S)의 폭은 20 내지 200㎛, 바람직하게는 50 내지 150㎛이다. 슬릿구(S)의 폭이 이보다 좁으면, 금속 지지층(1)의 단면이 분할 공정에서 서로 접촉하여 슬릿구(S)의 단면을 변형시킬 수 있다. 한편, 슬릿구(S)의 폭이 이보다 넓으면, 슬릿구(S)의 단면에서 슬릿구의 파상이 생겨 분할 공정의 정밀도를 저하시킬 수도 있다.

이렇게 형성된 연속 시트(10)(각 열(스트립)로 분할되는 TAB용 테이프 캐리어가 병렬로 연속 형성되어 있는 시트)는 전자 부품을 탑재하기 위한 탑재 영역(R)을 갖는다. 탑재 영역(R)은, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 장척의 금속 지지층(1)의 폭방향으로 서로 인접하게 배열되어 있고, 금속 지지층(1)의 종방향을 따라 소정 간격으로 서로 떨어져 이격되어 있는 각 열(L)에 연속해서 배열되어 있다. 또한, 열(L) 사이에 형성되어 있고 금속 지지층(1)의 종방향을 따라 서로 인접하게 배열된 공급 홀(5)의 열 사이에 배열되어 있는 슬릿구(S)를 갖는다.

각각의 탑재 영역(R)은, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 그 중앙부에, 대략 직사각형 탑재 부분(11)이 되는 전자 부품을 탑재하기(놓기) 위한 대략 직사각형 표면(미도시)을 갖는다. 또한, 각각의 배선 패턴(3)은 탑재 부분(11)의 안쪽 및 탑재 부분(11)의 바깥쪽 사이로 확장하도록 직사각형 탑재 부분(11)의 주위 사방에 마련된 복수의 배선(8)을 포함한다. 배선(8)은 실질상 서로 평행하게 배열되어 있고직사각형 탑재 부분(11)의 사방 각 측에 소정 간격으로 서로 떨어져 이격되어 있다. 탑재 부분(11)의 안쪽에 있는 배선(8)의 피치(하나의 배선(8)의 폭과, 하나의 배선(8) 및 인접한 배선(8) 사이의 폭(거리)의 총 길이)는, 예를 들어 60㎛ 이하, 바람직하게는 40㎛ 이하 약 10㎛ 이상의 범위내로 정해진다. 이러한 피치에 의해 고밀도의 배선을 실현할 수 있다.

땜납 레지스트(7)는 배선(8)의 중간 부분을 피복하도록 탑재 부분(11)을 둘러싸는 대략 직사각형 프레임의 형태로 형성된다. 배선(8)은 땜납 레지스트(7)로부터 노출된 각 배선(8)의 양 단부에 니켈 도금 층 및 금 도금 층으로 피복되어 있다.

금속 지지층(1)은 탑재 영역(R)에 해당하는 위치에 개구를 형성하여, 탑재 영역(R)의 이면에 대략 직사각형 개구부(9)를 형성한다.

그 다음, 도 2(k)에 나타낸 바와 같이, 슬릿구(S)를 따라 절연층(2)을 분할하여 연속 시트(10)를 시트의 각 열로 분리함으로써 TAB용 테이프 캐리어(12)를 얻는다.

슬릿구(S)를 따라 절연층(2)을 분할하는 방법에 대해서는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 서로 대향하는 2개의 롤로 이루어진 닙롤(22)을 사용하여, 닙롤(22)의 공급 방향의 하류측 위치에 경계로서 슬릿구(S)를 따라 닙롤(22)의 공급 방향과 직교 방향으로 및 서로 반대 방향으로 연속 시트(10)를 잡아 당길 수 있다.

구체적으로는, 닙롤(22)로부터 연속 시트(10)를 수평 방향으로 공급한 후,닙롤(22)의 공급 방향과 직교하는 상하 방향으로 잡아 당겨, 시트(10)의 인접한 스트립(열)을 서로 반대 방향으로 잡아 당길 수 있다. 이는 연속 시트(10)가 슬릿구(S)를 따라 시트의 각 열에서 상하 방향으로 분할되도록 힘을 가해, 연속 시트(10)를 시트의 각 스트립으로 분리하여 TAB용 테이프 캐리어(12)를 연속적으로 얻을 수 있다.

도 4에 도시되어 있진 않지만, 시트(10)의 교번 스트립에 해당하도록 닙롤(22)의 하류측에 또는 닙롤(22)의 공급 방향과 직교하는 상하 위치에 복수의 바인딩 롤을 교대로 배열시킨다. 이들 바인딩 롤은 연속 시트(10)의 교번 스트립을 잡아 당겨 그 위에서 바로 취할 수 있게 한다.

상기 방법에서, 절연층(2)을 금속 지지층(1)에 형성된 슬릿구(S)를 따라 분할하여 연속 시트를 각 스트립으로 분리하므로, 상기 방법으로 제조된 TAB용 테이프 캐리어(12)는 분할된 단면에서 파상이 생기는 것이 방지될 수 있고, 회로 패턴(3)의 두께가 얇게 형성되었더라도 인열되는 것이 방지될 수 있다.

또한, 임의의 접착제를 사용하지 않고 절연층(2)을 금속 지지층(1)상에 직접 형성하고, 배선 패턴(3)을 절연층(2)상에 직접 형성할 수 있기 때문에, 상기 TAB용 테이프 캐리어는 접착제에 의해 야기되는 내열성 온도 및 내약품성에 있어서의 제약을 받지 않는다. 이로써, TAB용 테이프 캐리어는 전자 부품의 제조 공정 또는 탑재 공정시 충분한 내열성을 가져 접착제에 의해 야기되는 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 따라서, TAB용 테이프 캐리어(12)의 제조방법은, 예컨대 COF 등의 박막 및 미세 배선 패턴이 요구되는 회로에의 적용시 효율적으로 이용될 수 있다.

도 3및 도 4에는 금속 지지층(1)의 폭방향을 따라 4열(4스트립)의 TAB용 테이프 캐리어(12)를 금속 지지층(1)에 동시에 형성하는 실시태양에 대해 예시되어 있다. 실제로, 예컨대 폭 250㎜의 스테인레스박을 금속 지지층(1)으로서 이용한 경우, 각각 48㎜의 폭을 갖는 4열의 TAB용 테이프 캐리어(12)를 동시에 형성할 수 있다. 300㎜의 폭을 갖는 스테인레스박을 금속 지지층(1)으로서 이용한 경우, 각각 70㎜의 폭을 갖는 4열의 TAB용 테이프 캐리어를 동시에 형성할 수 있다.

본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에서, 형성된 TAB용 테이프 캐리어의 열의 수는 4열로 한정되지 않고, 의도하는 목적 및 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.

또한, 전술한 방법에서, 상기 열거한 각각의 공정, 즉 장척의 금속 지지층(1)상에 절연층(2)을 직접 형성하는 공정, 절연층(2)의 전면에 베이스층(4)을 형성하는 공정, 금속 지지층(1), 절연층(2) 및 베이스층(4)의 두께 방향으로 금속 지지층(1), 절연층(2) 및 베이스층(4)을 관통하도록 공급 홀(5)을 형성하는 공정, 베이스층(4)상에 복수열의 배선 패턴(3)과 반대 패턴의 도금 레지스트(6)를 형성하는 공정, 도금 레지스트(6)가 형성되어 있지 않은 베이스층(4) 부분에 전해 도금에 의해 복수열의 배선 패턴(3)을 형성하는 공정, 도금 레지스트(6)를 제거하는 공정, 도금 레지스트(6)가 형성되어 있던 베이스층(4) 부분을 제거하는 공정, 각 배선 패턴(3)에서 배선(8)의 중간 부분을 피복하도록 땜납 레지스트(7)를 형성하는 공정, 금속 지지층(1)에서 탑재 영역(R)에 해당하는 부분에 개구부(9)를 형성함과 동시에 배선 패턴(3)이 형성되어 있는 인접한 열(L) 사이에 슬릿구(S)를 형성하는공정, 및 슬릿구(S)를 따라 절연층(2)을 분할하여 연속 시트(10)를 시트(10)의 각 스트립으로 분리함으로써 TAB용 테이프 캐리어(12)를 제조하는 공정을, 공급 측에서는 공급 롤을 사용하고, 소정 간격으로 서로 대향하게 배치되어 있는 바인딩 측에서는 바인딩 롤을 사용하는 롤-대-롤 방법에 의해 연속적으로 실시할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명은 실시예를 참고하여 보다 상세히 기재할 것이지만, 본 발명이 임의의 실시예로 한정되지는 않는다.

실시예 1

두께 20㎛ 및 폭 250 mm의 SUS304로 이루어진 금속 지지층을 준비하였다(도 1(a) 참조). 그 다음, 용매로서 N-메틸피롤리돈을 사용하여 중합에 의해 제조된 폴리아미드산 수지 용액을 콤마 롤 코팅기(comma roll coater)로 캐스팅하여 금속 지지층에 도포한 후, 온도를 서서히 120 내지 160℃로 변화시키면서 건조시켰다. 온도를 추가로 200 내지 400℃까지 서서히 올린 후, 금속 지지층을 400℃에서 1시간동안 방치하여 수지를 경화시켜, 금속 지지층상에 폴리이미드 수지로 이루어진 절연층을 형성했다. 콤마 롤 코팅기의 코팅기 갭을 조절하여 12㎛의 두께를 갖는 절연층을 형성했다(도 1(b) 참조).

계속해서, 세미-애디티브법에 의해 절연층상에 복수열의 배선 패턴을 형성했다. 구체적으로는, 300Å의 두께를 갖는 크롬 박막 및 700Å의 두께를 갖는 구리 박막을 스터퍼 증착법에 의해 절연층상에 베이스층으로서 형성했다(도 1(c) 참조).

그 후, 금속 지지층, 절연층 및 베이스층의 두께 방향으로 금속 지지층, 절연층 및 베이스층을 관통하도록, 복수열로 형성된 배선 패턴의 각 열의 폭방향 양 단부에 해당하는 위치에, 펀칭 가공에 의해 각 열의 종방향을 따라 다수의 공급 홀을 천공형성했다(도 1(d) 참조). 그 다음, 복수열의 배선 패턴과 반대 패턴을 갖는 도금 레지스트를 형성했다(도 1(e) 참조). 다음과 같은 방식으로 도금 레지스트를 형성했다: 진공 적층기를 사용하여 베이스층상 및 금속 지지층의 이면에 각각 감광성 건조 막 레지스트를 적층시킨 후, 상기 감광성 건조 막 레지스트를 소정 패턴을 갖는 유리 마스크를 통해 노광시킨 후, 약 1중량%의 탄산나트륨 수용액 중에서 현상하여 복수열의 배선 패턴과 반대 패턴을 형성했다.

계속해서, 도금 레지스트로부터 노출된 베이스층상 부분에 전해 구리 도금에 의해 두께 10㎛의 배선 패턴을 형성했다(도 1(f) 참조). 그 후, 도금 레지스트를 박리했다(도 2(g) 참조). 도금 레지스트가 형성되었던 베이스층 부분을, 크롬 박막을 과산화수소/황산 용액을 사용하여 에칭하고 구리 박막을 페리시안화칼륨 용액을 사용하여 에칭함으로써 제거했다(도 2(h) 참조).

그 결과, 절연층상에 배선 패턴을 금속 지지층의 폭방향으로 서로 떨어져 이격되어 있는 4열(4스트립) 각각에 형성했다. 각각 4열의 배선 패턴을 각각 금속 지지층의 종방향으로 소정 간격으로 서로 떨어져 이격되어 있는 대략 직사각형의 전자 부품 탑재 영역에 형성했다.

계속해서, 스크린 인쇄법에 의해 두께 15㎛ 정도의 감광성의 땜납 레지스트를 각 배선 패턴에 있어서 각 배선의 중간 부분을 피복하도록 형성했다.

또한, 전해 니켈 도금 및 전해 구리 도금을 순차적으로 실시하여, 땜납 레지스트로부터 노출된 각 배선의 양 단부에 2㎛ 두께의 니켈 도금 층 및 0.5㎛ 두께의 금 도금 층을 형성했다.

그 후, 이렇게 수득된 연속 시트를 회로 패턴측 및 금속 지지층측상의 시트 부분에 진공 적층기를 이용하여 감광성 건조 막 레지스트로 피복했다. 그 다음, 감광성 건조 막 레지스트를, 금속 지지층에서 탑재 영역에 해당하는 개구부 형성 부분 및 금속 지지층의 종방향으로 확장된 열 사이의 슬릿구 형성 부분에서 금속 지지층이 노출되도록 노광 및 현상했다. 그 후, 금속 지지층의 노출 부분을 염화 제2철 용액을 사용하여 에칭했다(도 2(j) 참조). 그 결과, 금속 지지층에서 탑재 영역에 해당하는 부분에 개구부가 형성되고, 배선 패턴의 인접한 열 사이에 100㎛ 폭의 슬릿구가 형성됐다.

계속해서, 연속 시트를 닙롤로부터 공급한 후, 연속 시트의 인접한 열을 닙롤의 하류측에 있는 바인딩 롤에 의해 서로 반대 방향으로 긴장 상태로 감아, 연속 시트를 슬릿구를 따라 상하 방향으로 분할함으로써 4스트립의 TAB용 테이프 캐리어를 수득했다(도 2(k) 참조)

TAB용 테이프 캐리어 각각의 분할된 단면에서는 파상이나 회로 패턴의 인열이 생성되지 않았음을 확인했다.

본 발명의 예시적인 실시태양을 상기 명세서에 기재하였지만, 이는 단지 예시적인 목적을 위한 것이므로 제한적인 것으로 간주해서는 안된다. 당해 기술분야의 숙련자에게 자명한 본 발명의 변형 및 변화는 하기 청구의 범위에 포함될 것이다.

본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법에 의해 금속 지지층상에 슬릿구를 형성하고 그 슬릿구를 따라 절연층을 분할하여 각 열로 분리했기 때문에, 분할된 단면에서 파상이 생기는 것을 방지할 수 있고, 회로 패턴(3)의 두께가 얇게 형성되었더라도 인열되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 접착제를 사용하지 않고 금속 지지층상에 절연층을 직접 형성하고, 절연층상에 배선 패턴을 직접 형성하기 때문에, 접착제에 의해 야기되는 내열성 온도나 내약품성에 있어서의 제약을 받지 않고, TAB용 테이프 캐리어의 제조공정 또는 전자부품의 탑재 공정에서도 충분한 내열성을 가져 접착제로 인한 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법은, 예컨대 COF 등의 박층 또는 미세 배선 패턴이 요구되는 용도에서 유효하게 사용될 수 있다.

Claims (2)

1. 장척의 금속 지지층상에 절연층을 직접 형성하는 단계,

   상기 절연층상에 복수열의 배선 패턴을 직접 형성하는 단계,

   금속 지지층에서 배선 패턴의 인접한 열 사이에 슬릿구를 형성하는 단계,

   슬릿구를 따라 상기 절연층을 분할하여 복수열의 배선 패턴을 배선 패턴의 각 열로 분리하는 단계를 포함하는 TAB(Tape Automated Bonding)용 테이프 캐리어의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   금속 지지층이 스테인레스박인 TAB용 테이프 캐리어의 제조방법.