KR20040084786A - 수지판 - Google Patents

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KR20040084786A
KR20040084786A KR1020040020102A KR20040020102A KR20040084786A KR 20040084786 A KR20040084786 A KR 20040084786A KR 1020040020102 A KR1020040020102 A KR 1020040020102A KR 20040020102 A KR20040020102 A KR 20040020102A KR 20040084786 A KR20040084786 A KR 20040084786A
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methyl methacrylate
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KR1020040020102A
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마에까와도모히로
마나베겐지
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스미또모 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기재층, 및 상기 기재층의 하나 이상의 면에 위치한 표면층을 포함하는 수지판에 관한 것이다. 기재층은 단량체 단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 30 중량% 이상 갖는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어지고, 표면층은 두께가 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛이고, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 메틸 메타크릴레이트 수지 약 40 중량부 내지 약 95 중량부 및 비닐리덴 플루오라이드 수지 약 5 중량부 내지 약 60 중량부를 함유하는 수지 조성물로 이루어져 있다. 상기 수지판은 투명성이 우수하고, 수분 흡수로 인한 변형이 적다.

Description

수지판 {RESIN PLATE}
기술분야
본 발명은 수지판에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 투명성이 탁월하고 수분 흡수로 인한 변형이 적은 수지판에 관한 것이다.
배경기술
메틸 메타크릴레이트 단위를 단량체 단위로서 30 중량% 이상 함유하는 메틸 메타크릴레이트 중합체는 투명성이 탁월한 수지로서 유용하다. 상기 중합체를 판상으로 성형하여 수득한 수지판은, 예를 들면 액정 디스플레이의 후면에 위치하는 도광판(light guide plate)으로서 직접 사용된다 (일본 특허출원 공개공보 제 10-265530 호, 59-68333 호 및 60-13813 호 참조).
그러나 상기 수지판은 공기중의 수분 흡수가 뒤틀림(warp) 및 파랑(wave)과 같은 변형을 쉽게 유발한다는 문제점이 있다.
발명의 개요
본 발명자들은 투명성이 탁월하고 수분 흡수로 인한 변형이 적은 수지판을 개발하기 위해 연구하였다. 그 결과, 본 발명자들은, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어진, 두께 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛의 표면층을, 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 30 중량% 이상 함유하는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어진 기재층의 하나 이상의 면에 배치함으로써, 충분한 투명성을 갖고 뒤틀림과 같은 수분 흡수로 인한 변형이 적은 수지판을 수득할 수 있다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 기초로 하여 완성되었다.
본 발명은 기재층 (A), 및 상기 기재층 (A)의 하나 이상의 면에 위치한 표면층 (B)을 포함하는 수지판 (C)을 제공하는데,
기재층 (A)는 단량체 단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 30 중량% 이상 갖는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어지고,
표면층 (B)는 두께가 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛이고, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 40 중량부 내지 약 95 중량부의 메틸 메타크릴레이트 수지 및 약 5 중량부 내지 약 60 중량부의 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어져 있다.
도 1a 및 1b 는 본 발명의 실시예의 수지판의 단면도를 도식적으로 나타낸 것이다.
바람직한 구현예의 상세한 설명
본 발명의 수지판 (C)는 기재층 (A) 및 표면층 (B)를 포함한다.
기재층 (A)는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어져 있다. 메틸 메타크릴레이트 중합체는 그의 단량체 단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 갖는 중합체이다. 상기 중합체 중 메틸 메타크릴레이트 단위의 함량은 약 30 중량% 이상일 수 있으며, 바람직하게는 약 50 중량% 이상이다. 메틸 메타크릴레이트 중합체는 메틸 메타크릴레이트 단위를 100 중량% 함유하는 중합체일 수 있는데, 이는 메틸 메타크릴레이트를 단독으로 중합하여 수득되는 메틸 메타크릴레이트 단일중합체이다.
대안적으로, 메틸 메타크릴레이트 중합체는 메틸 메타크릴레이트, 및 메틸 메타크릴레이트와 공중합 가능한 단량체의 공중합체일 수 있다. 상기와 같은 공중합 가능한 단량체는 스티렌계 단량체일 수 있다. 스티렌계 단량체의 예로는 클로로스티렌 및 브로모스티렌과 같은 할로겐화 스티렌, 치환된 스티렌, 예를 들면 비닐톨루엔 및 α-메틸 스티렌과 같은 알킬 스티렌 등이 포함된다. 스티렌계 단량체가 사용되는 경우, 공중합체 중 스티렌계 단량체 단위의 함량은 약 70 중량% 이하, 바람직하게는 약 50 중량% 이하일 수 있고; 약 10 중량% 이상, 바람직하게는 약 15 중량% 이상일 수 있다.
메틸 메타크릴레이트와 공중합 가능한 단량체의 예로는 메틸 메타크릴레이트 이외의 메타크릴레이트, 예컨대 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 페닐 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 2-에틸헥실 메타크릴레이트 및 2-히드록시에틸 메타크릴레이트; 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트 및 2-히드록시에틸 아크릴레이트와 같은 아크릴레이트; 메타크릴산 및 아크릴산과 같은 불포화 산; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 무수말레산, 페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드 등이 포함된다. 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
기재층 (A)의 적절한 두께 및 크기는 다양할 수 있으며, 수득되는 판 (C)의 용도에 따라 적당하게 선택된다. 예를 들면, 수분 흡수로 인한 변형의 효과적인 억제의 관점에서, 두께는 약 0.8 ㎜ 내지 약 5 ㎜인 것이 바람직하고, 크기는 5 ㎝ ×5 ㎝ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 수지 적층판 (C)는 기재층 (A)의 하나 이상의 면에 맞닿게 또는 면 위에 위치하는 표면층 (B)를 갖는다. 표면층 (B)는 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어져 있다.
메틸 메타크릴레이트 수지는 주단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 갖는 중합체이다. 메틸 메타크릴레이트 수지는 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 50 중량% 이상 갖는 중합체일 수 있다. 상기 중합체는 메틸 메타크릴레이트 단독의 단일 중합체이거나, 메틸 메타크릴레이트 및 메틸 메타크릴레이트와 공중합 가능한 단량체의 공중합체일 수 있다. 공중합 가능한 단량체의 예로는 상기한 바와 같은 메타크릴레이트 (예컨대, 메틸 메타크릴레이트 이외의 메타크릴레이트), 아크릴레이트, 불포화 산, 스티렌, α-메틸 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 무수 말레산, 페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드 등이 포함된다. 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
비닐리덴 플루오라이드 수지는 주단위로서 비닐리덴 플루오라이드 단위를 갖는 중합체이다. 비닐리덴 플루오라이드 수지는 비닐리덴 플루오라이드 단위를 약 50 중량% 이상 갖는 중합체일 수 있다. 상기 중합체는 비닐리덴 플루오라이드 단독의 단일중합체이거나, 비닐리덴 플루오라이드 및 비닐리덴 플루오라이드와 공중합 가능한 단량체의 공중합체일 수 있다. 공중합 가능한 단량체의 예로는 트리플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로에틸렌, 헥사플루오로이소부텐, 헥사플루오로프로필렌, 퍼플루오로알킬 비닐 에테르, 클로로트리플루오로에틸렌, 에틸렌 등이 포함된다. 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
표면층 (B)를 구성하는 수지 조성물 중 메틸 메타크릴레이트 수지의 양은 상기 조성물에 함유된 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 60 중량부 내지 약 95 중량부, 바람직하게는 약 70 중량부 이상이다. 조성물 중 비닐리덴 플루오라이드 수지의 양은 상기 조성물에 함유된 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 5 중량부 내지 약 40 중량부, 바람직하게는 약 30 중량부 이하이다.
본 발명의 수지판 (C)는 기재층 (A)의 하나 이상의 면 상에 위치한 표면층 (B)를 갖는다. 표면층(들) (B)는 도 1b 에 나타난 바와 같이 기재층 (A)의 단 한 면에 적층될 수 있으며, 바람직하게는 도 1a 에 나타난 바와 같이 기재층 (A)의 양면에 적층된다.
표면층 (B)의 두께는 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛이고, 바람직하게는 약 150 ㎛ 이상이다. 또한, 표면층 (B)의 두께 (tB)에 대한 기재층 (A)의 두께 (tA)의 비에 있어서는, 표면층 (B)가 기재층 (A)의 단 한 면에 적층된 경우에는, 비 tA/tB는 약 1.1/1 내지 약 99/1 의 범위일 수 있다. 반면, 표면층 (B)가 기재층 (A)의 양면에 적층된 경우에는, 비 tB/tA/tB는 약 1/2.2/1 내지 약 1/198/1 의 범위일 수 있으며, 표면층 (B)의 총 두께는 가격 면에 있어서 기재층 (A)의 두께의 약 1/2 이하인 것이 바람직하다.
기재층 (A) 및 표면층 (B)는 첨가제를 함유할 수 있다. 첨가제의 예로는 자외선 흡수제가 포함된다. 자외선 흡수제가 함유된 경우, 수득되는 수지판 (C)는 우수한 내광성을 갖는다.
자외선 흡수제는 통상적으로 약 250 ㎚ 내지 약 380 ㎚ 범위의 파장의 광을 흡수할 수 있고, 바람직하게는 상기 파장 범위 내의 파장에서 상대적 최대 흡광 피크를 갖는 자외선 흡수제일 수 있다. 보다 바람직하게는, 자외선 흡수제는 약 250 ㎚ 내지 약 800 ㎚의 파장 범위 내의 가장 큰 흡광 피크로서, 약 250 ㎚ 내지 약 320 ㎚의 파장 범위 내의 파장 (λmax)에서 최대 흡광 피크를 갖는다. 약 250 ㎚ 내지 약 320 ㎚의 파장 범위 내에서의 자외선 흡수제의 몰 흡광 계수 (εmax)는 약 1000 몰-1㎝-1이상일 수 있으며, 바람직하게는 약 5000 몰-1㎝-1이다. 바람직하게는, 상기 흡수제의 분자량 (Mw)은 약 400 이하인데, 상기 흡수제의 중량 사용량 (질량 표준 기준)은 감소될 수 있다.
자외선 흡수제의 예로는 말로네이트-기재 자외선 흡수제, 아세테이트-기재 자외선 흡수제, 옥살라닐라이드-기재 자외선 흡수제, 벤조페논-기재 자외선 흡수제, 벤조트리아졸-기재 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트-기재 자외선 흡수제, 살리실레이트-기재 자외선 흡수제, 니켈 복합염-기재 자외선 흡수제, 벤조에이트-기재 자외선 흡수제 등이 포함된다.
말로네이트-기재 자외선 흡수제는 바람직하게는 2-(1-아릴알킬리덴)말로네이트이며, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 1 로 표시되는 화합물이다:
[식 중, X1은 수소 원자, 알킬기 또는 알콕실기를 나타내고, R1및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다].
상기 화학식 1 에서, 상술한 바와 같이, 치환체 X1은 수소 원자, 알킬기 또는 알콕실기를 의미한다. 알킬기는 선형 알킬기 또는 분지형 알킬기일 수 있다. 알킬기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6인 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소프로필기, sec-부틸기 및 tert-부틸기가 포함된다. 알콕실기는 선형 알콕실기 또는 분지형 알콕실기일 수 있다. 알콕실기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6 인 알콕실기, 예컨대 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기, 이소프로폭시기, sec-부톡시기 및 tert-부톡시기가 포함된다. 치환체 X1은 바람직하게는 수소 원자 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, 치환체 X1은 바람직하게는 비닐기의 위치에 대해 파라-위치에 위치한다.
치환체 R1및 R2는 각각 독립적으로 알킬기를 의미한다. 알킬기는 선형 알킬기 또는 분지형 알킬기일 수 있다. 알킬기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6인 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소프로필기, sec-부틸기 및 tert-부틸기가 포함된다.
화학식 1 로 표시되는 말로네이트-기재 자외선 흡수제의 예로는 2-(파라메톡시벤질리덴)디메틸 말로네이트 (Mw: 250, λmax: 308 ㎚, εmax: 24200 몰-1㎝-1)가 포함된다.
아세테이트-기재 자외선 흡수제는 바람직하게는 화학식 2 로 표시되는 화합물이다:
[식 중, X2는 수소 원자, 알킬기 또는 알콕실기를 나타내고, R3은 알킬기를 나타낸다].
치환체 X2로서의 알콕실기는 선형 알콕실기 또는 분지형 알콕실기일 수 있다. 알콕실기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6인 알콕실기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기 및 n-펜톡시기가 포함된다. 바람직하게는 알콕실기는 탄소수가 대략 1 내지 4인 알콕실기이다. 치환체 X2로서의 알킬기는 선형 알킬기 또는 분지형 알킬기일 수 있다. 알킬기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6인 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기 및 n-헥실기가 포함된다. 알킬기는 바람직하게는 탄소수가 대략 1 내지 4인 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 메톡시기이다. 치환체 X2는 바람직하게는 알콕실기이다.
치환체 R3으로서의 알킬기는 탄소수가 대략 1 내지 10인 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데카닐기, 1-메틸펜틸기, 1-에틸펜틸기, 1-메틸헥실기 및 2-에틸헥실기, 바람직하게는 메틸기, 2-에틸헥실기 등일 수 있다. 바람직하게는, 치환체 R3으로서의 알킬기는 메틸기 및 2-에틸헥실기이다.
화학식 2 로 표시되는 아세테이트-기재 자외선 흡수제의 예로는 2-에틸헥실2-(파라메톡시벤질리덴)아세테이트 (Mw: 290, λmax: 304 ㎚, εmax: 23600 몰-1㎝-1)가 포함된다.
옥살라닐라이드-기재 자외선 흡수제는 바람직하게는 알콕시옥살라닐라이드이고, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 3 으로 표시되는 화합물이다:
[식 중, R4및 R5는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다].
화학식 3에서, 치환체 R4및 R5는 각각 독립적으로 알킬기를 의미하고, 알킬기는 선형 알킬기 또는 분지형 알킬기일 수 있다. 알킬기의 예로는 탄소수가 대략 1 내지 6인 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소프로필기, sec-부틸기 및 tert-부틸기가 포함된다. 바람직하게는, 알킬기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. 치환체 R4는 벤젠 골격에 결합된 질소 원자 (N)의 위치에 대해 오르토-위치인 것이 바람직하다. 또한, 치환체 R5O- 는 다른 벤젠 골격에 결합된 다른 질소 원자 (N)의 위치에 대해 오르토-위치인 것이 바람직하다. 화학식 3 으로 표시되는 옥살라닐라이드-기재 자외선 흡수제의 예로는 2-에톡시-2'-에틸옥살라닐라이드 (Mw: 312, λmax: 298 ㎚, εmax: 16700 몰-1㎝-1)가 포함된다.
벤조페논-기재 자외선 흡수제의 예로는 2,4-디히드록시벤조페논 (Mw: 214, λmax: 288 ㎚, εmax: 14100 몰-1㎝-1), 2-히드록시-4-메톡시벤조페논 (Mw: 228, λmax: 289 ㎚, εmax: 14700 몰-1㎝-1), 2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-설폰산 (Mw: 308, λmax: 292 ㎚, εmax: 12500 몰-1㎝-1), 2-히드록시-4-옥틸옥시벤조페논 (Mw: 326, λmax: 291 ㎚, εmax: 15300 몰-1㎝-1), 4-도데실옥시-2-히드록시벤조페논 (Mw: 383, λmax: 290 ㎚, εmax: 16200 몰-1㎝-1), 4-벤질옥시-2-히드록시벤조페논 (Mw: 304, λmax: 289 ㎚, εmax: 15900 몰-1㎝-1), 2,2'-디히드록시-4,4'-디메톡시벤조페논 (Mw: 274, λmax: 289 ㎚, εmax: 11800 몰-1㎝-1), 1,6-비스(4-벤조일-3-히드록시페녹시)-헥산 (Mw: 511, λmax: 290 ㎚, εmax: 30100 몰-1㎝-1), 1,4-비스(4-벤조일-3-히드록시페녹시)-부탄 (Mw: 483, λmax: 290 ㎚, εmax: 28500 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
시아노아크릴레이트-기재 자외선 흡수제의 예로는 에틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트 (Mw: 277, λmax: 305 ㎚, εmax: 15600 몰-1㎝-1), 2-에틸헥실2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트 (Mw: 362, λmax: 307 ㎚, εmax: 14400 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
살리실레이트-기재 자외선 흡수제의 예로는 페닐 살리실레이트 (Mw: 214, λmax: 312 ㎚, εmax: 5000 몰-1㎝-1), 4-t-부틸페닐 살리실레이트 (Mw: 270, λmax: 312 ㎚, εmax: 5400 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
니켈 복합염-기재 자외선 흡수제의 예로는 (2,2'-티오비스(4-t-옥틸페놀레이트))-2-에틸헥실아민 니켈 (II) (Mw: 629, λmax: 298 ㎚, εmax: 6600 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
벤조에이트-기재 자외선 흡수제의 예로는 2',4'-디-t-부틸페닐 3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트 (Mw: 436, λmax: 267 ㎚, εmax: 20200 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
벤조트리아졸-기재 자외선 흡수제의 예로는 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸 (Mw: 225, λmax: 300 ㎚, εmax: 13800 몰-1㎝-1), 5-클로로-2-(3,5-디-t-부틸-2-히드록시페닐)-2H-벤조트리아졸 (Mw: 358, λmax: 312 ㎚, εmax: 14600 몰-1㎝-1), 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로-2H-벤조트리아졸 (Mw: 316,λmax: 354 ㎚, εmax: 14300 몰-1㎝-1), 2-(3,5-디-t-펜틸-2-히드록시페닐)-2H-벤조트리아졸 (Mw: 352, λmax: 305 ㎚, εmax: 15200 몰-1㎝-1), 2-(3,5-디-t-부틸-2-히드록시페닐)-2H-벤조트리아졸 (Mw: 323, λmax: 303 ㎚, εmax: 15600 몰-1㎝-1), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸-6-(3,4,5,6-테트라히드로프탈리미딜메틸)페놀 (Mw: 388, λmax: 304 ㎚, εmax: 14100 몰-1㎝-1), 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸 (Mw: 323, λmax: 301 ㎚, εmax: 14700 몰-1㎝-1) 등이 포함된다.
상기한 자외선 흡수제는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다. 자외선 흡수제 중에서는 말로네이트-기재 자외선 흡수제, 옥살라닐라이드-기재 자외선 흡수제, 벤조페논-기재 자외선 흡수제, 벤조트리아졸-기재 자외선 흡수제 등 중 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 말로네이트-기재 자외선 흡수제 및 옥살라닐라이드-기재 자외선 흡수제 중 하나 이상이 사용된다.
표면층 (B)를 구성하는 수지 조성물이 자외선 흡수제를 함유하는 경우, 상기 흡수제의 양은 상기 조성물에 함유된 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 0.01 중량부 내지 약 3 중량부일 수 있다.
기재층 (A)를 구성하는 수지 조성물이 자외선 흡수제를 함유하는 경우, 기재층 (A)용 조성물에 함유된 상기 흡수제의 양은 표면층 (B)용 조성물 중의 흡수제의 양보다 적다. 기재층 (A)용 조성물 중 흡수제의 양은 상기 조성물에 함유된 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 0.005 중량부 내지 약 1 중량부일 수 있다.
표면층 (B)용 조성물에 있어서, 자외선 흡수제는 표면층 (B) 중 흡수제의 함량이 바람직하게는 단위 면적 당 약 0.2 g/㎡ 내지 약 10 g/㎡ 가 되도록 함유된다. 자외선 흡수제를 단위 면적 당 상기 범위 내의 양으로 함유하는 표면층 (B)를 수득하기 위해서는, 예를 들면 표면층 (B)를 구성하는 수지 조성물의 비중을 고려하여 자외선 흡수제의 사용량, 표면층 (B)의 두께 등을 결정하는 것이 바람직하다.
기재층 (A) 및/또는 표면층 (B)가 자외선 흡수제를 함유하는 경우, 자외선 흡수제와 함께 부자유(hindered) 아민이 함유될 수 있다. 부자유 아민은 수득되는 수지판의 내광성을 훨씬 우수하게 한다.
상기와 같은 부자유 아민의 예로는 디메틸 석시네이트/1-(2-히드록시에틸)-4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 중축합물, 폴리((6-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)이미노-1,3,5-트리아진-2,4-디일)((2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)이미노)헥사메틸렌((2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)이미노)), 2-(2,3-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-2-n-부틸말로닉비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜), 2-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-2-n-부틸말로닉비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜), N,N'-비스(3-아미노프로필)에틸렌디아민/2,4-비스(N-부틸-N-(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)아미노)-6-클로로-1,3,5-트리아진 축합물, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 석시닉비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜) 등이 포함된다.
부자유 아민은 하기 화학식 4 로 표시되는 화합물일 수 있다:
[식 중, Y 는 수소 원자, 알킬기, 카르복시알킬기, 알콕시알킬기 또는 알콕시카르보닐알킬기를 나타낸다].
화학식 4에서 치환체 Y 로서의 알킬기, 및 치환체 Y 로서의 카르복시알킬기, 알콕시알킬기 및 알콕시카르보닐알킬기 내 알킬기는 선형 알킬기 또는 분지형 알킬기일 수 있으며, 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다. 카르복시알킬기는 바람직하게는 전체 탄소수가 2 내지 20인 카르복시알킬기이다. 알콕시알킬기는 바람직하게는 전체 탄소수가 2 내지 25인 알콕시알킬기이다. 알콕시카르보닐알킬기는 바람직하게는 전체 탄소수가 3 내지 25인 알콕시카르보닐알킬기이다. 치환체 Y 는 바람직하게는 수소 원자 또는 전체 탄소수가 5 내지 24인 알콕시카르보닐알킬기이고, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 알콕시카르보닐에틸기이다. 알콕시카르보닐에틸기의 예로는 도데실옥시카르보닐에틸기, 테트라데실옥시카르보닐에틸기, 헥사데실옥시카르보닐에틸기, 옥타데실옥시카르보닐에틸기 등이 포함된다.
부자유 아민은 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다. 층 (A) 및/또는 (B)에 함유된 부자유 아민의 양은 함께 함유된 자외선 흡수제에 대해 약 2 중량부 이하일 수 있으며, 바람직하게는 약 0.01 중량부 내지 약 1 중량부이다.
첨가제의 예로는 또한 계면활성제가 포함된다. 계면활성제는 기재층 (A) 및 표면층 (B) 중 하나 또는 양 층 모두에 함유될 수 있다. 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 및 비이온성 계면활성제 중 아무 것이나 본 발명에 사용될 수 있다. 이들 중, 설폰산, 황산 모노에스테르 및 그의 염과 같은 음이온성 계면활성제가 사용되는 것이 바람직하다. 구체적으로 바람직한 계면활성제는 나트륨 라우릴 설페이트, 나트륨 세틸 설페이트, 나트륨 스테아릴 설페이트 등이다. 계면활성제는 본 발명에서 수득되는 수지판의 온도 변화로 인한 잡음의 발생을 추가적으로 억제하게 한다. 또한, 계면활성제를 함유하는 수지판은 바람직하게는 대전방지 특성이 우수하다.
기재층 (A)가 계면활성제를 함유하는 경우, 기재층 (A) 내 계면활성제의 양은 층 (A) 내의 중합체 100 중량부에 대해 약 1 중량부 이하, 바람직하게는 약 0.7 중량부 이하일 수 있고, 더욱 바람직하게는 약 0.5 중량부 이하이며; 또한 바람직하게는 약 0.1 중량부 이상, 더욱 바람직하게는 약 0.2 중량부 이상이다.
표면층 (B)가 계면활성제를 함유하는 경우, 표면층 (B) 내 계면활성제의 양은 층 (B) 내의 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 약 5 중량부 이하일 수 있고, 바람직하게는 약 3 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이하이며; 또한 바람직하게는 약 0.1 중량부 이상, 더욱 바람직하게는 약 0.2 중량부 이상이고, 가장 바람직하게는 약 0.3 중량부 이상이다.
기재층 (A)는 또한 광확산제를 첨가제로서 함유할 수 있다. 광확산제는 본 발명에서 수득되는 수지판이 광확산판으로서 적절하게 사용될 수 있게 한다.
사용될 광확산제는 기재층 (A)를 구성하는 중합체, 예를 들면 단량체 단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 30 중량% 이상 함유하는 중합체의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 투명한 미세 입자일 수 있다. 광확산제는 무기물질로 이루어진 무기 광확산제일 수 있거나 유기물질로 이루어진 유기 광확산제일 수 있다. 굴절률의 차이는 입사광을 충분히 확산시키는 관점에서 바람직하게는 약 0.02 이상이 바람직하며, 충분히 큰 양으로 빛을 투과시키는 관점에서 약 0.13 이하이다.
무기 광확산제의 예로는 탄산칼슘, 황산바륨, 산화티탄, 수산화알루미늄, 실리카 (산화규소), 무기 유리, 활석, 운모, 백색 카본, 산화마그네슘, 산화아연 등이 포함된다. 무기 광확산제는 기재층 (A), 예를 들면 메틸 메타크릴레이트-스티렌 공중합체의 수지판에 쉽고 균일하게 분산되도록 지방산과 같은 표면 처리제로써 표면-처리될 수 있다.
유기 광확산제의 예로는 스티렌계 중합체 입자, 아크릴-기재 중합체 입자,실록산-기재 중합체 입자 등이 포함된다.
스티렌계 중합체 입자는 주단위로서 스티렌계 일작용기성 단량체 단위를 갖는 중합체, 예컨대 스티렌계 일작용기성 단량체 단위를 약 50 중량% 이상 함유하는 중합체일 수 있다. 상기 중합체는 스티렌계 일작용기성 단량체의 단일중합체일 수 있거나, 스티렌계 일작용기성 단량체 및 이와 공중합 가능한 일작용기성 단량체의 공중합체일 수 있다.
스티렌계 일작용기성 단량체는 분자 내에 스티렌 골격 및 하나의 라디칼 중합 가능한 이중결합을 갖는 화합물일 수 있다. 스티렌계 일작용기성 단량체의 예로는 스티렌 및 치환된 스티렌, 예를 들면 클로로스티렌 및 브로모스티렌과 같은 할로겐화 스티렌, 및 비닐톨루엔 및 α-메틸 스티렌과 같은 알킬 스티렌 등이 포함된다.
스티렌계 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 일작용기성 단량체는 분자 내에 하나의 라디칼 중합 가능한 이중결합을 갖는 화합물일 수 있으며, 상기 이중결합에 의해 스티렌계 일작용기성 단량체와 공중합될 수 있다. 일작용기성 단량체의 예로는 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 페닐 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트-2-에틸헥실 메타크릴레이트 및 2-히드록시에틸 메타크릴레이트와 같은 메타크릴레이트; 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트 및 2-히드록시에틸 아크릴레이트와 같은 아크릴레이트; 아크릴로니트릴 등이 포함된다. 이 중에서메틸 메타크릴레이트와 같은 메타크릴레이트가 바람직하게 사용된다. 상기한 일작용기성 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
스티렌계 중합체 입자가 유기 광확산제로서 사용되는 경우, 그의 중량-평균 분자량은 약 500,000 내지 약 5,000,000 이 바람직하다.
유기 광확산제로서의 스티렌계 중합체 입자는 스티렌계 일작용기성 단량체, 및 공중합 성분으로서 스티렌계 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 다작용기성 단량체의 공중합체로 이루어진 입자일 수 있다. 다작용기성 단량체는 분자 내에 둘 이상의 라디칼 중합 가능한 이중 결합을 가지고, 상기 이중결합에 의해 스티렌계 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 화합물일 수 있다. 다작용기성 단량체의 예로는 다가 알코올의 메타크릴레이트, 예를 들면 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크리레이트, 프로필렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라프로필렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트 및 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트; 다가 알코올의 아크릴레이트, 예를 들면 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 테트라프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 및 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트; 방향족 다작용기성 화합물, 예컨대 디비닐벤젠 및 디알릴 프탈레이트 등이 포함된다. 다작용기성 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
상기와 같은 다작용기성 단량체의 공중합체는 다작용기성 단량체, 및 스티렌계 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 일작용기성 단량체로서 상기 언급된 일작용기성 단량체로 이루어진 공중합체일 수 있다.
스티렌계 일작용기성 단량체 및 그와 공중합 가능한 다작용기성 단량체의 공중합체는 바람직하게는 소위 가교된 구조를 가지고 겔 분획이 약 10 중량% 이상인 공중합체이다.
스티렌계 중합체 입자는 굴절률이 약 1.53 내지 약 1.61 일 수 있다. 다량의 벤젠 골격 및/또는 할로겐 원자를 갖는 스티렌계 중합체 입자는 굴절률이 큰 경향이 있다.
스티렌계 중합체 입자는 현탁 중합법, 미세현탁 중합법, 에멀젼 중합법 및 분산 중합법과 같은 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
유기 광확산제로서 아크릴-기재 중합체 입자는 주 단위로서 아크릴-기재 일작용기성 단량체 단위를 갖는 중합체, 예컨대 아크릴-기재 일작용기성 단량체 단위를 약 50 중량% 이상으로 함유하는 중합체일 수 있다. 상기 중합체는 아크릴-기재 일작용기성 단량체의 단일중합체일 수 있거나, 아크릴-기재 일작용기성 단량체 및 그와 공중합 가능한 일작용기성 단량체의 공중합체일 수 있다.
아크릴-기재 일작용기성 단량체의 예로는 아크릴산, 메타크릴산 및 그의 에스테르; 예를 들면 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 페닐 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 2-에틸헥실 메타크릴레이트 및 2-히드록시에틸 메타크릴레이트와 같은 메타크릴레이트; 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 부틸 아크리레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트 및 2-히드록시에틸 아크릴레이트와 같은 아크릴레이트; 메타크릴산; 아크릴산 등이 포함된다. 아크릴-기재 일작용기성 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
아크릴-기재 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 일작용기성 단량체는 분자 내에 하나의 라디칼 중합 가능한 이중 결합을 가지고, 상기 이중결합에 의해 아크릴-기재 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 화합물일 수 있다. 일작용기성 단량체의 예로는 스티렌 및 치환된 스티렌, 예를 들면 클로로스티렌 및 브로모스티렌과 같은 할로겐화 스티렌; 비닐톨루엔 및 α-메틸 스티렌과 같은 알킬 스티렌; 및 아크릴로니트릴이 포함된다. 상기와 같은 일작용기성 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
아크릴-기재 중합체 입자가 유기 광확산제로서 사용되는 경우, 그의 중량-평균 분자량은 약 500,000 내지 약 5,000,000 이 바람직하다.
유기 광확산제로서 아크릴-기재 중합체 입자는 아크릴-기재 일작용기성 단량체, 및 공중합 성분으로서 상기 아크릴-기재 단량체와 공중합 가능한 다작용기성 단량체의 공중합체로 이루어진 입자일 수 있다. 다작용기성 단량체는 분자 내에 둘 이상의 라디칼 중합 가능한 이중결합을 가지고, 상기 이중결합에 의해 아크릴-기재 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 화합물일 수 있다. 다작용기성 단량체의 예로는 스티렌계 중합체 입자에 있어 상기 언급된 것과 동일한 다작용기성 단량체, 예컨대 다가 알코올의 메타크릴레이트, 다가 알코올의 아크릴레이트 및 방향족 다작용기성 화합물이 포함된다. 다작용기성 단량체는 각각 단독으로, 또는 상기의 2 종류 이상의 조합으로서 사용될 수 있다.
상기와 같은 다작용기성 단량체의 공중합체는 다작용기성 단량체, 및 아크릴-기재 일작용기성 단량체와 공중합 가능한 일작용기성 단량체로서 상기 언급된 일작용기성 단량체로 이루어진 공중합체일 수 있다.
아크릴-기재 일작용기성 단량체 및 그와 공중합 가능한 다작용기성 단량체의 공중합체는 바람직하게는 가교된 구조를 가지고 겔 분획이 약 10 중량% 이상인 공중합체이다.
아크릴-기재 중합체 입자는 굴절률이 약 1.46 내지 약 1.55 일 수 있다. 다량의 벤젠 골격 또는 할로겐 원자를 갖는 아크릴-기재 중합체 입자는 굴절률이 큰 경향이 있다. 아크릴-기재 중합체 입자는 현탁 중합법, 미세현탁 중합법, 에멀젼 중합법 및 분산 중합법과 같은 공지의 중합법에 의해 제조할 수 있다.
유기 광확산제로서 실록산-기재 중합체 입자는 실록산-기재 중합체로 이루어진 입자일 수 있다. 실록산-기재 중합체는 디메틸디클로로실란, 디페닐디클로로실란, 페닐메틸디클로로실란, 메틸트리클로로실란 및 페닐트리클로로실란과 같은 클로로실란을 가수분해하고 축합하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 실록산-기재 중합체는 가교된 중합체일 수 있다. 가교된 중합체는 비가교 중합체를 벤조일 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 파라-클로로벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀 퍼옥사이드, 디-tert-부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥산과 같은 퍼옥사이드로써 처리함으로써 제조할 수 있다. 실란올기를 말단에 갖는 중합체는 클로로실란을 알콕시실란으로 축합하고 가교시킴으로써 제조할 수 있다. 가교된 중합체는 바람직하게는 규소 원자 하나 당 2 또는 3 개의 유기 잔기를 갖는 구조를 갖는다. 또한, 실록산-기재 중합체는 바람직하게는 실리콘 고무 또는 실리콘 수지로 불리는 중합체이며, 바람직하게는 정상 온도에서 고체 상태인 중합체이다.
실록산-기재 중합체 입자는 상기한 실록산-기재 중합체를 분쇄하여 수득할 수 있다. 대안적으로는, 상기 입자는 선형 유기실록산 블록을 갖는 경화성 중합체 및 그의 조성물을 분무 상태에서 경화시킴으로써 과립상 입자로서 수득할 수 있다 (일본 특허공보 제 59-68333 호 참조). 또한, 상기 입자는 알킬트리알콕시실란 또는 그의 부분적 가수분해 축합물을 암모니아 또는 아민의 수용액 중에서 가수분해시키고 축합함으로써 과립상 입자로 수득할 수 있다 (일본 특허출원 공개공보 제 60-13813 호 참조).
실록산-기재 중합체는 바람직하게는 중량-평균 분자량이 약 500,000 내지 약 5,000,000 이다. 실록산-기재 중합체가 가교된 구조를 갖는 경우, 중합체는 바람직하게는 겔 분획이 약 10 중량% 이상이다. 실록산-기재 중합체는 굴절률이 약 1.40 내지 약 1.47 일 수 있다.
또한, 첨가제의 예로는 내충격제(impact resistant agent), 중합체-기재 대전방지제, 산화방지제, 난연제, 윤활제, 염료 및 안료와 같은 착색제 등이 포함된다. 이러한 첨가제는 기재층 (A) 및 표면층 (B) 중 하나에 또는 양 층 모두에 함유될 수 있다. 내충격제의 예로는 아크릴-기재 다중층 고무 입자, 그라프트 고무-유사 중합체 입자 등이 포함된다. 중합체-기재 대전방지제의 예로는 폴리에테르 에스테르 아미드 등이 포함된다. 산화방지제의 예로는 부자유 페놀 등이 포함된다. 윤활제의 예로는 팔미트산, 스테아릴 알코올 등이 포함된다.
본 발명의 수지판은 공압출 성형법, 적층법, 열 접착법, 용매 접착법, 중합 접착법, 주형 중합법 및 표면도포법과 같은 방법에 의해 제조할 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 수지판은 메틸 메타크릴레이트와, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물을 공압출하는 방식의 공압출 성형법에 의해 제조한다. 공압출에 있어서, 중합체 및 수지 조성물을 각각 별도의 압출기에 의해 가열하고 용융-혼련하면서 공압출 성형용 금형으로부터 압출하여 통합 적층할 수 있다. 사용되는 압출기의 예로는 일축 또는 이축 압출기 등이 포함된다. 사용되는 금형의 예로는 피드 블록(feed block) 금형, 멀티-매니폴드(multi-manifold) 금형 등이 포함된다. 금형으로부터 공압출된 중합체는 기재층 (A)가 될 수 있는 반면, 공압출된 수지 조성물은 표면층 (B)가 될 수 있다. 중합체 및 수지 조성물을 공압출하고, 이어서 롤 단위를 사용함으로써 냉각 롤에 삽입하여 냉각시킴으로써, 목적하는 수지판으로 제조할 수 있다.
기재층 (A)가 첨가제를 함유하는 경우, 기재층 (A)는 공압출되는 메틸 메타크릴레이트 중합체 내로 첨가제를 혼합하는 방식으로 형성시킬 수 있다. 첨가제는 공지의 방법으로 혼합할 수 있다. 예를 들면, 첨가제를 압출기에 의해 메틸 메타크릴레이트 중합체에 첨가하여 용융-혼련할 수 있다. 표면층 (B)가 첨가제를 함유하는 경우, 표면층 (B)는 공압출되는 수지 조성물 내로 첨가제를 혼합하는 방식으로 형성시킬 수 있다. 첨가제는 공지된 방식으로 혼합할 수 있다. 예를 들면, 첨가제를 압출기에 의해 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드에 첨가하여 용융-혼련할 수 있다.
본 발명의 수지판을 적층법으로 제조하는 경우, 수지판은, 메틸 메타크릴레이트 중합체를 판상으로 성형한 후, 가열 및 용융 상태에서 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물을 그 위에 적층하는 방식으로 제조할 수 있다. 고체화될 적층 수지 조성물을 냉각시킨 후, 수지 조성물을 자외선 흡수층으로 하여 목적하는 수지판을 수득한다.
본 발명의 수지판을 열접착법으로 제조하는 경우, 수지판은, 메틸 메타크릴레이트 중합체를 판상으로 성형한 후, 가열과 함께 필름 (이는 비닐리덴 플루오라이드 수지 및 자외선 흡수제를 함유하는 수지 조성물을 필름 상으로 성형하는 방법에 의해 수득할 수 있다)을 그 위에 압착시켜 통합하는 방식으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법에서, 메틸 메타크릴레이트 중합체 및 수지 조성물을 그의 연화점 이상의 온도로 가열하면서 압착시킴으로써, 판상 메틸 메타크릴레이트 중합체 및 필름을 열-융합에 의해 통합적으로 적층하여, 목적하는 수지판을 수득할 수 있다.
본 발명의 수지판을 용매 접착법으로 제조하는 경우, 수지판은, 메틸 메타크릴레이트 중합체를 판상으로 성형하고, 별도로 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물을 필름 상으로 성형하고, 상기 판 및 필름 중 하나 또는 둘 모두를 용해시킬 수 있는 용매를 판 및/또는 필름의 표면상에 도포하여, 판 및 필름을 적층하는 방식으로 제조할 수 있다. 적층 후, 용매를 휘발시킴으로써 수지판 및 필름을 서로에 대해 통합적으로 적층하여, 목적하는 수지판을 수득한다.
본 발명의 수지판을 중합 접착법으로 제조하는 경우, 수지판은, 메틸 메타크릴레이트 중합체를 판상으로 성형하고, 별도로 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물을 필름 상으로 성형하며, 중합 가능한 접착제를 판 또는 필름의 표면에 도포하여 판 및 필름을 적층하는 방식으로 제조할 수 있다. 적층 후, 중합 가능한 접착제를 중합하여, 판 및 필름을 서로에 대해 통합적으로 적층하여, 목적하는 수지판을 수득한다. 중합 가능한 접착제의 예로는, 메틸 메타크릴레이트-스티렌 공중합체, 메틸 메타크릴레이트 수지 또는 비닐리덴 플루오라이드 수지를 구성하는 단량체로서 상기 언급한 것과 동일한 단량체에 중합 개시제를 첨가하여 수득할 수 있는 중합 가능한 접착제가 포함된다. 중합 개시제는 가열에 의한 단량체의 중합 개시용 열 중합 개시제일 수 있거나, 광 조사에 의한 단량체의 중합 개시용 광 중합 개시제일 수 있다. 그러한 중합 개시제의 중합에 있어, 사용되는 중합 개시제에 따라 개시제를 가열하거나 광조사한다.
본 발명의 수지판을 주형 중합법으로 제조하는 경우, 수지판은, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물을 필름 상으로 성형하여 수득된 필름을 중합용 셀에 배치하고, 그 안에 메틸 메타크릴레이트중합체 또는 그의 부분적 중합체를 수득하기 위한 단량체를 주입하여 중합시키는 방식으로 제조할 수 있다. 중합 개시제를 단량체 또는 부분적 중합체에 첨가하여, 중합용 셀에 주입한 후 중합할 수 있다.
상기와 같이 수득된 본 발명의 수지판 (수지 적층물)은 발광 싸인보드, 조명 커버, 디스플레이 장치의 전면 또는 후면에 사용되는 광확산판과 같이 실내 및 실외에서 다양한 용도로 사용될 수 있다.
수지판 (C)를 구성하는 기재층 (A)가 광확산제를 함유하는 경우, 수지판은 광확산 및 도광판 (시이트)으로 사용될 수 있다. 광확산 및 도광판 (시이트)은 빛을 확산시키면서 냉음극 형광램프 (cold cathode fluorescent lamp) 및 LED (발광 다이오드)와 같은 광원으로부터 빛을 유도하며, 액정 디스플레이 등의 백라이트(backlight)로서 이용되는 광원 장치에 사용될 수 있다. 본 발명의 수지판이 광확산 및 도광판 (시이트)으로서 사용되는 경우, 수지판은 디스플레이의 후면으로부터 발광하는 직하광 (directly-beneath-light)형 백라이트를 구성하는 광확산 판으로 사용될 수 있거나, 디스플레이의 측면으로부터 발광하는 엣지라이트 (edge-light)형 백라이트를 구성하는 광확산 판으로 사용될 수 있다.
광원 장치로서 흔히 이용되는 광확산 및 도광판 (시이트)는 광원의 전원 상태에 따른 온도 변화에 따라 공기 중 수분을 쉽게 흡수하는 경향이 있는 반면, 본 발명의 수지판 (C)는 수분 흡수로 인한 변형이 적어서, 변형에 따른 잡음을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지판이 액정 셀의 후면에 배치된 도광판으로 사용되는 경우, 수분 흡수가 적어서 변형이 적으므로, 도광판의 변형으로 인한 액정 셀의고장이 적다.
광확산제를 함유하는 본 발명의 수지판이 조명 커버(lighting cover)로서 사용되는 경우, 판의 하나 이상의 표면에 미세한 불규칙성을 제공하는 것이 바람직한데, 이로써 상기 표면이 빛을 산란시키면서 입사광을 반사하는 소위 소광(matting) 표면으로 이용된다. 이러한 불규칙성은 바람직하게는 10점(10-point) 평균 거칠기 (Rz)가 약 1 ㎛ 내지 약 5 ㎛이고, 평균 피크 거리 (Sm)가 약 10 ㎛ 내지 약 300 ㎛이다. 수지판이 하나 이상의 표면에서 10점 평균 거칠기 (Rz)가 약 5 ㎛ 미만이고/이거나 평균 피크 거리 (Sm)가 약 300 ㎛ 초과이면, 입사광을 직접 반사하기 때문에 표면이 무광택 표면으로 작용하기가 어려운 경향이 있다. 수지판이 하나 이상의 표면에서 10점 평균 거칠기가 약 50 ㎛ 초과이고/이거나 평균 피크 거리 (Sm)가 약 10 ㎛ 미만이면, 상기 판은 충격 (쇼크)에 대해 약한 경향이 있다.
불규칙성이 예를 들면 공압출법에 의해 제조되는 경우, 기재층 (A)용 메틸 메타크릴레이트 중합체 또는 표면층 (B)용 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물 중 하나 이상에 불용성 입자가 함유되어 공압출되는 것이 바람직하다. 사용될 불용성 입자는 중량-평균 입경이 약 1 ㎛ 내지 약 50 ㎛일 수 있다. 바람직하게는, 불용성 입자는 메틸 메타크릴레이트 수지, 비닐리덴 플루오라이드 수지 및 자외선 흡수제를 함유하는 표면층 (B)용 수지 조성물에, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 총량 100 중량부에 대해 약 1 중량부 내지 약 30 중량부의 양으로 함유된다.
대안적으로, 불규칙성은 예를 들면 롤 전이에 의해, 또는 불규칙성이 중합용셀 내에서 제공되고 셀 내에 위치한 수지로 전이되는 주형 중합법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 수지판은 투명성이 우수하고 수분 흡수로 인한 변형이 적으며 내광성이 우수하다.
상기와 같이 기술된 본 발명은 다양한 방식으로 변형될 수 있음이 명백하다. 그러한 변형예는 본 발명의 사상 및 범위 내인 것으로 간주되며, 상기와 같은 모든 변형은 당업자에게 있어서 첨부되는 청구범위의 범위 내인 것으로 의도됨이 명백할 것이다.
2003년 3월 27일에 출원한 일본 특허출원 제 2003-087639 호의 명세서, 청구범위, 도면 및 요약을 나타내는 전문이 본원에 참조로서 인용되었다.
실시예
본 발명을 하기의 실시예를 참조하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다.
실시예 및 비교예의 각각에서 수득된 수지판을 하기 방식으로 평가하였다.
(1) 총 광투과 (Tt)
총 광투과 (Tt)는, JIS K 7361에 따라 흐림도 투과계(haze transmittance meter) [MURAKAMI COLOR RESEARCH LABORATORY 사 제조의 'HR-100']를 사용하여 측정하였다.
(2) 은폐특성 (I5/I0)
은폐특성 (I5/I0)은, 수직 입사광에 의해 투과각(transmission angle) 0°에서 투과된 빛의 강도를 I0으로 하고, 수직 입사광에 의해 투과각 5°에서 투과된 빛의 강도를 I5로 하는 조건 하에서 자동 배광측정기 (goniophotometer) [MURAKAMI COLOR RESEARCH LABORATORY 사 제조의 'GP-1R']를 사용하여 측정하였다.
(3) 광확산도 (I70/I0)
광확산도 (I70/I0)는, 수직 입사광에 의해 투과각 0°에서 투과된 빛의 강도를 I0으로 하고, 수직 입사광에 의해 투과각 70°에서 투과된 빛의 강도를 I70으로 하는 조건 하에서 자동 배광측정기 [MURAKAMI COLOR RESEARCH LABORATORY 사 제조의 'GP-1R']를 사용하여 측정하였다.
(4) 수분 흡수로 인한 뒤틀림의 평가
평가될 수지판을 절단하여 시편을 수득하고, 이를 두 장의 강철 평판 사이에 삽입하고, 평면 형상으로 유지시키면서 90℃의 온도에서 5 시간 동안 공기 중에 방치한 후, 24 시간 동안 건조 냉각되도록 방치하였다. 다음, 상기 시편을 실온 (약 25℃)에서 단 한 면만이 순수에 침지되도록 하였다. 24 시간 후, 시편의 네 모서리의 뒤틀림의 양 (㎜)을 각각 측정하고, 그의 평균값을 수분 흡수로 인한 수지판의 뒤틀림 정도로서 사용하였다.
(5) 내광성
평가될 수지판을 절단하여, 크기 6 ㎝ x 7 ㎝의 시편을 수득한 후, 상기 시편을 통해 투과된 빛의 L*, a*및 b*를 JIS K 7103에 따라 분광 색차계 [NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD. 사 제조의 'SZ-Σ80']를 사용하여 측정하였다. 이어서, 자외선 조사 장치 [TOYO SEIKI CO., LTD. 사 제조의 'ATLAS-UVCON']를 사용하여 60℃의 온도에서 500 시간 동안 자외선을 연속적으로 조사한 후, 상술한 바와 동일한 방식으로 투과광의 L*, a*및 b*를 특정하였다. 측정 결과를 사용하여, 자외선 조사 전과 후의 수지판의 ΔE를 계산하였다.
(6) 표면 거칠기
10점 평균 거칠기 (Rz) 및 평균 피크 거리 (Sm)를 JIS B 0601에 따라 표면 거칠기 측정기 [Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 사 제조의 'SURFCOM550A']를 사용하여 측정하였다.
실시예 및 비교예에서 사용된 수지는 하기와 같다.
MS 수지는 메틸 메타크릴레이트 60 중량부 및 스티렌 40 중량부의 공중합체이고, 굴절률은 1.53 이다.
MA 수지는 메틸 메타크릴레이트 96 중량부 및 메틸 아크릴레이트 4 중량부의 공중합체이고, 굴절률은 1.49 이다.
FV 수지는 굴절률이 1.42 인 폴리비닐리덴 플루오라이드 단일중합체이다.
실시예 및 비교예에서 사용된 광확산제는 하기와 같다.
광확산제 (1)은 스티렌 95 중량부 및 디비닐벤젠 5 중량부의 공중합체 입자로 이루어지고, 굴절률은 1.59, 중량-평균 입자경은 6 ㎛이다.
광확산제 (2)는 스티렌 50 중량부 및 메틸 메타크릴레이트 50 중량부의 공중합체 입자로 이루어지고, 굴절률은 1.54, 중량-평균 입자경은 11 ㎛이다.
광확산제 (3)은 가교된 실록산-기재 중합체 입자 [GE TOSHIBA SILICONES CO., LTD. 사 제조의 'TOSPAR120']로 이루어지고, 굴절률은 1.43 중량-평균 입자경은 2 ㎛이다.
광확산제 (4)는 가교된 실록산-기재 중합체 입자 [DOW CORNING TORAY SILICONE CO., LTD. 사 제조의 'TORAYFIL DY33-719']로 이루어지고, 굴절률은 1.42, 중량-평균 입자경은 2 ㎛이다.
광확산제 (5)는 탄산칼슘 입자 [MARUO CALCIUM CO., LTD. 사 제조의 'CUBE30AS']로 이루어지고, 굴절률은 1.61, 중량-평균 입자경은 4 ㎛이다.
실시예 및 비교예에 사용된 불용성 입자는 하기와 같다.
불용성 입자 (1)은 가교된 메틸 메타크릴레이트-기재 중합체 입자 [SEKISUI PLASTICS CO., LTD. 사 제조의 'TECHPOLYMER MBX5']이고, 굴절률은 1.49, 중량-평균 입자경은 5 ㎛ 이다.
불용성 입자 (2)는 활석 입자 [NIPPON TALC CO., LTD. 사 제조]이고, 굴절률은 1.56, 입자 장경 (long-side diameter)은 21 ㎛이다.
실시예 및 비교예에서 사용된 자외선 흡수제 (UVA)는 하기와 같다.
UVA (1)은, 상기 화학식 1 에서 X1이 메톡시기이고, 그의 치환 위치는 파라-위치이며, R1및 R2가 메틸기인 화합물인 2-(파라메톡시벤질리덴)디메틸 말로네이트 [CLARIANT K.K. 사 제조 'Sanduvor PR-25']이다.
UVA (2)는 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸 [SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. 사 제조의 'SUMISORB 200']이다.
실시예 및 비교예에 사용된 부자유 아민은 하기와 같다.
HALS 는 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜) 세바케이트 [ASAHI DENKA CO, LTD. 사 제조의 ADEKA STAB LA-77']이다.
상기 광확산제 및 불용성 입자의 중량-평균 입자경은 마이크로트랙 (microtrac) 입자크기 분석기 (광 회절 산란 입자경 측정기) [NIKKISO CO., LTD. 사 제조의 '모델 9220 FRA']를 사용하여 측정된 중량-평균 입자경이고, 불용성 입자 (2) [활석 입자]의 입자 장경은 현미경으로 관찰하여 측정되었음을 유념한다.
실시예 1 및 2 및 비교예 1
UVA (1) (0.01 중량부) 및 MA 수지 (100 중량부)를 헨쉘(Henschel) 혼합기로 서로 혼합하고, 가열하면서 제 1 압출기 [스크루 직경 40 ㎜, 일축형, 배기구 장착, TANABE PLASTICS CO., LTD. 사 제조]로 용융-혼련하여, 제 1 용융-혼련물을 수득하였다.
한편, 자외선 흡수제, MA 수지 및 FV 수지를 표 1에 각각 나타낸 양으로 헨쉘 혼합기로 혼합하고, 가열하면서 제 2 압출기 [스크루 직경 20 ㎜, 일축형, 배기구 장착, TANABE PLASTICS CO., LTD. 사 제조]로 용융-혼련하여, 제 2 용융-혼련물을 각각 수득하였다.
상기 수득된 제 1 용융-혼련물을 기재층으로 하고, 상기 수득된 제 2 용융-혼련물을 표면층으로 하는 방식으로, 제 1 용융-혼련물 및 제 2 용융-혼련물을 각각 제 1 압출기 및 제 2 압출기로부터 2종 3층 분포형 피드 블록 금형 [TANABE PLASTICS CO., LTD. 사 제조]으로 공급하여, 압출 수지 온도 250℃에서 공압출-성형시킴으로써, 폭 23 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은 표면층이 기재층의 양면에 적층된 3층 구성을 가지며, 각각의 표면층은 두께가 0.1 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.8 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 뒤틀림 정도의 측정에 사용된 시편은 크기가 5 ㎝ x 5 ㎝ 였다.
MA 수지(중량부) FV(중량부) UVA (1)(중량부) 뒤틀림 정도(mm) Tt(%)
실시예 1 75 25 0.015 0.47 92
실시예 2 50 50 0.015 0.24 93
비교예 1 100 0 0.015 0.72 93
실시예 3 내지 6
UVA (2) (0.01 중량부) 및 MA 수지 (100 중량부)를 헨쉘 혼합기로 서로 혼합하고, 가열하면서 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 제 1 압출기로 용융-혼련하여, 제 1 용융-혼련물을 수득하였다.
한편, UVA (1) 0.015 중량부, 및 MA 수지 및 FV 수지를 표 2에 각각 나타낸 양으로 헨쉘 혼합기로 혼합하고, 가열하면서 실시예 1에 사용된 것과 동일한 제 2 압출기로 용융-혼련하여, 제 2 용융-혼련물을 수득하였다.
상기 수득된 제 1 용융-혼련물을 기재층으로 하고, 상기 수득된 제 2 용융-혼련물을 표면층으로 하는 방식으로, 제 1 용융-혼련물 및 제 2 용융-혼련물을 각각 제 1 압출기 및 제 2 압출기로부터 2종 2층 분포형 멀티-매니폴드 금형 [TANABEPLASTICS CO., LTD. 사 제조]으로 공급하여, 압출 수지 온도 260℃에서 공압출-성형시킴으로써, 폭 22 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은 표면층이 기재층의 한 면에 적층된 2층 구성을 가지며, 표면층은 두께가 0.1 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.9 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 2에 나타내었다. 뒤틀림 정도의 측정에 사용된 시편은 크기가 20 ㎝ x 20 ㎝ 였다.
MA 수지(중량부) FV(중량부) UVA (1)(중량부) 뒤틀림 정도(mm) Tt(%)
실시예 3 90 10 0.015 2.60 93
실시예 4 80 20 0.015 2.44 93
실시예 5 70 30 0.015 2.25 93
실시예 6 60 40 0.015 1.45 93
실시예 7
멀티-매니폴드 금형에 공급된 제 2 용융 수지의 양을 증가시킨 것을 제외하고는, 실시예 6에서와 동일한 방법으로 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은, 표면층이 기재층의 한 면에 적층된 2층 구성을 가지며, 표면층은 두께가 0.2 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.8 ㎜ 였다. 수지판의 평과 결과를 표 3에 나타내었다. 뒤틀림 정도의 측정에 사용된 시편은 크기가 20 ㎝ x 20 ㎝ 였다.
MA 수지(중량부) FV(중량부) UVA (1)(중량부) 뒤틀림 정도(mm) Tt(%)
실시예 7 60 40 0.015 0.21 93
실시예 8 내지 11 및 비교예 2
UVA (1) (0.01 중량부), 광확산제 (1) (0.8 중량부), 광확산제 (2) (0.8 중량부) 및 MA 수지 100 중량부를 헨쉘 혼합기로 혼합하고, 가열하면서 실시예 1에서사용된 것과 동일한 제 1 압출기로 용융-혼련하여, 제 1 용융-혼련물을 수득하였다.
한편, 표 4에 나타낸 양의 UVA (1) 및 불용성 입자 8 중량부를 MA 수지 및 FV 수지에 표 4 에 나타낸 양으로 첨가하고, 헨쉘 혼합기로 혼합하였다. 수득된 혼합물을 가열하면서 실시예 1에 사용된 것과 동일한 제 2 압출기로 용융-혼련하여, 제 2 용융-혼련물을 수득하였다.
MA 수지(중량부) FV 수지(중량부) UVA (1)(중량부) 불용성 입자 (1)(중량부)
실시예 8 80 20 0.5 8
비교예 2 100 0 0.5 8
실시예 9 70 30 0.05 8
실시예 10 70 30 0.5 8
실시예 11 70 30 1.0 8
상기 수득된 제 1 용융-혼련물을 기재층으로 하고, 상기 수득된 제 2 용융-혼련물을 표면층으로 하는 방식으로, 제 1 용융-혼련물 및 제 2 용융-혼련물을 각각 제 1 압출기 및 제 2 압출기로부터 실시예 3에서 사용된 것과 동일한 2종 2층 분포형 멀티-매니폴드 금형으로 공급하여, 압출 수지 온도 245℃에서 공압출-성형시킴으로써, 폭 22 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은 표면층이 기재층의 한 면에 적층된 2층 구성을 가지며, 표면층은 두께가 0.05 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.95 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 5에 나타내었다. 뒤틀림 정도의 측정에 사용된 시편은 크기가 18 ㎝ x 18 ㎝ 였다.
Tt (%) 뒤틀림 정도(㎜) I5/I0(%) I70/I0(%) ΔE Rz (㎛) Sm (㎛)
실시예 8 63 1.74 99 20 3.3 3.3 33
실시예 9 64 1.90 99 19 3.9 3.0 30
비교예 2 63 3.35 99 20 0.7 3.1 36
실시예 10 63 1.69 99 20 8.7 3.2 30
실시예 11 63 1.76 99 20 1.0 3.3 33
실시예 12 내지 15 및 비교예 3
UVA (1) (0.02 중량부), HALS (0.01 중량부), 광확산제 (1) (0.65 중량부) 및 광확산제 (4) (0.65 중량부)를 MS 수지 100 중량부에 첨가하고 헨쉘 혼합기로 혼합하였다. 수득된 혼합물을 가열하면서 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 제 1 압출기로 용융-혼련시킴으로써, 제 1 용융-혼련물을 수득하였다.
한편, 표 2 에 나타낸 양의 자외선 흡수제 및 불용성 입자를 표 6 에 나타낸 양의 MA 수지 및 FV 수지에 첨가하고, 거기에 나트륨 세틸 설페이트 및 나트륨 스테아릴 설페이트의 혼합물 (계면활성제) 0.5 중량부를 추가 첨가하였다. 수득된 혼합물을 헨쉘 혼합기로 혼합하고, 가열하면서 제 2 압출기 [스크루 직경 20 ㎜, 일축형, 배기구 장착, TANABE PLASTICS CO., LTD. 사 제조]로 용융-혼련함으로써, 제 2 용융-혼련물을 수득하였다.
MA 수지(중량부) FV 수지(중량부) UVA (1)(중량부) 불용성 입자 (1)(중량부)
실시예 12 70 30 0.5 8
실시예 13 80 20 0.5 8
비교예 3 100 0 0.5 8
실시예 14 70 30 0.05 8
실시예 15 70 30 1.0 8
상기 수득된 제 1 용융-혼련물을 기재층으로 하고, 상기 수득된 제 2 용융-혼련물을 표면층으로 하는 방식으로, 제 1 용융-혼련물 및 제 2 용융-혼련물을 각각 제 1 압출기 및 제 2 압출기로부터 실시예 3에서 사용된 것과 동일한 2종 2층 분포형 멀티-매니폴드 금형으로 공급하여, 압출 수지 온도 245℃에서 공압출-성형시킴으로써, 폭 22 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은 표면층이 기재층의 한 면에 적층된 2층 구성을 가지며, 표면층은 두께가 0.05 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.95 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 7 에 나타내었다.
Tt (%) 뒤틀림 정도(㎜) I5/I0(%) I70/I0(%) ΔE Rz (㎛) Sm (㎛)
실시예 12 61 1.07 99 22 7.8 3.1 29
실시예 13 61 1.23 99 22 8.2 2.9 30
비교예 3 61 2.07 99 22 3.9 3.2 33
실시예 14 61 1.05 99 21 12.6 2.9 30
실시예 15 61 1.09 99 22 3.9 3.2 33
실시예 16
멀티-매니폴드 금형을 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 2종 3층 분포형 피드 블록 금형으로 교체한 것을 제외하고는, 실시예 13에서 동일한 방법으로, 폭 22 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 수득된 수지판은 표면층이 기재층의 양면에 적층된 3층 구성을 가지며, 각각의 표면층은 두께가 0.03 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.94 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 8 에 나타내었다.
Tt (%) 뒤틀림 정도(㎜) I5/I0(%) I70/I0(%) ΔE Rz (㎛) Sm (㎛)
실시예 16 63 0.96 98 18 8.8 3.2 33
실시예 17 및 비교예 4
UVA (3) (0.01 중량부) 및 광확산제 (2) (3 중량부) 및 광확산제 (3) (2 중량부)를 MA 수지 100 중량부에 첨가하고, 헨쉘 혼합기로 혼합하였다. 수득된 혼합물을 가열하면서 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 제 1 압출기로 용융-혼련하여, 제 1 용융-혼련물을 수득하였다.
한편, 표 9 에 나타낸 양의 UVA (3) 및 불용성 입자 (2)를 표 9 에 나타낸 양의 MA 수지 및 FV 수지에 첨가하고, 거기에 나트륨 세틸 설페이트 및 나트륨 스테아릴 설페이트의 혼합물 (계면활성제) 0.5 중량부를 추가 첨가하였다. 수득된 혼합물을 헨쉘 혼합기로 혼합하고, 가열하면서 실시예 1에 사용된 것과 동일한 제 2 압출기로 용융-혼련함으로써, 제 2 용융-혼련물을 수득하였다.
MA 수지(중량부) FV 수지(중량부) UVA (3)(중량부) 불용성 입자 (2)(중량부)
실시예 17 80 20 0.1 15
비교예 4 100 0 0.1 15
상기 수득된 제 1 용융-혼련물을 기재층으로 하고, 상기 수득된 제 2 용융-혼련물을 표면층으로 하는 방식으로, 각각의 제 1 용융-혼련물 및 제 2 용융-혼련물을 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 2종 3층 분포형 피드 블록 금형으로 공급하여, 압출 수지 온도 245℃에서 공압출-성형시킴으로써, 폭 22 ㎝, 길이 80 ㎝ 및 두께 2 ㎜의 수지판을 수득하였다. 상기 수지판은 표면층이 기재층의 양면에 적층된 3층 구성을 가지며, 표면층은 두께가 0.03 ㎜이고, 기재층은 두께가 1.94 ㎜ 였다. 수지판의 평가 결과를 표 10 에 나타내었다.
Tt (%) 뒤틀림 정도(㎜) I5/I0(%) I70/I0(%) ΔE Rz (㎛) Sm (㎛)
실시예 17 60 2.03 99 22 10.8 2.3 70
비교예 4 60 3.10 99 22 9.9 2.8 75
본 발명에 따라, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어진, 두께 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛의 표면층을, 메틸 메타크릴레이트 단위를 30 중량% 이상 함유하는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어진 기재층의 하나 이상의 면에 배치함으로써, 충분한 투명성을 갖고 뒤틀림과 같은 수분 흡수로 인한 변형이 적은 수지판을 수득할 수 있다.

Claims (2)

  1. 기재층, 및 상기 기재층의 하나 이상의 면에 위치한 표면층을 포함하는 수지판으로서,
    기재층은 단량체 단위로서 메틸 메타크릴레이트 단위를 약 30 중량% 이상 갖는 메틸 메타크릴레이트 중합체로 이루어지고,
    표면층은 두께가 약 5 ㎛ 내지 약 500 ㎛이고, 메틸 메타크릴레이트 수지 및 비닐리덴 플루오라이드 수지의 합 100 중량부에 대해 메틸 메타크릴레이트 수지 약 40 중량부 내지 약 95 중량부 및 비닐리덴 플루오라이드 수지 약 5 중량부 내지 약 60 중량부를 함유하는 수지 조성물로 이루어진 수지판.
  2. 제 1 항에 있어서, 기재층의 두께가 약 0.8 ㎜ 내지 약 5 ㎜인 수지판.
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