KR20040080999A - Ｒｒａｍ 애플리케이션을 위한 이리듐 기판 상의 ｐｃｍｏ박막의 저온 공정 - Google Patents
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Abstract
RRAM 장치에 사용되는 이리듐 기판 상에 PCMO 박막을 도포하는 방법은, 기판을 제조하는 단계; 기판 상에 장벽 층을 증착시키는 단계; 장벽 층 상에 이리듐 층을 증착시키는 단계; 이리듐 층 상에 PCMO 층을 스핀 코팅하는 단계; 3 단계 베이킹 프로세스에 따라 PCMO 층 및 기판을 베이킹하는 단계; RTP 챔버에서 기판 및 PCMO 층을 베이크-후 어닐링 (post-bake annealing) 하는 단계; PCMO 층이 원하는 두께가 될 때까지 상기 스핀 코팅, 베이킹 및 어닐링 단계를 반복하는 단계; 기판 및 PCMO 층을 어닐링하는 단계; 상부 전극을 증착시키는 단계; 및 RRAM 장치를 완성하는 단계를 포함한다.
Description
본 출원은 2002 년 9 월 26 일에Method for Resistance Memory Metal Oxide Thin Film Deposition으로 출원된 출원번호 제 10/256,380 호에 관한 것이다.
본 발명은 RRAM 애플리케이션을 위한 이리듐 기판 상 PCMO 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 특히 저항 층을 제공하기 위해 Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO) 다중 층을 증착시키는 기술에 관한 것이다.
상기 관련 출원에서는, 실온에서 작동하며 백금 기판 상의 PCMO 박막을 사용하는, 전기적으로 프로그램가능한 저항, 비휘발성 메모리 장치가 Zhuang 등에 의해 논증된 바 있다. 상기 관련 출원은 기판 상에 PCMO 박막을 제조하는 단계를 설명한다.
저열 처리 온도에서 백금 기판 상에 성장시킨 PCMO 박막은 비결정 또는 다결정 구조를 보인다. 이러한 PCMO 박막을 포함하는 저항은, 다양한 펄스 폭을 갖는 단일 펄스에 의해 고저항 또는 저저항 상태를 갖도록 역으로 프로그램될 수도 있다. 이러한 구조를 형성하고 프로그램하는 기술을 개시한다.
본 발명의 목적은, RRAM 애플리케이션에 사용하기 위한, Ir 기판 상에 PCMO 박막을 증착시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 가변 펄스 폭을 갖는 펄스에 의해 프로그램될 수 있는 RRAM 을 제공하는 것이다.
이 개요 및 목적은 본 발명의 본질을 신속히 이해할 수 있도록 하기 위해서 제공된다. 도면과 함께 본 발명의 바람직한 실시형태의 상세한 설명을 참조함으로써, 본 발명을 더욱 완전하게 이해할 수 있을 것이다.
도 1 은 본 발명의 방법에 따라 이리듐 (Ir) 기판 상에 증착된 PCMO 박막의 저항 변화 특성을 나타내는 그래프이다.
RRAM 장치에 사용되는 이리듐 기판 상에 PCMO 박막을 도포하는 방법은, 기판을 제조하는 단계; 기판 상에 장벽 층을 증착시키는 단계; 장벽 층 상에 이리듐 층을 증착시키는 단계; 이리듐 상에 PCMO 층을 스핀 코팅하는 단계; 3 단계 베이킹 프로세스에 따라 PCMO 층 및 기판을 베이킹하는 단계; RTP 챔버에서 기판 및 PCMO 층을 베이크-후 어닐링 (post-bake annealing) 하는 단계; PCMO 층이 원하는 두께가 될 때까지 상기 스핀 코팅, 베이킹 및 어닐링 단계를 반복하는 단계; 기판 및PCMO 층을 어닐링하는 단계; 상부 전극을 증착시키는 단계; 및 RRAM 장치를 완성하는 단계를 포함한다.
실리콘, 이산화실리콘, 또는 폴리실리콘의 상부 층을 갖는 기판 상에 이리듐이 증착된다. PVD, CVD 또는 MOCVD 에 의해서, 기판 상에 Ta, TaN, Ti, TiN, TaAlN, TiSiN, TaSiN, TiAl, 또는 TiAlN 의 장벽 층이 약 10 nm 내지 100 nm 의 두께로 형성된다. PVD, CVD 또는 MOCVD 에 의해서, 이리듐 층이 약 50 nm 내지 500 nm 의 두께로 장벽 층 상에 형성된다. 제 1 Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO) 박막 층이 이리듐 표면 상에 스핀 코팅된다. 이 PCMO 박막을 형성하기 위하여, 아세트산 용매 내에서 Pr(CH3CO2)3·H2O, Ca(CH3CO2)2·H2O, 또는 Mn(III)(CH3CO2)3·2H2O 와 같은 다수의 전구체가 사용될 수도 있다. 일단 PCMO 층이 스핀 코팅에 의해서 퇴적되면, 박막 및 기판은 3 단계 프로세스에 따라 베이크되며, 이 경우 제 1 베이킹 단계는 약 50 ℃ 내지 150 ℃ 에서 약 10 초 내지 1 시간 동안 베이킹하는 단계; 제 2 단계는 약 100 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안 베이킹하는 단계; 및 제 3 단계는 약 150 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안 베이킹하는 단계를 포함한다. 위 3 가지 단계에서는, 여러가지 베이킹 온도가 채택되며; 바람직하게는, 제 1 단계에서 제 2 단계로 진행할 때 및 제 2 단계에서 제 3 단계로 진행할 때 온도가 증가된다. 이 3 단계 베이킹 프로세스는, 단일 베이킹 단계 또는 단일 어닐링 단계를 거칠 때보다 더 나은 재료 구조를 제공한다. 베이킹 단계가 완료된 후, 각각의 스핀 코팅 단계 및 베이킹 단계후의 어닐링 단계에서, 약 400 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안, 박막은 급속 열 처리 (RTP, rapid thermal process) 된다. 수 차례 PCMO 코팅이 증착되고 PCMO 층이 원하는 두께, 일반적으로 약 10 nm 내지 100 nm, 에 도달할 때까지 코팅 - 베이킹 - RTP 프로세스가 반복되며, 이는 통상적으로 약 1 내지 50 회의 스핀코팅 - 베이킹 - RTP 사이클을 필요로 한다.
베이크-후 어닐링 열 처리를 위해서 PCMO 층 및 기판이 RTP 챔버에 약 450 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 1 분 내지 24 시간 동안 놓여진다. 그 후, PCMO 박막 상에, 백금, 이리듐, 또는 기타 귀금속 층, 또는 산화금속 상부 전극이 증착되며, 섈로우 마스크 또는 드라이 에칭 공정을 사용하여 패턴화된다. 또한, 상부 전극이 증착 및 에칭된 후에 베이크-후 어닐링 단계가 행해질 수도 있다.
도 1 은 이리듐 기판 상에 증착된 PCMO 박막의 저항 변화 특성을 나타낸다. 이 박막은 500 ℃ 에서 각각의 코팅 당 5 분 동안 RTP 사전-어닐링 (pre-anneal) 되었으며, 550 ℃ 에서 15 분 동안 RTP 어닐링되었다. 이 장치에는 3 개의 PCMO 층이 존재한다. 기록 조건은 5 V, 200 ns 이며 리셋 조건은 -3.5 V, 4 us 이다. 기록 저항은 리셋 저항보다 약 10 배 정도 크다.
이상, RRAM 애플리케이션을 위한 Ir 기판 상의 PCMO 박막의 저온 공정을 개시하였다. 다음의 특허청구범위에서 한정된, 본 발명의 범위 내에서 변형과 수정이 이루어질 수도 있다.
저열 처리 온도에서 백금 기판 상에 성장시킨 PCMO 박막은 비결정 또는 다결정 구조를 보인다. 이러한 PCMO 박막을 포함하는 저항은, 다양한 펄스 폭을 갖는 단일 펄스에 의해 고저항 또는 저저항 상태를 갖도록 역으로 프로그램될 수도 있다.
Claims (13)
- RRAM 장치에 사용되는 이리듐 기판 상에 PCMO 박막을 도포하는 방법에 있어서,기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 장벽 층을 증착시키는 단계;상기 장벽 층 상에 이리듐 층을 증착시키는 단계;상기 이리듐 층 상에 PCMO 층을 스핀코팅하는 단계;3 단계 베이킹 프로세스에 따라 상기 PCMO 층 및 기판을 베이킹하는 단계;RTP 챔버에서 상기 기판 및 상기 PCMO 층을 베이크-후 어닐링하는 단계;상기 PCMO 층이 원하는 두께가 될 때까지 상기 스핀코팅, 베이킹 및 어닐링 단계를 반복하는 단계;상기 기판 및 상기 PCMO 층을 어닐링하는 단계;상부 전극을 증착시키는 단계; 및상기 RRAM 장치를 완성하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계는,실리콘, 이산화실리콘 및 폴리실리콘으로 이루어지는 재료들의 군으로부터 취해지는 상부 층을 갖는 실리콘 기판을 준비하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 장벽 층을 증착시키는 단계는,Ta, TaN, Ti, TiN, TaAlN, TiSiN, TaSiN, TiAl 및 TiAlN 으로 이루어지는 재료의 군으로부터 취해지는 장벽 층을 증착시키는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스핀코팅하는 단계는,아세트산 용매 내에서 Pr(CH3CO2)3·H2O, Ca(CH3CO2)2·H2O, 및 Mn(III)(CH3CO2)3·2H2O 로 이루어지는 전구체의 군으로부터 취해지는 PCMO 전구체를 선택하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 3 단계 베이킹 프로세스에 따라 상기 PCMO 층 및 기판을 베이킹하는 단계는,약 50 ℃ 내지 150 ℃ 에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 1 베이킹 단계;약 100 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 2 베이킹 단계; 및약 150 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 3 베이킹 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 RTP 챔버에서 상기 기판 및 상기 PCMO 층을 베이크-후 어닐링하는 단계는,약 400 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 및 PCMO 층을 어닐링하는 단계는,약 450 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 1 분 내지 24 시간 동안 상기 기판 및 상기 PCMO 층을 어닐링하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- RRAM 장치에 사용하기 위한, 이리듐 기판 상에 PCMO 박막을 도포하는 방법으로서,기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 장벽 층을 증착시키는 단계;상기 장벽 층 상에 이리듐 층을 증착시키는 단계;상기 이리듐 층 상에 PCMO 층을 스핀코팅하는 단계로서, 아세트산 용매 내에서 Pr(CH3CO2)3·H2O, Ca(CH3CO2)2·H2O, 및 Mn(III)(CH3CO2)3·2H2O 로 이루어지는 전구체의 군으로부터 취해지는 PCMO 전구체를 선택하는 단계를 포함하는 단계;3 단계 베이킹 프로세스에 따라 상기 PCMO 층 및 기판을 베이킹하는 단계로서, 약 50 ℃ 내지 150 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 1 베이킹 단계, 약 100 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 2 베이킹 단계, 및 약 150 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안의 제 3 베이킹 단계를 포함하는 단계;약 400 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 10 초 내지 1 시간 동안, RTP 챔버에서 상기 기판 및 상기 PCMO 층을 베이크-후 어닐링하는 단계;상기 PCMO 층이 원하는 두께가 될 때까지 상기 스핀코팅, 베이킹 및 어닐링 단계를 반복하는 단계;상기 기판 및 상기 PCMO 층을 어닐링하는 단계;상부 전극을 증착시키는 단계; 및상기 RRAM 장치를 완성하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계는,실리콘, 이산화실리콘 및 폴리실리콘으로 이루어지는 재료의 군으로부터 취해지는 상부 층을 갖는 실리콘 기판을 준비하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 장벽 층을 증착시키는 단계는,Ta, TaN, Ti, TiN, TaAlN, TiSiN, TaSiN, TiAl 및 TiAlN 으로 이루어지는 재료의 군으로부터 취해지는 장벽 층을 증착시키는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 기판 및 PCMO 층을 어닐링하는 단계는,약 450 ℃ 내지 550 ℃ 의 온도에서 약 1 분 내지 24 시간 동안 상기 기판 및 상기 PCMO 층을 어닐링하는 단계를 포함하는 PCMO 박막 도포 방법.
- 선행하는 임의의 청구항의 방법에 있어서,상기 3 단계 베이킹 프로세스의 각각의 단계에 여러가지 베이킹 온도가 채택되는 PCMO 박막 도포 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 베이킹 온도는 제 1 단계보다 제 2 단계에서 더 높으며, 제 2 단계보다제 3 단계에서 더 높은 PCMO 박막 도포 방법.
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| KR100622268B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2006-09-11 | 한양대학교 산학협력단 | ＲｅＲＡＭ 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법 |
| KR100657966B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 리셋 전류 안정화를 위한 메모리 소자의 제조 방법 |
| KR100723419B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리소자 및 그 동작방법 |
| US8395199B2 (en) | 2006-03-25 | 2013-03-12 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| KR100785509B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2007-12-13 | 한양대학교 산학협력단 | ＲｅＲＡＭ 소자 및 그 제조 방법 |
| US7932548B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-26 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US8308915B2 (en) | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
| US8227783B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-07-24 | Seagate Technology Llc | Non-volatile resistive sense memory with praseodymium calcium manganese oxide |
| US9249498B2 (en) | 2010-06-28 | 2016-02-02 | Micron Technology, Inc. | Forming memory using high power impulse magnetron sputtering |
| US8377718B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-02-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a crystalline Pr1-xCaxMnO3 (PCMO) material and methods of forming semiconductor device structures comprising crystalline PCMO |
| US8859382B2 (en) | 2011-10-26 | 2014-10-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming metal oxide and memory cells |
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|---|---|---|---|---|
| US6541375B1 (en) * | 1998-06-30 | 2003-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | DC sputtering process for making smooth electrodes and thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention |
| US6151241A (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-21 | Symetrix Corporation | Ferroelectric memory with disturb protection |
| CN1358326A (zh) * | 1999-06-10 | 2002-07-10 | 塞姆特里克斯公司 | 高介电常数的金属氧化物薄膜 |
| EP1220318A4 (en) * | 1999-09-30 | 2007-06-06 | Rohm Co Ltd | NON-VOLATILE MEMORY |
| US6531371B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-03-11 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Electrically programmable resistance cross point memory |
| US6759249B2 (en) * | 2002-02-07 | 2004-07-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Device and method for reversible resistance change induced by electric pulses in non-crystalline perovskite unipolar programmable memory |
| US6824814B2 (en) * | 2002-05-21 | 2004-11-30 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties |
| US6917539B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-07-12 | Unity Semiconductor Corporation | High-density NVRAM |
| US6774054B1 (en) * | 2003-08-13 | 2004-08-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | High temperature annealing of spin coated Pr1-xCaxMnO3 thim film for RRAM application |
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