KR20040076589A - 메모리 카드 - Google Patents

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KR20040076589A
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모리마꼬또
히로사와세이스께
시까따아쯔시
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가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
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Abstract

복수의 펌웨어 온 플래시로부터 임의의 펌웨어 온 플래시를 선택함으로써, 프로그램의 추가 수정이나 변경 등을 행한다. 메모리 카드(1)에서 플래시 메모리(2)에는 내장 ROM(6)에 저장되어 있는 프로그램과는 별도로 패치 프로그램 등의 기능의 추가나 변경, 수정 등을 행하는 프로그램인 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3이 저장되어 있다. 그리고, 유효하게 하고자 하는 펌웨어 온 플래시를 파라미터 섹터 등에 의해 설정하고, 외부 RAM(7)에 로드하여 컨트롤 로직(4)의 CPU가 처리를 실행한다.

Description

메모리 카드{MEMORY CARD}
본 발명은 메모리 카드에 관한 것으로, 특히 불휘발성 메모리를 이용한 메모리 카드의 다기능화에 적용하기에 유효한 기술에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터나 다기능 단말기 등의 기억 장치로서, 메모리 카드가 급속하여 보급되고 있다. 최근의 고성능화의 요구에 따라 메모리 카드에 탑재되는 반도체 메모리로서, 예를 들면 전기적으로 일괄 소거, 재기입이 가능하고 대용량의 데이터를 보유할 수 있는 플래시 메모리 등의 불휘발성 메모리가 이용되고 있다.
이러한 메모리 카드에 있어서는, 제어 프로그램이 그 메모리 카드에 내장된 ROM(Read Only Memory) 등에 저장되어 있다. 또한, 제어 프로그램에 대한 패치 프로그램이나 ROM에 저장된 제어 프로그램의 기능을 확장하는 추가 제어 프로그램 등의 펌웨어가 플래시 메모리에 저장되어 있는 경우도 있다.
이 펌웨어(이하, 펌웨어 온 플래시라고 함)는 자유롭게 몇번이라도 재기입이 가능하고, 제품도, 변경, 기능의 추가 등을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 멀티미디어 카드 등에서는 펌웨어에 의해서 커맨드, 데이터 형식의 유효/무효를 각각 설정하는 것이 있다(예를 들면, 일본 특개 2003-085509호 공보).
또한, IC 카드에서는, ROM 내의 커맨드 테이블과는 별도로 EEPROM(Electricaly Erasable and Programmable ROM) 등의 불휘발성 메모리 내에 커맨드 테이블을 내장하여, ROM 내의 커맨드 테이블이 제3자에게 알려지거나 알려질 우려가 있을 때에, 상기 불휘발성 메모리 내에 커맨드 테이블을 이용하는 것이 있다(예를 들면, 일본 특개평 7-44672호 공보 참조).
그런데, 상기한 바와 같은 메모리 카드에서는, 다음과 같은 문제점이 있는 것이 본 발명자에 의해 발견되었다.
즉, 펌웨어 온 플래시는 메모리 카드의 기동 시 등에 컨트롤러에 내장된 CPU의 워크 에리어로서 이용되는 RAM(Random Access Memory)에 전개되게 되기 때문에, RAM에 전개 가능한 상기 펌웨어 온 플래시의 데이터 용량에 제한이 생기게 되기 때문에, 1개의 펌웨어 온 플래시만이 구비되게 된다.
그 때문에, 펌웨어 온 플래시에 의한 추가 기능이나 프로그램 수정 등도 제한을 받게 되어, 메모리 카드의 편리성이 손상되어 버릴 우려가 있다.
또한, 불휘발성 메모리 내에 커맨드 테이블을 갖는 IC 카드에서, 해당 IC 카드에서는 불휘발성 메모리와 컨트롤러가 1개의 반도체 칩에 형성되고, 또한 EEPROM에서는 통상 바이트 단위로의 랜덤 액세스가 가능하게 되어 있지만, 메모리 카드에서는 불휘발성 메모리와 컨트롤러가 별도의 반도체 칩에 각각 형성되어 있고, 불휘발성 메모리로의 액세스 단위도, 예를 들면 512 바이트 단위 등의 시켄셜 액세스로 되어 있다.
따라서, 메모리 카드의 경우, 불휘발성 메모리에 펌웨어 온 플래시를 저장하고, 컨트롤러에 의해 상기 펌웨어 온 플래시를 판독하는 구성에서는 컨트롤러와의 동작 속도가 다르기 때문에, 데이터의 판독, 및 데이터 전송 속도의 오버헤드가 커지게 된다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 복수의 펌웨어 온 플래시를 갖고, 펌웨어 온 플래시를 임의로 선택함으로써, 프로그램의 추가 수정이나 변경 등을 행할 수 있는 메모리 카드를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 상기 및 그 외의 목적과 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에서부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 메모리 카드의 블록도.
도 2는 도 1의 메모리 카드에 내장된 플래시 메모리에서의 내부 구성의 설명도.
도 3은 도 2의 플래시 메모리에 내장된 관리 영역에서의 구성 설명도.
도 4는 도 1의 메모리 카드에 의한 파라미터에 의해서 펌웨어 온 플래시를 선택할 때의 메모리 카드의 흐름도.
도 5는 도 1의 메모리 카드에 의한 펌웨어 온 플래시 선택용 커맨드를 이용하여 펌웨어 온 플래시를 선택하여 로드하는 경우의 흐름도.
도 6은 도 1의 메모리 카드에 의한 프로그램 실행 중에 펌웨어 온 플래시를 선택하는 경우의 흐름도.
도 7은 도 1의 메모리 카드에 의한 선택한 펌웨어 온 플래시를 식별 코드를 이용하여 검색하는 흐름도.
도 8은 도 1의 메모리 카드에 의한 선택한 펌웨어 온 플래시를 검색 범위를 지정하여 검색하는 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 메모리 카드
2 : 플래시 메모리(불휘발성 반도체 메모리)
3 : 컨트롤러
4 : 컨트롤 로직
5 : 내장 RAM(휘발성 반도체 메모리)
6 : 내장 ROM
7 : 외부 RAM
FOF1∼FOF3 : 펌웨어 온 플래시(펌웨어)
A1 : 사용자 액세스 영역
A2 : 사용자 액세스 불가능 영역
R1 : 데이터 블록 영역
R2 : 데이터 블록 대체 영역
R3 : FOF 영역
R4 : CIS ·ID ·파라미터 영역
R5 : 대체 테이블 영역
K1, K2 : 관리 영역
K3 : 관리 영역(펌웨어 관리 영역)
K4, K5 : 관리 영역
HT : 호스트 기기
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다.
즉, 복수의 불휘발성 메모리 셀을 갖고, 소정의 정보를 저장 가능한 불휘발성 반도체 메모리와, 외부로부터 발행된 커맨드에 기초하여 불휘발성 반도체 메모리의 동작 지시를 행하는 컨트롤러로 이루어지는 메모리 카드로서, 상기 불휘발성 반도체 메모리는 2개 이상의 펌웨어를 저장 가능하게 하고, 상기 컨트롤러는 펌웨어를 저장하는 휘발성 반도체 메모리를 구비하며, 2개 이상의 펌웨어가 저장되어 있는 경우에 펌웨어 선택 지시가 있으면, 휘발성 반도체 메모리에 저장된 2개 이상의 펌웨어로부터, 임의의 1개의 펌웨어를 선택하여 휘발성 반도체 메모리에 저장하고, 컨트롤러는 휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 펌웨어에 의한 처리를 실행하는 것이다.
<발명의 실시예>
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 메모리 카드의 블록도, 도 2는 도 1의 메모리 카드에 내장된 플래시 메모리에서의 내부 구성의 설명도, 도 3은 도 2의 플래시 메모리에 내장된 관리 영역에서의 구성 설명도, 도 4는 도 1의 메모리 카드에 의한 파라미터에 의해서 펌웨어 온 플래시를 선택할 때의 메모리 카드의 흐름도, 도 5는 도 1의 메모리 카드에 의한 펌웨어 온 플래시 선택용 커맨드를 이용하여 펌웨어 온 플래시를 선택하여 로드하는 경우의 흐름도, 도 6은 도 1의 메모리 카드에 의한 프로그램 실행 중에 펌웨어 온 플래시를 선택하는 경우의 흐름도, 도 7은 도 1의 메모리 카드에 의한 선택한 펌웨어 온 플래시를 식별 코드를 이용하여 검색하는 흐름도, 도 8은 도 1의 메모리 카드에 의한 선택한 펌웨어 온 플래시를 검색 범위를 지정하여 검색하는 흐름도이다.
본 실시예에 있어서, 메모리 카드(1)는 디지털 비디오 카메라, 휴대 전화, 휴대 음악 플레이어나 퍼스널 컴퓨터 등에서의 호스트 기기 HT의 외부 기억 미디어로서 이용된다.
메모리 카드(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수개의 플래시 메모리(불휘발성 반도체 메모리(2)), 및 컨트롤러(3)로 구성된다. 플래시 메모리(2)는 전기적으로 데이터의 재기입, 소거가 가능한 불휘발성 반도체 메모리이다. 여기서는 플래시 메모리(2)가 복수개 내장되어 있지만, 상기 플래시 메모리(2)는 1개 이상이면 된다.
이 플래시 메모리(2)에는, 내장 ROM(6)에 저장되어 있는 프로그램과는 별도로 패치 프로그램 등의 기능의 추가나 변경, 수정 등을 행하는 프로그램인 펌웨어 온 플래시(펌웨어) FOF1∼FOF3가 저장되어 있다.
또, 여기서는 3개의 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3이 플래시 메모리(2)에 저장되어 있는 것으로 하지만, 상기 플래시 메모리(2)에 저장되는 펌웨어 온 플래시의 수는, 3개 이상, 또는 3개 이하 중 어느 하나라도 좋다.
컨트롤러(3)는 호스트 기기 HT와 접속되어 있고, 플래시 메모리(2)의 제어를 담당하여, 플래시 메모리(2)에 저장된 프로그램이나 데이터 등을 판독하여 호스트 기기 HT로 출력하고, 또는 호스트 기기 HT로부터 입력된 프로그램이나 데이터의 기입 동작 지시를 행한다.
또한, 컨트롤러(3)는, 컨트롤 로직(4), 내장 RAM(휘발성 반도체 메모리)(5), 내장 ROM(6), 및 외부 RAM(7) 등으로 구성되어 있다. 컨트롤 로직(4)은 컨트롤러(3)에서의 모든 제어를 담당한다.
내장 RAM(5)은 SRAM(Static RAM) 등의 휘발성 메모리이고, 컨트롤 로직(4)에 내장된 CPU의 워크 에리어로서 이용된다. 내장 ROM(6)은 컨트롤 로직(4)을 동작시키는 제어 프로그램 등이 저장되어 있다. 외부 RAM(7)은 플래시 메모리(2)에 저장되어 있는 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3 중 어느 하나가 로드되는 메모리이다.
도 2는 플래시 메모리(2)에서의 내부 구성의 설명도이다.
플래시 메모리(2)는 사용자 액세스 영역 A1, 및 사용자 액세스 불가능 영역 A2로 구성되어 있다.
사용자 액세스 영역 A1은 사용자가 사용할 수 있는 데이터 블록 영역 R1과, 그 데이터 블록 영역을 관리하기 위한 데이터가 저장되는 관리 영역 K1로 구성되어 있다.
사용자 액세스 불가능 영역 A2는 사용자에 의한 액세스가 불가능한 영역으로서, 데이터 블록 대체 영역 R2, FOF 영역 R3, CIS ·ID ·파라미터 영역 R4, 및 대체 테이블 영역 R5로 구성되어 있다.
또한, 이들 데이터 블록 대체 영역 R2, FOF 영역 R3, CIS ·ID ·파라미터 영역 R4, 및 대체 테이블 영역 R5에는 관리 영역 K2∼K5가 각각 형성되어 있다.
데이터 블록 대체 영역 R2는 데이터 블록 영역에서 불량이 발생했을 때에 대체되는 영역이며, 관리 영역 K2는 데이터 블록 대체 영역 R2를 관리하는 정보를 저장한다.
FOF 영역 R3은 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3이 저장되는 영역이며, 관리 영역(펌웨어 관리 영역) K3은 FOF 영역 R3을 관리하는 정보를 저장한다.
CIS ·ID ·파라미터 영역 R4는 메모리 카드(1)의 드라이브 정보 ID(Identify Drive Information), 메모리 카드(1)의 이름, 종류, 기능 등의 정보와 CIS(Card Information Structure), 및 각종 파라미터 등이 저장되는 영역이며, 관리 영역 K4는 이들 CIS ·ID ·파라미터 영역 R4를 관리하는 정보를 저장한다. 대체 테이블 영역 R5는 에리어 대체 영역 정보를 저장하는 영역이며, 관리 영역 K5는 대체 테이블 영역 R5를 관리하는 정보를 저장한다.
또한, 관리 영역 K3에서의 구성에 대하여 도 3의 구성 설명도를 이용하여 설명한다.
도시한 바와 같이, 관리 영역 K3에는 양(良)섹터 코드, 펌웨어 온 플래시 No., 식별 코드(펌웨어 식별 정보), 및 관리 ECC 정보 등이 저장되어 있다.
양섹터 코드는 FOF 영역 R3의 각 섹터가 정상인지 이상인지를 나타낸 코드이다. 펌웨어 온 플래시 No.는 각각의 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3에 할당된 번호이다.
식별 코드는 FOF 영역 R3에 저장된 각 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3의 블록(이하, FOF 블록)인 것을 나타내는 코드로, FOF 블록을 검색할 때에 이용된다. 관리 ECC 정보는 데이터 정정을 행할 때에 이용되는 ECC(Error Correcting Code) 정보이다.
다음에, 본 실시예의 메모리 카드(1)에서의 작용에 대하여 설명한다.
처음에, 파라미터에 의해서 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3의 선택 지시(펌웨어 선택 지시)가 행해질 때의 메모리 카드(1)의 동작에 대하여, 도 4의 흐름도를 이용하여 설명한다.
이 경우, 파라미터 섹터에 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3의 선택 비트를 제공하고, 그 선택 비트에 의해서 선택된 펌웨어 온 플래시의 로드는 파워 온일 때 등의 리세트 시퀀스로 행해진다.
우선, 리세트 시퀀스에서, 컨트롤러(3)의 CPU는 플래시 메모리(2)의 CIS ·ID ·파라미터 영역 R4로부터 필요한 파라미터 섹터를 리드하고, 외부 RAM(7)에 저장한다(단계 S101).
그 후, 리드한 파라미터 섹터로부터 선택하는 펌웨어 온 플래시 No.를 취득한다(단계 S102). 그리고, 플래시 메모리(2)의 관리 영역 K3에서의 식별 코드를 참조하여, 상기 플래시 메모리(2)에 FOF 영역 R3이 있는지의 여부를 검색한다(단계 S103).
이 단계 S103의 처리에 있어서, FOF 영역 R3이 존재하는 경우에는, 상기 FOF 영역 R3 내의 FOF 블록을 검색하는 처리를 행한다(단계 S104).
또한, FOF 영역 R3이 존재하지 않은 경우, CPU는 내장 ROM(6)에 액세스하여, 그 내장 ROM(6)에 저장되어 있는 프로그램에 기초하여 메모리 카드(1)를 동작시킨다.
다음에, 펌웨어 온 플래시 선택용 커맨드를 이용하여, 펌웨어 온 플래시의 선택 지시가 행해지는 경우의 메모리 카드(1)에서의 동작에 대하여, 도 5의 흐름도를 이용하여 설명한다.
우선, 호스트 기기 HT 등으로부터 펌웨어 온 플래시 선택용 커맨드를 받으면, CPU는 상기 펌웨어 온 플래시 선택용 커맨드를 컨트롤 로직(4)에 제공된 태스크 파일 레지스터에 세트한다(단계 S201). 이 태스크 파일 레지스터는 통상의 커맨드와 마찬가지로, 호스트 기기 HT와 데이터를 주고 받는 레지스터이다.
그 후, 유효하게 하려는 펌웨어 온 플래시 No.를 태스크 파일 레지스터에 세트한다(단계 S202). 그리고, 플래시 메모리(2)의 관리 영역 K3에서의 식별 코드를 참조하여, 상기 플래시 메모리(2)에 FOF 영역 R3이 있는지의 여부를 검색한다(단계 S203).
이 단계 S203의 처리에 있어서, FOF 영역 R3이 존재하는 경우에는 상기 FOF 영역 R3 내의 FOF 블록을 검색하는 처리를 행한다(단계 S204). FOF 영역 R3이 존재하지 않는 경우, CPU는 내장 ROM(6)에 액세스하고, 그 내장 ROM(6)에 저장되어 있는 프로그램에 기초하여 메모리 카드(1)를 동작시킨다.
다음에, 프로그램 실행 중에 임의의 펌웨어 온 플래시를 선택하는 선택 지시가 있는 경우의 메모리 카드(1)의 동작에 대하여, 도 6의 흐름도를 이용하여 설명한다.
여기서는, 예를 들면 펌웨어 온 플래시 FOF1의 처리 중에, 펌웨어 온 플래시 FOF2를 새롭게 선택하여 실행시키는 경우에 대하여 기재하지만, 내장 ROM(6)의 프로그램 처리 중에, 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3 중 어느 하나를 새롭게 선택하여 실행시키는 처리에 대해서도 마찬가지다.
펌웨어 온 플래시 FOF1의 펌웨어에 기초하여 임의의 처리가 실행 중인 경우에(단계 S301), CPU는 인터럽트 처리나 에러 처리의 발생 등에 의해 선택되어 있지 않은 다른 펌웨어 온 플래시 FOF2, FOF3 중 어느 하나의 처리가 필요한지의 여부를 판단한다(단계 S302).
선택되어 있지 않은 다른 펌웨어 온 플래시 FOF2, FOF3 중 어느 하나의 처리가 필요한 경우, 선택하는 펌웨어 온 플래시 No.를 설정한다(단계 S303).
그리고, 플래시 메모리(2)의 관리 영역 K3에서의 식별 코드를 참조하여, 상기 플래시 메모리(2)에 FOF 영역 R3이 있는지의 여부를 검색한다(단계 S304).
이 단계 S304의 처리에 있어서, FOF 영역 R3이 존재하는 경우에는 상기 FOF 영역 R3 내의 FOF 블록을 검색하는 처리를 행한다(단계 S305).
또한, FOF 영역 R3이 존재하지 않은 경우, CPU는 내장 ROM(6)에 액세스하고, 상기 내장 ROM(6)에 저장되어 있는 프로그램에 기초하여 메모리 카드(1)를 동작시킨다.
다음에, 도 4∼도 6에서 각각 선택된 펌웨어 온 플래시의 검색 처리에 대하여 설명한다.
처음에, 관리 영역 K3의 식별 코드를 이용하여 검색하는 처리에 대하여 도 7의 흐름도를 이용하여 설명한다.
우선, CPU는 FOF 영역 R3의 선두 어드레스로부터 관리 영역 K3을 리드하고(단계 S401), 상기 관리 영역 K3의 식별 코드를 체크한다(단계 S402). 그리고, 식별 코드에 의해서 FOF 블록인지의 여부를 판별한다(단계 S403). 이 단계 S403의 처리에 있어서, 체크한 식별 코드가 FOF 블록 이외의 블록 코드인 경우에는, 처리가 종료가 된다.
또한, 단계 S403의 처리에 있어서 FOF 블록의 경우에는, 관리 영역 K3의 펌웨어 온 플래시 No.를 체크하고(단계 S404), 상기 펌웨어 온 플래시 No.에 기초하여, 단계 S403의 처리에서의 FOF 블록이 해당하는 펌웨어 온 플래시인지의 여부를 판단한다(단계 S405).
단계 S405의 처리에 있어서, 해당하는 FOF 블록이 아니면 FOF 블록의 어드레스를 인크리먼트(역순 검색할 때에는 디크리먼트)하고(단계 S406), 단계 S402∼S405의 처리를 반복하여 실행한다.
그리고, 단계 S405의 처리에 있어서, 해당하는 FOF 블록이 검색되면, 그 펌웨어 온 플래시의 펌웨어를 내장 RAM(5)에 로드하고(단계 S407), 그 펌웨어에 의한 처리를 행한다.
이와 같이, 펌웨어 온 플래시를 랜덤 액세스 가능한 내장 RAM(5)에 로드함으로써, CPU는 고속 처리를 실행할 수 있다.
다음에, 검색 범위를 제한하여 FOF 블록을 검색하는 경우에 대하여, 도 8의 흐름도를 이용하여 설명한다. 이 경우, 파라미터 섹터에 FOF 블록(FOF 영역 R3)의 범위를 도시하는 어드레스값을 설정한다.
우선, CIS ·ID ·파라미터 영역 R4의 파라미터 섹터로부터 FOF 블록의 검색 범위를 취득한다(단계 S501).
그리고, FOF 영역 R3의 선두 어드레스가 파라미터 섹터로부터 취득한 검색 범위인지의 여부를 판단한다(단계 S502). 검색 범위 내가 아닌 경우에는 처리가 종료가 된다.
또한, 검색 범위 내인 경우에는 관리 영역 K3을 리드하고(단계 S503), 그 관리 영역 K3의 펌웨어 온 플래시 No.를 체크한다(단계 S504).
그리고, 체크한 펌웨어 온 플래시 No.로부터, FOF 블록이 해당하는 펌웨어 온 플래시인지의 여부를 판단한다(단계 S505).
단계 S505의 처리에 있어서, 해당하는 FOF 블록이 아니면, FOF 블록의 어드레스를 인크리먼트(역순 검색할 때에는 디크리먼트)하고(단계 S506), 단계 S502∼S505의 처리를 반복하여 실행한다.
단계 S505의 처리에 있어서, 해당하는 FOF 블록이 검색되면, 그 펌웨어 온 플래시의 펌웨어를 내장 RAM(5)에 로드하고(단계 S507), 상기 펌웨어에 의한 처리를 행한다.
그에 따라, 본 실시예에 따르면, 플래시 메모리(2)에 복수의 펌웨어 온 플래시를 설정함으로써 메모리 카드(1)의 다기능화를 실현할 수 있다.
또한, 복수의 펌웨어 온 플래시에 의해서 내장 ROM(6)에 저장된 프로그램을 변경하지 않고, 프로그램의 수정, 변경, 추가 등을 용이하게 행할 수 있어 플렉시블하게 대응할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 펌웨어 온 플래시 FOF1∼FOF3은, 예를 들면 시큐어 기능 등을 갖는 프로그램 등의 옵션 기능을 갖는 프로그램이어도 된다.
이에 의해, 시큐어 기능이 필요/불필요 중 어느 하나의 메모리 카드(1)라도, 내장 ROM(6)의 프로그램을 공통화할 수 있으므로 제품 관리의 비용을 대폭 저감할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 발명의 실시예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들면, 상기 실시예에서는, 메모리 카드가 미리 플래시 메모리에 복수의 펌웨어 온 플래시가 저장된 구성으로 하였지만, 호스트 기기가 업 데이터 프로그램 등을 실행함으로써 새로운 펌웨어 온 플래시의 추가나 재기입 등을 행하도록 해도 된다.
새로운 펌웨어 온 플래시를 추가하는 경우에는, 예를 들면 플래시 메모리에서의 FOF 영역에 예비 영역을 구비하고, 그 예비 영역에 추가하는 펌웨어 온 플래시를 저장하거나, 혹은 데이터 블록 대체 영역 등의 다른 영역에 추가하는 펌웨어 온 플래시를 저장한다.
그에 따라, 보다 플렉시블하게, 프로그램의 수정, 변경, 추가 등에 대응할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서의 플래시 메모리는 어떤 전압 레벨의 임계값을 복수 설정하고, 1 비트 이상의 데이터를 1개의 불휘발성 메모리 셀에 기억하는 다치 플래시 메모리이어도 된다.
본원에 의해 개시되는 발명 중, 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 이하와 같다.
(1) 메모리 카드의 다기능화 등을 실현할 수 있음과 함께, 프로그램의 수정이나 추가 등에도 신속하게 대응할 수 있다.
(2) 상기 (1)에 의해, 시장 변화에 플렉시블하게 대응할 수 있고, 또한 저비용의 메모리 카드를 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 메모리 카드에 있어서,
    복수의 불휘발성 메모리 셀을 구비하며, 소정의 정보를 저장 가능한 불휘발성 반도체 메모리; 및
    외부로부터 발행된 커맨드에 기초하여 상기 불휘발성 반도체 메모리의 동작 지시를 행하는 컨트롤러
    를 포함하고,
    상기 불휘발성 반도체 메모리는 2개 이상의 펌웨어를 저장 가능하게 구성되며,
    상기 컨트롤러는, 상기 펌웨어를 저장하는 휘발성 반도체 메모리를 구비하고, 펌웨어 선택 지시가 유효하게 되면, 상기 휘발성 반도체 메모리에 저장 가능한 2개 이상의 펌웨어로부터, 임의의 하나의 상기 펌웨어를 선택하여 상기 휘발성 반도체 메모리에 저장하고, 상기 휘발성 반도체 메모리에 액세스하여 상기 펌웨어에 의한 처리를 실행하는 메모리 카드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 불휘발성 반도체 메모리는, 임의의 전압 레벨의 임계값을 복수 설정하고, 1 비트 이상의 데이터를 1개의 상기 불휘발성 메모리 셀에 기억하는 다치 플래시 메모리인 메모리 카드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 불휘발성 반도체 메모리의 데이터 판독 단위는 512 바이트 이상인 메모리 카드.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 불휘발성 반도체 메모리에 저장되는 2개 이상의 펌웨어 중 적어도 하나는 시큐어 기능을 갖는 프로그램인 메모리 카드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 불휘발성 반도체 메모리의 펌웨어 관리 영역에 저장된 펌웨어 식별 정보를 이용하여 상기 휘발성 반도체 메모리에 저장하는 펌웨어를 검색하는 메모리 카드.
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