JP2018028819A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
[1−1]半導体集積回路の構成
図1は、第1実施形態に係る半導体集積回路10のブロック図である。半導体集積回路10は、LSI(Large-Scale Integration)、又はシステムLSIともいう。半導体集積回路10は、プロセッサ(CPU:Central Processing Unit)11、マスクROM(Read Only Memory)12、RAM(Random Access Memory)13、不揮発性メモリ14、データ転送回路(ブートローダー)15、書き込み回路16、バス17、及び外部インターフェース(入出力インターフェース)18を備える。
次に、上記のように構成された半導体集積回路10の動作について説明する。
まず、OTP−ROM14へのデータ書き込み動作について説明する。図2は、書き込み回路16の書き込み動作を示すフローチャートである。
次に、半導体集積回路10の起動時の全体動作について説明する。図3は、半導体集積回路10の動作を示すフローチャートである。
次に、プロセッサ11が起動プログラムに含まれる複数の命令を実行する動作について説明する。図4は、プロセッサ11の動作を説明する図である。図4には、マスクROM12に格納されたプログラム(マスクROM空間と表記)と、RAM13に格納されたデータ、すなわちOTP−ROM14からRAM13に転送されたデータ(RAM空間と表示)とを模式的に示している。
次に、より具体的な起動プログラムの実行動作について説明する。図5は、実施例に係るプロセッサ11の動作を説明する図である。
以上詳述したように第1実施形態では、半導体集積回路10は、起動プログラム用の修正プログラムを格納するOTP−ROM14を備える。システムリセットの後、OTP−ROM14のデータは、RAM13にロードされる。プロセッサ11は、マスクROM12の複数のプログラムを順次実行する過程で、ロード命令と条件分岐命令とを実行する。ロード命令を実行することにより、プロセッサ11は、RAM13の予め決められたアドレスにアクセスしてフラグを読み出す。その後、条件分岐命令を実行することにより、プロセッサ11は、読み出されたフラグの内容に応じて、RAM13に格納された第1プログラムとマスクROM12に格納された第2プログラムとを選択的に実行するようにしている。
第2実施形態は、マスクROM12の1つのブロックBK_mのうち一部の領域(一部のプログラム)を、RAM13のブロックBK_rに格納されたプログラムで置き換えるようにしている。図6は、第2実施形態に係るプロセッサ11の動作を説明する図である。
Claims (8)
- マスクROMと、
前記マスクROMに格納された複数のプログラムを実行するプロセッサと、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに格納されたデータが転送されるRAMと
を具備し、
前記マスクROMは、前記RAM上の第1アドレスに格納されたデータをロードするためのロード命令と、分岐命令とを格納し、
前記プロセッサは、
前記ロード命令を実行することにより、前記RAMの前記第1アドレスからフラグを読み出し、
前記分岐命令を実行することにより、前記読み出されたフラグの内容に応じて、前記RAMに格納された第1プログラムと前記マスクROMに格納された第2プログラムとのいずれかを実行する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記プロセッサは、前記ロード命令及び前記分岐命令を実行した後に、前記RAMに転送されたジャンプ命令を実行することにより、前記マスクROMの第2アドレスに格納されたプログラムを実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- マスクROMと、
前記マスクROMに格納された複数のプログラムを実行するプロセッサと、
第1アドレスに格納されたフラグと、第1プログラムとを格納する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに格納されたデータが転送されるRAMと
を具備し、
前記マスクROMは、前記RAM上の第1アドレスに格納されたデータをロードするためのロード命令と、分岐命令とを格納し、
前記プロセッサは、
前記ロード命令を実行することにより、前記RAMの前記第1アドレスから前記フラグを読み出し、
前記分岐命令を実行することにより、前記読み出されたフラグの内容に応じて、前記RAMに格納された前記第1プログラムと前記マスクROMに格納された第2プログラムとのいずれかを実行することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記不揮発性メモリは、前記マスクROM上の第2アドレスにジャンプするためのジャンプ命令をさらに格納し、
前記プロセッサは、前記ロード命令及び前記分岐命令を実行した後に、前記RAMに転送された前記ジャンプ命令を実行することにより、前記マスクROMの前記第2アドレスに格納されたプログラムを実行することを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記プロセッサのリセットに応じて、前記不揮発性メモリに格納されたデータを前記RAMに転送する転送回路をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 外部から受けたデータを前記不揮発性メモリに書き込む書き込み回路をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記不揮発性メモリは、1回のみデータの書き込み可能なROMからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記マスクROMに格納されたプログラムは、起動プログラムであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体集積回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016160798A JP2018028819A (ja) | 2016-08-18 | 2016-08-18 | 半導体集積回路 |
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Publication Number | Publication Date |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2016
- 2016-08-18 JP JP2016160798A patent/JP2018028819A/ja active Pending
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