KR20040066042A

KR20040066042A - 광전자 방출판 및 이것을 이용한 마이너스 입자 발생 장치및 대전 제거 장치 및 이것을 이용한 기기

Info

Publication number: KR20040066042A
Application number: KR1020040003249A
Authority: KR
Inventors: 구치노구니카즈; 노무라다카이키; 나와마주니치; 모리야요시후미
Original assignee: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date: 2003-01-16
Filing date: 2004-01-16
Publication date: 2004-07-23
Also published as: KR100984900B1; CN1518180A; US20040144417A1; EP1453162A3; EP1453162A2; CN100394654C; US7843678B2

Abstract

광전자 방출판 및 이것을 이용한 마이너스 입자 발생 장치에 있어서, 장기에 걸쳐 마이너스 입자의 발생을 유지하는 것으로 한다.

광전자 방출판(1)을 기판상에 배리어성을 갖고 또한 광조사하는 것에 의해 광전자를 방출하는 방출막을 갖는 구성으로 했다. 이것에 의해, 광조사에 의해 광전자를 방출하는 방출막을 확산한 하지재가 그 방출막 표면을 피복하는 것을 배리어성을 갖는 것으로 방지할 수 있어 마이너스 입자 발생 시간에 따라서 마이너스 이온 수가 크게 감소하지 않는, 즉 장기에 걸쳐 내구성이 우수한 광전자 방출판(1) 및 이것을 이용한 마이너스 입자 발생 장치를 실현할 수 있다.

Description

광전자 방출판 및 이것을 이용한 마이너스 입자 발생 장치 및 대전 제거 장치 및 이것을 이용한 기기{PHOTOELECTRON GENERATING PLATE, NEGATIVE PARTICLE GENERATING DEVICE AND CHARGE REMOVING DEVICE AND EQUIPMENT USING SUCH DEVICE}

본 발명은 공기에 마이너스 입자를 부가하는 장치 등에 관한 것으로, 특히 광전 효과에 의해서 발생하는 광전자를 이용한 마이너스 입자 발생 장치 등에 관한 것이다.

종래의 마이너스 입자 발생 장치로서는, 광전자 방출재에 자외선을 조사함으로써 광전자를 발생시키고, 팬과 집진 필터 등에 의해서 미립자가 제거된 고 청정도의 공기가 장치로 들어가고, 집진 필터 등에 의해서 제거되지 않은 미립자가 광전자를 포획함으로써 마이너스 입자로 되고, 장치로부터 나와 공기중으로 방출되는 것이 있었다(예컨대, 특허문헌 1 참조).

또한, 종래의 마이너스 입자 발생 장치로서는 도 18에 도시하는 것 같은 것이 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).

도 18에 있어서, 광전자 발생재(51)가 용기(56)의 내부에 설치되어 있다. 광전자 발생재(51)에는 전기적인 접지(55)가 장착되고, 광원(52)으로부터의 자외선에 의해서 광전자 발생재(51)로부터 광전자가 발생하고, 공기 입구(53)로부터 들어오는 공기중의 물과 산소 등의 분자 또는 먼지 등의 미립자가 유로 제어재(57)에서 제어됨으로써, 광전자 발생재(51)의 표면을 지나고, 광전자가 포획되어 마이너스 입자로서 공기 출구(54)로부터 장치 밖으로 방출된다.

또한, 종래의 마이너스 입자를 발생시키는 기법으로서는 방전 타입의 것이 있다(예컨대, 특허문헌 3 참조). 상기 특허문헌 3에는 마이너스 입자를 발생시키는 기법에 있어서의 가스중 방전에 대하여 개시되어 있다.

(특허문헌 1) 일본 특허 공고 공보 평성 제8-10616호

(특허문헌 2) 특허 공보 제3322267호

(특허문헌 3) 일본 특허 공개 공보 평성 제63-78471호

그러나, 상기 종래의 구성에서는 광전자 방출재로의 자외선 조사로부터 시작되는 마이너스 입자의 발생이 시간이 경과함에 따라 감소한다고 하는 문제가 있었다.

또한, 유로 제어재를 설치함으로써 공기의 유량이 감소하기 때문에, 광전자 발생재의 표면에 발생한 광전자를 충분히 포착할 수 없고, 그 결과 마이너스 입자의 발생량이 감소한다고 하는 과제도 갖고 있었다.

또한, 오존이 발생하여, 인체에 대한 안전성의 문제나, 부재가 오존에 의해서 열화한다고 하는 과제도 있었다.

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 시간이 경과하더라도 마이너스 입자의 발생량이 감소하지 않는 마이너스 입자 발생 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 오존의 발생이 없는 대전 제거 장치 및 이것을 이용한 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 종래의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 마이너스 입자 발생 장치는 기판 상에 배리어성(barrier property)을 갖고, 광 조사에 의해서 광전자를 방출하는 방출막을 마련한 광전자 방출판을 이용하여, 마이너스 입자를 발생시키도록 했다.

본 발명자들은 마이너스 입자의 수가 감소하는 원인이 광 조사에 의해서 광전자 방출재의 핀홀(pinhole)을 통해서 확산한 광전자 방출재 이외의 화합물이 광전자 방출재의 표면을 피복하는 것을 찾아내었다. 이 결과, 배리어성이 높은 방출막을 설치함으로써, 시간이 경과하더라도 마이너스 입자의 발생량이 감소하지 않게 되는 것이다.

청구항 1에 기재된 발명은 기판 상에 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 방출막을 갖는 구성으로 했다. 이에 따라, 광 조사에 의해서 광전자를 방출하는 방출막을 확산하고, 기초재가 이 막 표면을 피복하는 것을 방지함으로써 마이너스 입자 발생 시간에 의해서 마이너스 이온 수가 크게 감소하지 않는, 즉 장기에 걸쳐 내구성이 우수한 광전자 방출판이 된다.

청구항 2에 기재된 발명은 특히 청구항 1에 기재된 기판이 도전성을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 도전성 기판이 전기적으로 접지됨으로써 보충할 수 있고, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 3에 기재된 발명은 특히 청구항 2에 기재된 기판이 스테인레스인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 스테인레스가 치밀한 표면 산화 피막에 의해서, 광 조사에 의한 스테인레스 금속 성분의 표면확산을 블럭하므로, 장기에 걸쳐서 보다내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 4에 기재된 발명은 특히 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 기판상의 방출막 아래에 도전성막을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 기판이 예를 들면 절연재료이더라도 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 도전성막이 전기적으로 접지됨으로써 보충할 수 있어, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 5에 기재된 발명은 특히 청구항 4에 기재된 도전성막이 금속인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 상기 도전막의 도전율이 높기 때문에, 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 재빨리 보충할 수 있고, 그 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 6에 기재된 발명은 특히 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 방출막의 막두께가 그 아래의 표면의 최대 표면 거칠기보다 두꺼운 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 광전자 방출판의 최표면이 모두 광전자를 방출하고, 또한 기초재료의 확산을 방지하는 배리어막으로 피복되므로, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 7에 기재된 발명은 특히 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 방출막이 증착으로 제조된 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 배리어성이 향상하기 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 8에 기재된 발명은 특히 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 방출막이 도전성인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 막에 직접 전기적으로 접지할 수 있고, 그 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 9에 기재된 발명은 특히 청구항 1 내지 8중 어느 한 항에 기재된 방출막이 세라믹인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 배리어성이 향상하기 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 10에 기재된 발명은 특히 청구항 9에 기재된 방출막이 티타늄 질화물(titanium nitride), 티타늄 탄화물(titanium carbide), 지르코늄 질화물(zirconium nitride), 지르코늄 탄화물(zirconium carbide), 탄소 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 광전 효과에 있어서의 일 함수가 다른 것보다 작기 때문에, 보다 많은 마이너스 입자를 방출시킬 수 있고, 또한 가시광에서 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다. 탄소는 그래파이트(graphite)의 경우가 광전 효과가 크고, DLC(Diamond Like Carbon)의 경우는 광전 효과가 그래파이트보다 떨어지지만, 막이 치밀하기 때문에 내구성이 우수하므로 좋다.

청구항 11에 기재된 발명은 청구항 1에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비한 마이너스 입자 발생 장치이다. 이것에 의해서, 마이너스 입자 발생 시간에 따라, 마이너스 이온 수가 크게 감소하지않는, 즉 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 마이너스 입자 발생 장치가 된다.

청구항 12에 기재된 발명은 청구항 2에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비하고, 상기 광전자 방출판의 기판을 전기적으로 접지한 마이너스 입자 발생 장치로 했다. 이것에 의해서, 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를, 도전성 기판이 전기적으로 접지됨으로써 보충할 수 있어, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 마이너스 입자 발생 장치가 된다.

청구항 13에 기재된 발명은 청구항 4에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비하고, 상기 광전자 방출판의 도전성막을 전기적으로 접지한 마이너스 입자 발생 장치이다. 이것에 의해서, 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 신속하게 보충할 수 있어, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 마이너스 입자 발생 장치가 된다.

청구항 14에 기재된 발명은 특히 청구항 11 내지 13중 어느 한 항에 기재된 광전자 방출판의 표면에 산소를 흘려 보냄으로써, 마이너스 입자를 발생시키는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 보다 많은 산소 마이너스 입자를 공급할 수 있다.

또한, 예컨대 산소 마이너스 입자를 공급할 수 있어, 이것을 공기 청정기에 이용한 경우, 그 공간에서 완화 효과를, 또한 냉장고에 이용한 경우, 식품의 산화방지, 보습 효과를, 또한 반도체 제조 설비에 있어서는 제전(除電)을 장기에 걸쳐서 유지할 수 있게 된다.

또한, 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막으로, 상기한 것 외에 그들의 복합화합물이 유효하다.

또한, 기판으로서는 상기한 것 외에, 도전성을 갖는 것으로서는 알루미늄 등의 금속 또는 합금이 유효하다. 또한 도전성을 갖지 않더라도 무방하여, 유리, 플라스틱 등이 유효하고, 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막과의 사이에 도전성막을 마련하여, 그것을 전기적으로 접지함으로써 마이너스 입자를 많게 할 수 있다.

또한, 그 도전성막으로서는 금속막 외에 예컨대, ITO라든가 산화 주석과 같은 도전성 세라믹 또는 그들의 복합화합물이 유효하다.

청구항 15에 기재된 발명은 기판 상에 배리어성을 갖는 배리어막을 형성하고, 상기 배리어막 위에 광 조사에 의해 광전자를 방출하는 방출막을 형성하는 구성으로 했다. 이것에 의해서, 광 조사에 의해 광전자를 방출하는 막을 확산한 기초재가 이 막 표면을 피복하는 것을 배리어막으로 방지함으로써, 마이너스 입자 발생 시간에 따라서 마이너스 이온수가 크게 감소하는 일이 없는, 즉 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 광전자 방출판이 된다.

청구항 16에 기재된 발명은 특히 청구항 15에 기재된 배리어막이 Si, Ti, Zr, Al의 각각의 산화물 또는 Si, Al의 각각의 질화물 또는 이들의 복합물인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 배리어막의 배리어성이 현격히 향상하므로, 더욱 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 광전자 방출판이 된다.

청구항 17에 기재된 발명은 특히 청구항 15에 기재된 배리어막이 도전성을 갖는 것을 특징으로 한다. 그리고, 배리어성을 갖고 또한 도전성을 갖는 막과 그 바로 위에 광 조사함으로써, 광전자를 방출하는 막을 갖는 광전자 방출판에 의해서, 기판이 예를 들면 절연재료이더라도 마이너스 입자의 발생에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를, 도전성막이 전기적으로 접지됨으로써 보충할 수 있고, 그 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 18에 기재된 발명은 특히 청구항 17에 기재된 배리어막이 Ti, Zr의 각각의 질화물 또는 탄화물 또는 ITO 또는 산화 주석 또는 이들의 복합물인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서 배리어막의 배리어성이 현저히 향상하므로, 그 때문에 더욱 장기에 걸쳐서, 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 19에 기재된 발명은 특히 청구항 17에 기재된 기판이 도전성을 갖는 것을 특징으로 한다. 그리고, 도전성 기판 상에 배리어성 또한 도전성을 갖는 막과 그 바로 위에 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막을 갖는 광전자 방출판에 의해서, 부족한 광전자 방출판의 전자를 배리어성 또한 도전성을 경유하여 도전성 기판이 전기적으로 접지됨으로써 보충할 수 있고, 그 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 20에 기재된 발명은 특히 청구항 17에 기재된 기판이 스테인레스인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 스테인레스가 치밀한 표면 산화 피막에 의해, 광 조사에 의한 스테인레스 금속 성분의 표면확산을 블럭하므로, 장기에 걸쳐서 보다 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 21에 기재된 발명은 특히 청구항 15 내지 20중 어느 한 항에 기재된 방출막이 도전성인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 마이너스 입자의 발생에 의해, 부족한 광전자 방출판의 전자를 막에 직접 전기적으로 접지할 수 있고, 그 때문에 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 22에 기재된 발명은 특히 청구항 15 내지 21중 어느 한 항에 기재된 방출막의 막두께가 배리어막의 표면의 최대 표면 거칠기보다 두꺼운 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 광전자 방출판의 최 표면이 모두 광전자를 방출하고, 또한 기초재료의 확산을 방지하는 배리어막으로 피복되므로, 장기에 걸쳐서 내구성이 우수하고 또한 많은 마이너스 입자를 방출하는 광전자 방출판이 된다.

청구항 23에 기재된 발명은 청구항 15 또는 17 또는 19에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판의 방출막에 광 조사하기 위한 광원을 구비한 마이너스 입자 발생 장치이다. 이것에 의해서, 마이너스 이온 수가 크게 감소하는 일이 없는, 즉 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 마이너스 입자 발생 장치가 된다.

청구항 24에 기재된 발명은 특히 청구항 23에 기재된 광전자 방출판의 표면에 산소를 흘려보냄으로써 마이너스 입자를 발생시키는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해서, 보다 많은 산소 마이너스 입자를 공급할 수 있다.

또한, 예컨대 산소 마이너스 입자를 공기 청정기에 사용한 경우, 그 공간에서 완화 효과를, 또한 냉장고에 이용한 경우, 식품의 산화방지, 보습 효과를, 또한 반도체 제조 설비에 있어서는 제전을 장기에 걸쳐서 유지할 수 있도록 된다.

또한, 배리어막으로서는 상기의 것 외에 세라믹막 및 그들의 복합화합물이 유효하다.

또한, 기판으로서는 상기의 것 외에, 도전성을 갖는 것으로서는 알루미늄 등의 금속 또는 합금이 유효하다. 또한, 도전성을 갖지 않아도 무방하여, 유리, 플라스틱 등이 유효하고, 배리어성을 갖고 또한 도전성을 갖는 막을 형성하고, 그것을 전기적으로 접지함으로써 마이너스 입자를 많게 할 수 있다.

또한, 그 배리어성을 갖고 또한 도전성막으로서는 상기의 것 외에 도전성 세라믹 또는 그들의 복합화합물이 유효하다.

또한, 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막으로서는 금속 또는 도전성 세라믹이 유효하다.

청구항 25에 기재한 발명은 전기적으로 접지한 망형상의 광전자 발생재와 상기 망형상의 광전자 발생재에 빛을 조사하기 위한 광원을 갖는 용기를 구비하고, 상기 망형상의 광전자 발생재에 빛을 조사함과 동시에, 상기 망형상의 광전자 발생재에 공기를 흘려줌으로써 마이너스 입자를 발생시키는 마이너스 입자 발생 장치에 있어서, 상기 용기내에 흐르는 공기가 상기 망형상의 광전자 발생재에 충돌하도록, 상기 망형상의 광전자 발생재를 상기 용기내에 마련하도록 했다.

이것에 의해서, 광전자 발생재를 망형상으로 함으로써, 따로 유로 제어재를마련하지 않고, 용기내에 흐르는 공기의 통로를 차단하는 위치에 망형상의 광전자 발생재를 마련했다고해도, 공기는 광전자 발생재의 망의 눈을 통과하여 후방으로 흐르기 때문에, 실질적으로 공기의 흐름이 차단되는 일은 없이, 공기의 유량을 확보할 수 있다. 그리고, 공기의 유량이 유로 제어재 등에 의해서 감소하지 않기 때문에, 마이너스 입자 발생 장치로부터 발생하는 마이너스 입자의 양이 감소하는 일도 없이, 마이너스 입자를 효율적으로 발생시킬 수 있는 마이너스 입자 발생 장치를 실현할 수 있게 된다.

청구항 26에 기재한 발명은 특히 청구항 25에 기재된 망형상의 광전자 발생재에 조사하는 빛을 자외선으로 하는 것이다.

이것에 의해서, 광원으로부터 발생하는 빛이 자외선이면, 에너지가 높기 때문에 광전 효과에 의해서 많은 광전자가 발생하기 쉬워지기 때문에, 보다 많은 마이너스 입자를 장치 밖으로 방출할 수 있게 된다.

청구항 27에 기재한 발명은 특히 청구항 25 또는 26에 기재된 망형상의 광전자 발생재를 망형상의 도전성 기재상에 마련하여 이루어지는 것이다.

광전자 발생재로서 예컨대 금 등의 귀금속을 이용하는 경우, 그것을 망형상의 도전성 기재상에 마련함으로써, 가령 광전자 발생재의 층이 박층이더라도 기계적 강도를 갖는 부재로 될 수 있는 것이다.

청구항 28에 기재한 발명은 청구항 25 내지 27중 어느 한 항에 기재된 발명에 추가로 통풍 수단을 구비하고, 상기 통풍 수단에 의해서 망형상의 광전자 발생재에 공기를 흘려보내도록 한 것이다.

빛이 조사된 광전자 발생재로부터는 광전자가 방출되고, 광전자 발생재를 전기적으로 접지함으로써 광전자가 빠져나간 흔적인 정공은 신속하게 전기적으로 중화되어, 광전자가 정공으로 되돌아가기 어렵게 한다. 그러나, 가령 광전자 발생재가 전기적으로 중화되어 있더라도 광전자와 광전자 발생재와의 사이에는 전기적 경상력(image force)가 작용하여, 미약하지만 광전자가 광전자 발생재로 되돌아가고자 한다. 따라서, 발생한 광전자를 조속히 광전자 발생재로부터 떼어놓은 수단이 필요하고, 발명자들은 특히 그 수단으로서 통풍이 유효한 것을 찾아냈다. 즉, 광전자 발생재에 통풍함으로써 발생한 광전자가 기체분자와 충돌하면서 광전자 발생재로부터 떼어지기 때문에, 광전자가 광전자 발생재로 되돌아가는 경향이 약해져, 결과적으로 장치로부터는 효율적으로 마이너스 입자가 발생하게 된다.

청구항 29에 기재된 발명은 파장 영역이 200nm 이상인 광원과, 광 조사하면 광전자를 방출하는 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판의 표면 근방에 적어도 산소를 포함하는 가스를 통과시키는 통풍 수단을 갖고, 상기 광원에 의해서 광 조사된 광전자 방출재 표면 근방을 통과한 가스를 부재에 분사함으로써, 상기 부재의 플러스의 대전을 제거하는 대전 제거 장치이다. 이것에 의해서, 오존을 발생하지 않고, 간단하게 산소의 마이너스 입자가 발생하고, 이것을 부재에 분사하면 부재의 플러스의 대전을 제거할 수 있다.

청구항 30에 기재된 발명은 광전자 방출판의 표면이 광 조사되면 광전자를 방출하고, 또한 배리어막인 것을 특징으로 하는 대전 제거 장치로 하고, 또한 청구항 31에 기재된 발명은 광전자 방출판의 표면이 광 조사되면 광전자를 방출하는 막이며 그 바로 아래에 배리어막을 갖는 것을 특징으로 하는 대전 제거 장치이다. 이것에 의해서, 광 조사에 의해서 광전자를 방출하는 막을 확산하고, 기초재가 이 막 표면을 피복하는 것을 방지함으로써, 마이너스 입자 발생 시간에 의해서 마이너스 이온 수가 크게 감소하는 일이 없는, 즉 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 대전 제거 장치가 된다.

청구항 32에 기재된 발명은 광전자 방출재의 표면이 전기적으로 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 대전 제거 장치로 하는 것으로, 전자방출에 의한 플러스로 대전한 광전자 방출재가 신속하게 제거되기 때문에, 보다 많은 마이너스 입자를 발생시킬 수 있어, 신속하게 부재의 플러스대전의 제거와 먼지의 제거를 할 수 있다.

청구항 33에 기재된 발명은 청구항 29 내지 32중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 흡입 노즐로부터 마루 면을 향해서 상기 대전 제거 장치의 가스를 분사함으로써, 마루 면에 부착하고 있는 먼지 및 마루 면의 플러스대전을 제거하고, 마루 면에 부착한 먼지를 흡인 제거하는 전기 청소기로 하는 것으로, 마이너스만의 대전이 되기 때문에, 마루 면을 브러쉬 등으로 문지르지 않고, 더구나 오존의 발생이 없기 때문에 마루 면에 손상을 부여하는 일이 없고, 또한 작업자에게 불쾌함을 부여하지 않고 마루 면에 부착한 먼지를 제거할 수 있다.

청구항 34에 기재된 발명은 청구항 29 내지 32중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 집진부내를 향해서 상기 대전 제거 장치의 가스의 분사를 실행함으로써, 집진한 먼지 및 집진부벽의 플러스의 대전을 제거하고, 집진부내에 부착한 먼지를 떼어내기 쉽게 한 전기 청소기로, 마이너스만의 대전이 되기 때문에, 집진한 먼지를 문지르지 않고 간단하게 제거할 수 있고, 더구나 오존의 발생이 없기 때문에, 벽면의 재료, 예컨대 플라스틱 등에 손상을 주지 않는다. 또한, 작업자에게 불쾌함을 주지 않는다.

청구항 35에 기재된 발명은 청구항 29 내지 32중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 상기 대전 제거 장치의 가스의 분사를 고압으로 실행함으로써, 부재에 부착하고 있는 먼지 및 부재의 플러스의 대전을 제거하고, 부재에 부착한 먼지를 불어서 날려버리는 공기 분출 장치로, 마이너스만의 대전이 되기 때문에, 강력한 분출력을 필요로 하지 않고 간단하게 부재의 먼지를 제거할 수 있다. 또한, 오존이 발생하지 않으므로, 부재에 대한 손상을 부여하지 않는다. 또한, 작업자에게 불쾌함을 부여하지 않는다.

청구항 36에 기재된 발명은 특히 청구항 35에 기재된 부재가 반도체 또는 액정 또는 광 디스크 부재인 것을 특징으로 한다. 그리고, 이들 부재는 서브 마이크론 레벨의 먼지를 싫어하기 때문에, 본 발명의 방법이 가장 적절하다.

청구항 37에 기재된 발명은 청구항 29 내지 32중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 상기 대전 제거 장치의 가스의 분출을 고압으로 실행함으로써, 인체에 부착되어 있는 먼지 및 부재의 플러스의 대전을 제거하여, 인체에 부착된 먼지를 불어 날려버리는 공기 샤워 장치로, 마이너스만의 대전이 되기 때문에, 강력한 분출력을 필요로 하지 않고 간단하게 인체의 먼지를 제거할 수 있다. 또한, 오존이 발생하지 않기 때문에, 인체에 대한 손상, 불쾌감을 주지 않는다.

또한, 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막으로, 도전성막이나 세라믹막이 좋고, 구체적으로는 티타늄 질화물, 티타늄 탄화물, 지르코늄 질화물, 지르코늄 탄화물 및 그들의 복합화합물이 유효하다.

또한, 기판으로서는 스테인레스, 알루미늄 등의 도전성을 갖는 금속 또는 합금이 유효하다. 이러한 구성을 취하면, 표면뿐만 아니라 기판과도 전기적으로 접지할 수 있다. 또한, 도전성을 갖지 않아도 무방하여, 유리, 플라스틱 등이 유효하고, 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 막과의 사이에 도전성막을 마련하여, 그것과도 전기적으로 접지할 수 있다. 그 도전성막으로서는 금속막 외에, 예컨대 ITO나 산화 주석과 같은 도전성 세라믹 또는 그들의 복합화합물이 유효하다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 마이너스 이온 발생 장치의 외관 구성도,

도 2는 실시예 1의 광전자 방출판에 있어서의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 3은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 4는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 5는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 6은 본 발명의 실시예 4에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 나타내는 다른 도면,

도 7은 본 발명의 실시예 5에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서 자외선램프를 이용한 경우에 있어서의 광전자 발생 기구를 나타낸 개념도,

도 9는 본 발명의 실시예 6에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 10는 본 발명의 실시예 7에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 11은 본 발명의 실시예 8에 있어서의 광전자 방출판의 동작 시간에 대한 마이너스 입자 발생수를 도시한 도면,

도 12는 본 발명의 실시예 9에 있어서의 마이너스 입자 발생 장치의 구성을 나타내는 요부 단면도,

도 13은 실시예 9에 있어서의 마이너스 입자 발생량의 종래와의 비교를 나타내는 그래프,

도 14는 본 발명의 실시예 10에 있어서의 마이너스 입자 발생 장치의 구성을 나타내는 요부 단면도,

도 15는 실시예 10에 있어서의 마이너스 입자 발생량을 나타내는 그래프,

도 16는 본 발명의 실시예 11에 있어서의 마이너스 입자 발생 장치의 구성을 나타내는 요부 단면도,

도 17은 실시예 11에 있어서의 마이너스 입자 발생량을 나타내는 그래프,

도 18은 종래의 마이너스 입자 발생 장치의 구성을 나타내는 요부 단면도,

도 19는 본 발명의 실시예 12에 있어서의 대전 제거 장치의 구조도,

도 20는 본 발명의 실시예 12에 있어서의 대전 제거 장치(9A, 9B, 9C)의 동작 시간과 발생하는 마이너스 입자의 수의 관련을 나타내는 도면,

도 21은 실시예 12의 구체 실시예 4에 있어서의 대전 제거 장치를 흡인 노즐에 탑재한 전기 청소기의 구조도,

도 22은 실시예 12의 구체 실시예 5에 있어서의 대전 제거 장치를 본체의 집진부에 탑재한 전기 청소기의 구조도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1, 32 : 광전자 방출판 2 : 램프(광원)

3, 34 : 어스선 4, 11 : 망형상의 광전자 발생재

5 : 광원 6 : 공기 입구

7 : 공기 출구 8 : 전기적인 접지

9 : 용기 12 : 망형상의 도전성 기재

21 : 통풍 수단 31 : 파장 영역이 200nm 이상인 광원

32A, 33A : 전기 청소기 33 :팬(통풍 수단)

35 : 대전 제거 장치

이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이 실시예에 의해서 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

본 발명의 실시예 1의 마이너스 이온 발생 장치에 대하여, 도 1을 이용하여 설명한다. 참조부호(1)는 광전자 방출판, 참조부호(2)는 참조부호(1)에 광 조사하기 위한 램프(광원)이며, 광전자 방출판(1)은 램프(2)를 끼우도록 통풍구의 상하벽에 접지되어 있다. 통풍구의 배후에는 팬이 설치되어, 통풍구로 공기를 보내도록 되어 있다. 또한, 특별한 명기가 없는 경우에는 광전자 방출판(1)의 기판측에 전기적으로 접지하는 어스선(3)이 설치되어 있다.

또한, 램프(2)는 6W의 냉음극관(cold cathode tube)을 사용하여, 공기의 송풍량을 200L/min으로 했다. 또한, 특별히 명기하지 않은 경우, 모든 스위치를 온으로 했다.

또한, 도 8은 램프(2)로서 자외선램프를 사용한 경우에 있어서의 광전자 발생의 기구를 나타낸 개념도이다.

본 실시예의 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(1A)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 티타늄 질화물막으로 실행했다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(1A)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(1B)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 설치는 금막으로 실행했다.

도 2는 광전자 방출판(1A와 1B)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 배리어성을 갖는 광전자 방출판(1A) 쪽이 장기에 걸쳐서 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있고, 광전자 방출판(1A)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 2)

실시예 2의 광전자 방출판으로서, 놋쇠(brass) 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛을 증착하여 광전자 방출판(2A)을, 스테인레스 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛을 증착하여 광전자 방출판(2B)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(2A, 2B)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛을 증착하여 광전자 방출판(2C)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

도 3은 광전자 방출판(2A와 2B와 2C)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 베이스에 도전막을 갖는 광전자 방출판(2A와 2B) 쪽이 많은 마이너스 입자의 수를 방출하고, 또한 2B의 쪽이 장기에 걸쳐서 유지하고 있는 것을 알 수 있고, 광전자 방출판(2A, 2B)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 3)

실시예 3의 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 알루미늄을 증착하고, 또한 그 위에 티타늄 질화물 1㎛을 증착하여 광전자 방출판(3A)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 설치는 알루미늄막으로 실행했다.

도 4는 광전자 방출판(3A)과 실시예 2에 있어서의 광전자 방출판(2C)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 베이스에 도전막을 갖는 광전자 방출판(3A)의 쪽이 장기에 걸쳐서 많은 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있고, 광전자 방출판(3A)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 4)

실시예 4의 광전자 방출판으로서, 스테인레스 기판 상(최대 표면 거칠기 0.8㎛)에 티타늄 질화물 0.1(4A), 0.5(4B), 1(4C), 2(4D)㎛을 증착하여 광전자 방출판(4A 내지 4D)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

도 5는 상기 광전자 방출판(4A 내지 4D)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 기초의 최대 표면 거칠기보다 두꺼운 티타늄 질화물 막두께를 갖는 광전자 방출판(4C, 4D)의 쪽이 장기에 걸쳐서 많은 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있어, 광전자 방출판(4C, 4D)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(4C)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 스테인레스 기판상(최대 표면 거칠기 0.8㎛)에 티타늄 질화물 1㎛를 스퍼터법으로 막을 제조하여 광전자 방출판(4E)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

도 6은 상기 광전자 방출판(4C와 4E)(모두 티타늄 질화물의 막두께 1㎛)막두께의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 티타늄 질화물막이 치밀한 증착법에 의해서 제작한 광전자 방출판(4C) 쪽이 장기에 걸쳐서 많은 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있어, 광전자 방출판(4C)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 5)

실시예 5의 광전자 방출판으로서, 스테인레스 기판 상(최대 표면 거칠기 0.8㎛)에 그래파이트막 1㎛(5A) 및 DLC막(5B)을 작성하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치의 램프를 182nm가 방출하는 램프로 대체한 장치에 탑재하고, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정하여, 실시예 4의 4C의 광전자 방출판과 비교했다.

도 7은 상기 광전자 방출판(5A, 5B, 및 4C)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 그래파이트를 광전자 방출재에 이용한 광전자 방출재(5A)가 초기에 많은 마이너스 입자를 방출하고 있는 것을 알 수 있다. 한편, DLC을 광전자 방출재에 이용한 광전자 방출재(5B)는 초기 적은 마이너스 입자이지만, 이것을 장기에 걸쳐서 유지하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 6)

본 발명의 실시예 6의 마이너스 이온 발생 장치를 도 1을 이용하여 설명한다. 참조부호(1)는 광전자 방출판, 참조부호(2)는 참조부호(1)에 광 조사하기 위한 램프(광원)이며, 광전자 방출판(1)은 램프(2)를 끼우도록 통풍구의 상하벽에 접지되어 있다. 통풍구의 배후에는 팬이 설치되어, 통풍구에 공기를 보내도록 되어 있다. 또한 특별한 명기가 없는 경우에는 광전자 방출판(1)의 기판측에 전기적으로 접지하는 어스선(3)이 설치되어 있다.

또한, 램프(2)는 6W의 냉음극관을 사용하고, 공기의 송풍량을 200L/min으로 했다. 또한, 특별히 명기하지 않는 경우, 모든 스위치를 온으로 했다.

본 실시예의 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 스퍼터법으로 실리카(silica) 1㎛를 마련하고, 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(6A)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 금막으로 실행했다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(1A)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(1B)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 금막으로 실행했다.

도 9는 상기 광전자 방출판(6A와 6B)의, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 배리어성을 갖는 광전자 방출판(6A) 쪽이 장기에 걸쳐서 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있고, 광전자 방출판(6A)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 7)

다음에, 실시예 7의 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하고, 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(7A)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 티타늄 질화물으로 실행했다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(7A)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 아크릴 기판 상에 스퍼터법으로 실리카 1㎛를 마련하고, 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(7B)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 실리카로 실행했다.

도 10은 상기 광전자 방출판(7A와 7B)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의수이다. 베이스에 도전막을 갖는 광전자 방출판(7A) 쪽이 장기에 걸쳐서 많은 마이너스 입자의 수를 방출하여 유지하고 있는 것을 알 수 있고, 광전자 방출판(7A)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 8)

다음에, 실시예 8의 광전자 방출판으로서, 놋쇠 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하고, 또한 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(8A)을, 스테인레스 기판 상에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하고, 또한 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(8B)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

또한, 본 실시예의 광전자 방출판(8A)과 비교하기 위한 비교용 광전자 방출판으로서, 아크릴 상에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하고, 또한 그 위에 금 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(8C)을 제작하고, 도 1의 마이너스 이온 발생 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수를 측정했다.

도 11은 광전자 방출판(8A와 8B와 8C)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 기판이 도전성인 경우의 광전자 방출판(8A와 8B)의 쪽이 많은 마이너스 입자의 수를 방출하고, 또한 8B의 쪽이 장기에 걸쳐서 유지하고 있는 것을 알 수 있어, 광전자 방출판(8A, 8B)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 9)

도 12은 본 발명의 실시예 9의 마이너스 입자 발생 장치의 요부 단면도이다. 도 12에 있어서, 망형상의 광전자 발생재(4)가 대략 원통형의 용기(9)의 내주 및공기 출구(7) 근방에 설치되어 있다. 상기 공기 출구(7) 근방에 설치된 광전자 발생재(4)는 공기의 흐르는 방향과 대략 직각이 되도록 설치된다. 망형상의 광전자 발생재(4)에는 전기적인 접지(8)가 장착되어 있다. 광원(5)으로부터의 자외선 등의 빛에 의해서 망형상의 광전자 발생재(4)로부터 광전자가 발생하고, 공기 입구(6)로부터 들어오는 공기중의 물이나 산소 등의 분자 또는 먼지 등의 미립자에 광전자가 포획되어 마이너스 입자로서 공기 출구(7)로부터 장치 밖으로 방출된다.

본 실시예에서는 상기 망형상의 광전자 발생재(4)는 금, 백금, 은, 동, 스테인레스, 티타늄 질화물 중에서 선택된 1종류 이상인 것을 사용하고 있다. 이들 광전자 발생재는 일 함수가 작고, 빛을 조사했을 때에 금속 표면에서 효율적으로 광전자가 발생하기 때문에, 마이너스 입자를 효율적으로 발생시키는 데 적합하다.

또한, 본 실시예에서는 전기적인 접지(8)를 망형상의 광전자 발생재(4)에 장착하고 있다. 광전 효과에 의해서 광전자가 방출된 광전자 발생재(4)에는 광전자의 방출 개소에 정공이 생기고, 광전자와 정공과의 사이에 전기적 인력이 작용하여, 발생한 광전자가 광전자 발생재(4)에 흡착된다. 거기에서 광전자 발생재(4)를 전기적으로 접지함으로써, 정공에는 전자가 보충되기 때문에, 방출된 광전자가 정공으로 되돌아가는 일이 없으므로, 마이너스 입자를 감소시키지 않고 발생시키는 데 적합하다.

이하, 본 실시예의 효과에 대하여 실험예을 이용하여 설명한다.

용기(9)로서 내경 3cm, 길이 7cm인 스테인레스로 만든 용기를 사용하고, 망형상의 광전자 발생재(4)로서 두께 0.1mm의 금을 사용했다. 또한, 광원(5)으로서3W의 자외선램프를 사용했다.

망형상의 광전자 발생재(4)에 전기적인 접지(8)를 장착하고, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치의 성능을 평가하기 위한 실험을 했다. 광원(5)의 자외선 살균 램프를 점등하고, 마이너스 입자를 발생시켰다. 측정은 공기 출구(7)로부터 1cm의 위치에서 실행하고, 장치 작동 후로부터 2분마다 10분간, 단위 부피당 마이너스 입자의 수를 이온측정기로 측정했다.

또한, 종래예로서 도 18에 나타낸 장치로, 상기와 동일한 시험을 하여 마이너스 입자의 수를 측정했다. 이들 시험 결과를 정리하여 도 13에 나타낸다.

도 13의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 마이너스 입자 발생 장치를 이용하면, 종래예에 비교해서 마이너스 입자의 발생량이 많이 안정하고 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 10)

도 14은 본 발명의 실시예 10의 마이너스 입자 발생 장치의 요부 단면도이다. 도 14에 있어서, 망형상의 광전자 발생재(11)가 망형상의 도전성 기재(12)의 표면에 담지(擔持)되어 있는 것 외에는 실시예 9와 동일하고, 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.

본 실시예에서는 상기 광전자 발생재(11)는 금, 백금, 은, 동, 스테인레스, 티타늄 질화물 중에서 선택된 1종류 이상의 것을 사용하고 있다. 이들 광전자 발생재는 일 함수가 작고, 자외선을 조사했을 때에 금속 표면에서 효율적으로 광전자가 발생하기 때문에, 마이너스 입자를 효율적으로 발생시키는 데 적합하다.

또한, 본 실시예에서는 전기적인 접지(8)를 망형상 도전성 기재(12)에 장착하고 있다. 광전 효과에 의해서 광전자가 방출된 광전자 발생재(11)는 광전자의 방출 개소에 정공을 할 수 있고, 광전자와 정공 사이에 전기적 인력이 작용하여, 발생한 광전자가 광전자 발생재에 흡착된다. 그래서 도전성 기재를 전기적으로 접지함으로써, 정공에는 전자가 보충되기 때문에, 방출된 광전자가 정공으로 되돌아가는 일이 없으므로, 마이너스 입자를 감소시키지 않고 발생시키는 데 적합하다.

용기(9)로서 내경 3cm, 길이 7cm인 스테인레스로 만든 원통형 용기를 이용하고, 망형상의 도전성 기재(12)로서 두께 0.5mm인 스테인레스를 이용하고, 이것에 망형상의 광전자 발생재(11)로서 금을 도금했다. 또한, 광원(5)으로서 3W의 자외선 살균 램프를 이용했다.

망형상의 도전성 기재(12)에 전기적인 접지(8)를 장착하고, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치의 성능을 평가하기 위한 실험을 했다. 광원(5)의 자외선 살균 램프를 점등하여, 마이너스 입자를 발생시켰다. 측정은 공기 출구(7)로부터 1cm의 위치에서 실행하고, 장치 작동 후로부터 2분마다 10분간, 단위 부피당 마이너스 입자의 수를 이온측정기로 측정했다. 시험 결과를 도 15에 나타낸다.

도 15의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 마이너스 입자 발생 장치를 이용하면, 항상 안정적인 마이너스 입자의 발생이 보였다. 이것으로부터, 본 발명은 마이너스 입자의 발생을 감소시키지 않고, 항상 일정하게 공기중으로의 마이너스 입자의 공급을 실현할 수 있었다.

(실시예 11)

도 16는 본 발명의 실시예 11의 마이너스 입자 발생 장치의 요부 단면도이다. 도 16에 있어서, 통풍 장치(21)가 설치되어 있는 것 이외에는 실시예 10과 동일하고, 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.

또한, 본 실시예에서는 전기적인 접지(8)를 망형상 도전성 기재(12)에 장착하고 있다. 광전 효과에 의해서 광전자가 방출된 광전자 발생재(11)는 광전자의 방출 개소에 정공을 할 수 있고, 광전자와 정공과의 사이에 전기적 인력이 작용하여, 발생한 광전자가 광전자 발생재에 흡착된다. 그래서 도전성 기재를 전기적으로 접지함으로써, 정공에는 전자가 보충되기 때문에, 방출된 광전자가 정공으로 되돌아가는 일이 없으므로, 마이너스 입자를 감소시키지 않고 발생시키는 데 적합하다.

이하, 본 실시예의 효과에 대하여 실험예 1을 이용하여 설명한다.

용기(9)로서 내경 3cm, 길이 7cm인 스테인레스로 만든 용기를 이용하고, 망형상의 도전성 기재(12)로서 두께 0.5mm의 스테인레스를 이용하고, 이것에 광전자 발생재(11)로서 금을 도금했다. 또한, 광원(5)으로서 3W의 자외선램프를 이용했다.

망형상의 도전성 기재(12)에 전기적인 접지(8)를 장착하고, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치의 성능을 평가하기 위한 실험을 했다. 광원(5)의 자외선램프를 점등하고, 통풍 수단(21)을 작동하여, 마이너스 입자를 발생시켰다. 측정은 공기 출구(7)로부터 1cm인 위치에서 실행하고, 장치 작동 후로부터 2분마다 10분간, 단위 부피당 마이너스 입자의 수를 이온측정기로 측정했다. 시험 결과를 도 17에 나타낸다.

도 17의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 마이너스 입자 발생 장치를 이용하면, 항상 안정적인 마이너스 입자의 발생이 보였다. 이것으로부터, 통풍 수단을 이용하면, 마이너스 입자의 발생이 한층 더 많아지고, 또한 항상 일정하게 공간내로의 마이너스 입자의 공급을 실현할 수 있었다.

다음에, 본 실시예의 효과에 대하여 실험예 2를 이용하여 설명한다.

광전자 발생재(11)로서, 금, 백금, 은, 동, 스테인레스, 티타늄 질화물으로 이루어지는 마이너스 입자 발생 장치를 이용하여, 실험예 1과 동일한 방법으로 마이너스 입자를 측정했다. 또한, 측정은 공기 출구(7)로부터 1cm인 위치에서 실행하여, 장치 작동 후 2분 후에 단위 부피당 마이너스 입자의 수를 이온측정기로 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.

광전자 발생재의 종류	발생하는 마이너스 입자의 개수(개/cc)
Au	270,000
Pt	120,000
Ag	90,000
Cu	50,000
스테인레스	10,000
TiN	420,000

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치를 이용하여, 광전자 발생재로서, 금, 백금, 은, 동, 스테인레스, 티타늄 질화물을 이용하면, 많은 마이너스 입자가 발생하는 것이 판명되었다. 그중에서도 특히 금, 백금, 티타늄 질화물을 이용한 경우에 대량의 마이너스 입자가 발생하는 것을 알 수 있었다.

다음에, 본 실시예의 효과에 대하여 실험예 3을 이용하여 설명한다.

광전자 발생재(11)로서 금, 망형상의 도전성 기재(12)로서 동, 알루미늄, 스테인레스, 놋쇠로 이루어지는 마이너스 입자 발생 장치를 이용하여, 실험예 1과 동일한 방법으로, 마이너스 입자의 측정을 했다. 또한, 측정은 공기 출구(7)로부터 1cm의 위치에서 실행하고, 장치 작동 후 2분 후에 단위 부피당 마이너스 입자의 수를 이온측정기로 측정했다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.

도전성 부재의 종류	발생하는 마이너스 입자의 개수(개/cc)
Cu	390,000
Al	350,000
스테인레스	420,000
놋쇠	400,000

표 2의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치를 이용하여, 광전자 발생재로서 금, 도전성 기재로서 동, 알루미늄, 스테인레스,놋쇠를 이용하면, 많은 마이너스 입자가 발생하는 것이 판명되었다. 그중에서도 특히 스테인레스를 이용한 경우에 대량의 마이너스 입자가 발생하는 것을 알 수 있었다.

또한, 상기 실시예 9 내지 실시예 11에 있어서, 내경 3cm, 길이 7cm인 스테인레스로 만든 용기를 이용했지만, 형상, 크기, 두께, 종류는 한정되는 것이 아니라, 마이너스 입자 발생 장치로서 적용할 수 있는 형상이나 크기나 두께나 종류라면, 어떠한 것이라도 상관없다.

또한, 실시예 10, 실시예 11에서는 망형상의 도전성 기재로서 두께 0.5mm인 스테인레스를 이용했지만, 두께, 종류는 한정되는 것이 아니라, 도전성이며, 또한 광전자 발생재를 담지할 수 있으면, 어떠한 것이라도 상관없다.

이상과 같이 본 실시예에 있어서, 공간에 마이너스 입자를 첨가하는 마이너스 입자 발생 장치를 얻을 수 있었다. 또한, 본 실시예의 마이너스 입자 발생 장치를 구비한 공기 조화 장치로서, 공기 청정기, 에어컨디셔너, 팬히터, 제습기, 가습기, 간호 냄새(skatole) 등의 탈취기, 화장실용 탈취기 등에도 응용 가능한 것은 말할 필요도 없다.

또한, 상기 실시예에 있어서, 망형상의 광전자 발생재(4)를 용기(9)의 내주 및 공기 출구(7) 근방의 양쪽에 마련했지만, 용기(9)의 내주에 마련하는 것은 본 발명의 필수요건이 아니고, 또한 공기 출구(7) 근방에 마련하는 것에 대해서도, 용기(9)내에 흐르는 공기를(망형상이기 때문에 실질 차단은 하지 않지만) 차단하는 위치에 설치되어 있으면 지장이 없어, 공기 출구(7) 근방으로 한정하는 것을 아니다.

또한, 상기 실시예에 있어서 망형상의 광전자 발생재(4)를 공기의 흐르는 방향과 대략 직각이 되도록 마련하고 있지만, 이 각도로 한정하는 것이 아니고, 용기(9)내에 흐르는 공기가 망형상의 광전자 발생재(4)에 충돌하거나, 또는 광전자 발생재(4)의 망의 눈을 통과하도록 설치되면 지장이 없다.

(실시예 12)

본 발명의 실시예 12에 있어서의 대전 제거 장치에 대하여 도 19를 이용하여 설명한다. 참조부호(31)는 200nm 이상의 파장 영역을 갖는 광원, 참조부호(32)는 광전자 방출판이고, 광전자 방출판(32)은 광원(31)을 끼우도록 통풍구의 상하벽에 접지되어 있다. 통풍구의 배후에는 적어도 산소를 포함하는 가스를 통과시키는 통풍 수단으로서 팬(33)이 설치되어, 통풍구로 공기를 보내도록 되어 있다. 또한, 특별한 명기가 없는 경우에는 광전자 방출판(32)의 기판의 가장 표면에 전기적으로 접지하는 어스선(34)이 설치되어 있다.

또한, 광원(31)은 6W의 냉음극관을 사용하고, 공기의 송풍량을 200L/min(압력 가변)으로 했다. 또한, 특별히 명기하지 않는 경우, 모든 스위치를 온으로 했다.

(구체 실시예 1)

놋쇠 기판에 금 1㎛를 도금하여 광전자 방출판(9A)을 제작하고, 도 19의 대전 제거 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 놋쇠로 실행했다.

(구체 실시예 2)

놋쇠 기판에 티타늄 질화물 1㎛를 증착하여 광전자 방출판(9B)을 제작하고, 도 19의 대전 제거 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 놋쇠로 실행했다.

(구체 실시예 3)

놋쇠 기판에 SiOx막을 증착하고, 그 위에 금을 증착하여 광전자 방출판(9C)를 제작하고, 도 19의 대전 제거 장치에 탑재하여, 동작 시간에 대한 플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 입자의 수를 측정했다. 또한, 전기적 접지는 금으로 실행했다.

(플러스로 대전한 플라스틱의 대전 제거)

구체 실시예 1, 2, 3의 가스를 플러스로 대전하고 있는 수지에 분사하고, 플러스의 대전량을 측정한 결과, 플러스의 대전량이 감소하고 있는 것을 알 수 있어, 본 발명의 효과가 발휘되고 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 양쪽 모두 오존냄새는 인정을 받을 수 없었다.

(배리어성을 갖고, 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 광전자 방출재의 특성)

도 20은 대전 제거 장치(9A, 9B, 9C)의 동작 시간에 대한 마이너스 입자의 수이다. 배리어성을 갖는 광전자 방출판(9B, 9C) 쪽이 배리어성을 갖지 않는 광전자 방출판(9A)에 비교하여, 장기에 걸쳐서 마이너스 입자의 수를 유지하고 있는 것을 알 수 있어, 광전자 방출판(9B, 9C)이 본 발명의 효과를 발휘하고 있는 것을 알수 있다.

(비교예1)

상기 구체 실시예 2의 대전 제거 장치(9B)의 접지를 제거한 대전 제거 장치(9D)에 대하여, 상기와 같이 플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 입자의 수를 측정했다.

(접지의 유무에 따른 플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 입자의 수)

플러스로 대전한 부재를 중화하는 마이너스 이온의 수를 측정한 결과, 대전 제거 장치(9B)의 경우가 100만개/cm³에 대하여, 대전 제거 장치(9D)의 경우는 3000개/cm³으로, 본 발명의 효과가 밝혀졌다.

(구체 실시예 4)

도 21과 같이, 구체 실시예 2의 대전 제거 장치(9B)와 같은 기능을 갖는 대전 제거 장치(35)를 전기 청소기의 흡인 노즐의 마루 면측에 탑재하여, 본 발명의 전기 청소기(32A)(흡입 효율 200W)를 제작했다. 이것을 이용하여, 5g의 제올라이트(zeolite)가 부착하고 있는 플라스틱의 마루(폭은 흡인 노즐과 같은 폭) 위에서 흡인 노즐을 1회 왕복시켰다.

(비교예 2)

대전 제거 장치(35)를 탑재하지 않은 것 외에는 완전히 상기 구체 실시예 4와 같은 전기 청소기(32B)(흡입 효율 200W)를 제작했다. 이것을 이용하여, 상기 구체 실시예 4와 완전히 같은 방법으로 5g의 제올라이트가 부착되어 있는 플라스틱의 마루(폭은 흡인 노즐과 같은 폭)위에서 흡인 노즐을 1회 왕복시켰다.

(제올라이트의 집진 능력의 평가)

전기 청소기(32A)와 전기 청소기(32B)에서 제올라이트의 집진량을 비교한 결과, 전기 청소기(32A)의 경우가 4.9g인데 대하여, 전기 청소기(32B)의 경우는 3.9g으로, 본 발명의 대전 제거 장치(35) 탑재의 효과가 실증되었다. 또한, 전기 청소기(32A)에서 오존냄새는 인정을 받을 수 없었다.

(구체 실시예 5)

도 22와 같이, 구체 실시예 2의 대전 제거 장치(9B)와 같은 기능을 갖는 대전 제거 장치(35)를 전기 청소기 본체의 집진부에 탑재하여, 본 발명의 전기 청소기(33A)(흡입 효율 200W)를 제작했다. 이것을 이용하여, 10g의 제올라이트를 흡인한 뒤, 집진부 뚜껑을 열고, 집진부 뚜껑을 밑으로 하여, 집진한 제올라이트가 자연 낙하하는 양을 측정했다.

(비교예 3)

대전 제거 장치(35)를 탑재하지 않는 것 외에는 완전히 상기 구체 실시예 5와 동일한 전기 청소기(33B)(흡입 효율 200W)를 제작했다. 이것을 이용하여, 상기 구체 실시예 5와 완전히 같은 방법으로, 10g의 제올라이트를 흡인한 뒤, 집진부 뚜껑을 열고, 집진부 뚜껑을 밑으로 하여, 집진한 제올라이트가 자연 낙하하는 양을 측정했다.

(제올라이트의 집진 능력의 평가)

전기 청소기(33A)와 전기 청소기(33B)에서 제올라이트의 낙하량을 비교한 결과, 전기 청소기(33A)의 경우가 7.9g인데 대하여, 전기 청소기(33B)의 경우는 5.9g 으로, 본 발명의 대전 제거 장치(35) 탑재의 효과가 실증되었다. 또한, 흡인량 10g에 대하여 집진량이 적었던 것은 전기 청소기의 흡인로 예컨대 호스 등에 부착하고 있었기 때문이며, 거기에도 본 발명의 대전 제거 장치에 의해서 가스를 보내면, 회수율이 오르는 것을 알 수 있다. 또한, 전기 청소기(33A)에서 오존냄새는 인정받을 수 없었다.

(구체 실시예 6)

상기 구체 실시예 2의 대전 제거 장치(9B)에서의 팬(33) 대신에 고압 가스를 생성하는 압축기(송풍압 3kgf/cm²)를 탑재한 공기 분출 장치(34A)(도시하지 않음)를 제작했다. 이것을 이용하여, 0.1g의 유리 구슬(3㎛ 직경)을 도포한 13.3인치 액정 패널 유리부재에 내뿜고, 잔존하는 유리 구슬 밀도를 측정했다.

(비교예 4)

대전 제거 장치(9B)를 탑재하지 않는 것 이외에는 완전히 상기 구체 실시예 6과 동일한 공기 분출 장치(34B)(도시하지 않음, 흡입 효율 200W)를 제작했다. 이것을 이용하여, 상기 구체 실시예 6과 완전히 같은 방법으로, 0.1g의 유리 구슬(3㎛ 직경)을 도포한 13.3인치 액정 패널 유리부재에 내뿜고, 잔존하는 유리 구슬 밀도를 측정했다.

(유리 구슬의 제거 능력의 평가)

공기 분출 장치(34A)와 공기 분출 장치(34B)에서 유리 구슬의 잔존량을 비교한 결과, 공기 분출 장치(34A)의 경우는 1개/cm²이하인데 대하여, 공기 분출 장치(34B)의 경우는 4×103개/cm²으로, 본 발명의 대전 제거 장치 탑재의 효과가 실증되었다. 또한, 공기 분출 장치(34A)에서, 오존냄새는 인정을 받을 수 없었다.

또한, 반도체, 광 디스크부재에 대해서도 마찬가지의 효과가 인정을 받았다.

또한, 부재뿐만 아니라 인체에도 동일한 효과가 있어, 반도체공장 등의 공기 샤워에 이용 가능하다.

본 발명에 의하면, 마이너스 입자 발생 시간에 따라서, 마이너스 이온 수가 크게 감소하는 일이 없는, 즉 장기에 걸쳐서 내구성이 우수한 광전자 방출판 및 이것을 이용한 마이너스 입자 발생 장치를 실현할 수 있다.

Claims

기판 상에 배리어성을 갖고 또한 광 조사함으로써 광전자를 방출하는 방출막을 갖는

광전자 방출판.
제 1 항에 있어서,

기판이 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 2 항에 있어서,

기판이 스테인레스인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

기판상의 방출막 밑에 도전성막을 갖는

광전자 방출판.
제 4 항에 있어서,

도전성막이 금속인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막의 막두께가 그 아래의 표면의 최대 표면 거칠기보다 두꺼운 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막이 증착으로 제조된 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막이 도전성인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막이 세라믹인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 9 항에 있어서,

방출막이 티타늄 질화물, 티타늄 탄화물, 지르코늄 질화물, 지르코늄 탄화물, 탄소 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
청구항 1에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비한

마이너스 입자 발생 장치.
청구항 2에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비하고, 상기 광전자 방출판의 기판을 전기적으로 접지한

마이너스 입자 발생 장치.
청구항 4에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판에 광 조사하기 위한 광원을 구비하고, 상기 광전자 방출판의 도전성막을 전기적으로 접지한

마이너스 입자 발생 장치.
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,

광전자 방출판의 표면에 산소를 흘려보냄으로써 마이너스 입자를 발생시키는 것을 특징으로 하는

마이너스 입자 발생 장치.
기판 상에 배리어성을 갖는 배리어막을 마련하고, 상기 배리어막 위에 광 조사에 의해서 광전자를 방출하는 방출막을 마련한

광전자 방출판.
제 15 항에 있어서,

배리어막이 Si, Ti, Zr, Al의 각각의 산화물 또는 Si, Al의 각각의 질화물 또는 이들의 복합물인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 15 항에 있어서,

배리어막이 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 17 항에 있어서,

배리어막이 Ti, Zr의 각각의 질화물 또는 탄화물 또는 ITO 또는 산화 주석 또는 이들의 복합물인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 17 항에 있어서,

기판이 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 19 항에 있어서,

기판이 스테인레스인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 15 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막이 도전성인 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
제 15 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,

방출막의 막두께가 배리어막의 표면의 최대 표면 거칠기보다 두꺼운 것을 특징으로 하는

광전자 방출판.
청구항 15 또는 17 또는 19에 기재된 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판의 방출막에 광 조사하기 위한 광원을 구비한

마이너스 입자 발생 장치.
제 23 항에 있어서,

광전자 방출판의 표면에 산소를 흘려보냄으로써 마이너스 입자를 발생시키는 것을 특징으로 하는

마이너스 입자 발생 장치.
전기적으로 접지한 망형상의 광전자 발생재와 상기 망형상의 광전자 발생재에 빛을 조사하기 위한 광원을 갖는 용기를 구비하고, 상기 망형상 광전자 발생재에 빛을 조사함과 동시에, 상기 망형상의 광전자 발생재에 공기를 흘려보냄으로써 마이너스 입자를 발생시키는 마이너스 입자 발생 장치에 있어서, 상기 용기내에 흐르는 공기가 상기 망형상의 광전자 발생재에 충돌하도록, 상기 망형상의 광전자 발생재를 상기 용기내에 마련한

마이너스 입자 발생 장치.
제 25 항에 있어서,

망형상의 광전자 발생재에 조사하는 빛을 자외선으로 한

마이너스 입자 발생 장치.
제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,

망형상의 광전자 발생재는 망형상의 도전성 기재 상에 마련하여 이루어지는

마이너스 입자 발생 장치.
제 25 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,

통풍 수단을 구비하고, 상기 통풍 수단에 의해서 망형상의 광전자 발생재로 공기를 흘려보내는

마이너스 입자 발생 장치.
파장 영역이 200nm 이상인 광원과, 광 조사하면 광전자를 방출하는 광전자 방출판과, 상기 광전자 방출판의 표면 근방에 적어도 산소를 포함하는 가스를 통과시키는 통풍 수단을 갖고, 상기 광원에 의해서 광 조사된 광전자 방출재 표면 근방을 통과한 가스를 부재에 분사함으로써 상기 부재의 플러스의 대전을 제거하는

대전 제거 장치.
제 29 항에 있어서,

광전자 방출판의 표면은 광 조사되면 광전자를 방출하고, 또한 배리어막인 것을 특징으로 하는

대전 제거 장치.
제 29 항에 있어서,

광전자 방출판의 표면은 광 조사되면 광전자를 방출하는 막이며, 그 바로 아래에 배리어막을 갖는 것을 특징으로 하는

대전 제거 장치.
제 29 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,

광전자 방출판의 표면이 전기적으로 접지되어 있는 것을 특징으로 하는

대전 제거 장치.
청구항 29 내지 32 중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 흡입 노즐로부터 마루 면을 향해서 상기 대전 제거 장치의 가스의 분사를 실행함으로써, 마루 면에 부착하고 있는 먼지 및 마루 면의 플러스대전을 제거하고, 마루 면에 부착한 먼지를 흡인 제거하는

전기 청소기.
청구항 29 내지 32 중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 집진부내를 향해서 상기 대전 제거 장치의 가스의 분사를 실행함으로써, 집진한 먼지 및 집진부 벽의 플러스의 대전을 제거하여, 집진부 내에 부착한 먼지를 취득하기 쉽게 한

전기 청소기.
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 상기대전 제거 장치의 가스의 분출을 고압으로 실행함으로써, 부재에 부착하고 있는 먼지 및 부재의 플러스의 대전을 제거하여, 부재에 부착한 먼지를 불어 날려버리는

공기 분출 장치.
제 35 항에 있어서,

부재가 반도체 또는 액정 또는 광디스크부재인 것을 특징으로 하는

공기 분출 장치.
청구항 29 내지 32 중 어느 한 항에 기재된 대전 제거 장치를 구비하고, 상기 대전 제거 장치의 가스의 분출은 고압으로 실행함으로써, 인체에 부착되어 있는 먼지 및 부재의 플러스의 대전을 제거하여, 인체에 부착한 먼지를 불어 날려버리는

공기 샤워 장치.