KR20040050235A - 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 기판 상에 구성되고, 일 방향으로 연장된 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 제 1 절연막을 사이에 두고 수직하게 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 드레인 전극의 일부를 제외한 박막트랜지스터의 상부와, 게이트 배선 및 데이터 배선의 상부 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 블랙매트릭스가 형성된 기판의 전면에 제 2 절연막을 증착한 후, 제 2절연막과 하부의 제 1 절연막을 식각하여, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하고 상기 화소영역에 대응하는 기판의 표면을 노출하는 단계와;상기 패턴된 제 2 절연막이 형성된 기판에 투명 도전성 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 투명 제 1 화소전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 화소전극의 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와;상기 컬러필터가 형성된 기판의 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 컬러필터 패턴에 대응한 부분에만 레이저를 조사하여 결정화하는 단계와;상기 결정화 되지 않은 부분의 비정질 투명전극을 제거하여, 상기 화소영역에 대응하여 하부의 제 1 화소전극과 접촉하는 결정화된 제 2 화소전극을 형성하는단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 순수 비정질 실리콘으로 형성된 액티브층과, 불순물 비정질 실리콘으로 형성된 오믹 콘택층인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 블랙매트릭스는 불투명한 감광성 유기 물질인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선의 상부에 상기 제 1 및 제 2 화소전극과 접촉하는 아일랜드 형상의 금속층을 더욱 형성하여 이를 제 1 전극으로 하고, 그 하부의 게이트 배선을 제 2 전극으로 하는 보조 용량부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터와 블랙매트릭스 사이에 무기 절연층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 무기절연층을 형성하는 물질은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 컬러필터 패턴은 상기 화소영역에 적색과 녹색과 청색의 컬러필터 패턴이 각각 대응되도록 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 결정화되지 않은 비정질 투명전극 부분만을 제거하는 제거액은 OZ산(((COOH)2·H2O+H2O))인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 기판 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과, 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상부에 제 1 절연막을 사이에 두고 적층된 액티브 층과 오믹콘택층과, 오믹 콘택층과 접촉하고 소정간격 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극에서 연장된 데이터 배선을 동시에 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 블랙매트릭스가 형성된 기판의 전면에 제 2 절연막을 증착한 후, 제 2절연막과 하부의 제 1 절연막을 식각하여, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하고 상기 화소영역에 대응하는 기판의 표면을 노출하는 단계와;상기 패턴된 제 2 절연막이 형성된 기판에 투명 도전성 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 투명 제 1 화소전극을 형성하는 단계와;상기 화소영역의 제 1 전극 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와;상기 컬러필터가 형성된 기판의 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 컬러필터에 대응한 부분에만 레이저를 조사하여 결정화하는 단계와;상기 결정화 되지 않은 부분의 비정질 투명전극을 제거하여, 상기 화소영역에 대응하여 하부의 제 1 화소전극과 접촉하는 결정화된 제 2 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 반도체층은 순수 비정질 실리콘으로 형성된 액티브층과, 불순물 비정질 실리콘으로 형성된 오믹 콘택층인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 블랙매트릭스는 불투명한 감광성 유기 물질인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 배선의 상부에 상기 제 1 및 제 2 화소전극과 접촉하는 아일랜드 형상의 금속층을 더욱 형성하여 이를 제 1 전극으로 하고, 그 하부의 게이트 배선을 제 2 전극으로 하는 보조 용량부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 박막트랜지스터와 블랙매트릭스 사이에 무기 절연층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 무기절연층을 형성하는 물질은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 컬러필터 패턴은 상기 화소영역에 적색과 녹색과 청색의 컬러필터 패턴이 각각 대응되도록 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 결정화되지 않은 비정질 투명전극 부분만을 제거하는 제거액은 OZ산((COOH)2·H2O+H2O))인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 액티브층과 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선을 동시에 형성하는 단계는,상기 게이트 배선과 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 오믹 콘택층과 금속층을 적층하는 단계와;상기 금속층 상부에 포토레지스트층을 형성하고, 포토 레지스트층과 이격된 상부에 투과부의 차단부와 반투과부로 구성된 마스크를 위치시키는 단계와;상기 마스크의 상부에 빛을 조사하여 하부의 포토레지스트층을 노광하고 현상하여, 상기 게이트 전극 상부에 서로 다른 높이로 패턴된 제 1 포토패턴과, 상기 게이트 배선과는 수직한 형상으로 제 2 포토패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 포토패턴 사이로 노출된 금속층과 하부의 불순물 비정질 실리콘층과 그 하부의 순수 비정질 실리콘층을 제거하여, 데이터 배선과 이에 연장된 소스-드레인 전극층과, 소스-드레인 전극층의 하부에 제 1 반도체층과 제 1 반도체층에서 상기 데이터 배선의 하부로 연장된 제 2 반도체층을 형성하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 포토 패턴을 애싱하는 공정을 진행하여, 상기 소스-드레인 전극층의 중앙부를 노출하는 단계와;상기 노출된 소스 드레인 전극층을 식각하여 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 반도체층과 제 2 반도체층은 패턴된 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층이 적층되어 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극층을 형성하는 공정에서, 상기 제 1 반도체층의 불순물 비정질 실리콘층이 제거되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극의 주변으로 하부의 비정질 실리콘층이 노출되어 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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TW092129742A TWI227794B (en) | 2002-12-09 | 2003-10-27 | Manufacturing method of array substrate having color filter on thin film transistor structure |
GB0325368A GB2396242B (en) | 2002-12-09 | 2003-10-30 | Manufacturing method of array substrate having colour filter on thin film transistor structure |
CNB2003101154174A CN1267784C (zh) | 2002-12-09 | 2003-11-25 | 制造液晶显示器件的方法 |
JP2003395868A JP4299113B2 (ja) | 2002-12-09 | 2003-11-26 | 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 |
US10/736,620 US7517620B2 (en) | 2002-12-09 | 2003-12-17 | Method for fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure for liquid crystal display device |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110086937A (ko) * | 2010-01-25 | 2011-08-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
KR101243824B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US8796680B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-08-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor substrate and method of manufacturing the same |
KR101471149B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2014-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR101510903B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 이를 이용한 유기전계발광표시장치 |
KR101522481B1 (ko) * | 2012-07-20 | 2015-05-21 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판을 제조하는 방법, 어레이 기판 및 표시 장치 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100870700B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2008-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
US7825021B2 (en) * | 2004-01-16 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
KR101100674B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법 |
GB2421833B (en) * | 2004-12-31 | 2007-04-04 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US20070002199A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR101159388B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2012-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자와 그 제조 방법 |
US20070262312A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Au Optronics Corp. | Thin film transistor array substrate structures and fabrication method thereof |
US7688419B2 (en) | 2006-05-11 | 2010-03-30 | Au Optronics Corp. | Thin film transistor array substrate structures and fabrication method thereof |
CN100452363C (zh) * | 2006-08-16 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板的制作方法 |
KR101293561B1 (ko) | 2006-10-11 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US8860033B2 (en) * | 2007-03-16 | 2014-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
TWI466298B (zh) * | 2007-09-11 | 2014-12-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構的製作方法 |
CN101552241B (zh) * | 2008-04-03 | 2010-11-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示装置 |
TWI391715B (zh) * | 2008-09-15 | 2013-04-01 | Wintek Corp | 彩片濾光片基板及液晶顯示器 |
KR101490490B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2015-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US20100165280A1 (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR101246790B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2013-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
KR20110061773A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
TWI412858B (zh) | 2010-12-29 | 2013-10-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
KR101915223B1 (ko) * | 2011-08-19 | 2019-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 에이에이치-아이피에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
US20130069066A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. | Thin film transistor and manufacture method thereof |
CN102610564B (zh) * | 2012-02-07 | 2014-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法 |
KR101859483B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2018-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체 영상 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI687748B (zh) * | 2013-06-05 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI511303B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-12-01 | Ye Xin Technology Consulting Co Ltd | 液晶顯示器的陣列基板 |
CN104269414B (zh) * | 2014-09-25 | 2018-03-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN105511189B (zh) * | 2016-02-16 | 2018-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Va型coa液晶显示面板 |
CN106298956A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 氧化物薄膜晶体管的制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2655941B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1997-09-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
EP0627123A4 (en) * | 1992-02-28 | 1995-11-22 | Lasa Ind Inc | LASER SHAPED INTEGRATED CIRCUIT MASK. |
JPH0772473A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Sony Corp | カラー液晶表示装置 |
KR100209277B1 (ko) * | 1996-04-25 | 1999-07-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
US6038006A (en) * | 1996-09-02 | 2000-03-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode |
US6143488A (en) * | 1996-12-30 | 2000-11-07 | Agfa-Gevaert | Photothermographic recording material coatable from an aqueous medium |
KR100529555B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
JP2000098368A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Canon Inc | アクティブマトリクス基板とその製造方法、該基板を用いた液晶素子 |
JP3267271B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造法 |
US6466281B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD |
JP2001066617A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Nec Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
DE10124986B4 (de) * | 2000-05-25 | 2005-03-10 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
TWI256976B (en) * | 2000-08-04 | 2006-06-21 | Hannstar Display Corp | Method of patterning an ITO layer |
KR100857133B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
-
2002
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8796680B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-08-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor substrate and method of manufacturing the same |
KR101243824B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101510903B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 이를 이용한 유기전계발광표시장치 |
KR20110086937A (ko) * | 2010-01-25 | 2011-08-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
KR101522481B1 (ko) * | 2012-07-20 | 2015-05-21 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판을 제조하는 방법, 어레이 기판 및 표시 장치 |
US9040344B2 (en) | 2012-07-20 | 2015-05-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for fabricating array substrate, array substrate and display device |
KR101471149B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2014-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
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