KR20040048272A - 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 처리가스 저장부 및 상기 처리가스 저장부의 아래에 위치한 플라즈마 발생부로 구성되며, a) 상기 처리가스 저장부는 처리가스를 처리가스 저장부로 도입하는 제1 유입구를 구비하고, b) 상기 플라즈마 발생부는 서로 마주보는 상부 전극 및 하부 전극, 두 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간, 상기 상부 전극 및 하부 전극을 절연시키는 절연체, 전극의 표면온도를 낮추는 방열기, 처리가스를 처리가스 저장부로부터 플라즈마 발생공간으로 도입하는 제2 유입구, 플라즈마 발생공간에서 생성된 플라즈마 및 플라즈마로 전환되지 아니한 처리가스를 배출하는 배출구, 및 교류전압을 인가하는 교류전원을 포함하고, 여기서 상기 상부 전극 및 하부 전극이 모두 평판형 전극이고, 상기 배출구가 하부 전극에 형성되고, 하부전극의 아래에 기판이 위치하고, 대기압 하에서 플라즈마를 발생시켜 상기 기판의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 배출구의 형태가 직사각형, 원형, 삼각형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 교류전원의 주파수가 50Hz ∼ 200MHz이고, 전압이 1kV ∼ 40kV인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 교류전원의 주파수가 5kHz ∼ 100kHz이고, 전압이 2kV ∼ 10kV인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 표면처리장치가 유량균일화 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 처리가스가 질소, 산소, 불활성 기체, 이산화탄소, 산화질소, 퍼플루오로화 기체, 수소, 암모니아, 염소계 기체, 오존 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 처리가스가 질소, 질소와 산소의 혼합물, 질소와 공기의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 반도체인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 PCB 스트립 또는 리드프래임인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 TFT-LCD용 대면적 유리인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 표면처리장치가 기판의 표면으로부터 오염물의 제거, 레지스트의 제거, 유기 필름의 접착, 표면 변형, 필름 형성의 향상, 금속 산화물의 환원, 또는 액정용 유리 기판의 세정, 산화막 식각, 실리콘이나 금속의 식각에 사용되는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
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GRNT | Written decision to grant | ||
J204 | Request for invalidation trial [patent] | ||
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J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: INVALIDATION |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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R401 | Registration of restoration | ||
FPAY | Annual fee payment |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |