KR20040020922A

KR20040020922A - 전자디스플레이용 필터 및 그 필터를 이용한전자디스플레이장치

Info

Publication number: KR20040020922A
Application number: KR10-2003-7016181A
Authority: KR
Inventors: 나카노토모미; 하라구찌유키나리; 오자와테쯔오; 사이토오야스요
Original assignee: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date: 2001-06-12
Filing date: 2002-06-12
Publication date: 2004-03-09
Also published as: DE10296934T5; WO2002101695A1; US20040232813A1; CN1541383A

Abstract

파장400nm∼700nm의 가시광 영역에, 적어도 하나의 투과율의 극소치를 가지는 전자디스플레이용 필터에 있어서, 435nm, 545nm, 610nm에 있어서 투과율(％) a, b, c를 비교하고, 이들의 투과율(％)의 최대치와 최소치의 차이를 10이내로 규제함으로써, 외광이, 435nm, 545nm, 610nm에 큰 발광피크가 존재하는 F10나 F6과 같은 형광등의 발광스펙트럼의 밸런스가 깨지지 않도록 하여, 전자디스플레이의 전면에 설치하는 필터 자체의 외광에 의한 부자연스러운 착색을 저감한다.

Description

전자디스플레이용 필터 및 그 필터를 이용한 전자디스플레이장치{ELECTRONIC DISPLAY-USE FILTER AND ELECTRONIC DISPLAY UNIT USING THE FILTER}

근년, 여러 종류의 전자기기의 표시패널로서, 플라스마 디스플레이, 유기EL디스플레이 등의 전자디스플레이가 사용되고 있다.

이와 같은 전자디스플레이의 전면(前面)에는, 불요한 발광성분을 제거하여, 표시색을 선명하게 하기 위하여, 필터가 설치되어 있다.

예를 들면, 플라스마 디스플레이에서는, 방전에 의하여 크세논(xenon)과 네온의 혼합가스가 여기(勵起)되어 진공자외선을 방사하고, 그 진공자외선여기에 의한 적(赤), 청(靑), 녹(綠)의 각각의 형광체의 발광을 이용하여 3원색 발광을 얻는다. 그 때, 네온원자가 여기된 후, 기저상태로 돌아갈 때 600nm 부근을 중심으로 하는 소위 네온오렌지광을 발광하기 때문에, 플라스마 디스플레이에서는, 적색에 오렌지색이 섞여 선명한 적색을 얻을 수 없는 결점이 있다. 이 때문에, 플라스마 디스플레이에서는, 네온 오렌지광을 흡수제거하는 기능을 가지는 필터, 예를 들어, 네온오렌지광의 파장의 투과율을 국소적으로 저하시키고 있는 필터를, 디스플레이의 전면에 설치하고 있다.

본 발명은, 플라스마 디스플레이, 유기EL디스플레이 등의 전자디스플레이의 전면(前面)에 설치하고, 불요한 발광성분의 제거기능을 가지는 전자디스플레이용 필터에 관한 것이며, 특히, 전자디스플레이의 발광강도를 그다지 약하게 하지 않고, 외광을 저감함으로써 전자디스플레이의 콘트라스트를 향상할 수 있는 전자디스플레이용 필터에 관한 것이다.

또한, 외광에 의한 부자연스러운 필터자체의 착색을 저감시킨 전자디스플레이용 필터에 관한 것이다.

그리고, 플라스마 디스플레이가 사고 등으로 파괴되었을 때 파편이 비산하는 일이 없는 필터에 관한 것이다.

도1은, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터를 전자디스플레이의 전면에 배치하고, 전자디스플레이의 발광을 저해하지 않고, 전자디스플레이 표면에서의 외광의 반사광을 저감하고 있는 상태를 개념적으로 나타내는 구성설명도이다.

도2는, 플라스마 디스플레이로 이루어진 전자디스플레이의 발광스펙트럼 및 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼, 그리고 전자디스플레이용 필터의 투과스펙트럼을 나타내는 특성도이다.

도3은, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터를 투과한 후의 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼, 및 외광(보통형 형광등 F6)의 발광스펙트럼을 나타내는 특성도이다.

도4는, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터의 가시광 영역에 있어서의 투과스펙트럼을 나타내는 도이다.

도5는, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터의 가시광 영역에 있어서의 투과스펙트럼의 다른 예를 나타내는 도이다.

도6은, 각종 외광의 발광스펙트럼을 나타내는 특성도이다.

도7은, 실시예6에 있어서의 필터의 층구성을 나타내는 설명도이다.

[발명이 해결하고자 하는 과제]

전자디스플레이는, 형광등이나 태양관 등, 여러 가지의 종류의 외광이 존재하는 장소에 설치된다. 따라서, 외광은, 전자디스플레이의 전면의 필터를 통과하고, 전자디스플레이의 표면에서 반사되는 외광성분이, 다시 전면의 필터를 통과하여 인간의 눈에 도달하게 된다.

플라스마 디스플레이 등의 특히 형광체를 사용하는 전자디스플레이에서는, 당해 디스플레이 표면의 반사율이 크기 때문에, 전자디스플레이 표면에서 반사한 외광이 표시의 흑색부분을 흰 빛을 띠게 하여 버리고, 양호한 콘트라스트를 얻을 수 없다. 이 불필요한 외광의 반사성분을 제거하기 위하여, 불요한 외광의 반사성분을 제거하는 기능을 갖게 한 종래의 이 타입의 필터는, 오로지 투과율을 저하시킴으로써 불요한 외광을 흡수, 컷트하는 구조이기 때문에, 동시에 전자디스플레이의 발광도 컷트하여 버리게 된다. 이 때문에 콘트라스트 향상의 효과가 낮고, 전자디스플레이의 발광휘도도 저하시켜 버린다고 하는 문제가 있었다.

또한, 외광은, 전자디스플레이의 전면의 필터를 2번 통과하고, 필터를 통과할 때, 소정의 광성분이 흡수되기 때문에, 외광의 스펙트럼의 밸런스가 깨져, 필터자체가, 예를 들어, 청보라, 적보라 등의 부자연스러운 색채로 착색되어 보이는 일이 있다.

특히, 외광 중에서도, 3파장역 발광형 형광관 F10(JIS Z8719-1996)이나 보통형 형광관 F6(JIS Z8719-1996) 등의 형광등의 경우에는, 도6에 도시하는 바와 같이, 435nm, 545nm, 610nm에 큰 발광피크가 존재하기 때문에, 필터의 흡수에 의하여 스펙트럼의 밸런스가 깨지기 쉽고, 필터자체에 부자연스러운 착색이 생기기 쉽다.

한편, 플라스마 디스플레이 자체는 통상, 본체가 유리로 만들어져 있으며, 충격에 약하고, 반송 중이나 설치 후의 사고에 의하여 충격이 가해지면 파괴, 비산하여 위험한 경우가 있었다.

그래서, 본 발명은, 전자 디스플레이의 전면에 설치함으로써 불필요한 외광을 제거하고, 전자디스플레이의 콘트라스트를 향상시키는 것을 제1의 과제로 하는 것이다.

또한, 본 발명은, 외광에 의한 필터 자체의 부자연스러운 착색을 저감하는 것을 제2의 과제로 하는 것이다.

또한, 본 발명은, 플라스마 디스플레이의 제조공정 도중, 또는 플라스마 디스플레이의 제조 후에 플라스마 디스플레이의 표면에 간편하게 취부할 수 있고, 만일 플라스마 디스플레이가 파손되어도 파편이 비산하는 일 등이 없는 비산방지효과가 있는 필터를 제공하는 것을 제3의 과제로 하는 것이다.

[과제를 해결하기 위한 수단]

제1의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 전자 디스플레이의 전면에 설치하는 전자디스플레이용 필터에 있어서, 파장 530nm∼600nm에 투과율의 극소치를 가지고, 설치대상으로 하는 전자디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1이 35％이상이고, 또한 시감투과율 Y1이 보통형 형광등 F6의 발광 스펙트럼(JIS Z8719-1996)을 사용한 시감투과율 Y2 보다도 높게 한 것이다.

제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 앞서 말한 필수의 구성요소로 이루어지는데, 그 구성요소가 구체적으로 이하와 같은 경우에도 성립한다. 그 구체적 요소라고 하는 것은, 시감투과율 Y1 및 Y2의 관계가, 하기(1)식,

C=(Y1) / (Y2)²… … …(1)

으로 나타나는 필터 콘트라스트치 C를 2.4이상으로 하는 것이다.

또한, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 530nm∼600nm의 파장역에 최대흡수를 가진 화합물을 함유함으로써, 530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치를 갖게 하는 것을 특징으로 하고 있다.

또한, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터에서는, 530nm∼600nm의 파장역에 최대흡수를 가진 화합물이 하기 일반식(IA)에서 나타나는스쿠아릴륨계 화합물인 것을 특징으로 한다.

〔식(IA) 중, R¹는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아리올옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다. 여기서, 인접하는 R¹이 함께 되어, 알칸디일기나 알킬렌디옥시기를 형성하고 있어도 좋다.

R²는, 수소원자, 또는 1가의 치환기를 나타내며, G1은, -NR³-으로 나타나는 기(여기서, R³는, 수소원자, 또는 알킬기를 나타낸다), 또는 산소원자를 나타내며, G²는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타낸다(여기서, G²가 술포닐기인 경우에는, R²는 수소원자가 아니다).

m, n 및 p는 0 이상의 정수이고, m+n+p는 5 이하이다.

다만, 벤젠환상의 이들의 치환기는, 타방의 벤젠환과의 사이에서 서로 달라도 좋고, 또한, 일방의 벤젠환에 있어서, m 및 n이 2 이상일 때, R¹, 및 G¹-G²-R²로표시되는 기는, 동일환 내의 다른 치환기와의 사이에서 서로 달라도 좋다.

다음에, 제2의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 파장 400nm∼700nm의 가시광영역에, 적어도 1개의 투과율의 극소치를 가지고, 또한 극소의 투과율 중 최소의 투과율(％)과, 가시광영역의 최대투과율(％)과의 차이가 적어도 10 이상 있는 전자디스플레이용 필터에 있어서, 435nm, 545nm, 610nm에 있어서의 투과율(％)을 비교하고, 이들의 파장에 있어서의 투과율(％)의 최대치와 최소치의 차이를 10 이내로 규제한 것이다.

즉, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 필터는, 435nm, 545nm, 610nm에 있어서의 투과율(％)의 차이를 10 이내로 억제하고 있기 때문에, 외광이, 435nm, 545nm, 610nm에 큰 발광피크가 존재하는 F10이나 F6과 같은 형광등이라 하더라도, 발광스펙트럼의 밸런스가 크게 깨지는 일이 없고, 외광에 의한 필터의 부자연스러운 착색이 생기지 않는다.

상기 435nm, 545nm, 610nm에 있어서의 투과율(％)의 최대치와 최소치의 차이는, 바람직하게는 5 이내이다.

이 제2의 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는, 상기와 같이, 외광의 발광스펙트럼의 밸런스가 깨지지 않도록, 435nm, 545nm, 610nm의 파장에 있어서의 투과율(％)의 최대치와 최소치의 차이를 10 이내로 맞추는 것이 중요하고, 투과율(％) 자체는 특히 제한되지 않고, 80％∼5％의 범위에 있으면 좋다.

435nm, 545nm, 610nm 중 어느 하나의 파장근방에 최대흡수를 가지는 화합물을 함유함으로써, 이들의 파장의 투과율을 맞출 수 있다.

본 발명에 의한 전자디스플레이용 필터는, 파장 400nm∼700nm의 가시광 영역에, 적어도 하나의 투과율의 극소치를 가지고, 불필요한 발광성분을 제거하고 있다. 예를 들면, 플라스마 디스플레이용의 필터의 경우에는, 네온오렌지광을 흡수제거하기 위하여, 530nm∼600nm의 파장역에, 투과율의 극소치를 설치하고 있다.

즉, 530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치를 가진다는 것은, 이 파장역의 광선을 컷트하는 것을 의미하고 있다. 여기서「극소치」라고 하는 것은, 예를 들면 이차함수의 그래프 등에서 정의되어 있는 경우와 동일한 의미, 즉 그래프 상에 있어서 감소에서 증가로 바뀌는 변곡점(變曲点)을 의미하고, 최소치와는 다르다.

본 발명에 관한 전자디스플레이용 필터에 있어서는, 상기와 같이, 소정의 파장역에 투과율의 극소치를 가진 층을 갖는데, 이 층 이외에, 자외선흡수제를 함유하는 층, 근적외선 컷트층, 전자파 실드층, 반사방지층, 방현(防眩, nonglare)층 등을 적절히 조합하여 설치하는 것이 바람직하다.

또한, 제3의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 플라스마 디스플레이의 제조공정 중, 또는 플라스마 디스플레이의 제조 후에 플라스마 디스플레이의 표면에 간편하게 취부(取付)할 수 있고, 만일 플라스마 디스플레이가 파손되어도 파편이 비산하는 일이 없는 비산방지효과가 있는 필터를, 투명수지기재와 점착(粘着)제층이 각각 2층 이상 적층된 구조로 한 것이다.

또한 제3의 과제를 해결하는 본 발명에서는, 투명수지기재의 한 장의 두께가 40∼300㎛, 바람직하게는 40∼300㎛, 점착제층의 한 층의 두께가 5∼3000㎛, 바람직하게는 10∼100㎛인 것을 특징으로 한다.

또한, 제3의 과제를 해결하는 본 발명에 있어서는, 투명수지기재가 인열강도(引裂强度) 1.5N/mm 이상이고, 세로방향 인열강도/가로방향 인열강도의 비율이 0.5∼2.0인 것을 특징으로 한다.

그리고, 제3의 과제를 해결하는 본 발명에서는, 투명수지기재가 가시광선투과율 70％ 이상의 폴리에스테르계 수지로 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 제3의 과제를 해결하는 본 발명에서는, 점착제층의 일층은 플라스마 디스플레이패널의 전면(前面)에 첩부하기 위한 점착제층으로 되며, 표면에 박리필름을 설치한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 필터는, 전자디스플레이장치에 사용할 수 있다.

[발명의 효과]

이상 설명한 바와 같이, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치를 갖는 층을 가지기 위하여, 디스플레이의 발광을 크게 저하시키지 않으며, 디스플레이의 명소에서의 콘트라스트를 향상시키는 효과가 뛰어나다.

또한, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 435nm, 545nm, 610nm에 있어서의 투과율(％)의 차이를 10 이내로 억제하고 있기 때문에, 외광이, 435nm, 545nm, 610nm에 큰 발광피크가 존재하는 F10이나 F6과 같은 형광등이라고 하더라도, 발광스펙트럼의 밸런스가 크게 깨지는 일이 없고, 외광에 의한 필터의 부자연스러운 착색을 억제할 수 있다.

또한, 제3의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 본체가 유리로 만들어져 있는 플라스마 디스플레이의 제조공정 도중, 반송(搬送) 중이나 설치 후에 충격에 의해 플라스마 디스플레이가 파괴되더라도, 유리가 비산하는 일이 없는, 즉 비산방지효과가 뛰어나고, 또한 플라스마 디스플레이의 표면에 간편하게 부착하는 것이 가능하다.

이하, 본 발명에 관한 전자디스플레이용 필터의 실시의 형태에 대하여 보다 더 상세하게 설명한다. 도1은 본 발명의 전자디스플레이용 필터(10)를 전자디스플레이(11)의 전면에 배치하고, 전자디스플레이의 발광(12)을 크게 방해하는 일없이, 전자디스플레이 표면에서의 외광의 반사광(13)을 저감하고 있는 상태를 개념적으로 나타내는 구성설명도이다.

또한, 도2는 플라스마 디스플레이로 이루어진 전자디스플레이의 발광스펙트럼(발광스펙트럼14), 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼(발광스펙트럼15), 및 전자디스플레이용 필터의 투과스펙트럼(투과스펙트럼16)을 나타내는 특성도이다. 보통형 형광등 F6은, 조명으로서 널리 사용되고 있는 형광등을 대표시키는 것으로, JIS Z8719-1996에 기술되어 있는데, 이것을 표준적인 외광으로서 위치를 정한다.

본 발명의 전자디스플레이용 필터(10)는, 도1에 도시되는 바와 같이 전자디스플레이(11)의 전면에 배치하고, 전자디스플레이의 발광(12)을 크게 방해하는 일이 없고, 전자디스플레이 표면에서의 외광의 반사광(13)을 저감한다. 도1로부터 알 수 있는 바와 같이 외광(23)은 전자디스플레이용 필터(10)를 왕복하게 된다. 즉 전자디스플레이용 필터(10)에 의하여 외광(23)은 합계 2회, 약화되는 것으로 된다.

본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 도2에 예시하는 투과율곡선(16)과 같이 파장 530nm∼600nm에 투과율의 극소치(K)를 갖는데, 이것은, 즉 이 파장역의 광선을 컷트하는 것을 의미하고 있다. 여기서 「극소치」라고 하는 것은, 예를 들면 2차함수의 그래프 등에서 정의되어 있는 경우와 동일한 의미, 즉 그래프상에 있어서 감소에서 증가로 바뀌는 변곡점을 의미하고, 최소치와는 다르다.

도2에 도시되는 발광스펙트럼(14)으로부터 명백한 바와 같이 530nm∼600nm의 파장역은 플라스마 디스플레이의 발광이 약하고, 그러나 발광스펙트럼(15)으로부터 명백한 바와 같이 불요외광으로서의 보통형 형광등 F6의 발광이 강한 부분이고, 이 부분을 컷트함으로써, 플라스마 디스플레이로부터의 발광을 그다지 약하게 하지 않고 불요한 외광성분을 효과적으로 컷트할 수 있다. 즉, 디스플레이 표면에서의 외광의 반사성분을 줄이고, 화면표시의 흑부분을 보다 더 검게 할 수 있다. 이것에 의하여 디스플레이의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.

도3은, 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터를 투과한 후의 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼(발광스펙트럼140), 및 외광(보통형 형광등 F6)의 발광스펙트럼(발광스펙트럼150)을 나타내는데, 플라스마 디스플레이발광에 비교하여 외광이 크게 감소되고 있는 것을 알 수 있다. 단, 도3에 있어서 외광은 필터를 2번 투과시킨 것이다.

즉, 도1로부터 명백한 바와 같이 외광(23)은, 이 전자디스플레이용 필터(10)를 통과하여 불요한 성분이 컷트된 광선(13)이 되고, 이것이 플라스마 디스플레이(11)에 반사하고 다시 이 전자디스플레이용 필터(10)를 통과하여, 그 때 다시 불요한 성분이 컷트된 광선(3)으로 되는 것이다.

전자디스플레이용 필터의 극소투과율이 530nm보다도 단파장측(도2에 있어서파장530nm보다 왼쪽의 파장역)에 있으면, 이 파장역에는 외광성분이 적기 때문에 외광컷트의 효과가 낮고, 또한 플라스마 디스플레이의 녹색의 발광(발광스펙트럼(14)에 있어서의 포인트 G부근)을 방해(녹색을 흡수)하여 버리기 때문에 콘트라스트향상의 효과가 낮아져 바람직하지 않다. 또한, 극소투과율이 600nm보다도 장파장측(도2에 있어서 파장600nm보다 오른쪽의 파장역)이면, 디스플레이의 적색의 발광(발광스펙트럼(14)에 있어서의 포인트(R1, R2) 부근)을 방해(적색을 흡수)하여 버리기 때문에 바람직하지 않다.

또한, 530nm∼600nm의 파장역에 극소치(K)를 가지는 전자디스플레이용 필터의 투과스펙트럼(16)은 샤프(急峻)한 밸리형(계곡형)을 갖는 편이, 디스플레이 발광휘도의 확보를 위하여 바람직하다. 그리고, 플라스마 디스플레이에는 파장 595nm근방에 강한 발광이 있기 때문에, 530nm∼600nm의 부분을 컷트하면 이 파장역의 플라스마 디스플레이의 발광이 약화되어 콘트라스트가 저하하지만, 이 발광은 Ne 가스발광에 의한, 플라스마 디스플레이 본래의 발광을 방해하는 성분이기 때문에, 이 파장역의 발광성분을 컷트하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 전자디스플레이용 필터의 표면에, 외광이 비쳐 들어가는 것을 방지하는 반사방지층, 방현(防眩, antiglare)층을 설치하면, 콘트라스트향상의 효과를 보다 더 높일 수 있다.

530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위하여, 이 파장역에 흡수를 가지는 화합물을 사용하는 경우, 그 화합물의 일례로서는, 상술한 일반식(IA)에서 표시되는 스쿠아릴륨계 화합물이 바람직하다. 알맞은 스쿠아릴륨계화합물의 구체적인 예를 이하에 나타낸다.

제1의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 이 스쿠아릴륨계 화합물을 단독 또는 혼합하여 함유한다. 그 함유형태로서는, 대표적으로는, 시트형상 혹은 필름형상의 투명기재상에, 상술한 스쿠아릴륨계 화합물을 함유하는 바인더수지에 의해 스쿠아릴륨계 화합물 함유 수지층을 형성시킨 적층체, 또는 상기 스쿠아릴륨계 화합물을 함유하는 바인더수지 자체로 이루어진 스쿠아릴륨계 화합물 함유 수지의 단층시트 혹은 필름을 들 수 있다.

또한, 복수의 스쿠아릴륨계 화합물을 함유하는 경우, 각각을 별도로 바인더수지에 혼입시키고, 스쿠아릴륨계 화합물을 함유하는 각 바인더수지를 적층함으로써, 개개의 화합물이 별층에 존재하는 적층체의 형태를 취해도 좋다.

한편, 전자디스플레이용 필터의 물체색은 부자연스럽게 착색되어 있지 않는 것이 바람직하다. 즉, 자연스러운 회색 혹은 자연스러운 파랑인 것이 바람직하기때문에, 불요한 외광을 유효하게 컷트하면서, 전자디스플레이의 청색(발광스펙트럼(14)에 있어서의 포인트 B부근)이나 녹색(발광스펙트럼(14)에 있어서의 포인트 G부근)의 발광을 저해하지 않고, 또한 자연스러운 회색 혹은 자연스러운 파랑의 색조인 필터를 얻기 위하여, 530nm∼600nm의 파장역뿐만 아니라, 470nm∼520nm의 파장역, 바람직하게는 480nm∼510nm의 파장역에서도 투과율의 극소치를 갖게 하여도 좋다. 또한, 이 목적으로 380nm∼420nm의 파장역의 투과율을 저하시켜도 좋다.

제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 반사방지, 근적외선 흡수, 전자파 흡수 등, 필터로서 필요한 기능을 포함하는 구성에 있어서, 530nm∼600nm의 파장역에 있어서 투과율의 극소치(K)가, 30％ 이하, 바람직하게는 20％ 이하이며, 또한 설치대상으로 하는 전자디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1이, 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2 보다도 높으면 콘트라스트 향상의 효과가 높다.

단, 전자디스플레이발광의 휘도를 크게 저하시키지 않기 위하여, 상기 시감투과율 Y1이 35％ 이상, 바람직하게는 40％ 이상, 더 바람직하게는 45％ 이상인 것이 바람직하다. 시감투과율이, JIS Z8105-1982에 기술된, 물체를 투과하는 광속Φt와 물체에 입사(入射)하는 광속Φi와의 비, Φt/Φi이며, 사람의 시각계의 밝기감각에 대한 상대분광응답도(분광시감효율)를 고려한 결과, 380nm∼780nm의 파장역에 있어서의 투과율의 평균이고, 이것은 물체의 상대적인 명암을 제시하는 명도와 거의 상관(相關)하기 때문에, 시감투과율을 필터의 밝기/어두움의 지표로 하고 있다.

콘트라스트 향상의 효과를 더욱 높이기 위해서는,

C=(Y1)/(Y2)²……… (1)

에서 나타나는 필터 콘트라스트치 C가, 2.4 이상, 바람직하게는 2.7 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 이상인 것이 중요하다.

상술한 필터 콘트라스트치 C라고 하는 것은, 전자디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1에 의하여 디스플레이발광의 투과의 용이함을, 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2에 의하여 불요외광으로서의 형광등 발광의 투과의 어려움을 나타내고, 이들의 비에 의해 명소(明所)에서의 콘트라스트를 표현하는 것이다. (1)식 중에서 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2을 자승하고 있는 것은, 외광(23)으로서의 형광등 발광이 전자디스플레이 외부로부터 입사시에 전자디스플레이용 필터를 투과하고, 그 후 전자디스플레이 표시면에서 반사하고 다시 필터를 투과, 전자디스플레이 외부로 출사(出射)해 가는 경우의 합계 2회의 투과를 고려한 것이다(도1참조).

필터 콘트라스트치 C가 2.4 미만인 경우, 종래 사용되고 있는 ND필터(neutral density filter; 가시광역에서의 투과율이 한결같은 필터로, 광량을 낮추기 위한 목적으로 사용된다), 혹은 ND필터에 유사한 필터와 동등한 효과밖에 얻을 수 없다. 또한, 본 발명의 전자디스플레이용 필터의 내광성을 높이기 위하여 자외선 흡수층을 설치할 수 있다.

또한 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 근적외선 컷트층이나 전자파 컷트층을 설치할 수 있다. 근적외선 컷트층은, 플라스마 디스플레이로부터 방사되는 근적외선에 의한 리모컨이나 전송계 광통신에 있어서의 오동작을 방지할 목적으로 디스플레이의 전면에 설치한다. 전자파 컷트층은, 금속산화물 등의 증착(蒸着) 또는 스퍼터링방법, 혹은 동박이나 동도금층의 에칭에 의한 메쉬 등을 이용할 수 있고, 전자디스플레이로부터 방사되는 전자파를 컷트한다.

이 전자디스플레이용 필터는 단독은 물론 투명한 유리나 다른 투명수지판 등과 첩합(貼合)한 적층체로서 사용할 수 있다. 제1의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터를 사용하여, 전자디스플레이, 또는 플라스마 디스플레이 패널표시장치를 얻기 위해서는, 표시장치로서, 공지의 표시장치 혹은 시판품이라면 특히 한정없이 사용할 수 있다.

이하에, 제1의 과제를 해결하는 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 그 취지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.

필터의 평가방법:

1. 시감투과율(정의 JIS Z8105-1982)

시마즈(島津)회사 제품 분광광도계 UV3100PC에 의하여 측정한 필터의 투과스펙트럼을 사용하고, XYZ표색계의 삼자극치(三刺激値)의 Y를 계산하고, 시감투과율로 하였다. 계산방법은, JIS Z8722-2000에 의한다.

또한, 상술한 (1)식 중에서 사용하는 전자디스플레이의 발광스펙트럼으로서, MINOLTA회사 제품 분광휘도계로 측정한 FUJITSU GENERAL회사 제품 플라스마 디스플레이(PDS4221J-H)의 발광스펙트럼을 사용하였다.

2. 콘트라스트의 시감 평가:

상술한 FUJITSU GENERAL사 제품 플라스마 디스플레이의 앞에 필터를 설치하고 나서 디스플레이 중심부에 흰색을 표시하고, 그 주변에는 아무것도 표시하지 않는(디스플레이발광 없음) 상태에서, 육안으로 콘트라스트를 평가하였다. 평가는 흰색형광등이 천정에 설치된 방 안에서 행하였다.

(실시예1)

폴리에틸렌테레프탈레이트로 된 필터(미쯔비시 화학폴리에스테르필름사 제품 PET필름「T600E」, 두께50㎛)에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80; 미쯔비시레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에 상기 구체예(1-2)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물) 0.58wt％/수지분, DME, 톨루엔을 혼합용해하고, NO.20 바코터(太祐機材사 제품)로 도공(塗工)하고, 건조하여, 막두께 4.5㎛의 코팅막을 갖는 필터를 얻었다. 이것을 필터A로 한다.

폴리에틸렌테레프탈레이트로 된 필름(미쯔비시화학 폴리에스테르필름사 제품PET필름「T600E」, 두께50㎛)에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80;미쯔비시 레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에 디임모늄계 근적외선 흡수색소(N,N,N',N',-테트라키스(p-디부르틸아미노페닐)-p-페닐렌디임모늄의 육(六)불화안티몬산염) 7.6％/수지분, 톨루엔, MEK을 혼합용해하고, NO.30의 바코터(太祐機材사 제품)로 도공하고, 건조하여 코팅막을 갖는 필름의 이면에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80; 미쯔비시 레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에디티올니켈 착체(錯體) 근적외선 흡수색소{비스-2,2'-〔1, 2-디(3-클로로페닐)에틸렌디이민〕벤젠티올레이트}니켈(II) 9.2wt％/수지분, 톨루엔, THF을 혼합용해하여 동일하게 코팅한 필터와, 상기 필터A와, 전자파실드메쉬(선폭10㎛, 선피치250㎛), 유리를 첩합(貼合)하고, 또한 반사방지필름(일본유지 제품 리어룩1200)을, UV흡수제를 첨가한 점착제에 의해 첩합하고, 전자디스플레이용 필터를 얻었다.

이 필터의 파장550nm∼600nm에 있어서의 극소투과율 및 그 파장위치, 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1, 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2, 필터 콘트라스트치 C를 평가하였다. 각 평가결과를 표1에 나타낸다.

(실시예2)

상기 구체예(I-2)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)을 대신하여 상기 구체예(I-1)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)을 0.23wt％/수지분 만큼 첨가한 이외에는, 실시예1과 동일하게 하여 전자디스플레이용 필터를 얻었다.

얻어진 필터의 파장 550nm∼600nm에 있어서의 극소투과율 및 그 파장위치, 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1, 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2, 필터 콘트라스트치 C를 평가하였다. 각 평가결과를 표1에 나타낸다.

(비교예1)

상기 구체예(I-2)의 화합물을 첨가하지 않았던 것 이외에는, 실시예1과 동일하게 하여 전자디스플레이용 필터를 얻었다.

얻어진 필터의 파장550nm∼600nm에 있어서의 극소투과율 및 그 파장위치, 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1, 보통형 형광등 F6의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y2, 필터 콘트라스트치 C를 평가하였다. 각 평가결과를 표1에 나타낸다.

(비교예2)

상기 구체예(I-2)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)의 첨가량을 0.24wt％/수지분으로 한 이외에는, 실시예1과 동일하게 하여 전자디스플레이용 필터를 얻었다.

콘트라스트의 시감평가:

실시예1, 실시예2는 모두 콘트라스트가 높게 느껴졌다. 비교예1은 디스플레이발광은 강한데, 발광하고 있지 않는 부분에 외광(실내의 형광등)이 강하게 비쳐 들어가기 때문에 흑(黑)이 흰 빛을 띠게 되고, 콘트라스트는 가장 낮게 느껴졌다. 비교예2는, 디스플레이발광은 비교적 강한데, 역시 외광이 비쳐 들어가는 것이 강하기 때문에 콘트라스트는 낮게 느껴졌다.

	콘트라스트	극소투과위치	시감투과율Y1(％)	시감투과율Y2(％)	필터콘트라스치 C
실시예1	○	580㎚	43.5	36.1	3.1
실시예2	○	570㎚	48.5	40.8	2.7
비교예1	×	없음	62.8	64.1	1.6
비교예2	△	580㎚	53.4	49.7	2.3

다음에, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 실시의 형태를 상세하게 설명한다.

도4 및 도5는, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 필터의 투과스펙트럼을 나타내는 도이고, 가로축에 파장, 세로축에 각 파장의 투과율(％)을 나타내고, 함께 플라스마 디스플레이의 발광스펙트럼을 제시하고 있다.

도4에 나타내는 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 필터는, 파장 530∼600nm에 투과율의 극소치(K)를 하나 가지고 있다.

530∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치(K)를 갖는다고 하는 것은, 즉 이 파장역의 광선을 컷트하는 것을 의미하고, 이 530∼600nm의 파장역은 녹색발광과 적색발광과의 사이의 오렌지발광부분(네온발광)이고, 이 부분을 컷트함으로써 선명한 적색표시를 얻을 수 있고, 그것에 더하여 색온도를 높일 수 있으므로, 보다 바람직한 색조의 화상을 얻을 수 있다. 극소투과율이 530nm보다 단파장측이면, 네온발광을 컷트하는 효과가 낮고, 색온도를 높이는 효과도 낮기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 극소투과율이 600nm보다도 장파장측이면, 디스플레이의 적색의 발광을 저해(적색을 흡수)하여 버리기 때문에 바람직하지 않다.

또한, 530∼600nm의 파장역에 극소치를 갖는 투과스펙트럼은 샤프(急峻)한 밸리형(계곡형)을 갖는 편이, 적발광의 색순도 향상, 및 시야의 밝기를 확보하기위하여 바람직하다.

이 도4의 예에서는, 상기와 같이, 네온발광을 컷트하기 위하여, 530∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치(K)를 설치하고 있기 때문에, 이 극소치(K)의 존재에 의해, 610nm의 투과율(％)의 값(c)은, 50％부근에 있다.

제2의 과제를 해결하는 본 발명은, 이 610nm의 투과율(％)의 값(c)과, 435nm, 545nm의 투과율(％)의 값(a, b)을 같게 함으로써, 외광의 투과스펙트럼의 밸런스가 깨지지 않도록 하고 있다. 즉, 610nm, 435nm, 545nm의 투과율(％)의 값(a, b, c)의 최대치와 최소치와의 차이가 10이내로 되도록 규제하는 것 다시 말해, 610nm의 투과율(％)(c)에 대하여, │c-a│≤10(％), │c-b│≤10(％), │a-b│≤10(％)이 되게, a, b의 값을 맞추고 있다.

도5에 도시하는 필터는, 네온발광을 컷트하기 위하여, 530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치(K)를 가지고, 610nm의 투과율(％)의 값(c)과, 435nm, 545nm의 투과율(％)의 값(a, b)을 맞추기 위하여, 435nm근방과, 545nm근방에도 극소치(Ka, Kb)를 갖도록 하고, 극소치(Ka, Kb)에 의해, 610nm의 투과율(％)(c)에 대하여, │c-a│≤10(％), │c-b│≤10(％), │a-b│≤10(％)로 되도록, a, b의 값을 50％ 근방의 값으로 통일시키고, 전자디스플레이용 필터자체가 부자연스럽게 착색되지 않도록 하고 있다. 즉 전자디스플레이용 필터자체의 색은, 자연스러운 회색 혹은 자연스러운 파랑인 것이 바람직하기 때문에, 전자디스플레이의 청색이나 녹색의 발광을 저해하지 않고, 또한 자연스러운 회색 혹은 자연스러운 파랑의 색조인 필터를 얻기 위하여, 530nm∼600nm의 파장역에 더하여, 435nm 근방과, 545nm 근방에도 극소치(Ka, Kb)를 갖게 하고 있다.

제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 435nm, 545nm, 및 610nm 중 어느 하나의 파장 근방에 최대흡수를 갖는 화합물을 함유함으로써, 이들의 파장의 투과율을 맞출 수 있다.

이 경우에 사용되는 화합물로서는, 특히 한정되지 않는데, 435nm, 545nm, 및 610nm에서의 빛(光)의 흡수량을 조정하는데 있어서, 이들의 파장의 근방에 최대흡수를 갖는 화합물이면 좋다.

435nm의 근방에 최대흡수를 갖는 화합물로는, 하기 일반식(IV)의 화합물을 들 수 있다.

〔식(IV) 중, R₃은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 수소원자를 나타내며, R₄는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아미노기, 또는 수소원자를 나타내며, R₅는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 수소원자를 나타내며, Y는, 산소원자, 또는 이미노기를 나타내고, 이들의 R₄, R₅, 및 Y는, 양쪽의 피라졸환의 사이에서 서로 달라져 있어도 좋다.〕

상기 일반식(IV)에 있어서의 치환기 R₃및 R₅의 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬(直鎖)형상 혹은 분기사슬 형상의 것이, 또한, R₃및 R₅의 시클로알킬기로는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수1∼20인 것이, 또한, R₃및 R₅의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 상기 시클로알킬기, 및 아릴기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10인 알콕시기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 페녹시기, 나프틸기 등의 아릴옥시기, 술폰아미드기, 알킬술폰아미드기, 디알킬술폰아미드기, 니트로기, 수산기, 및 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(IV)에 있어서, R₃및 R₅로서는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, (2)알킬기, 알콕시기, 술폰아미드기, 알킬술폰아미드기, 디알킬술폰아미드기, 니트로기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 (3)수소원자, 가 바람직하며, 특히, R₃으로서는, 수소원자, 탄소수1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상알킬기, 또는 페닐기가 바람직하고, R₅로서는, 탄소수1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, 또는 알킬기 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 페닐기가 바람직하다.

또한, 상기 일반식(IV)에 있어서의 R₄의 알킬기로서는, 상기 R₃및 R₅에 있어서의 알킬기로서 든 것과 동일한 것이, 또한, R₄의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬(直鎖)형상 혹은 분기사슬(分岐鎖)형상의 것이, 또한, R₄의 알콕시카르보닐기로는, 상기 알콕시기를 갖는 카르보닐기가, 또한, R₄의 시클로알킬기로는, 상기 R₃및 R₅에 있어서의 시클로알킬기로 든 것과 동일한 것이, 또한, 아릴기로는, 상기 R₃및 R₅에 있어서의 아릴기로서 든 것과 동일한 것이, 또한 R₄의 아릴옥시기로는, 페녹시기, 나프틸옥시기 등이, 또한, R₄의 아릴옥시카르보닐기로는, 상기 아릴옥시기를 갖는 카르보닐기를, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴옥시카르보닐기, 및 아미노기의 치환기로서는, 예를 들면, 상기 R₃및R5에 있어서의 알킬기, 시클로알킬기, 및 아릴기의 치환기로서 든 것과 동일한 알킬기, 마찬가지로 알콕시기, 마찬가지로 아릴기, 마찬가지로 아릴옥시기, 마찬가지로 술폰아미드기, 마찬가지로 알킬술폰아미드기, 마찬가지로 디알킬술폰아미드기, 마찬가지로 니트로기, 마찬가지로 할로겐원자, 그리고, 프로피오닐기, 부티릴기, 벤조일기 등의 아실기, 메탄술포닐기, 벤젠술포닐기 등의 술포닐기, 수산기, 및 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(IV)에 있어서, R₄로는, 상기 중에, (1)알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, (2)알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알콕시기, (3)알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 갖는 카르보닐기, (4)알킬기, 알콕시기, 술폰아미드기, 알킬술폰아미드기, 디알킬술폰아미드기, 니트로기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기, (5)알킬기, 혹은 알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기를 갖는 카르보닐기, 또는, (6)알킬기, 아실기, 또는 술포닐기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아미노기, 가 바람직하고, 특히, 탄소수1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 바람직하다.

또한, 상기 일반식(IV)에 있어서, Y로서는 산소원자가 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 일반식(IV)에서 나타나는 디피라조릴메틴계 화합물로서는, 상기 R4, R5, 및 Y는, 양쪽의 피라졸(pyrazole)환의 사이에서 서로 달라도 좋지만, 메틴기를 끼워서 좌우 대칭인 것이 바람직하다.

435nm의 근방에 최대흡수를 갖는 화합물로서는, 일반식(IV)의 화합물 중, Y가 산소원자, R₃이 수소원자이고, R₄및 R₅가, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기의 경우가 특히 바람직하다.

그 바람직한 구체예를 이하에 나타낸다.

또한, 545nm근방에 최대흡수를 갖는 화합물로서는, 하기 일반식(I)의 화합물을 들 수 있다.

〔식(I)중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기 A는, 수산기, 또는 W-X-R₂(W는, 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내며, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내고, R₂는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 복소환기를 나타내고, m=0, 또는 1부터 4의 정수를 나타내고, m'=0, 또는 1을 나타낸다)를 나타낸다.〕

일반식(I)에 있어서의 R₁의 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것이, 또한, R₁의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기,프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 수산기, 또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(I)에 있어서의, R₁로는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상알킬기, 또는 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상알콕시기가 특히 바람직하다.

또한, 상기 일반식(I)에 있어서의 W-X-R₂중의 알킬이미노기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8의 직사슬형상, 혹은 분기사슬형상인 것이 바람직하고, W로서는, 이미노기, 또는 알킬이미노기가 바람직하고, 이미노기가 특히 바람직하다. 단, X가 술포닐기일 때, R₂는 수소원자가 아니다.

또한, W-X-R₂중의 R₂의 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기로서 든 것과 동일한 알킬기, 비닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 3-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-테트라히드로퓨릴기, 2-티에닐기 등의 복소환기 등을 들 수 있으며, 이들의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 및 복소환기는, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기, 알콕시기의 치환기로서 든 것과 동일한, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 또는 할로겐원자, 혹은 아릴기 등을 치환기로서 갖고 있어도 좋다.

상기 R₂중, 상기 R₁의 바람직한 기(基)와 동일한 알킬기, 또는, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, 또는, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 비닐기가 특히 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 나타낸다.

또한, 545nm의 근방에 최대흡수를 가진 화합물로서는, 하기 일반식(Ⅱ)의 화합물을 들 수 있다.

〔식(Ⅱ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기 A는, 수산기, 또는 W-X-R₂(W는 이미노기를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내고, R₂는, 수소원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 복소환기를 나타내고, m은, 0 또는 1을 나타내고, R₆, R₇은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내고, Z는, 산소원자를 나타낸다)를 나타낸다.]

일반식(Ⅱ)에 있어서의 R₁의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것이, 또한, R₁의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 페닐기 등의 아릴기, 수산기, 또는 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(Ⅱ)에 있어서, R₁로는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 특히 바람직하다.

또한, 상기 일반식(Ⅱ)에 있어서의 W-X-R₂중의 W의 알킬이미노기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8의 직사슬형상, 혹은 분기사슬형상의 것이 바람직하고, W로서는, 이미노기, 또는 알킬이미노기가 바람직하고, 이미노기가 특히 바람직하다. 그리고, X가 술포닐기일 때, R₂는 수소원자가 아니다.

또한, W-X-R₂중의 R₂의 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 R1에 있어서의 알킬기로서 든 것과 동일한 알킬기, 비닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 3-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-테트라히드로퓨릴기, 2-티에닐기 등의 복소환기 등을 들 수 있고, 이들의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 및 복소환기는, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기, 알콕시기의 치환기로서 든 것과 동일한, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 또는 할로겐원자, 혹은 아릴기 등을 치환기로서 갖고 있어도 좋다.

상기, R₂중, 상기 R₁의 바람직한 기(基)와 동일한 알킬기, 또는, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기가 특히 바람직하다.

R₆, 및 R₇의 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기로는, 상기R₂에서 든 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 들 수 있다.

상기, R₆, 및 R₇중, 상기 R₂의 바람직한 기(基)와 동일한 알킬기, 또는 아릴기가 특히 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 나타낸다.

또한, 610nm의 근방에 최대흡수를 가진 화합물로서는, 하기 일반식(Ⅲ)의 화합물을 들 수 있다.

〔식(Ⅲ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기B는, W-CO-R₂(W는, 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, R₂는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알키닐기를 나타내고, m 및 m'은, 각각 독립하여, 0 또는 1을 나타낸다)를 나타낸다.〕

일반식(Ⅲ)에 있어서의 R₁의 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것이, 또한, R₁의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 페닐기 등의 아릴기, 수산기, 또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(Ⅲ)에 있어서, R₁로는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, 또는 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알콕시기가 특히 바람직하다.

또한, 상기 일반식(Ⅲ)에 있어서의 W-CO-R₂중의 W의 알킬이미노기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8의 직사슬형상, 혹은 분기사슬형상의 것이 바람직하고, W로서는, 이미노기, 또는 알킬이미노기가 바람직하고, 이미노기가 특히 바람직하다.

또한, W-X-R₂중의 R₂로는, 비닐기 등의 알케닐기, 아세틸렌기 등의 알키닐기 등을 들 수 있고, 이들의 알케닐기, 알키닐은, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기, 알콕시기의 치환기로서 든 것과 동일한, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 또는 할로겐원자, 혹은 아릴기 등을 치환기로서 갖고 있어도 좋다.

상기 R2 중, 탄소 수1∼8의 알킬기, 또는 페닐기로 치환되어 있어도 좋은 비닐기가 특히 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 나타낸다.

또한, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이 필터에는, 그것에 더하여 530∼600nm부근에 최대흡수를 갖는 화합물을 병존시키는 것이 바람직하고 상술한 일반식(Ⅳ), (Ⅰ), (Ⅱ), 및 (Ⅲ)이외에, 하기의 일반식(Ⅴ)∼(XI)의 화합물을 들 수 있다.

〔식(Ⅴ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, W-X-R₂중의 W는, 이미노기, 알킬이미노기, 또는 산소원자를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내며, R₂는, 1가기, 또는 수소원자를 나타내고, 1 및 1'은 각각 독립하여 0∼5의 정수, m 및 m'은 각각 독립하여 0∼5의 정수, n 및 n'는 각각 독립하여 0∼3의 정수이고, 1+m+n≤5, 및 1'+m'+n'≤5이고, 벤젠환상에 R₁및 W-X-R₂가 각각 복수개 존재할 때, R₁및 W-X-R₂의 각각은, 일방의 벤젠환에 있어서, 또한, 타방의 벤젠환과의 사이에서, 서로 달라져 있어도 좋다.〕

일반식(Ⅴ)에 있어서의 R₁의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것이, 또한, R₁의 알콕시기로서, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것이, 또한, R₁의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼20의 것이, 또한, R₁의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등이, 또한, R₁의 아릴옥시기로서는, 예를 들면, 페녹시기, 나프틸옥시기 등이, 또한, R₁의 할로겐원자로서는, 예를 들면, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 아릴옥시기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 수산기, 또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(Ⅴ)에 있어서, R₁로는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, (2)알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알콕시기, (3)알킬기, 알콕시기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기, (4)알킬기, 알콕시기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 또는 (5)할로겐원자, 가 바람직하고, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, 또는 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알콕시기가 특히 바람직하다.

또한, 상기 일반식(Ⅴ)에 있어서의 W-X-R₂중의 W의 알킬이미노기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것이 바람직하고, W로서는, 이미노기, 또는 알킬이미노기가 바람직하고, 이미노기가 특히 바람직하다. 그리고, X가 술포닐기일 때, R₂는 수소원자가 아니다.

또한, W-X-R₂중의 R₂의 1가기(價基)로서는, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기로서 든 것과 동일한 알킬기, 상기 R₁에 있어서의 알콕시기로서 든 것과 동일한 알콕시기, 상기 R₁에 있어서의 시클로알킬기로서 든 것과 동일한 시클로알킬기, 상기 R₁에 있어서의 아릴기로 든 것과 동일한 아릴기, 상기 R₁에 있어서의 아릴옥시기로서 든 것과 동일한 아릴옥시기, 그리고, 아미노기, 및, 3-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-테트라히드로퓨릴기, 2-티에닐기 등의 복소환기 등을 들 수 있고, 이들의 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 아릴기, 아릴옥시기, 아미노기, 및 복소환기는, 예를 들면, 상기 R₁에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 아릴옥시기의 치환기로서 든 것과 동일한, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 또는 할로겐원자, 혹은 아릴기 등을 치환기로서 갖고 있어도 좋다.

상기 R₂중, 상기 R₁의 바람직한 기(基)와 동일한 알킬기, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기가, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 2-퓨릴기, 탄소수 1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 2-테트라히드로퓨릴기가, 또는, 탄소수1∼8의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 시클로헥실기가 특히 바람직하다.

또한, 상기 일반식에 있어서, 1 및 1'은 각각 독립하여 0∼5의 정수, m 및 m'은 각각 독립하여 0∼5의 정수, n 및 n'은 각각 독립하여 0∼3의 정수이고, 1+m+n≤5, 및 1'+m'+n'≤5인데, 1 및 1'은 1이상이며, 1+m+n≤3, 및 1'+m'+n'≤3인 것이 바람직하고, 더욱 상세하게는, m 및 m'은 0이다. 또한, 벤젠환상에 R₁및 W-X-R₂가 각각 복수개 존재할 때, R₁및 W-X-R₂의 각각은, 일방의 벤젠환에 있어서, 또한, 타방의 벤젠환과의 사이에서, 서로 달라도 좋다. 또한, 일방의 벤젠환상에 인접하여 존재하는 R₁끼리 서로 연결되어 알칸디일기나 알킬렌디옥시기 등으로 되어 환상구조를 형성하여도 좋다.

〔식(Ⅵ) 중, R₁은, 할로겐원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기를 나타내고, m은 1∼3의 정수를, n은 1∼4의 정수를 나타낸다.〕

일반식(Ⅵ)에 있어서, 치환기 R₁로서는, 예를 들면, 다음의 (i)∼(vii)와 같은 것을 예시할 수 있다.

(i) 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자;

(ii)메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬 혹은 분기사슬알킬기;

(iii)치환기로서 히드록시기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 부톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 아세틸옥시기카르보닐기, 프로피오닐옥시카르보닐기 등의 아실옥시카르보닐기, 메톡시카르보닐옥시기, 에톡시카르보닐옥시기, 부톡시카르보닐옥시기 등의 알콕시카르보닐옥시기, 시클로헥실기, 페닐기 등을 갖는 상기 탄소수 1∼20의 직사슬 혹은 분기사슬알킬기;

(iv) 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬 혹은 분기사슬알콕시기;

(v) 치환기로서 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기 등의 탄소수 1∼8의 알콕시기를 갖는 상기 탄소수 1∼20의 직사슬 혹은 분기사슬 알콕시기;

(vi) 에테닐기 등의 알케닐기;

(vii) 치환기로서 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 알킬기, 페닐기, 4-히드록시페닐기, 4-알콕시(예를 들면, 탄소수 1∼10의 알콕시기)페닐기, 3, 4-비스알콕시(예를 들면, 탄소수1∼10의 알콕시기)페닐기, 3, 5-비스알콕시(예를 들면, 탄소수 1∼10의 알콕시기)페닐기, 3, 4, 5-트리스알콕시(예를 들면, 탄소수 1∼10의 알콕시기)페닐기로 치환된 에테닐기 등의 알케닐기.

이들 중, R은 탄소수 1∼6의 직사슬 혹은 분기사슬의 알킬기; 수산기 혹은 알콕시카르보닐기로 치환된 탄소수 1∼6의 직사슬 혹은 분기사슬의 알킬기; 탄소수 1∼6의 알콕시기; 또는 치환기를 갖는 에테닐기가 특히 바람직하다.

〔식(Ⅶ) 중, R₆은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 수소원자를 나타내고, R₇은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아미노기, 수산기, 또는 수소원자를 나타내고, Z는, 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, L은, 수소원자, 또는 -XR(R은, 1가기, 또는 수소원자를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타낸다)을 나타내고, 이들의 R₆, R₇, L 및 Z는, 양쪽의 피라졸환의 사이에서 서로 달라도 좋다.〕

상기 일반식(Ⅶ)에 있어서의 치환기 R₆의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기,에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것이, 또한, R₆의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수1∼20의 것이, 또한, R₆의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 상기 시클로알킬기, 및 아릴기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 페녹시기, 나프틸옥시기 등의 아릴옥시기, 포름아미노기, 알킬카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아미노카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 디알킬아미노카르보닐기, 아미노술포닐기, 알킬아미노술포닐기, 디알킬아미노술포닐기, 아미노기, 니트로기, 수산기, 및 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(Ⅶ)에 있어서, R₆으로서는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, 또는 (2)알킬기, 알콕시기, 아미노기, 알킬카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 니트로기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기가 바람직하며, 특히, 알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도좋은 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상알킬기가 바람직하다.

또한, 상기 알반식(Ⅶ)에 있어서의 R₇의 알킬기로서는, 상기 R₆에 있어서의 알킬기로서 든 것과 동일한 것을, 또한, R₇의 알콕시기로는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것을, 또한 R₇의 알콕시카르보닐기로서는, 상기 알콕시기를 갖는 카르보닐기를, 또한, R₇의 시클로알킬기로서는, 상기 R₆에 있어서의 시클로알킬기로서 든 것과 동일한 것을, 또한, 아릴기로서는, 상기 R₆에 있어서의 아릴기로서 든 것과 동일한 것을, 또한, R₇의 아릴옥시기로서는, 페녹시기, 나프틸옥시기 등을, 또한, R₇의 아릴옥시카르보닐기로서는, 상기 아릴옥시기를 갖는 카르보닐기를, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴옥시카르보닐기, 및 아미노기의 치환기로서는, 예를 들면, 상기 R₆에 있어서의 알킬기, 시클로알킬기, 및 아릴기의 치환기로서 든 것과 동일한 알킬기, 마찬가지로 알콕시기, 마찬가지로 아릴기, 마찬가지로 아릴옥시기, 마찬가지로 술폰아미드기, 마찬가지로 알킬술폰아미드기, 마찬가지로 디알킬술폰아미드기, 마찬가지로 니트로기, 마찬가지로 할로겐원자, 그리고, 프로피오닐기, 부티릴기, 벤조일기 등의 아실기, 메탄술포닐기, 벤젠술포닐기 등의 술포닐기, 수산기, 그리고 할로겐원자 등을 들 수 있다.

상기 일반식(Ⅶ)에 있어서의, R₇로서는, 상기 중에서, (1)알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, (2)알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알콕시기, (3)알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 가진 카르보닐기, (4)알킬기, 알콕시기, 술폰아미드기, 알킬술폰아미드기, 디알킬술폰아미드기, 니트로기, 수산기, 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기, (5)알킬기, 혹은 알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기, (5)알킬기, 혹은 알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아릴기를 갖는 카르보닐기, 또는 (6)알킬기, 아실기, 혹은 술포닐기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 아미노기, 가 바람직하고, 특히, 알콕시기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기가 바람직하다.

또한, -X-R 중의 R의 1가기로서는, R₆에 있어서의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, R₆에 있어서의 아릴기를 갖는 아릴옥시기, 그리고, 아미노기, 및, 3-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-테트라히드로퓨릴기, 2-티에닐기 등의 복소환기, 비닐기 등의 알케닐기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(Ⅶ)에 있어서의 Z의 알킬이미노기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것이 바람직하고, Z로서는, 이미노기, 또는 알킬이미노기가 바람직하며, 이미노기가 특히 바람직하다. 그리고, X가 술포닐기일 때, R은 수소원자가 아니다.

〔식(Ⅷ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, W는, 이미노기, 알킬이미노기, 또는 산소원자를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내고, R₂는, 1가기, 또는 수소원자를 나타내고, 1은 0∼5의 정수, m은 0∼5의 정수, n은 0∼3의 정수이며, 1+m+n≤5이고, 벤젠환상에 R₁및 W-X-R₂가 각각 복수개 존재할 때, R₁및 W-X-R₂의 각각은 달라도 좋다. R₆은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 수소원자를 나타내고, R₇은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시카르보닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아미노기, 수산기, 또는 수소원자를 나타내고, Z는, 산소원자, 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, L은, 수소원자, 또는 -XR(R은, 1가기, 또는 수소원자를 나타내고, X은, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타낸다)을 나타낸다.〕

상기 일반식(Ⅷ)에 있어서의 R₁, R₂, W, X, 1, m, n은, 일반식(Ⅴ)에 있어서와 같은 의의를 나타내고, R₆, R₇, L, Z는, 일반식(Ⅷ)에 있어서와 같은 의의를 나타낸다.

〔식(Ⅸ) 중, R₁은, 수산기, 아미노기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내고, R₂는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 할로겐원자를 나타내고, s는 0∼5의 정수를 나타낸다.〕

일반식(IX)에 있어서의 R₁의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것을, 또한, R₂의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을, 각각 들 수 있다.

R₂의 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 R₁과 동일한 알킬기를, 또한, R₂의 아릴기로서는, 예를 들면, 상기R₁과 동일한 아릴기를 들 수 있다.

또한, R₂의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것을, 또한, R₂의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼20의 것을, 또한, R₁의 할로겐원자로서는, 예를 들면, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 및 아릴기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 수산기,또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자를 들 수 있다.

〔식(Ⅹ) 중, R₁은, 수산기, 아미노기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내고, R₂는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내며, s는 0∼3의 정수를 나타낸다.〕

일반식(Ⅹ)에 있어서의, R₁, R₂의 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것을, 또한, R₁, R₂의 아릴기로는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을, 각각 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 및 아릴기의 치환기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼10의 시클로알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 수산기, 또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

〔식(XI) 중, R₁∼R₈은, 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 아미노기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬아미노기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 디알킬아미노기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬티오기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴티오기를 나타내고, 또한, R₁과 R₂, R₃과 R₄, R₅와 R₆, R₇과 R₈은 각각 연결하여 지방족 탄소환을 형성하여 있어도 좋다. M은, 2개의 수소원자, 2가의 금속원자, 3가1치환 금속원자, 4가2치환 금속원자 또는 옥시금속원자를 나타낸다.〕

상기 일반식(XI)에 있어서, 할로겐원자로는, 예를 들면, 불소원자, 염소원자, 취소원자를 들 수 있으며, 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상, 분기사슬형상 혹은 환형상인 것을 들수 있고, 알콕시기로는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 펜타데실옥시기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상인 것을 들 수 있고, 아릴기로는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등의 탄화수소계아릴기, 또는, 티에닐기, 퓨릴기, 또는 피리딜기 등의 복소환계 아릴기를 들 수 있고, 아릴기옥시기로서는, 예를 들면, 페녹시기, 나프틸옥시기 등의 탄화수소계 아릴옥시기, 또는 티에닐옥시기, 퓨릴옥시기, 또는 피리딜옥시기 등의 복소환계 아릴옥시기 등을 들 수 있고, 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 펜타데실기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기로 1치환 또는 2치환된 아미노기를 들 수 있고, 알킬티오기기로는, 예를 들면, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 운데실티오기, 도데실티오기, 트리데실티오기, 펜타데실티오기 등의 탄소수 1∼20의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상의 것을 들 수 있으며, 아릴티오기로는, 예를 들면, 페닐티오기, 나프틸티오기를 들 수 있다.

또한, 상기 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 알킬티오기, 및 아릴티오기의 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기 등의 탄소수 1∼10의 알콕시기; 수산기; 또는, 불소원자, 염소원자, 취소원자 등의 할로겐원자 등을 들 수 있다.

또한, R₁과 R₂, R₃과 R₄, R₅와 R₆, R₇과 R₈이 각각 연결하여, -(CH₂)₃-, -(CH₂)₄-, -(CH₂)₅- 등의 지방족 탄소환을 형성하여 있어도 좋다.

상기 일반식(XI)에 있어서, R₁∼R₈로서는, 상기 중에서, (1)알콕시기 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은, 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기, (2)직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기를 치환기로서 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, (3)알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐원자를 치환기로서 갖고 있어도 좋은, 아릴기, (4)할로겐원자, 또는 (5)각각이 연결하여 지방족 탄소환을 형성하고 있는 경우가 바람직하고, 탄소수 1∼8의 직사슬형상 혹은 분기사슬형상 알킬기 혹은 연결하여 -(CH₂)₃- 또는 -(CH₂)₄-를 형성하고 있는 경우가 특히 바람직하다.

상기 일반식(XI)에 있어서의 M으로서는, 2개의 수소원자; 혹은, 무기화학명명법1990년 규칙에 의거한 주기율표의 2속, 3속, 4속, 8속, 9속, 10속, 11속, 12속, 13속, 14속 또는 15속에 속하는 원소로부터 선택되는, 2가의 금속원자, 3가1치환 금속원자, 4가2치환 금속원자 또는 옥시금속원자를 나타내는데, 그 구체적인 예로서, 2가의 금속원자로서는, Cu, Zn, Fe, Co, Ni, Ru, Rd, Pd, Mn, Sn, Mg, Ti 등을 들 수 있고, 3가1치환 금속원자로서는, Al-Cl, Ga-Cl, In-Cl, Fe-Cl, Ru-Cl 등의 할로겐원자, 수산기 또는 알콕시기로 1치환된 금속원자를 들 수 있고, 4가2치환금속으로서는, SiCl₂, GeCl₂, TiCl₂, SnCl₂, Si(OH)₂, Ge(OH)₂, Mn(OH)₂, Sn(OH)₂등의 할로겐원자, 수산기 또는 알콕시기로 2치환된 금속원자를 들 수 있고, 옥시금속으로서는, VO, MnO, TiO 등을 들 수 있다. 이 중에서 바람직하게는, VO, Cu, Ni, Co를 들 수 있고, 더욱 바람직하게는, VO 및 Cu를 들 수 있다.

일반식(I)부터 일반식(Ⅹ)의 스쿠아릴륨계 화합물은, 치환기의 종류에 의해, 또한, 일반식(XI)의 테트라아자포르피린계 화합물인 경우, 치환기의 종류와 중심금속 M의 조합에 의하여, 흡수파장이 다르다.

530nm∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식(V)의 스쿠아릴륨계 화합물의 바람직한 예로는, 일본국 특허출원 평성2001 -265276호에서 예시한 화합물을 들 수 있다.

또한, 530nm∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식(Ⅲ)의 스쿠아릴륨계 화합물의 바람직한 예로서는, 일반식(Ⅲ) 중, m=3, n=0, 또는, m=3, n=1에서 R₁=치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기인 화합물을 들 수 있다.

또한, 530nm∼600nm 부근에 투과율의 극소치를 갖게 하기 위한 일반식(Ⅶ)의 스쿠아릴륨계 화합물의 바람직한 예로서는, 일반식(Ⅶ) 중, Z가 이미노기, L이 수소원자, R₆및 R₇이, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기인 화합물을 들 수 있다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 제시한다.

또한, 530nm∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식 (Ⅷ)의 스쿠아릴륨계 화합물로서는, 일반식(Ⅷ) 중, R₁=알킬기, -W-X-R₂에 있어서, W는, 이미노기, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기, R₂는, 치환기를 갖고 있어도 좋은알킬기, 또는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, l=2, 또는, 3, m=0, 또는 1, n=0 또는 1이고, Z가 산소원자, L이 수소원자, R₆및 R₇이, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기의 경우나, R₁=알콕시기, l=0, m=3, n=0이고, Z가 이미노기, L이 수소원자, R₆및 R₇이, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기의 경우가 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 제시한다.

또한, 530∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식(Ⅸ)의 스쿠아릴륨계 화합물로서는, 일반식(Ⅸ) 중, R₁은, 수소원자, 알킬기, 또는 아릴기, R₇은, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 또는 아릴기, s는, 0∼2인 경우가 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체예를 나타낸다.

또한, 530∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식(Ⅹ)의 스쿠아릴륨계 화합물로서는, 일반식(Ⅹ) 중, R₁=수소원자, 알킬기, 또는 아릴기, R₂는, 알킬기, 또는 아릴기, s=2, 또는, 3인 경우가 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 나타낸다.

또한, 530∼600nm 부근에 투과율의 극소치(K)를 갖게 하기 위한 일반식(XI)의 테트라아자포르피린계 화합물로서는, 일반식(XI) 중, R₁∼R₈의 적어도 4개의 기(基)가 알킬기이고, 나머지가 수소원자인 경우, 또는, R₁과 R₂, R₃과 R₄, R₅와 R₆, R₇과 R₈이 각각 연결하여, -(CH₂)₃-, -(CH₂)₄-, -(CH₂)₅- 등의 지방족 탄소환을 형성한 경우이고, 금속원자 M이, VO, Cu, Ni, Co인 경우가 바람직하다.

이하에 그 바람직한 구체적인 예를 나타낸다.

또한, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 필터에 사용하는 530∼610nm의 파장역에 최대흡수를 갖는 상기 일반식(V)∼(XI), (I), 및 (II) 등의 화합물로서는, 디스플레이의 발광을 저해하지 않도록 투과율곡선은 샤프한 밸리형(계곡형)을 갖고 있는 것이 좋고, 그 투명율곡선의 반치폭(半値幅)은, 60nm이하인 것이 바람직하다.

합성예1(식 I-2의 합성)

3,4-디히드록시-3-시클로부텐-1,2-디온 염화티오닐을 원료로 하여, Tetrahedron Letters, 781(1970)의 방법으로 1,2-디클로로시클로부탄-3,4-디온을 합성하였다.

다음에 1,2-디클로로시클로부탄-3,4-디온(A)을 사용하여 Dyes and Pigments 49,161(2001)에 기재된 이하의 방법으로 2-클로로-1-(4-메톡시페닐)시클로부탄-3,4-디온〔EI-MS; m/z 222(M+), 1H-NMR(400MHz, in CDCl₃δ, ppm); 3.93(s, 3H), 7.08(d, 2H), 8.25(d, 2H)〕를 경유하고, 2-메톡시-1-(4-히드록시페닐)시클로부탄-3,4-디온〔1H-NMR(400MHz, in CDCl₃δ, ppm); 3.90(s, 3H), 7.04(d, 2H), 8.11(d, 2H)〕를 합성하였다.

또한, 2-히드록시-1-(4-메톡시페닐)시클로부탄-3,4-디온 0.10g(0.49mmol),을 n-데칸산(3,5-디히드록시-페닐)-아미드 0.14g(0.49mmol), 톨루엔 20ml 및 n-부탄올 20ml을 반응용기에 가하고, 딘스타크장치를 구비한 반응용기에 가하여, 4시간 가열환류시킨다.

반응종료 후, 반응혼합물을 방랭(放冷)하고, 침전물을 여과, 톨루엔/헥산으로 세척, 건조시키고, 목적의 화합물(1A-2) 0.15g(수율 65.8％)을 얻었다.

〔가시부 흡수 λmax : 552nm(테트라히드로퓨란) 매스 스펙트럼 MALDI -TOFMS(neg, no marix)법: m/z=465(M-)〕

합성예2 (식 I-4의 합성)

2-히드록시-1-(4-메톡시페닐)시클로부탄-3,4-디온 0.10g(0.49mmol),을 1,3,5-트리히드록시벤젠 0.063g(0.50mmol), 톨루엔 20ml 및 n-부탄올 20ml을 반응용기에 가하고, 딘스타크장치를 구비한 반응용기에 가하고, 4시간 가열환류시켰다. 반응종료 후, 반응혼합물을 방랭하고, 침전물을 여과, 톨루엔/ 헥산으로 세정, 건조시키고, 목적의 화합물(I-4) 0.12g(수율 85.0％)을 얻었다.

〔가시부흡수 λmax : 532nm(테트라히드로퓨란) 매스 스펙트럼 MALDI- TOF MS(negative ion mode, matrix : α-CHCA)법: m/z=311(M-H)〕

합성예3 (식 Ⅲ-3의 합성)

2'-노네노익산(3,5-디히드록시페닐아미드) 0.30g, 및, 3, 4-디히드록시-3-시클로부텐-1,2-디온 0.065g을 톨루엔 20ml과 n-부탄올 20ml의 혼합용매와 함께, 딘스타크장치를 구비한 반응용기에 넣고, 4시간 가열환류시켜, 반응시키고, 반응종료 후, 반응혼합물을 방랭하고, 침전물을 여과, 톨루엔으로 세척하고, 건조시킴으로써, 목적의 화합물(Ⅲ-3) 0.21g(수율60.9％)을 얻었다.

〔가시부흡수 λmax : 609nm(테트라히드로퓨란) 매스 스펙트럼 DEI-MS (pos)법 : m/z=605(M+H)〕

합성예4(식 Ⅱ-5의 합성)

2'-에틸헥산산(3,5-디히드록시페닐아미드) 0.251g, 1-메틸-3-n-프로필-2-피라조린-5-온 0.14g, 및, 3,4-디히드록시-3-시클로부텐-1, 2-디온 0.114g을 톨루엔20ml과 n-부탄올 20ml의 혼합용매와 함께, 딘스타크장치를 구비한 반응용기에 넣고, 4시간 가열환류시켜, 반응시키고, 반응종료 후, 반응혼합물을 방랭하고, 침전물을 여과, 톨루엔으로 세정하고, 건조시킴으로써, 반응물 0.25g을 얻었다.

1H-NMR〔500MHz, d8-THF, δ(ppm), 25℃〕에 의해, 1,3-비스(5-히드록시-1-메틸-3-프로필-1H-피라졸-4-일)시클로부텐디일륨-2,4-디올레이트, 1,3-비스(2-(2-에틸헥사노일)아미노-4,6-디히드록시-페닐)시클로부텐디일륨-2,4-디올레이트, 및 상기 식(Ⅱ-5)의 18:29:53의 혼합물이었다. 또한, 1,3-비스(5-히드록시-1-메틸-3-프로필-1H-피라졸-4-일)시클로부텐디일륨-2,4-디올레이트, 및 1,3-비스(2-(2-에틸헥사노일)아미노-4,6-디히드록시-페닐)시클로부텐디일륨-2,4-디올레이트는, 각각, 특원2000-149260호, 실시예4 및 특원2000-266415호, 실시예4에 기재된 각각과, Mass, NMR, IR이 일치하였다.

Ⅱ-5;

가시부흡수; λmax : 549nm(테트라히드로퓨란)

매스 스펙트럼 : DEI- MS(pos)법 : m/z=469(M+H)

1H-NMR〔500MHz, d8-THF, δ(ppm), 25℃〕;

10.32(1H, s), 7.96(1H, d), 5.94(1H, d), 3.57(3H, s), 2.83(2H, t),

2.52(1H, m), 1.80-0.80(19H, m)

본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 상술한 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물을 단독 또는 혼합하여 함유한다. 그 함유형태로서는, 대표적으로는, 시트형상 혹은 필름형상의 투명기재 상에, 상술한 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물을 함유하는 바인더수지에 의해 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물수지를 형성시킨 적층체, 또는 상기 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물을 함유하는 바인더수지 자체로 이루어진 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물 함유수지의 단층시트 혹은 필름을 들 수 있다.

또한, 복수의 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물을 함유하는 경우, 각각을 별도로 바인더수지에 혼입시키고, 스쿠아릴륨계 화합물 및/또는 테트라아자포르피린계 화합물을 함유하는 각 바인더수지를 적층함으로써, 개개의 화합물이 별층에 존재하는 적층체의 형태를 취해도 좋다.

제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 반사방지, 근적외선흡수, 전자파흡수 등, 필터로서 필요한 기능을 포함하는 구성에 있어서, 예를 들면, 530nm∼600nm의 파장역에 있어서의 투과율의 극소치(K)를, 30％ 이하, 바람직하게는, 20％ 이하로 하고, 그 경우에, 610nm의 투과율(％)의 값(c)과, 435nm, 545nm의 투과율(％)의 값(a, b)을, 610nm의 투과율(％, c)에 대하여, │c-a│≤10(％), │c-b│≤10(％), │a-b│≤10(％)로 되도록, a, b의 값을 갖게 하고, 전자디스플레이용 필터자체가 부자연스럽게 착색되지 않도록 하고 있다.

단, 전자디스플레이 발광의 휘도를 크게 저하시키지 않기 위하여, 시감투과율 Y1이 30％ 이상, 바람직하게는 40 이상, 더욱 바람직하게는 45％ 이상임이 바람직하다. 시감투과율은 JIS Z8105-1982에 기술된, 물체를 투과하는 광속Φi과의 비, Φt/Φi이며, 사람의 시각계의 밝기 감각에 대한 상대분광응답도(분광시감효율)를고려한, 380nm∼780nm의 파장역에 있어서의 투과율의 평균이고, 이것은 물체의 상대적인 명암을 나타내는 명도와 거의 상관하기 때문에, 시감투과율을 필터의 밝기/어둠의 지표로 하고 있다.

또한, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터의 내광성을 올리기 위하여 자외선흡수층을 설치할 수 있다.

그리고, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 근적외선컷트층이나 전자파컷트층을 설치할 수 있다. 근적외선컷트층은, 플라스마 디스플레이로부터 방사되는 근적외선에 의한 리모컨이나 전송계 광통신에 있어서의 오동작을 방지할 목적으로 디스플레이의 전면(前面)에 설치한다. 전자파컷트층은, 금속산환물 등의 증착 혹은 스퍼터링방법, 혹은 동박이나 동도금층의 에칭에 의한 메쉬 등을 이용할 수 있고, 전자디스플레이로부터 방사되는 전자파를 컷트한다.

제2의 과제를 해결하는 본 발명의 전자디스플레이용 필터는, 단독층으로도, 또한 투명한 유리나 다른 투명수지판 등과 첩합(貼合)한 적층체로서도 사용할 수 있다. 또한, 전자디스플레이 표시면에 직접 첩부(貼付)되는 부재, 투명유리나 다른 투명수지판 등과 첩합한 적층체로서 설치되는 부재 등, 복수의 부재의 특성을 조합함으로써 본 발명을 실시할 수도 있다. 본 발명의 전자디스플레이용 필터를 사용하여, 전자디스플레이, 또는 플라스마 디스플레이 패널 표시장치를 얻기 위해서는, 표시장치로서, 공지의 표시장치 혹은 시판품이면 특히 한정없이 사용할 수 있다.

이하에, 제2의 과제를 해결하는 본 발명의 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 그 취지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

필터의 평가방법

1. 투과율:

시마즈(島津) 분광광도계 UV3100PC에 의하여, 필터의 435nm, 545nm, 610nm의 각 광선파장의 투과율을 측정하였다.

2. 필터착색의 시감평가:

히타치제작소사 제품 플라스마 디스플레이(W32-PD2100)로부터 전면(前面)유리필터를 제외한 후의 디스플레이패널의 앞에 필터를 설치하고, 플라스마 디스플레이의 전원을 절단한 상태에서, 보통형 백색형광등 및, 3파장역 발광형 주백색(晝白色)형광등 중 어느 일방으로 필터를 조사하고, 각각의 경우에 대하여 필터의 색을 육안으로 평가하였다. 단, 평가는 천정에 보통형 백색형광등과, 3파장역 발광형 주백색형광등의 각각이 설치된 암실 내에서 실시하였다.

실시예3

폴리에틸렌테레프탈레이트로 된 필름(미쯔비시화학 폴리에스테르필름사 제품 PET필름「T 600E」, 두께50㎛)에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80; 미쯔비시 레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에 상기 구체적인 예(Ⅲ-3)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물) 0.150wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅲ-11)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물) 0.320wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅳ-3)의 화합물(디피라조릴메틴 화합물), THF, DME, 톨루엔을 혼합용해하고, NO.30 바코터(太祐機材사 제품)로 도공(塗工)하고, 건조하여, 막두께 4.5㎛의 코팅막을 갖는 필터를 얻었다. 이것을필터A로 한다.

폴리에틸렌테레프탈레이트로 된 필름(미쯔비시화학 폴리에스테르필름사 제품PET필름「T600 E」, 두께50㎛)에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80; 미쯔비시레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에 디임모늄계 근적외선 흡수색소(N,N,N',N'-테트라키스(p-디부틸아미노페닐)-p-페닐렌디임모늄의 육(六)불화안티몬산염) 7.6％/수지분, 톨루엔, MEK을 혼합용해하고, NO.30의 바코터(太祐機材(주)사 제품)로 도공하고, 건조하여 코팅막을 갖는 필름의 이면에, 폴리메틸메타크릴레이트수지(다이야날 BR-80; 미쯔비시 레이온사 제품) 30wt％ 톨루엔용액에 디티올니켈 착체(錯體)근적외선 흡수색소{비스-2,2-〔1,2-디(3-클로로페닐)에틸렌디아민〕벤젠티올레이트}니켈(II) 9.2wt％/수지분, 톨루엔, THF을 혼합용해하여 동일하게 코팅한 필터와, 상기 필터A와, 전자파실드메쉬(선폭10㎛, 선피치250㎛), 유리를 첩합(貼合)하고, 또한 반사방지필름(일본유지 제품 리어룩8500)을, UV흡수제를 첨가한 점착제에 의해 첩합하고, 플라스마 디스플레이패널용 필터를 얻었다.

이 필터의 610nm, 545nm, 435nm의 각 파장에 있어서의 투과율, 및 보통형 백색형광등, 3파장역 발광형 주백색형광등으로의 필터의 색조를 평가하였다. 각 평가결과를 표2에 나타낸다.

실시예4

상기 구체적인 예(Ⅲ-3)(스쿠아릴륨계 화합물)의 첨가량을 0.210wt/％수지분, 상기 구체적인 예(Ⅲ-11)의 화합물(스쿠아릴륨 화합물)에 대신하여 상기 구체적인 예(Ⅲ-10)의 화합물(스쿠아릴륨 화합물) 첨가량을 0.150wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅳ-3)의 화합물(디피라조릴메틴계 화합물)의 첨가량을 0.600wt％/수지분으로 한 것 이외에는, 실시예1과 마찬가지로 하여 플라스마 디스플레이패널용 필터를 얻었다.

얻어진 필터의 610nm, 545nm, 435nm의 각 파장에 있어서의 투과율, 및 보통형 백색형광등, 3파장역 발광형 주백색형광등으로의 필터의 색조를 평가하였다. 각 평가결과를 표2에 나타낸다.

실시예5

상기 구체적인 예(Ⅲ-3)(스쿠아릴륨계 화합물)의 첨가량을 0.120wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅲ-11)의 화합물(스쿠아릴륨 화합물)에 대신하여 상기 구체적인 예(Ⅳ-1)의 화합물(테트라아자폴피린계 화합물)첨가량을 0.192wt％/수지분, 상기 구체예(XI-3)의 화합물(디피라조릴메틴계 화합물)에 대신하여 상기 구체적인 예(Ⅲ-9)의 화합물(스쿠아릴륨 화합물)을 0.048wt％/수지분으로 한 것 이외에는, 실시예3과 마찬가지로 하여 플라스마 디스플레이패널용 필터를 얻었다.

얻어진 필터의 610nm, 545nm, 435nm의 각 파장에 있어서의 투과율, 및 보통형 백색형광등, 3파장역 발광형 주백색형광등에서의 필터의 색조를 평가하였다. 각 평가결과를 표2에 나타낸다.

비교예3

상기 구체적인 예(Ⅲ-3)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)에 대신하여 상기 구체적인 예(XI-1)의 화합물(테트라아자포르피린계 화합물) 0.384wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅲ-11)에 대신하여 상기 구체적인 예(Ⅲ-9)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물) 0.064wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅳ-3)의 화합물(디피라조릴메틴계 화합물)의 첨가량을 0.350wt％/수지분으로 한 것 이외에는, 실시예3과 마찬가지로 하여 플라스마 디스플레이패널용 필터를 얻었다.

얻어진 필터의 610nm, 545nm, 435nm의 각 파장에 있어서의 투과율, 및 보통형백색형광등, 3파장역 발광형 주백색형광등에서의 필터의 색조를 평가하였다. 각 평가결과를 표2에 나타낸다.

비교예4

상기 구체적인 예(Ⅲ-3)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)의 첨가량을 0.240wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅲ-11)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물)에 대신하여 상기 구체적인 예(Ⅲ-9)의 화합물(스쿠아릴륨계 화합물) 0.159wt％/수지분, 상기 구체적인 예(Ⅳ-3)의 화합물(디피라조릴메틴계 화합물)의 첨가를 하지 않게 한 것 이외에는, 실시예3과 마찬가지로 하여 플라스마 디스플레이 패널용 필터를 얻었다.

필터착색의 시감평가:

실시예3, 실시예4, 실시예5는, 보통형 형광등, 3파장 발광형 형광등 중 어느 것을 조사하여도, 회색에 가까운 위화감이 없는 색이었다. 비교예3은 보통형 형광등으로 조사한 경우에는 회색이었는데, 3파장 발광형 형광등으로 조사하면 빨갛게 되며, 위화감이 있었다. 비교예4는 어느 형광등으로 조사하여도 보라계의 색으로위화감이 있었다.

	투과율(％)	필터색
	610㎚	545㎚	435㎚	보통형 형광등	3파장역형 형광등
실시예3	41.8	43.7	49.6	회색	약간의 청색빛을 띠게 하는 회색
실시예4	44.0	43.3	42.5	회색	회색
실시예5	49.9	51.3	55.1	약간의 녹색빛을 띠게 하는 회색	회색
비교예3	59.5	47.7	47.1	회색	적색
비교예4	41.1	42.7	55.0	적보라	보라색

다음에, 제3의 과제를 해결하는 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.

(1)투명수지기재

제3의 과제를 해결하는 본 발명의 투명적층체를 구성하는 투명수지기재의 재료인 투명수지는, 실질적으로 투명하고, 빛의 흡수, 산란이 크지 않는 수지이면 좋고, 특히 제한은 없는데, 그 구체적인 것으로서는, 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리(메타)아크릴산 에스테르계 수지, 환상(環狀)올레핀계 수지, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리초산비닐 등을 사용할 수 있다.

(a) 폴리에스테르계 수지

폴리에스테르계 수지는, 디카르본산 성분과, 글리콜성분과의 축중합(縮重合)반응 등에 의해 제조되는 것이다.

디카르본산 성분으로서는, 테레프탈산, 아디핀산, 말레인산 등, 글리콜성분으로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올 등을 들 수 있다.

바람직한 폴리에스테르계 수지는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 등이다.

강도, 투명성으로부터 이 폴리에스테르계 수지를 투명수지기재로서 사용하는 것은 매우 바람직한데, 필요물성 등에 의해 다른 수지가 적합하게 사용되는 경우도 있다.

(b) 폴리카보네이트계수지

폴리카보네이트계 수지는, 2가페놀과 카보네이트 전구체(前驅體)를 용액법 또는 용융(溶融)법으로 반응시켜 제조되는 것이다.

2가페놀의 예로서는, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판〔비스페놀A〕, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)술피드, 비스(4-히드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.

바람직한 2가 페놀로서는 비스(4-히드록시페닐)알칸계, 특히 비스페놀을 주성분으로 하는 것을 들 수 있다.

또한, 카보네이트 전구체로서는 포스겐, 디페닐카보네이트 등을 들 수 있다.

(c) 폴리(메타)아크릴산 에스테르계 수지

폴리(메타)아크릴산 에스테르계 수지로서는, 폴리아크릴산 에스테르계 수지, 및 폴리메타크릴산 에스테르계 수지를 들 수 있다.

대표적인 폴리메타크릴산 에스테르계 수지는, 메타크릴산메틸의 단독중합체 또는 메타크릴산메틸을 50％이상 포함하는 중합성 불포화 단량체 혼합물의 공중합체이다.

메타크릴산메틸과 공중합 가능한 중합성 불포화 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸(아크릴산에틸 또는 메타크릴산에틸의 의미. 이하 같음), (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산-2-에틸헥실, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸, (메타)아크릴산-2-히드록시에틸, (메타)아크릴산-N, N-디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 트리브로모페닐, (메타)아크릴산 테트라히드로프퍼퓨릴, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤에탄디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

(d) 환상올레핀계 수지

환상올레핀계 수지로서는, 시클로부텐류, 시클로펜텐류, 시클로헥센류 등의 단환식 환상올레핀 및 노르보넨류, 트리시클로-3-데센류 등의 다환식 환상올레핀에서 선택되는 환상올레핀의 비닐렌중합에 의한 단독중합체, 복수종류의 환상올레핀의 비닐렌중합에 의한 공중합체, 혹은, 이들 환상올레핀과 에틸렌과의 공중합체 등을 들 수 있다.

상기 환상올레핀의 예로서는, 시클로부텐, 시클로펜텐, 4-메틸시클로펜텐 등의 시클로펜텐류, 시클로헥센, 3-메틸시클로헥센, 3-비닐시클로헥센 등의 시클로헥센류 등의 단환식 환상올레핀, 노르보넨, 1-메틸노르보넨, 5-에틸리덴-2-노르보넨,메틸렌노르보넨, 5-비닐-2-노르보넨, 5-메틸렌-2-노르보넨 등의 노르보넨류, 트리시클로〔4. 3. 0. 12, 5〕-3-데센, 2-메틸트리시클로〔4. 3. 0. 12, 5〕-3-데센 등의 트리시클로-3-데센류, 디시클로펜타디엔(트리시클로〔4. 3. 0. 12, 5〕-3, 7-데카디엔 또는 트리시클로〔4. 3. 0. 12, 5〕-3,8-데카디엔), 7-메틸디시클로펜타디엔 등의 디시클로펜타디엔류, 테트라시클로〔4. 4. 0. 12, 5. 17, 10〕-3-도데센, 8-메틸테트라시클로〔4. 4. 0. 12, 5. 17, 10〕-3-도데센, 5,10-디메틸테트라시클로〔4. 4. 0. 12, 5. 17, 10〕-3-도데센 등의 테트라시클로-3-도데센류, 펜타시클로〔6. 5. 1. 13, 6. 02, 7. 09, 13〕-4-펜타데센, 10-메틸펜타시클로〔6. 5. 1. 13, 6. 02, 7. 09, 13〕-4-펜타데센, 펜타시클로〔4. 7. 0. 12, 5. 08, 13. 19, 12〕-3-펜타데센 등의 펜타시클로펜타데센류, 펜타시클로〔6. 5. 1. 13, 6. 02, 7. 09, 13〕-4,10-펜타데카디엔, 펜타시클로〔6. 5. 1. 13, 6. 02, 7. 09, 13〕-4,11-펜타데카디엔 등의 펜타시클로펜타데카디엔류, 헥사시클로〔6. 6. 1. 13, 6. 110. 13. 02, 7. 09, 14〕-4-헵타데센 등의 헥사시클로헵타데센류 등의 다환식 환상올레핀을 들 수 있다.

상기 투명수지의 종류는 용도에 따라서 임의로 선택할 수 있는데, 상기 투명수지는, 사출성형, T다이성형, 캘린더성형, 압축성형 등의 방법이나, 유기용제에 용해시켜 캐스팅하는 방법 등을 사용하여, 필름, 또는 시트(판)에 성형되고, 본 발명에 있어서의 투명수지기재로서 사용된다.

필터의 기재로서, 그리고 유리비산방지효과를 만족시키기 위해서는 특정한 강도(强度)이상의 시트(필름)에 성형하여 사용된다.

바람직한 강도는, JIS P 8116에 있어서의 인열(引裂)강도가 1.5N/mm이상, 시트의 세로방향 인열강도/가로방향 인열강도의 비율이 0.5∼2.0이다. 이와 같은 강도 및 강도밸런스로 함으로써 유리비산방지효과가 높아진다.

제3의 과제를 해결하는 본 발명에서는, 투명수지기재는 적어도 2층 적층되는데, 적어도 그 중의 1층은 상기 강도 및 강도 밸런스를 구비하는 것이 좋다. 물론 2층의 양쪽이 상기 강도 및 강도밸런스를 구비하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 이 시트(필름)는 ASTM D 882에 있어서의 신도(伸度)가 50％ 이상인 것을 사용하는 것이 유리비산방지효과를 높이기 위하여 보다 더 바람직하다. 이것은 PDP의 유리가 외력 등의 사고로 파손한 경우라 하더라도, 시트(필름)가 펴져 파괴에 저항할 수 있기 때문이다.

여기서, 시트(필름)의 세로방향이라고 하는 것은, T다이성형, 캘린더성형 등의 기계적 인취(引取)방향이 있는 경우는 인취방향과 평행한 방향을 세로방향으로 하고, 이것과 직각의 방향을 가로방향으로 한다. 또한, 사출성형, 캐스팅 등 방향성이 나타나기 어려운 시트(필름)의 경우에는 임의의 방향을 세로방향으로 하고, 이것과 직각인 방향을 가로방향으로 한다. 그리고, 시트(필름)에 연신(延伸)을 행한 경우에는 그 연신방향에 따른다.

이와 같은 강도의 시트를 얻기 위해서는, 사용하는 수지의 종류에도 따르지만, 원료수지를 가열하여 용융혼련(溶融混練)하고, 압출성형 등에 의하여 시트형상으로 성형한 후 연신처리 등을 행하면 된다.

연신(延伸)처리는 일축방향(통상은 세로방향)에만 행하면 강도밸런스가 나쁘기 때문에, 종횡 양 방향의 2축연신처리가 바람직하다.

상기 투명수지에는, 일반적으로 알려진 첨가물, 예를 들면 페놀계, 인(P)계 등의 산화방지제, 할로겐계, 인산계 등의 난연제, 내열(耐熱)노화방지제, 자외선 흡수제, 활제(滑劑), 대전방지제 등을 배합할 수 있다.

투명수지기재의 표면에는, 공지의 표면처리, 예를 들면 코로나처리, 플라스마처리, 화염처리, 화학약품처리, 프라이머층도포 등을 행하여도 좋다.

투명수지기재 1장의 두께는, 40∼3000㎛, 바람직하게는 40∼300㎛, 더욱 바람직하게는 50∼180㎛의 범위이다.

제3의 과제를 해결하는 본 발명에 있어는 상기 투명기재를 적어도 2장 점착제층을 개재하여 적층하여 사용한다.

점착층을 개재하여 투명수지기재를 적층함으로써, 플라스마 디스플레이의 파괴시의 비산방지효과가 대폭 향상된다.

플라스마 디스플레이패널용 필터의 경우, 플라스마 디스플레이 특유의 성능이 요구된다.

즉, 플라스마 디스플레이 패널로부터 방출되는 전자파, 근적외선 등을 컷트(흡수)하는 것이 요구되거나, 플라스마 디스플레이 패널 특유의 네온색을 통상의 색조가 되도록 조색하는 것이 요구된다.

(2) 근적외선흡수(컷트)층

본 발명의 필터에 근적외선흡수효과를 부여하기 위해서는, 예를 들면 근적외선흡수제를 투명수지에 배합하거나(상술한 투명수지기재에 직접 배합 혹은 다른 층으로서 형성), 혹은 유기용제에 분산, 혹은 용해시켜 바인더수지를 첨가한 도공(塗工)액, 혹은 근적외선흡수제를 하드코트제, 앵커코트제, 접착제 등에 첨가한 도공액을, 투명수지기재에 직접, 또는 다른 층을 개재하여 도포함으로써, 형성할 수 있다.

근적외선흡수층은, 파장영역800∼1100nm의 근적외선투과율이 15％ 이하, 바람직하게는 10％ 이하인 것이 바람직하다.

근적외선컷트에는, 근적외선흡수제로서 임모늄계 화합물, 디임모늄계 화합물 또는 암미늄염계 화합물이 알맞게 사용된다.

임모늄계 화합물, 및 디임모늄계 화합물로서는, 예를 들면 하기 식(1)∼(4)에서 나타나는 화합물을 들 수 있다.

(식 중, X^-은 음이온을 나타낸다)

또한, 상기 암미늄염계 화합물로서는, 예를 들면 하기 식(5)에서 나타나는 화합물을 들 수 있다. 식 중의 X의 구체적인 예로서는, 육(六)불화안티몬산이온, 과염소산이온, 불화붕소산이온, 육(六)불화비소산이온, 과요오드산이온, 트리플루오로초산이온, 염소이온을 들 수 있다.

(식 중, X^-는 음이온을 나타낸다)

본 발명에 있어서는 근적외선흡수제로서, 임모늄계 화합물, 디임모늄계 화합물 또는 암미늄염계 화합물이 알맞게 사용되는데, 다른 근적외선흡수제를 사용하거나 또는 병용하여도 좋다. 다른 근적외선흡수제로서는, 유기물질인 니트로소화합물 및 그 금속착염, 시아닌계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 티올니켈착염계 화합물, 아미노티올니켈착염계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 트리아릴메탄계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 또는 아미노화합물, 혹은 무기물질인 카본블랙이나, 산화안티몬, 또는 산화인듐을 도프한 산화석(酸化錫), 주기표의 4, 5 또는 6족에 속하는 금속의 산화물, 혹은 탄화물, 또는 붕화물 등을 들 수 있다.

이 경우, 파장영역 800∼1100nm의 근적외선투과율이 15％ 이하가 되도록 상기 화합물을 적절하게 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 투명성과 근적외선흡수성능의 점에서, 디임모늄계 화합물과 아미노티올니켈착염계 화합물의 조합이 바람직하다.

아미노티올니켈착염계 화합물로서는, 하기 일반식(7)의 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다.

식 중의 R₁∼R₈은, 서로 동일 또는 다른 원자, 혹은 서로 동일 또는 다른 관능기이며, 구체적으로는, 수소원자, 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알콕시기, 니트로기, 할로겐원자, 아미노기, 치환아미노기 또는 시아노기에서 선택된 적어도 1종류이다. 바람직하게는, 수소원자 또는 아미노기이다.

근적외선흡수제를 투명수지에 배합함으로써 근적외선컷트층을 형성하는 경우에 사용되는 투명수지로서는, 실질적으로 투명하고, 흡수, 산란이 크지 않은 수지이면 좋고, 특히 제한은 없지만, 구체적으로는, 상술한 폴리카보네이트계 수지, 폴리(메타)아크릴산에스테르계 수지, 환상(環狀)올레핀계 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리초산(酢酸)비닐 등을 들 수 있다.

이들의 투명수지에는, 공지의 첨가제, 예를 들면 페놀계, 인계 등의 산화방지제, 할로겐제, 인산계 등의 난연제(難燃劑), 내열노화방지제, 자외선흡수제, 활제, 대전방지제 등을 배합할 수 있다.

상기 투명수지에 상기 근적외선흡수제를 배합하고, 상술한 바와 동일하게, 사출성형, T다이성형, 캘린더성형, 압축성형 등의 방법이나, 유기용제에 용해시켜 캐스팅하는 방법 등을 사용하여, 필름형상 혹은 시트형상으로 성형하고, 근적외선컷트효과를 갖추는 층으로 한다.

근적외선 흡수제의 배합량은, 수지 100중량부에 대해, 통상은, 합계 0.005∼20중량부, 바람직하게는 0.01∼15중량부이다.

상기 근적외선흡수제의 배합량이 너무 적으면, 가시광선의 투과성은 좋아지지만, 근적외선흡수능은 저하된다.

한편, 배합량이 너무 많으면 근적외선흡수능은 양호하게 되지만, 가시광선투과율은 저하된다.

또한 근적외선 컷트층은, 유기용제에 분산, 혹은 용해시켜 바인더수지를 첨가한 도공액, 혹은 근적외선흡수제를 하드코트제, 앵커코트제, 점착제 등에 첨가한 도공액을, 적층순서에 따라서 투명수지기판, 전자파실드층, 혹은 흠방지층의 어느 하나의 위에 도공함으로써 형성할 수도 있다.

상기 유기용제로서는, 할로겐계, 알코올계, 케톤계, 에스테르계, 지방족탄화수소계, 방향족탄화수소계, 에테르계 용제, 또는 그들의 혼합용제 등을 사용한다.

상기 바인더로서는, 에스테르계 수지, 아크릴계 수지, 멜라민계 수지, 우레탄계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리비닐계 수지 등을 사용할 수 있다.

상기 하드코트제로서는, 폴리우레탄 아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 아크릴레이트 혹은 다관능아크릴레이트, 광중합개시제, 및 유기용제를 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다.

이들의 하드코트제 100중량부에 대해, 상기 근적외선흡수제를 통상, 1∼40중량부, 바람직하게는 2∼15중량부 첨가하고, 이것을 딥핑법, 플로우코트법, 스프레이법, 바코드법, 그라비아코트법, 롤코트법, 블레이드코트법 및 에어나이프코트법 등의 도공방법으로 도포한다. 그 후, 용제를 건조하고, 크세논램프, 저압수은등,고압수은등 등을 사용하여 활성에너지선을 조사함으로써 도공액을 경화시키고, 근적외선컷트층으로 한다. 이 때의 근적외선컷트층의 두께는, 통상, 0.5∼50㎛, 바람직하게는 1∼20㎛이다.

상기 앵커코트제로서는, 이소시아네이트계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계, 폴리에틸렌이민계, 폴리부타디엔계, 알킬티타네이트계 등의 공지의 앵커코트제를 사용할 수 있다.

바람직하게는, 이소시아네이트화합물, 폴리우레탄, 우레탄폴리머, 또는 그들의 혼합물 및 반응생성물, 폴리에스테르폴리올 또는 폴리에테르폴리올과 이소시아네이트와의 혼합물이다.

이들의 앵커코트제 100중량부에 대해, 상기 근적외선흡수제를 통상, 1∼50중량부 첨가하고, 이것을 딥핑법, 플로우코트법, 스프레이법, 바코드법, 그라비아코트법, 롤코트법, 블레이드코트법 및 에어나이프코트법 등의 도공방법으로 도공하고, 그 후 용제를 건조시켜, 근적외선컷트층으로 한다.

이 때의 도공액의 도공량은, 통상, 0.01∼8g/㎡(건조고형분), 바람직하게는 0.1∼5g/㎡(건조고형분)이다.

상기 점착제로서는, 스티렌부타디엔 러버, 폴리이소부티렌, 천연고무, 네오프렌, 부틸고무 등의 고무류나 폴리아크릴산 알킬에스테르 등의 저중합도폴리머 단독 혹은 이들에 점착부여제로서 피코라이트, 폴리페일, 로진에스테르 등을 첨가한 것이 있다.

이들의 점착제 100중량부에 대해, 상기 근적외선흡수제를 통상, 0.05∼5중량부, 바람직하게는 0.1∼3중량부 첨가한 것을, 할로겐계, 알코올계, 케톤계, 에스테르계, 에테르계, 지방족탄화수소계, 방향족탄화수소계 등의 유기용제를 단독 또는 복수 혼합한 용제계에 분산 또는 용해하여 점도를 조정한 것을, 딥핑법, 플로우코트법, 스프레이법, 다이코트법, 바코트법, 그라비아코트법, 롤코트법, 블레이드코트법 및 에어나이프코트법 등의 도공방법으로 도공하고, 그 후 용제를 건조시켜, 근적외선컷트층으로 한다. 이 때의 근적외선컷트층의 두께는, 통상, 5∼100㎛, 바람직하게는 10∼50㎛이다.

(2) 전자파실드층

본 발명의 플라스마 디스플레이용 필터에 전자파 실드효과를 부여하기 위해서는, 투명수지기재 등에 금속, 혹은 금속산화물 등으로 가시광선을 투과할 수 있는 투명도전막 혹은 도전성 재료로 이루어진 메쉬층을 설치하면 좋다.

상기 투명도전막은, 전자파 실드층을 형성하는 금속, 혹은 금속산화물, 바람직하게는, 은, 산화주석, 산화인듐도프산화주석(이하 「ITO」라고 한다), 안티몬도프산화주석(이하「ATO」라고 한다)을 진공증착법, 이온플레이팅법, 스퍼터링법, CVD법, 플라스마화학증착법 등의 방법에 의해 투명수지기재 상에 직접 또는 간접적으로 형성할 수 있다.

또한, 금속페이스트(금속미립자를 투명바인더에 분산시킨 것)를 투명기재 상에 코팅함으로써 형성할 수도 있다.

투명도전막을 사용하는 경우의 전자파실드층의 막두께는, 요구되는 물성, 용도 등에 의하여 다르지만, 투명성의 관점에서 8∼300nm의 범위로 하는 것이 바람직하다.

상기 도전성재료로 이루어진 메쉬에는, 폴리에스테르 등의 섬유로 짠 메쉬에 금속, 바람직하게는, 동, 흑색금속, 카본블랙 등의 도전물질을 코팅한 것을 사용할 수 있다.

또한, 폴리에스테르 등의 필름에 접착제로 금속박, 바람직하게는, 동박을 첩부(貼付)한 후, 포토레지스트도포∼노광∼현상∼웨트에칭 등의 포토에칭법으로 메쉬형상으로 패터닝한 것을 사용할 수도 있다.

그 때의 패턴폭｛메쉬를 구성하는 선의 폭(굵기)｝은, 2∼40㎛, 바람직하게는 2∼20㎛이다.

또한, 광선투과율을 확보하기 위하여 도전성 재료로 이루어진 메쉬의 개구율은 50％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

(3) 점착제층

제3의 과제를 해결하는 본 발명의 플라스마 디스플레이용 필터에는 점착제층이 설치된다.

이 점착제층에 의해 플라스마 디스플레이의 제조공정의 도중에, 또는 플라스마 디스플레이의 제조 후, 플라스마 디스플레이의 전면(前面)에 필터를 첩착(貼着)한다.

이와 같이 함으로써, 플라스마 디스플레이 자체의 전면(前面)에 차례대로 근적외선흡수층, 전자파실드층이나 다른 층을 설치할 필요가 없어지고, 또한 필터가 플라스마 디스플레이와 일체형성되기 때문에, 플라스마 디스플레이의 박육(薄肉)화가 가능하게 된다.

점착제층을 구성하는 점착제로서는, 스티렌부타디엔 러버, 폴리이소부티렌, 천연고무, 네오프렌, 부틸고무 등의 고무류나 폴리아크릴산메틸, 폴리아크릴산에틸, 폴리아크릴산부틸 등의 폴리아크릴산 알킬에스테르 등의 저중합도 폴리머 단독 혹은 이들에 점착부여제로서 피코라이트, 폴리페일, 로진에스테르 등을 첨가한 것 등을 들 수 있다.

플라스마 디스플레이에 필터를 첩착할 때, 플라스마 디스플레이의 표면과 필터의 사이에 기포가 들어가면 화상이 비뚤어지거나, 잘 안보이게 되는 등, 실용상의 큰 문제가 되기 때문에 기포를 말려들게 하는 데에는 충분히 주의할 필요가 있다.

또한, 플라스마 디스플레이 자체, 그 표면이 고온으로 되기 때문에, 가열에 의해 가스가 발생하는 점착제는 피해야 한다.

가스의 발생이 생각되는 경우에는 흡수제 등의 첨가를 고려하는 것이 좋다.

이와 같은 이유로, 3mm의 유리판에 30㎛의 폴리에스테르필름을 30㎛의 점착제로 첩합하고, 80℃로 10일간 유지 후에 있어서의 180도 박리강도가 300g/cm이상, 바람직하게는 400g/cm이상의 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.

구체적으로는, 폴리아크릴산 알킬에스테르계 등의 폴리머계 점착제, 또는 스티렌부타디엔 러버, 천연고무 등의 고무계 점착제를, 할로겐계, 알코올계, 케톤계, 에스테르계, 에테르계, 지방족탄화수소계, 방향족탄화수소계 등의 유기용제를 단독 또는 복수 혼합한 용제계에 분산 또는 용해하여 점도를 조정한 것을 딥핑법, 플로우코트법, 블레이드코트법 및 에어나이프코트법 등의 도공방법으로 도공하고, 그 후 용제를 건조시켜, 점착제층으로 한다. 이 때의 점착제층의 두께는, 통상, 5∼3000㎛, 바람직하게는 10∼100㎛이다.

제3의 과제를 해결하는 본 발명의 필터는 투명수지기재와 점착제층이 각각 2층이상 적층된 구조로 되어 있다, 즉, 2장의 투명수지기재를 점착제로 첩합(貼合)하고, 그 1표면에 플라스마 디스플레이와의 첩합용의 점착제층을 설치한 구조로 되어 있다.

이와 같이, 2장의 투명수지기재를 점착제로 첩합한 구조로 함으로써, 플라스마 디스플레이가 파손되더라도 2층의 점착층과 2층의 투명수지기재에 의해 파괴의 전파(傳播)를 방지할 수 있고, 안전성이 대폭 향상된다.

2장의 얇은 투명수지기재를 적층하여 사용하는 것은 1장의 두꺼운 투명수지기재를 설치한 경우보다, 파괴전파방지효과가 좋다. 즉, 플라스마 디스플레이가 파괴되고, 그 파편에 의해 디스플레이에 가까운 쪽의 투명수지기재가 절단되더라도, 그 바깥쪽의 점착제층이나 또 1장의 투명수지기재가 완충적으로 작용하여 파괴가 전파되는 일이 방지된다. 게다가 1장의 두꺼운 투명수지기재를 설치한 경우보다 필터의 총두께를 얇게 할 수 있다.

점착제층의 표면에 박리필름을 설치하고, 점착제층에 먼지 등이 부착되지 않도록, 플라스마 디스플레이의 표면에 붙을 때까지 점착제층을 보호하는 것도 좋다.

이 경우, 필터의 가장자리부의 점착제층과 박리필름의 사이에, 점착제층을 설치하지 않는 부분을 형성하거나, 비점착성의 필름을 끼는 등을 하여 비점착 부분을 형성하고, 박리개시부로 하면 첩착시의 작업을 하기가 편하다.

제3의 과제를 해결하는 본 발명의 플라스마 디스플레이용 필터에는 근적외선흡수층, 전자파실드층, 점착제층 이외에, 가시광선제어층, 반사방지층, 방현(防眩, antiglare)층, 흠방지층, 대전방지층, 방오층(防汚層) 등을 설치할 수 있다.

여러 종류의 층을 설치하는 것은 가능한데, 플라스마 디스플레이용 필터로서, 파장영역 400∼700nm의 가시광선투과율이 35％ 이상인 것이 바람직하다.

적층의 순서는 특히 한정되지 않는데, 반사방지층은 최표면(관찰자측)에 설치되는 것이 바람직하다. 특별히 흠방지층을 설치하는 것은, 내구성 향상에 효과적이다.

(4)가시광선제어층

가시광선제어층은, 네온발광컷트(흡수)색소 및 조색색소를 포함하는 수지층이다.

플라스마 디스플레이는, 580∼600nm에 네온에 기인(起因)하는 오렌지색의 발광이 있으며, 이 부분의 빛을 컷트함으로써, 선명한 적색을 얻을 수 있다. 네온발광컷트색소는, 580∼600nm의 네온발광을 컷트하는 색소이고, 공지의 580∼600nm에 극대흡수를 가진 색소를 사용할 수 있다. 유효하게 네온발광을 컷트하기 위해서는, 580∼600nm을 급준(急峻)하게 컷트하는 것이 바람직하고, 그와 같은 색소의 예로서, 스쿠아릴륨계 색소, 테트라아자포르피린계 색소를 들 수 있다.

조색색소는, 네온발광컷트색소를 첨가하여 청∼청보라색으로 착색된 필터를, 자연스러운 회색으로 조색하는 색소이며, 흡수파장이 한정되는 것이 아니다.

가시광선제어층은, 상기 색소를 투명수지에 배합하거나(상기한 투명수지기재에 직접 배합 혹은 다른 층으로서 형성), 혹은 유기용제에 분산, 혹은 용해시켜 바인더수지를 첨가한 도공액, 혹은 하드코트제, 앵커코트제, 접착제 등에 첨가한 도공액을, 투명수지기재에 직접, 또는 다른 층을 개재하여 도포함으로써, 형성할 수 있다.

(5) 흠 방지층

흠 방지층을 설치하는 경우는, 폴리우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 아크릴레이트 혹은 다관능아크릴레이트, 광중합 개시제, 및 유기용제를 주성분으로 하는 코트제 등에 의하여 형성된다. 에폭시아크릴레이트는, 에폭시수지의 에폭시기를 아크릴산으로 에스테르화하여 관능기를 아크릴로일기로 한 것이고, 비스페놀A형 에폭시수지로의 아크릴산부가물, 노볼락형 에폭시수지로의 아크릴산부가물 등이 있다.

우레탄아크릴레이트는, 폴리올과 디이소시아네이트를 반응시킨 우레탄프리폴리머를 수산기를 가진 아크릴레이트로 아크릴변성하여 얻을 수 있다. 폴리올로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 부티렌글리콜, 1, 6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 헥산트리올, 트리메틸올프로판, 폴리테트라메틸렌글리콜, 아디핀산과 에틸렌글리콜과의 축중합체 등을 들 수 있다. 디이소시아네이트로서는, 톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.

수산기를 갖는 아크릴레이트로서는, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트 등을 들 수 있다.

다관능아크릴레이트는, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖는 것이고, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, EO변성트리메틸올프로판트리아크릴레이트, PO변성트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸이소시아느레이트, 카프로락톤변성트리스(아크릴록시에틸)이소시아느레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 알킬변성 디펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 알킬변성 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 알킬변성 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 카프로락톤변성 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 및 이들 2 종류 이상의 혼합물을 들 수 있다.

광중합개시제로서는, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소플로필에테르, 벤조인부틸에테르, 디에톡시아세토페논, 벤질디메틸케탈, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조인디페닐포스핀옥시드, 미히라즈케톤, N,N-디메틸아미노안식향산이소아밀, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 등을 들 수 있고, 이들 광중합개시제는 2 종류이상을 적절하게 병용할 수도 있다.

유기용제로서는 톨루엔, 크실렌 등의 방향족탄화수소류, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸등의 에스테르류, 메틸알코올, 에틸알코올, n-프로필알코올, i-프로필알코올, n-부틸알코올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-부톡시에탄올, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류, 2-메톡시에틸아세테이트, 2-에톡시에틸아세테이트, 2-부톡시에틸아세테이트 등의 에테르에스테르류를 들 수 있고, 또한 이들의 2 종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

또한, 상기 성분이외에, 내(耐)마모성 향상을 위하여, 콜로이드형상 금속산화물, 혹은 유기용제를 분산매(分散媒)로 한 실리카졸 등을 가할 수도 있다, 흠방지층은, 상기 코트제의 도공액을 딥핑법, 플로우코트법, 스프레이법, 바코트법, 그라비아코트법, 롤코트법, 블레이드코트법 및 에어나이프코트법 등의 도공방법으로 도공한 후, 용제를 건조시키고, 또한 활성에너지선을 조사함으로써 도공한 코트제를 가교경화시켜서 형성된다. 상기 활성에너지선으로서는, 크세논램프, 저압수은등, 고압수은등, 초고압수은등, 메탈할라이드램프, 카본아크등, 텅스텐램프 등의 광원에서 발사되는 자외선 혹은, 통상 20∼2000keV의 전자선가속기에서 꺼내어지는 전자선, α선, β선, γ선 등을 사용할 수 있다. 이와 같이 하여 형성되는 흠 방지층은, 통상1∼50㎛, 바람직하게는 3∼20㎛의 두께로 한다.

(6) 반사방지층

반사방지층을 설치하는 경우는, 비교적 저굴절율인 산화규소, 산화지르코늄, 산화티탄, 불화마그네슘, 불화칼슘, 산화알루미늄 등, 혹은 반사방지코팅제(예를 들면 아사히글래스(주)제품; 상품명 「사이톱」등)를 사용하여 형성된다. 이들을한층, 혹은 2종류 이상을 조합하여 다층 설치하고, 반사방지층을 형성한다. 반사방지층의 형성방법으로서는, 금속알콕시드를 도포 후에 소성(燒成)하는 방법, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온프레이팅법, 화학적증착(CVD)법, 플라스마화학증착법, 혹은 롤코트법, 딥핑법 등을 들 수 있다. 이 반사방지층은, 투명적층체의 최표면(最表面)에 설치되는 것이 바람직하다. 또한 반사방지층의 두께는, 통상, 50∼100nm의 범위로 한다. 또한, 상기와 같은 반사방지층을 폴리에스테르필름상에 설치한 시판의 반사방지필름을 점착제층을 개재하여 투명적층체의 최표면(最表面)에 첩부하여도 좋다. 시판의 반사방지필름의 예로서는 니혼유시(주)제품; 상품명 「리어룩」이 있다.

이하에 실시예에 의해 제3의 과제를 해결하는 본 발명의 구체적인 양태를 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이들의 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 분광투과율은, 분광광도계(시마즈제작소제: UV3100PC)(상품명)를 사용하여 측정을 행하였다.

실시예6

도7에 제시하는 구조의 필터를 제조하였다.

투명수지기재로서, 두께100㎛의 폴리에스테르(PET)필름1(세로방향 인열강도 1.96N/mm, 가로방향 인열강도1.96N/mm, 세로방향 인열강도/가로방향 인열강도의 비=1.0, 신도(伸度)=100％)을 사용하고, 이 한쪽 면에, 동(銅)을 무전해도금으로 4㎛의 두께로 적층하였다.

이 동(銅)층을 포토에칭에 의해 선폭 10㎛, 피치 300㎛의 메쉬형상으로 하고, 전자파실드층(2)으로 하였다.

그 후, 필름의 메쉬면과는 거꾸로인 면에, 점착층(3')을 설치하고, 38㎛의 폴리에스테르필름으로 이루어진 박리필름(4)를 첩부하였다.

이 때 점착층(3')의 두께는 25㎛이었다. 가장자리부에는 폴리에스테르필름을 1군데 끼워 넣음으로써 박리개시부를 형성하였다.

두께 50㎛ 폴리에스테르필름(5)(세로방향 인열강도 1.96N/mm, 가로방향 인열강도 1.96N/mm, 세로방향 인열강도/가로방향 인열강도의 비=1.0, 신도=100％)의 한쪽면에 하기 도공액을 코팅하였다.

도공액: 근적외선흡수제(아미노티올니켈착염계 색소) (구조식을 하기식(7)에 나타낸다)를 0.2중량％가 되도록 용매(THF:톨루엔=1:1)에 용해시킨 용액 5중량부와, 바인더로서 아크릴계 수지를 용매(톨루엔)에 30중량％의 농도로 용해시킨 용액 5중량부를 혼합한 도공액.

도공 후 건조(110℃로 3분)하여 제1근적외선흡수층(6)을 형성하였다. 건조 후의 제1근적외선흡수층(6)의 두께는 3㎛이었다.

다음에, 필름의 제1근적외선흡수층(6)을 형성한 면과 반대측의 면에 하기 도공액을 코팅하였다.

도공액: 근적외선흡수제(디임모늄계 색소)를 3중량％가 되도록 용매(메틸에틸케톤:톨루엔=1:1)에 용해시킨 용액 5중량부와, 바인더로서 아크릴계 수지를 용매(톨루엔)에 30중량％의 농도로 용해시킨 용액 5중량％을 혼합한 도공액.

도공 후 건조(110℃로 3분)하여 제2근적외선흡수층(7)을 형성하였다. 그 건조 후의 제2근적외선흡수층(7)의 두께는 3㎛이었다.

이 필름의 제1근적외선흡수층(6)을 설치한 측에, 점착제층(8)을 가진 반사방지필름(9)(니혼유시(주)제품「리어룩」(상품명))를 첩부하여, 반사방지층으로 하였다.

또한, 제2근적외선흡수층(7)의 면에 아크릴수지계 점착제를 닥터 롤로 도포 후 건조하면서, 두께 38㎛의 폴리에스테르필름으로 이루어진 박리필름을 첩부하였다. 이때 점착제층(10')의 두께는 25㎛이었다.

반사방지층과 근적외선흡수층을 갖는 필름의 점착제층을 박리필름을 박리하면서 전자파실드필름 메쉬측에 첩부하여, 플라스마 디스플레이용 필터로 하였다.

이 필터를 플라스마 디스플레이 패널(도시하지 않음)의 표면에 첩부하였다.

첩부할 때에는 박리개시부로부터 박리필름(4)를 박리하면서 끝에서 필터를 플라스마 디스플레이 패널에 꽉 누르도록 하여 기포를 말려들게 하는 것을 방지하면서 첩부하였다.

기포가 크게 말려드는 일 없이 첩착할 수 있었다.

이 투명적층체는 뛰어난 근적외선 컷트성능, 전자파실드성능, 흠방지성능, 및 투명성을 나타내며, 플라스마 디스플레이 패널용 필터로서, 알맞게 사용할 수있다.

또한 2mm 두께의 노다라임 유리에 상기 플라스마 디스플레이 패널용 필터를 첩부하고, 충격을 가하여 유리를 파괴하였더니, 필름이 찢어지는 일도 없었고, 유리의 비산을 방지할 수 있었다.

실시예7

전자파실드층을, 두께 50㎛ 폴리에스테르필름의 한쪽면에, 은(銀)/ITO/은의 구성으로 진공증착법으로 20nm의 두께로 적층한 것을 사용하여, 실시예1과 동일하게 플라스마 디스플레이 패널용 필터를 작성하였다.

실시예6과 동일하게 평가한 결과, 충격에 대해, 필름이 찢어지는 일도 없이 유리의 비산을 방지할 수 있었다.

비교예6

실시예7에서 사용한 전자파실드층의 위에, 근적외선흡수제(디임모늄계 색소, 실시예5의 제2근적외선 흡수층7과 동일)도공액을 코팅하였다. 건조(110℃로 3분)하여 근적외선흡수층을 형성하였다.

그 건조 후의 근적외선흡수층 두께는 3㎛이었다.

근적외선흡수층을 형성한 면과 반대측에, 아크릴수지계 점착제 용액을 닥터 롤로 도포 후 건조하면서, 두께 38㎛의 폴리에스테르필름으로 이루어진 자리(刺離)필름을 첩부하였다.

이와 같이 하여 투명수지층이 1층뿐인 필터를 작성하였다.

이 때의 점착제층의 두께는 25㎛이었다.

이 필터를 플라스마 디스플레이 패널의 표면에 첩부하였다.

첩부함에 있어서는, 박리개시부로부터 박리필름을 박리하면서 끝에서 필터를 플라스마 디스플레이 패널에 꽉 누르도록 하여 기포를 말려들게 하는 일을 방지하면서 첩부하였다.

기포가 크게 말려드는 일없이 첩착할 수 있었다.

이 투명적층체는 근적외선컷트성능, 전자파실드성능, 및 투명성을 나타내고, 플라스마 디스플레이 패널용 필터로서, 알맞게 사용할 수 있었다.

그러나, 2mm 두께의 소다라임 유리에 상기 플라스마 디스플레이 패널용 필터를 첩부하고, 충격을 가하여 파괴한 바, 필름이 찢어져, 유리가 비산하였다.

본 발명의 바람직한 실시예가 도시되고 기술되어 있지만, 본 발명의 사상과 범주 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범주는 바람직한 실시예의 기재에 의해 제한되지 않는다. 대신, 본 발명은 청구의 범위를 전적으로 참조함으로써 결정되게 된다.

Claims

전자디스플레이의 전면(前面)에 설치하는 전자디스플레이용 필터로, 파장 530nm∼600nm에 투과율의 극소치를 가지며, 설치대상으로 하는 전자디스플레이의 발광스펙트럼을 사용한 시감투과율 Y1이 35％ 이상이고, 또한 시감투과율 Y1이 보통형 형광등 F6의 발광 스펙트럼(JIS Z8719-1996)을 사용한 시감투과율 Y2보다도 높은 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항에 있어서, 상기 시감투과율 Y1 및 Y2의 관계가, 하기 (1)식,

C=(Y1) / (Y2)²… … …(1)

에서 나타나는 필터 콘트라스트치 C를 2.4 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 필터가 530nm∼600nm의 파장역에 최대흡수를 가진 화합물을 함유함으로써, 530nm∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 530nm∼600nm의 파장역에 최대흡수를 가진 상기 화합물이 하기 일반식(IA)에서 나타나는 스쿠아릴륨계화합물인것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.

〔식(IA) 중, R¹는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아리올옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다. 여기서, 인접하는 R¹이 함께 되어, 알칸디일기나 알킬렌디옥시기를 형성하고 있어도 좋다.

R²는, 수소원자, 또는 1가의 치환기를 나타내며, G¹은, -NR³-으로 나타나는 기(여기서, R³은, 수소원자, 또는 알킬기를 나타낸다), 또는 산소원자를 나타내며, G²는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타낸다(여기서, G²가 술포닐기인 경우에는, R²는 수소원자가 아니다).

m, n 및 p는 0 이상의 정수이고, m+n+p는 5 이하이다.

다만, 벤젠환상의 이들의 치환기는, 타방의 벤젠환과의 사이에서 서로 달라도 좋고, 또한, 일방의 벤젠환에 있어서, m 및 n이 2이상일 때, R₁, 및 G¹-G²-R²로 표시되는 기는, 동일환 내의 다른 치환기와의 사이에서 서로 달라져 있어도 좋다.〕
파장 400nm∼700nm의 가시광영역에, 적어도 1개의 투과율의 극소치를 가지고, 또한 극소의 투과율 중 최소의 투과율(％)과, 가시광영역의 최대투과율(％)과의 차이가 적어도 10이상 있는 전자디스플레이용 필터에 있어서, 435nm, 545nm, 610nm의 파장의 투과율(％)을 비교하고, 이들의 파장에 있어서의 투과율(％)의 최대치와 최소치의 차이를 10 이내로 규제한 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 3항에 있어서, 최대치와 최소치의 차이를 5 이내로 규제하고 있는 전자디스플레이용 필터.
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 435nm, 545nm, 610nm의 파장의 투과율이, 80％∼5％인 전자디스플레이용 필터.
제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 530nm∼600nm의 파장역에, 투과율의 극소치를 갖는 전자디스플레이용 필터.
제 5항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 530∼600nm의 파장역에 최대흡수를 갖는 화합물을 함유함으로써, 530∼600nm의 파장역에 투과율의 극소치를 갖게하는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 5항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 435nm, 545nm, 610nm의 어느 하나의 파장근방에 최대흡수를 갖는 화합물을 함유함으로써 투과율을 규제하는 전자디스플레이용 필터.
제 9항에 있어서, 상기 화합물이 하기 일반식(IB)에서 나타나는 스쿠아릴륨계 화합물인 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.

〔식(IB) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기A는, 수산기, 또는 W-X-R₂(W는 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내며, R₂는, 수소원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 복소환기를 나타내고, m=0 또는 1부터 4의 정수를 나타내고, m'=0, 또는 1을 나타낸다.〕
제 9항에 있어서, 상기 화합물이 하기 일반식(Ⅱ)에서 나타나는 스쿠아릴륨계 화합물인 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.

〔식(Ⅱ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기A는, 수산기, 또는 W-X-R₂(W는 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, X는, 카르보닐기, 또는 술포닐기를 나타내며, R₂는, 수소원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 복소환기를 나타내고, m은, 0 또는 1을 나타내고, R₆, R₇은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내고, Z는, 산소원자를 나타낸다)를 나타낸다.〕
제 9항에 있어서, 상기 화합물이 하기 일반식(Ⅲ)에서 나타나는 스쿠아릴륨계 화합물인 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.

〔식(Ⅲ) 중, R₁은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도좋은 알콕시기를 나타내고, 치환기B는, W-CO-R₂(W는, 이미노기, 또는 알킬이미노기를 나타내고, R₂는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알키닐기를 나타내고, m 및 m'은, 각각 독립하여, 0 또는 1을 나타낸다)를 나타낸다.〕
제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선흡수제를 함유하는 층을 갖는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 근적외선컷트층을 갖는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 전자파실드층을 설치한 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 반사방지층을 설치한 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 방현(防眩, nonglare)층을 설치한 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 투명수지기재와 점착제층이 각각 2층 이상 적층된 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 19항에 있어서, 투명수지기재 1장의 두께가 40∼300㎛, 점착제층 1층의 두께가 5∼3000㎛인 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 19항 또는 제 20항에 있어서, 투명수지기재가 인열(引裂)강도 1.5N/mm 이상이고, 세로방향 인열강도/가로방향 인열강도의 비율이 0.5∼2.0임을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 투명수지기재가 가시광선투과율 70％ 이상의 폴리에스테르계 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 점착제층의 1층은 플라스마 디스플레이패널의 전면에 첩부(貼付)하기 위한 점착제층으로 되고, 표면에 박리필름을 설치한 것을 특징으로 하는 전자디스플레이용 필터.
제 1항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 기재된 전자디스플레이용 필터를 사용한 전자디스플레이장치.