KR20030080182A - 리소그래피장치, 장치세정방법, 디바이스제조방법 및 그제조된 디바이스 - Google Patents

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Abstract

저압환경에서, 표면에 근접한 툴팁과 그 표면 사이에 전압이 인가된다. 표면상의 오염물이 흡인되고 툴에 부착된다. 또한, 레이저가 리소그래피투영장치의 구성요소를 인시튜로 세정하는 데 사용될 수도 있다.

Description

리소그래피장치, 장치세정방법, 디바이스제조방법 및 그 제조된 디바이스{LITHOGRAPHIC APPARATUS, APPARATUS CLEANING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 관한 것이다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는, 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그램가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그램가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며 본 명세서에서도 참조자료로 채용된다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피쳐의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선의 투영빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여 임의의 이들 디자인방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함하고, 이러한 구성요소들은 이후 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피장치가 청정실내에서 작동되고, 청정공기로 플러싱된다고 해도, 장치의 오염이 발생하며 오염물의 위치 및 종류에 따라 다양한 문제를 일으킨다. 예를 들어, 청정실내의 공기 또는 마스크의 제조, 운반 및 저장으로부터 오는 마스크상의 무기오염물은 투영빔의 국부적 흡수를 유발하여 도즈에러 및 마스크피처의 부적절한 묘화 또는 심지어 블랭크영역이어야 하는 곳에 마크가 프린팅될 수 있다. 기판테이블상의 미립자는 기판을 왜곡시켜 (핫스팟(hot spot)으로 알려진) 집중된 포커스에러를 유발할 수 있다. 마스크 및 기판의 분위기(ambient air) 및 제조등등 뿐만 아니라, 오염원은 노광시에 투영빔에 의하여 기판으로부터 튀어나온 레지스트 파편(resist debris) 및 장치의 이동부간의 기계적인 접촉을 포함하며, 이는 접촉면으로부터 미립자가 떨어져 나오게 할 수도 있다.
오염으로 인한 에러를 최소화하기 위해서는, 마스크, 마스크테이블 및 기판테이블과 같은, 영향을 받기 쉬운 장치의 부분을 주기적으로 세정한다. 일반적으로, 이것은 시간소모적인 수작업이며, 예를 들어 기판테이블을 세정하는 데에는 2시간 이상이 소요되므로, 이는 장치의 원치않는 고장정지시간을 발생시키며 또한 숙련된 엔지니어에 의하여 수행되어야만 한다. 때로는, 수동세정은 오염물이 제거되지 않아 세정작업을 반복해야만 한다. 연삭툴 또는 특정화되지 않은 형식의 전자기방사선을 이용한, 버얼테이블(burl table)의 선택적 세정이 EP-1 093 022-A에 개시되어 있다. US 6,249,932호에는 리소그래피투영장치내의 테이블을 세정하기 위해 송풍공기 및 진공을 이용한 수동세정헤드가 개시되어 있다. 예를 들어, WO 02/05330호 및 WO 02/42013호를 보면 기판을 세정하는 여러가지의 방법이 공지되어 있으나, 상기 방법은 특별한 기계내에 기판을 놓아야 할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 리소그래피투영장치의 구성요소의 인시튜 세정을 위한 개선된 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피투영장치를 도시한 도면;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 리소그래피장치의 세정장치형성부를 도시한 도면;
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 세정장치에 사용될 수 있는 세정툴팁(cleaning tool tip)의 상이한 형태를 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 리소그래피투영장치의 세정장치형성부를 도시하는 도면.
본 발명에 따라 서두문에 상술된 바와 같은 리소그래피장치에 있어서,
- 리소그래피장치내의 구성요소를 인시튜로 세정하는 세정장치를 포함하며,
상기 세정장치는,
- 세정될 상기 구성요소의 표면으로부터 오염물을 유리시키기 위하여 전자기장을 이용하는 오염물유리수단; 및
- 상기 장치로부터 유리된 오염물을 제거시키는 오염물제거수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치에서 상기 목적과 또 다른 목적이 달성된다.
상기 오염물유리수단은 세정될 상기 구성요소의 상기 표면에 대하여 방사선의 세정빔을 지향하여 오염물을 박리시키고(ablate), 및/또는 열적으로 떼어내기 위한 레이저장치를 포함할 수도 있다. 레이저빔은 밑에 있는 표면을 손상시키지 않고 예를 들어, 박리(ablation), 증발에 의하여 또는 열충격파를 발생시켜 오염물을 제거하는 데에 효과적이다.
레이저장치는 세정될 상기 표면을 스캐닝하기 위해서 상기 세정빔의 각도를 변화시키는 빔스캐닝수단을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 방식으로, 레이저빔은 세정이 필요한 구성요소상의 한 점에 대하여 소정 각도로 용이하게 지향될 수 있다.
또한, 레이저장치는 상기 세정빔으로서 펄스빔(pulsed beam)을 방출하도록 되어 있는 것이 바람직하고, 상기 펄스빔은 100㎱보다 짧은 지속기간을 갖는 펄스를 포함하는 것이 바람직하다. 펄스빔은 열충격파효과를 발생시킬 때가 가장 효과적이며, 고출력빔을 제공할 수 있다.
특히 바람직한 실시예에서, 레이저장치는 상기 세정빔의 파장을 변동시키는 데에 적합하도록 되어 있다. 이것은 세정빔의 파장이 주어진 오염물에 대하여 특히 효과적인 파장이 되도록 선택되도록 한다.
또 다른 바람직한 실시예는 상기 세정빔으로서 평면편광(plane polarized light)의 빔을 방출하기에 적합한 레이저장치를 사용하고, 상기 표면에서 브루스터각(Brewster's angle)이하로 상기 평면편광을 지향시키는 것이 바람직하다. 이 방식으로, 레이저광의 대부분이 세정되고 있는 표면보다는 오염물에 의하여 흡수될 것이므로 세심한 주의를 요하는 박막이 보호될 수 있다.
대안적인 실시예에서, 오염물유리수단은,
- 세정될 상기 구성요소 주위에 비이온화 환경을 제공하는 수단;
- 세정될 상기 구성요소에 매우 근접하게 위치될 수 있는 세정툴; 및
- 세정될 상기 구성요소와 상기 세정툴의 사이에 전위차를 가하는 전압원을 포함하고,
상기 세정수단은 세정될 상기 구성요소를 세정하도록 구성되고 배치된다.
세정될 구성요소 주위에 비이온화, 예를 들어 저압 환경을 제공함으로써, 세정툴과 세정될 구성요소간의 전위차로 인한 방전기력을 사용하여 세정되고 있는 구성요소를 손상시킬 수 있는 방전(스파크발생)을 발생시키지 않고 오염물을 세정툴로 흡인하고 보유할 수 있다. 저압 환경(즉, 표준대기압보다 낮은 환경)은 해당체적을 (부분적으로) 배기함으로써 성취될 수 있다. 대안으로, 세정될 구성요소 주위의 환경은 비이온화 가스(예를 들어, 아르곤과 같은 불활성가스) 또는 가스혼합물로 플러싱될 수 있다. 상기 환경은 장치가 사용될 때에 존재하는 장기울기(field gradient)에서 방전이 발생하지 않도록 되어야 한다. 본 발명의 세정효율은 낮은 압력과 함께 증가하므로, 비교적 고진공(hard vacuum)환경이 제공되기 때문에 노광방사선으로서 EUV 방사선을 사용하는 리소그래피장치에서 본 발명이 특이 유리하다.
본 발명의 세정장치는 인시튜로 기능하며, 세정될 구성요소를 제거하기 위해 장치를 열고 해체할 필요성이 없다. 이는 세정으로 인한 고장정지시간이 실질적으로 단축되며, 예를 들어 웨이퍼들의 배치(batch)간에 보다 빈번한 세정이 이루어질 수 있다. 세정툴은 예를 들어 자동제어하에서 세정될 구성요소의 표면위로 툴을 스캐닝되게 하는 위치설정수단상에 장착되는 것이 바람직하다. 이러한 위치설정수단은 예를 들어 로봇암일 수 있다. 세정될 구성요소가 마스크 또는 기판테이블일 경우, 노광시에 테이블을 위치설정하기 위하여 제공되는 위치설정수단에 의하여 스캐닝이 수행될 수 있다. 이 방식으로 세정을 수행하기 위한 숙련된 엔지니어의 필요성이 회피되고, 또한 세정공정의 신뢰성을 증가시키면서, 세정이 자동화될 수 있다.
오염물을 제거하기 위해서 필요한, 툴과 세정될 구성요소간의 전위차 및 이격거리는 제거될 오염물 및 오염물이 부착되어 있는 표면의 특성에 의존할 것이다. 그러므로, 전위차 및 이격거리는 본 발명의 특정 실시예를 위한 숙련자에 의하여 측정될 것이다. 하지만, 툴과 구성요소간의 이격거리는 10㎚ 내지 30㎚의 범위내에 있고, 전위차는 0.1 내지 100㎸의 범위내에 있는 것이 바람직하다. 또한 전위차는 시간에 따라 변할 수 있고 극성이 바뀔 수도 있다.
툴의 팁(tool tip), 즉 세정될 구성요소와 가장 근접한 툴의 부분의 형상은 툴팁의 형상이 전기장기울기에 영향을 주어, 즉 오염물에 가해지는 방전기력에 영향을 주기 때문에 제거되는 오염물의 유효성을 결정할 것이다. 본 발명에서 이용할 수 있는 툴팁은 판, 와플(waffle), 선, 철망 예리한 에지 또는 뾰족끝의 형태를 취할 수 있다. 특히 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 상이한 세정효과를 위하여 선택되는, 동일하거나 다른 형태 또는 치수의 복수의 팁이 세정툴에 제공된다.
또한, 본 발명의 세정장치에 오염물을 이온화하는 이온화수단이 제공되어, 세정툴으로의 오염물의 흡인력이 증가될 수도 있다. 이온화수단은 예를 들어, 자외선램프, 전자총의 형태를 취할 수도 있다.
또한, 세정장치에는 오염물을 박리시키기 위해서 세정될 구성요소의 표면을 조사하도록 배치된 레이저가 마련될 수 있다. 또한, 이러한 레이저는 오염물이 부착되었던 표면으로부터 그것들을 떼어놓을 수 있는 급팽창을 유도하는 오염물입자의 급가열을 유발할 수 있다.
또한, 세정장치에는 세정툴, 또는 적어도 그 팁을 냉각시키는 냉각수단이 마련될 수 있다. 이것은 툴에 대한 오염물의 부착을 향상시키고, 세정된 구성요소에 대한 재오염을 줄인다.
장치의 1이상의 구성요소를 세정하기 위한 다수의 세정장치가 장치내에 제공될 수 있음은 물론이다.
세정될 구성요소는 오염물에 영향을 받기 쉬운 임의의 구성요소일 수 있지만, 본 발명은 마스크 및 기판의 비교적 빈번한 교체로 인하여 오염물에 가장 민감한 마스크 및 기판 클램핑장치에 적용될 때에, 특히 유리하다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면,
- 구성요소를 세정하기 위하여 리소그래피장치내에 내장된, 전자기장을 이용하여 세정될 구성요소의 표면으로부터 입자를 유리시키는 세정장치를 이용하는 단계를 포함하는 리소그래피장치를 세정하는 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태는,
- 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법으로서,
- 구성요소를 세정하기 위하여 리소그래피장치내에 내장된, 전자기장을 이용하여 세정될 구성요소의 표면으로부터 입자를 유리시키는 세정장치를 이용하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법을 제공한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용예에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248,193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 EUV(극자외선, 예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)를 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
첨부된 개략적인 도면을 참조로 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 거울그룹)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflective type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 방전원 또는 레이저생성 플라즈마원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사원(LA)이 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포함하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM)은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 짧은행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 마스크(MA) 또는 웨이퍼테이블(WT)의 표면을 세정하는 데 사용될 수 있는 세정장치(10)를 도시한다.
세정장치(10)는 툴팁(12)을 구비한 세정툴(11)을 포함한다. 이 실시예에서는 2개의 툴팁(12)이 도시되어 있으나, 단하나의 툴팁 또는 2개이상의 툴팁이 사용될 수도 있다. 다수의 툴팁이 있는 경우, 이들 툴팁은 동일하거나 상이한 크기 및/또는 형상일 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 툴팁의 가능한 형상은 하기에 서술된다.
세정툴(11)은 툴위치설정시스템(14)에 의하여 세정될 표면(S) 위로 소정 거리(d)에 위치되고 전위차(V)가 세정될 구성요소(MA, WT)와 툴팁(들)(12)간에 인가된다. 거리(d), 툴팁의 수 및 형상(들), 전위차(V) 및 세정툴 주위의 압력은 제거될 오염물 및 구성요소(MA, WT)의 표면특성에 따라 선택된다. 표면(S)으로부터 오염물을 제거하기 위해서 큰 전기장기울기(고밀도의 장선(field line))가 바람직하나 전기장내에서 분위기가 이온화되는 경우, 이는 팁툴과 표면(S)간에 해로운 방전을 유발할 수 있다. 이러한 방전을 최소화하기 위해서는, 세정툴(11)에 제공된 배기노즐(17)을 통하여 가스 및 오염물을 배출하는 진공펌프(16)에 의하여 적어도 툴팁의 부근에서는 저압환경이 유지되어야 한다. EUV 리소그래피장치에서, 진공펌프(16)는 노광시 고진공하에서 투영빔경로를 유지시키는 진공시스템의 부분을 형성할 수 있다. 진공펌프(16) 대신에 또는 추가하여, 비이온화 가스, 예를 들어 아르곤과 같은 불활성가스를 공급하는 가스공급수단이 비이온화 환경을 제공하는 데 사용될 수도 있다.
전체면(S)을 세정하기 위해서, 세정툴(11) 및 구성요소(MA, WT)는 상대적으로 스캔된다. 이는 정지한 구성요소(MA, WT) 위로 툴(11)을 스캐닝하는 툴위치설정수단(14) 또는 노광 이전 및 노광중에 구성요소(MA, WT)를 위치시키기 위해서 제공된, 정지한 툴(11)아래로 구성요소를 스캐닝하는 위치설정수단(PM, PW) 또는 양자의 조합에 의하여 달성될 수 있다. 예를 들어, 세정될 구성요소가 마스크(MA)이고 제1위치설정수단(PM)이 한 방향으로만 스캔할 수 있는 경우, 직교방향으로의 스캔은 툴위치설정수단(14)에 의하여 실행될 수 있다. 대안으로, 팁툴(12) 또는 팁툴(12)의 어레이는 전체면(S)이 단일 방향으로의 스캔으로 세정되도록 제1위치설정수단(PM)의 스캐닝방향에 수직인 표면(S)의 작동폭을 가로질러 연장될 수 있다.
상술된 바와 같이, 표면(S)상의 오염물은 표면(S)으로부터 떨어져 나가고 표면(S)과 툴팁(12)간의 전위차에 의하여 발생되는 전기장으로 인하여 툴팁(12)으로 흡인된다. 표면(S)으로부터 오염물의 제거를 촉진시키기 위해서, 이온화장치(18)가 제공될 수 있다. 이것은 세정툴(11)의 부근에서 표면(S)상에 UV 방사선 또는 전자빔을 지향시키는 전자총 또는 UV 램프의 형태를 취할 수 있다. 필요에 따라, UV 램프와 전자총이 모두 사용될 수 있다. 음으로 대전된 오염물은 양으로 대전된 툴팁(12)에 보다 신속하게 흡인된다. 대안으로, 또는 추가로, 가시광레이저(19)가 사용될 수 있다. 레이저(19)로부터의 방사선은 표면(S)상의 유기오염물을 증발시키거나 박리시키도록 작용하며, 그 후 상기 오염물은 대전된 툴팁(12)에 흡인된다. 또한, 레이저(19)는 미립자오염물을 떼어내는 데에 도움을 준다. 즉, 레이저빔에 의한 가열로 인한 미립자의 급속 열팽창은 미립자와 표면(S)간에 형성되어 있을 수있는 어떠한 결합도 끊을 수 있다. 또한, 미립자의 부근에서 다른 오염물의 폭발성 증발 또는 박리는 그것을 떼어놓을 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에서 사용될 수 있는 툴팁의 여러가지의 상이한 형상을 도시한다. 도 3a의 기본적인 판은 일반적으로 균일한 전기장을 제공하고 완만한 초기세정이나 특히 방전을 피해야 하는 경우에 사용될 수 있다. 도 3b의 와플형은 보다 강한 세정효과를 위해서 융기부의 부근에 보다 강한 전기장을 제공한다. 도 3c의 선은 단일 직선을 따라 집중된 전기장을 제공하는 데 반해, 도 3d의 철망은 다수의 집중된 전기장의 영역을 제공한다. 가장 강한 전기장은 도 3e의 뾰족한 에지형 및 또한 원뿔형일 수도 있는 도 3f의 뾰족끝의 팁에 의해서 발생된다. 상술된 바와 같이 동일하거나 상이한 형태의 다수의 툴팁(12)이 세정툴(11)에 제공될 수 있다. 툴 및 표면이 상대적으로 스캐닝되면, 다수의 팁은 각 스캔으로 보다 넓은 스트립을 세정하기 위하여 스캐닝방향에 수직으로 배치될 수 있어 세정시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 다수의 팁은 다수의 세정처리의 필요성을 회피하기 위해서 스캐닝방향에 평행하게 배치될 수도 있다. 상이한 툴형태는 표면(S)로부터 유리된 휘발성 오염물을 통한 방전의 위험없이 높은 세정효과를 제공하는 높은 전기장세기가 존재하도록 사용될 수 있다.
다수의 세정장치가 상이한 표면 또는 동일한 표면상의 상이한 구성요소를 세정하도록 리소그래피장치내에 제공되어 세정시간을 단축시킬 수 있다. 일 실시예에서는, 2개의 세정장치가 동시에 마스크(MA)의 대향측을 세정하도록 함께 작동된다. 구성요소의 표면의 작동영역만을 세정하는 것이 가능함은 물론이다.
상술된 바와 같이, 툴팁(12)과 표면(S)을 이격거리 및 인가된 전위차(V)는 실시예마다 변동될 것이다. 하지만, 본 발명자들은 10㎚ 내지 30㎚범위내의 이격거리(d) 및 0.1 내지 100㎸범위내의 전압(V)을 이용하여 효과적인 세정이 실행될 수 있다는 것을 측정하였다. 인가된 전위차는 시간에 따라 변할 수 있고 극성이 번갈아 바뀔 수 있다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예는 세정장치의 구성을 제외하고는 제1실시예와 동일하며 도 4에 도시되어 있다.
제2실시예의 세정장치(100)는 레이저세정빔이 세정될 대물의 표면(이 경우에는 기판테이블(WT))상에 지향될 수 있는 작동위치로부터, 투영빔경로를 벗어나 노광시 사용되는 장치의 어떠한 다른 부분도 가로막지 않는 비작동위치로 후퇴할 수 있도록 지지체(111)상에 장착되어 있는 레이저세정헤드(110)를 포함한다.
레이저(120)는 편광자(polarizer)(112), 시준렌즈(113) 및 가동거울(114)을 포함하는 레이저세정헤드(110)에 광섬유(121)를 통하여 레이저빔을 제공한다. 따라서, 레이저세정빔은 소정 각도(θi)로 기판테이블(WT)상에 지향될 수 있다. 도시된 바와 같이, 가동거울(114)은 직선을 따라 빔의 신속한 스캔을 수행할 수 있는 모터에 부착된 다각형거울, 또는 각도의 완만한 변화로 충분하다면 그 방위를 제어하기 위한 액추에이터에 부착된 단순한 평면거울을 포함할 수 있다.
레이저세정빔은 세정될 표면에 대하여 지향되며, 박리, 연소 및 열효과의 조합에 의하여 표면으로부터 오염물을 유리시킨다. 유기오염물은 주로 증발되며 산소가 존재한다면 연소된다. 증발된 오염물은 증발되지 아니한 보다 무거운 오염물의 제거에 도움을 줄 수 있으며, 또한 레이저세정빔으로부터 에너지의 계속적인 흡수에 의하여 플라즈마로 변화될 수 있다. 주로 입자인 무기오염물은 레이저빔으로부터 신속하게 에너지를 흡수하고, 그로 인한 열팽창은 표면으로부터 오염물을 떼어놓는 충격파를 발생시킨다. 또한, 상기 입자는 박리 및/또는 승화될 수 있다.
세정공정을 최적화하기 위해서, 레이저세정빔의 파장은 예상되는 오염물에 의한 흡수가 최대로 되도록 선택된다. 상이한 오염물의 최적의 세정을 제공하도록가변파장의 수개의 소스 또는 하나의 소스가 사용될 수 있다. 157 내지 1064㎚ 범위의 파장 또는 파장들이 적절하다고 판명되었다. 레이저원(120)은 YAG, CO2또는 엑시머레이저일 수 있다.
본 발명자들은 펄스를 가진 세정빔이 특히 효과적이며 그 중에서도 예를 들어 100㎚ 이하의 짧은 펄스길이가 효과적이며, 10㎚ 이하인 것이 바람직하다는 것을 알아냈다. 펄스원에 의하여, 열충격파효과가 현저해진다. 또한, 증발되거나 떼어진 오염물상에 부딪히는 뒤이은 펄스는 플라즈마와 더불어 충격파를 발생시킬 수 있으며, 이는 오염물을 떼어내는 데에 도움을 준다. Q-스위치 레이저는 고출력 짧은 레이저펄스를 제공하는 데 사용될 수 있다.
세정될 구성요소상의 세심한 주의를 요하는 막의 보호를 위해서, 입사평면내에 놓인 편광평면을 가진 편광된 빔이 사용된다. 그런 후, 상기 빔은 해당 표면및/또는 막에 대한 브루스터각보다 작은 입사각(θi)으로 세정될 표면상에 지향된다. 이 방식으로 세정될 표면에서 세정빔의 흡수가 최소화되어 표면 및 그 위의 어떠한 막의 품질저하도 최소화된다.
또한, 레이저세정헤드(110)내에는 플러싱가스공급부(130)에 연결된 플러싱가스출구(115) 및 진공펌프(140)에 연결된 배기입구(116)이다. 이들에 의하여, 불활성플러싱가스, 예를 들어 아르곤이 세정되고 있는 표면의 부근에 제공될 수 있다. 플러싱가스는, 박리 중과 박리 후에 세정되는 표면을 산화로부터 보호하고, 평균자유경로를 국부적으로 단축시켜 표면으로부터 유리된 오염물이 장치의 나머지부분으로 흩어지는 것을 방지하며, 증발된 탄화수소가 진공챔버벽을 오염시키는 것을 방지하는 몇가지 기능을 가진다. 세정되는 표면으로부터 유리된 오염물은 플러싱가스공급부내에 혼입되어 배기입구(116)를 통하여 제거된다.
레이저세정빔은 레이저헤드(110)의 위치, 방출된 빔의 각도 및 세정될 구성요소의 위치에 대한 제어의 조합에 의하여 세정될 소정 위치에 지향될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 레이저헤드(110)는 작동위치와 비작동위치 사이에서 간단히 변위가능하며, 간단한 위치설정장치가 구현되게 한다. 가동거울은 세정빔의 입사각을 제어하는 데 주로 사용되는 한편, 세정될 물체는 표면의 어느 부분이 세정될 것인지를 결정하기 위해서 이동된다. 특히, 이러한 배치는 X 및 Y방향의 넓은 이동범위를 갖는 위치설정시스템(PW)이 마련되어 있는 기판테이블을 세정하는 데 유용하다. Y방향으로만 넓은 이동범위를 가질 수 있는 마스크테이블의 경우, X방향으로 이동할 수 있는 세정헤드가 사용될 수 있다.
세정장치는 오염에 민감한 구성요소의 영역 및 오염이 치명적인 영역을 완벽히 소제하는 데 사용될 수 있으며, 또는 (오염검출기에 결합되어) 오염이 검출되는 장소만을 세정하도록 사용될 수 있다. 후자의 경우, 필요한 장소들만을 레이저세정하도록 레이저트리거(laser trigger)가 제어시스템(150)을 통하여 테이블위치설정장치에 결합되어야 한다.
일 실시예에서, 오염검출기는 구성요소의 표면의 표면형상을 검출하는 데 사용되는 레벨감응수단(도 1에 도시되지 않음)일 수 있다. 표면형상은 구성요소 또는 구성요소에 영향을 미치는 또 다른 구성요소상의 오염의 존재 및/또는 위치를 결정하기 위해서 분석될 수 있다. 예를 들어, 기판의 표면형상의 변형은 기판을 지지하는 기판테이블 또는 기판자체상의 오염의 존재 및/또는 위치를 나타낼 수 있다. 이러한 변형은 소프트웨어를 이용하여 구성요소의 기지의 세정표면형상에 대하여 또는 또 다른 유사한 구성요의 표면에 대하여 구성요소의 표면형상을 비교(예를 들어, 2개의 기판 또는 패터닝수단간의 표면형상 비교)함으로써 결정될 수 있다. 또한, 오염물의 크기 및 특성은 표면형상의 분석으로부터 결정될 수도 있다. 오염검출기의 보다 상세한 설명은 미국특허 제 6,392,738호에서 찾을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다.
구성요소의 표면상의 오염은 리소그래피투영장치의 생산사이클중에 검출되고, 및/또는 세정될 수 있다. 예를 들어, 기판테이블의 지지면상에 존재하는 오염물이 검출될 때에, 기판테이블로부터의 기판의 언로딩과 기판테이블상의 또 다른기판의 로딩 사이에서 기판테이블이 세정될 수 있다. 유사하게, 구성요소의 준비시에 오염물의 세정 및/또는 검출이 수행될 수 있다. 예를 들어, 예비정렬기 또는 별도의 정렬장치내의, 노광위치 또는 정렬위치와 같은 정렬공정동안 세정 및/또는 검출이 실행될 수 있다.
일 실시예에서는, 리소그래피투영장치를 이용한 기판의 노광 직전에, 예를 들어 기판표면의 표면형상에 대처하도록 레벨감응수단을 이용하여 리소그래피투영장치의 기판테이블상에 지지된 기판을 측정함으로써 오염이 검출될 수 있다. 오염이 검출되면, 기판은 기판테이블로부터 제거될 수 있고, 기판테이블이 세정되며, 상술된 바와 같이 국부세정기술을 이용하여 오염이 검출된 기판테이블의 표면상의 특정 위치에서 세정하는 것이 바람직하다. 세정이 끝나면, 기판은 기판테이블상에 다시 놓여지고 재차 측정될 수 있다. 오염이 다시 검출되거나 몇가지 다른 결함이 검출된 경우, 기판은 불량처리될 수 있다. 그 후, 기판은 장치로부터 제거되거나 개별적으로 세정될 수 있다. 리소그래피투영장치에서 소프트웨어에 의하여 관리될 수 있는 상기의 공정이 또 다른 새로운 기판에 반복될 수 있다. 또한, 상기 공정은 패터닝수단과 같은 리소그래피투영장치의 다른 구성요소에도 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 리소그래피투영장치는 2개이상의 테이블을 구비한 다중스테이지장치일 수 있다. 이 경우, 하나의 테이블이 노광에 사용되는 동안에 준비단계 및/또는 로딩단계에 있는 또 다른 테이블에 대하여 오염의 검출 및/또는 세정이 수행될 수 있다. 아마도 노광(및 노광위치에서의 준비)시에 또한 그와는 별도의 검출 및/또는 세정단계를 실행시킴으로써 더 높은 스루풋이 성취될 수 있다.
세정작업은 자동화될 수 있으며 리소그래피투영장치를 열지 않고도 실행될 수 있으므로, 고장정지시간을 상당히 낮출 수 있고 장치의 스루풋을 상당히 증가시킬 것이다. 세정은 기계적으로(예를 들어, 세정숫돌, 브러시), 화학적으로(예를 들어, 아세톤), 전자기방사선(예를 들어, 레이저) 등등에 의하여 행해질 수 있다. 세정 및 특히 국부적 세정을 위하여, 오염이 검출된 특정 위치에서 세정이 행해질 수 있다. 국부적 세정은 예를 들어, 구성요소와 세정의 적용점의 상대운동(예를 들어, 세정장치 자체의 이동 또는 빔지향수단에 의한 전자기빔장치의 빔의 이동)을 수행하여 적용될 수 있다.
상술된 세정 및 검출수단은 리소그래피투영장치의 묘화부 다음에 위치되는 기판 및/또는 패터닝수단 핸들링유닛내에 통합될 수 있다. 핸들링유닛은 기판 및/또는 패터닝수단의 오염여부를 검사하고, 불량처리된 기판 및/또는 패터닝수단을 특수 캐리어내에 놓고, 깨끗한 기판 및/또는 패터닝수단을 리소그래피투영장치의 묘화부에 건내주고 상기 장치의 묘화부에서 사용된 기판 및/또는 패터닝수단을 가져올 수 있다.
본 발명의 특정한 실시예가 상술되어 있지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수 있다는 이해할 것이다. 본 서술은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 마스크, 마스크테이블 및 기판테이블과 같은, 장치의 민감한 부분을 주기적으로 세정하여 오염으로 인한 에러를 최소화함에 있어서, 리소그래피투영장치의 구성요소를 인시튜로 세정하여 세정시간을 단축시켜 원치않는 고장정지시간을 줄이는 개선된 방법 및 장치가 제공된다.

Claims (23)

  1. - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
    - 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 있어서,
    - 리소그래피장치내의 구성요소를 인시튜(in situ)로 세정하는 세정장치를 포함하며,
    상기 세정장치는,
    - 세정될 상기 구성요소의 표면으로부터 오염물을 유리시키기 위하여 전자기장을 이용하는 오염물유리수단; 및
    - 상기 장치로부터 유리된 오염물을 제거하는 오염물제거수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 오염물유리수단은 세정될 상기 구성요소의 상기 표면에 대하여 방사선의 세정빔을 지향하여 표면의 오염물을 박리시키고, 및/또는 열적으로 떼어내기 위한 레이저장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이저장치는 세정될 상기 표면을 스캐닝하기 위해서 상기 세정빔의 각도를 변화시키는 빔스캐닝수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 레이저장치는 상기 세정빔으로서 펄스빔을 방출하기에 적합하며, 바람직하게는 상기 펄스빔은 100㎱보다 짧은 지속기간을 갖는 펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저장치는 상기 세정빔의 파장을 변화시키는 데에 적합한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저장치는 상기 세정빔으로서 평면편광의 빔을 방출하기에 적합하며, 바람직하게는 상기 표면에서 브루스터각이하로 상기 평면편광을 지향시키기에 적합한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오염물제거장치는 유리된 오염물을 배출하는 진공펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  8. 제7항에 있어서,
    세정될 표면의 부근에 불활성플러싱가스를 공급하는 플러싱가스수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오염물유리수단은,
    - 세정될 상기 구성요소 주위에 비이온화 환경을 제공하는 수단;
    - 세정될 상기 구성요소에 매우 근접하게 위치시킬 수 있는 세정툴; 및
    - 세정될 상기 구성요소와 상기 세정툴 사이에 전위차를 가하는 전압원을 포함하고,
    상기 세정수단은 세정될 상기 구성요소를 세정하도록 구성되고 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 비이온화환경을 제공하는 상기 수단은 상기 구성요소를 포함하는 공간을 비워주는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 비이온화환경을 제공하는 수단은 세정될 상기 구성요소의 부근에 불활성가스를 공급하는 가스공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정툴은 세정될 상기 구성요소의 표면으로부터 10㎚ 내지 30㎚범위내의 거리에 위치할 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전위차는 0.1 내지 100㎸의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정툴은 판, 와플(waffle), 선, 철망, 예리한 에지 및 뾰족끝을 포함하는 그룹으로부터 선택된 형상을 갖는 툴팁을 구비하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 세정툴은 상이한 형상 및/또는 크기를 갖는 적어도 2개의 복수의 툴팁을 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  16. 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정수단은 세정될 상기 구성요소상의 오염물을 이온화하는 이온화수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정툴과 세정될 상기 구성요소간의 상대적인 스캐닝동작을 제공하는 위치설정수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 위치설정수단은 작동위치와 비작동위치 사이에서 상기 세정장치를 변위시키는 제1위치설정수단 및 세정될 상기 구성요소를 스캐닝하는 제2위치설정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정수단은 상기 세정툴의 적어도 일부를 냉각시키는 냉각수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  20. 리소그래피장치를 세정하는 방법에 있어서,
    - 구성요소를 세정하기 위하여 리소그래피장치내에 내장된, 전자기장을 이용하여 세정될 구성요소의 표면으로부터 입자를 유리시키는 세정장치를 이용하는 단계를 포함하는 리소그래피장치를 세정하는 방법.
  21. 디바이스제조방법에 있어서,
    - 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법으로서,
    - 구성요소를 세정하기 위하여 리소그래피장치내에 내장된, 전자기장을 이용하여 세정될 구성요소의 표면으로부터 입자를 유리시키는 세정장치를 이용하는 단계를 더욱 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    - 패터닝된 빔을 투영하기 전에, 레벨감응수단을 이용하여 기판테이블상의 기판을 측정하여 오염을 검출하는 단계;
    - 오염이 검출되는 경우, 기판테이블에서 기판을 제거하고 기판테이블을 세정하는 단계;
    - 기판테이블상에 기판을 교체하고 기판을 다시 측정하여 오염을 검출하는 단계; 및
    - 오염이 다시 검출되는 경우, 기판을 불량처리하는 단계를 더욱 포함하는 디바이스제조방법.
  23. 제21항 또는 제22항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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