KR20030063238A - 탄성표면파 장치 및 이것을 구비하는 통신 장치 - Google Patents

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KR20030063238A
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Abstract

본 발명은 밸런스 특성을 개선할 수 있는 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 탄성표면파의 전파방향을 따라 형성된 복수의 빗형 전극부를 갖는 공진자형 필터(1)과 공진자형 필터(2)를 구비하고 있다. 그리고, 공진자형 필터(2)는 공진자형 필터(1)와는 위상이 180° 반전되어 불평형형-평형형 변환기능을 갖고 있다. 또한, 공진자형 필터(1)의 불평형신호용 단자(7)측에 직렬로 접속되어 있는 공진자(31)와, 공진자형 필터(2)의 불평형신호용 단자(7)측에 직렬로 접속되어 있는 공진자(41)를 구비하고 있다. 공진자(31) 및 공진자(41)는 서로 다른 설계 파라미터에 의해 형성되어 있다.

Description

탄성표면파 장치 및 이것을 구비하는 통신 장치{Surface-acoustic-wave device and communication device having the surface-acoustic-wave device}
본 발명은 지연선, 필터 등에 사용되는 탄성표면파 장치 및 이 탄성표면파 장치를 구비하는 통신 장치에 관한 것이다.
최근의 전자기기의 소형화, 경량화에 의해, 전자부품에 대해서도 다기능화가 요구되고 있다. 이러한 배경속에서, 휴대전화기 등의 통신 장치에 사용되는 탄성표면파 장치로서의 탄성표면파 필터(이하, SAW 필터라고 함)에 대하여도 평형입력에 의해 동작하는 IC에 직접 접속할 수 있도록 불평형형-평형형 변환기능을 가질 것이 요구되어, 활발하게 연구가 이루어져 왔다.
특히, 공진자형 필터로 이루어지는 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 SAW 필터에서는, 평형측에 있어서의 진폭차와 위상차가 중요한 특성(이하, 밸런스 특성이라 함)이 되고 있으며, 평형측에 있어서 진폭차가 0㏈일 것, 및 위상차가 180°일 것이 요구된다. 그러나, 실제로는 SAW 필터의 구성에 따라서도 밸런스 특성의 경향이 다르기 때문에, 완전히 진폭차를 0㏈, 및 위상차를 180°로 할 수는 없으며, 이들 SAW 필터의 구성에 대하여 밸런스 특성을 개선하는 것이 과제로 되고 있다.
불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에는, IC의 종류나 목적에 따라서 여러가지 구성이 있는데, 예를 들면, 평형측의 정합 임피던스가 불평형측의 정합 임피던스의 대략 4배가 되는 탄성표면파 장치에는, 도 12와 같은 구성이 널리 사용되고 있다.
도 12에 나타낸 탄성표면파 장치는, 압전기판(도시하지 않음) 위에, 공진자형 필터(100)와, 이것과 위상이 180° 다른 공진자형 필터(101)를 구비하고 있는 구성이다.
상기 공진자형 필터(100)에는, 빗형 전극부(인터디지탈 트랜스듀서, 이하, IDT라고 약기함)(101)이 형성되고, 그 IDT(101)의 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에 IDT(102, 103)가 배치되어 있다. 또한, 상기 공진자형 필터(100)에서는, 이들 IDT(101, 102, 103)를 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에서 끼워넣도록, 반사기(104, 105)가 각각 배치되어 있다.
IDT는 알루미늄 등의 금속 박막에 의해 형성되어 있으며, 입력한 전기신호(교류)를 탄성표면파(탄성 에너지)로 변환하여 압전기판 위에 전파시키고, 전파된 탄성표면파를 전기신호로 변환하여 출력하는 탄성표면파 변환부로서 기능하는 것이다. 반사기는 전파되어 온 탄성표면파를 왔던 방향으로 반사하여 변환효율을 향상시키기 위한 것이다.
이러한 IDT에서는, 각 빗형상 전극지의 길이나 폭, 이웃하는 각 빗형상 전극지의 간격, 서로의 빗형상 전극지 사이에서의 맞물린 상태의 대면길이를 나타낸 교차폭을, 각각 설정함으로써 신호변환 특성이나, 통과대역의 설정이 가능해지고 있다. 또한, 반사기에 있어서는, 각 반사기 전극지의 폭이나 간격을 조정함으로써 반사특성의 설정이 가능해지고 있다.
또한, 공진자형 필터(110)는 상기 공진자형 필터(100)와는 위상을 180° 다르게 하기 위해서, 공진자형 필터(100)에 있어서의 IDT(101)와 전극지의 핫(신호측)과 어스(접지측)를 반대로 한 IDT(111)가 형성되어 있으며, 그 IDT(111)의 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에 IDT(112, 113)가 배치되어 있다. 게다가, 상기 공진자형 필터(110)에 있어서는, 이들 각 IDT(111, 112, 113)를 좌우에서 끼워넣도록, 탄성표면파를 반사하여 변환효율을 향상시키기 위한 반사기(114, 115)가 각각 배치되어 있다.
더욱 상세하게는, 공진자형 필터(100)에 있어서의 IDT(102, 103)와, 공진자형 필터(110)에 있어서의 IDT(112, 113)가 병렬로 접속되어 있는 불평형신호용 단자(170), 및 IDT(101, 111) 각각에 직렬로 접속되어 있는 평형신호용 단자(180, 190)가 형성되어 있다. 즉, 위상이 180° 다른 2개의 공진자형 필터(100, 110)의 한쪽을 접속하고, 접속한 불평형신호용 단자(170)를 불평형형, 접속하지 않은 평형신호용 단자(180, 190)를 평형형으로 하여, 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성하고 있다. 한편, 이 탄성표면파 장치에는 통과대역외의 고감쇠 또는 감쇠의 급준성(急峻性)이 요구되고 있다.
그래서, 도 13에 나타낸 바와 같이, 도 12에 나타낸 탄성표면파 장치의 각 단자(170, 180, 190)에 있어서, 각각 직렬로 공진자(131, 141, 151)를 구비하는 트랩 공진자(130, 140, 150)를 삽입함으로써, 통과대역외에서 고감쇠 또는 감쇠의 급준성을 얻을 수 있다.
그러나, 상기의 구성에서는, 공진자형 필터(100)에 대하여, 공진자형 필터(110)의 위상을 180° 다르게 하기 위해서, 공진자형 필터(110)의 중앙의 IDT(111)에 있어서의 전극지의 핫과 어스를 공진자형 필터(100)에 대하여 반대로하고 있기 때문에, 공진자형 필터(100)와 공진자형 필터(110)의 핫 및 어스의 갯수가 다르게 되는 경우나, IDT-IDT 경계에 있어서 어스와 핫이 나란하고, 불필요한 전계가 발생하는 경우 등, 밸런스 특성을 나쁘게 하는 요인을 포함하고 있었다. 이 밸런스 특성의 개선에 있어서의 대책의 하나로서, 핫의 전극지를 어스로 하는 등의 방법이 있지만 여전히 밸런스 특성에는 문제가 있었다.
도 12에 나타낸 탄성표면파 장치로서는, 통과대역내 근방에 있어서 공진자형 필터(100)와 공진자형 필터(110)는 위상차만이 180°가 되는 것이 이상적이지만, 결국은 상술한 바와 같은 이유에 의해, 실제로는 임피던스 등도 다르게 되고 있었다. 이 결과, 밸런스 특성은 이상(理想) 상태인 진폭차 0㏈, 위상차 180°로부터의 변동이 생기고 있었다. 이러한 문제는 위상이 180° 다른 2계통의 필터부로 이루어지는 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치가 본질적으로 가지고 있는 문제이다. 또한, 밸런스 특성이 실용상 문제가 되는 수준이 되는 경우에 유효한 개선방법이 없었다.
본 발명은 상기 종래의 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 밸런스 특성이 더욱 개선된 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 전극지의 갯수를 변화시켰을 때의 진폭 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 3은 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 전극지의 갯수를 변화시켰을 때의 위상 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 전극지의 갯수를 변화시켜서 시뮬레이트한 진폭 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 전극지의 갯수를 변화시켜서 시뮬레이트한 위상 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 6은 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 듀티를 변화시켰을 때의 진폭 변화도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 듀티를 변화시켰을 때의 위상 변화도를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략 구성도다.
도 9는 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 교차폭을변화시켜서 시뮬레이트했을 때의 진폭 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 10은 상기 탄성표면파 장치의 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 교차폭을 변화시켜서 시뮬레이트한 위상 평형도를 나타낸 그래프이다.
도 11은 상기 탄성표면파 장치를 사용한 통신 장치의 주요부 블록도이다.
도 12는 종래의 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 13은 종래의 다른 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 15는 패키지에 수납되어 있는 상기 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 주요부의 단면도이다.
도 16은 제3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 탄성주파수-삽입손실 특성을 나타낸 그래프이다.
도 17은 제3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸 그래프이다.
도 18은 비교예 1의 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 효과가 얻어지는 범위를 조사한 그래프이다.
도 20은 상기 실시형태의 탄성표면파 장치의 한 제조 프로세스를 나타낸 단면도이다.
도 21은 상기 실시형태의 탄성표면파 장치의 다른 제조 프로세스를 나타낸단면도이다.
도 22는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 23은 제4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 탄성주파수-삽입손실 특성을 나타낸 그래프이다.
도 24는 제4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸 그래프이다.
도 25는 제4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 효과가 얻어지는 범위를 조사한 그래프이다.
도 26은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 27은 제5 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 탄성주파수-삽입손실 특성을 나타낸 그래프이다.
도 28은 제5 실시형태에 따른 탄성표면파 장치 및 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서의, 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸 그래프이다.
도 29는 제5 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 효과가 얻어지는 범위를 조사한 그래프이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
1: 공진자형 필터(SAW 필터)
2: 공진자형 필터(SAW 필터)
3: 트랩 공진자
4: 트랩 공진자
5: 트랩 공진자
6: 트랩 공진자
7: 불평형신호용 단자
8: 평형신호용 단자
9: 평형신호용 단자
11: IDT(빗형 전극)
12: IDT(빗형 전극)
13: IDT(빗형 전극)
21: IDT(빗형 전극)
22: IDT(빗형 전극)
23: IDT(빗형 전극)
31: 공진자
41: 공진자
500: 탄성표면파 장치
501, 502: 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(탄성표면파 소자)
503, 504: 탄성표면파 공진자(공진자)
515: 불평형신호용 단자
516, 517: 평형신호용 단자
본 발명의 탄성표면파 장치는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 탄성표면파의 전파방향을 따라 형성된 복수의 빗형 전극부를 갖는 제1 탄성표면파 소자와 제2 탄성표면파 소자를 구비하고, 상기 제2 탄성표면파 소자는 상기 제1 탄성표면파 소자와는 위상이 180° 반전되어 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에 있어서, 상기 제1 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제1 공진자와, 상기 제2 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제2 공진자를 구비하고, 상기 제1 공진자 및 제2 공진자는 서로 다른 설계 파라미터에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 상기 제1 공진자 및 제2 공진자는 적어도 1개의 빗형 전극부와, 빗형 전극부를 끼우도록 배치되어 있는 리플렉터로 이루어지는 탄성표면파 공진자인 것이 바람직하다.
상기의 구성에 따르면, 제1 공진자 및 제2 공진자는 각각 제1 탄성표면파 소자 및 제2 탄성표면파 소자의 특성에 따라서 설계된 것이므로, 각각의 설계 파라미터가 조절됨으로써, 탄성표면파 장치의 불평형형-평형형 변환에 있어서의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터 및/또는 빗형 전극부의 전극지의 갯수인 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 구성에 따르면, 각 공진자에 있어서의 전극지의 갯수에 의해 평형측의 출력의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 교차폭인 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 구성에 따르면, 각 공진자에 있어서의 교차폭에 의해 평형측의 출력의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 듀티인 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터 및/ 또는 빗형 전극부의 듀티를 각각 x, y라고 한 경우, 0 ＜|x－y|≤0.05의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
상기의 구성에 따르면, 각 공진자에 있어서의 듀티에 의해 평형측의 출력의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
상기의 구성에 따르면, 제1 공진자와 제2 공진자의 비에 의해 평형측의 출력의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부간의 최외측 전극지 중심간 거리인 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 상기 탄성표면파 소자의 빗형 전극부의 구조에 의해 결정되는 파장을 λ라고 하고, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의, 리플렉터와 빗형 전극부간의 최외측 전극지 중심간 거리를 각각 Xλ, Yλ라고 한 경우, (0＋0.5n)λ＜|X－Y|λ≤(0.18＋0.5n)λ(n＝0, 1, 2…)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
상기의 구성에 따르면, 제1 공진자와 제2 공진자의 최외측 전극지 중심간 거리가 다르기 때문에, 제1 공진자와 제2 공진자간의 진폭 및 위상특성이 다르고, 제1 탄성표면파 소자와 제2 탄성표면파 소자에 있어서의 통과대역 고역측의 평형도의 변동을 보정할 수 있다. 따라서, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치가 얻어진다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부간의 피치비인 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부간의 피치비(빗형 전극부의 피치/리플렉터의 피치)를 각각 a, b라고 한 경우, 0.984≤a/b＜1의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
상기의 구성에 따르면, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서 빗형 전극부와 리플렉터간의 피치비를 다르게 하고 있기 때문에, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 진폭 및 위상특성이 다르고, 제1 탄성표면파 소자와 제2 탄성표면파 소자에 있어서의 통과대역 고역측의 평형도의 변동을 보정할 수 있다. 따라서, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치가 얻을 수 있다.
또한, 상기 탄성표면파 장치는 페이스 다운 공법으로 패키지내에 수납되어 있어도 좋다.
본 발명의 통신 장치는 상기 탄성표면파 장치 중의 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하고 있다. 상기 구성에 따르면, 밸런스 특성이 향상된 탄성표면파 장치를 구비함으로써, 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
(발명의 실시형태)
〔제1 실시형태〕
본 발명의 제1 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 7에 의거하여 설명하면, 이하와 같다. 본 실시형태에 따른 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파장치(SAW 디바이스)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 공진자형 필터(탄성표면파 소자, SAW 필터)(1, 2)를 구비하고 있는 구성이다. 이들 공진자형 필터(1, 2)는 거의 동등한 통과대역을 갖고 있다. 또한, 이들 공진자형 필터(1, 2)는 압전기판(도시하지 않음) 위에 구비되어 있다. 상기 압전기판은 탄탈산 리튬 또는 니오브산 리튬 등으로 이루어져 있다.
상기 공진자형 필터(1)는 IDT(11)를 중앙으로 하여 그 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에 IDT(12, 13)가 배치되어 있다. 이들 IDT(11, 12, 13)를 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에서 끼워넣도록, 반사기(14, 14)를 각각 갖고 있다.
상기 공진자형 필터(2)는 IDT(21)를 중앙으로 해서 그 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에 IDT(22, 23)가 배치되어 있다. 이들 IDT(21, 22, 23)를 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 좌우)에서 끼워넣도록, 반사기(24, 24)를 각각 갖고 있다.
그리고, 상기 IDT(11)와 IDT(21)는 이들 전극지의 핫(신호측)과 어스(접지측)가 반대로 배치되어 있으며, 이에 따라, 상기 공진자형 필터(1)과 공진자형 필터(2)는 서로의 위상이 대략 180° 다르게 설계되어 있다.
상기 공진자형 필터(1, 2)는 불평형신호용 단자(7)에 대하여 병렬로 접속되어 있다. 또한, 공진자형 필터(1)는 평형신호용 단자(8)에 대하여, 공진자 필터(2)는 평형신호용 단자(9)에 대하여, 각각 직렬로 접속되어 있다.
또한, 대역외의 감쇠량을 개선하기 위해서, 공진자형 필터(1)에 대하여 트랩공진자(3, 5)가, 공진자형 필터(2)에 대하여 트랩 공진자(4, 6)가 각각 직렬로 접속되어 있다. 또한, 상기 트랩 공진자(3, 4)는 불평형신호용 단자(7)에 접속되어 있다. 트랩 공진자(5, 6)는 각각 평형신호용 단자(8, 9)에 접속되어 있다. 상기와 같이, 불평형신호용 단자(7)측의 트랩 공진자를, 트랩 공진자(3, 4)로 분할하고 있으므로, 밸런스 특성을 더욱 양호하게 조절할 수 있다.
각 트랩 공진자(3, 4, 5, 6)는 각각 공진자(31, 41, 51, 61)를 구비하고, 그 탄성표면파의 전파방향을 따라 각각 반사기(32, 42, 52, 62)로 끼워져 있는 구성이다.
상세하게는, 공진자형 필터(1)의 IDT(12, 13)는 트랩 공진자(3)의 공진자(31)와 접속되어 있다. 공진자형 필터(1)의 IDT(11)는 트랩 공진자(5)의 공진자(51)와 접속되어 있다. 공진자형 필터(2)의 IDT(22, 23)는 트랩 공진자(4)의 공진자(41)와 접속되어 있다. 그리고, 공진자형 필터(2)의 IDT(21)는 트랩 공진자(6)의 공진자(61)와 접속되어 있다.
상기의 구성 때문에, 본 탄성표면파 장치는, 불평형신호용 단자(7)의 임피던스에 대하여, 평형신호용 단자(8, 9) 각각의 임피던스가 약 4배가 되는 불평형형-평형형 변환기능을 갖고 있다.
본 실시형태에서는, 불평형신호용 단자(7)측을 50Ω, 평형신호용 단자(8, 9)측을 200Ω가 되도록 설계한 경우에 대해서 설명하겠다. 이하, 트랩 공진자에 있어서의 전극지의 갯수에 의한 밸런스 특성을 검토하기 위해서, 구체적인 예를 들어 설명하겠다. 상기 탄성표면파 장치에 있어서의 설계 파라미터를 표 1에 나타낸다.트랩 공진자(3, 4)에 있어서의 전극지의 갯수를 각각 N1, N2라고 하고, N1≠N2로 하고 있다.
필터(1) 필터(2) 필터(3) 필터(4) 필터(5) 필터(6)
반사기 갯수 100 100 30 30 30 30
중앙 IDT 갯수 31 31 N1 N1 161 161
외측 IDT 갯수 25 25 - - - -
교차폭(㎛) 110 110 85 85 50 50
중심 주파수(㎒) 1960 1960 1997 1997 2060 2060
표 1에 나타낸 설계의 상기 탄성표면파 장치에 있어서, 표 2에 나타낸 바와 같이, 트랩 공진자(3)에 있어서의 전극지의 갯수 N1와 트랩 공진자(4)에 있어서의 전극지의 갯수 N2의 조합 ①∼③으로 변경하고, 탄성표면파 장치의 밸런스 특성에 대해서 검토했다. 또한, 트랩 공진자(3)와 트랩 공진자(4)에 있어서의 전극지의 갯수의 비 N2/N1도 나타내고 있다.
N1 N2 N2/N1
① 345 297 0.86
② 337 305 0.91
③ 329 313 0.95
도 2에 ①∼③의 조합에 있어서의, 탄성표면파 장치의 진폭 평형도의 그래프를 나타낸다. 이 그래프으로부터 알 수 있는 바와 같이, N2/N1을 크게 하면, 극치(極値)가 낮아지고 고역측의 특성은 저주파측으로 시프트한다. ①과 ③에 있어서 극치의 값을 비교하면 0.65㏈에서 0.85㏈로 변화되고 있다.
한편, 도 3에 ①∼③의 조합에 있어서의, 탄성표면파 장치의 위상 평형도의 그래프를 나타낸다. 이 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 위상 평형도는 N2/N1을 크게 하면 전체적으로 상측으로(위상 평형도가 커지도록) 시프트한다. 특히, 고역측의 변화량이 크고, ①과 ③의 비교에서는, 170°에서 172.5°로 변화되고 있다.
이상과 같이 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자의 전극지의 갯수를 변경함으로써, 밸런스 특성이 변화되는 것을 알 수 있다. 요컨데, 공진자형 필터의 설계에 따라서 밸런스 특성은 다르지만, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자에 있어서의 공진자의 전극지의 갯수를 변경함으로써, 밸런스 특성을 조절할 수 있는다. 본 실시형태의 경우, N2/N1을 크게 해 가면 위상 평형도는 전체적으로 상측으로 이동하지만, 통과대역내에 있어서의 최소값과 최대값의 변화량을 비교하면, 최소값의 변화량쪽이 크다.
게다가, 도 4 및 도 5에, 간단한 시뮬레이션에 있어서의, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자에 있어서의 공진자의 전극지의 갯수를 변경한 경우의 밸런스 특성의 변화를 나타낸다. 이 결과, 진폭 평형도와 위상 평형도는 고역측에서의 변화량이 크다는 것을 알 수 있다. 이것은 실측값의 경향과 일치하는 것으로, 시뮬레이션에 의해 파라미터의 제어가 가능하다는 것을 나타내고 있다. 상기 시뮬레이션은 예를 들면 등가회로법에 의거하여 행하면 되고, 등가회로 모델 또는 모드 결합이론 등을 들 수 있다.
또한, 상기의 탄성표면파 장치에 있어서의 트랩 공진자(3)의 듀티를 0.42, 0.62, 0.82로 변화시킨 경우의 밸런스 특성의 변화를 도 6 및 도 7에 나타낸다. 도 6은 진폭 평형도를 나타내고, 도 7은 위상 평형도를 나타낸다. 한편, 트랩 공진자(4)의 듀티는 0.62로 되어 있다. N1은 337이며, 또한 N2는 305이며, 다른 설계 파라미터는 표 1에 나타낸 것과 동일하다.
도 6 및 도 7로부터, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자의 듀티를 변화시킴으로써, 밸런스 특성이 변화되는 것을 알 수 있다. 요컨데, 공진자형 필터의 설계에 따라서 밸런스 특성은 다르지만, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자의 공진자에 있어서의 듀티를 변화시킴으로써, 통과대역의 고역측에서 밸런스 특성을 조절할 수 있다. 특히, 도 7로부터, 위상 밸런스를 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 상기에서는, 3개의 IDT에 의해 공진자형 필터를 구성하고 있지만, 본 실시형태의 설계에 관계없이, 공진자형 필터에 다른 구성, 예를 들면 3개에 한하지 않고 복수의 IDT로 이루어지는 구성을 사용하고 있는 경우이더라도 응용가능하다.
〔제2 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대하여 도 8 내지 도 10에 의거하여 설명하면, 이하와 같다. 한편, 설명의 편의상, 상기 제1 실시형태에서 나타낸 각 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하겠다.
본 실시형태에서는, 제1 실시형태의 탄성표면파 장치와 거의 동일한 설계에있어서, 도 8에 나타낸 바와 같이 불평형신호용 단자(7)측에 접속되어 있는 공진자(31)와 그것을 끼우는 반사기(32, 32)를 구비하는 트랩 공진자(3)를, 공진자(31a)와 그것을 끼우는 반사기(32a, 32a)를 구비하는 트랩 공진자(3a)로 변경한 것이다. 상기 공진자(31)는 공진자(31a)와는 교차폭이 다르다. 이에 따라, 트랩 공진자(3a, 4)에 있어서의 교차폭에 의한 밸런스 특성을 검토하기 위해서, 구체적인 예를 들어 설명하겠다. 상기 탄성표면파 장치에 있어서의 설계 파라미터를 표 3에 나타낸다. 트랩 공진자(3a, 4)에 있어서의 교차폭을 각각 A1, A2로 하고 있다.
트랩 공진자(3a) 트랩 공진자(4)
반사기 갯수 30 30
중앙 IDT 갯수 321 321
교차폭(㎛) A1 A2
중심 주파수(㎒) 1997 1997
도 9에 탄성표면파 장치의 진폭 평형도, 도 10에 탄성표면파 장치의 위상 평형도에 관한, 간단한 시뮬레이션에 있어서의, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자에 있어서의 공진자의 교차폭을 변경한 경우의 밸런스 특성의 변화를 나타낸다. 여기에서는, A2/A1=1.0, 0.79, 0.62로 했을 때의 밸런스 특성의 변화(특성)에 대해서 나타낸다. 도 9 및 도 10으로부터, 전극지의 갯수를 변경했을 때와 마찬가지로, 불평형신호용 단자측에 접속한 트랩 공진자에 있어서의 공진자의 교차폭을 변경함으로써, 통과대역내의 고역측에 있어서 밸런스 특성을 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 불평형신호용 단자측에 접속된 트랩 공진자의 설계 파라미터를, 각각 다르게 함으로써 밸런스 특성을 조절하는 것이 가능하다.
또한, 전극지의 갯수, 듀티나 교차폭뿐만 아니라, 공진자와 공진자간의 피치, 전극지의 폭, 또는 전극지에게 대한 웨이팅 방법 등에서도 응용할 수 있다.
〔제3 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 14 내지 도 21에 의거하여 설명하면 이하와 같다.
본 실시형태에 따른 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치(SAW디바이스)는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 40±5° Ycut X전파 LiTaO3로 이루어지는 압전기판(도시하지 않음) 위에, Al전극에 의해 형성된, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(탄성표면파 소자)(501, 502)를 구비하고, 불평형신호단자의 임피던스가 50Ω, 평형신호단자의 임피던스가 150Ω인 평형- 불평형신호 변환기능을 갖고 있다. 또한, 불평형신호단자(515)와 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502) 각각 사이에는, 탄성표면파 공진자(공진자)(503, 504)가 직렬로 접속되어 있다.
상기 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501)는 IDT(506)를 끼워넣도록 IDT(505, 507)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(508, 509)가 형성되어 있다. 도 14에 나타낸 바와 같이, IDT(505)와 IDT(506)의 사이, 및 IDT(506)와 IDT(507)의 사이의 몇개의 전극지의 피치를, IDT의 다른 부분의 전극지의 피치보다도 작게 하고 있다.(협피치 전극지부(518, 519))
세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(502)의 구성은 IDT(511)를 끼워넣도록 IDT(510, 512)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(513, 514)가 형성되어 있다. 또한, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501)와 마찬가지로, IDT(510)와 IDT(511)의 사이, 및 IDT(511)와 IDT(512) 사이에는, 협피치 전극지부(520, 521)가 형성되어 있다. 또한, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(502)의 IDT(510) 및 IDT(512)의 방향은, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501)의 IDT(505) 및 IDT(507)에 대하여, 교차폭 방향으로 반전시키고 있다. 이에 따라, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(502)에 있어서의 입력신호에 대한 출력신호의 위상은, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501)에 대하여 약 180° 반전되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)의 IDT(506, 511)가 평형신호단자(516, 517)에 각각 접속되어 있다. 게다가, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)의 IDT(505, 507) 및 IDT(510, 512) 각각이 탄성표면파 공진자(503, 504)를 통하여, 불평형신호단자(515)에 접속되어 있다.
상기 탄성표면파 공진자(503, 504)는 모두 동일한 구성이며, 각각 IDT(523, 526)를 끼워넣도록, 리플렉터(522, 525)와, 리플렉터(524, 527)가 형성되어 있다.
다음으로, 본 실시형태에 있어서의 패키지에 수납되어 있는 탄성표면파 장치의 단면도를 도 15에 나타낸다. 상기 탄성표면파 장치는, 패키지와 탄성표면파 필터가 형성되어 있는 압전기판(205)간의 도통을, 범프 본딩(206)에 의해 행하는 플립 칩 공법에 의해 만들어진 구조이다.
상기 패키지는 2층 구조로 되어 있으며, 바닥판부(201), 측벽부(202), 다이 부착면(203) 및 캡(204)을 구비하고 있다. 이 바닥판부(201)는 예를 들면 장방형상이며, 이 바닥판부(201)의 네개의 주변부로부터 각각 측벽부(202)가 기립형성되어 있다. 캡부(204)는 이 각 측벽부(202)에 의해 형성되는 개구를 덮어서 막고 있다. 이 바닥판부(201)의 상면(내측 표면)에는, 압전기판(205)과의 도통을 취하는 다이 부착부(203)가 형성되어 있다. 압전기판(205)과 다이 부착부(203)는 범프(206)에 의해 결합되어 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500)에서는, 탄성표면파 공진자 (503)에 있어서의 리플렉터(522, 524) 각각과 IDT(523)의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Xλ와, 탄성표면파 공진자(504)에 있어서의 리플렉터(525, 527) 각각과 IDT(526)의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Yλ가 다르다. 요컨데, 각 탄성표면파 공진자(503, 504)에 있어서 IDT와 리플렉터간의 최외측 전극지 중심간 거리가 다르다. 상기 λ는 탄성표면파 필터의 IDT에 있어서의 전극지 피치로 결정되는 파장이다. 예를 들면, 탄성표면파 공진자(503)에서는, Xλ=0.57λ이며, 탄성표면파 공진자(504)에서는, Yλ=0.43λ이다.
본 실시형태에 따른 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)의 상세한 설계의 일례에 대해서는, 이하와 같다.
전극지의 피치를 좁게 하지 않은 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI라고 하면,
교차폭: 41.8λI
IDT 갯수: (IDT(505), IDT(506), IDT(507)의 순): 18(3)/ (3) 33(3)/ (3) 18개(괄호안은 피치를 좁게 한 전극지의 갯수)
리플렉터 갯수: 60개 (리플렉터(508, 509)), 90개 (리플렉터(513, 514))
duty(듀티): 0.72(IDT), 0.57(리플렉터)
전극 막두께: 0.092λI
또한, 상기 탄성표면파 공진자(503, 504)의 상세한 설계의 일례에 대해서는, 이하와 같다.
교차폭: 16.5λI
IDT갯수: 180개
리플렉터 갯수: 15개
듀티: 0.60
전극 막두께:0.093λI
또한, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500)에 대한 비교로서, 도 18에, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)의 구성을 나타낸다. 이 탄성표면파 장치(1500)는 상기 탄성표면파 장치(500)에 대하여, 탄성표면파 공진자(503)에 있어서의 리플렉터(522, 524) 각각과 IDT(523)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리(최외측 전극지 중심간 거리) Xλ를 0.50λ로 하고, 탄성표면파 공진자(504)에 있어서의 리플렉터(525, 527) 각각과 IDT(526)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리(최외측 전극지 중심간 거리) Yλ를 0.50λ로 한 구성이다. 그 밖의 설계 파라미터는 상기 탄성표면파 장치(500)와 동일하다.
도 16 및 도 17에, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500)에 있어서의, 주파수-삽입손실 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸다. 또한, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에 있어서의, 주파수-삽입손실 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성에 대해서도 나타낸다.
도 17을 보면, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500)에서는, 1880∼1900㎒ 부근의 커먼 모드 감쇠량은 약 22㏈인데 비하여, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에서는, 약 20㏈이다. 요컨데, 이 커먼 모드 감쇠량이 약 2㏈ 개선되어 있음을 알 수 있다. 이 때, 커먼 모드 감쇠량 등의 큰 악화는 보이지 않는다. 또한, 도 16을 보아 알 수 있는 바와 같이, 통과대역내의 삽입손실의 악화도 보이지 않는다. 이것은 탄성표면파 공진자(503)에 있어서의 리플렉터(522, 524) 각각과 IDT(523)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Xλ와, 탄성표면파 공진자(504)에 있어서의 리플렉터(525, 527) 각각과 IDT(526)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Yλ가 다르기 때문에, 탄성표면파 공진자(503)와 탄성표면파 공진자(504)에 있어서의 진폭 및 위상특성이 다르고, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)에 있어서의 통과대역 고역측의 평형도의 변동이 보정된 것에 따른 효과이다.
다음으로, 커먼 모드 감쇠량이 개선되는 범위를 검토하겠다. 검토방법은 탄성표면파 공진자(503)에 있어서의 리플렉터(522, 524) 각각과 IDT(523)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Xλ와, 탄성표면파 공진자(504)에 있어서의 리플렉터(525, 527) 각각과 IDT(526)간의 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 Yλ를 변화시켜 가고, 그 차에 대한 1880∼1900㎒에 있어서의 커먼 모드 감쇠량을 조사함으로써 검토하였다. 그 결과를 도 19에 나타낸다. 이 도 19로부터, Xλ와 Yλ의 차가 0.18λ까지는, Xλ와 Yλ를 다르지 하지 않는(동일하게 한) 경우보다도 큰 커먼 모드 감쇠량을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다. 요컨데, 상기 탄성표면파 장치(500)에서는, (0＋0.5n)λ ＜|X－Y|λ≤(0.18＋0.5n)λ(n＝0, 1, 2…)인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제3 실시형태에서는 탄성표면파 공진자를 직렬 접속한 2개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)를 사용하여 평형- 불평형변환기능을 갖게 한 탄성표면파 장치에 있어서, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)와 평형신호단자(515) 사이에 각각 탄성표면파 공진자(503, 504)를 직렬로 접속하고, 각 탄성표면파 공진자(503, 504)에 있어서의 IDT와 리플렉터간의 최외측 전극지 중심간 거리를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는, 3개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 예를 나타내었으나, 5개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 구성이어도 좋다. 또한, 1개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 평형- 불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성한 경우이더라도, 탄성표면파 공진자의 IDT와 리플렉터간의 최외측 전극지 중심간 거리를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 도 15와 같이, 범프 본드법을 채용하는 페이스 다운 공법에 의해, 패키지(200)와 압전기판(205) 위의 각 전극 패드의 도통을 행하는 방법으로 탄성표면파 장치를 제작했지만, 이것은 와이어 본드 공법이어도 문제는 없다.
또한, 페이스 다운 공법으로 제작하는 구성으로서는 도 15의 구성에 한하지 않고, 예를 들면 도 20과 같이 집합기판(301) 위에 압전기판(302)을 플립 칩 공법으로 접합하고, 그 위에 수지(303)를 덮어서 봉지하여, 다이싱에 의해 1 패키지 단위로 절단하는 구성, 도 21과 같이 마찬가지로 집합기판(401) 위에 압전기판(402)을 플립 칩 공법으로 접합하고, 그 위에 시트형상의 수지재료(403)를 덮어서 봉지하여, 다이싱에 의해 1 패키지 단위로 절단하는 구성으로, 탄성표면파 장치가 제작되어 있어도 좋다.
게다가, 본 실시형태에서는, 40±5° Ycut X전파 LiTaO3로 이루어지는 압전기판을 사용하였으나, 효과가 얻어지는 원리로부터도 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 이 압전기판에 한하지 않고, 예를 들면 64°∼72° Ycut X전파 LiNbO3, 41° Ycut X전파 LiNbO3등의 압전기판에서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
〔제4 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 22 내지 도 25에 의거하여 설명하면 다음과 같다. 한편, 설명의 편의상, 상기 제3 실시형태에서 나타낸 각 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하겠다.
본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500a)는 제3 실시형태의 탄성표면파 장치(500)에 있어서, 탄성표면파 공진자(503, 504)를 탄성표면파 공진자(503a, 504a)로 바꾼 구성이다. 상기 탄성표면파 공진자(503a, 504a)는 각각 IDT(523a, 526a)를 끼워넣도록, 리플렉터(522a, 525a)와, 리플렉터(524a, 527a)가 형성되어 있는 구성이다. 이 탄성표면파 공진자(503a, 504a)에서는, 탄성표면파 공진자(503a)에 있어서의 IDT(523a)와 리플렉터(522a, 524a)간의 피치비 a와, 탄성표면파 공진자(504a)에 있어서의 IDT(526a)와 리플렉터(525a, 527a)간의 피치비 b가 다른 구성으로 이루어져 있다. 한편, 상기 피치비는 "IDT 피치/리플렉터 피치"로 표현된다. 상기 탄성표면파 공진자(503a, 504a)에 있어서의 IDT와 리플렉터의 피치비는 a＝0.994, b＝1.006로 설정되어 있다. 탄성표면파 장치(500a)에 있어서의 그 밖의 설계 파라미터는 상기 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)와 동일하다.
도 23 및 도 24에, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500a)에 있어서의, 주파수-삽입손실 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸다. 또한, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에 있어서의, 주파수-삽입손실 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성에 대해서도 나타낸다.
도 24를 보면, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500a)에서는, 1880∼1900㎒ 부근의 커먼 모드 감쇠량은 약 22㏈인데 비하여, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에서는, 약 20㏈이다. 요컨데, 이 커먼 모드 감쇠량이 약 2㏈ 개선되어 있음을 알 수 있다. 이 때, 통과대역내의 커먼 모드 감쇠량 등의 큰 악화는 보이지 않는다. 또한, 도 23을 보아 알 수 있는 바와 같이, 통과대역내의 삽입손실의 악화도 보이지 않는다. 이것은 탄성표면파 공진자(503a)와 탄성표면파 공진자 (504a)에 있어서 IDT와 리플렉터간의 피치비를 다르게 하고 있기 때문에, 탄성표면파 공진자(503a)와 탄성표면파 공진자(504a)에 있어서의 진폭 및 위상특성이 다르고, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)에 있어서의 통과대역 고역측의 평형도의 변동이 보정된 것에 따른 효과이다.
다음으로, 커먼 모드 감쇠량이 개선되는 범위를 검토하였다. 검토방법은 탄성표면파 공진자(503a)에 있어서의 IDT(523a)와 리플렉터(522a, 524a)간의 피치비 (a) 및 탄성표면파 공진자(504a)에 있어서의 IDT(526a)와 리플렉터(524a, 527a)간의 피치비 (b)를 변화시켜 가고, 그 피치비의 비(탄성표면파 공진자(503a)의 피치비/탄성표면파 공진자(504a)의 피치비 (a/b))에 대한 1880∼1900㎒에 있어서의 커먼 모드 감쇠량을 조사함으로써 검토하였다. 그 결과를 도 25에 나타낸다. 이 도 25로부터, 상기 피치비의 비교가 약 0.984까지는, 상기 피치비를 다르지 하지 않은 경우보다도 큰 커먼 모드 감쇠량을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다. 요컨데, 상기 탄성표면파 장치(500)에서는, 피치비의 비가 0.984≤a/b ＜1의 범위가 되는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제4 실시형태에서는 탄성표면파 공진자를 직렬로 접속한 2개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)를 사용하여 평형- 불평형 변환기능을 갖게 한 탄성표면파 장치에 있어서, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)와 평형신호단자(515) 사이에 각각 탄성표면파 공진자(503a, 504a)를 직렬로 접속하고, 각 탄성표면파 공진자(503a, 504a)에 있어서의 IDT와 리플렉터의 피치비를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500a)에서는, 3개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 예를 나타내었으나, 5개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 구성이어도 좋다. 또한, 1개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 평형- 불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성해도 좋다. 또한, 적어도 1개의 IDT를, 탄성표면파의 전파방향, 또는 교차폭 방향으로 분할한 탄성표면파 필터를 사용하여 평형- 불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성해도 좋다. 그리고, 상기의 구성에 있어서, 각 탄성표면파 공진자에 있어서의 IDT와 리플렉터의 피치비를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
〔제5 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 26 내지 도 29에 의거하여 설명하면 다음과 같다. 한편, 설명의 편의상, 상기 제3 실시형태 및 제4 실시형태에서 나타낸 각 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500b)는 제3 실시형태의 탄성표면파 장치(500)에 있어서, 탄성표면파 공진자(503, 504)를 탄성표면파 공진자(503b, 504b)로 바꾼 구성이다. 상기 탄성표면파 공진자(503b, 504b)는 각각 IDT(523b, 526b)를 끼워넣도록, 리플렉터(522b, 525b)와, 리플렉터(524b, 527b)가 형성되어 있는 구성이다. 이 탄성표면파 공진자(503b, 504b)에서는, 탄성표면파 공진자(503b)에 있어서의 IDT(523b) 및 리플렉터(522b, 524b)의 듀티와, 탄성표면파 공진자(504b)에 있어서의 IDT(526b) 및 리플렉터(525b, 527b)의 듀티가 다른 구성으로 이루어져 있다. 상기 탄성표면파 공진자(503b, 504b)에 있어서의 듀티는, 각각 0.620, 0.580으로 설정되어 있다. 탄성표면파 장치(500b)에 있어서의 그 밖의 설계 파라미터는 상기 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)와 동일하다.
도 27 및 도 28에, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500b)에 있어서의, 주파수-삽입손실 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성을 나타낸다. 또한, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에 있어서의, 주파수-전송 특성, 및 주파수-커먼 모드 감쇠량 특성에 대해서도 나타낸다.
도 28을 보면, 본 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(500b)에서는, 1880∼1900㎒ 부근의 커먼 모드 감쇠량은 약 22㏈인데 비하여, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1500)에서는, 약 20㏈이다. 요컨데, 이 커먼 모드 감쇠량이 약 2㏈ 개선되어 있음을 알 수 있다. 이 때, 통과대역내의 커먼 모드 감쇠량 등의 큰 악화는 보이지 않는다. 또한, 도 27을 보아 알 수 있는 바와 같이, 통과대역내의 삽입손실의 악화도 보이지 않는다. 이것은 탄성표면파 공진자(503b)와 탄성표면파 공진자 (504b)에 있어서 IDT 및 리플렉터의 듀티를 다르게 하고 있기 때문에, 탄성표면파 공진자(503b)와 탄성표면파 공진자(504b)에 있어서의 진폭 및 위상특성이 다르고, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)에 있어서의 통과대역 고역측의 평형도의 변동이 보정된 것에 따른 효과이다.
다음으로, 커먼 모드 감쇠량이 개선되는 범위를 검토하였다. 검토방법은 탄성표면파 공진자(503b)에 있어서의 IDT(523b) 및 리플렉터(522b, 524b)의 듀티(x),및 탄성표면파 공진자(504b)에 있어서의 IDT(526b) 및 리플렉터(525b, 527b)의 듀티(y)를 변화시켜 가고, 이들 듀티의 차(x-y)에 대한 1880∼1900㎒에 있어서의 커먼 모드 감쇠량을 조사함으로써 검토하였다. 그 결과를 도 29에 나타낸다. 이 도 29로부터, 듀티의 차가 약 0.05까지는, 탄성표면파 공진자(503b, 504b)의 듀티를 다르지 하지 않은 경우보다도 큰 커먼 모드 감쇠량을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다. 요컨데, 상기 탄성표면파 장치(500b)에서는, 듀티가 0＜|x－y|≤0.05의 범위가 되는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 제5 실시형태에서는 탄성표면파 공진자를 직렬로 접속한 2개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)를 사용하여 평형- 불평형변환기능을 갖게 한 탄성표면파 장치에 있어서, 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터(501, 502)와 평형신호단자(515) 사이에 각각 탄성표면파 공진자(503b, 504b)를 직렬로 접속하고, 각 탄성표면파 공진자(503b, 504b)에 있어서의 IDT 및 리플렉터의 듀티를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한, 탄성표면파 장치(500b)에 있어서, 탄성표면파 공진자(503b)에 있어서의 IDT(523b) 및 리플렉터(522b, 524b)의 듀티, 및 탄성표면파 공진자(504b)에 있어서의 IDT(526b) 및 리플렉터(525b, 527b)의 듀티(y)를 다르게 하는 것은, 탄성표면파 공진자의 IDT뿐, 또는, 탄성표면파 공진자의 리플렉터뿐이어도 되고, 이들 구성에 있어서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
제5 실시형태의 탄성표면파 장치(500b)에서는, 3개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 예를 나타내었으나, 5개의 IDT를 갖는 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 2개 사용하는 구성이어도 좋다. 또한, 1개의 세로결합 공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 평형- 불평형변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성해도 좋다. 게다가, 적어도 1개의 IDT를, 탄성표면파의 전파방향, 또는 교차폭 방향으로 분할한 탄성표면파 필터를 사용하여 평형- 불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성해도 좋다. 그리고, 상기의 구성에 있어서, 각탄성표면파 공진자에 있어서의 IDT 및 리플렉터의 듀티를 다르게 함으로써, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한, 예를 들면, 비교예 1의 각 탄성표면파 공진자(503, 504)에 있어서, 리플렉터와 IDT간의 최외측 전극지 중심간 거리, 리플렉터와 IDT간의 피치비의 비, 및 리플렉터 및 IDT의 듀티 중의 적어도 2개를 다르게 함으로써도, 통과대역 고역측의 커먼 모드 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 실시형태에 기재된 탄성표면파 장치(SAW 디바이스)를 채용한 통신 장치에 대하여 도 11에 의거하여 설명하겠다. 상기 통신 장치(600)는 수신을 행하는 리시버측(Rx측)으로서, 안테나(601), 안테나 공용부/RF Top 필터(602), 증폭기(603), Rx 단간 필터(604), 믹서(605), 제1 IF 필터(606), 믹서(607), 제2 IF 필터(608), 제1 + 제2 로컬 신시사이저(611), TCXO(temperature compensated crystal oscillator(온도보상형 수정 발진기))(612), 디바이더(613), 로컬필터(614)를 구비하여 구성되어 있다.
Rx 단간 필터(604)로부터 믹서(605)에는, 도 11에 2중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스 특성을 확보하기 위해서 각 평형신호로 송신하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 통신 장치(600)는 송신을 행하는 트랜시버측(Tx측)으로서, 상기 안테나(601) 및 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(602)를 공용함과 아울러, Tx IF 필터(621), 믹서(622), Tx 단간 필터(623), 증폭기(624), 커플러(625), 아이솔레이터(626), APC(automatic power control(자동 출력 제어))(627)를 구비하여 구성되어 있다.
그리고, 상기의 Rx 단간 필터(604), 제1 IF 필터(606), Tx IF 필터(621), Tx단간 필터(623)에는, 상술한 본 실시형태에 기재된 SAW 디바이스를 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 SAW 디바이스는 필터 기능과 함께 불평형형-평형형 변환기능을 구비할 수 있으며, 게다가, 각 평형신호간의 진폭특성이 이상에 더욱 가깝다고 하는 뛰어난 특성을 갖는 것이다. 따라서, 상기 SAW 디바이스를 갖는 본 발명의 통신 장치는 전송특성을 향상할 수 있는 것으로 되어 있다.
본 발명은 상술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러가지의 변경이 가능하며, 다른 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 탄성표면파 장치는 탄성표면파의 전파방향을 따라 형성된 복수의 빗형 전극부를 갖는 제1 탄성표면파 소자와 제2 탄성표면파 소자를 구비하고, 상기 제2 탄성표면파 소자는 상기 제1 탄성표면파 소자와는 위상이 180° 반전되어 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에 있어서, 상기 제1 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제1 공진자와, 상기 제2 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제2 공진자를 구비하고, 상기 제1 공진자 및 제2 공진자는 서로 다른 설계 파라미터에 의해 형성되어 있는 구성이다.
상기의 구성에 따르면, 제1 공진자 및 제2 공진자는 각각 제1 탄성표면파 소자 및 제2 탄성표면파 소자의 특성에 따라서 설계된 것이므로, 각각의 설계 파라미터가 조절됨으로써, 탄성표면파 장치의 불평형형-평형형 변환에 있어서의 밸런스 특성을 개선할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.

Claims (12)

  1. 탄성표면파의 전파방향을 따라 형성된 복수의 빗형 전극부를 갖는 제1 탄성표면파 소자와 제2 탄성표면파 소자를 구비하고, 상기 제2 탄성표면파 소자는 상기 제1 탄성표면파 소자와는 위상이 180° 반전되어 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치로,
    상기 제1 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제1 공진자와, 상기 제2 탄성표면파 소자의 불평형측에 직렬로 접속되어 있는 제2 공진자를 구비하고,
    　상기 제1 공진자 및 제2 공진자는 서로 다른 설계 파라미터에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 공진자 및 제2 공진자는 적어도 1개의 빗형 전극부와, 빗형 전극부를 끼우도록 배치되어 있는 리플렉터로 이루어지는 탄성표면파 공진자인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 전극지의 갯수인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 교차폭인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터 및/또는 빗형 전극부의 듀티인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터 및/또는 빗형 전극부의 듀티를 각각 x, y라고 한 경우, 0 ＜|x－y|≤0.05의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부간의 최외측 전극지 중심간 거리인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자의 빗형 전극부의 구조에 의해 결정되는 파장을 λ라고 하고, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의, 리플렉터와 빗형 전극부간의 최외측 전극지 중심간 거리를 각각 Xλ, Yλ라고 한 경우, (0＋0.5n)λ ＜|X－Y|λ≤(0.18＋0.5n)λ(n＝0, 1, 2…)의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 설계 파라미터는 상기 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부간의 피치비인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  10. 제9항에 있어서, 제1 공진자와 제2 공진자에 있어서의 리플렉터와 빗형 전극부의 피치비(빗형 전극부의 피치/리플렉터의 피치)를 각각 a, b라고 한 경우, 0.984≤a/b ＜1의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  11. 제1항에 있어서, 페이스 다운 공법으로 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  12. 청구항 1에 기재된 탄성표면파 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3729081B2 (ja) * 2000-06-27 2005-12-21 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3826816B2 (ja) * 2001-08-29 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP4270207B2 (ja) * 2003-09-25 2009-05-27 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ及び通信機
CN1965477B (zh) * 2004-06-30 2011-08-31 株式会社村田制作所 平衡声波滤波器及声波滤波器件
JPWO2006068087A1 (ja) 2004-12-20 2008-06-12 株式会社村田製作所 バランス型弾性波フィルタ装置
US7683735B2 (en) 2005-02-16 2010-03-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Balanced acoustic wave filter
JPWO2006137464A1 (ja) * 2005-06-21 2009-01-22 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器
CN101091310B (zh) 2005-10-03 2012-06-13 株式会社村田制作所 弹性波滤波装置及双工器
EP2063530B1 (en) * 2006-10-31 2013-08-21 Murata Manufacturing Co. Ltd. Surface acoustic wave filter device and duplexer
US7821360B2 (en) * 2008-08-28 2010-10-26 Northrop Grumman Systems Corporation Multi-channel surface acoustic wave filter device with voltage controlled tunable frequency response
WO2010098139A1 (ja) 2009-02-27 2010-09-02 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
JP5678486B2 (ja) 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
JP5934464B2 (ja) 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012060420A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060422A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060421A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060419A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060418A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
DE102010046794B4 (de) * 2010-09-28 2015-07-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter mit verringerten Nichtlinearitäten
DE102014118000A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Epcos Ag Anordnung mit einem DMS Filter und steiler rechter Flanke
CN109417380B (zh) * 2016-06-29 2022-08-12 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路及通信装置
CN112640304A (zh) * 2018-08-30 2021-04-09 株式会社村田制作所 滤波器装置以及多工器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3254779B2 (ja) * 1993-01-05 2002-02-12 株式会社村田製作所 多電極形弾性表面波装置
JPH06338756A (ja) * 1993-05-27 1994-12-06 Fujitsu Ltd 共振子型弾性表面波フィルタ
EP0637872B1 (en) * 1993-08-06 2000-02-23 Kinseki Limited Surface acoustic wave device
US6137380A (en) * 1996-08-14 2000-10-24 Murata Manufacturing, Co., Ltd Surface acoustic wave filter utilizing a particularly placed spurious component of a parallel resonator
JP3186604B2 (ja) * 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
DE19818038B4 (de) * 1998-04-22 2004-07-22 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
JP3315644B2 (ja) * 1998-05-14 2002-08-19 富士通株式会社 弾性表面波素子
US6255915B1 (en) * 1999-05-10 2001-07-03 Research In Motion Limited Differential surface acoustic wave filter having balanced outputs
US6720842B2 (en) * 2000-02-14 2004-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements
JP3435640B2 (ja) * 2000-05-22 2003-08-11 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3480445B2 (ja) * 2001-01-10 2003-12-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3534080B2 (ja) * 2001-03-23 2004-06-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
EP1249934B1 (en) * 2001-04-09 2013-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and communications unit
JP3509771B2 (ja) * 2001-04-18 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置、通信装置
JP3826816B2 (ja) * 2001-08-29 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3846409B2 (ja) * 2002-02-15 2006-11-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3928534B2 (ja) * 2002-02-28 2007-06-13 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ

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