KR20030059243A - 세륨계 연마재 슬러리 및 세륨계 연마재 슬러리의 제조방법 - Google Patents
세륨계 연마재 슬러리 및 세륨계 연마재 슬러리의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 전희토류 산화물(全希土類 酸化物 : TREO) 95 중량% 이상의 세륨계(Cerium-Based) 연마재 입자를 함유하는 세륨계 연마재 슬러리(Slurry)에 있어서,상기 세륨계 연마재 입자는, TREO에 대한 불소 함유량이 3 중량% 미만이며, 레이저 회절법(回折法)에 있어서 누적 10% 입경(D10), 누적 50% 입경(D50), 누적 90% 입경(D90), 최대입자경(Dmax)이 하기 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.0.1㎛ ≤D10≤0.6㎛0.2㎛ ≤D50≤1.0㎛0.3㎛ ≤D90≤1.5㎛0.5㎛ ≤Dmax≤5.0㎛
- 제 1항에 있어서,세륨계 연마재의 불소 함유량이 TREO에 대하여 0.005 ∼ 0.5 중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,연마재 입자를 구성하는 결정자(結晶子) 직경이 10 ∼ 50㎚이며, 또한. 분말 X선 회절법(回折法)에 의해 측정되는 격자정수가 0.545 ∼ 0.555㎚인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,건조상태에 있어서 BET 법에 의해 측정되는 비 표면적이 3 ∼ 30㎡/g인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,TERO에 대한 산화세륨의 비율이 30 중량% 이상인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,고화방지제, 분산제 중 적어도 어느 하나를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,고화방지제, 분산제의 세륨계 연마재 입자 100g에 대한 함유량이, 건조상태의 세륨계 연마재 슬러리의 비 표면적을 S(㎡/g)로 했을 때, S/100 ∼S/5(g)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 슬러리.
- 연마재 원료를 함유하는 원료 슬러리를 습식분쇄하는 원료 분쇄공정과, 원료 분쇄 후의 연마재 원료를 배소(焙燒)하는 공정을 포함하는 세륨계 연마재 슬러리의 제조방법에 있어서,원료 분쇄공정은, 평균체적으로 1.4 ×10-5∼ 4.2 ×10-3㎤/개의 분쇄매체를 구비하는 습식매체 밀에 의해 분쇄하는 주 분쇄공정으로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,원료 분쇄공정은, 주 분쇄공정 전에, 주 분쇄공정에서 사용되는 분쇄매체의1.4 ∼ 1000배의 평균체적의 분쇄매체에 의해 습식분쇄하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 또는 제 9항에 있어서,원료 분쇄공정은, 주 분쇄공정 전 또는 후에 원료를 60℃ ∼ 100℃의 수용액에 침지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,원료 분쇄공정은, 주 분쇄공정 전에 원료를 건식으로 분쇄하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서,배소(焙燒)공정은, 배소온도를 800 ∼ 1200℃로서 배소하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서,배소후의 원료를 건식분쇄하는 마무리 분쇄공정을 포함, 상기 마무리 분쇄공정은 3.0 ×10-6∼ 5.3 ×10-4㎤/개 분쇄매체를 구비하는 습식매체 밀에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 내지 13항 중 어느 한 항에 있어서,배소후의 원료를 홀경 0.5 ∼ 5㎛의 필터를 통과시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
- 제 8항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,연마재 원료로서, 탄산희토(炭酸希土) 또는 탄산희토를 가(假) 연소한 것이고 1000℃에서 1시간 가열에 의해 측정되는 강열감량(强熱感量)이 건조중량 기준으로 1 ∼ 40%인 것의 어느 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재 입자의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2001-00281438 | 2001-09-17 | ||
JP2001281438A JP4033440B2 (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | セリウム系研摩材スラリー及びセリウム系研摩材スラリーの製造方法 |
PCT/JP2002/009330 WO2003025085A1 (fr) | 2001-09-17 | 2002-09-12 | Suspension epaisse d'une matiere abrasive a base de cerium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030059243A true KR20030059243A (ko) | 2003-07-07 |
KR100543781B1 KR100543781B1 (ko) | 2006-01-23 |
Family
ID=19105264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037006458A KR100543781B1 (ko) | 2001-09-17 | 2002-09-12 | 세륨계 연마재 슬러리 및 세륨계 연마재 슬러리의 제조방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6893477B2 (ko) |
EP (1) | EP1428862A4 (ko) |
JP (1) | JP4033440B2 (ko) |
KR (1) | KR100543781B1 (ko) |
CN (1) | CN1254518C (ko) |
MY (1) | MY131875A (ko) |
TW (1) | TW593649B (ko) |
WO (1) | WO2003025085A1 (ko) |
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-
2001
- 2001-09-17 JP JP2001281438A patent/JP4033440B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-27 TW TW091119359A patent/TW593649B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-28 MY MYPI20023188A patent/MY131875A/en unknown
- 2002-09-12 KR KR1020037006458A patent/KR100543781B1/ko active IP Right Grant
- 2002-09-12 EP EP02760826A patent/EP1428862A4/en not_active Withdrawn
- 2002-09-12 WO PCT/JP2002/009330 patent/WO2003025085A1/ja active IP Right Grant
- 2002-09-12 CN CNB028029631A patent/CN1254518C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-12 US US10/416,470 patent/US6893477B2/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
EP1428862A4 (en) | 2006-04-26 |
US20040031206A1 (en) | 2004-02-19 |
CN1254518C (zh) | 2006-05-03 |
JP2003082333A (ja) | 2003-03-19 |
EP1428862A1 (en) | 2004-06-16 |
US6893477B2 (en) | 2005-05-17 |
KR100543781B1 (ko) | 2006-01-23 |
CN1473186A (zh) | 2004-02-04 |
WO2003025085A1 (fr) | 2003-03-27 |
JP4033440B2 (ja) | 2008-01-16 |
MY131875A (en) | 2007-09-28 |
TW593649B (en) | 2004-06-21 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 8 |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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