KR20030058334A - 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 횡전계방식 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 미세 화소를 구현하기 위한 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명을 요약하면, 미세화소를 구현하기 위해, 화소 영역 중 표시영역으로 사용되지 못하는 영역에 스토리지 배선을 구성하고, 개구율을 개선하기 위해 상기 공통전극과 화소전극을 투명전극으로 형성한다.
이와 같이 하면, 충분한 보조용량을 확보할 수 있고 개구율을 개선할 수 있기 때문에 고 휘도를 구현하는 대면적 액정패널을 제작할 수 있다.

Description

횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method for fabricating the same}
본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로 특히, 미세 화소를 구현하기 위한 횡전계방식(In-Plane Switching mode) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 종래의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판(10)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(12)과, 상기 게이트 배선(12)에 근접하여 평행하게 일 방향으로 구성된 스토리지 배선(16)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트배선(12)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(24)이 구성된다.
상기 게이트배선(12)과 데이터배선(24)의 교차지점에는 게이트 전극(14)과 액티브층(20)과 소스 전극(26)및 드레인 전극(28)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 소스 전극(26)은 상기 데이터 배선(24)과 연결되고, 상기 게이트 전극(14)은 상기 게이트배선(12)과 연결된다.
상기 화소영역(P)의 상부에는 상기 드레인 전극(28)과 연결되는 화소 전극(30)과, 상기 화소 전극(30)과 평행하게 구성되고 상기 스토리지 배선(16)과 연결되는 공통전극(17)이 구성된다.
상기 화소전극(30)은 상기 드레인 전극(28)에서 연장된 연장부(30a)와 상기 연장부(30a)에서 수직하게 연장되고 서로 소정간격 이격된 다수의 수직부(30b)와, 상기 스토리지배선(16)의 상부에서 수직부(30b)를 하나로 연결하는 수평부(30c)로 구성된다.
상기 공통전극(17)은 상기 스토리지배선(16)에서 아래로 수직하게 연장되고, 상기 화소전극의 수직부(30b)와 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(17b)와, 상기 각수직부(17b)를 하나로 연결하는 수평부(17a)로 구성된다.
전술한 바와 같은 구성은 상기 게이트 배선(12)과 근접하게 공통전극(17)과 화소전극(30)이 구성되어 있다.
상기 게이트 배선(12)과 화소 및 공통전극(30, 17)의 사이영역(D)은 상기 공통전극(17)과 화소전극(30) 사이에 발생하는 전계와는 다른 분포를 가지는 전계가 형성되기 때문에 액정의 이상 배향이 발생하는 영역이다.
따라서, 이 영역은 표시영역으로 사용할 수 없다.
따라서, 본 발명은 미소화소의 개구율과 휘도를 개선하기 위한 목적으로 안출된 것으로, 전술한 비표시 영역에 스토리지 배선을 설계하고, 상기 스토리지 배선 상부에 보조 용량부를 구성하는 동시에 상기 각 화소영역 마다 구성되는 투명한 공통전극이 콘택홀을 통해 스토리지 배선과 연결되도록 하는 구조를 제안한다.
도 1은 종래에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 3은 본발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4a 내지 도 4d는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ`와 Ⅳ-Ⅳ `와 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200 : 투명 절연기판 212 : 게이트 배선
214 : 게이트 전극 216 : 스토리지 배선
220 : 액티브층 224 : 데이터 배선
226 : 소스 전극 228 : 드레인 전극
238 : 화소 전극 240 : 공통 전극
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판은 다수의 화소영역이 정의된 투명 절연기판과; 상기 화소영역의 일 측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과 스토리지 배선과; 상기 게이트 배선 및 스토리지 배선과 제 1 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선과 스토리지 배선과 박막트랜지스터의 상부에 구성된 제 2 절연막과; 상기 드레인 전극의 일부를 노출 하도록 제 2 절연막을 식각한 제 1 콘택홀과, 상기 스토리지 배선의 일부를 노출하도록 제 1 절연막과 제 2 절연막을 식각한 제 2 콘택홀과;
상기 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역 내에 구성된 화소전극과; 상기 제 2 콘택홀을 통해 스토리지 배선과 접촉하면서 상기 화소전극과 이격되어 구성된 공통전극을 포함한다.
상기 공통전극과 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
상기 스토리지 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고, 상기 드레인 전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 1 보조 용량부와, 상기 게이트 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 화소전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 2 보조 용량부가 구성된다.본 발명의 특징에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 투명 절연 기판 상에 다수의 화소영역을 정의하는 단계와; 상기 화소영역의 일 측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과, 스토리지 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 스토리지 배선과 제 1 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과 데이터 배선과 스토리지 배선과 박막트랜지스터의 상부에 제 2 절연막을 형성하고, 상기 드레인 전극 일부를 노출하는 제 1 콘택홀과, 상기 스토리지 배선의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와;
상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역 내에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 콘택홀을 통해 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소전극과 이격된 공통전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 스토리지 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 드레인전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 1 보조 용량부와, 상기 게이트 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 화소전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 2 보조 용량부가 구성된 다,
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 제 1 실시예 --
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판(100)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(112)과 스토리지 배선(116)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트배선(112)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(124)이 구성된다.
상기 게이트배선(112)과 데이터배선(124)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(112)과 연결된 게이트 전극(114)과, 상기 게이트 전극(114)의 상부에 구성된 액티브층(120)과 소스 전극(126)및 드레인 전극(128)을 포함하는박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 소스 전극(126)은 상기 데이터배선(124)과 연결되고, 상기 게이트 전극(114)은 상기 게이트배선(112)과 연결된다.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(128)과 연결되는 화소전극(130)과, 상기 화소전극(130)과 평행하게 구성되고 상기 스토리지 배선(116)과 연결되는 공통전극(117)이 구성된다.
상기 화소전극(130)은 스토리지 배선(116)의 상부에서 상기 드레인 전극(128)과 연결되면서 화소영역(P)으로 수직한 형상으로 구성된다.
상기 공통전극(117)은 상기 게이트 배선(112)과 소정간격 평행하게 이격되어 화소영역(P)에 형성된 수평부(117a)와, 상기 수평부(117a)의 양측에서 화소영역(P)으로 상기 화소전극(130)을 사이에 두고 수직하게 연장된 수직부(117b)로 구성된다.
상기 공통전극의 수평부(117a)는 이웃한 화소영역으로 연장 형성된다.
상기 공통전극(117)과 화소전극(130)은 개구율을 높이기 위해 별도의 투명전극으로 형성한다.
상기 공통전극(117)은 하부의 스토리지 배선(116)에서 공통신호를 인가 받아야 하기 때문에, 제 1 콘택홀(137)을 통해 스토리지배선(116)과 접촉하도록 구성하고, 상기 화소전극(130)은 드레인 전극(128)을 통해 신호를 인가 받아야 하기 때문에 제 2 콘택홀(139)을 통해 드레인 전극(128)과 접촉하도록 구성된다.
상기 스토리지 배선(116)의 상부에는 보조 용량부(C)가 구성되며, 스토리지 배선(116)의 일부를 제 1 전극으로 이와는 평면적으로 겹쳐지는 드레인 전극(128)의 일부를 제 2 전극으로 한다.
전술한 바와 같은 구성으로 종래에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판을 구성할 수 있다.
이하, 제 2 실시예는 상기 제 1 실시예를 변형한 것으로, 게이트 배선의 상부에 별도의 보조 용량부를 더욱 구성하고, 상기 화소영역에 구성되는 공통전극의 면적을 줄여 개구율을 개선하고자 한다.
-- 제 2 실시예 --
본 발명은 스토리지 배선과 게이트 배선의 상부에 제 1 보조 용량부와 제 2 보조 용량부를 구성하고, 화소영역을 차지하는 공통전극의 면적을 줄이기 위한 공통전극 구조를 새롭게 설계하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판(200)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(212)과 스토리지 배선(216)과, 상기 두 배선과 교차하며 게이트배선(212)과는 화소영역(P1,P2)을 정의하는 데이터배선(224)을 구성한다.
상기 게이트배선(212)과 데이터배선(224)의 교차지점에는 게이트 전극(214)과 액티브층(220)과 소스 전극(226) 및 드레인 전극(228)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성하며, 상기 소스 전극(226)은 상기 데이터배선(224)과 연결하고, 상기 게이트 전극(214)은 상기 게이트배선(212)과 연결한다.
상기 드레인 전극(228)은 상기 스토리지 배선(216)의 상부로 연장 형성한다.
상기 화소영역(P1,P2)의 상부에는 상기 드레인 전극(228)과 연결되는 화소전극(238)과, 상기 화소전극(238)과 평행하게 구성되고 상기 스토리지 배선(216)과 연결되는 공통전극(240)을 구성한다.
상기 화소전극(238)은 상기 스토리지 배선(216)의 상부로 연장된 드레인 전극(228)의 일부와 접촉하면서 화소영역(P2)으로 수직하게 연장된 수직부(238a)와, 상기 수직부(238a)에서 게이트 배선(212)을 따라 연장된 수평부(238b)로 구성한다.
상기 공통전극(240)은 상기 스토리지 배선(216)과 연결되면서 상기 데이터배선과 근접하여 화소영역(P2)으로 수직하게 구성된 수직부(240a)와, 상기 수직부(240a)에서 상기 데이터 배선(224)의 상부로 연장된 수평부(240b)와, 상기 수평부(240b)에서 이웃한 화소영역(P1)으로 수직하게 연장된 제 2 수직부(240c)로 구성한다.
전술한 본 발명의 어레이기판 구성은 종래의 구성과는 달리 화소영역에 구성되는 공통전극의 수평부(도 2의 117a)를 생략한 구조이므로 그만큼의 개구율을 확보할 수 있다.
또한, 스토리지 배선(216)의 일부를 제 1 전극으로 하고, 상기 스토리지 배선(216)의 상부에 연장된 드레인 전극(228)의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 1 보조 용량부(C1)와, 상기 게이트 배선(212)의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 화소전극의 수평부(230b)를 제 2 전극으로 하는 제 2 보조 용량부(C2)가 구성되어, 보조 용량을 충분히 확보할 수 있는 구조이다.
이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 4a 내지 도 4d는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ`와 Ⅳ-Ⅳ`와 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(200)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴(AlNd)과 같은 알루미늄 합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하여, 게이트 전극(214)을 포함하는 게이트배선(212)과, 상기 게이트배선(212)과 소정간격 평행하게 이격된 스토리지배선(216)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트배선(212)과 스토리지배선(216) 등이 포함된 기판(200)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(218)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(218) 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 액티브층(220)과 오믹 콘택층(222)을 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(220)과 오믹 콘택층(222)이 형성된 기판(200)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 게이트배선(212)과 스토리지배선(216)과 교차하여 화소영역(P1,P2)을 정의하는 데이터배선(224)과, 상기 데이터배선(224)에서 돌출형성되고 상기 액티브층(220)의 일측 상부에 겹쳐 구성되는 소스 전극(226)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(228)을 형성한다.
전술한 공정에서, 상기 소스 전극(226)과 드레인 전극(228)을 마스크로 하여 상기 두 전극 사이에 노출된 오믹 콘택층(222)을 식각하여 액티브층(220)을 노출한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(226,228)과 데이터 배선(224)이 형성된 기판(200)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 보호막(232)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(232)을 패턴하여, 상기 스토리지 배선(216)의 상부로 연장된 드레인 전극(228)의 일부를 노출하는 제 1 콘택홀(234)과, 상기 스토리지 배선(216)의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀(236)을 형성한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(232)이 형성된 기판(200)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 제 1 콘택홀(234)과 접촉하면서 상기 화소영역(P2)으로 연장된 수직부(238a)와, 상기 수직부(238a)에서 연장되고 상기 게이트 배선(212)의 상부에서 일 방향으로 연장된 수평부(238b)를 형성한다.
동시에, 상기 화소전극(238)과 소정간격 평행하게 이격되고, 상기 제 2 콘택홀(236)을 통해 스토리지 배선(216)과 연결되며, 상기 데이터 배선(224)에 근접하게 화소영역(P)으로 연장된 제 1 수직부(240a)와, 상기 게이트 배선(212)과 근접한 영역에서 상기 제 1 수직부(240a)에서 데이터 배선(224)의 상부로 수평하게 연장된 수평부(240b)와, 상기 수평부(240b)에서 이웃한 화소영역(P1)으로 수직하게 연장된 제 2 수직부(240c)로 구성된 공통전극을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
본 발명은 게이트 배선의 상부에 제 1 보조용량부가 구성되고, 상기 스토리지 배선의 상부에 제 2 보조용량부가 구성되어 보조 용량을 충분히 확보할 수 있는 것을 제 1 특징으로 한다.
또한, 제 1 실시예와 비교하여 화소영역을 차지하는 공통전극의 전체 면적이 작아지는 구조이므로 개구율을 확보할 수 있는 것을 제 2 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판은 화소의 면적이 작아지더라도 충분한 스토리지 용량확보가 가능하고 개구율이 개선되는 구조이므로 미세 화소에 적용가능하여, 고 화질, 고 해상도를 가지는 대면적 액정패널을 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 다수의 화소영역이 정의된 투명 절연기판과;
    상기 화소영역의 일 측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과 스토리지 배선과;
    상기 게이트 배선 및 스토리지 배선과 제 1 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선과 스토리지 배선과 박막트랜지스터의 상부에 구성된 제 2 절연막과;
    상기 드레인 전극의 일부를 노출하도록 제 2 절연막을 식각한 제 1 콘택홀과, 상기 스토리지 배선의 일부를 노출하도록 제 1 절연막과 제 2 절연막을 식각한 제 2 콘택홀과;
    상기 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역 내에 구성된 화소전극과;
    상기 제 2 콘택홀을 통해 스토리지 배선과 접촉하면서 상기 화소전극과 이격되어 구성된 공통전극을
    포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고, 상기 드레인 전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 1 보조 용량부와, 상기 게이트 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 화소전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 2 보조 용량부가 구성된 횡전계 방식 액정표시 장치용 어레이기판.
  4. 투명 절연 기판 상에 다수의 화소영역을 정의하는 단계와;
    상기 화소영역의 일 측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과, 스토리지 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선 및 스토리지 배선과 제 1 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과 데이터 배선과 스토리지 배선과 박막트랜지스터의 상부에 제 2 절연막을 형성하고, 상기 드레인 전극 일부를 노출하는 제 1 콘택홀과, 상기 스토리지 배선의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역 내에 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 콘택홀을 통해 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소전극과 이격된 공통전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스토리지 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 드레인전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 1 보조 용량부와, 상기 게이트 배선의 일부를 제 1 전극으로 하고 상기 화소전극의 일부를 제 2 전극으로 하는 제 2 보조 용량부가 구성된 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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