KR20030051791A - 기판결함 보수장치 - Google Patents

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KR20030051791A
KR20030051791A KR10-2003-7006320A KR20037006320A KR20030051791A KR 20030051791 A KR20030051791 A KR 20030051791A KR 20037006320 A KR20037006320 A KR 20037006320A KR 20030051791 A KR20030051791 A KR 20030051791A
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모리시타마사히코
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 웨이퍼, 액정기판 등의 기판의 결함을 보수하는 기판결함 보수장치에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼 등의 기판에 생기는 결함의 악화를 효과적으로 억제할 수 있는 기판결함 보수장치를 얻는 것을 목적한다. 그리고, 상기 목적을 달성하기 위해, Si 웨이퍼(1)를 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 후, 위치검출센서(5)에 의해 촬상된 화상신호에 근거하여 퍼스널 컴퓨터(9)는 치핑의 위치를 인식한다. 퍼스널 컴퓨터(9)는 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 Si 웨이퍼(1)를 회전시켜 레이저 발진기(7)로부터의 레이저광(8)이 치핑(6)에 조사 가능한 위치에서 회전을 정지시켜 위치정합을 완료한다. 그 후, 레이저 발진기(7)로부터 레이저광(8)을 치핑(6)에 조사하여, 치핑(6) 및 그 근방영역을 용융시켜 치핑(6)을 보수한다.

Description

기판결함 보수장치{APPARATUS FOR REPAIRING DEFECT OF SUBSTRATE}
도 22 및 도 23은 웨이퍼의 결함상태를 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(25)에는 치핑(6) 또는 크랙(16) 등의 결함이 발생하는 경우가 있다. 이것들의 결함은 웨이퍼(25)에 대하여 어떠한 처리를 행하는 반도체 등의 제조장치에 트러블이 발생하거나, 웨이퍼(25)를 취급하는 조작자의 핸들링 미스 등에 의해 발생한다.
이들 결함이 경미한 경우는 그대로 제조처리를 속행하고, 도 23에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(25)의 결함정도가 중대한 경우는 웨이퍼를 탈락(폐기)시키고 있었다. 즉, 도 22에서 나타내는 웨이퍼(25)를 경미하다고 판단하여 제조처리를 속행시키면, 경우에 따라서는 치핑선단부(6a), 치핑주변부(6b) 및 크랙(16)에의 기계적 충격, 열 충격 등에 의해, 치핑(6), 크랙(16)을 기점으로 하여, 도 23에 나타내는 바와 같이 큰 크랙(16b)이 생겨, 웨이퍼(25)가 깨어진다는 중대한 결함이 발생한경우에 탈락시키고 있었다.
또한, 대구(large diameter)경화(예를 들면, Si에서는 5∼12인치), 박막화(100∼700um 정도)한 웨이퍼, 또는 웨이퍼 에지형상의 제어가 어려운 에피 웨이퍼(에피택셜 웨이퍼)에서는, 치핑(6) 및 크랙(16) 등의 결함이 발생하기 쉽게 되어 있다. 또한, 에피 웨이퍼는 고가이기 때문에 탈락시킨 경우의 비용적인 손실도 크다.
이와 같이, 종래에 있어서는, 제조공정중에 웨이퍼에 한번 결함이 발생하고, 제조처리 중에 중대한 결함으로 성장되어 버려 웨이퍼를 탈락시키면, 제품수율을 저하시켜 버리는 문제점이 있었다.
또한, 웨이퍼에 중대한 결함이 생겨 웨이퍼가 파손되면, 웨이퍼의 파손에 의해 생기는 이물질 발생 후의 클리닝 작업 등을 위해 여분인 비용, 시간을 필요하게 되므로, 비용, 시간 양쪽에서의 손실비용의 증대를 초래하고, 나아가서는 공정기간악화를 초래한다는 문제점이 있었다.
(발명의 개시)
본 발명은, 상기한 바와 같은 문제점을 해결하여, 웨이퍼 등의 기판에 생기는 결함의 악화를 효과적으로 억제할 수 있는 기판결함 보수장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제1 국면은, 처리대상기판을 탑재하는 기판탑재수단과, 상기 처리대상기판의 결함의 유무를 검출하고, 결함을 검출한 경우에 결함위치를 포함하는 결함검출용 정보를 얻는 결함검출수단과, 상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 용융하여 결함을 보수하는 결함보수수단을 구비한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제2 국면에 있어서, 상기 결함보수수단은, 상기 처리대상기판을 국소적으로 용융하는 국소용융수단과, 상기 결함검출용 정보에 근거하여, 상기 국소용융수단이 상기 결함부위 및 그 근방영역을 용융해야 할 위치정합을 행하는 용융위치 정합수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제3 국면에 있어서, 상기 국소용융수단은, 상기 처리대상기판에 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 레이저 발진기를 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제4 국면에 있어서, 상기 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 국소적으로 가열하는 국소가열수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제5 국면에 있어서, 상기 국소가열수단은 점등 및 소등이 각각 독립하게 설정가능한 복수의 부분 가열부를 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제6 국면에 있어서, 상기 국소용융수단은 소정위치에 고정되는 고정국소 용융수단을 포함하고, 상기 기판탑재수단은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 변화되도록, 상기 처리대상기판을 이동시키는 이동동작이 가능한 가동기판 탑재수단을 포함하며, 상기 용융위치 정합수단은, 상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 기판탑재수단에 의한 상기 이동동작을 제어하는 제어수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제7 국면에 있어서, 상기 처리대상기판은 평면형상이 원형인 기판을 포함하고, 상기 가동기판 탑재수단에 의한 이동동작은, 상기 처리대상기판의 대개 중심위치를 중심으로 상기 처리대상기판을 회전시키는 회전동작을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제8 국면에 있어서, 상기 가동기판 탑재수단에 의한 이동동작은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 상기 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내에서 변화되도록, 상기 처리대상기판을 이동시키는 동작을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제9 국면에 있어서, 상기 국소용융수단은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 상기 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내에서 변화되도록, 자신이 이동하는 이동동작을 행하는 가동국소 용융수단을 포함하고, 상기 용융위치 정합수단은, 상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 가동국소 용융수단에 의한 상기 이동동작을 제어하는 제어수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제10 국면에 있어서, 상기 처리대상기판은 제1 및 제2 주표면을 가지며, 상기 기판탑재수단은, 상기 제1 및 제2 주표면 각각의 측으로부터 용융 가능하게 상기 처리대상기판을 탑재하는 2방향 용융용 기판탑재수단을 포함하고, 상기 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 상기 제1 주표면측으로부터 용융하는 제1 국소용융수단과, 상기 처리대상기판을 상기 제2 주표면측으로부터 용융하는 제2 국소용융수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제11 국면에 있어서, 상기 제1 및 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판의 제1 및 제2 주표면측으로부터 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 제1 및 제2 레이저 발진기를 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제12 국면에 있어서, 상기 제1 및 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 제1 및 제2 주표면측으로부터 국소적으로 가열하는 제1 및 제2 국소가열수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제13 국면에 있어서, 상기 제1 국소용융수단은, 상기 처리대상기판의 상기 제1 주표면측으로부터 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 레이저 발진기를 포함하고, 상기 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 상기 제2 주표면측으로부터 국소적으로 가열하는 국소가열수단을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제14 국면에 있어서. 복수의 기판을 수납하는 기판수납부와, 상기 기판수납부에 수납된 복수의 기판 중 하나의 기판을 상기 처리대상기판으로서 취출 반송하여 상기 기판탑재수단에 탑재하는 제1 반송처리와, 상기 기판탑재수단에 탑재된 상기 처리대상기판을 분리하고 상기 기판격납부까지 반송하여 상기 기판수납부에 수납하는 제2 반송처리가 실행 가능한 반송수단을 더 구비한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제15 국면은, 상기 반송수단의 상기 제1 및 제2 반송처리를 제어하는 제어수단을 더 구비한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제16 국면에 있어서, 상기 처리대상기판은 Si 웨이퍼, GaAs 기판, 또는 액정용 유리기판을 포함한다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제17 국면에 있어서, 상기 결함검출수단은, 상기 처리대상기판에서의 상기 결함위치를 나타내는 정보를 적어도 포함하는 해석정보를 기록하는 기록기능을 갖는다.
본 발명에 관한 반도체장치의 제18 국면에 있어서, 상기 결함은 치핑 또는 크랙을 포함한다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제1 국면에 의하면, 결함보수수단에 의해 결함부위 및 그 근방영역을 용융하여 결함보수함으로써, 처리대상기판의 결함의 악화를 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제2 국면에 의하면, 용융위치 정합수단에 의해 국소용융수단이 결함부위 및 그 근방영역을 용융해야 할 위치정합을 행함으로써, 높은 결함보수 정밀도를 얻을 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제3 국면에 의하면, 레이저 발진기에 의한 레이저조사에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 위치정밀도 좋게 용융할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제4 국면에 의하면, 국소가열수단에 의한 국소적인 가열에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 비교적 넓은 범위로 용융할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제5 국면에 의하면 복수의 부분 가열부를 선택적으로 점등시킴으로써, 처리대상기판의 결함형상에 적합한 영역을 가열할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제6 국면에 의하면, 제어수단의 제어하에 처리대상기판을 이동시키는 이동동작을 가동기판 탑재수단으로 실행시킴으로써, 처리대상기판의 결함보수 가능영역을 넓게 할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제7 국면에 의하면, 처리대상기판을 회전시킴으로써, 상기 용융가능개소를 처리대상기판 상의 회전방향으로 변경할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 처리대상기판의 외주에 따라 발생하는 치핑 등의 결함에 대한 보수를 빈틈 없이 행할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제8 국면에 의하면, 가동기판 탑재수단에 의한 이동동작에 의해 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내의 결함을 보수할 수 있다. 예를 들면, 소정의 이동영역을 처리대상기판의 전체영역과 동일한 정도로 설정하면, 처리대상기판의 전체영역의 결함을 보수할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제9 국면에 의하면, 가동국소 용융수단 자신의 이동동작에 의해 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내의 결함을 보수할 수 있다. 예를 들면, 소정의 이동영역을 처리대상기판의 전체영역과 동일한 정도로 설정하면, 처리대상기판의 전체영역의 결함을 보수할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제10 국면에 의하면, 제1 및 제2 국소용융수단에 의해 처리대상기판의 제1 주표면 및 제2 주표면측의 쌍방으로부터의 용융이 가능하기 때문에, 처리대상기판의 제1 주표면으로부터 제2 주표면에 걸쳐 형성되는 결함에 대해서도 적절히 보수할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제11 국면에 의하면, 제1 및 제2 레이저 발진기에 의한 레이저조사에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을제1 및 제2 주표면측 쌍방으로부터 위치정밀도 좋게 용융할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제12 국면에 의하면, 국소가열수단에 의한 국소적인 가열에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 제1 및 제2 주표면측 양쪽으로부터 비교적 넓은 범위로 용융할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제13 국면에 의하면, 레이저 발진기에 의한 레이저조사에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 제1 주표면측으로부터 위치정밀도 좋게 용융할 수 있고, 국소가열수단에 의한 국소적인 가열에 의해, 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 제2 주표면측으로부터 비교적 넓은 범위로 용융할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제14 국면은, 반송수단에 제1 및 제2 반송처리를 실행시킴으로써, 기판수납부에 수납된 복수의 기판을 각각 처리대상기판으로서 결함을 보수시키거나, 제2 반송처리에 의해 결함보수완료의 처리대상기판을 기판수납부에 수납하거나 하는 기판의 탑재·분리조작을 자동적으로 행할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제15 국면은, 제1 및 제2 반송처리를 제어수단의 제어하에 행함으로써, 결함을 가지고 있는 기판이 미리 인식되어 있는 경우는 복수의 기판으로부터 결함을 갖는 기판만을 선택적으로 처리대상기판으로서 결함수정시키거나, 결함을 가지고 있는 기판이 인식되어 있지 않은 경우는 모든 기판을 처리대상기판으로서 기판탑재수단에 탑재한 후, 결함검출수단이 결함을 검출하지 않은 기판을 빠르게 기판수납부에 되돌리거나 함으로써, 복수의 기판에 대하여 효율적인 결함보수를 행할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제16 국면은, Si 웨이퍼, GaAs 기판, 또는 액정용 유리기판에 대한 결함보수가 행할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제17 국면은, 처리대상기판에서의 결함위치를 나타내는 정보를 적어도 포함하는 해석정보를 기록함으로써, 다수의 기판을 표본으로 한 소정의 제조공정 후에 상기 해석정보에 근거하여 복수의 기판에서의 결함분포를 얻을 수 있고, 그 결함분포를 이용하여 상세한 결함해석을 행할 수 있다.
본 발명에 관한 기판결함 보수장치의 제18 국면은 기판에 발생하는 치핑 또는 크랙을 보수할 수 있다.
본 발명의 목적, 특징, 국면 및 이점은 이하의 상세한 설명과 첨부도면에 의해, 보다 명백해진다.
본 발명은 반도체장치, 액정장치 등의 제조에서의 웨이퍼, 액정기판 등의 기판의 결함을 보수하는 기판결함 보수장치에 관한 것이다.
도 1은 실시예 1의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 반송암을 상세하게 나타내는 설명도이다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 반송암을 상세하게 나타내는 설명도이다.
도 4는 보수 전의 Si 웨이퍼의 치핑상태를 나타내는 설명도이다.
도 5는 보수 후의 Si 웨이퍼의 치핑상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 실시예 2의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 7은 실시예 3의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 국소히터를 나타내는 설명도이다.
도 8은 국소히터를 상세하게 나타내는 평면도이다.
도 9는 부분국소히터에 의한 가열상태를 나타내는 설명도이다.
도 10은 실시예 4의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 모니터 화면의 상황을 나타내는 설명도이다.
도 11은 실시예 4의 웨이퍼 카세트에서의 Si 웨이퍼 선택기능을 나타내는 설명도이다.
도 12는 실시예 5의 웨이퍼 깨짐 방지장치를 이용한 결함해석예를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 13은 실시예 6의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동레이저 발진기 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 14는 실시예 7의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동국소히터 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 15는 실시예 8의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동웨이퍼 위치정합대 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 16은 실시예 8의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동웨이퍼 위치정합대 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 17은 실시예 9의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동웨이퍼 위치정합대 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 18은 실시예 9의 웨이퍼 깨짐 방지장치에서의 가동웨이퍼 위치정합대 및 그 주변을 나타내는 설명도이다.
도 19는 실시예 10의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 구성의 일부를 나타내는 설명도이다.
도 20은 실시예 11의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 구성의 일부를 나타내는 설명도이다.
도 21은 실시예 12의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 구성의 일부를 나타내는 설명도이다.
도 22는 Si 웨이퍼에서의 치핑 및 크랙의 비교적 경도한 발생예를 나타내는 설명도이다.
도 23은 Si 웨이퍼에서의 치핑 및 크랙의 중대한 발생예를 나타내는 설명도이다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 실시예 1인 웨이퍼 깨짐 방지장치(기판결함 보수장치)의 전체구성을 나타내는 설명도이다. 또한, 실시예 1에서는 치핑의 보수를 주로 한 웨이퍼 깨짐 방지장치를 나타내고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판수납부인 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납되어 있는 원형의 Si 웨이퍼(1)를 처리대상기판으로서, 웨이퍼 반송암(3)에 의해 웨이퍼 위치정합대(4) 상에 탑재할 수 있다.
도 2는 반송수단인 웨이퍼 반송암(3)을 상세하게 나타내는 설명도이다. 이들 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송암(3)은 지지부(3a), 상하신축부(3b), 제1, 제2 회전축(3c, 3d) 및 제1, 제2 암부(3e, 3f)로 구성된다.
상하신축부(3b)는 상하로 신축 가능하게 지지부(3a)에 설치되고, 상하신축부(3b)의 신축에 의해, 제2 암부(3f)의 높이 H1을 웨이퍼 카세트(2)에서의 Si 웨이퍼(1)의 수납높이나 웨이퍼 위치정합대(4)(도시하지 않음)의 높이로 설정할 수 있다.
도 3은 웨이퍼 반송암(3)의 회전기구를 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 제1 회전축(3c)은 상하신축부(3b) 상에 설치되고, 제1 암부(3e)는 제1 회전축(3c)을 중심으로 회전 R1이 가능하게 설치되며, 제2 회전축(3d)은 제1 암부(3e)의 선단부에 설치되고, 제2 암부(3f)는 제2 회전축(3d)을 중심으로 회전 R2가 가능하게 설치된다.
이와 같은 구성의 반송암(3)은, 상하신축부(3b)의 신축기구, 제1 암부 3e, 3f의 회전기구를 사용하여, 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1)를 웨이퍼 카세트(2)로부터 추출하고, 반송하여 웨이퍼 위치정합대(4) 상에 정밀도 좋게 탑재(로딩)하는 제1 반송처리를 실행할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송암(3)은, 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 Si 웨이퍼(1)를 분리하고, 반송하여 웨이퍼 카세트(2) 내에 되돌리는 제2 반송처리를 실행하는 것도 할 수 있다.
즉, 웨이퍼 반송암(3)은 제1 및 제2 반송처리를 행함으로써, Si 웨이퍼(1)의 웨이퍼 위치정합대(4)에의 탑재·웨이퍼 위치정합대(4)에서 분리하여 조작을 자동적으로 행할 수 있다.
도 1에 되돌아가, 기판탑재수단인 웨이퍼 위치정합대(4)는 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에 탑재한 Si 웨이퍼(1)의 중심부를 중심으로 하여 회전방향 R3의 회전이 가능하다. 또한, 웨이퍼 위치정합대(4)의 회전은 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에 행해진다.
위치검출센서(5)는 결함검출용 정보로서 Si 웨이퍼 전체를 촬상한 화상신호를 얻어 퍼스널 컴퓨터(9)에 제공한다. 퍼스널 컴퓨터(9)는 화상신호로 규정되는 화상의 농담이나 형상에 근거하여, 치핑이나 크랙의 Si 웨이퍼(1) 상에서의 결함의 좌표(결함부위)를 인식하여, 도시하지 않은 기억부에 기억한다. 또한, 퍼스널 컴퓨터(9)는 화상신호에 근거하여 모니터(10)의 모니터 화면(10a)에 Si 웨이퍼(1)의 화상을 표시시키는 것도 할 수 있다.
웨이퍼에 대한 국소용융수단인 레이저 발진기(7)는 Si 웨이퍼(1)의 주변부의 소정의 용융가능개소에 레이저광(8)이 조사되도록 고정접지되고, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에 레이저광(8)을 조사한다.
이와 같은 구성에서, Si 웨이퍼(1)를 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 후, 위치검출센서(5)에 의해 촬상된 화상신호에 근거하여 퍼스널 컴퓨터(9)는 치핑의 위치를 인식한다. 이때, 치핑 등의 결함을 검출하지 않은 경우는 처리를 종료한다.
Si 웨이퍼(1) 상의 결함을 검출하는 경우는 처리를 속행하고, 퍼스널 컴퓨터(9)는 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 Si 웨이퍼(1)를 회전방향 R3으로 회전시켜 레이저 발진기(7)로부터의 레이저광(8)이 치핑(6)에 조사 가능한 위치로 회전을 정지시켜 위치정합을 완료한다.
그 후, 레이저 발진기(7)로부터 레이저광(8)을 치핑(6)에 조사한다. 그 결과, 치핑(6) 및 그 근방영역이 용융하여 보수된다. 또한, 레이저광(8)은 인버터 등으로 레이저 발진기(7)의 전원을 온·오프하여 피상전류량을 미세조정함으로써, 치핑(6) 등의 결함의 비율에 적합한 특성의 레이저광(8)으로 설정된다. 레이저광(8)은 비교적 작은 치핑(6), 크랙 등의 보수에 특히 유효하다.
도 4는 웨이퍼 깨짐 방지장치에 의한 보수 전의 치핑을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 치핑(6)은 Si 웨이퍼(1)의 주변부에, 치핑선단부(6a)에서 치핑주변부(6b)에 걸쳐 생기는 Si 웨이퍼(1)의 결손부로서 발생한다.
도 5는 웨이퍼 깨짐 방지장치에 의한 보수 후의 치핑을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 치핑(6)의 치핑선단부(6a) 및 치핑주변부(6b)가 레이저광(8)의 조사에 의해 용융되어 매끄러운 형상으로 변형시킴으로써, 보수된 치핑 11을 얻을 수 있다.
보수된 치핑(11)을 갖는 Si 웨이퍼(1)는 전술한 웨이퍼 반송암(3)에 의한 제2 반송처리에 의해 웨이퍼 카세트(2)에 수납된다.
이와 같이, 실시예 1의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, 레이저 발진기(7)에 의한 레이저광(8)의 조사에 의해 치핑의 형상을 매끄럽게 함으로써, 치핑선단부(6a) 및 치핑주변부(6b)에서 크랙이 발생하거나, 치핑형상이 확대하는 것을 방지하고, 또한 웨이퍼에 대한 제조처리를 속행하더라도, 결함이 악화하여 웨이퍼 깨짐 등의 중대한 결함이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
(실시예 2)
실시예 1의 Si 웨이퍼(1) 대신에 GaAs 기판(13) 혹은 액정용 유리기판(14)을 대상으로 한 것이 실시예 2의 웨이퍼 깨짐 방지장치이다. GaAs 기판(13)의 경우는 Si 웨이퍼(1)가 GaAs 기판(13)에 치환되는 점을 제외하고, 도 1에서 나타낸 실시예 1의 웨이퍼 깨짐 방지장치와 구성 및 동작은 동일하다.
도 6은 본 발명의 실시예 2인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 전체구성을 나타내는 설명도이다. 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 비교한 경우, 원형의 Si 웨이퍼 대신에 구형상의 액정용 유리기판(14)을 대상으로 한 점, 실시예 2에서는 탑재한 액정용 유리기판(14)을 X 방향. DX 및 Y 방향 DY로 이동가능한 웨이퍼 위치정합대 12를 웨이퍼 위치정합대 4 대신에 설치한 점이 다르다. 즉, 웨이퍼 위치정합대(12)는 레이저 발진기(7)에 의한 레이저광(8)의 조사위치가 액정용 유리기판(14) 상의 전체 영역 내에 변화되도록, X 방향 DX 및 Y 방향 DY로 액정용 유리기판(14)을 이동시킬 수 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
이와 같은 구성에서, 액정용 유리기판(14)을 웨이퍼 위치정합대(12)에 탑재한 후, 위치검출센서(5)에 의해 촬상된 화상신호에 근거하여 퍼스널 컴퓨터(9)는 치핑의 위치를 인식한다. 이때, 치핑 등의 결함을 검출되지 않은 경우는 처리를 종료한다.
또한, 웨이퍼 위치정합대(12)에의 액정용 유리기판(14)의 탑재는, 실시예 1에서의 웨이퍼 위치정합대(4)에의 Si 웨이퍼(1)의 탑재와 마찬가지로, 웨이퍼 반송암(3)을 조작함으로써 행해진다.
Si 웨이퍼(1) 상의 결함을 검출하는 경우는 처리를 속행하고, 퍼스널 컴퓨터(9)는, 웨이퍼 위치정합대(12)에 탑재한 액정용 유리기판(14)을 X 방향 DX 및 Y 방향 DY, 즉, 2차원적으로 이동시켜 레이저 발진기(7)로부터의 레이저광(8)이 치핑(6)에 조사 가능한 위치에서 상기 2차원적 이동을 정지시켜 위치정합을 완료한다.
그 후, 레이저 발진기(7)로부터 레이저광(8)을 레이저 발진기(7)에 조사한다. 그 결과, 치핑(6)은 보수된다.
이와 같이, 도 6에서 나타낸 실시예 2에서는, 구형상의 액정용 유리기판(14)에 대응하여, 그 주변부에 발생하는 치핑(6)에 레이저광(8)을 조사 가능하게 하기 위해, 탑재한 액정용 유리기판(14)을 X 방향 DX 및 Y 방향 DY로 이동가능한 웨이퍼 위치정합대(12)를 사용함으로써, 실시예 1과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 3)
도 7은 본 발명의 실시예 3인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 국소히터모듈을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 용융수단으로서 레이저 발진기(7) 대신에 국소히터(15)를 사용하고 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
도 8은 국소히터를 상세하게 나타내는 평면도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 국소히터(15)에는 복수의 부분 국소히터(15a)가 매트릭스형으로 복수개 설치되어 있고, 이들 복수의 부분 국소히터(15a)는 각각 점등, 소등상태로 설정할 수 있다. 도 8의 예에서는 해칭부분이 점등한 부분국소히터(15a)를 나타내고 있고, 예를 들면, 크랙의 형상에 합쳐서 부분국소히터(15a)를 선택적으로 점등시킬 수 있다. 국소히터(15)는 비교적 긴 치핑(6) 또는 크랙(16)의 보수에 특히 유효하다.
도 9는 부분국소히터(15a)와 Si 웨이퍼(1)와의 위치관계를 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 부분국소히터(15a)를 Si 웨이퍼(1)의 크랙(16)에 근접하여, 인버터 등을 사용하여 부분국소히터(15a)에 제공하는 전원을 온, 오프함으로써 부분국소히터(15a)의 온도를 제어하여 Si 웨이퍼의 크랙(16) 및 그 근방영역을 용융하여, 크랙(16)으로 분리한 부분을 접합함으로써, 크랙(16)을 보수할 수 있다.
이와 같은 구성에서, 실시예 1과 동일하게 하여, Si 웨이퍼(1)를 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 후, 위치검출센서(5)에 의해 촬상된 화상신호에 근거하여 퍼스널 컴퓨터(9)는 치핑의 위치를 인식한다. 이때, 치핑 등의 결함을 검출하지 않은 경우는 처리를 종료한다.
Si 웨이퍼(1) 상의 결함을 검출하는 경우는 처리를 속행하고, 퍼스널 컴퓨터(9)는 웨이퍼 위치정합대(4)에 탑재한 Si 웨이퍼(1)를 회전방향 R3으로 회전시켜 국소히터(15)에 의해 크랙(16)에 가열·용융가능이 가능한 위치에서 회전을 정지시킴으로써 위치정합을 완료한다.
그 후, 국소히터(15)에 의해 Si 웨이퍼(1)의 결함분을 가열하여 용융한다.그 결과, 크랙(16) 등의 결함은 보수된다.
이와 같이, 실시예 3의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, 국소히터(15)에 의한 가열·용융처리에 의해 치핑의 형상을 매끄러운 모양으로 하거나, 크랙을 용해시켜 접합하거나 함으로써, 치핑선단부(6a) 및 치핑주변부(6b)에서 크랙이 발생하거나, 치핑형상이 확대하거나, 크랙이 더욱 증가하는 것을 방지하고, 또한 웨이퍼에 대한 제조처리를 속행하더라도, 결함이 악화하여 웨이퍼 깨짐 등의 중대한 결함이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
(실시예 4)
웨이퍼 카세트(2)에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1) 중, 치핑(6),크랙(16) 등의 결함이 있는 Si 웨이퍼(1)가 미리 판명되어 있는 경우는, 결함이 있는 Si 웨이퍼(1)의 결함만 보수하면 된다.
실시예 4의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1)의 선택기능을 가지고 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 전체구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1과 마찬가지로, 동작도 이하에 서술하는 웨이퍼 선별처리가 부가된 점을 제외하고, 실시예 1과 동일하다.
도 10은 웨이퍼 선택화면을 나타내는 설명도이다. 도 11은 웨이퍼 카세트(2) 내의 Si 웨이퍼(1)의 수납상태를 나타내는 설명도이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 복수의 Si 웨이퍼(1)가 WN1, WN2, WN3으로 순차 수납되어 있고, 도 10에서 나타내는 모니터 화면(10a)에서 표시되는 No. 1, No. 2, No. 3의 웨이퍼에 대응하고있다.
따라서, 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납된 Si 웨이퍼(1)는 웨이퍼 No.에 의해 선별가능하고, 예를 들면, No. 2의 웨이퍼(1)(WN2)에 결함이 있는 것이 미리 판명되어 있는 경우는, 도 10에서 나타내는 모니터 화면(10a)에서 No. 2의 웨이퍼를 선택하면, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에 웨이퍼 반송암(3)을 구동하여 Si 웨이퍼(1)(WN2)를 웨이퍼 위치정합대(4) 상에 탑재시킬 수 있다.
이와 같이, 실시예 4의 웨이퍼 깨짐 방지장치는 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1)를 선택적으로 웨이퍼 위치정합대(4) 상에 탑재할 수 있으므로, 웨이퍼 카세트(2)에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1) 중 결함을 갖는 웨이퍼가 미리 판명되어 있는 경우는, 결함을 갖는 Si 웨이퍼(1)에 대해서만 효율적으로 보수할 수 있다.
또한, 웨이퍼 카세트(2)에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1) 중 결함을 갖는 웨이퍼가 미리 판명되어 있지 않은 경우는, 웨이퍼 카세트(2)에 수납된 복수의 Si 웨이퍼(1)를 모두 순차 웨이퍼 위치정합대(4) 상에 탑재하여, 위치검출센서(5) 및 퍼스널 컴퓨터(9)에 의해 결함의 유무를 검출하게 된다.
그리고, 결함이 검출된 Si 웨이퍼(1)에 대하여 실시예 1과 동일한 Si 웨이퍼(1)의 결함보수처리가 행해져, 결함이 검출되지 않았던 Si 웨이퍼(1)는 빠르게 웨이퍼 카세트(2)에 복귀된다.
(실시예 5)
도 12는 실시예 5에 의한 웨이퍼 깨짐 방지장치의 기록기능을 모식적으로 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타낸 바와 같이, 복수의 웨이퍼 C1, C2, C3···에 대하여 공정 A, B, C 각각의 실행 후의 Si 웨이퍼(1) 상에서의 결함분포를 나타내는 결함분포 웨이퍼(23A)를 포함하는 해석정보의 기록기능을 가지고 있다. 또한, 상기 기록기능 이외의 구성은 실시예 1의 웨이퍼 깨짐 방지장치와 동일하다.
이 기록기능은, 전술한 결함분포 웨이퍼 이외에, 복수의 웨이퍼를 수납한 로트번호, 로트 내 웨이퍼 위치, 공정명, 공정을 실행한 처리장치명, 장치의 클램프 위치(장치가 웨이퍼를 잡는 위치, 치핑, 크랙발생 요인이 됨)의 측정 전 정보가 있다. 또한, 결함분포 웨이퍼는, 실시예 5의 웨이퍼 깨짐 방지장치를 사용하여 얻어지는, 각 공정실행 후의 웨이퍼 각각에 대하여, 치핑위치, 치핑사이즈, 크랙위치, 크랙사이즈 등의 측정정보에 근거하여 얻을 수 있다.
실시예 5의 웨이퍼 깨짐 방지장치의 기록기능에 의해 얻어지는 측정 전 정보 및 측정정보를 해석함으로써, 여러가지 결함해석을 행할 수 있다. 예를 들면, 어떤 장치의 클램프 위치와 결함부분 웨이퍼 상의 결함위치를 조회하여, 조회결과가 일치하고 있는(상관관계가 강함) 경우, 해당 장치가 결함요인으로 되어 있는 것을 해석할 수 있다. 또한, 로트번호에 의해 취급하는 웨이퍼의 종류가 다른 경우, 로트번호마다 결함분포 웨이퍼를 비교하여 웨이퍼의 종류별 특성을 해석하는 것도 할 수 있다. 또한, 위치검출센서(5) 및 퍼스널 컴퓨터(9)에 의해 치핑(6) 및 크랙(16) 이외의 표면 흠, 이물질 등이 다른 결함도 검출할 수 있는 경우, 이것들을 포함하는 결함분포 웨이퍼에 근거하는 결함해석을 행하는 것도 할 수 있다.
도 12의 예에서는 A 공정 후의 웨이퍼 결함분포 23A에서 치핑(6)의 발생위치가 A 공정에서의 X1 장치의 클로 마크(claw mark)(클램프 위치)와 일치하고 있고 X1 장치가 결함발생원인이라 해석할 수 있고, B 공정 후의 웨이퍼 결함분포 23B의 표면 흠(26)의 발생 정도에 의해 X2 장치에 의해 표면 흠이 발생하는 것을 해석할 수 있고, 웨이퍼 결함분포 23C의 이물질(27)의 발생 정도에 의해 X3 장치에 의한 이물질이 발생하는 것을 해석할 수 있는 것을 나타내고 있다.
또한, 해석시에, 오리엔테이션 플랫(orientation flat)이나 노치(notch)위치로부터의 어긋남이 있는 경우를 고려하여, 측정 전과 측정 후의 웨이퍼 조회시에 웨이퍼의 회전방향이나 XY 방향으로 보정이 걸려지는 기능을 가져도 된다.
(실시예 6)
도 13은 본 발명의 실시예 6인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 가동레이저 발진기를 모식적으로 나타낸 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기 7 대신에 가동레이저 발진기 17을 사용하고 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
동일 도면에 나타내는 바와 같이, 가동레이저 발진기(17)는 Si 웨이퍼(1) 상을 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 가동레이저 발진기(17)는 가동레이저 발진기(17)에 의한 레이저광(8)의 조사개소(용융가능개소)가 Si 웨이퍼(1)에서의 전체영역 내에서 변화되도록, 자신이 이동하는 이동동작이 가능하다.
따라서, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에, 가동레이저 발진기(17)를 크랙(16)위를 따라 이동시키면서 레이저광(8)을 복수회 조사함으로써, 1회의 레이저광(8)의 조사로 보수 가능한 비교적 큰 형상의 크랙(16)에 대해서도, 빈틈없이 레이저광(8)을 조사함으로써 크랙(16) 전체 및 그 근방영역을 정밀도 좋게 용융시킬 수 있다. 그 결과, 크랙(16)을 접합하여 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 실시예 6에서는 가동레이저 발진기(17)가 Si 웨이퍼(1) 상을 자유롭게 이동가능하므로, 웨이퍼 위치정합대(4)는 회전기능을 가질 필요는 없다. 또한, 본 실시예에서는 크랙(16)의 보수예를 나타냈지만, 마찬가지로 치핑(6)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 7)
도 14는 본 발명의 실시예 7인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 가동국소히터(1)를 모식적으로 나타낸 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기(7) 대신에 가동국소히터(18)를 사용하고 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
동일 도면에 나타내는 바와 같이, 가동국소히터(18)는 Si 웨이퍼(1) 상을 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 가동국소 히터모듈(18)은 가동국소 히터모듈(18)에 의한 국소가열(용융가능개소)이 Si 웨이퍼(1)에서의 전체영역 내에서 변화되도록, 자신이 이동하는 이동동작이 가능하다.
따라서, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에, 가동국소히터(18)를 크랙(16) 위를 따라 이동시키면서 복수회 가열·용융함으로써, 1회의 가열·용융으로 보수 불가능한 비교적 큰 형상의 크랙(16)에 대해서도, 래크(16) 전체 및 근방영역을 정밀도 좋게 용융시킬 수 있다. 그 결과, 크랙(16)을 접합함으로써 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 실시예 7에서는 가동국소히터(18)가 Si 웨이퍼(1) 상을 자유롭게 이동가능하므로, 웨이퍼 위치정합대(4)는 회전기능을 가질 필요는 없다. 또한, 본 실시예에서는 크랙(16)의 보수예를 나타냈지만, 마찬가지로 치핑(6)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 8)
도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예 8인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 가동웨이퍼 위치정합대를 모식적으로 나타낸 설명도이다. 동일 도면에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 위치정합대 4 대신에 가동웨이퍼 위치정합대 19를 사용하고 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
이것들의 도면에 나타내는 바와 같이, 가동웨이퍼 위치정합대(19)는, 탑재한 Si 웨이퍼(1)의 레이저 발진기(7)로부터 조사되는 레이저광(8)의 영역이 Si 웨이퍼(1)의 모든 영역에서 설정가능하도록, 자유롭게 이동할 수 있다. 따라서, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에, 레이저광(8)이 크랙(16) 위를 따라 이동하도록, 가동웨이퍼 위치정합대(19)를 이동시키면서 레이저광(8)을 복수회 조사함으로써, 1회의 레이저광(8)의 조사로 보수 불가능한 비교적 큰 형상의 크랙(16)에 대해서도, 실시예 6과 마찬가지로 크랙(16)을 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 크랙(16)의 보수예를 나타냈지만, 동일하게 치핑(6)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 9)
도 17 및 도 18은 본 발명의 실시예 9인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 가동웨이퍼 위치정합대를 모식적으로 나타낸 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 용융수단으로서 레이저 발진기(7) 대신에 국소히터(15)를 사용하고, 웨이퍼 위치정합대 4 대신에 가동웨이퍼 위치정합대 19를 사용하고 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
이들 도면에 나타내는 바와 같이, 가동웨이퍼 위치정합대(19)는, 탑재한 Si 웨이퍼(1)의 국소히터(15)에 의한 가열영역이 Si 웨이퍼(1)의 모든 영역에서 설정가능하도록, 자유롭게 이동할 수 있다. 따라서, 퍼스널 컴퓨터(9)의 제어하에, 국소히터(15)가 크랙(16) 위를 따라 이동하도록, 가동웨이퍼 위치정합대(19)를 이동시키면서 국소히터(15)에 의해 복수회 가열·용융함으로써, 1회의 가열·용융으로 보수 불가능한 비교적 큰 형상의 크랙(16)에 대해서도, 실시예 7과 마찬가지로 크랙(16)을 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는. 크랙(16)의 보수예를 나타냈지만, 동일하게 치핑(6)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 10)
도 19는 본 발명의 실시예 10인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 레이저 조사부 주변을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기 7 대신에 레이저 발진기 7A, 7E, 웨이퍼 위치정합대(4) 대신에 상하 레이저 조사용 웨이퍼 위치정합대(20) 상에 Si 웨이퍼(1)를 탑재하고 있다. 상하 레이저 조사용 웨이퍼 위치정합대(20)의 중심부에 Si 웨이퍼(1)보다 일주 작은 형상의 개구부(20a)를 가지고 있기 때문에, Si 웨이퍼(1)의 위쪽(표면)은 물론, 아래쪽(이면)으로부터의 레이저광의 조사가 가능하다.
그리고, Si 웨이퍼(1)의 위쪽으로부터 레이저 발진기 7A에 의해 레이저광 8A를 Si 웨이퍼(1)에 조사할 수 있고, Si 웨이퍼(1)의 아래쪽으로부터 레이저 발진기 7B에 의해 레이저광 8B를 개구부(20a)를 통해 Si 웨이퍼(1)에 조사할 수 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
이와 같은 구성의 실시예 10의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, Si 웨이퍼(1)의 표면 및 이면 쌍방으로부터의 레이저광을 조사하여, Si 웨이퍼(1)를 용융할 수 있으므로, 도 19에 나타내는 바와 같이, Si 웨이퍼(1)의 표면에서 이면에 도달하는 크랙(16)이 존재하는 경우에도, 정밀도 좋게 적절히 보수할 수 있다.
또한, 레이저 발진기(7A, 7B)를 실시예 6의 가동레이저 발진기(17)와 같이 가동하는 구성으로 하거나, 상하 레이저 상하 레이저 조사용 웨이퍼 위치정합대(20)를 실시예 8과 같이 가동하는 구성으로 하면, 실시예 6 및 실시예 8과 마찬가지로 비교적 형상이 큰 크랙(16)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 11)
도 20은 본 발명의 실시예 11인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 레이저 조사부 주변을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기(7) 대신에 국소히터(15A, 15B), 웨이퍼 위치정합대(4) 대신에 상하 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(21) 상에 Si 웨이퍼(1)를 탑재하고 있다. 상하 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(21)의 중심부에 Si 웨이퍼(1)보다 일주 작은 형상의 개구부(20a)를 가지고 있기 때문에, Si 웨이퍼(1)의 위쪽(표면)은 물론, 아래쪽(이면)으로부터의 국소히터에 의한 가열이 가능하다.
그리고, Si 웨이퍼(1)의 위쪽으로부터 국소히터 15A에 의해 Si 웨이퍼(1)에 가열·용융할 수 있고, Si 웨이퍼(1)의 아래쪽으로부터 개구부(20a)를 통해 국소히터 15B에 의해 가열·용융할 수 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
이와 같은 구성의 실시예 11의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, Si 웨이퍼(1)의 표면 및 이면 쌍방으로부터의 국소히터에 의해 가열하여, Si 웨이퍼(1)를 용융할 수 있으므로, 도 20에 나타내는 바와 같이, Si 웨이퍼(1)의 표면에서 이면에 도달하는 크랙(16)이 존재하는 경우에도, 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 국소히터(15A, 15B)를 실시예 7의 가동국소히터(18)와 같이 가동하는 구성으로 하거나, 상하 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(21)를 실시예 9와 같이 가동하는 구성으로 하면, 실시예 7 및 실시예 9와 마찬가지로, 비교적 형상이 큰 크랙(16)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
(실시예 12)
도 21은 본 발명의 실시예 12인 웨이퍼 깨짐 방지장치의 레이저 조사부 주변을 나타내는 설명도이다. 동일 도면에 나타내는 바와 같이, 국소히터(15)가 추가되어, 웨이퍼 위치정합대 4 대신에 아래쪽 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(22) 상에 Si 웨이퍼(1)를 탑재하고 있다. 아래쪽 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(22)의 중심부에 Si 웨이퍼(1)보다 일주 작은 형상의 개구부(20a)를 가지고 있기 때문에, Si 웨이퍼(1)의 아래쪽(이면)으로부터의 국소히터에 의한 가열이 가능하다.
그리고, Si 웨이퍼(1)의 위쪽으로부터 레이저 발진기(7)에 의해 레이저광(8)을 Si 웨이퍼(1)에 조사할 수 있고, Si 웨이퍼(1)의 아래쪽으로부터 개구부(20a)를 통해 국소히터(15B)에 의해 가열·용융할 수 있다. 또한, 다른 구성은 도 1에서 나타낸 실시예 1의 전체구성과 동일하다.
이와 같은 구성의 실시예 12의 웨이퍼 깨짐 방지장치는, Si 웨이퍼(1)의 위쪽으로부터 레이저 발진기(7A)에 의해 레이저광(8A)을 Si 웨이퍼에 조사할 수 있고, Si 웨이퍼(1)의 아래쪽으로부터 국소히터(15)에 의해 가열하여, Si 웨이퍼(1)를 용융할 수 있으므로, 도 21에 나타내는 바와 같이, Si 웨이퍼(1)의 표면에서 이면에 도달하는 크랙(16)이 존재하는 경우에도, 정밀도 좋게 보수할 수 있다.
또한, 레이저 발진기(7)를 실시예 6과 같이 가동레이저 발진기(17)에 의해 구성하거나, 국소히터(15)를 실시예 7의 가동국소히터(18)와 같이 가동하는 구성으로 하거나, 혹은 아래쪽 히터 가열용 웨이퍼 위치정합대(22)를 실시예 9의 가동웨이퍼 위치정합대(19)와 같이 가동하는 구성으로 하면, 실시예 6∼실시예 9와 마찬가지로, 비교적 형상이 큰 크랙(16)을 보수할 수 있는 것은 물론이다.
실시예 12는 국소용융수단으로서 레이저 발진기(7) 및 국소히터(15)를 가지고 있으므로, 비교적 짧은 치핑(6) 및 크랙(16)에 대하여 특히 유효한 레이저 발진기(7)의 특성과, 비교적인 긴 치핑(6) 및 크랙(16)에 특히 유효한 국소히터(15)의 특성을 겸비하고 있다.
본 발명은 상세히 설명되었지만, 상기한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시로서, 본 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 이해된다.

Claims (18)

  1. 처리대상기판을 탑재하는 기판탑재수단(4, 19∼22)과,
    상기 처리대상기판(1, 13, 14)의 결함의 유무를 검출하여, 결함을 검출한 경우에 결함위치를 포함하는 결함검출용 정보를 얻는 결함검출수단(5, 9)과,
    상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 처리대상기판의 결함부위 및 그 근방영역을 용융하여 결함을 보수하는 결함보수수단(7, 7A, 7B, 9, 15, 15A, 15B, 17, 18)을 구비한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함보수수단은,
    상기 처리대상기판을 국소적으로 용융하는 국소용융수단(7, 7A, 7B, 15, 15A, 15B, 17, 18)과,
    상기 결함검출용 정보에 근거하여, 상기 국소용융수단이 상기 결함부위 및 그 근방영역을 용융해야 할 위치정합을 행하는 용융위치 정합수단(4, 9, 19∼22)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 국소용융수단은,
    상기 처리대상기판에 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 레이저 발진기(7, 7A, 7B, 17)를 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 국소용융수단은,
    상기 처리대상기판을 국소적으로 가열하는 국소가열수단(15, 15A, 15B, 18)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 국소가열수단은 점등 및 소등이 각각 독립하게 설정가능한 복수의 부분 가열부를 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 국소용융수단은 소정위치에 고정되는 고정국소 용융수단(7, 15)을 포함하고,
    상기 기판탑재수단은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 변화되도록, 상기 처리대상기판을 이동시키는 이동동작이 가능한 가동기판 탑재수단(19)을 포함하고,
    상기 용융위치 정합수단은, 상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 기판탑재수단에 의한 상기 이동동작을 제어하는 제어수단(9)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리대상기판은 평면형상이 원형인 기판을 포함하고,
    상기 가동기판 탑재수단에 의한 이동동작은, 상기 처리대상기판의 대략 중심위치를 중심으로 상기 처리대상기판을 회전시키는 회전동작을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 가동기판 탑재수단에 의한 이동동작은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 상기 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내에서 변화되도록, 상기 처리대상기판을 이동시키는 동작을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 국소용융수단은, 상기 국소용융수단에 의한 용융가능개소가 상기 처리대상기판에서의 소정의 이동영역 내에서 변화되도록, 자신이 이동하는 이동동작을 행하는 가동국소 용융수단(17, 18)을 포함하고,
    상기 용융위치 정합수단은, 상기 결함검출용 정보에 근거하여 상기 가동국소용융수단에 의한 상기 이동동작을 제어하는 제어수단(9)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리대상기판은 제1 및 제2 주표면을 가지며,
    상기 기판탑재수단은, 상기 제1 및 제2 주표면 각각의 측으로부터 용융 가능하게 상기 처리대상기판을 탑재하는 2방향 용융용 기판탑재수단(20∼22)을 포함하고,
    상기 국소용융수단은,
    상기 처리대상기판을 상기 제1 주표면측으로부터 용융하는 제1 국소용융수단(7A, 15A)과,
    상기 처리대상기판을 상기 제2 주표면측으로부터 용융하는 제2 국소용융수단(7B, 15B)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판의 제1 및 제2 주표면측으로부터 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 제1 및 제2 레이저 발진기(7A, 7B)를 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 제1 및 제2 주표면측으로부터 국소적으로 가열하는 제1 및 제2 국소가열수단(15A, 15B)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 국소용융수단은, 상기 처리대상기판의 상기 제1 주표면측으로부터 국소적으로 레이저를 조사하여 용융하는 레이저 발진기(7)를 포함하고,
    상기 제2 국소용융수단은, 상기 처리대상기판을 상기 제2 주표면측으로부터 국소적으로 가열하는 국소가열수단(15)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    복수의 기판을 수납하는 기판수납부(2)와,
    상기 기판수납부(2)에 수납된 복수의 기판 중 하나의 기판을 상기 처리대상기판으로서 취출 반송하여 상기 기판탑재수단에 탑재하는 제1 반송처리와, 상기 기판탑재수단에 탑재된 상기 처리대상기판을 분리하여 상기 기판격납부까지 반송하여 상기 기판수납부에 수납하는 제2 반송처리가 실행 가능한 반송수단(3)을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 반송수단의 상기 제1 및 제2 반송처리를 제어하는 제어수단(9)을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리대상기판은 Si 웨이퍼(1), GaAs 기판(13), 또는 액정용 유리기판(14)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함검출수단은, 상기 처리대상기판에서의 상기 결함위치를 나타내는 정보를 적어도 포함하는 해석정보를 기록하는 기록기능을 가진 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함은 치핑(6) 또는 크랙(16)을 포함한 것을 특징으로 하는 기판결함 보수장치.
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