WO2019208338A1 - 基板処理システム、および基板処理方法 - Google Patents

基板処理システム、および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019208338A1
WO2019208338A1 PCT/JP2019/016370 JP2019016370W WO2019208338A1 WO 2019208338 A1 WO2019208338 A1 WO 2019208338A1 JP 2019016370 W JP2019016370 W JP 2019016370W WO 2019208338 A1 WO2019208338 A1 WO 2019208338A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
processed
laser processing
alignment
transfer
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/016370
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
義広 川口
弘明 森
和哉 久野
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to SG11202010365TA priority Critical patent/SG11202010365TA/en
Priority to CN201980026998.3A priority patent/CN112005359B/zh
Priority to KR1020207032979A priority patent/KR20210005078A/ko
Priority to US17/050,490 priority patent/US20210242084A1/en
Priority to JP2020516257A priority patent/JP6929452B2/ja
Publication of WO2019208338A1 publication Critical patent/WO2019208338A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60—Preliminary treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0461—Welding tables
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing system and a substrate processing method.
  • the cutting apparatus of Patent Document 1 includes a cassette mounting mechanism for mounting a cassette containing a semiconductor wafer, an alignment mechanism for aligning the center position and crystal orientation of the semiconductor wafer unloaded from the cassette, and an alignment mechanism. And a cutting mechanism for cutting the unloaded semiconductor wafer.
  • One embodiment of the present disclosure provides a technique that can reduce an installation area of a substrate processing system for laser processing a substrate.
  • a substrate processing apparatus includes: A pre-alignment apparatus having a pre-alignment stage for holding a substrate to be processed, and a detector for detecting a center position and a crystal orientation of the substrate to be processed held by the pre-alignment stage; A laser processing apparatus comprising: a laser processing stage for holding the substrate to be processed; and a laser processing head for condensing and irradiating the laser beam for processing the substrate to be processed to the substrate to be processed held on the laser processing stage; With The pre-alignment apparatus is disposed on the laser processing apparatus.
  • an installation area of a substrate processing system for laser processing a substrate can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing system according to an embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a substrate to be processed according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a coating apparatus according to an embodiment.
  • Drawing 5 is a figure showing the state before and behind supplying compressed air to the inside of the pressure vessel of the joining device concerning one embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a state where the sealed space of the bonding apparatus indicated by the solid line in FIG. 5 is decompressed.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a laser processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing system according to an embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line II-II in
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a thinning device according to an embodiment.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of a process performed after the process S109 of FIG. 9 when the process target substrate is thinned after the laser processing of the process target substrate.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a process performed subsequent to step S109 in FIG. 9 when laser processing of the target substrate is performed after the target substrate is thinned.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing system according to an embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1 and 2, the X axis direction, the Y axis direction, and the Z axis direction are directions perpendicular to each other, the X axis direction and the Y axis direction are horizontal directions, and the Z axis direction is a vertical direction.
  • the rotation direction with the vertical axis as the center of rotation is also called the ⁇ direction.
  • “lower” means vertically downward
  • “upper” means vertically upward.
  • the substrate processing system 1 performs laser processing of the substrate 10 to be processed. In addition, the substrate processing system 1 thins the substrate 10 to be processed. Either laser processing of the substrate to be processed 10 or thinning of the substrate to be processed 10 may be performed first. Regardless of which is performed first, the substrate processing system 1 is configured to be able to cope. The substrate processing system 1 may perform only the laser processing of the substrate 10 to be processed among the laser processing of the substrate 10 to be processed and the thinning of the substrate 10 to be processed.
  • the substrate processing system 1 joins the substrate to be processed 10 and the support substrate 20 to reinforce the substrate to be processed 10 before laser processing of the substrate 10 to be processed and thinning the substrate 10 to be processed. 30 (see FIG. 6) is prepared.
  • a bonding surface bonded to the support substrate 20 of the substrate to be processed 10 is the first main surface 11. Therefore, the protective tape is not bonded to the first main surface 11.
  • the to-be-processed substrate 10 does not need to be joined to the support substrate 20, and in that case, a protective tape is bonded to the first main surface 11 of the to-be-processed substrate 10.
  • the substrate processing system 1 has a loading / unloading station 100 in which a cassette 101 that accommodates a substrate to be processed 10 is loaded / unloaded.
  • the cassette 102 that accommodates the support substrate 20 and the cassettes 103 and 104 that accommodate the superposed substrate 30 are carried in and out of the carry-in / out station 100.
  • the loading / unloading station 100 includes a cassette table 110 on which a cassette 101 that accommodates the substrate to be processed 10 is placed.
  • the cassette stand 110 includes a plurality of (for example, four) placement plates 112.
  • the plurality of placement plates 112 are arranged at intervals in the Y-axis direction.
  • a plurality of cassettes 101, 102, 103, 104 are placed on the plurality of placement plates 112.
  • the superposed substrate 30 is identified as a non-defective product and a defective product, and is accommodated in a cassette 103 for good products and a cassette 104 for defective products.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a substrate to be processed according to one embodiment.
  • the substrate to be processed 10 is a semiconductor substrate such as a silicon wafer.
  • the substrate 10 has a first main surface 11 and a second main surface 12 that face each other.
  • the first main surface 11 of the substrate to be processed 10 is partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape. Devices such as elements, circuits, and terminals are formed in advance in each partitioned area.
  • a planned dividing line 13 is set for each of the plurality of streets.
  • the substrate 10 to be processed is divided by the division line 13 to obtain a plurality of chips 19 (see FIG. 8).
  • the substrate 10 to be processed is accommodated in the cassette 101 with the first main surface 11 on which the device is formed facing upward. Further, the substrate 10 to be processed is taken out from the cassette 101, turned upside down, and delivered to the processing station 200.
  • the loading / unloading station 100 (see FIGS. 1 and 2) has a transfer area 120 to which the substrate 10 to be processed is transferred.
  • the conveyance area 120 is disposed on the X axis direction positive side of the cassette table 110.
  • a guide rail 121 extending in the Y-axis direction is installed in the transport region 120, and the transport device 122 moves along the guide rail 121.
  • the transfer device 122 includes a first holder 123 as a holding unit that holds the substrate 10 to be processed.
  • the transfer device 122 since the substrate to be processed 10 is bonded to the support substrate 20, the transfer device 122 has a circular suction surface having a diameter larger than the diameter of the substrate to be processed 10, and the substrate to be processed 10 is placed on the suction surface. There is no second holder to adsorb.
  • the to-be-processed substrate 10 does not need to be joined to the support substrate 20, and in that case, the transfer device 122 may have a second holder.
  • the first holder 123 can be moved not only in the Y axis direction but also in the X axis direction, the Z axis direction, and the ⁇ direction.
  • the first holder 123 takes out the substrate 10 to be processed from the cassette 101 placed on the cassette table 110.
  • the first holder 123 takes out the support substrate 20 from the cassette 102 placed on the cassette table 110. Further, the first holder 123 accommodates the superposed substrate 30 in the non-defective cassette 103 or the defective cassette 104 placed on the cassette base 110.
  • the first holder 123 is formed in a fork shape divided into two forks so that it can be easily inserted into each of the plurality of cassettes 101, 102, 103, 104.
  • the first holder 123 can be turned upside down to turn the substrate 10 to be turned upside down.
  • the substrate processing system 1 includes a processing station 200 that processes the target substrate 10 taken out from the cassette 101.
  • the processing station 200 joins the support substrate 20 and the substrate to be processed 10 via the adhesive 22 and the coating apparatus 210 that applies the adhesive 22 to the bonding surface 21 to be bonded to the substrate 10 to be processed. And a joining device 220.
  • the coating apparatus 210 and the bonding apparatus 220 are arbitrary apparatuses, and the processing station 200 may not include the coating apparatus 210 and the bonding apparatus 220.
  • FIG. 4 is a view showing a coating apparatus according to an embodiment.
  • the coating apparatus 210 includes, for example, an adhesive on the spin chuck 211 that holds the support substrate 20 horizontally with the joint surface 21 of the support substrate 20 facing upward, and the joint surface 21 of the support substrate 20 that is held by the spin chuck 211. And a coating nozzle 212 for coating 22.
  • the coating device 210 spreads the adhesive 22 on the bonding surface 21 of the support substrate 20 by rotating the spin chuck 211. Thereafter, the coating device 210 dries the adhesive 22.
  • a glass substrate is used.
  • a semiconductor substrate may be used instead of the glass substrate.
  • the adhesive 22 for example, a thermoplastic resin is used.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a state before and after supplying compressed air to the inside of the pressure vessel of the joining device according to the embodiment.
  • a two-dot chain line shows a state before the compressed air is supplied to the inside of the pressure vessel 224
  • a solid line shows a state after the compressed air is supplied to the inside of the pressure vessel 224.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a state where the sealed space of the bonding apparatus indicated by the solid line in FIG. 5 is decompressed.
  • the bonding apparatus 220 includes, for example, an upper chuck 221 that holds the substrate 10 to be processed horizontally and a lower chuck 222 that holds the support substrate 20 horizontally.
  • the lower chuck 222 includes a heater 223 that heats the adhesive 22 by heating the support substrate 20.
  • the bonding apparatus 220 includes a pressure vessel 224 into which compressed air that deforms the suction surface of the upper chuck 221 that sucks the substrate 10 to be processed into a convex shape downward is supplied.
  • the pressure vessel 224 can be expanded and contracted in the vertical direction, and is made of, for example, a metal bellows.
  • the bonding apparatus 220 lowers the upper chuck 221, brings the upper chuck 221 into contact with the lower chuck 222, and forms a sealed space 225 between the upper chuck 221 and the lower chuck 222. . Subsequently, the bonding apparatus 220 causes the suction surface of the upper chuck 221 that sucks the substrate 10 to be processed to be convexly deformed by supplying compressed air into the pressure vessel 224. Thereby, the center part of the to-be-processed substrate 10 and the center part of the support substrate 20 are joined via the adhesive agent 22.
  • the joining device 220 depressurizes the sealed space 225 in order to prevent air from being caught. Since the differential pressure between the sealed space 225 and the suction hole of the upper chuck 221 is reduced, the upper chuck 221 cannot vacuum-suck the substrate 10 to be processed, and the substrate 10 to be processed is projected downward from the solid line in FIG. It returns to the flat state shown in FIG. At this time, the substrate to be processed 10 and the support substrate 20 are gradually joined from the center of the substrate to be processed 10 toward the outer periphery.
  • the coating apparatus 210 may apply the adhesive 22 to the bonding surface to be bonded to the support substrate 20 of the substrate 10 to be processed.
  • the bonding surface bonded to the support substrate 20 of the substrate to be processed 10 is the first main surface 11 on which a device has been formed in advance.
  • the processing station 200 includes a laser processing device 230 that performs laser processing of the substrate 10 to be processed.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a main part of the laser processing apparatus according to the embodiment.
  • the laser processing device 230 performs, for example, laser processing (so-called laser dicing) for dividing the substrate 10 to be processed into a plurality of chips 19 (see FIG. 8).
  • the laser processing apparatus 230 condenses and irradiates a laser processing stage 231 that holds the substrate 10 to be processed and a laser beam LB that processes the substrate 10 to be processed to the substrate 10 that is held by the laser processing stage 231.
  • a head 232 condenses and irradiates a laser processing stage 231 that holds the substrate 10 to be processed and a laser beam LB that processes the substrate 10 to be processed to the substrate 10 that is held by the laser processing stage 231.
  • the laser processing stage 231 holds the target substrate 10 from below with the second main surface 12 of the target substrate 10 facing upward.
  • the laser processing stage 231 has a circular suction surface having a diameter larger than the diameter of the substrate 10 to be processed, and sucks the substrate 10 to be processed on the suction surface.
  • the laser processing stage 231 is a vacuum chuck that vacuum-sucks the substrate 10 to be processed, but may be an electrostatic chuck that electrostatically chucks the substrate 10 to be processed.
  • the laser processing stage 231 holds the substrate 10 to be processed that is bonded to the support substrate 20 in advance, that is, the superposed substrate 30.
  • the laser processing head 232 has a condenser lens 233 disposed vertically above the laser processing stage 231.
  • the condensing lens 233 condenses the laser beam LB inside the substrate 10 to be processed, and forms the modified layer 15 serving as a starting point of the division inside the substrate 10 to be processed.
  • a laser beam having transparency to the substrate 10 to be processed is used.
  • the modified layer 15 is formed, for example, by locally melting and solidifying the inside of the substrate 10 to be processed.
  • the laser beam LB forms the modified layer 15 serving as a starting point of fracture inside the substrate 10 to be processed, but a laser processing groove may be formed on the upper surface of the substrate 10 to be processed.
  • the laser processing groove may or may not penetrate the substrate 10 to be processed in the thickness direction.
  • the laser processing apparatus 230 has a moving mechanism 234 (see FIGS. 1 and 2) that moves the laser processing stage 231 to move the position of the irradiation point of the laser beam LB on the upper surface of the substrate 10 to be processed.
  • the moving mechanism 234 moves the laser processing stage 231 in the X axis direction, the Y axis direction, and the ⁇ direction.
  • the moving mechanism 234 is composed of, for example, an XY ⁇ stage, and includes a Y-axis guide 235, a Y-axis slider that moves along the Y-axis guide 235, an X-axis guide 236, and an X-axis slider that moves along the X-axis guide.
  • the Y-axis guide 235 is fixed to the base frame 237, for example.
  • An X-axis guide 236 is fixed to the Y-axis slider that moves along the Y-axis guide.
  • a rotary disk is rotatably attached to the X-axis slider that moves along the X-axis guide 236.
  • a laser processing stage 231 is fixed to the rotating disk.
  • the moving mechanism 234 is configured with an XY ⁇ stage in the present embodiment, but may be configured with an XYZ ⁇ stage. That is, the laser processing stage 231 may be movable in the Z-axis direction.
  • the laser processing apparatus 230 includes a base frame 237, a plurality of support columns 238 erected on the base frame 237, and a ceiling frame 239 supported by the plurality of support columns 238.
  • a movement mechanism 234 is installed on the base frame 237, and a laser processing head 232 is attached to the ceiling frame 239.
  • the processing station 200 has a pre-alignment device 240.
  • the pre-alignment apparatus 240 includes a pre-alignment stage 241 that holds the target substrate 10 and a detector 242 that detects the center position and crystal orientation of the target substrate 10 held on the pre-alignment stage 241.
  • the detector 242 detects the crystal orientation of the substrate to be processed 10 by detecting the position of the notch 14 (see FIG. 3) that represents the crystal orientation of the substrate 10 to be processed.
  • the detector 242 may detect the position of the orientation flat instead of detecting the position of the notch 14.
  • the pre-alignment stage 241 holds the substrate to be processed 10 from below with the second main surface 12 of the substrate to be processed 10 facing upward.
  • the pre-alignment stage 241 has a circular suction surface having a diameter larger than the diameter of the substrate 10 to be processed, and sucks the substrate 10 to be processed on the suction surface.
  • the pre-alignment stage 241 is a vacuum chuck that vacuum-sucks the substrate 10 to be processed, but may be an electrostatic chuck that electrostatically chucks the substrate 10 to be processed.
  • the pre-alignment stage 241 holds the substrate 10 to be processed that is bonded to the support substrate 20 in advance, that is, the superposed substrate 30.
  • the detector 242 includes an image sensor, for example, and images the outer periphery of the substrate 10 to be processed held by the pre-alignment stage 241. In order to image a plurality of points on the outer periphery of the substrate 10 to be processed, the pre-alignment stage 241 rotates around the vertical axis. The detector 242 transmits a captured image signal to the control device 400. The control device 400 obtains the center position and crystal orientation of the substrate to be processed 10 in the coordinate system fixed to the pre-alignment stage 241 by performing image processing on the image captured by the detector 242.
  • the pre-alignment device 240 has an attachment base 243 that is fixed to the ceiling frame 239 of the laser processing device 230.
  • a pre-alignment stage 241 is rotatably attached to the attachment base 243.
  • a support column that supports the detector 242 is fixed to the mounting base 243.
  • the pre-alignment device 240 is arranged on the upper part of the laser processing device 230. Since the pre-alignment apparatus 240 and the laser processing apparatus 230 are stacked in the vertical direction, the substrate processing system 1 can be compared with the case where the pre-alignment apparatus 240 and the laser processing apparatus 230 are aligned in the horizontal direction. The installation area can be reduced.
  • the pre-alignment device 240 is disposed inside the outer peripheral edge of the base frame 237 so as not to protrude from the base frame 237 of the laser processing device 230 when viewed in the vertical direction.
  • the processing station 200 includes a transfer arm 260 that receives the target substrate 10 from the pre-alignment apparatus 240 and transfers the received target substrate 10 to the laser processing apparatus 230.
  • the transfer arm 260 can be moved in the X-axis direction along the X-axis guide 261, and can be moved in the Z-axis direction along the Z-axis guide 262.
  • the transport arm 260 is not movable in the Y-axis direction, but may be movable in the Y-axis direction.
  • the transfer arm 260 holds the target substrate 10 from above with the first main surface 11 of the target substrate 10 facing downward.
  • the transfer arm 260 has a circular suction surface having a diameter larger than the diameter of the substrate 10 to be processed, and sucks the substrate 10 to be processed on the suction surface.
  • the transfer arm 260 is a vacuum chuck that vacuum-sucks the substrate 10 to be processed, but may be an electrostatic chuck that electrostatically chucks the substrate 10 to be processed.
  • the transfer arm 260 holds the substrate 10 to be processed, which is bonded to the support substrate 20 in advance, that is, the superposed substrate 30.
  • the transfer arm 260 transfers the substrate 10 to be processed from the pre-alignment apparatus 240 to the laser processing apparatus 230.
  • the transfer arm 260 is used when the processing target substrate 10 is thinned after laser processing of the processing target substrate 10 (see FIG. 10).
  • the transfer device 280 of the processing station 200 loads the superposed substrate 30 into the pre-alignment device 240, and then the transfer arm 260 unloads the superposed substrate 30 from the pre-alignment device 240.
  • the transfer device 280 of the processing station 200 may be used for carrying out the superposed substrate 30 from the pre-alignment device 240
  • the transfer arm 260 is used in this embodiment. According to this embodiment, since the route through which the superposed substrate 30 is carried into the pre-alignment apparatus 240 is different from the route through which the superposed substrate 30 is carried out from the pre-alignment device 240, the flow of the superposed substrate 30 is congested. Can be suppressed.
  • the transfer device 122 of the loading / unloading station 100 loads the substrate 10 to be processed into the pre-alignment device 240, and then the transfer arm 260 unloads the substrate 10 to be processed from the pre-alignment device 240. Therefore, since the path through which the substrate to be processed 10 is carried into the pre-alignment apparatus 240 is different from the path through which the substrate to be processed 10 is carried out from the pre-alignment apparatus 240, it is possible to suppress the congestion of the flow of the substrate to be processed 10. .
  • the transfer arm 260 may be used when the substrate to be processed 10 is returned to the loading / unloading station 100 without being thinned after the laser processing of the substrate 10 to be processed. In this case as well, it is possible to suppress the flow of the substrate 10 to be jammed. This is because the transfer device 122 of the loading / unloading station 100 loads the substrate 10 to be processed into the pre-alignment device 240, and then the transfer arm 260 unloads the substrate 10 to be processed from the pre-alignment device 240.
  • the transfer arm 260 is movable vertically above the moving mechanism 234 that moves the laser processing stage 231. Since the transfer arm 260 and the moving mechanism 234 of the laser processing stage 231 are stacked in the vertical direction, the transfer arm 260 and the moving mechanism 234 of the laser processing stage 231 are arranged side by side in the horizontal direction. The installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.
  • the transfer arm 260 moves inside the outer peripheral edge of the base frame 237 so as not to protrude from the base frame 237 of the laser processing device 230 when viewed in the vertical direction.
  • the processing station 200 includes a thinning device 270 that thins the substrate 10 to be processed.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a thinning device according to an embodiment.
  • the thinning device 270 thins the substrate to be processed 10 by grinding the second main surface 12 of the substrate 10 to be processed.
  • the thinning device 270 has a rotating chuck 272 that holds the substrate 10 to be processed from below with the second main surface 12 of the substrate 10 to be processed facing upward.
  • the rotary chuck 272 has a circular suction surface having a diameter larger than the diameter of the substrate 10 to be processed, and sucks the substrate 10 to be processed on the suction surface.
  • the rotary chuck 272 is, for example, a vacuum chuck that vacuum-sucks the substrate 10 to be processed, but may be an electrostatic chuck that electrostatically chucks the substrate 10 to be processed.
  • the thinning device 270 has a rotating grindstone 274 disposed vertically above the rotating chuck 272.
  • the rotating grindstone 274 descends while rotating and grinds the upper surface (second main surface 12) of the substrate to be processed 10 that rotates together with the rotating chuck 272.
  • the processed substrate 10 is thinned after laser processing of the processed substrate 10, cracks extend in the thickness direction starting from the modified layer 15 shown in FIG. 7, and the processed substrate 10 has a plurality of chips. 19 (see FIG. 8). Further, the modified layer 15 shown in FIG. 7 is removed by grinding.
  • the thinning device 270 and the carry-in / out station 100 are arranged on the opposite side with the laser processing device 230 sandwiched in the horizontal direction (see FIGS. 1 and 2).
  • the thinning device 270 is disposed on the X axis direction positive side of the laser processing apparatus 230, and the loading / unloading station 100 is disposed on the X axis direction negative side of the laser processing apparatus 230.
  • a laser processing device 230 in which no grinding waste is generated is disposed. Therefore, the loading / unloading station 100 can be kept clean, and the processed substrate 10 after processing can be kept clean.
  • the processing station 200 moves while holding the substrate to be processed 10 between the loading / unloading station 100 and the thinning device 270, and transfers the processing substrate 10 to the loading / unloading station 100 and the thinning device 270.
  • the substrate 10 to be processed may be delivered from the loading / unloading station 100 to the transfer device 280, or the substrate to be processed 10 may be transferred from the transfer device 280 to the loading / unloading station 100.
  • the substrate 10 to be processed may be transferred from the thin plate apparatus 270 to the transfer apparatus 280, or the substrate 10 to be processed may be transferred from the transfer apparatus 280 to the thin plate apparatus 270.
  • the transfer device 280 may transfer the substrate 10 to be processed after the laser processing is performed, or may transfer the substrate 10 to be processed before the laser processing is performed. While the transfer device 280 transfers the substrate 10 to be processed outside the laser processing device 230, the laser processing device 230 can perform laser processing of another substrate 10 to be processed, and throughput can be improved. The transfer device 280 can also transfer the support substrate 20. Further, the transport device 280 can transport the superposed substrate 30.
  • the transfer device 280 includes a transfer arm 283 that moves along a guide rail 282 installed in a transfer region 281 that is adjacent to the laser processing device 230 in the horizontal direction.
  • the transfer region 281 is adjacent to the laser processing device 230, the thinning device 270, and the transfer region 120 of the loading / unloading station 100.
  • the laser processing device 230 is disposed on the Y axis direction positive side of the transport region 281.
  • the thinning device 270 is disposed on the X axis direction positive side of the transport region 281.
  • the transfer area 120 of the carry-in / out station 100 is arranged on the X axis direction negative side of the transfer area 281.
  • the guide rail 282 extends in the X-axis direction.
  • the transfer arm 283 can be moved not only in the X axis direction but also in the Y axis direction, the Z axis direction, and the ⁇ direction.
  • the transfer arm 283 is formed, for example, in a fork shape that is divided into two forks, similar to the first holder 123.
  • the transfer arm 283 can deliver the substrate to be processed 10 to the laser processing apparatus 230 as well as the carry-in / out station 100 and the thinning apparatus 270.
  • the transfer arm 283 can also deliver the support substrate 20 to the laser processing apparatus 230. Further, the transfer arm 283 can also deliver the superposed substrate 30 to the laser processing apparatus 230.
  • the coating apparatus 210 and the joining apparatus 220 are adjacent to the conveyance area
  • the coating device 210 and the joining device 220 are disposed, for example, on the Y axis direction negative side of the transport region 281.
  • the transfer device 280 delivers the support substrate 20 (or the substrate to be processed 10) to the coating device 210. Further, the transfer device 280 delivers the substrate 10 to be processed and the support substrate 20 to the bonding device 220.
  • the work amount of the transfer device 280 can be increased, and the operating rate of the transfer device 280 can be improved.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 400 that controls the operation of the loading / unloading station 100 and the operation of the processing station 200.
  • the control device 400 is configured by a computer, for example, and includes a CPU (Central Processing Unit) 401, a storage medium 402 such as a memory, an input interface 403, and an output interface 404.
  • the control device 400 performs various controls by causing the CPU 401 to execute a program stored in the storage medium 402.
  • the control device 400 receives a signal from the outside through the input interface 403 and transmits a signal to the outside through the output interface 404.
  • the program of the control device 400 is stored in the information storage medium and installed from the information storage medium.
  • Examples of the information storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), and a memory card.
  • the program may be downloaded from a server via the Internet and installed.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of a process performed after the process S109 of FIG. 9 when the process target substrate is thinned after the laser processing of the process target substrate. 9 and 10 are performed under the control of the control device 400.
  • the order of the plurality of steps shown in FIGS. 9 and 10 is not particularly limited. Moreover, some processes shown in FIGS. 9 and 10 may not be performed.
  • the substrate processing method includes a step S 101 in which the first holder 123 takes out the substrate 10 to be processed from the cassette 101 placed on the cassette stand 110 and conveys the extracted substrate 10 to the processing station 200.
  • the substrate processing method includes step S ⁇ b> 102 in which the transfer arm 283 receives the target substrate 10 from the first holder 123 and transfers the received target substrate 10 to the bonding apparatus 220.
  • the following steps S103 to S106 are performed.
  • the following steps S103 to S106 may be performed before the start of the following step S107, and may not be performed in parallel with the above steps S101 and S102.
  • the substrate processing method includes a step S103 in which the first holder 123 takes out the support substrate 20 from the cassette 102 placed on the cassette stand 110 and transports the taken out support substrate 20 to the processing station 200.
  • the substrate processing method includes step S ⁇ b> 104 in which the transport arm 283 receives the support substrate 20 from the first holder 123 and transports the received support substrate 20 to the coating apparatus 210.
  • the substrate processing method includes a step S105 in which the coating apparatus 210 applies the adhesive 22 to the bonding surface 21 to be bonded to the target substrate 10 of the support substrate 20.
  • the substrate processing method includes step S ⁇ b> 106 in which the transfer arm 283 receives the support substrate 20 from the coating apparatus 210 and transfers the received support substrate 20 to the bonding apparatus 220.
  • the transfer arm 283 may transfer the substrate to be processed 10 to the coating apparatus 210.
  • the transfer arm 283 transfers the support substrate 20 to the bonding apparatus 220 in step S104.
  • the substrate processing method includes a step in which the coating apparatus 210 applies the adhesive 22 to the bonding surface to be bonded to the support substrate 20 of the substrate to be processed 10 instead of the step S105.
  • the substrate processing method includes a step in which the transfer arm 283 receives the substrate to be processed 10 from the coating apparatus 210 and transfers the received substrate to be processed 10 to the bonding apparatus 220 instead of the step S106.
  • the substrate processing method includes a step S107 in which the bonding apparatus 220 forms the superposed substrate 30 by bonding the support substrate 20 and the substrate to be processed 10 via the adhesive 22.
  • the substrate to be processed 10 is bonded to the support substrate 20 and is reinforced by the support substrate 20. Therefore, damage to the substrate 10 to be processed can be prevented.
  • the substrate processing method includes step S108 in which the transport arm 283 receives the superposed substrate 30 from the bonding apparatus 220 and transports the received superposed substrate 30 to the pre-alignment apparatus 240.
  • the pre-alignment apparatus 240 receives the superposed substrate 30 from the transfer arm 283 and holds the received superposed substrate 30 on the pre-alignment stage 241.
  • the substrate processing method includes step S109 in which the pre-alignment stage 241 holds the superposed substrate 30 and the detector 242 detects the center position and crystal orientation of the substrate 10 to be processed held by the pre-alignment stage 241.
  • the substrate processing method includes a step S110 in which the transfer arm 260 receives the superposed substrate 30 from the pre-alignment apparatus 240 and transports the received superposed substrate 30 to the laser processing apparatus 230.
  • the substrate processing method includes step S111 in which the laser processing apparatus 230 receives the superposed substrate 30 from the transfer arm 260 and holds the received superposed substrate 30 on the laser processing stage 231.
  • the pre-alignment apparatus 240 allows the superposed substrate 30 so that the crystal orientation of the substrate 10 to be processed with respect to the laser processing stage 231 in the step S111 is a preset orientation. Rotate.
  • the transfer arm 260 receives the superposed substrate 30 from the pre-alignment stage 241 so that the center position of the laser processing stage 231 and the center position of the substrate to be processed 10 coincide with each other in step S ⁇ b> 111.
  • the substrate processing method includes a step S112 in which the laser processing apparatus 230 performs laser processing on the substrate 10 to be processed.
  • the laser processing stage 231 holds the superposed substrate 30, and the laser processing head 232 collects the laser beam LB for processing the target substrate 10 on the target substrate 10 held by the laser processing stage 231. Irradiate with light.
  • the substrate processing method includes a step S113 in which the transfer arm 283 receives the superposed substrate 30 from the laser processing device 230 and transports the received superposed substrate 30 to the thinning device 270.
  • the substrate processing method includes step S114 in which the thinning device 270 receives the superposed substrate 30 and holds the superposed substrate 30 on the rotary chuck 272.
  • the substrate processing method includes a step S115 in which the thin plate apparatus 270 thins the substrate 10 to be processed.
  • the rotating chuck 272 holds the superposed substrate 30, and the rotating grindstone 274 descends while rotating to contact the substrate 10 to be processed, and the substrate 10 that rotates together with the rotating chuck 272 is ground.
  • the substrate processing method includes a step S116 in which the transport arm 283 receives the superposed substrate 30 from the thinning device 270 and transports the superposed substrate 30 to the carry-in / out station 100.
  • the substrate processing method includes a step S117 in which the first holder 123 receives the overlapped substrate 30 from the transfer arm 283 and stores the received overlapped substrate 30 in the cassette 103 or the cassette 104 placed on the cassette stand 110. After step S117, the current process ends.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of a process performed subsequent to step S109 in FIG. 9 when laser processing of the substrate to be processed is performed after thinning the substrate to be processed.
  • a plurality of steps shown in FIG. 11 are performed under the control of the control device 400. Note that the order of the plurality of steps shown in FIG. 11 is not particularly limited. Moreover, some processes shown in FIG. 11 may not be performed.
  • the substrate processing method includes a step S201 in which the transport arm 283 receives the superposed substrate 30 from the pre-alignment apparatus 240 and transports the superposed substrate 30 to the thinning device 270.
  • the substrate processing method includes step S202 in which the thinning device 270 receives the superposed substrate 30 and holds the superposed substrate 30 on the rotary chuck 272.
  • the pre-alignment apparatus 240 moves the superposed substrate 30 so that the crystal orientation of the substrate 10 to be processed with respect to the rotary chuck 272 in the step S202 becomes a preset orientation. Rotate.
  • the transfer arm 283 receives the superposed substrate 30 from the pre-alignment stage 241 so that the center position of the rotary chuck 272 matches the center position of the substrate 10 to be processed in step S ⁇ b> 202.
  • the substrate processing method includes a step S203 in which the thinning device 270 thins the substrate 10 to be processed.
  • the rotating chuck 272 holds the superposed substrate 30, and the rotating grindstone 274 descends while rotating to contact the substrate 10 to be processed, and the substrate 10 that rotates together with the rotating chuck 272 is ground.
  • the substrate processing method includes a step S204 in which the transfer arm 283 receives the overlapped substrate 30 from the thinning device 270 and transfers the received overlapped substrate 30 to the laser processing apparatus 230.
  • the substrate processing method includes step S205 in which the laser processing apparatus 230 receives the superposed substrate 30 from the transfer arm 283 and holds the superposed substrate 30 on the laser processing stage 231.
  • the substrate processing method includes step S206 in which the laser processing apparatus 230 performs laser processing on the substrate 10 to be processed.
  • the laser processing stage 231 holds the superposed substrate 30, and the laser processing head 232 collects the laser beam LB for processing the target substrate 10 on the target substrate 10 held by the laser processing stage 231. Irradiate with light.
  • the substrate processing method includes step S207 in which the transfer arm 283 receives the overlapped substrate 30 from the laser processing apparatus 230 and transfers the received overlapped substrate 30 to the carry-in / out station 100.
  • the substrate processing method includes step S208 in which the first holder 123 receives the overlapped substrate 30 from the transfer arm 283 and stores the received overlapped substrate 30 in the cassette 103 or the cassette 104 placed on the cassette stand 110. After step S208, the current process ends.
  • the transfer device 122 of the carry-in / out station 100 receives the superposed substrate 30 from the laser processing device 230, and the cassette 103 or 104 on which the superposed substrate 30 is placed on the cassette table 110.
  • the process of storing in may be performed.
  • the substrate processing system 1 of the above embodiment includes the coating apparatus 210 and the bonding apparatus 220, but may not include the coating apparatus 210 and the bonding apparatus 220.
  • the superposed substrate 30 is read as the substrate 10 to be processed.
  • the transfer device 122 of the loading / unloading station 100 takes out the substrate 10 to be processed from the cassette 101 placed on the cassette stand 110 and takes out the substrate to be processed.
  • a step of transporting the substrate 10 to the pre-alignment apparatus 240 is performed.
  • the substrate processing system 1 of the above embodiment is configured so as to be able to cope with either the laser processing of the substrate 10 to be processed or the thinning of the substrate 10 to be processed first. It may be configured to be able to cope only with the case where it is performed. For example, the substrate processing system 1 does not need to include the transfer arm 260 when it corresponds only to the case where the processing target substrate 10 is thinned first.
  • the substrate processing system 1 of the above embodiment performs both laser processing of the substrate 10 to be processed and thinning of the substrate 10 to be processed. Of these, only laser processing of the substrate 10 to be processed may be performed. It is not necessary to have the conversion device 270. In this case, the substrate 10 to be processed passes through the transfer area 120 and is stored in the cassette placed on the cassette table 110 after step S112 in FIG. Thereafter, the current process ends.
  • Substrate processing system 10 Substrate 20 Support substrate 30 Superposition substrate 100 Loading / unloading station 200 Processing station 210 Coating device 220 Joining device 230 Laser processing device 231 Laser processing stage 232 Laser processing head 240 Pre-alignment device 241 Pre-alignment stage 242 Detector 260 Transfer arm 270 Thinning device 280 Transfer device 281 Transfer area 282 Guide rail 283 Transfer arm

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

被処理基板を保持するプリアライメントステージと、前記プリアライメントステージに保持されている前記被処理基板の中心位置および結晶方位を検出する検出器とを有するプリアライメント装置と、前記被処理基板を保持するレーザー加工ステージと、前記被処理基板を加工するレーザー光線を、前記レーザー加工ステージに保持されている前記被処理基板に集光照射するレーザー加工ヘッドとを有するレーザー加工装置とを備え、前記プリアライメント装置は、前記レーザー加工装置の上部に配置される、基板処理システム。

Description

基板処理システム、および基板処理方法
　本開示は、基板処理システム、および基板処理方法に関する。
　特許文献１の切削装置は、半導体ウエーハを収容したカセットを載置するカセット載置機構と、カセットから搬出された半導体ウエーハの中心位置および結晶方位の位置を合わせる位置合わせ機構と、位置合わせ機構から搬出された半導体ウエーハを切削する切削機構とを有する。
日本国特開２００３－１６３１８４号公報
　本開示の一態様は、基板をレーザー加工する基板処理システムの設置面積を低減できる、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板処理装置は、
　被処理基板を保持するプリアライメントステージと、前記プリアライメントステージに保持されている前記被処理基板の中心位置および結晶方位を検出する検出器とを有するプリアライメント装置と、
　前記被処理基板を保持するレーザー加工ステージと、前記被処理基板を加工するレーザー光線を、前記レーザー加工ステージに保持されている前記被処理基板に集光照射するレーザー加工ヘッドとを有するレーザー加工装置とを備え、
　前記プリアライメント装置は、前記レーザー加工装置の上部に配置される。
　本開示の一態様によれば、基板をレーザー加工する基板処理システムの設置面積を低減できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す図であり、図１のII－II線に沿った断面図である。 図３は、一実施形態に係る被処理基板を示す斜視図である。 図４は、一実施形態に係る塗布装置を示す図である。 図５は、一実施形態に係る接合装置の圧力容器の内部に圧縮空気を供給する前後の状態を示す図である。 図６は、図５に実線で示す接合装置の密閉空間を減圧した状態の一例を示す図である。 図７は、一実施形態に係るレーザー加工装置を示す図である。 図８は、一実施形態に係る薄板化装置を示す図である。 図９は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図１０は、被処理基板のレーザー加工の後に被処理基板の薄板化が行われる場合に、図９の工程Ｓ１０９の後に続いて行われる工程の一例を示すフローチャートである。 図１１は、被処理基板の薄板化の後に被処理基板のレーザー加工が行われる場合に、図９の工程Ｓ１０９の後に続いて行われる工程の一例を示すフローチャートである。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。尚、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。
　図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。図２は、一実施形態に係る基板処理システムを示す図であり、図１のII－II線に沿った断面図である。図１および図２において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向とも呼ぶ。本明細書において、下方とは鉛直下方を意味し、上方とは鉛直上方を意味する。
　基板処理システム１は、被処理基板１０のレーザー加工を行う。また、基板処理システム１は、被処理基板１０の薄板化を行う。被処理基板１０のレーザー加工と、被処理基板１０の薄板化とは、どちらが先に行われてもよい。どちらが先に行われても、基板処理システム１は対応できるように構成される。尚、基板処理システム１は、被処理基板１０のレーザー加工と被処理基板１０の薄板化とのうち、被処理基板１０のレーザー加工のみを行うものであってもよい。
　基板処理システム１は、被処理基板１０のレーザー加工および被処理基板１０の薄板化の前に、被処理基板１０を補強すべく、被処理基板１０と支持基板２０とを接合することで重合基板３０（図６参照）を作製する。被処理基板１０の支持基板２０と接合される接合面は、第１主表面１１である。そのため、第１主表面１１には、保護テープが貼合されない。尚、被処理基板１０は支持基板２０と接合されなくてもよく、その場合、被処理基板１０の第１主表面１１には保護テープが貼合される。
　基板処理システム１は、被処理基板１０を収容するカセット１０１が搬入出される搬入出ステーション１００を有する。搬入出ステーション１００には、被処理基板１０を収容するカセット１０１の他に、支持基板２０を収容するカセット１０２、重合基板３０を収容するカセット１０３、１０４が搬入出される。
　搬入出ステーション１００は、被処理基板１０を収容するカセット１０１が載置されるカセット台１１０を有する。カセット台１１０は、複数（例えば４つ）の載置板１１２を含む。複数の載置板１１２は、Ｙ軸方向に間隔をおいて並ぶ。複数の載置板１１２には、複数のカセット１０１、１０２、１０３、１０４が載置される。重合基板３０は、良品と不良品とに識別され、良品用のカセット１０３と不良品用のカセット１０４とに分けて収容される。
　図３は、一実施形態に係る被処理基板を示す斜視図である。被処理基板１０は、例えばシリコンウェハなどの半導体基板である。被処理基板１０は、互いに対向する第１主表面１１と第２主表面１２とを有する。
　被処理基板１０の第１主表面１１は、格子状に形成された複数のストリートで区画される。区画された各領域には、予め素子、回路、端子などのデバイスが形成される。複数のストリートのそれぞれに分割予定線１３が設定される。被処理基板１０は分割予定線１３で分割され、複数のチップ１９（図８参照）が得られる。
　被処理基板１０は、デバイスが形成された第１主表面１１を上に向けた状態で、カセット１０１に収容される。また、被処理基板１０は、カセット１０１から取り出された後、上下反転されたうえで、処理ステーション２００に引き渡される。
　搬入出ステーション１００（図１および図２参照）は、被処理基板１０が搬送される搬送領域１２０を有する。搬送領域１２０は、カセット台１１０のＸ軸方向正側に配置される。搬送領域１２０にはＹ軸方向に延在するガイドレール１２１が設置され、ガイドレール１２１に沿って搬送装置１２２が移動する。
　搬送装置１２２は、被処理基板１０を保持する保持部として、第１保持具１２３を有する。本実施形態では被処理基板１０が支持基板２０と接合されるため、搬送装置１２２は被処理基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、その吸着面に被処理基板１０を吸着する第２保持具を有しない。尚、被処理基板１０が支持基板２０と接合されなくてもよく、その場合、搬送装置１２２は第２保持具を有してもよい。
　第１保持具１２３は、Ｙ軸方向のみならず、Ｘ軸方向、Ｚ軸方向およびθ方向にも移動可能とされる。第１保持具１２３は、カセット台１１０に載置されたカセット１０１から被処理基板１０を取り出す。また、第１保持具１２３は、カセット台１１０に載置されたカセット１０２から支持基板２０を取り出す。さらに、第１保持具１２３は、カセット台１１０に載置された良品用のカセット１０３または不良品用のカセット１０４に重合基板３０を収納する。
　第１保持具１２３は、複数のカセット１０１、１０２、１０３、１０４のそれぞれの内部に挿入されやすいように、二股に分かれたフォーク形状に形成される。第１保持具１２３は、被処理基板１０を上下反転させるべく、上下反転可能とされる。
　基板処理システム１は、カセット１０１から取り出された被処理基板１０の処理を行う処理ステーション２００を備える。処理ステーション２００は、支持基板２０の被処理基板１０と接合される接合面２１に接着剤２２を塗布する塗布装置２１０と、接着剤２２を介して支持基板２０と被処理基板１０とを接合する接合装置２２０とを有する。尚、塗布装置２１０および接合装置２２０は任意の装置であって、処理ステーション２００は塗布装置２１０および接合装置２２０を有しなくてもよい。
　図４は、一実施形態に係る塗布装置を示す図である。塗布装置２１０は、例えば、支持基板２０の接合面２１を上に向けて支持基板２０を水平に保持するスピンチャック２１１と、スピンチャック２１１に保持されている支持基板２０の接合面２１に接着剤２２を塗布する塗布ノズル２１２とを有する。
　塗布装置２１０は、スピンチャック２１１を回転させることにより、支持基板２０の接合面２１に接着剤２２を塗り広げる。その後、塗布装置２１０は、接着剤２２を乾燥させる。支持基板２０としては、ガラス基板が用いられる。ガラス基板の代わりに、半導体基板が用いられてもよい。接着剤２２としては、例えば熱可塑性樹脂が用いられる。
　図５は、一実施形態に係る接合装置の圧力容器の内部に圧縮空気を供給する前後の状態を示す図である。図５において、二点鎖線は圧力容器２２４の内部に圧縮空気を供給する前の状態を示し、実線は圧力容器２２４の内部に圧縮空気を供給した後の状態を示す。図６は、図５に実線で示す接合装置の密閉空間を減圧した状態の一例を示す図である。
　接合装置２２０は、例えば、被処理基板１０を水平に保持する上チャック２２１と、支持基板２０を水平に保持する下チャック２２２とを有する。下チャック２２２は、支持基板２０を加熱することで、接着剤２２を加熱するヒータ２２３を内部に有する。接合装置２２０は、上チャック２２１の被処理基板１０を吸着する吸着面を下に凸に変形させる圧縮空気が内部に供給される圧力容器２２４を有する。圧力容器２２４は、鉛直方向に伸縮自在とされ、例えば金属製のべローズにより構成される。
　先ず、接合装置２２０は、図５に示すように、上チャック２２１を下降し、上チャック２２１を下チャック２２２に当接させ、上チャック２２１と下チャック２２２との間に密閉空間２２５を形成する。続いて、接合装置２２０は、圧力容器２２４の内部に圧縮空気を供給することにより上チャック２２１の被処理基板１０を吸着する吸着面を下に凸変形させる。これにより、被処理基板１０の中心部と、支持基板２０の中心部とが接着剤２２を介して接合される。
　次に、接合装置２２０は、空気の噛み込みを防止すべく、密閉空間２２５を減圧する。密閉空間２２５と上チャック２２１の吸引孔との差圧が小さくなるため、上チャック２２１が被処理基板１０を真空吸着できなくなり、被処理基板１０が図５に実線で示す下に凸の状態から図６に示す平坦な状態に戻る。このとき、被処理基板１０と支持基板２０とが、被処理基板１０の中心部から外周部に向けて徐々に接合される。
　尚、塗布装置２１０は、被処理基板１０の支持基板２０と接合される接合面に接着剤２２を塗布してもよい。被処理基板１０の支持基板２０と接合される接合面は、予めデバイスが形成された第１主表面１１である。
　処理ステーション２００は、被処理基板１０のレーザー加工を行うレーザー加工装置２３０を有する。図７は、一実施形態に係るレーザー加工装置の要部を示す図である。レーザー加工装置２３０は、例えば、被処理基板１０を複数のチップ１９（図８参照）に分割するためのレーザー加工（所謂、レーザーダイシング）を行う。
　レーザー加工装置２３０は、被処理基板１０を保持するレーザー加工ステージ２３１と、被処理基板１０を加工するレーザー光線ＬＢを、レーザー加工ステージ２３１に保持されている被処理基板１０に集光照射するレーザー加工ヘッド２３２とを有する。
　レーザー加工ステージ２３１は、被処理基板１０の第２主表面１２を上に向けて、被処理基板１０を下方から保持する。レーザー加工ステージ２３１は、被処理基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、その吸着面に被処理基板１０を吸着する。レーザー加工ステージ２３１は、被処理基板１０を真空吸着する真空チャックであるが、被処理基板１０を静電吸着する静電チャックであってもよい。レーザー加工ステージ２３１は、予め支持基板２０と接合された被処理基板１０、つまり重合基板３０を保持する。
　レーザー加工ヘッド２３２は、レーザー加工ステージ２３１の鉛直上方に配置される集光レンズ２３３を有する。集光レンズ２３３は、レーザー光線ＬＢを被処理基板１０の内部に集光し、被処理基板１０の内部に分割の起点となる改質層１５を形成する。被処理基板１０の内部に改質層１５を形成する場合、被処理基板１０に対し透過性を有するレーザー光線が用いられる。改質層１５は、例えば被処理基板１０の内部を局所的に溶融、固化させることにより形成される。
　尚、レーザー光線ＬＢは、本実施形態では被処理基板１０の内部に破断の起点となる改質層１５を形成するが、被処理基板１０の上面にレーザー加工溝を形成してもよい。レーザー加工溝は、被処理基板１０を板厚方向に貫通してもよいし貫通しなくてもよい。被処理基板１０の上面にレーザー加工溝を形成する場合、被処理基板１０に対し吸収性を有するレーザー光線が用いられる。
　レーザー加工装置２３０は、被処理基板１０の上面におけるレーザー光線ＬＢの照射点の位置を移動すべく、レーザー加工ステージ２３１を移動させる移動機構２３４（図１および図２参照）を有する。移動機構２３４は、レーザー加工ステージ２３１をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ方向に移動させる。
　移動機構２３４は、例えばＸＹθステージで構成され、Ｙ軸ガイド２３５と、Ｙ軸ガイド２３５に沿って移動するＹ軸スライダと、Ｘ軸ガイド２３６と、Ｘ軸ガイドに沿って移動するＸ軸スライダと、Ｚ軸に平行な回転軸と、回転軸を中心に回転する回転盤とを有する。Ｙ軸ガイド２３５は、例えばベースフレーム２３７に固定される。Ｙ軸ガイドに沿って移動するＹ軸スライダには、Ｘ軸ガイド２３６が固定される。Ｘ軸ガイド２３６に沿って移動するＸ軸スライダには、回転盤が回転自在に取り付けられる。回転盤には、レーザー加工ステージ２３１が固定される。
　尚、移動機構２３４は、本実施形態ではＸＹθステージで構成されるが、ＸＹＺθステージで構成されてもよい。つまり、レーザー加工ステージ２３１は、Ｚ軸方向にも移動可能とされてよい。
　レーザー加工装置２３０は、ベースフレーム２３７と、ベースフレーム２３７に立設される複数本の支持柱２３８と、複数本の支持柱２３８によって支持される天井フレーム２３９とを有する。ベースフレーム２３７には移動機構２３４が設置され、天井フレーム２３９にはレーザー加工ヘッド２３２が取り付けられる。
　処理ステーション２００は、プリアライメント装置２４０を有する。プリアライメント装置２４０は、被処理基板１０を保持するプリアライメントステージ２４１と、プリアライメントステージ２４１に保持されている被処理基板１０の中心位置および結晶方位を検出する検出器２４２とを有する。検出器２４２は、被処理基板１０の結晶方位を表すノッチ１４（図３参照）の位置を検出することで、被処理基板１０の結晶方位を検出する。検出器２４２は、ノッチ１４の位置を検出する代わりに、オリエンテーションフラットの位置を検出してもよい。
　プリアライメントステージ２４１は、被処理基板１０の第２主表面１２を上に向けて、被処理基板１０を下方から保持する。プリアライメントステージ２４１は、被処理基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、吸着面に被処理基板１０を吸着する。プリアライメントステージ２４１は、被処理基板１０を真空吸着する真空チャックであるが、被処理基板１０を静電吸着する静電チャックであってもよい。プリアライメントステージ２４１は、予め支持基板２０と接合された被処理基板１０、つまり重合基板３０を保持する。
　検出器２４２は、例えば撮像素子を含み、プリアライメントステージ２４１に保持されている被処理基板１０の外周を撮像する。被処理基板１０の外周の複数点を撮像するため、プリアライメントステージ２４１は鉛直軸周りに回転する。検出器２４２は、撮像した画像の信号を制御装置４００に送信する。制御装置４００は、検出器２４２によって撮像した画像を画像処理することにより、プリアライメントステージ２４１に固定された座標系での、被処理基板１０の中心位置および結晶方位を求める。
　プリアライメント装置２４０は、レーザー加工装置２３０の天井フレーム２３９に固定される取付ベース２４３を有する。取付ベース２４３には、プリアライメントステージ２４１が回転自在に取り付けられる。また、取付ベース２４３には、検出器２４２を支持する支持柱が固定される。
　プリアライメント装置２４０は、レーザー加工装置２３０の上部に配置される。プリアライメント装置２４０とレーザー加工装置２３０とが鉛直方向に積層して配置されるため、プリアライメント装置２４０とレーザー加工装置２３０とが水平方向に並べて配置される場合に比べて、基板処理システム１の設置面積を低減できる。プリアライメント装置２４０は、鉛直方向視で、レーザー加工装置２３０のベースフレーム２３７からはみ出さないように、ベースフレーム２３７の外周縁の内側に配置される。
　処理ステーション２００は、プリアライメント装置２４０から被処理基板１０を受け取り、受け取った被処理基板１０をレーザー加工装置２３０に搬送する搬送アーム２６０を有する。搬送アーム２６０は、Ｘ軸ガイド２６１に沿ってＸ軸方向に移動可能とされ、且つ、Ｚ軸ガイド２６２に沿ってＺ軸方向に移動可能とされる。尚、搬送アーム２６０は、Ｙ軸方向には移動不能とされるが、Ｙ軸方向にも移動可能とされてもよい。
　搬送アーム２６０は、被処理基板１０の第１主表面１１を下に向けて、被処理基板１０を上方から保持する。搬送アーム２６０は、被処理基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、その吸着面に被処理基板１０を吸着する。搬送アーム２６０は、被処理基板１０を真空吸着する真空チャックであるが、被処理基板１０を静電吸着する静電チャックであってもよい。搬送アーム２６０は、予め支持基板２０と接合された被処理基板１０、つまり重合基板３０を保持する。
　搬送アーム２６０は、上述の如く、プリアライメント装置２４０からレーザー加工装置２３０に被処理基板１０を搬送する。搬送アーム２６０は、被処理基板１０のレーザー加工の後に被処理基板１０の薄板化が行われる場合（図１０参照）に用いられる。この場合、詳しくは後述するが、処理ステーション２００の搬送装置２８０が重合基板３０をプリアライメント装置２４０に搬入し、その後、搬送アーム２６０がプリアライメント装置２４０から重合基板３０を搬出する。
　プリアライメント装置２４０からの重合基板３０の搬出に、処理ステーション２００の搬送装置２８０が用いられてもよいが、本実施形態では搬送アーム２６０が用いられる。本実施形態によれば、重合基板３０がプリアライメント装置２４０に搬入される経路と、重合基板３０がプリアライメント装置２４０から搬出される経路とが異なるため、重合基板３０の流れが渋滞することを抑制できる。
　尚、被処理基板１０が予め支持基板２０と接合されない場合も、同様の効果が得られる。この場合、搬入出ステーション１００の搬送装置１２２が被処理基板１０をプリアライメント装置２４０に搬入し、その後、搬送アーム２６０がプリアライメント装置２４０から被処理基板１０を搬出する。従って、被処理基板１０がプリアライメント装置２４０に搬入される経路と、被処理基板１０がプリアライメント装置２４０から搬出される経路とが異なるため、被処理基板１０の流れが渋滞することを抑制できる。
　尚、搬送アーム２６０は、被処理基板１０のレーザー加工の後に被処理基板１０の薄板化が行われることなく被処理基板１０が搬入出ステーション１００に戻される場合に用いてもよい。この場合も、同様に、被処理基板１０の流れが渋滞することを抑制できる。搬入出ステーション１００の搬送装置１２２が被処理基板１０をプリアライメント装置２４０に搬入し、その後、搬送アーム２６０がプリアライメント装置２４０から被処理基板１０を搬出するためである。
　搬送アーム２６０は、レーザー加工ステージ２３１を移動させる移動機構２３４の鉛直上方において移動可能とされる。搬送アーム２６０とレーザー加工ステージ２３１の移動機構２３４とが鉛直方向に積層して配置されるため、搬送アーム２６０とレーザー加工ステージ２３１の移動機構２３４とが水平方向に並べて配置される場合に比べて、基板処理システム１の設置面積を低減できる。搬送アーム２６０は、鉛直方向視で、レーザー加工装置２３０のベースフレーム２３７からはみ出さないように、ベースフレーム２３７の外周縁の内側において移動する。
　処理ステーション２００は、被処理基板１０の薄板化を行う薄板化装置２７０を有する。図８は、一実施形態に係る薄板化装置を示す図である。薄板化装置２７０は、被処理基板１０の第２主表面１２を研削することにより、被処理基板１０を薄板化する。
　薄板化装置２７０は、被処理基板１０の第２主表面１２を上に向けて、被処理基板１０を下方から保持する回転チャック２７２を有する。回転チャック２７２は、被処理基板１０の直径よりも大きい直径の円形の吸着面を有し、その吸着面に被処理基板１０を吸着する。回転チャック２７２は、例えば被処理基板１０を真空吸着する真空チャックであるが、被処理基板１０を静電吸着する静電チャックであってもよい。
　薄板化装置２７０は、回転チャック２７２の鉛直上方に配置される回転砥石２７４を有する。回転砥石２７４は、回転しながら下降し、回転チャック２７２と共に回転する被処理基板１０の上面（第２主表面１２）を研削する。被処理基板１０のレーザー加工の後、被処理基板１０の薄板化が行われる場合、図７に示す改質層１５を起点として板厚方向にクラックが伸展し、被処理基板１０が複数のチップ１９（図８参照）に分割される。また、図７に示す改質層１５が研削によって除去される。
　薄板化装置２７０と搬入出ステーション１００とは、レーザー加工装置２３０を水平方向に挟み反対側に配置される（図１および図２参照）。レーザー加工装置２３０のＸ軸方向正側に薄板化装置２７０が配置され、レーザー加工装置２３０のＸ軸方向負側に搬入出ステーション１００が配置される。研削屑の発生する薄板化装置２７０と、搬入出ステーション１００との間には、研削屑の発生しないレーザー加工装置２３０が配置される。そのため、搬入出ステーション１００を清浄に保つことができ、処理後の被処理基板１０を清浄に保つことができる。
　処理ステーション２００は、搬入出ステーション１００と薄板化装置２７０との間で被処理基板１０を保持しながら移動し、搬入出ステーション１００および薄板化装置２７０に対し被処理基板１０を受け渡す搬送装置２８０を備える。搬入出ステーション１００から搬送装置２８０に被処理基板１０が受け渡されてもよいし、搬送装置２８０から搬入出ステーション１００に被処理基板１０が受け渡されてもよい。また、薄板化装置２７０から搬送装置２８０に被処理基板１０が受け渡されてもよいし、搬送装置２８０から薄板化装置２７０に被処理基板１０が受け渡されてもよい。
　搬送装置２８０は、レーザー加工が行われた後の被処理基板１０を搬送してもよいし、レーザー加工が行われる前の被処理基板１０を搬送してもよい。搬送装置２８０がレーザー加工装置２３０の外部で被処理基板１０を搬送する間に、レーザー加工装置２３０が別の被処理基板１０のレーザー加工を行うことができ、スループットを向上できる。搬送装置２８０は、支持基板２０を搬送することも可能である。また、搬送装置２８０は、重合基板３０を搬送することも可能である。
　搬送装置２８０は、レーザー加工装置２３０に水平方向に隣接する搬送領域２８１に設置されるガイドレール２８２に沿って移動する搬送アーム２８３を有する。搬送領域２８１には、レーザー加工装置２３０、薄板化装置２７０、および搬入出ステーション１００の搬送領域１２０が隣接する。レーザー加工装置２３０は、搬送領域２８１のＹ軸方向正側に配置される。薄板化装置２７０は、搬送領域２８１のＸ軸方向正側に配置される。搬入出ステーション１００の搬送領域１２０は、搬送領域２８１のＸ軸方向負側に配置される。
　ガイドレール２８２は、Ｘ軸方向に延伸する。搬送アーム２８３は、Ｘ軸方向のみならず、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向およびθ方向にも移動可能とされる。搬送アーム２８３は、コスト削減のため、例えば、第１保持具１２３と同様に、二股に分かれたフォーク形状に形成される。
　搬送アーム２８３は、搬入出ステーション１００および薄板化装置２７０のみならず、レーザー加工装置２３０に対し被処理基板１０を受け渡すことが可能である。搬送アーム２８３は、レーザー加工装置２３０に対し支持基板２０を受け渡すことも可能である。また、搬送アーム２８３は、レーザー加工装置２３０に対し重合基板３０を受け渡すことも可能である。
　塗布装置２１０および接合装置２２０は、それぞれ、搬送領域２８１に隣接する。塗布装置２１０および接合装置２２０は、例えば、搬送領域２８１のＹ軸方向負側に配置される。搬送装置２８０は、塗布装置２１０に対し支持基板２０（または被処理基板１０）を受け渡す。また、搬送装置２８０は、接合装置２２０に対し被処理基板１０および支持基板２０を受け渡す。搬送装置２８０の仕事量を増やし、搬送装置２８０の稼働率を改善できる。
　基板処理システム１は、搬入出ステーション１００の動作および処理ステーション２００の動作を制御する制御装置４００を備える。制御装置４００は、例えばコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）４０１と、メモリなどの記憶媒体４０２と、入力インターフェース４０３と、出力インターフェース４０４とを有する。制御装置４００は、記憶媒体４０２に記憶されたプログラムをＣＰＵ４０１に実行させることにより、各種の制御を行う。また、制御装置４００は、入力インターフェース４０３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース４０４で外部に信号を送信する。
　制御装置４００のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
　図９は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０は、被処理基板のレーザー加工の後に被処理基板の薄板化が行われる場合に、図９の工程Ｓ１０９の後に続いて行われる工程の一例を示すフローチャートである。図９および図１０に示す複数の工程は、制御装置４００による制御下で実施される。尚、図９および図１０に示す複数の工程の順序は特に限定されない。また、図９および図１０に示す一部の工程は、実施されなくてもよい。
　基板処理方法は、第１保持具１２３が、カセット台１１０に載置されたカセット１０１から被処理基板１０を取り出し、取り出した被処理基板１０を処理ステーション２００に搬送する工程Ｓ１０１を有する。基板処理方法は、搬送アーム２８３が、第１保持具１２３から被処理基板１０を受け取り、受け取った被処理基板１０を接合装置２２０に搬送する工程Ｓ１０２を有する。これらの工程Ｓ１０１、Ｓ１０２と並行して、下記工程Ｓ１０３～Ｓ１０６が行われる。尚、下記工程Ｓ１０３～Ｓ１０６は、下記工程Ｓ１０７の開始までに行われればよく、上記工程Ｓ１０１、Ｓ１０２と並行して行われなくてもよい。
　基板処理方法は、第１保持具１２３が、カセット台１１０に載置されたカセット１０２から支持基板２０を取り出し、取り出した支持基板２０を処理ステーション２００に搬送する工程Ｓ１０３を有する。基板処理方法は、搬送アーム２８３が、第１保持具１２３から支持基板２０を受け取り、受け取った支持基板２０を塗布装置２１０に搬送する工程Ｓ１０４を有する。基板処理方法は、塗布装置２１０が、支持基板２０の被処理基板１０と接合される接合面２１に接着剤２２を塗布する工程Ｓ１０５を有する。基板処理方法は、搬送アーム２８３が、塗布装置２１０から支持基板２０を受け取り、受け取った支持基板２０を接合装置２２０に搬送する工程Ｓ１０６を有する。
　尚、上記工程Ｓ１０２において搬送アーム２８３は被処理基板１０を塗布装置２１０に搬送してもよく、この場合、上記工程Ｓ１０４において搬送アーム２８３は支持基板２０を接合装置２２０に搬送する。この場合、基板処理方法は、上記工程Ｓ１０５の代わりに、塗布装置２１０が、被処理基板１０の支持基板２０と接合される接合面に接着剤２２を塗布する工程を有する。また、この場合、基板処理方法は、上記工程Ｓ１０６の代わりに、搬送アーム２８３が、塗布装置２１０から被処理基板１０を受け取り、受け取った被処理基板１０を接合装置２２０に搬送する工程を有する。
　基板処理方法は、接合装置２２０が、接着剤２２を介して支持基板２０と被処理基板１０とを接合することにより重合基板３０を作製する工程Ｓ１０７を有する。上記工程Ｓ１０７以降の下記工程Ｓ１０８～Ｓ１１７において、被処理基板１０は、支持基板２０と接合されており、支持基板２０によって補強されている。そのため、被処理基板１０の破損を防止できる。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、接合装置２２０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をプリアライメント装置２４０に搬送する工程Ｓ１０８を有する。プリアライメント装置２４０は、搬送アーム２８３から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をプリアライメントステージ２４１で保持する。
　基板処理方法は、プリアライメントステージ２４１が重合基板３０を保持すると共に、検出器２４２がプリアライメントステージ２４１で保持されている被処理基板１０の中心位置および結晶方位を検出する工程Ｓ１０９を有する。
　基板処理方法は、搬送アーム２６０が、プリアライメント装置２４０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をレーザー加工装置２３０に搬送する工程Ｓ１１０を有する。
　基板処理方法は、レーザー加工装置２３０が、搬送アーム２６０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をレーザー加工ステージ２３１で保持する工程Ｓ１１１を有する。
　上記工程Ｓ１１１においてレーザー加工ステージ２３１に対する被処理基板１０の結晶方位が予め設定された方位になるように、上記工程Ｓ１０９の後であって上記工程Ｓ１１０の前に、プリアライメント装置２４０が重合基板３０を回転させる。また、上記工程Ｓ１１１においてレーザー加工ステージ２３１の中心位置と被処理基板１０の中心位置とが合致するように、上記工程Ｓ１１０において搬送アーム２６０がプリアライメントステージ２４１から重合基板３０を受け取る。
　基板処理方法は、レーザー加工装置２３０が、被処理基板１０のレーザー加工を行う工程Ｓ１１２を有する。上記工程Ｓ１１２では、レーザー加工ステージ２３１が重合基板３０を保持すると共に、レーザー加工ヘッド２３２が、被処理基板１０を加工するレーザー光線ＬＢを、レーザー加工ステージ２３１に保持されている被処理基板１０に集光照射する。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、レーザー加工装置２３０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を薄板化装置２７０に搬送する工程Ｓ１１３を有する。
　基板処理方法は、薄板化装置２７０が重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を回転チャック２７２に保持する工程Ｓ１１４を有する。
　基板処理方法は、薄板化装置２７０が、被処理基板１０の薄板化を行う工程Ｓ１１５を有する。上記工程Ｓ１１５では、回転チャック２７２が重合基板３０を保持すると共に、回転砥石２７４が回転しながら下降して被処理基板１０に接触し、回転チャック２７２と共に回転する被処理基板１０を研削加工する。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、薄板化装置２７０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を搬入出ステーション１００に搬送する工程Ｓ１１６を有する。
　基板処理方法は、第１保持具１２３が、搬送アーム２８３から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をカセット台１１０に載置されたカセット１０３またはカセット１０４に収納する工程Ｓ１１７を有する。工程Ｓ１１７の後、今回の処理が終了する。
　図１１は、被処理基板の薄板化の後に被処理基板のレーザー加工が行われる場合に、図９の工程Ｓ１０９の後に続いて行われる工程の一例を示すフローチャートである。図１１に示す複数の工程は、制御装置４００による制御下で実施される。尚、図１１に示す複数の工程の順序は特に限定されない。また、図１１に示す一部の工程は、実施されなくてもよい。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、プリアライメント装置２４０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を薄板化装置２７０に搬送する工程Ｓ２０１を有する。
　基板処理方法は、薄板化装置２７０が重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を回転チャック２７２に保持する工程Ｓ２０２を有する。
　上記工程Ｓ２０２において回転チャック２７２に対する被処理基板１０の結晶方位が予め設定された方位になるように、上記工程Ｓ１０９の後であって上記工程Ｓ２０１の前に、プリアライメント装置２４０が重合基板３０を回転させる。また、上記工程Ｓ２０２において回転チャック２７２の中心位置と被処理基板１０の中心位置とが合致するように、上記工程Ｓ２０１において搬送アーム２８３がプリアライメントステージ２４１から重合基板３０を受け取る。
　基板処理方法は、薄板化装置２７０が、被処理基板１０の薄板化を行う工程Ｓ２０３を有する。上記工程Ｓ２０３では、回転チャック２７２が重合基板３０を保持すると共に、回転砥石２７４が回転しながら下降して被処理基板１０に接触し、回転チャック２７２と共に回転する被処理基板１０を研削加工する。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、薄板化装置２７０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をレーザー加工装置２３０に搬送する工程Ｓ２０４を有する。
　基板処理方法は、レーザー加工装置２３０が、搬送アーム２８３から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をレーザー加工ステージ２３１で保持する工程Ｓ２０５を有する。
　基板処理方法は、レーザー加工装置２３０が、被処理基板１０のレーザー加工を行う工程Ｓ２０６を有する。上記工程Ｓ２０６では、レーザー加工ステージ２３１が重合基板３０を保持すると共に、レーザー加工ヘッド２３２が、被処理基板１０を加工するレーザー光線ＬＢを、レーザー加工ステージ２３１に保持されている被処理基板１０に集光照射する。
　基板処理方法は、搬送アーム２８３が、レーザー加工装置２３０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０を搬入出ステーション１００に搬送する工程Ｓ２０７を有する。
　基板処理方法は、第１保持具１２３が、搬送アーム２８３から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をカセット台１１０に載置されたカセット１０３またはカセット１０４に収納する工程Ｓ２０８を有する。工程Ｓ２０８の後、今回の処理が終了する。
　尚、上記工程Ｓ２０７およびＳ２０８の代わりに、搬入出ステーション１００の搬送装置１２２が、レーザー加工装置２３０から重合基板３０を受け取り、受け取った重合基板３０をカセット台１１０に載置されたカセット１０３または１０４に収納する工程が行われてもよい。
　以上、本開示に係る基板処理システムおよび基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　上記実施形態の基板処理システム１は、塗布装置２１０および接合装置２２０を有するが、塗布装置２１０および接合装置２２０を有しなくてもよい。後者の場合、図９～図１１の説明では、重合基板３０を被処理基板１０と読み替える。また、後者の場合、図９に示す工程Ｓ１０１～Ｓ１０８の代わりに、搬入出ステーション１００の搬送装置１２２が、カセット台１１０に載置されたカセット１０１から被処理基板１０を取り出し、取り出した被処理基板１０をプリアライメント装置２４０に搬送する工程が行われる。
　上記実施形態の基板処理システム１は、被処理基板１０のレーザー加工と、被処理基板１０の薄板化とのどちらが先に行われる場合にも対応できるように構成されるが、いずれか一方が先に行われる場合のみに対応できるように構成されてもよい。例えば基板処理システム１は、被処理基板１０の薄板化が先に行われる場合にのみ対応する場合、搬送アーム２６０を有しなくてもよい。
　上記実施形態の基板処理システム１は、被処理基板１０のレーザー加工と被処理基板１０の薄板化との両方を行うが、これらのうち被処理基板１０のレーザー加工のみを行ってもよく、薄板化装置２７０を有しなくてもよい。この場合、図１０の工程Ｓ１１２の後に、被処理基板１０は、搬送領域１２０を通り、カセット台１１０に載置されたカセットに収納される。その後、今回の処理が終了する。
　本出願は、２０１８年４月２７日に日本国特許庁に出願した特願２０１８－０８６９１３号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１８－０８６９１３号の全内容を本出願に援用する。
１　　　基板処理システム
１０　　被処理基板
２０　　支持基板
３０　　重合基板
１００　搬入出ステーション
２００　処理ステーション
２１０　塗布装置
２２０　接合装置
２３０　レーザー加工装置
２３１　レーザー加工ステージ
２３２　レーザー加工ヘッド
２４０　プリアライメント装置
２４１　プリアライメントステージ
２４２　検出器
２６０　搬送アーム
２７０　薄板化装置
２８０　搬送装置
２８１　搬送領域
２８２　ガイドレール
２８３　搬送アーム

Claims (14)

  1. 　被処理基板を保持するプリアライメントステージと、前記プリアライメントステージに保持されている前記被処理基板の中心位置および結晶方位を検出する検出器とを有するプリアライメント装置と、
    　前記被処理基板を保持するレーザー加工ステージと、前記被処理基板を加工するレーザー光線を、前記レーザー加工ステージに保持されている前記被処理基板に集光照射するレーザー加工ヘッドとを有するレーザー加工装置とを備え、
    　前記プリアライメント装置は、前記レーザー加工装置の上部に配置される、基板処理システム。
  2. 　前記被処理基板を収納するカセットが搬入出される搬入出ステーションと、
    　前記被処理基板を薄板化する薄板化装置とを備え、
    　前記薄板化装置と前記搬入出ステーションとは、前記レーザー加工装置を水平方向に挟み反対側に配置される、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 　前記搬入出ステーションと前記薄板化装置との間で前記被処理基板を保持しながら移動し、前記搬入出ステーションおよび前記薄板化装置に対し前記被処理基板を受け渡す搬送装置を備える、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 　前記搬送装置は、前記レーザー加工装置に水平方向に隣接する搬送領域に設置されるガイドレールに沿って移動する搬送アームを有する、請求項３に記載の基板処理システム。
  5. 　支持基板の前記被処理基板と接合される接合面、または前記被処理基板の支持基板と接合される接合面に接着剤を塗布する塗布装置と、
    　前記接着剤を介して前記支持基板と前記被処理基板とを接合する接合装置とを備え、
    　前記塗布装置および前記接合装置は、それぞれ、前記搬送領域に隣接して配置される、請求項４に記載の基板処理システム。
  6. 　前記搬送アームによる前記プリアライメント装置から前記薄板化装置への前記被処理基板の搬送を制御する制御装置を備える、請求項４または５に記載の基板処理システム。
  7. 　鉛直方向視で前記レーザー加工装置の内側に配置され、前記プリアライメント装置から前記レーザー加工装置に前記被処理基板を搬送する搬送アームを有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  8. 　請求項１に記載の基板処理システムを使用して前記被処理基板を処理する、基板処理方法であって、
    　前記プリアライメントステージが前記被処理基板を保持すると共に、前記検出器が前記プリアライメントステージに保持されている前記被処理基板の中心位置および結晶方位を検出する工程と、
    　前記レーザー加工ステージが前記被処理基板を保持すると共に、前記レーザー加工ヘッドが、前記被処理基板を加工するレーザー光線を、前記レーザー加工ステージに保持されている前記被処理基板に集光照射する工程とを有する、基板処理方法。
  9. 　前記被処理基板を収納するカセットが搬入出される搬入出ステーションとは、前記レーザー加工装置を水平方向に挟んで反対側に配置される薄板化装置が、前記被処理基板の薄板化を行う工程を有する、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 　前記搬入出ステーションと前記薄板化装置との間で前記被処理基板を保持しながら移動する搬送装置が、前記搬入出ステーションおよび前記薄板化装置に対し前記被処理基板を受け渡す工程を有する、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 　前記搬送装置は、前記レーザー加工装置に水平方向に隣接する搬送領域に設置されるガイドレールに沿って移動する搬送アームを有し、
    　前記搬送アームが、前記搬入出ステーションおよび前記薄板化装置に対し前記被処理基板を受け渡す工程を有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 　前記搬送領域に水平方向に隣接する塗布装置が、支持基板の前記被処理基板と接合される接合面、または前記被処理基板の支持基板と接合される接合面に接着剤を塗布する工程と、
    　前記搬送領域に水平方向に隣接する接合装置が、前記接着剤を介して前記支持基板と前記被処理基板とを接合する工程とを有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 　前記搬送アームが、前記プリアライメント装置から前記薄板化装置に前記被処理基板を搬送する工程を有する、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
  14. 　鉛直方向視で前記レーザー加工装置の内側に配置される搬送アームが、前記プリアライメント装置から前記レーザー加工装置に前記被処理基板を搬送する工程を有する、請求項８～１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
PCT/JP2019/016370 2018-04-27 2019-04-16 基板処理システム、および基板処理方法 WO2019208338A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG11202010365TA SG11202010365TA (en) 2018-04-27 2019-04-16 Substrate processing system and substrate processing method
CN201980026998.3A CN112005359B (zh) 2018-04-27 2019-04-16 基板处理系统和基板处理方法
KR1020207032979A KR20210005078A (ko) 2018-04-27 2019-04-16 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US17/050,490 US20210242084A1 (en) 2018-04-27 2019-04-16 Substrate processing system and substrate processing method
JP2020516257A JP6929452B2 (ja) 2018-04-27 2019-04-16 基板処理システム、および基板処理方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-086913 2018-04-27
JP2018086913 2018-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019208338A1 true WO2019208338A1 (ja) 2019-10-31

Family

ID=68294005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/016370 WO2019208338A1 (ja) 2018-04-27 2019-04-16 基板処理システム、および基板処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210242084A1 (ja)
JP (1) JP6929452B2 (ja)
KR (1) KR20210005078A (ja)
CN (1) CN112005359B (ja)
SG (1) SG11202010365TA (ja)
WO (1) WO2019208338A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022201700A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
JP7496328B2 (ja) 2021-03-24 2024-06-06 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217268A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Yaskawa Electric Corp 基板搬送方法および基板搬送装置
JP2004119560A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Nikon Corp 基板処理装置
JP2012222231A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク搬送装置及びワーク加工装置
JP2013000748A (ja) * 2011-06-10 2013-01-07 Showa Denko Kk 半導体ウエーハのレーザ加工方法、半導体発光チップの製造方法およびレーザ加工装置
JP2013055277A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2014229702A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018098363A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003163184A (ja) 2001-11-28 2003-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
US6747245B2 (en) * 2002-11-06 2004-06-08 Ultratech Stepper, Inc. Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
JP2008186961A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp 位置合わせ装置、露光装置および位置合わせ方法
JP5066393B2 (ja) * 2007-06-06 2012-11-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物・欠陥検査・観察システム
JP5224343B2 (ja) * 2008-06-13 2013-07-03 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
JP5381118B2 (ja) * 2009-01-21 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
CN102280400B (zh) * 2011-09-05 2013-02-27 清华大学 一种激光束加工处理中的晶圆片对准方法
JP5983923B2 (ja) * 2012-08-01 2016-09-06 株式会社東京精密 レーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法
JP2015088620A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217268A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Yaskawa Electric Corp 基板搬送方法および基板搬送装置
JP2004119560A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Nikon Corp 基板処理装置
JP2012222231A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク搬送装置及びワーク加工装置
JP2013000748A (ja) * 2011-06-10 2013-01-07 Showa Denko Kk 半導体ウエーハのレーザ加工方法、半導体発光チップの製造方法およびレーザ加工装置
JP2013055277A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2014229702A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018098363A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022201700A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
JP7496328B2 (ja) 2021-03-24 2024-06-06 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112005359A (zh) 2020-11-27
JPWO2019208338A1 (ja) 2021-04-22
SG11202010365TA (en) 2020-11-27
US20210242084A1 (en) 2021-08-05
CN112005359B (zh) 2024-02-06
JP6929452B2 (ja) 2021-09-01
KR20210005078A (ko) 2021-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI821273B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
TWI814814B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
TWI559430B (zh) A stripping device, a peeling system, and a peeling method
JP7042944B2 (ja) 搬送装置、および基板処理システム
TW201447973A (zh) 剝離裝置、剝離系統及剝離方法
US20220359212A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI578426B (zh) Joint system
TW201545888A (zh) 剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置及剝離系統
JP7434463B2 (ja) 基板搬送システム、および基板搬送方法
JP5969663B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
WO2019208338A1 (ja) 基板処理システム、および基板処理方法
JP7330284B2 (ja) チップ付き基板の製造方法、及び基板処理装置
JP5899153B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2019208337A1 (ja) 基板処理システム、および基板処理方法
JP2002353170A (ja) 半導体ウェーハの分離システム、分離方法及びダイシング装置
KR20240050457A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20230411180A1 (en) Method of handling wafer
WO2023095600A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2023054010A1 (ja) 処理方法及び処理システム
KR20240073916A (ko) 처리 방법 및 처리 시스템
JP2021012950A (ja) 支持体剥離方法及び支持体剥離システム
JP2019068084A (ja) 基板接合方法および基板接合装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19792784

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020516257

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207032979

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19792784

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1