KR20240073916A - 처리 방법 및 처리 시스템 - Google Patents

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요헤이 야마시타
하야토 타노우에
고우스케 시라이시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서, 상기 제 1 기판의 제거 대상인 주연부와, 상기 제 1 기판의 중앙부의 경계를 따라 주연 개질층을 형성하는 것과, 상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 약하게 하는 미접합 영역을 형성하는 것과, 상기 주연 개질층 또는 상기 미접합 영역 중 어느 일방의 형성 위치의 결정의 기준이 되는 기준 개질층을, 상기 제 1 기판에 있어서의 상기 제 2 기판과의 비접합측 표면에 형성하는 것과, 상기 주연 개질층을 기점으로 상기 주연부를 제거하는 것을 포함한다.

Description

처리 방법 및 처리 시스템
본 개시는 처리 방법 및 처리 시스템에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제거 대상인 제 1 기판의 주연부와 중앙부의 경계를 따라 제 1 기판의 내부에 개질층을 형성하는 개질층 형성 장치와, 상기 개질층을 기점으로서 제 1 기판의 주연부를 제거하는 주연 제거 장치를 가지는 기판 처리 시스템이 개시되어 있다.
국제공개 제2019/176589호
본 개시에 따른 기술은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 1 기판에 있어서의 레이저광의 조사 목표 위치에 대한 레이저광의 조사부의 위치 맞춤을 적절하게 행한다.
본 개시의 일태양은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서, 상기 제 1 기판의 제거 대상인 주연부와, 상기 제 1 기판의 중앙부의 경계를 따라 주연 개질층을 형성하는 것과, 상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 약하게 하는 미접합 영역을 형성하는 것과, 상기 주연 개질층 또는 상기 미접합 영역 중 어느 일방의 형성 위치의 결정의 기준이 되는 기준 개질층을, 상기 제 1 기판에 있어서의 상기 제 2 기판과의 비접합측 표면에 형성하는 것과, 상기 주연 개질층을 기점으로 상기 주연부를 제거하는 것을 포함한다.
본 개시에 따르면, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 1 기판에 있어서의 레이저광의 조사 목표 위치에 대한 레이저광의 조사부의 위치 맞춤을 적절하게 행할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 시스템에서 처리되는 중합 웨이퍼의 구성예를 나타내는 측면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 계면 개질 장치 및 내부 개질 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4는 계면 개질 장치 및 내부 개질 장치의 구성을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 7은 제 1 웨이퍼에 형성된 미접합 영역, 기준 개질층, 주연 개질층 및 분할 개질층의 모습을 나타내는 횡단면도이다.
도 8은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 9는 웨트 에칭에 의한 디바이스층에 대한 영향을 나타내는 설명도이다.
도 10은 제 1 웨이퍼의 주연부의 다른 제거예를 나타내는 설명도이다.
도 11은 제 1 웨이퍼의 주연부의 다른 제거예를 나타내는 설명도이다.
도 12는 제 1 웨이퍼의 주연부의 다른 제거예를 나타내는 설명도이다.
도 13은 제 1 웨이퍼의 주연부의 다른 제거예를 나타내는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 제 1 기판(반도체 등의 실리콘 기판)과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 1 웨이퍼의 주연부를 제거하는 것, 이른바 엣지 트림이 행해지는 경우가 있다.
제 1 기판의 엣지 트림은, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시된 기판 처리 시스템을 이용하여 행해진다. 즉, 제 1 기판의 내부에 레이저광(제 1 레이저광)을 조사함으로써 개질층을 형성하고, 당해 개질층을 기점으로서 제 1 기판으로부터 주연부를 제거한다. 또한 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템에 의하면, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합되는 계면에 레이저광(제 2 레이저광)을 조사함으로써 개질면을 형성하고, 이에 의해 제거 대상인 주연부에 있어서의 제 1 기판과 제 2 기판의 접합력을 저하시켜 주연부의 제거를 적절하게 행하는 것을 도모하고 있다.
그런데, 상기한 제 1 레이저광과 제 2 레이저광에는, 일반적으로 각각 상이한 종류의 레이저광이 선택되기 때문에, 기판 처리 시스템에는, 제 1 레이저광과 제 2 레이저광을 각각 독립적으로 조사하기 위한 복수의 레이저 모듈이 배치되는 경우가 있다.
통상, 레이저광의 조사 대상인 기판에 대한 레이저광의 조사 위치는, 당해 기판의 단부(엣지부)를 카메라로 인식하여, 편심 제어(얼라이먼트)하는 것에 의해 조절되지만, 상술한 바와 같이 복수의 레이저 모듈이 사용되는 경우, 레이저 모듈 간에서 레이저광의 조사 위치에 어긋남이 생길 우려가 있다. 그리고, 이러한 경우, 박리의 기점이 되는 개질층의 형성 위치와, 접합력의 저하 영역의 형성 위치에 어긋남이 생기고, 그 결과, 제 1 기판의 주연부를 적절하게 제거할 수 없을 우려가 있다. 따라서, 종래의 엣지 트림 방법에는 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 1 기판에 있어서의 레이저광의 조사 목표 위치에 대한 레이저광의 조사부의 위치 맞춤을 적절하게 행한다. 이하, 본 실시 형태에 따른 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템 및 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따른 후술하는 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 기판으로서의 제 1 웨이퍼(W)와, 제 2 기판으로서의 제 2 웨이퍼(S)가 접합된 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)에 대하여 처리를 행한다. 이하, 제 1 웨이퍼(W)에 있어서, 제 2 웨이퍼(S)와 접합되는 측의 면을 표면(Wa)이라 하고, 표면(Wa)과 반대측의 면을 이면(Wb)이라 한다. 마찬가지로 제 2 웨이퍼(S)에 있어서, 제 1 웨이퍼(W)와 접합되는 측의 면을 표면(Sa)이라 하고, 표면(Sa)과 반대측의 면을 이면(Sb)이라 한다.
제 1 웨이퍼(W)는, 예를 들면 실리콘 기판 등의 반도체 웨이퍼로서, 표면(Wa)측에 복수의 디바이스를 포함하는 디바이스층(Dw)이 형성되어 있다. 또한, 디바이스층(Dw)에는 표면막으로서의 접합용 막(Fw)이 더 형성되고, 당해 접합용 막(Fw)을 개재하여 제 2 웨이퍼(S)와 접합되어 있다. 접합용 막(Fw)으로서는, 예를 들면 산화막(THOX막, SiO2막, TEOS막), SiC막, SiCN막 또는 접착제 등이 이용된다. 또한, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)는 면취 가공이 되어 있고, 주연부(We)의 단면은 그 선단을 향해 두께가 작아지고 있다. 또한, 주연부(We)는 후술하는 엣지 트림에 있어서 제거되는 부분이며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)의 외단부로부터 직경 방향으로 0.5 mm ~ 3 mm의 범위이다.
제 2 웨이퍼(S)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)와 동일한 구성을 가지고 있으며, 표면(Sa)에는 디바이스층(Ds) 및 표면막으로서의 접합용 막(Fs)이 형성되고, 주연부는 면취 가공이 되어 있다. 또한, 제 2 웨이퍼(S)는 디바이스층(Ds)이 형성된 디바이스 웨이퍼일 필요는 없으며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 웨이퍼여도 된다. 이러한 경우, 제 2 웨이퍼(S)는 제 1 웨이퍼(W)의 디바이스층(Dw)을 보호하는 보호재로서 기능한다.
도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 스테이션(2)에서는, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 중합 웨이퍼(T) 등을 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출된다. 처리 스테이션(3)은, 중합 웨이퍼(T)에 대하여 원하는 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비하고 있다.
반입반출 스테이션(2)에는, 복수, 예를 들면 3 개의 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)의 X축 부방향측에는, 당해 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 장치(20)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(20)는, Y축 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동하여, 카세트 배치대(10)의 카세트(C)와 후술하는 트랜지션 장치(30)와의 사이에서 중합 웨이퍼(T) 등을 반송 가능하게 구성되어 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 웨이퍼 반송 장치(20)의 X축 부방향측에 있어서, 당해 웨이퍼 반송 장치(20)에 인접하여, 중합 웨이퍼(T) 등을 처리 스테이션(3)과의 사이에서 전달하기 위한 트랜지션 장치(30)가 마련되어 있다.
처리 스테이션(3)에는, 예를 들면 3 개의 처리 블록(B1 ~ B3)이 마련되어 있다. 제 1 처리 블록(B1), 제 2 처리 블록(B2), 및 제 3 처리 블록(B3)은, X축 정방향측(반입반출 스테이션(2)측)으로부터 부방향측으로 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
제 1 처리 블록(B1)에는, 후술하는 가공 장치(80)에서 연삭된 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면을 에칭하는 에칭 장치(40)와, 에칭 장치(40)에 의한 에칭 처리 후의 제 1 웨이퍼(W)를 세정하는 클리닝 장치(41)와, 웨이퍼 반송 장치(50)가 마련되어 있다. 에칭 장치(40)와 클리닝 장치(41)는, 적층되어 배치되어 있다. 또한, 에칭 장치(40)와 클리닝 장치(41)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
클리닝 장치(41)는, 에칭 장치(40)에 의한 에칭 처리 후의 제 1 웨이퍼(W)에 클리닝용 레이저광(예를 들면 UV 펨토초 레이저)을 조사함으로써, 제 1 웨이퍼(W) 상에 남는 잔사물(퇴적물 등)의 제거를 행한다. 또한 클리닝 장치(41)는, 후술하는 바와 같이 주연부(We)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa)에 잔존하는 접합용 막(Fw, Fs)(이하, '잔막'이라 함)에 클리닝용 레이저광을 조사함으로써, 당해 잔막을 레이저 어블레이션에 의해 제거한다. 환언하면, 주연부(We)의 제거 후에 잔존하는 접합용 막(Fw, Fs)을 제거하여 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa)을 노출시킴으로써, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 완전하게 제거한다.
웨이퍼 반송 장치(50)는, 트랜지션 장치(30)의 X축 부방향측에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(50)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(51, 51)을 가지고 있다. 각 반송 암(51)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고 웨이퍼 반송 장치(50)는, 트랜지션 장치(30), 에칭 장치(40), 클리닝 장치(41), 후술하는 계면 개질 장치(60), 후술하는 내부 개질 장치(61) 및 후술하는 분리 장치(62)에 대하여, 즉, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 가공 장치(80) 이외의 장치에 대하여, 중합 웨이퍼(T) 등을 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 2 처리 블록(B2)에는, 후술하는 미접합 영역(Ae) 및 기준 개질층(M1)을 형성하는 계면 개질 장치(60)와, 제 1 웨이퍼(W)의 박리의 기점이 되는 주연 개질층(M2) 및 분할 개질층(M3)을 형성하는 내부 개질 장치(61)와, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제거하는 분리 장치(62)와, 웨이퍼 반송 장치(70)가 마련되어 있다. 계면 개질 장치(60), 내부 개질 장치(61) 및 분리 장치(62)는, 적층되어 배치되어 있다. 또한, 계면 개질 장치(60), 내부 개질 장치(61) 및 분리 장치(62)의 수 및 배치는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 계면 개질 장치(60), 내부 개질 장치(61)와 분리 장치(62)를 적층하여 배치하는 것 대신에, 적어도 어느 하나를 수평 방향으로 인접하여 배치해도 된다.
계면 개질 장치(60)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)에 형성된 디바이스층(Dw) 및 접합용 막(Fw)에 계면용 레이저광(L1)(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)와의 접합력이 저하된 미접합 영역(Ae)을 형성한다. 또한 계면 개질 장치(60)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 계면용 레이저광(L1)을 조사하여, 내부 개질 장치(61)에서의 주연 개질층(M2)의 형성에 따른 얼라이먼트의 기준 마크가 되는 기준 개질층(M1)을 형성한다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 계면 개질 장치(60)는, 중합 웨이퍼(T)를 상면으로 유지하는 척(100)을 가지고 있다. 척(100)은, 제 2 웨이퍼(S)에 있어서의 제 1 웨이퍼(W)와의 비접합면측(이면(Sb))을 흡착 유지한다.
척(100)은, 에어 베어링(101)을 개재하여, 슬라이더 테이블(102)에 지지되어 있다. 슬라이더 테이블(102)의 하면측에는, 회전 기구(103)가 마련되어 있다. 회전 기구(103)는, 구동원으로서 예를 들면 모터를 내장하고 있다. 척(100)은, 회전 기구(103)에 의해 에어 베어링(101)을 개재하여, θ축(연직축) 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 슬라이더 테이블(102)은, 그 하면측에 마련된 수평 이동 기구(104)에 의해, Y축 방향으로 연신하는 레일(105)을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다. 레일(105)은, 기대(106)에 마련되어 있다. 또한, 수평 이동 기구(104)의 구동원은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 리니어 모터가 이용된다.
척(100)의 상방에는, 레이저 조사 시스템(110)이 마련되어 있다. 레이저 조사 시스템(110)은 레이저 헤드(111) 및 렌즈(112)를 가지고 있다. 렌즈(112)는, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있어도 된다.
레이저 헤드(111)는, 레이저광을 펄스 형상으로 발진하는 도시하지 않는 레이저 발진기를 가지고 있다. 즉, 레이저 조사 시스템(110)으로부터 척(100)에 유지된 중합 웨이퍼(T)에 조사되는 레이저광은 이른바 펄스 레이저이며, 그 파워가 0(제로)와 최대값을 반복하는 것이다. 또한, 레이저 헤드(111)는, 레이저 발진기의 다른 기기, 예를 들면 증폭기 등을 가지고 있어도 된다.
렌즈(112)는, 통 형상의 부재이며, 척(100)에 유지된 중합 웨이퍼(T)에 계면용 레이저광(L1)을 조사한다.
레이저 헤드(111)는, 지지 부재(113)에 지지되어 있다. 레이저 헤드(111)는, 연직 방향으로 연신하는 레일(114)을 따라, 승강 기구(115)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 레이저 헤드(111)는, 이동 기구(116)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 승강 기구(115) 및 이동 기구(116)는 각각, 지지 기둥(117)에 지지되어 있다.
척(100)의 상방으로서, 레이저 조사 시스템(110)의 Y축 정방향측에는, 제 1 촬상 기구(120)가 마련되어 있다. 제 1 촬상 기구(120)는, 일례로서 촬상 배율이 2 배인 매크로 카메라를 포함하고, 적어도 후술하는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 검지 가능한 개구수를 가진다. 제 1 촬상 기구(120)는, 승강 기구(121)에 의해 승강 가능하게 구성되고, 또한 이동 기구(122)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이동 기구(122)는, 지지 기둥(117)에 지지되어 있다.
제 1 촬상 기구(120)는, 제 1 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))의 외측 단부를 촬상한다. 제 1 촬상 기구(120)로 촬상된 화상은, 일례로서, 후술하는 제 1 웨이퍼(W)의 얼라이먼트, 및 후술하는 계면용 레이저광의 조사 위치의 결정(레이저 조사 시스템(110)의 얼라이먼트)에 이용된다. 제 1 촬상 기구(120)는, 예를 들면 동축 렌즈를 구비하며, 적외광(IR)을 조사하고, 또한 대상물로부터의 반사광을 수광한다.
도 1에 나타낸 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)가 면취 가공(라운드 가공)되어 있는 경우, 당해 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 개구수가 높은 카메라를 이용하여 정확하게 검지하는 것이 곤란하다. 그러나, 이 점 본 실시 형태에 있어서는, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))의 외측 단부를 촬상하는 제 1 촬상 기구(120)로서 개구수가 낮은 매크로 카메라를 이용함으로써, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)가 면취 가공(라운드 가공)되어 있는 경우라도 당해 외측 단부를 검지할 수 있다.
단, 제 1 촬상 기구(120)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)의 형상 등의 요인에 의해 매크로 카메라보다 개구수가 높은 마이크로 카메라로도 제 1 웨이퍼(W)의 외주 단부에 적절하게 초점을 맞출 수 있는 경우에는, 매크로 카메라 대신에, 또는 더불어, 마이크로 카메라(도시하지 않음)를 구비하고 있어도 된다. 마이크로 카메라의 촬상 배율은 10 배이며, 시야는 제 1 촬상 기구(120)에 대하여 약 1/5이며, 픽셀 사이즈는 제 1 촬상 기구(120)에 대하여 약 1/5이다. 마이크로 카메라를 이용하여 제 1 웨이퍼(W)의 외주 단부를 하는 경우, 보다 고정밀도로 제 1 웨이퍼(W)의 얼라이먼트, 및 계면용 레이저광의 조사 위치의 결정을 행할 수 있다.
또한, 도시의 예에 있어서는 회전 기구(103) 및 수평 이동 기구(104)에 의해 척(100)을 레이저 헤드(111)에 대하여 상대적으로 회전, 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성했지만, 레이저 헤드(111)를 척(100)에 대하여 상대적으로 회전, 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성해도 된다. 또한, 척(100) 및 레이저 헤드(111)의 쌍방을 각각 상대적으로 회전, 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성해도 된다.
내부 개질 장치(61)는, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 내부용 레이저광(L2)(예를 들면 YAG 레이저 등의 NIR광)을 조사한다. 내부 개질 장치(61)에 있어서는, 내부용 레이저광(L2)의 집광점 위치에 있어서 제 1 웨이퍼(W)를 개질하여, 제 1 웨이퍼(W)에 있어서의 주연부(We)의 제거의 기점이 되는 주연 개질층(M2), 및, 제거 대상인 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 분할 개질층(M3)을 형성한다.
내부 개질 장치(61)는 계면 개질 장치(60)와 대략 동일한 구성을 가지고 있다. 즉 내부 개질 장치(61)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하는 척(200), 레이저 조사 시스템(210) 및 제 2 촬상 기구(220)를 가지고 있다.
척(200)은 에어 베어링(201), 슬라이더 테이블(202), 회전 기구(203), 수평 이동 기구(204), 레일(205) 및 기대(206)를 가지고, θ축(연직축) 둘레 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
레이저 조사 시스템(210)은 레이저 헤드(211), 렌즈(212), 지지 부재(213), 레일(214), 승강 기구(215) 및 이동 기구(216)를 가지고 있다. 승강 기구(215) 및 이동 기구(216)는, 각각 지지 기둥(217)에 지지되어 있다. 레이저 조사 시스템(210)은, 척(200)에 유지된 중합 웨이퍼(T)에 내부용 레이저광(L2)을 조사한다.
제 2 촬상 기구(220)는, 승강 기구(221) 및 이동 기구(222)에 의해 이동 가능하게 구성되어 있다. 이동 기구(222)는, 지지 기둥(217)에 지지되어 있다.
또한, 제 2 촬상 기구(220)는, 일례로서 촬상 배율이 10 배인 마이크로 카메라를 포함한다. 제 2 촬상 기구(220)는, 제 1 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))의 이면(Wb)에 형성된 기준 개질층(M1)을 촬상한다. 제 2 촬상 기구(220)로 촬상된 화상은, 일례로서, 후술하는 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치의 결정(레이저 조사 시스템(210)의 얼라이먼트)에 이용된다. 제 2 촬상 기구(220)는, 예를 들면 동축 렌즈를 구비하며, 적외광(IR)을 조사하고, 또한 대상물로부터의 반사광을 수광한다.
본 실시 형태에 있어서는, 라운드 형상의 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부 대신에, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)(평면)에 형성된 기준 개질층(M1)을 촬상하기 위하여, 제 2 촬상 기구(220)로서 개구수가 높은 마이크로 카메라를 이용할 수 있다. 그리고, 이와 같이 제 2 촬상 기구(220)로서 마이크로 카메라를 이용함으로써, 개구수가 낮은 매크로 카메라로 기준 개질층(M1)을 촬상하는 경우와 비교해, 보다 고정밀도의 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치의 결정을 행할 수 있다.
단, 제 2 촬상 기구(220)가 구비하는 촬상 기구는 마이크로 카메라에 한정되는 것은 아니며, 당해 마이크로 카메라 대신에, 또는 더불어, 매크로 카메라(도시하지 않음)를 구비하고 있어도 된다.
분리 장치(62)는, 내부 개질 장치(61)에서 형성된 주연 개질층(M2)을 기점으로서, 적어도 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제 2 웨이퍼(S)로부터 제거, 즉 엣지 트림을 행한다. 엣지 트림의 방법은 임의로 선택할 수 있다. 일례에 있어서 분리 장치(62)에서는, 예를 들면 쐐기 형상으로 이루어지는 블레이드를 삽입해도 된다. 또한 예를 들면, 에어 블로우 또는 워터 제트를 주연부(We)를 향해 분사함으로써, 당해 주연부(We)에 대하여 충격을 가해도 된다.
웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 계면 개질 장치(60)와 내부 개질 장치(61)의 Y축 정방향측에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 중합 웨이퍼(T)를 도시하지 않는 흡착 유지면에 의해 흡착 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(71, 71)을 가지고 있다. 각 반송 암(71)은, 다관절의 암 부재(72)에 지지되어, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고 웨이퍼 반송 장치(70)는, 에칭 장치(40), 클리닝 장치(41), 계면 개질 장치(60), 내부 개질 장치(61), 분리 장치(62) 및 후술하는 가공 장치(80)에 대하여, 중합 웨이퍼(T) 등을 반송 가능하게 구성되어 있다.
제 3 처리 블록(B3)에는, 가공 장치(80)가 마련되어 있다.
가공 장치(80)는, 회전 테이블(81)을 가지고 있다. 회전 테이블(81)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해, 연직인 회전 중심선(82)을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 회전 테이블(81) 상에는, 중합 웨이퍼(T)를 흡착 유지하는 척(83)이 2 개 마련되어 있다. 척(83)은, 회전 테이블(81)과 동일 원주 상에 균등하게 배치되어 있다. 2 개의 척(83)은, 회전 테이블(81)이 회전하는 것에 의해, 전달 위치(A0) 및 가공 위치(A1)로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 2 개의 척(83)은 각각, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
전달 위치(A0)에서는, 중합 웨이퍼(T)의 전달이 행해진다. 가공 위치(A1)에는, 연삭 유닛(84)이 배치되고, 제 2 웨이퍼(S)를 척(83)으로 흡착 유지한 상태에서 제 1 웨이퍼(W)를 연삭한다. 연삭 유닛(84)은, 환상(環狀) 형상으로 회전 가능한 연삭 숫돌(도시하지 않음)을 구비한 연삭부(85)를 가지고 있다. 또한, 연삭부(85)는, 지주(86)를 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 제어 장치(90)가 마련되어 있다. 제어 장치(90)는, 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(90)에 인스톨된 것이어도 된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 또한 본 실시 형태에서는, 미리 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부의 접합 장치(도시하지 않음)에 있어서 중합 웨이퍼(T)가 형성되어 있다.
먼저, 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수납한 카세트(C)가, 반입반출 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트(C) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 트랜지션 장치(30)로 반송된다. 트랜지션 장치(30)로 반송된 중합 웨이퍼(T)는, 이어서, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 계면 개질 장치(60)로 반송된다.
계면 개질 장치(60)에서는, 먼저, 척(100)에 유지된 중합 웨이퍼(T)를 제 1 촬상 위치로 이동시킨다. 제 1 촬상 위치는, 제 1 촬상 기구(120)가 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부(엣지부)를 촬상할 수 있는 위치이다. 제 1 촬상 위치에서는, 척(100)을 회전시키면서, 제 1 촬상 기구(120)에 의해 제 1 웨이퍼(W)의 둘레 방향 360도에 있어서의 외측 단부의 화상이 촬상된다(도 5의 단계(St1)). 촬상된 화상은, 제 1 촬상 기구(120)로부터 제어 장치(90)로 출력된다.
제어 장치(90)에서는, 제 1 촬상 기구(120)의 화상으로부터, 척(100)의 중심과 제 1 웨이퍼(W)의 중심의 편심량을 산출한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 산출된 편심량에 기초하여, 당해 편심량의 Y축 성분을 보정하도록, 척(100)의 이동량을 산출한다. 제어 장치(90)는, 이 산출된 이동량에 기초하여 척(100)을 Y축 방향을 따라 수평 방향으로 이동하여, 척(100)의 중심과 제 1 웨이퍼(W)의 중심의 편심을 보정한다.
또한 제어 장치(90)에서는, 제 1 촬상 기구(120)의 화상으로부터, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부의 위치를 특정한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 특정된 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부의 위치에 기초하여, 미접합 영역(Ae)을 형성하기 위한 계면용 레이저광(L1)의 조사 영역을 설정한다. 계면용 레이저광(L1)의 조사 영역은, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부로부터 원하는 직경 방향 폭(d1)(도 6의 (a)를 참조)을 가지는 환상의 영역으로 설정된다.
척(100)과 제 1 웨이퍼(W)의 편심이 보정되어, 계면용 레이저광(L1)의 조사 영역이 설정되면, 다음으로, 척(100)과 레이저 헤드(111)를 상대적으로 회전시키고, 또한 Y축 방향을 따라 상대적으로 수평 방향으로 이동시키면서, 단계(St1)에 있어서 설정된 조사 영역에 있어서의 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)의 접합 계면에 계면용 레이저광(L1)을 펄스 형상으로 조사한다(도 5의 단계(St2)). 이에 의해, 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)와의 접합 계면(도시의 예에 있어서는 제 1 웨이퍼(W)와 접합용 막(Fw)의 계면)을 개질한다. 또한, 실시의 형태에 있어서 접합 계면의 개질에는, 일례로서, 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치에 있어서의 접합용 막(Fw)의 아몰퍼스화, 또는 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)의 박리 등이 포함되는 것으로 한다.
계면 개질 장치(60)에 있어서는, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)의 계면에 있어서의 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치를 개질함으로써, 도 6의 (a) 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)의 접합 강도가 저하된 미접합 영역(Ae)이 형성된다. 후술하는 엣지 트림에 있어서는, 제거 대상인 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)가 제거되지만, 이와 같이 접합력이 저하된 미접합 영역(Ae)이 존재함으로써, 주연부(We)의 제거를 적절하게 행할 수 있다.
미접합 영역(Ae)이 형성되면, 동일한 계면 개질 장치(60)에 있어서, 계면용 레이저광(L1)의 집광점 위치(계면용 레이저광(L1)의 조사 위치)를 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)으로 이동시킨다. 그리고, 척(100)과 레이저 헤드(111)를 상대적으로 회전시키면서, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 계면용 레이저광(L1)을 펄스 형상으로 조사한다(도 5의 단계(St3)). 이에 의해, 도 6의 (b) 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 개질한다.
계면 개질 장치(60)에 있어서는, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 계면용 레이저광(L1)을 조사하여, 개질함으로써, 후술하는 주연 개질층(M2)의 형성에 따른 레이저 조사 시스템(210)의 얼라이먼트의 기준이 되는 기준 개질층(M1)을 형성한다.
또한, 제 1 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서의 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 후술하는 내부용 레이저광(L2)을 적절하게 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 있어서의 목표 위치에 조사하기 위하여, 미접합 영역(Ae)의 직경 방향 내측 단부(이하, '내단'이라 함)로부터 약간 직경 방향으로 떨어진 위치, 바람직하게는 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 미접합 영역(Ae)의 내단보다 약간 직경 방향 외측으로 설정되는 것이 바람직하다. 단, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 있어서의 미접합 영역(Ae)의 내단보다 직경 방향 내측이어도 된다.
미접합 영역(Ae) 및 기준 개질층(M1)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 내부 개질 장치(61)로 반송된다. 내부 개질 장치(61)에서는, 먼저, 척(200)에 유지된 중합 웨이퍼(T)를 제 2 촬상 위치로 이동시킨다. 제 2 촬상 위치는, 제 2 촬상 기구(220)가 제 1 웨이퍼(W)에 형성된 기준 개질층(M1)을 촬상할 수 있는 위치이다. 제 2 촬상 위치에서는, 척(200)을 회전시키면서, 제 2 촬상 기구(220)에 의해 제 1 웨이퍼(W)의 둘레 방향 360도에 있어서의 기준 개질층(M1)의 화상이 촬상된다(도 5의 단계(St4)). 촬상된 화상은, 제 2 촬상 기구(220)로부터 제어 장치(90)로 출력된다.
제어 장치(90)에서는, 제 2 촬상 기구(220)의 화상으로부터, 척(200)의 중심과 제 1 웨이퍼(W)의 중심의 편심량을 산출한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 산출된 편심량에 기초하여, 당해 편심량의 Y축 성분을 보정하도록, 척(200)의 이동량을 산출한다. 제어 장치(90)는, 이 산출된 이동량에 기초하여 척(200)을 Y축 방향을 따라 수평 방향으로 이동하여, 척(200)의 중심과 제 1 웨이퍼(W)의 중심의 편심을 보정한다.
또한 제어 장치(90)에서는, 제 2 촬상 기구(220)의 화상으로부터, 기준 개질층(M1)의 형성 위치를 특정한다. 또한 제어 장치(90)에서는, 특정된 기준 개질층(M1)의 형성 위치에 기초하여, 주연 개질층(M2)을 형성하기 위한 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치(직경 방향 위치)를 설정한다. 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치는, 예를 들면 기준 개질층(M1)의 형성 위치로부터 원하는 직경 방향 거리(d2)(도 6의 (c)을 참조)를 이동시킨 위치, 구체적으로 미접합 영역(Ae)의 내단과 대응하는 위치로 설정된다.
척(200)과 제 1 웨이퍼(W)의 편심이 보정되어, 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치가 설정되면, 다음으로, 도 6의 (c) 및 도 7에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 내부용 레이저광(L2)을 조사하여, 주연 개질층(M2) 및 분할 개질층(M3)을 순차 형성한다(도 5의 단계(St5)). 주연 개질층(M2)은, 후술하는 엣지 트림에 있어서 주연부(We)를 제거할 시의 기점이 되는 것이다. 분할 개질층(M3)은, 제거되는 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 것이다. 또한 이후의 설명에 이용하는 도면에 있어서는, 도시가 복잡해지는 것을 회피하기 위하여, 분할 개질층(M3)의 도시를 생략하는 경우가 있다. 또한, 주연 개질층(M2)과 분할 개질층(M3)의 형성 순서는 특별히 한정되는 것은 아니다.
종래, 내부 개질 장치(61)에 있어서는, 상술한 단계(St1)와 마찬가지로, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로서 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치(주연 개질층(M2)의 형성 위치)를 결정하고 있었다. 이러한 경우, 도 1에 나타낸 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)에는 면취 가공이 되어 있기 때문에, 상기한 바와 같이 개구수(NA)가 낮은 광학계(예를 들면 매크로 카메라)를 촬상 기구로서 이용할 필요가 있으며, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부의 검지 정밀도가 높지 않은 경우가 있었다. 그리고, 이와 같이 계면용 레이저광(L1)과 내부용 레이저광(L2)의 양방의 조사 위치를 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로서 결정한 경우, 계면 개질 장치(60)와 내부 개질 장치(61)의 사이에서 검지 정밀도의 어긋남이 중첩되고, 그 결과, 주연 개질층(M2)의 형성 위치가, 목표 위치로부터 보다 크게 어긋나 버릴 우려가 있었다. 구체적으로, 예를 들면 각각의 장치에 있어서 검지 정밀도에 ±10 μm 정도의 어긋남이 있었을 경우, 이 정밀도 어긋남이 중첩되어, 최대 20 μm 정도의 어긋남이 생길 우려가 있었다. 이 때문에, 적절하게 주연부(We)의 제거를 할 수 없을 우려가 있었다.
이 점, 본 개시에 따른 기술에 따르면, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부 대신에 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)(평면)에 형성된 기준 개질층(M1)을 기준으로서 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치를 결정(레이저 조사 시스템(210)의 얼라이먼트)한다. 이에 의해, 면취 가공이 된 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로 하는 경우와 비교해 개구수(NA)가 높은 광학계(마이크로 카메라)를 이용하는 것이 가능해져, 보다 치밀한 레이저 조사 시스템(210)의 얼라이먼트를 할 수 있다. 보다 구체적으로, 주연 개질층(M2)의 형성 위치와 미접합 영역(Ae)의 형성 영역을 보다 적절하게 제어할 수 있고, 그 결과, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 적절하게 제거할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 상술한 바와 같이 제 2 촬상 기구(220)로서 마이크로 카메라를 사용했지만, 제 2 촬상 기구(220)로서 매크로 카메라를 사용하는 경우라도, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로서 주연 개질층(M2)의 형성 위치를 결정하는 경우와 비교해, 미접합 영역(Ae)의 형성 영역에 대한 주연 개질층(M2)의 형성 위치를 적절하게 결정할 수 있다.
단, 매크로 카메라보다 개구수가 높은 마이크로 카메라를 제 2 촬상 기구(220)로서 사용함으로써, 기준 개질층(M1)의 검지 정밀도가 향상되고, 그 결과, 미접합 영역(Ae)의 형성 영역에 대한 주연 개질층(M2)의 형성 위치를 보다 적절하게 결정할 수 있다.
또한, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에는, 주연 개질층(M2)으로부터 두께 방향으로 크랙(C2)이 신전한다. 크랙(C2)의 신전은, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W)의 두께 방향에 있어서의 주연 개질층(M2)의 형성 위치를 조절하는 것에 의해, 또는, 예를 들면 주연 개질층(M2)의 형성 시에 있어서의 레이저광의 출력 및 블러(blur) 정도를 조절하는 것에 의해 제어된다. 후술하는 엣지 트림에 있어서는, 주연 개질층(M2)에 더하여, 당해 크랙(C2)을 기점으로서 주연부(We)가 제 2 웨이퍼(S)로부터 제거된다.
주연 개질층(M2) 및 분할 개질층(M3)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 분리 장치(62)로 반송된다. 분리 장치(62)에서는, 도 6의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)의 제거, 즉 엣지 트림이 행해진다(도 5의 단계(St6)). 이 때, 주연부(We)는, 주연 개질층(M2)을 기점으로서 제 1 웨이퍼(W)의 중앙부(주연부(We)의 직경 방향 내측)로부터 박리되고, 또한 미접합 영역(Ae)을 기점으로서 제 2 웨이퍼(S)로부터 완전하게 박리된다. 또한 이 때, 제거되는 주연부(We)는 분할 개질층(M3)을 기점으로서 소편화된다.
주연부(We)의 제거에 있어서는, 중합 웨이퍼(T)를 형성하는 제 1 웨이퍼(W)와 제 2 웨이퍼(S)와의 계면에, 예를 들면 쐐기 형상으로 이루어지는 블레이드(B)(도 6의 (d)를 참조)를 삽입해도 된다.
제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)가 제거된 중합 웨이퍼(T)는, 이어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 가공 장치(80)의 척(83)으로 반송된다. 다음으로, 척(83)을 가공 위치(A1)로 이동시키고, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 연삭 유닛(84)에 의해 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭한다(도 5의 단계(St7)). 이러한 연삭 처리에 의해, 제 1 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))를 원하는 목표 두께까지 감소시킨다. 또한 이 후, 세정액 노즐(도시하지 않음)을 이용하여, 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면이 세정액에 의해 세정되어도 된다.
다음으로, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 에칭 장치(40)로 반송된다. 에칭 장치(40)에서는, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면이 약액(E)에 의해 웨트 에칭된다(도 5의 단계(St8)). 상술한 가공 장치(80)에서 연삭된 연삭면에는, 연삭흔이 형성되는 경우가 있다. 본 단계(St8)에서는, 웨트 에칭하는 것에 의해 제 1 웨이퍼(W)(중합 웨이퍼(T))의 가일층의 박화를 행하고, 또한 연삭흔의 제거에 의해 연삭면을 평활화한다.
다음으로, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 클리닝 장치(41)로 반송된다. 클리닝 장치(41)에서는, 주연부(We)의 제거에 의해 노출된 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa) 상의 잔막(접합용 막(Fw, Fs))에 클리닝용 레이저광(L3)을 조사함으로써, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 당해 잔막 및 파티클(P)을 제거하여 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa)을 노출시킨다(도 5의 단계(St9)).
본 단계(St9)에서는, 상술한 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 완전하게 제거하기 위하여, 당해 주연부(We)와 대응하는 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa)의 전면에 대하여 클리닝용 레이저광(L3)을 조사한다.
구체적으로, 중합 웨이퍼(T)를 회전시키고, 또한 도시하지 않는 갈바노 스캔에 의해 클리닝용 레이저광(L3)의 조사 위치를 직경 방향으로 이동시키면서, 레이저 헤드로부터 클리닝용 레이저광(L3)을 주기적으로 조사한다. 이에 의해, 잔막의 전면에 대하여 클리닝용 레이저광(L3)을 조사할 수 있어, 즉, 표면(Sa) 상의 잔막을 완전하게 제거할 수 있다.
또한, 클리닝 장치(41)에 있어서는, 세정액 노즐(도시하지 않음)을 이용하여, 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면 및 제 2 웨이퍼(S)의 이면(Sb)을 세정액에 의해 더 세정해도 된다.
이에, 본 실시 형태에 있어서는, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면을 웨트 에칭(단계(St8))한 후, 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa) 상의 잔막을 제거(단계(St9))한다. 이러한 웨트 에칭과 잔막 제거의 순서는 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)의 제거(단계(St6)) 후, 연삭 처리(단계(St7)) 전에 잔막의 제거를 행해도 되고, 연삭 처리(단계(St7)) 후, 웨트 에칭(단계(St8)) 전에 잔막의 제거를 행해도 된다.
단, 웨트 에칭(단계(St8))에 앞서 잔막의 제거를 행한 경우, 웨트 에칭에 있어서 공급되는 약액의 영향에 의해 디바이스층(Dw, Ds)에 영향을 줄 우려가 있다. 구체적으로, 도 9의 (a)에 나타내는 연삭 처리(단계(St7)), 도 9의 (b)에 나타내는 클리닝용 레이저광(L3)에 의한 잔막의 제거의 후에 웨트 에칭을 행한 경우, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 공급되는 약액(E)의 영향에 의해, 잔막 제거로 노출된 접합용 막(Fw, Fs)의 측면이 제거되어, 디바이스층(Dw 및 Ds)에 손상을 줄 우려가 있다.
이러한 점을 감안하여, 제 1 웨이퍼(W)의 연삭면의 웨트 에칭(단계(St8))과, 제 2 웨이퍼(S)의 표면(Sa) 상의 잔막을 제거(단계(St9))는 이 순서로 행해지는 것이 바람직하다.
이 후, 모든 처리가 실시된 중합 웨이퍼(T)는, 웨이퍼 반송 장치(50)에 의해 트랜지션 장치(30)로 반송되고, 또한 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 주연부(We)의 제거의 기점이 되는 주연 개질층(M2)을 형성하는 것에 앞서, 당해 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에, 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치의 기준이 되는 기준 개질층(M1)을 형성한다. 그리고, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 대한 주연 개질층(M2)의 형성에 있어서는, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 형성된 당해 기준 개질층(M1)을 타겟으로서 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치를 결정한다.
이에 따라, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb), 즉 평면에 형성된 타겟을 카메라로 검지하기 때문에, 종래와 같이 면취 가공이 된 외측 단부(엣지부)를 카메라로 검지하는 경우와 비교해 개구수(NA)가 높은 광학계(마이크로 카메라)를 이용할 수 있고, 그 결과, 보다 정밀도가 높은 치밀한 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치의 조정(레이저 조사 시스템(210)의 얼라이먼트)을 행할 수 있다.
또한 이에 따라, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 복수의 레이저 조사 장치(본 실시 형태에에서는 계면 개질 장치(60) 및 내부 개질 장치(61))를 마련하는 경우라도, 이들 레이저 조사 장치의 사이에서 레이저광의 조사 위치에 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 따르면, 타겟이 되는 기준 개질층(M1)을, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 있어서의 내부용 레이저광(L2)의 입사 위치(주연 개질층(M2)의 형성 위치)로부터 약간 직경 방향 외측으로 떨어진 위치에 형성한다.
통상, 제 1 웨이퍼(W)의 실리콘을 레이저 어블레이션에 의해 개질한 경우, 당해 개질 부분(본 실시의 형태에서는 기준 개질층(M1))에 있어서는 내부용 레이저광(L2)이 적절하게 투과되지 않아, 주연 개질층(M2)을 적절하게 형성할 수 없게 될 우려가 있다.
이 점, 이상의 실시 형태에 따르면, 기준 개질층(M1)을 내부용 레이저광(L2)의 입사 위치로부터 약간 떨어진 위치에 형성하기 때문에, 주연 개질층(M2)의 형성에 있어 내부용 레이저광(L2)의 입사가 저해되지 않아, 적절하게 주연 개질층(M2)을 형성할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 기준 개질층(M1)이 형성되어 있는 경우, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 대하여 내부용 레이저광(L2)을 적절하게 투과할 수 없게 된다. 이러한 경우, 기준 개질층(M1)이 내부용 레이저광(L2)의 입사 위치보다 직경 방향 외측에 형성되어 있으면, 도 6의 (c)에 나타낸 분할 개질층(M3)을 적절하게 형성할 수 없게 될 우려가 있다.
이러한 점을 감안하여, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 내부용 레이저광(L2)의 입사 위치의 약간 직경 방향 외측으로서, 평면에서 봤을 때 분할 개질층(M3)의 형성 위치와 겹치지 않는 위치, 또는, 내부용 레이저광(L2)의 입사 위치의 약간 직경 방향 내측으로 결정되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 주연 개질층(M2)의 형성 시에 두께 방향으로 신전하는 크랙(C2)을, 제 1 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 및 이면(Wb)에 대하여 대략 수직으로 도달시켰지만, 크랙(C2)의 신전 방법은 이에 한정되지 않는다.
구체적으로, 예를 들면 도 10에 나타내는 바와 같이, 주연 개질층(M2)의 형성 위치를 미접합 영역(Ae)의 내단보다 약간 직경 방향 내측으로 제어함으로써, 재하방에 형성된 주연 개질층(M2)의 하방으로 신전하는 크랙(C2)과, 미접합 영역(Ae)의 내단으로부터 비스듬히 상방으로 신전하는 크랙(C4)을 연결시키도록 해도 된다.
이러한 경우, 크랙(C2)을 표면(Wa)에 대하여 대략 수직으로 도달시키는 경우와 비교해, 안정적으로 크랙을 제 1 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 이면(Wb)까지 도달시킬 수 있어, 즉, 안정적으로 적절한 주연부(We)의 제거를 행할 수 있다.
또한, 이러한 경우라도, 도 10에 나타낸 바와 같이 이면(Wb)에 있어서의 주연 개질층(M2)의 형성 위치로부터 약간 떨어진 위치에 기준 개질층(M1)을 형성함으로써, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치를 적절하게 결정할 수 있다. 또한, 이 경우에 있어서는, 도 10에도 나타낸 바와 같이, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는 반드시 미접합 영역(Ae)의 내단과 대응하는 위치로부터 벗어나 있을 필요는 없다.
또한, 도 10에 나타낸 바와 같이 크랙(C4)만을 미접합 영역(Ae)의 내단으로부터 비스듬히 상방으로 신전시키는 것 대신에, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 있어서의 표면(Wa)측에 있어서, 인접하는 주연 개질층(M2)을 각각 두께 방향, 직경 방향으로 떨어트려 형성, 즉 비스듬한 방향으로 배열하여 형성해도 된다. 이러한 경우, 도 10에 나타낸 경우와 비교해, 보다 용이하게 크랙(C4)을 비스듬히 상방을 향해 진전시킬 수 있다.
또한 이러한 경우, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 도 11에 나타낸 바와 같이 복수의 주연 개질층(M2) 중 가장 직경 방향 외측에 형성된 주연 개질층(M2low)보다 약간 직경 방향 외측, 또는, 가장 직경 방향 내측에 형성된 주연 개질층(M2high)보다 약간 직경 방향 내측으로 결정되는 것이 바람직하다.
또한 예를 들면, 도 11에 나타낸 바와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 있어서의 표면(Wa)측에서만 인접하는 주연 개질층(M2)을 비스듬한 방향으로 배열하여 배치하는 것 대신에, 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W)의 두께 전부에 있어서 주연 개질층(M2)을 비스듬한 방향으로 배열하여 배치해도 된다. 이러한 경우, 제거되는 주연부(We), 및 주연부(We)의 제거 후의 제 1 웨이퍼(W)의 중앙부에 깨짐이 생기는 것이 억제된다. 그리고 이에 따라, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 내부에 있어서의 파티클의 발생이 억제되고, 또한 제품으로서의 제 1 웨이퍼(W)(디바이스 웨이퍼)의 품질 저하가 억제된다.
또한 이러한 경우, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 도 12에 나타낸 바와 같이 복수의 주연 개질층(M2) 중 가장 직경 방향 외측에 형성된 주연 개질층(M2low)보다 약간 직경 방향 외측, 또는, 가장 직경 방향 내측에 형성된 주연 개질층(M2high)보다 약간 직경 방향 내측으로 결정되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 가공 장치(80)에 있어서의 연삭 처리에 의해 엣지 트림 후의 제 1 웨이퍼(W)의 박화를 행했지만, 제 1 웨이퍼(W)의 박화 방법은 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 미접합 영역(Ae)과 기준 개질층(M1)이 형성된 중합 웨이퍼(T)에 대하여, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 내부 개질 장치(61)에 있어서 주연부(We)의 박리의 기점이 되는 주연 개질층(M2)에 더하여, 제 1 웨이퍼(W)의 분리에 따른 박화의 기점이 되는 내부면 개질층(M4)을 형성한다. 내부면 개질층(M4)으로부터는, 제 1 웨이퍼(W)의 면 방향으로 신전하는 크랙(C5)이 형성되고, 당해 크랙(C5)은, 주연 개질층(M2) 또는 당해 주연 개질층(M2)으로부터 두께 방향으로 신전하는 크랙(C2)의 상단부와 연결된다.
그리고 분리 장치(62)에 있어서는, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 분리용 암(ARM)이 구비하는 흡착 유지면으로 제 1 웨이퍼(W)를 흡착 유지하면서, 도시하지 않는 척으로 제 2 웨이퍼(S)를 흡착 유지한다. 이 후, 흡착 유지면이 제 1 웨이퍼(W)를 흡착 유지한 상태에서 분리용 암(ARM)을 상승시킴으로써, 제 1 웨이퍼(W)를 내부면 개질층(M4)을 기점으로서 분리하여 박화한다. 이 때, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)는, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측과 일체로 제 2 웨이퍼(S)로부터 박리된다.
이러한 경우라도, 도 13의 (a)에 나타낸 바와 같이 이면(Wb)에 있어서의 주연 개질층(M2)의 형성 위치로부터 약간 떨어진 위치에 기준 개질층(M1)을 형성함으로써, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치를 적절하게 결정할 수 있다.
또한, 이러한 경우, 제 1 웨이퍼(W)의 내부에 내부면 개질층(M4)을 적절하게 형성하기 위하여, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는 주연 개질층(M2)의 형성 위치로부터 약간 직경 방향 외측으로 떨어진 위치로 결정하는 것이 바람직하다.
또한, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제 1 웨이퍼의 이면(Wb)측과 일체로 제거하는 경우라도, 주연 개질층(M2)을 비스듬한 방향으로 배열하여 배치해도 된다.
이러한 경우, 기준 개질층(M1)의 형성 위치는, 복수의 주연 개질층(M2) 중 가장 직경 방향 외측에 형성된 주연 개질층(M2low)보다 약간 직경 방향 외측으로 결정되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는 계면 개질 장치(60)에서의 미접합 영역(Ae)의 형성 후, 내부 개질 장치(61)에서 주연 개질층(M2)을 형성했지만, 미접합 영역(Ae)과 주연 개질층(M2)의 형성 순서는 이에 한정되지 않는다.
이러한 경우, 내부 개질 장치(61)에 있어서는, 매크로 카메라(도시하지 않음)를 이용하여 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로 한 제 1 웨이퍼(W)의 얼라이먼트, 및 내부용 레이저광(L2)의 조사 위치의 결정이 행해진다. 환언하면, 주연 개질층(M2)의 형성 위치는, 제 1 웨이퍼(W)의 외측 단부를 기준으로서 결정된다.
또한, 내부 개질 장치(61)에서는, 주연 개질층(M2) 및 분할 개질층(M3)을 형성한 후, 내부용 레이저광(L2)의 집광점 위치(내부용 레이저광(L2)의 조사 위치)를 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)으로 이동시켜, 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치(미접합 영역(Ae)의 형성 위치)를 결정할 시의 기준이 되는 기준 개질층(M1)을 형성한다.
또한, 계면 개질 장치(60)에 있어서는, 마이크로 카메라(도시하지 않음)를 이용하여 기준 개질층(M1)을 기준으로 한 제 1 웨이퍼(W)의 얼라이먼트, 및 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치의 결정이 행해진다. 환언하면, 미접합 영역(Ae)의 형성 위치는, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 형성된 기준 개질층(M1)을 기준으로서 결정된다.
본 개시의 기술에 따르면, 이와 같이 미접합 영역(Ae)에 앞서 주연 개질층(M2)을 형성하는 경우라도, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 형성된 기준 개질층(M1)을 기준으로서 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치를 결정할 수 있다.
이에 따라, 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb), 즉 평면에 형성된 기준 마크를 타겟으로서 카메라로 검지하기 때문에, 종래와 같이 면취 가공이 된 외측 단부(엣지부)를 카메라로 검지하는 경우와 비교해 개구수(NA)가 높은 광학계(마이크로 카메라)를 이용할 수 있고, 그 결과, 보다 정밀도가 높은 치밀한 계면용 레이저광(L1)의 조사 위치의 조정(레이저 조사 시스템(110)의 얼라이먼트)을 행할 수 있다.
또한 이에 따라, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 복수의 레이저 조사 장치(본 실시 형태에에서는 계면 개질 장치(60) 및 내부 개질 장치(61))를 마련하는 경우라도, 주연 개질층(M2)의 형성 위치와 미접합 영역(Ae)의 형성 영역에 어긋남이 생기는 것을 적절하게 억제할 수 있고, 그 결과, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 적절하게 제거할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는 분리 장치(62)에 있어서 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)의 박리(엣지 트림)를 행했지만, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 엣지 트림을 행하기 위한 분리 장치(62)를 마련하는 것 대신에, 가공 장치(80)에서 주연부(We)의 제거를 행해도 된다.
구체적으로, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 독립적으로 제거하는 경우에 있어서는, 가공 장치(80)에서의 연삭 처리에 있어서 생기는 연삭 저항을 이용하여, 주연부(We)를 제 2 웨이퍼(S)로부터 제거할 수 있다.
또한, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)를 제 1 웨이퍼(W)의 이면(Wb)과 일체로 제거하는 경우에 있어서는, 가공 장치(80)에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(70)로부터 척(83)으로의 중합 웨이퍼(T)의 전달에 있어, 제 1 웨이퍼(W)의 분리를 행해도 된다.
이러한 경우, 가공 장치(80)가 본 개시의 기술에 따른 '주연 제거 장치'로서 기능한다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1 : 웨이퍼 처리 시스템
60 : 계면 개질 장치
61 : 내부 개질 장치
62 : 분리 장치
Ae : 미접합 영역
M1 : 기준 개질층
M2 : 주연 개질층
T : 중합 웨이퍼
W : 제 1 웨이퍼
Wb : (제 1 웨이퍼의) 이면
We : 주연부
S : 제 2 웨이퍼

Claims (20)

  1. 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서,
    상기 제 1 기판의 제거 대상인 주연부와, 상기 제 1 기판의 중앙부의 경계를 따라 주연 개질층을 형성하는 것과,
    상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 약하게 하는 미접합 영역을 형성하는 것과,
    상기 주연 개질층 또는 상기 미접합 영역 중 어느 일방의 형성 위치의 결정의 기준이 되는 기준 개질층을, 상기 제 1 기판에 있어서의 상기 제 2 기판과의 비접합측 표면에 형성하는 것과,
    상기 주연 개질층을 기점으로 상기 주연부를 제거하는 것을 포함하는, 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미접합 영역, 상기 기준 개질층 및 상기 주연 개질층은 이 순으로 형성되고,
    상기 미접합 영역의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하고,
    상기 기준 개질층을, 상기 미접합 영역의 내단과 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는, 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 미접합 영역, 상기 기준 개질층 및 상기 주연 개질층은 이 순으로 형성되고,
    상기 미접합 영역의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하고,
    상기 기준 개질층을, 상기 주연 개질층의 형성 예정 위치와 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는, 처리 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 외측 단부를 제 1 촬상 기구로 검지하는 것과,
    상기 제 1 기판의 비접합측 표면에 형성된 상기 기준 개질층을 제 2 촬상 기구로 검지하는 것을 포함하고,
    상기 제 2 촬상 기구의 개구수를 제 1 촬상 기구의 개구수보다 높게 설정하는, 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 주연 개질층, 상기 기준 개질층 및 상기 미접합 영역은 이 순으로 형성되고,
    상기 주연 개질층의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하고,
    상기 기준 개질층을, 상기 주연 개질층의 형성 위치와 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는, 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 외측 단부를 제 1 촬상 기구로 검지하는 것과,
    상기 제 1 기판의 비접합측 표면에 형성된 상기 기준 개질층을 제 2 촬상 기구로 검지하는 것을 포함하고,
    상기 제 1 촬상 기구의 개구수를 제 2 촬상 기구의 개구수보다 높게 설정하는, 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주연부의 제거 후의 상기 제 1 기판을 웨트 에칭하는 것과,
    상기 주연부의 제거에 의해 노출된 상기 제 2 기판의 표면에 잔존하는 표면막을, 레이저광의 조사에 의해 제거하는 것을 포함하는 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 표면막의 제거를 상기 제 1 기판을 웨트 에칭보다 이후에 실시하는, 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 분리의 기점이 되는 내부면 개질층을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 주연부의 제거에 있어, 상기 주연부를 상기 제 1 기판의 비접합측과 일체로 제거하는, 처리 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 내부에는 복수의 상기 주연 개질층이 형성되고,
    인접하는 상기 주연 개질층을, 상기 제 1 기판의 두께 방향 및 직경 방향으로 떨어트려 형성하는, 처리 방법.
  11. 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 처리하는 처리 시스템으로서,
    상기 제 1 기판의 제거 대상인 주연부와, 상기 제 1 기판의 중앙부의 경계를 따라 주연 개질층을 형성하는 내부 개질 장치와,
    상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 약하게 하는 미접합 영역을 형성하는 계면 개질 장치와,
    상기 주연 개질층 또는 상기 미접합 영역 중 어느 일방의 형성 위치의 결정의 기준이 되는 기준 개질층을, 상기 제 1 기판에 있어서의 상기 제 2 기판과의 비접합측 표면에 형성하는 기준 형성 장치와,
    상기 주연 개질층을 기점으로 상기 주연부를 제거하는 주연 제거 장치와,
    제어 장치를 포함하는, 처리 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기준 형성 장치와 상기 계면 개질 장치는 일체로 구성되고,
    상기 제어 장치는,
    상기 미접합 영역의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하는 제어와,
    상기 기준 개질층을, 상기 미접합 영역의 내단과 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는 제어를 실행하는, 처리 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 기준 형성 장치와 상기 계면 개질 장치는 일체로 구성되고,
    상기 제어 장치는,
    상기 미접합 영역의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하는 제어와,
    상기 기준 개질층을, 상기 주연 개질층의 형성 예정 위치와 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는 제어를 실행하는, 처리 시스템.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 계면 개질 장치는, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 검지하는 제 1 촬상 기구를 구비하고,
    상기 내부 개질 장치는, 상기 제 1 기판의 비접합측 표면에 형성된 상기 기준 개질층을 검지하는 제 2 촬상 기구를 구비하고,
    상기 제 2 촬상 기구는, 제 1 촬상 기구보다 높은 개구수를 가지는, 처리 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 기준 형성 장치와 상기 내부 개질 장치는 일체로 구성되고,
    상기 제어 장치는,
    상기 주연 개질층의 형성 위치 및 상기 기준 개질층의 형성 위치를, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 기준으로서 결정하는 제어와,
    상기 기준 개질층을, 상기 주연 개질층의 형성 위치와 대응하는 위치로부터 직경 방향으로 떨어트려 형성하는 제어를 실행하는, 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 계면 개질 장치는, 상기 제 1 기판의 외측 단부를 검지하는 제 1 촬상 기구를 구비하고,
    상기 내부 개질 장치는, 상기 제 1 기판의 비접합측 표면에 형성된 상기 기준 개질층을 검지하는 제 2 촬상 기구를 구비하고,
    상기 제 1 촬상 기구는, 제 2 촬상 기구보다 높은 개구수를 가지는, 처리 시스템.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주연부의 제거 후의 상기 제 1 기판을 웨트 에칭하는 에칭 장치와,
    상기 주연부의 제거에 의해 노출된 상기 제 2 기판의 표면에 잔존하는 표면막을, 레이저광의 조사에 의해 제거하는 클리닝 장치를 포함하는 처리 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 클리닝 장치에 있어서의 상기 표면막의 제거를, 상기 에칭 장치에 있어서의 상기 제 1 기판을 웨트 에칭보다 이후에 실시하는 제어를 실행하는, 처리 시스템.
  19. 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 내부 개질 장치에 있어서 상기 제 1 기판의 분리의 기점이 되는 내부면 개질층을 형성하는 제어를 실행하고,
    상기 주연 제거 장치에 있어서의 상기 주연부의 제거에 있어, 상기 주연부를 상기 제 1 기판의 비접합측과 일체로 제거하는, 처리 시스템.
  20. 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 내부 개질 장치에 있어서,
    상기 제 1 기판의 내부에 복수의 상기 주연 개질층을 형성하는 제어와,
    인접하는 상기 주연 개질층을, 상기 제 1 기판의 두께 방향 및 직경 방향으로 떨어트려 형성하는 제어를 실행하는, 처리 시스템.
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