JP7413468B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
60 改質装置
90 制御装置
100 チャック
110 レーザヘッド
121 マクロカメラ
122 マイクロカメラ
M1 周縁改質層
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 処理ウェハ
Wc 中央部
We 周縁部
Claims (18)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記保持部と前記レーザ照射部を相対的に移動させる移動部と、
前記レーザ照射部から照射される前記レーザ光の照射位置を調整する調整部と、
前記保持部、前記レーザ照射部、前記移動部及び前記調整部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記レーザ照射部による前記レーザ光の照射前に、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを調整するように前記調整部を制御し、当該調整された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置の原点位置を設定し、
前記調整部は、
前記保持部に保持された前記基板の表面の高さを測定する第1の調整部と、
前記保持部に保持された前記基板の表面を撮像する第2の調整部と、を有し、
前記制御部は、前記第2の調整部で撮像された画像から取得される前記基板の表面の高さに基づいて、前記レーザ光の照射位置を算出する、基板処理装置。 - 前記制御部は、前記レーザ照射部から前記基板に前記レーザ光の照射を開始する位置に前記保持部が配置された状態で、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを調整するように前記調整部を制御する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記調整部は、前記レーザ照射部から照射されるレーザ光と別軸に設けられる、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記レーザ光の照射位置の原点位置の設定を、前記保持部と前記レーザ照射部を相対的に移動させながら行うように、前記保持部、前記レーザ照射部及び前記移動部を制御する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記レーザ照射部を昇降させる昇降機構を有し、
前記制御部は、前記レーザ光の照射位置の原点位置の設定を、前記レーザ照射部を上昇又は加工させながら行うように、前記昇降機構を制御する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記レーザ照射部から照射されるレーザ光と同軸に設けられ、前記保持部に保持された前記基板の高さを測定する測定部を有し、
前記制御部は、前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射中、前記測定部によって前記基板の高さを測定し、当該測定された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置が前記原点位置に一致するように、前記保持部、前記レーザ照射部、前記移動部及び前記測定部を制御する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記測定部は、前記基板の表面の高さを測定し、
前記制御部は、前記測定された前記基板の表面の高さに基づいて、前記レーザ光の照射位置を算出する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記保持部を回転させながら前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射する際の処理条件の変更を行うように、前記保持部、前記移動部及び前記レーザ照射部を制御する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記保持部と前記レーザ照射部を相対的に移動させる移動部と、
前記レーザ照射部から照射される前記レーザ光の照射位置を調整する調整部と、
前記保持部、前記レーザ照射部、前記移動部及び前記調整部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記レーザ照射部による前記レーザ光の照射前に、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを調整するように前記調整部を制御し、当該調整された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置の原点位置を設定し、
前記基板にはノッチ部が形成され、
前記制御部は、前記保持部を回転させながら前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射する際、前記レーザ照射部から前記ノッチ部に前記レーザ光が照射されないように、前記保持部、前記移動部及び前記レーザ照射部を制御する、基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を保持部で保持することと、
レーザ照射部から前記保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射することと、
調整部によって、前記レーザ照射部から照射される前記レーザ光の照射位置を調整することと、を有し、
前記レーザ照射部による前記レーザ光の照射前に、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを前記調整部で調整し、当該調整された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置の原点位置を設定し、
前記レーザ光の照射位置を調整するにあたり、
前記保持部に保持された前記基板の表面の高さを第1の調整部で測定し、前記基板の表面をサーチし、
その後、前記保持部に保持された前記基板を第2の調整部で撮像し、撮像された画像から前記基板の表面の高さを取得し、
その後、取得された前記基板の表面の高さに基づいて、前記レーザ光の照射位置を算出する、基板処理方法。 - 前記レーザ照射部から前記基板に前記レーザ光の照射を開始する位置に前記保持部が配置された状態で、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを前記調整部で調整する、請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記レーザ照射部から照射されるレーザ光と別軸に設けられる、請求項10又は11に記載の基板処理方法。
- 前記レーザ光の照射位置の原点位置の設定を、前記保持部と前記レーザ照射部を相対的に移動させながら行う、請求項10又は11に記載の基板処理方法。
- 前記レーザ光の照射位置の原点位置の設定を、前記レーザ照射部を上昇又は加工させながら行う、請求項10又は11に記載の基板処理方法。
- 前記レーザ照射部から照射されるレーザ光と同軸に設けられた測定部によって、前記保持部に保持された前記基板の高さを測定することを有し、
前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射中、前記測定部によって前記基板の高さを測定し、当該測定された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置を前記原点位置に一致させる、請求項10又は11に記載の基板処理方法。 - 前記測定部によって前記基板の表面の高さを測定し、
前記測定された前記基板の表面の高さに基づいて、前記レーザ光の照射位置を算出する、請求項15に記載の基板処理方法。 - 前記保持部を回転させながら前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射する際の処理条件の変更を行う、請求項10又は11に記載の基板処理方法。
- 基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を保持部で保持することと、
レーザ照射部から前記保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射することと、
調整部によって、前記レーザ照射部から照射される前記レーザ光の照射位置を調整することと、を有し、
前記レーザ照射部による前記レーザ光の照射前に、前記基板において前記レーザ照射部から前記レーザ光の照射を開始する位置の高さを前記調整部で調整し、当該調整された高さに基づいて前記レーザ光の照射位置の原点位置を設定し、
前記基板にはノッチ部が形成され、
前記保持部を回転させながら前記レーザ照射部から前記レーザ光を照射する際、前記レーザ照射部から前記ノッチ部に前記レーザ光を照射しない、基板処理方法。
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