JP2019068084A - 基板接合方法および基板接合装置 - Google Patents
基板接合方法および基板接合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019068084A JP2019068084A JP2018225811A JP2018225811A JP2019068084A JP 2019068084 A JP2019068084 A JP 2019068084A JP 2018225811 A JP2018225811 A JP 2018225811A JP 2018225811 A JP2018225811 A JP 2018225811A JP 2019068084 A JP2019068084 A JP 2019068084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrates
- pair
- substrate bonding
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 480
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 25
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
特許文献1 特開2013−098186号公報
Claims (18)
- 一対の基板を重ね合わせて接合する基板接合方法であって、
前記一対の基板間の接合力が他の領域に対して相対的に弱い領域を設ける段階と、
前記一対の基板の接合面を相互に接触させて重ね合わせる重ね合わせ段階と、
重ね合わされた前記一対の基板の間の気体を前記領域に沿って移動させて除去する除去段階と、
を含む基板接合方法。 - 前記接合力が相対的に弱い領域は、前記接合面の活性度が他の領域よりも低い領域である請求項1に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板の間で気体が移動することを許容した状態で除去する請求項1または2に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板の一部に設定された加圧領域を加圧する段階を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板の面方向に沿って前記一対の基板の外縁部に向けて前記加圧領域を移動させる段階を含む請求項4に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記外縁部に向けて前記加圧領域を拡大する段階を含む請求項5に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記加圧領域と前記一対の基板の外縁部との間に、前記一対の基板間の接合力が相対的に弱い領域を設けることにより、前記気体の移動を許容する段階を含む請求項4から6のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、重ね合わされた前記一対の基板の一部を引き離すことにより前記気体の移動を許容する段階を含む請求項1から7のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板に挟まれた気体を加熱する段階を含む請求項1から8のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、減圧環境下で実行される請求項1から9のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記一対の基板の間の気泡の位置を検出する検出段階を更に含み、
前記除去段階は、前記検出段階で検出された前記気泡の位置に基づいて除去を行う請求項1から10のいずれか一項に記載の基板接合方法。 - 前記重ね合わせ段階の前に、前記一対の基板の各々における接合面を活性化する活性化段階を更に含む請求項1から11のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記活性化段階は、前記接合面を活性化した後の経過時間を調整することにより、前記接合面の活性の強さを調整する段階を含む請求項12に記載の基板接合方法。
- 除去した後に、前記一対の基板の接合強度を向上させるべく、重ね合わせた前記一対の基板を加圧する加圧段階を更に含む請求項1から13のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板の間から前記一対の基板の外側まで貫通した除去孔を前記一対の基板の少なくとも一方に穿孔する穿孔段階を含む請求項1から14のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記除去段階は、前記一対の基板の間に生じた複数の気泡を、前記一対の基板の間で併合させる併合段階を含む請求項1から15のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 前記重ね合わせ段階の後であって前記除去段階の前に、前記一対の基板の間に形成された気泡に含まれる塵芥を検出して、検出された前記塵芥を除去する徐塵段階を更に含む請求項1から16のいずれか一項に記載の基板接合方法。
- 一対の基板を重ね合わせて接合する基板接合装置であって、
前記一対の基板の接合面を相互に接触させて重ね合わせる重ね合わせ部と、
前記重ね合わせ部が重ね合わせた前記一対の基板の間の気体を除去する除去部と、
を備え、
前記除去部は、前記一対の基板間の接合力が他の領域に対して相対的に弱い領域に沿って前記気体を移動させて除去する基板接合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018225811A JP6631684B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基板接合方法および基板接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018225811A JP6631684B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基板接合方法および基板接合装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014114124A Division JP2015228449A (ja) | 2014-06-02 | 2014-06-02 | 基板接合方法および基板接合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019068084A true JP2019068084A (ja) | 2019-04-25 |
JP6631684B2 JP6631684B2 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=66338047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018225811A Active JP6631684B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基板接合方法および基板接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6631684B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0256918A (ja) * | 1988-05-24 | 1990-02-26 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウェハの直接接合方法 |
JPH05217973A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Nippon Steel Corp | 半導体基板貼付装置 |
JP2000348992A (ja) * | 1989-12-12 | 2000-12-15 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2002016239A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 基板の処理方法及び製造方法 |
JP2004363299A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 半導体接合ウエハ |
JP2008166586A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fujifilm Corp | 接合方法 |
JP2010034445A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | ウェーハ自動貼合せ装置およびウェーハ自動貼合せ方法 |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2018225811A patent/JP6631684B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0256918A (ja) * | 1988-05-24 | 1990-02-26 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウェハの直接接合方法 |
JP2000348992A (ja) * | 1989-12-12 | 2000-12-15 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法 |
JPH05217973A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Nippon Steel Corp | 半導体基板貼付装置 |
JP2002016239A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 基板の処理方法及び製造方法 |
JP2004363299A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 半導体接合ウエハ |
JP2008166586A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fujifilm Corp | 接合方法 |
JP2010034445A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | ウェーハ自動貼合せ装置およびウェーハ自動貼合せ方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6631684B2 (ja) | 2020-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108133903B (zh) | 接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质 | |
US20240014079A1 (en) | Substrate bonding apparatus and substrate bonding method | |
KR101770009B1 (ko) | 기판 분리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 분리 장치, 로드 락 장치 및 기판 접합 장치 | |
TW201423876A (zh) | 半導體晶圓安裝方法及半導體晶圓安裝裝置 | |
KR20130111533A (ko) | 접합시스템, 기판 처리 시스템, 접합방법, 프로그램 및 컴퓨터 저장매체 | |
JP2015228449A (ja) | 基板接合方法および基板接合装置 | |
KR20200046937A (ko) | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 | |
KR102478503B1 (ko) | 접합 방법 및 접합 장치 | |
KR20180002499A (ko) | 지지체 분리 장치, 및 지지체 분리 방법 | |
JP6412804B2 (ja) | 接合方法および接合システム | |
WO2021039405A1 (ja) | 接合装置、接合システム、及び接合方法 | |
WO2021084902A1 (ja) | チップ付き基板の製造方法、及び基板処理装置 | |
JP6631684B2 (ja) | 基板接合方法および基板接合装置 | |
JP6120749B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP6929452B2 (ja) | 基板処理システム、および基板処理方法 | |
CN112602168B (zh) | 接合装置的参数调整方法和接合系统 | |
JP6379493B2 (ja) | 接合方法、および接合装置 | |
JP5626710B2 (ja) | 基板貼り合わせ方法及び基板貼り合わせ装置 | |
JP5169543B2 (ja) | 半導体チップの実装装置 | |
JP2009194264A (ja) | 基板貼り合わせ装置 | |
CN111063631A (zh) | 晶片的加工方法 | |
WO2011105325A1 (ja) | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6417777B2 (ja) | 基板積層装置および基板積層方法 | |
JP5481950B2 (ja) | 重ね合わせ方法、重ね合わせ装置、位置合わせ装置および貼り合わせ装置 | |
JP2018201033A (ja) | 接合方法および接合装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6631684 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |