JP2003247958A - 半導体素子の外観検査装置 - Google Patents
半導体素子の外観検査装置Info
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- JP2003247958A JP2003247958A JP2002051349A JP2002051349A JP2003247958A JP 2003247958 A JP2003247958 A JP 2003247958A JP 2002051349 A JP2002051349 A JP 2002051349A JP 2002051349 A JP2002051349 A JP 2002051349A JP 2003247958 A JP2003247958 A JP 2003247958A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板裏面の欠陥を検査した後、対応す
る表面にマーキングする際に、短時間かつ精度良くマー
キングを行うようにし、隣接する良品に傷を付けること
のない半導体素子の外観検査装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板２を真空吸着して保持するた
めの保持手段であるチャック３と、チャック３を支持し
て半導体基板２をＸ−Ｙ−θの３軸方向に移動させる移
動手段であるＸ−Ｙ−θステージ４と、半導体基板２裏
面の欠陥を観察するための観察手段である顕微鏡５と、
半導体基板２の表面に不良識別マークを付けるマーキン
グ手段であるインク打点機構６と、顕微鏡５とインク打
点機構６を位置調整するための支持部材７ａ〜７ｅと固
定ネジ８ａ〜８ｆと、支持部材７ａ〜７ｅを介して顕微
鏡５とインク打点機構６を連動させるためのＸ−Ｙ−θ
ステージ９により構成されている。
る表面にマーキングする際に、短時間かつ精度良くマー
キングを行うようにし、隣接する良品に傷を付けること
のない半導体素子の外観検査装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板２を真空吸着して保持するた
めの保持手段であるチャック３と、チャック３を支持し
て半導体基板２をＸ−Ｙ−θの３軸方向に移動させる移
動手段であるＸ−Ｙ−θステージ４と、半導体基板２裏
面の欠陥を観察するための観察手段である顕微鏡５と、
半導体基板２の表面に不良識別マークを付けるマーキン
グ手段であるインク打点機構６と、顕微鏡５とインク打
点機構６を位置調整するための支持部材７ａ〜７ｅと固
定ネジ８ａ〜８ｆと、支持部材７ａ〜７ｅを介して顕微
鏡５とインク打点機構６を連動させるためのＸ−Ｙ−θ
ステージ９により構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の外観
検査装置に関し、特に半導体素子裏面の欠陥の有無を検
査し、不良と判断された半導体素子表面に不良識別マー
キングを行うマーキング手段を備えた半導体素子の外観
検査装置に関する。
検査装置に関し、特に半導体素子裏面の欠陥の有無を検
査し、不良と判断された半導体素子表面に不良識別マー
キングを行うマーキング手段を備えた半導体素子の外観
検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣの高密度化、高集積化が進む
につれて形成される回路パターンが益々微細化し、それ
に伴ない半導体基板に存在する異物、傷、汚れなどの欠
陥が製品の歩留り、信頼性に大きく影響するようになっ
てきた。そのため、回路パターンが形成された後に行わ
れる外観検査は、非常に重要な検査工程となる。特に、
半導体基板裏面に付着した異物は、次の工程などで隣接
する良品基板の表側に再付着して製品歩留りを低下させ
たり、外部取出電極との接着強度を低下させたり、電気
抵抗を増大させる。
につれて形成される回路パターンが益々微細化し、それ
に伴ない半導体基板に存在する異物、傷、汚れなどの欠
陥が製品の歩留り、信頼性に大きく影響するようになっ
てきた。そのため、回路パターンが形成された後に行わ
れる外観検査は、非常に重要な検査工程となる。特に、
半導体基板裏面に付着した異物は、次の工程などで隣接
する良品基板の表側に再付着して製品歩留りを低下させ
たり、外部取出電極との接着強度を低下させたり、電気
抵抗を増大させる。
【０００３】従来の半導体基板裏面の外観検査は、作業
者が顕微鏡により異物、傷、汚れ等の欠陥の有無を検査
した後、図５（ａ）に示すように、ピンセット６１等の
器具を使用して、半導体基板６２裏面の欠陥６３に対応
する表面部に傷６４を付け、図５（ｂ）に示すように、
マーカーペン６５により一定の大きさのインク打点６６
を行うか、あるいはダイヤモンドペン６７により深い傷
６８を付けて半導体素子６９の内部配線を切断するなど
して、表面側から不良と識別できるようにしていた。
者が顕微鏡により異物、傷、汚れ等の欠陥の有無を検査
した後、図５（ａ）に示すように、ピンセット６１等の
器具を使用して、半導体基板６２裏面の欠陥６３に対応
する表面部に傷６４を付け、図５（ｂ）に示すように、
マーカーペン６５により一定の大きさのインク打点６６
を行うか、あるいはダイヤモンドペン６７により深い傷
６８を付けて半導体素子６９の内部配線を切断するなど
して、表面側から不良と識別できるようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術には以下のような問題があった。作業者が、半導体基
板６２の表裏をピンセット６１で挟んで傷を付けている
ため、欠陥６３に対応する表面の正確な位置を探すのに
時間がかかり、検査の処理能力が低下するという問題や
隣接する良品にまで誤って傷を付け、製品歩留りを下げ
るという問題がある。また、マーカーペン６５やダイヤ
モンドペン６７によりインク打点６６、深い傷６８等の
不良識別マークをつけるときは、作業者が手作業で行う
ために一定の大きさのマークを付けることが難しく、後
工程でこのマークを読み取る際に、正確に認識されない
という問題もある。
術には以下のような問題があった。作業者が、半導体基
板６２の表裏をピンセット６１で挟んで傷を付けている
ため、欠陥６３に対応する表面の正確な位置を探すのに
時間がかかり、検査の処理能力が低下するという問題や
隣接する良品にまで誤って傷を付け、製品歩留りを下げ
るという問題がある。また、マーカーペン６５やダイヤ
モンドペン６７によりインク打点６６、深い傷６８等の
不良識別マークをつけるときは、作業者が手作業で行う
ために一定の大きさのマークを付けることが難しく、後
工程でこのマークを読み取る際に、正確に認識されない
という問題もある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、半導体基板裏面
の欠陥を検査した後、対応する表面にマーキングする際
に、短時間かつ精度良くマーキングを行うようにし、隣
接する良品に傷を付けることのない半導体素子の外観検
査装置を提供することにある。
の欠陥を検査した後、対応する表面にマーキングする際
に、短時間かつ精度良くマーキングを行うようにし、隣
接する良品に傷を付けることのない半導体素子の外観検
査装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係る半導体素子の外観検査装置
は、半導体基板を保持する保持手段と、前記半導体基板
の裏面を観察する観察手段と、前記半導体基板の表面に
不良識別マークを付けるマーキング手段とを備えたこと
を特徴とする。本構成によれば、半導体基板を保持した
状態で半導体素子裏面の欠陥を観察した後、直ちに不良
識別マーキングを行うことができるので、検査の処理能
力が向上する。
に、本発明の請求項１に係る半導体素子の外観検査装置
は、半導体基板を保持する保持手段と、前記半導体基板
の裏面を観察する観察手段と、前記半導体基板の表面に
不良識別マークを付けるマーキング手段とを備えたこと
を特徴とする。本構成によれば、半導体基板を保持した
状態で半導体素子裏面の欠陥を観察した後、直ちに不良
識別マーキングを行うことができるので、検査の処理能
力が向上する。
【０００７】本発明の請求項２に係る半導体素子の外観
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段と前記マーキング手段が、前記
半導体基板を挟んで同一線上に固定されていることを特
徴とする。本構成によれば、観察手段とマーキング手段
があらかじめ位置合わせされているので、半導体素子裏
面の欠陥を観察した後、作業者が対応する表面の正確な
位置を探す必要がなく、マーキング手段を作動させるだ
けで良い。これにより、検査の処理能力が向上するとと
もに、良品に誤って傷を付けることもない。また、一定
の大きさの不良識別マーキングも容易に行うことができ
る。
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段と前記マーキング手段が、前記
半導体基板を挟んで同一線上に固定されていることを特
徴とする。本構成によれば、観察手段とマーキング手段
があらかじめ位置合わせされているので、半導体素子裏
面の欠陥を観察した後、作業者が対応する表面の正確な
位置を探す必要がなく、マーキング手段を作動させるだ
けで良い。これにより、検査の処理能力が向上するとと
もに、良品に誤って傷を付けることもない。また、一定
の大きさの不良識別マーキングも容易に行うことができ
る。
【０００８】本発明の請求項３に係る半導体素子の外観
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段の近傍に異物除去手段を備えた
ことを特徴とする。本構成によれば、半導体基板裏面の
欠陥を観察した後、異物除去手段によりその欠陥が除去
できるかどうか確認し、除去できなかった場合にのみ、
不良識別マーキングを行うようにしたので、製品歩留り
が向上する。
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段の近傍に異物除去手段を備えた
ことを特徴とする。本構成によれば、半導体基板裏面の
欠陥を観察した後、異物除去手段によりその欠陥が除去
できるかどうか確認し、除去できなかった場合にのみ、
不良識別マーキングを行うようにしたので、製品歩留り
が向上する。
【０００９】本発明の請求項４に係る半導体素子の外観
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段の近傍に照明手段を備えたこと
を特徴とする。本構成によれば、照明手段により照射さ
れた光によって、半導体基板に存在する異物や傷等の欠
陥が乱反射するので、大きさや種類の異なる欠陥であっ
ても、容易に見つけることができて検査の信頼性が向上
する。
検査装置は、請求項１記載の半導体素子の外観検査装置
であって、前記観察手段の近傍に照明手段を備えたこと
を特徴とする。本構成によれば、照明手段により照射さ
れた光によって、半導体基板に存在する異物や傷等の欠
陥が乱反射するので、大きさや種類の異なる欠陥であっ
ても、容易に見つけることができて検査の信頼性が向上
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例を図面を参照
しながら説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第
１の実施例による半導体素子の外観検査装置１の構成を
示す一部断面側面図および正面図である。本発明の半導
体素子の外観検査装置１は、検査すべき半導体素子が多
数形成された半導体基板２を真空吸着して保持するため
の保持手段であるチャック３と、チャック３を支持して
半導体基板２をＸ−Ｙ−θ方向に移動させる移動手段で
あるＸ−Ｙ−θステージ４と、半導体基板２裏面の欠陥
を観察するための観察手段である顕微鏡５と、半導体基
板２の表面に不良識別マークを付けるマーキング手段で
あるインク打点機構６と、顕微鏡５とインク打点機構６
を位置調整するための支持部材７ａ〜７ｅと固定ネジ８
ａ〜８ｆと、支持部材７ａ〜７ｅを介して顕微鏡５とイ
ンク打点機構６を連動させるためのＸ−Ｙ−θステージ
９により構成されている。
しながら説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第
１の実施例による半導体素子の外観検査装置１の構成を
示す一部断面側面図および正面図である。本発明の半導
体素子の外観検査装置１は、検査すべき半導体素子が多
数形成された半導体基板２を真空吸着して保持するため
の保持手段であるチャック３と、チャック３を支持して
半導体基板２をＸ−Ｙ−θ方向に移動させる移動手段で
あるＸ−Ｙ−θステージ４と、半導体基板２裏面の欠陥
を観察するための観察手段である顕微鏡５と、半導体基
板２の表面に不良識別マークを付けるマーキング手段で
あるインク打点機構６と、顕微鏡５とインク打点機構６
を位置調整するための支持部材７ａ〜７ｅと固定ネジ８
ａ〜８ｆと、支持部材７ａ〜７ｅを介して顕微鏡５とイ
ンク打点機構６を連動させるためのＸ−Ｙ−θステージ
９により構成されている。
【００１１】チャック３は、下向きに保持された半導体
基板２の表面に、インク打点機構６により不良識別マー
クが付けられるように、検査領域に該当する略中央部が
開口した構造になっている。また、支持部材７ａ〜７ｅ
には、顕微鏡５とインク打点機構６を位置調整するため
の案内溝１０が設けられている。
基板２の表面に、インク打点機構６により不良識別マー
クが付けられるように、検査領域に該当する略中央部が
開口した構造になっている。また、支持部材７ａ〜７ｅ
には、顕微鏡５とインク打点機構６を位置調整するため
の案内溝１０が設けられている。
【００１２】次に、本発明の半導体素子の外観検査装置
１を用いた検査方法について説明する。先ず、半導体基
板２と同等の厚みを有する透明ガラス基板（図示せず）
をチャック３に真空吸着して固定した後、インク打点機
構６の位置合わせを行う。支持部材７ｄの案内溝１０に
沿って支持部材７ｅを移動させ、インク打点機構６が透
明ガラス基板の略中央部の延長線上にきたところで、固
定ネジ８ｅで支持部材７ｄ、７ｅを固定する。次に、支
持部材７ｅの案内溝１０に沿ってインク打点機構６を移
動させ、透明ガラス基板の略中央部にきたところで、固
定ネジ８ｆで支持部材７ｅ、インク打点機構６を固定す
る。次に、支持部材７ａの案内溝１０に沿って支持部材
７ｄを移動させ、インク打点機構６が透明ガラス基板下
面にインク打点できる位置にきたところで、固定ネジ８
ｄで支持部材７ａ、７ｄを固定する。次に、インク打点
機構６のインク打点テストを行い、透明ガラス基板下面
に正常にインク打点できることを確認する。
１を用いた検査方法について説明する。先ず、半導体基
板２と同等の厚みを有する透明ガラス基板（図示せず）
をチャック３に真空吸着して固定した後、インク打点機
構６の位置合わせを行う。支持部材７ｄの案内溝１０に
沿って支持部材７ｅを移動させ、インク打点機構６が透
明ガラス基板の略中央部の延長線上にきたところで、固
定ネジ８ｅで支持部材７ｄ、７ｅを固定する。次に、支
持部材７ｅの案内溝１０に沿ってインク打点機構６を移
動させ、透明ガラス基板の略中央部にきたところで、固
定ネジ８ｆで支持部材７ｅ、インク打点機構６を固定す
る。次に、支持部材７ａの案内溝１０に沿って支持部材
７ｄを移動させ、インク打点機構６が透明ガラス基板下
面にインク打点できる位置にきたところで、固定ネジ８
ｄで支持部材７ａ、７ｄを固定する。次に、インク打点
機構６のインク打点テストを行い、透明ガラス基板下面
に正常にインク打点できることを確認する。
【００１３】今度は、顕微鏡５の位置合わせを行なう。
インク打点機構６の位置合わせの場合と同様にして、支
持部材７ａ〜７ｃ、支持部材７ａ〜７ｃの案内溝１０、
固定ネジ８ａ〜８ｃを使って、顕微鏡５が透明ガラス基
板の略中央部にくるように位置合わせして固定する。次
に、顕微鏡５の接眼レンズを覗きながら、焦点を透明ガ
ラス基板の下面に合わせた後、視野部に設けられた十字
線の中心部に、先にインク打点機構６により打点した不
良識別マーク中心部を合わせ、顕微鏡５とインク打点機
構６が透明ガラス基板を挟んで同一線上になるように正
確に位置決めする。次に、顕微鏡５の焦点が透明ガラス
基板の上面に合うように高さを再調整する。
インク打点機構６の位置合わせの場合と同様にして、支
持部材７ａ〜７ｃ、支持部材７ａ〜７ｃの案内溝１０、
固定ネジ８ａ〜８ｃを使って、顕微鏡５が透明ガラス基
板の略中央部にくるように位置合わせして固定する。次
に、顕微鏡５の接眼レンズを覗きながら、焦点を透明ガ
ラス基板の下面に合わせた後、視野部に設けられた十字
線の中心部に、先にインク打点機構６により打点した不
良識別マーク中心部を合わせ、顕微鏡５とインク打点機
構６が透明ガラス基板を挟んで同一線上になるように正
確に位置決めする。次に、顕微鏡５の焦点が透明ガラス
基板の上面に合うように高さを再調整する。
【００１４】そして、チャック３から透明ガラス基板を
外して、半導体基板２を裏面が上側になるよう真空吸着
して固定する。次に、Ｘ−Ｙ−θステージ４により半導
体基板２を前後左右に移動させながら、半導体基板２裏
面の外観検査を行う。顕微鏡５の接眼レンズを覗きなが
ら、見つけた欠陥の大きさや種類を確認し、必要に応じ
て欠陥のデータを記録するとともに、視野部の十字線に
欠陥の中心部を合わせる。次に、インク打点機構６を作
動させて、フェノールやエポキシ等のインク材を使っ
て、対応する不良の半導体素子表面に下側からインク打
点を行う。このとき、不良識別マークの色もしくはの大
きさを変えるようにすれば、別工程で行われる半導体素
子表面の欠陥による不良識別マークと区別することがで
きる。
外して、半導体基板２を裏面が上側になるよう真空吸着
して固定する。次に、Ｘ−Ｙ−θステージ４により半導
体基板２を前後左右に移動させながら、半導体基板２裏
面の外観検査を行う。顕微鏡５の接眼レンズを覗きなが
ら、見つけた欠陥の大きさや種類を確認し、必要に応じ
て欠陥のデータを記録するとともに、視野部の十字線に
欠陥の中心部を合わせる。次に、インク打点機構６を作
動させて、フェノールやエポキシ等のインク材を使っ
て、対応する不良の半導体素子表面に下側からインク打
点を行う。このとき、不良識別マークの色もしくはの大
きさを変えるようにすれば、別工程で行われる半導体素
子表面の欠陥による不良識別マークと区別することがで
きる。
【００１５】以上説明したように、本発明の半導体素子
の外観検査装置１は、あらかじめ顕微鏡５とインク打点
機構６が、半導体基板２を挟んで同一線上に正確に位置
決めされているので、作業者が顕微鏡５により半導体基
板２裏面の欠陥を観察した後、直ちにインク打点機構６
を作動すれば、対応する不良の半導体素子表面に下側か
ら正確にマーキングされるので、改めて対応する不良の
半導体素子表面の位置を探す必要がなくなり、検査の処
理能力が向上するとともに、良品に誤って傷を付けるこ
ともない。また、一定の大きさの不良識別マーキングを
容易に行うことができる。
の外観検査装置１は、あらかじめ顕微鏡５とインク打点
機構６が、半導体基板２を挟んで同一線上に正確に位置
決めされているので、作業者が顕微鏡５により半導体基
板２裏面の欠陥を観察した後、直ちにインク打点機構６
を作動すれば、対応する不良の半導体素子表面に下側か
ら正確にマーキングされるので、改めて対応する不良の
半導体素子表面の位置を探す必要がなくなり、検査の処
理能力が向上するとともに、良品に誤って傷を付けるこ
ともない。また、一定の大きさの不良識別マーキングを
容易に行うことができる。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照して説明する。図２は、本発明の第２の実施例に
よる半導体素子の外観検査装置２１の構成を示す一部断
面側面図である。第１の実施例との相違は、顕微鏡５の
近傍に、新たに半導体基板２裏面に光を斜め上方から照
射する照明手段であるランプ２２と、半導体基板２裏面
の異物を除去するための異物除去手段であるエアー噴射
ノズル２３を設けたことである。他の構成は第１実施例
と同じであるので、同一符号を付し、かかる部分の説明
は省略する。本発明の第２の実施例による半導体素子の
外観検査装置２１の作用について説明する。照明手段で
あるランプ２２により、半導体基板２裏面の斜め上方か
ら、照明光を検査領域に照射する。これにより、半導体
基板２上の欠陥が乱反射するので、その乱反射光によっ
て、欠陥の存在位置を容易に確認できる。このとき同時
に、半導体基板２をＸ−Ｙ−θステージ４により回転さ
せ、角度調整ネジ２４によりランプ２２の照射角度を適
宜変えるようにすると、種類や大きさによって散乱強度
の異なる欠陥がさらに容易に見つけ易くなり、外観検査
の信頼性が大きく向上する。
を参照して説明する。図２は、本発明の第２の実施例に
よる半導体素子の外観検査装置２１の構成を示す一部断
面側面図である。第１の実施例との相違は、顕微鏡５の
近傍に、新たに半導体基板２裏面に光を斜め上方から照
射する照明手段であるランプ２２と、半導体基板２裏面
の異物を除去するための異物除去手段であるエアー噴射
ノズル２３を設けたことである。他の構成は第１実施例
と同じであるので、同一符号を付し、かかる部分の説明
は省略する。本発明の第２の実施例による半導体素子の
外観検査装置２１の作用について説明する。照明手段で
あるランプ２２により、半導体基板２裏面の斜め上方か
ら、照明光を検査領域に照射する。これにより、半導体
基板２上の欠陥が乱反射するので、その乱反射光によっ
て、欠陥の存在位置を容易に確認できる。このとき同時
に、半導体基板２をＸ−Ｙ−θステージ４により回転さ
せ、角度調整ネジ２４によりランプ２２の照射角度を適
宜変えるようにすると、種類や大きさによって散乱強度
の異なる欠陥がさらに容易に見つけ易くなり、外観検査
の信頼性が大きく向上する。
【００１７】さらに、欠陥を確認した後、顕微鏡５近傍
に同時に設けた異物除去手段であるエアー噴射ノズル２
３により、ノズル先端からエアーを欠陥に吹き付けて欠
陥が除去可能かどうか確認する。除去できない異物の場
合のみ、作業者がインク打点機構６により、対応する不
良の半導体素子表面に下側からインク打点を行うように
する。このようにすれば、付着力の弱い異物等の欠陥が
除去されるので、製品の歩留りが向上し、コスト削減に
効果がある。
に同時に設けた異物除去手段であるエアー噴射ノズル２
３により、ノズル先端からエアーを欠陥に吹き付けて欠
陥が除去可能かどうか確認する。除去できない異物の場
合のみ、作業者がインク打点機構６により、対応する不
良の半導体素子表面に下側からインク打点を行うように
する。このようにすれば、付着力の弱い異物等の欠陥が
除去されるので、製品の歩留りが向上し、コスト削減に
効果がある。
【００１８】照明手段であるランプ２２の光源として
は、白熱電球、ハロゲン電球等が好適する。また、異物
除去手段としては、エアー噴射ノズル２３以外に、ノズ
ル先端から異物を吸引して除去する方法等もある。
は、白熱電球、ハロゲン電球等が好適する。また、異物
除去手段としては、エアー噴射ノズル２３以外に、ノズ
ル先端から異物を吸引して除去する方法等もある。
【００１９】また、実施例１、２では顕微鏡とインク打
点機構の位置合わせを手動で行う例について説明した
が、自動で行うようにしても良い。図３は、本発明の半
導体素子の外観検査装置３１の自動位置調整例を示す一
部断面側面図および正面図である。
点機構の位置合わせを手動で行う例について説明した
が、自動で行うようにしても良い。図３は、本発明の半
導体素子の外観検査装置３１の自動位置調整例を示す一
部断面側面図および正面図である。
【００２０】先ず、顕微鏡３２をＸ、Ｙ、Ｚ方向に位置
調整する機構について説明する。支持部材３４ａ〜３４
ｃに固定された電動モータであるステッピングモータ３
５ａ〜３５ｃを駆動源として、それぞれ連結するボール
ネジ３６ａ〜３６ｃを介して、回転運動を直線運動に変
換することによって、顕微鏡３２をガイドレール３７ａ
〜３７ｃに沿って、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動させるもので
ある。顕微鏡３２をθ方向に回転させるときは、Ｘ−Ｙ
−θステージ３８を使用する。
調整する機構について説明する。支持部材３４ａ〜３４
ｃに固定された電動モータであるステッピングモータ３
５ａ〜３５ｃを駆動源として、それぞれ連結するボール
ネジ３６ａ〜３６ｃを介して、回転運動を直線運動に変
換することによって、顕微鏡３２をガイドレール３７ａ
〜３７ｃに沿って、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動させるもので
ある。顕微鏡３２をθ方向に回転させるときは、Ｘ−Ｙ
−θステージ３８を使用する。
【００２１】同様に、インク打点機構３３をＸ、Ｙ、Ｚ
方向に位置調整する際にも、支持部材３４ａ、３４ｄ、
３４ｅに固定された電動モータであるステッピングモー
タ３５ｄ〜３５ｆを駆動源として、それぞれ連結するボ
ールネジ３６ｄ〜３６ｆを介して、回転運動を直線運動
に変換することによって、インク打点機構３３をガイド
レール３７ｄ〜３７ｆに沿って、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動
させるものである。インク打点機構３３をθ方向に回転
させるときも、Ｘ−Ｙ−θステージ３８を使用する。半
導体基板３９をチャック４０に固定して、Ｘ−Ｙ−θス
テージ４１で駆動させる方法や、半導体基板３９裏面の
欠陥を観察する方法、対応する不良半導体素子表面に不
良識別マークを付ける方法については、上述した実施例
１、２と同様にして行う。
方向に位置調整する際にも、支持部材３４ａ、３４ｄ、
３４ｅに固定された電動モータであるステッピングモー
タ３５ｄ〜３５ｆを駆動源として、それぞれ連結するボ
ールネジ３６ｄ〜３６ｆを介して、回転運動を直線運動
に変換することによって、インク打点機構３３をガイド
レール３７ｄ〜３７ｆに沿って、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動
させるものである。インク打点機構３３をθ方向に回転
させるときも、Ｘ−Ｙ−θステージ３８を使用する。半
導体基板３９をチャック４０に固定して、Ｘ−Ｙ−θス
テージ４１で駆動させる方法や、半導体基板３９裏面の
欠陥を観察する方法、対応する不良半導体素子表面に不
良識別マークを付ける方法については、上述した実施例
１、２と同様にして行う。
【００２２】このようにすれば、顕微鏡３２とインク打
点機構３３の位置合わせを、手動の時よりもさらに短時
間に精度良く行うことができる。
点機構３３の位置合わせを、手動の時よりもさらに短時
間に精度良く行うことができる。
【００２３】以上、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明したが、本発明は前実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、図４に示すように、観察手段として、顕微鏡５
１とテレビカメラ５２とディスプレイ５３を組合せても
良い。このようにすれば、チャック５４に保持された半
導体基板５５裏面の欠陥を観察するときに、顕微鏡５１
の接眼レンズを覗くことなく、ディスプレイ５３上で欠
陥の大きさや種類を識別でき、作業者の作業効率が向上
する。また、マーキング手段であるインク打点機構５６
近傍にＣＣＤカメラ５７を設け、ディスプレイ５８でモ
ニタするようにしても良い。このようにすれば、不良識
別マークの大きさや色が容易に確認でき、インク打点忘
れも防止できる。
説明したが、本発明は前実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、図４に示すように、観察手段として、顕微鏡５
１とテレビカメラ５２とディスプレイ５３を組合せても
良い。このようにすれば、チャック５４に保持された半
導体基板５５裏面の欠陥を観察するときに、顕微鏡５１
の接眼レンズを覗くことなく、ディスプレイ５３上で欠
陥の大きさや種類を識別でき、作業者の作業効率が向上
する。また、マーキング手段であるインク打点機構５６
近傍にＣＣＤカメラ５７を設け、ディスプレイ５８でモ
ニタするようにしても良い。このようにすれば、不良識
別マークの大きさや色が容易に確認でき、インク打点忘
れも防止できる。
【００２４】本実施例では、マーキング手段として、イ
ンクにより打点するインクマーキング方式等について説
明したが、その他の方式として半導体素子の表面に引っ
掻き傷を付けるマーカ針を有するスクラッチマーキング
方式、レーザ光をファイバにて半導体素子表面に収束さ
せ、半導体素子表面を溶かすレーザマーキング方式等の
いずれを用いても良い。この場合は、インク乾燥工程が
不要となるので、検査時間が短縮できる。
ンクにより打点するインクマーキング方式等について説
明したが、その他の方式として半導体素子の表面に引っ
掻き傷を付けるマーカ針を有するスクラッチマーキング
方式、レーザ光をファイバにて半導体素子表面に収束さ
せ、半導体素子表面を溶かすレーザマーキング方式等の
いずれを用いても良い。この場合は、インク乾燥工程が
不要となるので、検査時間が短縮できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体素
子の外観検査装置によれば、半導体基板裏面の欠陥を観
察する観察手段と半導体素子表面に不良マーキングを行
うマーキング手段が、半導体基板を挟んで同一線上に固
定されているので、作業者が裏面の欠陥を観察した後、
直ちにインク打点機構を作動させるだけで良い。これに
より、対応する不良半導体素子表面に正確にインク打点
できるので、作業者が対応する表面の正確な位置を探す
必要がなく、検査の時間短縮や精度アップに効果があ
る。また、観察手段近傍に異物除去手段や半導体基板を
照らす照明手段を設けることにより、付着力の弱い欠陥
が除去でき、また種類や大きさの異なる欠陥も見つけ易
くなるので、製品の歩留り向上や外観検査の信頼性向上
にも効果がある。
子の外観検査装置によれば、半導体基板裏面の欠陥を観
察する観察手段と半導体素子表面に不良マーキングを行
うマーキング手段が、半導体基板を挟んで同一線上に固
定されているので、作業者が裏面の欠陥を観察した後、
直ちにインク打点機構を作動させるだけで良い。これに
より、対応する不良半導体素子表面に正確にインク打点
できるので、作業者が対応する表面の正確な位置を探す
必要がなく、検査の時間短縮や精度アップに効果があ
る。また、観察手段近傍に異物除去手段や半導体基板を
照らす照明手段を設けることにより、付着力の弱い欠陥
が除去でき、また種類や大きさの異なる欠陥も見つけ易
くなるので、製品の歩留り向上や外観検査の信頼性向上
にも効果がある。
【図１】 本発明の第１の実施例による半導体素子の外
観検査装置の構成を示す一部断面側面図および正面図
観検査装置の構成を示す一部断面側面図および正面図
【図２】 本発明の第２の実施例による半導体素子の外
観検査装置の構成を示す一部断面側面図
観検査装置の構成を示す一部断面側面図
【図３】 本発明の半導体素子の外観検査装置の自動位
置調整例を示す一部断面側面図および正面図
置調整例を示す一部断面側面図および正面図
【図４】 本発明の半導体素子の外観検査装置の変形例
を示す一部断面側面図
を示す一部断面側面図
【図５】 従来の半導体素子の外観検査の例を説明する
図
図
１ 外観検査装置
２ 半導体基板
３ チャック
４ ステージ
５ 顕微鏡
６ インク打点機構
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ 支持部材
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ 固定ネジ
９ Ｘ−Ｙ−θステージ
２１ 外観検査装置
２２ ランプ
２３ エアー噴射ノズル
２４ 角度調整ネジ
３１ 外観検査装置
３２ 顕微鏡
３３ インク打点機構
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅ 支持部材
３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆ ス
テッピングモータ ３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ、３６ｅ、３６ｆ ボ
ールネジ ３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、３７ｅ、３７ｆ ガ
イドレール ３８ Ｘ−Ｙ−θステージ ３９ 半導体基板 ４０ チャック ４１ Ｘ−Ｙ−θステージ ５１ 顕微鏡 ５２ テレビカメラ ５３ ディスプレイ ５４ チャック ５５ 半導体基板 ５６ インク打点機構 ５７ ＣＣＤカメラ ５８ ディスプレイ ６１ ピンセット ６２ 半導体基板 ６３ 欠陥 ６４ 傷 ６５ マーカーペン ６６ インク打点 ６７ ダイヤモンドペン ６８ 深い傷 ６９ 半導体素子
テッピングモータ ３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ、３６ｅ、３６ｆ ボ
ールネジ ３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、３７ｅ、３７ｆ ガ
イドレール ３８ Ｘ−Ｙ−θステージ ３９ 半導体基板 ４０ チャック ４１ Ｘ−Ｙ−θステージ ５１ 顕微鏡 ５２ テレビカメラ ５３ ディスプレイ ５４ チャック ５５ 半導体基板 ５６ インク打点機構 ５７ ＣＣＤカメラ ５８ ディスプレイ ６１ ピンセット ６２ 半導体基板 ６３ 欠陥 ６４ 傷 ６５ マーカーペン ６６ インク打点 ６７ ダイヤモンドペン ６８ 深い傷 ６９ 半導体素子
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板を保持する保持手段と、前記半
導体基板の裏面を観察する観察手段と、前記半導体基板
の表面に不良識別マークを付けるマーキング手段とを備
えたことを特徴とする半導体素子の外観検査装置。 - 【請求項２】前記観察手段と前記マーキング手段が、前
記半導体基板を挟んで同一線上に固定されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体素子の外観検査装置。 - 【請求項３】前記観察手段の近傍に異物除去手段を備え
たことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の外観検
査装置。 - 【請求項４】前記観察手段の近傍に照明手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体素子の外観検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051349A JP2003247958A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 半導体素子の外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051349A JP2003247958A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 半導体素子の外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003247958A true JP2003247958A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28663341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002051349A Pending JP2003247958A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 半導体素子の外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003247958A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008261667A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2010032456A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Alpha- Design Kk | ガラス基板検査装置 |
| CN105445286A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-03-30 | 沈阳建筑大学 | 玻璃保险丝管产品上标志质量缺陷检测方法及装置 |
| CN110561377A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-13 | 中国一冶集团有限公司 | 简易精准打点装置 |
| CN113289935A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-24 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种用于背光源标记的打点方法 |
| CN115230346A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-10-25 | 河南汇达印通科技股份有限公司 | 感光材料板生产装置和生产方法 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051349A patent/JP2003247958A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008261667A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2010032456A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Alpha- Design Kk | ガラス基板検査装置 |
| CN105445286A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-03-30 | 沈阳建筑大学 | 玻璃保险丝管产品上标志质量缺陷检测方法及装置 |
| CN110561377A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-13 | 中国一冶集团有限公司 | 简易精准打点装置 |
| CN113289935A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-24 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种用于背光源标记的打点方法 |
| CN115230346A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-10-25 | 河南汇达印通科技股份有限公司 | 感光材料板生产装置和生产方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041126 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050119 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |