KR20030033435A - 평판 표시 소자의 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 상기 공정 챔버 내부로 도입되는 상기 기판을 수용하는 기판부,상기 기판에 상기 증착막을 형성하기 위한 복수의 소스 공급관이 설치되어 있는 소스부 및상기 공정 챔버로부터 상기 소스부를 선택적으로 착탈시키는 분리부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 분리부는 게이트 벨브 또는 버터 플라이 밸로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 소스부의 압력을 선택적으로 변화시키기 위한 압력 조절 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 압력 조절 수단은 상기 소스부 내의 분위기 가스를 배출시키기 위한 진공 펌프와 상기 소스부로 분위기 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판부는 기판부 하우징과 상기 기판부 하우징 내에 설치되는 기판 셔더를 포함하고, 상기 기판 셔터는 2개 이상의 기판 셔터 조각으로 이루어져 상기 기판을 선택적으로 가리는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상부에 배치되는 세도우 마스크와, 상기 세도우 마스크와 상기 기판 셔터 사이에 설치되며 상기 세도우 마스크가 안착될 마스크 홀더를 더 구비하고, 상기 기판 셔터 중의 어느 하나의 기판 셔터 조각은 상기 마스크 홀더의 일면에 고정되고 다른 하나의 기판 셔터 조각은 상기 마스크 홀더의 다른 일면에 고정되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지며, 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크 및 상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우 마스크의 타면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판부 하우징 내의 상기 세도우 마스크의 상기 일면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크, 상기 기판부 내의 상기 세도우 마스크 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생 장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 9항에 있어서, 상기 세도우 마스크 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 기판부는 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 기판부는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조장치.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 난반사 물질이 코팅되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐 차단판, 상기 밀폐 차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징, 상기 밀폐 차단판을 관통하면서 탁찰가능하도록 설치된 복수의 소스 공급관 및 상기 밀폐 차단판과 탁찰가능하게 고정되어 상기 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 소스부는,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되고 상기 분리부를 향해 신장하는 샤프트,상기 소스부 하우징 내에서 상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막 및상기 복수의 소스 공급관으로터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서, 상기 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 포함하는 두께 관측기 어셈블리를 더 포함하고,상기 복수의 분리막은 쌍을 이루는 상기 소스 공급관과 소스 셔터를 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 두께 관측기 어셈블리의 샤프트와 상기 밀폐 차단판 중앙부 사이에서 이들과 각각 탁찰가능하게 연결되되, 상기 복수의 소스 공급관 각각의 위치에 대응되는 상기 복수의 두께 관측기 각각의 위치를 결정하기 위한 세팅부가 마련되어 있는 분리체를 더 포함하고, 상기 분리체와 접촉하는 상기 두께 관측기 어셈블리의 샤프트 표면 및 상기 차단판 표면에는 상기 세팅부에 대응되는 대응 세팅부가 형성되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판에 증착된 막의 두께를 측정하기 위한 두께 관측기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 13 항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 소스부 하우징의 내벽에 탁찰 가능하게 설치되어 있는 차폐판을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐차단판, 상기 밀폐차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징, 상기 밀폐 차단판을 관통하도록 설치된 복수의 소스 공급관 및 상기 밀폐 차단판과 탁찰가능하게 고정되어 상기 소스부 하우징 내부에 위치하는 상기 복수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 18항에 있어서, 상기 소스부는,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되어 상기 분리부를 향해 신장하는 샤프트,상기 소스부 하우징 내에서 상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 밀폐 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막 및상기 복수의 소스 공급관으로부터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서, 상기 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 포함하는 두께 관측기 어셈블리를 포함하고,상기 복수의 분리막은 쌍을 이루는 상기 소스 공급관과 소스 셔터를 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 19항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지며 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크 및 상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우마스크의 타면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 20항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판부 하우징 내의 상기 세도우 마스크의 상기 일면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 얼라인 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 기판부는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스부는 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐 차단판, 상기 밀폐 차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징 및 상기 소스부 하우징의 내벽에 탁찰 가능하게 설치되어 있는 차폐판을 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 하우징의 하단부에 설치되어 상기 공정 챔버 내부를 밀폐시키기 위한 밀폐 차단판,상기 밀폐 차단판을 관통하도록 설치된 복수의 소스 공급관,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되어 상기 공정 챔버의 상단부를 향해 신장하는 샤프트,상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 밀폐 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막을 구비하고,상기 복수의 분리막은 복수의 소스 공급관 각각을 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 24항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 복수의 소스 공급관으로부터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서 상기 복수의 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 25항에 있어서, 상기 공정 챔버는, 상기 공정 챔버 내의 상기 샤프트 상부에 설치된 기판 셔터 및 상기 유기물 소스 공급관과 쌍을 이루면서 상기 밀폐 차단판에 고정가능하게 설치되어 상기 다수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 하우징의 하단부에 설치된 밀폐 차단판,상기 밀폐 차단판에 설치된 복수의 소스 공급관,상기 밀폐 차단판에 고정가능하게 설치되어 상기 다수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터 및상기 소스 셔터 상부에 위치하며 상기 기판을 선택적으로 가리기 위한 기판 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 내부에 설치되되, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지고, 상기 기판이 밀착될 상부 표면을 가지는 세도우 마스크 및상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우 마스크의 상부 표면에 대응하는 하부 표면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항에 있어서, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크의 상부 표면에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더와 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 난반사 물질이 코팅되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,공정 챔버 하우징 내부에 설치되되, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지고, 상기 기판이 밀착될 상부 표면을 가지는 세도우 마스크,상기 세도우 마스크의 상부 표면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 32항에 있어서, 상기 세도우 마스크 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원이 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
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KR100674019B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 제조 방법 |
KR100781613B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 화상표시장치, 유기발광다이오드 장치 및 그것의 제조 방법 |
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KR100362333B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2002-11-23 | 주식회사 켐트로닉 | 유기발광소자 제조용 박막 증착장치 |
KR100462046B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2004-12-16 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기물 디스플레이의 무기물막 증착 장치 |
-
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100469251B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 글래스 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 유기 el표시소자 |
KR100674019B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 제조 방법 |
KR100781613B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 화상표시장치, 유기발광다이오드 장치 및 그것의 제조 방법 |
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