KR100420935B1 - 평판 표시 소자의 제조 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 318
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 153
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 139
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 46
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 239000010408 film Substances 0.000 description 69
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 8
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (33)
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 상기 공정 챔버 내부로 도입되는 상기 기판을 수용하는 기판부,상기 기판에 상기 증착막을 형성하기 위한 복수의 소스 공급관이 설치되어 있는 소스부 및상기 공정 챔버로부터 상기 소스부를 선택적으로 착탈시키는 분리부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 분리부는 게이트 벨브 또는 버터 플라이 밸로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 소스부의 압력을 선택적으로 변화시키기 위한 압력 조절 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 압력 조절 수단은 상기 소스부 내의 분위기 가스를 배출시키기 위한 진공 펌프와 상기 소스부로 분위기 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판부는 기판부 하우징과 상기 기판부 하우징 내에 설치되는 기판 셔더를 포함하고, 상기 기판 셔터는 2개 이상의 기판 셔터 조각으로 이루어져 상기 기판을 선택적으로 가리는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상부에 배치되는 세도우 마스크와, 상기 세도우 마스크와 상기 기판 셔터 사이에 설치되며 상기 세도우 마스크가 안착될 마스크 홀더를 더 구비하고, 상기 기판 셔터 중의 어느 하나의 기판 셔터 조각은 상기 마스크 홀더의 일면에 고정되고 다른 하나의 기판 셔터 조각은 상기 마스크 홀더의 다른 일면에 고정되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지며, 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크 및 상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우 마스크의 타면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판부 하우징 내의 상기 세도우 마스크의 상기 일면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크, 상기 기판부 내의 상기 세도우 마스크 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생 장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 9항에 있어서, 상기 세도우 마스크 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 기판부는 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 기판부는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조장치.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 난반사 물질이 코팅되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐 차단판, 상기 밀폐 차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징, 상기 밀폐 차단판을 관통하면서 탁찰가능하도록 설치된 복수의 소스 공급관 및 상기 밀폐 차단판과 탁찰가능하게 고정되어 상기 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 소스부는,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되고 상기 분리부를 향해 신장하는 샤프트,상기 소스부 하우징 내에서 상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막 및상기 복수의 소스 공급관으로터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서, 상기 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 포함하는 두께 관측기 어셈블리를 더 포함하고,상기 복수의 분리막은 쌍을 이루는 상기 소스 공급관과 소스 셔터를 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 두께 관측기 어셈블리의 샤프트와 상기 밀폐 차단판 중앙부 사이에서 이들과 각각 탁찰가능하게 연결되되, 상기 복수의 소스 공급관 각각의 위치에 대응되는 상기 복수의 두께 관측기 각각의 위치를 결정하기 위한 세팅부가 마련되어 있는 분리체를 더 포함하고, 상기 분리체와 접촉하는 상기 두께 관측기 어셈블리의 샤프트 표면 및 상기 차단판 표면에는 상기 세팅부에 대응되는 대응 세팅부가 형성되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판에 증착된 막의 두께를 측정하기 위한 두께 관측기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 13 항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 소스부 하우징의 내벽에 탁찰 가능하게 설치되어 있는 차폐판을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 소스부는, 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐차단판, 상기 밀폐차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징, 상기 밀폐 차단판을 관통하도록 설치된 복수의 소스 공급관 및 상기 밀폐 차단판과 탁찰가능하게 고정되어 상기 소스부 하우징 내부에 위치하는 상기 복수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 18항에 있어서, 상기 소스부는,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되어 상기 분리부를 향해 신장하는 샤프트,상기 소스부 하우징 내에서 상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 밀폐 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막 및상기 복수의 소스 공급관으로부터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서, 상기 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 포함하는 두께 관측기 어셈블리를 포함하고,상기 복수의 분리막은 쌍을 이루는 상기 소스 공급관과 소스 셔터를 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 19항에 있어서, 상기 기판부는 상기 기판 셔터 상면에 배치되고, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지며 상기 기판과 마주하는 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 세도우 마스크 및 상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우마스크의 타면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 20항에 있어서, 상기 기판부는, 상기 기판부 하우징 내의 상기 세도우 마스크의 상기 일면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 얼라인 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 기판부는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스부는 상기 기판과 평행하게 배치되는 밀폐 차단판, 상기 밀폐 차단판의 외주면에서부터 상기 분리부로 향해 신장하여 상기 분리부와 연결되는 소스부 하우징 및 상기 소스부 하우징의 내벽에 탁찰 가능하게 설치되어 있는 차폐판을 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 하우징의 하단부에 설치되어 상기 공정 챔버 내부를 밀폐시키기 위한 밀폐 차단판,상기 밀폐 차단판을 관통하도록 설치된 복수의 소스 공급관,상기 밀폐 차단판의 중앙부에 탁찰가능하게 연결되어 상기 공정 챔버의 상단부를 향해 신장하는 샤프트,상기 샤프트의 외주면에서부터 방사형으로 신장하되 상기 밀폐 차단판과 직교하는 평면을 가지는 복수의 분리막을 구비하고,상기 복수의 분리막은 복수의 소스 공급관 각각을 구획하도록 배치되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 24항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 복수의 소스 공급관으로부터 소스가 기판으로 증발하는 것을 방해하지 않는 범위내에서 상기 복수의 분리막의 평면의 소정 부분에 부착된 복수의 두께 관측기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 25항에 있어서, 상기 공정 챔버는, 상기 공정 챔버 내의 상기 샤프트 상부에 설치된 기판 셔터 및 상기 유기물 소스 공급관과 쌍을 이루면서 상기 밀폐 차단판에 고정가능하게 설치되어 상기 다수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 하우징의 하단부에 설치된 밀폐 차단판,상기 밀폐 차단판에 설치된 복수의 소스 공급관,상기 밀폐 차단판에 고정가능하게 설치되어 상기 다수의 소스 공급관을 선택적으로 개폐시키기 위한 복수의 소스 셔터 및상기 소스 셔터 상부에 위치하며 상기 기판을 선택적으로 가리기 위한 기판 셔터를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,상기 공정 챔버 내부에 설치되되, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지고, 상기 기판이 밀착될 상부 표면을 가지는 세도우 마스크 및상기 세도우 마스크의 상기 액티브 영역을 개방하는 개구부가 형성되어 있으며 상기 세도우 마스크의 상부 표면에 대응하는 하부 표면에 장착되어 상기 프레임의 적어도 일부분을 지지하는 보조 마스크를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항에 있어서, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크의 상부 표면에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더와 상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 더 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 홀이 형성되어 있으며, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 세도우 마스크의 프레임 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 보조 마스크 중, 상기 세도우 마스크 정렬 키의 표시 위치에 대응되는 위치에 난반사 물질이 코팅되어 있는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 기판 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 공정 챔버를 갖되,상기 공정 챔버는, 공정 챔버 하우징,공정 챔버 하우징 내부에 설치되되, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 가장자리에 형성된 프레임으로 이루어지고, 상기 기판이 밀착될 상부 표면을 가지는 세도우 마스크,상기 세도우 마스크의 상부 표면 상부에 설치되어 상기 기판을 붙잡기 위한 기판 홀더 및상기 기판 홀더에 부착된 자기장 발생장치를 포함하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
- 제 32항에 있어서, 상기 세도우 마스크 중, 상기 기판 내에 표시된 기판 정렬 키에 대응하는 위치에 상기 세도우 마스크의 정렬 키가 표시되어 있으며, 상기 공정 챔버는, 상기 세도우 마스크와 마주하는 상기 기판 셔터의 표면 중, 상기 세도우 마스크의 정렬 키의 형성 위치에 대응되는 위치에 설치된 반사판 또는 광원이 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0065216A KR100420935B1 (ko) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | 평판 표시 소자의 제조 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0065216A KR100420935B1 (ko) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | 평판 표시 소자의 제조 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030033435A KR20030033435A (ko) | 2003-05-01 |
KR100420935B1 true KR100420935B1 (ko) | 2004-03-02 |
Family
ID=29565845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0065216A KR100420935B1 (ko) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | 평판 표시 소자의 제조 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100420935B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100469251B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 글래스 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 유기 el표시소자 |
KR100674019B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 제조 방법 |
KR100781613B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 화상표시장치, 유기발광다이오드 장치 및 그것의 제조 방법 |
Citations (5)
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KR20000054212A (ko) * | 2000-05-26 | 2000-09-05 | 조성민 | 유기발광소자 제조용 박막 증착장치 |
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-
2001
- 2001-10-23 KR KR10-2001-0065216A patent/KR100420935B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030033435A (ko) | 2003-05-01 |
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