JP2024060790A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の小型化を可能とする成膜装置を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室に接続されるロードロックチャンバ１００を備える成膜装置であって、それぞれ基板を収容可能に構成され、かつそれぞれ独立に真空度を制御することのできる第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２と、第１の室Ｓ１の内壁面及び第２の室Ｓ２の内壁面を有し、第１の室Ｓ１と第２の室Ｓ２とを隔てる隔壁１１４と、を備え、隔壁１１４の厚さが、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２のうちの少なくとも一方の内壁面を有する他の壁部における少なくとも一部の厚みよりも厚いことを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、成膜装置に関する。

蒸着装置などの成膜装置においては、室内を真空状態にすることのできるチャンバが設けられている。

特開２０００－３２３５５１号公報

従来技術に係る成膜装置においては、如何に装置を小型化することができるかが課題の一つになっている。

本発明の成膜装置は、
基板を処理する処理室に接続されるロードロックチャンバを備える成膜装置であって、
それぞれ基板を収容可能に構成され、かつそれぞれ独立に真空度を制御することのできる第１の室及び第２の室と、
前記第１の室の内壁面及び前記第２の室の内壁面を有し、前記第１の室と前記第２の室とを隔てる隔壁と、
を備え、
前記隔壁の厚さが、前記第１の室及び前記第２の室のうちの少なくとも一方の内壁面を有する他の壁部における少なくとも一部の厚みよりも厚いことを特徴とする。

以上説明したように、本発明によれば、装置を小型化することができる。

本発明の実施例に係る成膜装置の概略構成図。 本発明の実施例に係るロードロックチャンバの模式的断面図。 本発明の実施例に係るロードロックチャンバの模式的断面図。 本発明の実施例に係る大気開放部の説明図。 本発明の実施例に係る成膜処理室の概略構成図。 本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の説明図。

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

（実施例）
図１～図６を参照して、本発明の実施例に係る成膜装置について説明する。

＜成膜装置＞
図１を参照して、本実施例に係る成膜装置全体の構成について説明する。図１は本発明の実施例に係る成膜装置の概略構成図である。本実施例においては、インライン型と呼ばれる成膜装置を例にして説明する。インライン型の成膜装置においては、複数の室が並ぶように配されており、基板１０、基板キャリア２０、及びマスク３０は、順次各室内に搬送され、各室内において各種処理が施される。搬送には、搬送ローラやリニアモータが用いられる。各室においては、個々の室毎、又は隣り合う複数の室毎に、少なくとも真空状態となるように真空度（室内の圧力）を制御することができる。一般的に、真空状態は大気圧よりも低い圧力の状態を意味する。各室においては、大気圧に比して十分に低い圧力、つまり、より高い真空度を実現できることが好ましい。

図１においては、複数の室のうち、代表的な処理を施す室についてのみ、符号Ｒを付して示し、その他の室については黒点により省略している。また、図１中、点線の矢印は基板１０の搬送順序を示し、細い実線の矢印は基板キャリア２０の搬送順序を示し、太い実線の矢印はマスク３０の搬送順序を示している。各室に備えられる装置の動作はコンピュータなどの制御部Ｃにより制御される。制御部Ｃについては、各装置に対して個別に設けることもできるし、複数の装置に対して共通の制御部Ｃを設けることもできる。一般的に、各種動作が制御部により制御されること自体は周知技術であるので、制御部Ｃの具体的な構成等については、その説明は省略する。

まず、基板載置室Ｒ１に基板１０と基板キャリア２０が送られ、基板載置室Ｒ１にて、基板１０は基板キャリア２０の上側に保持される。基板キャリア２０と、基板キャリア２０に保持された基板１０は、反転室Ｒ２に搬送される。反転室Ｒ２において、基板１０が基板キャリア２０の下側に保持されるように、基板キャリア２０は基板１０と共に１８０°回転する。マスク３０が基板キャリア２０の搬送経路とは別の経路から反転室Ｒ２に搬送される。反転室Ｒ２では、下側に基板１０を保持した基板キャリア２０が、マスク３０の上に載置される。そして、この反転室Ｒ２に送られてきたマスク３０と共に、基板キャリア２０に保持された基板１０は成膜室Ｒ３へと搬送される。なお、基板キャリア２０の回転、マスク３０との合流、マスク３０への載置が、それぞれ別のチャンバで行われてもよい。続いて、成膜室Ｒ３にて、所望の成膜位置に開口を有するマスク３０を介して、基板１０の表面に薄膜が形成された後に、基板キャリア２０等は、マスク搬出室Ｒ４に搬送される。なお、一般的に、異なる材料によって薄膜を形成できるように、図示のように複数の成膜室Ｒ３が設けられている。従って、通常、１回の基板１０の搬送により、特定の一箇所の成膜室Ｒ３にて、成膜処理が施される。

成膜後、マスク搬出室Ｒ４において、基板キャリア２０に保持された基板１０は、マスク３０から持ち上げられる。使用回数が所定の回数に到達したマスク３０は、マスク搬出室Ｒ４から装置外部へ搬出される。基板キャリア２０に保持された基板１０、及び再度使用されるマスク３０は、マスク搬出室Ｒ４から中継室Ｒ５へ搬送される。中継室Ｒ５のマスク３０は、反転室Ｒ２に向けて搬送される。中継室Ｒ５の基板キャリア２０及び基板１０は、不図示の反転室で反転された後、基板剥離室Ｒ６に搬送される。

この基板剥離室Ｒ６において、基板キャリア２０から基板１０は剥離される。その後、基板キャリア２０は、成膜装置の外部に搬出されるか、再度、基板載置室Ｒ１に搬送される。また、基板キャリア２０から剥離された基板１０は、外部に取り出される。

そして、本実施例に係る成膜装置においては、各種処理を行う処理室を大気に開放することなく基板１０を成膜装置に出し入れすることを可能とするために、基板を処理する処理室に接続されるロードロックチャンバ１００が設けられている。図１に示す例では、基板を処理する処理室として、基板載置室Ｒ１と基板剥離室Ｒ６にロードロックチャンバ１
００が接続されている。ロードロックチャンバ１００には、基板１０の出し入れを行う側面に第１ゲートバルブ１００Ｘが設けられている。また、ロードロックチャンバ１００と処理室（ここでは、基板載置室Ｒ１と基板剥離室Ｒ６）との間にも第２ゲートバルブ１００Ｙが設けられている。

基板載置室Ｒ１に基板１０が搬入される場合には、第１ゲートバルブ１００Ｘが開き、第２ゲートバルブ１００Ｙが閉じた状態で、基板１０がロードロックチャンバ１００に搬入される。その後、第１ゲートバルブ１００Ｘが閉じて、ロードロックチャンバ１００の室内が減圧された状態、つまり真空状態にされた後に、第２ゲートバルブ１００Ｙが開き、基板１０が基板載置室Ｒ１に搬入される。また、基板剥離室Ｒ６から基板１０が搬出される場合には、第１ゲートバルブ１００Ｘが閉じ、かつロードロックチャンバ１００の室内が真空状態で、第２ゲートバルブ１００Ｙが開き、その後、基板剥離室Ｒ６から基板１０がロードロックチャンバ１００に搬入される。その後、第２ゲートバルブ１００Ｙが閉じた後に、ロードロックチャンバ１００の室内の真空度を大気圧またはその近くまで下げ、第１ゲートバルブ１００Ｘが開き、基板１０は装置外へと搬出される。以上のように、各種処理を行う処理室を大気に開放することなく基板１０を成膜装置に出し入れすることができる。

＜ロードロックチャンバ＞
図２～図４を参照して、ロードロックチャンバ１００について、より詳細に説明する。図２及び図３は本発明の実施例に係るロードロックチャンバ１００の模式的断面図である。図２は、図１において基板１０の搬送方向に垂直な面でロードロックチャンバ１００を切断した模式的断面図であり、図３は、ロードロックチャンバ１００の設置面に平行な面（水平面）でロードロックチャンバ１００を切断した模式的断面図である。図４はロードロックチャンバ１００に設けられる大気開放部の説明図である。

ロードロックチャンバ１００は、それぞれ基板１０を収容可能に構成され、かつそれぞれ独立に真空度を制御する、つまり、圧力を変更することのできる第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２を備えている。そして、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２のうちの少なくとも一方の内壁面を有する壁部として、底板部１１１と、天井部１１２と、側板部１１３と、第１の室Ｓ１と第２の室Ｓ２とを隔てる隔壁１１４とが設けられている。隔壁１１４は、第１の室Ｓ１の内壁面及び第２の室Ｓ２の内壁面を有する。なお、図２では、側板部１１３は、隔壁１１４の上下に分かれて別々に設けられる構成が示されているが、これらが一体に設けられる構成を採用することもできる。この場合には、側板部１１３は、第１の室Ｓ１と第２の室Ｓ２の両者の内壁面を有することになる。

以上のように、本実施例に係るロードロックチャンバ１００においては、第１の室Ｓ１と第２の室Ｓ２を備えている。これにより、これらを交互に基板１０の出し入れに用いることで、生産性を高めることができる。すなわち、一方の室を基板１０の出し入れに利用している間に、他方の室の準備を進めることで、これらの室内を加圧したり減圧したりする期間中も基板の処理を中断する期間をなくすか短縮することができる。

ここで、一般的なチャンバにおいては、チャンバ内が一様に、真空状態となるか大気状態となるように構成される。これに対して、本実施例に係るロードロックチャンバ１００の場合、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２の両者が同じ状態（真空状態または大気状態のいずれか）になったり、一方が真空状態となって、他方が大気状態になることもある。そのため、隔壁１１４には、第１の室Ｓ１の内壁面から第２の室Ｓ２に向けて力が作用したり、第２の室Ｓ２の内壁面から第１の室Ｓ１に向けて力が作用するため、隔壁１１４の変形を抑制する対策として、一般的なチャンバの壁部とは異なる対策が必要となる。そこで、本実施例においては、隔壁１１４の厚さが、他の壁部（底板部１１１、天井部１１２及び
側板部１１３）の厚みよりも厚くすることで強度を高めている。これにより、隔壁１１４の強度が増して、隔壁１１４の変形が抑制される。なお、底板部１１１、天井部１１２及び側板部１１３においても、何らかの理由により、その一部の厚みについては、部分的に隔壁１１４の厚さよりも厚くする必要が生じる場合もある。そのため、隔壁１１４の厚さは、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２のうちの少なくとも一方の内壁面を有する他の壁部における少なくとも一部の厚みよりも厚くなるように構成すればよいと言うこともできる。

また、ロードロックチャンバ１００においては、第１の室Ｓ１と第２の室Ｓ２にそれぞれ複数のピン１２０が設けられている。各室内に搬入された基板１０は、複数のピン１２０の先端に載置されることで、各室内に一時的に収容される。なお、図３においては、複数のピン１２０の先端に載置される基板１０の配置位置を点線にて示している。

更に、ロードロックチャンバ１００には、各室内を大気開放するために、複数の大気開放部１３０が設けられている。複数の大気開放部１３０のうちの一部は、隔壁１１４に設けられている。隔壁１１４に設けられる大気開放部１３０の構成について、図４を参照して説明する。図４（ａ）（ｂ）は隔壁１１４のうち大気開放部１３０が設けられた付近を示す平面図であり、同図（ａ）はカバーが取り付けられた状態を示し、同図（ｂ）はカバーが取り外された状態を示している。また、図４（ｃ）は同図（ａ）中のＡＡ断面図である。

大気開放部１３０は、複数のベントフィルター１３１を備えている。これら複数のベントフィルター１３１は、配管Ｐに接続されている。配管Ｐの管内は大気と連通するように構成されている。ロードロックチャンバ１００の各室内を減圧する（真空度を上げる）場合には、不図示の弁が閉じ、不図示の真空ポンプにより室内の気体が排出される。大気開放するために各室内を加圧する（真空度を下げる）場合には弁が開くことで、配管Ｐの管内を通じて各室に例えば不活性ガスが充填されるように構成されている。ベントフィルター１３１は、加圧の際に気流が集中しないように管の先端にフィルターが詰められた構成であり、異物の侵入を抑制する機能も兼備している。

そして、複数のベントフィルター１３１は、隔壁１１４に設けられた凹部１１４ａ内に配されている。また、隔壁１１４には、ベントフィルター１３１を覆うカバー１１４ｂが設けられている。このカバー１１４ｂは、ボルト１１４ｃによって隔壁１１４に固定されている。なお、カバー１１４ｂはスペーサー１１４ｄを介してボルト１１４ｃにより隔壁１１４に固定されることにより、凹部１１４ａの内壁面とカバー１１４ｂとの間には通気を確保する隙間が設けられている（図４（ｃ）参照）。また、隣り合うベントフィルター１３１の間には仕切り板１１４ｅが設けられている。図４に示す例では、３つのベントフィルター１３１が設けられており、それぞれ隣り合うベントフィルター１３１の間に仕切り板１１４ｅが設けられている。

＜成膜室＞
図５を参照して、成膜室Ｒ３における成膜処理について、より詳細に説明する。成膜室Ｒ３内には、成膜源としての蒸発源５０が設けられている。基板キャリア２０に保持された基板１０が下向きとなるように、これらは成膜室Ｒ３内に位置決めされた状態で支持部材４０に支持される。また、基板１０の下側には、基板１０に対して位置決めされた状態でマスク３０も配される。マスク３０には、基板１０に薄膜を形成する位置に対応する位置に開口が設けられている。これにより、基板キャリア２０に保持された基板１０上に、マスク３０を介して成膜が行われる。

本実施例においては、真空蒸着による成膜（蒸着）が行われる。具体的には、成膜源としての蒸発源５０から成膜材料が蒸発または昇華し、基板１０上に成膜材料が蒸着すして
基板１０上に薄膜が形成される。蒸発源５０については、公知技術であるので、その詳細な説明は省略するが、例えば、蒸発源５０は、坩堝等の成膜材料を収容する容器と、容器を加熱する加熱装置等により構成することができる。なお、成膜源は蒸発源５０に限定されるものではなく、成膜源はスパッタリングによって成膜を行うためのスパッタリングカソードであってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図６（ａ）は有機ＥＬ表示装置７００の全体図、図６（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置７００の表示領域７０１には、発光素子を複数備える画素７０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域７０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子７０２Ｒ、第２発光素子７０２Ｇ、第３発光素子７０２Ｂの組み合わせにより画素７０２が構成されている。画素７０２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図６（ｂ）は、同図（ａ）中のＢＢ線における部分断面模式図である。画素７０２は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板７０３上に、第１電極（陽極）７０４と、正孔輸送層７０５と、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂのいずれかと、電子輸送層７０７と、第２電極（陰極）７０８と、を有している。これらのうち、正孔輸送層７０５、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂ、電子輸送層７０７が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層７０６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

また、第１電極７０４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層７０５と電子輸送層７０７と第２電極７０８は、複数の発光素子７０２Ｒ、７０２Ｇ、７０２Ｂで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極７０４と第２電極７０８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極７０４間に絶縁層７０９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７１０が設けられている。

図６（ｂ）では正孔輸送層７０５や電子輸送層７０７は一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第１電極７０４と正孔輸送層７０５との間には第１電極７０４から正孔輸送層７０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極７０８と電子輸送層７０７の間にも電子注入層が形成することもできる。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極７０４が形成された基板（マザーガラス）７０３を準備する。

第１電極７０４が形成された基板７０３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極７０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層７０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を粘着部材が配置された基板キャリアに載置する。粘着部材によって、基板７０３は保持される。第１の有機材料成膜装置に搬入し、反転後、正孔輸送層７０５を、表示領域の第１電極７０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層７０５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層７０５は表示領域７０１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

次に、正孔輸送層７０５までが形成された基板７０３を第２の有機材料成膜装置に搬入する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板７０３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層７０６Ｒを成膜する。

発光層７０６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層７０６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層７０６Ｂを成膜する。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域７０１の全体に電子輸送層７０７を成膜する。電子輸送層７０７は、３色の発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層７０７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第２電極７０８を成膜する。

その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７１０を成膜して、基板７０３への成膜工程を完了する。反転後、粘着部材を基板７０３から剥離することで、基板キャリアから基板７０３を分離する。その後、裁断を経て有機ＥＬ表示装置７００が完成する。

絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を成膜装置に搬入してから保護層７１０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。

＜本実施例に係る成膜装置の優れた点＞
本実施例に係る成膜装置においては、それぞれ基板１０を収容可能に構成され、かつそれぞれ独立に真空度を制御することのできる第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２を備えるロードロックチャンバ１００を備えている。また、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２は隔壁１１４を隔てて設けられる構成である。これにより、複数のロードロックチャンバを縦に並べて配置する構成に比べて、装置の小型化を図ることができる。

そして、隔壁１１４は、その厚さが、第１の室Ｓ１及び第２の室Ｓ２のうちの少なくとも一方の内壁面を有する他の壁部における少なくとも一部の厚みよりも厚く構成されることで、強度が高く、変形が抑制される。従って、装置の小型化を実現しつつ、ロードロックチャンバ１００としての機能は十分に発揮される。

また、隔壁１１４に凹部１１４ａが設けられ、この凹部１１４ａ内にベントフィルター
１３１が配されることで、隔壁１１４を有効利用することができる。これにより、装置の小型化をより一層図ることができる。

なお、本実施例においては、ロードロックチャンバ１００の隔壁１１４に凹部１１４ａが設けられ、この凹部１１４ａ内にベントフィルター１３１が配される構成を示した。しかしながら、一般的な真空チャンバにおいても、厚みの厚い壁部に凹部を設けて、この凹部にベントフィルターを配する構成を採用することで、成膜装置の小型化を図ることもできる。

すなわち、真空チャンバの内壁面を有する第１の壁部と、この真空チャンバの内壁面を有し、かつ第１の壁部の厚みよりも厚みが厚い第２の壁部と、を備え、第２の壁部に凹部が設けられ、この凹部内にベントフィルターが配される成膜装置を採用することで、成膜装置の小型化を図ることができる。なお、本実施例の場合には、第１の壁部は、底板部１１１、天井部１１２及び側板部１１３に相当し、第２の壁部が隔壁１１４に相当する。隔壁を備えない真空チャンバの場合には、底板部、天井部及び側板部のうち、他の壁部よりも厚みが厚く構成された壁部に対して、ベントフィルターが配される凹部を設ける構成を採用することができる。

（その他）
上記実施例においては、インライン型の成膜装置を例にして説明したが、本発明におけるロードロックチャンバを備える成膜装置はインライン型の成膜装置に限らず、例えばクラスター型の成膜装置などにも適用可能である。

１０：基板 ２０：基板キャリア ３０：マスク ４０：支持部材 ５０：蒸発源 １００：ロードロックチャンバ １００Ｘ：第１ゲートバルブ １００Ｙ：第２ゲートバルブ １１１：底板部 １１２：天井部 １１３：側板部 １１４：隔壁 １１４ａ：凹部
１１４ｂ：カバー １１４ｃ：ボルト １１４ｄ：スペーサー １１４ｅ：仕切り板 １２０：ピン １３０：大気開放部 １３１：ベントフィルター Ｃ：制御部 Ｐ：配管
Ｒ１：基板載置室 Ｒ２：反転室 Ｒ３：成膜室 Ｒ４：マスク搬出室 Ｒ５：中継室
Ｒ６：基板剥離室 Ｓ１：第１の室 Ｓ２：第２の室

Claims (5)

1. 基板を処理する処理室に接続されるロードロックチャンバを備える成膜装置であって、
   それぞれ基板を収容可能に構成され、かつそれぞれ独立に真空度を制御することのできる第１の室及び第２の室と、
   前記第１の室の内壁面及び前記第２の室の内壁面を有し、前記第１の室と前記第２の室とを隔てる隔壁と、
   を備え、
   前記隔壁の厚さが、前記第１の室及び前記第２の室のうちの少なくとも一方の内壁面を有する他の壁部における少なくとも一部の厚みよりも厚いことを特徴とする成膜装置。
2. 前記隔壁に凹部が設けられ、前記凹部内にベントフィルターが配されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記ベントフィルターを覆うカバーを備え、前記凹部の内壁面と前記カバーとの間には通気を確保する隙間が設けられることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記凹部内には複数の前記ベントフィルターが配されており、隣り合う前記ベントフィルターの間には仕切り板が設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の成膜装置。
5. 真空チャンバを備える成膜装置であって、
   前記真空チャンバの内壁面を有する第１の壁部と、
   前記真空チャンバの内壁面を有し、かつ前記第１の壁部の厚みよりも厚みが厚い第２の壁部と、
   を備え、
   前記第２の壁部に凹部が設けられ、前記凹部内にベントフィルターが配されることを特徴とする成膜装置。

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