KR20020095093A - 집적 회로 칩 및 이것을 이용한 표시 장치 - Google Patents

집적 회로 칩 및 이것을 이용한 표시 장치 Download PDF

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KR20020095093A
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산요 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

집적 회로(IC) 칩의 제조 비용을 저감하고, IC 칩을 탑재한 표시 장치의 고장율을 저감시키는 것을 목적으로 한다.
IC 칩을 유리 기판을 이용하여 제조한다. 반도체 웨이퍼를 이용하는 IC 칩보다도 저가로 할 수 있다.
또한, 표시 장치 등의 본체 기판이 유리인 경우, IC 칩과 본체 기판과의 열팽창율이 동일하므로, IC 칩의 박리를 방지하여, 고장율을 저감시킬 수 있다.
또한, 표시 장치(1)의 게이트선 구동 IC(7)에 적용한 경우, 표시 영역과 거의 동일한 길이의 IC 칩(7)으로 할 수 있어, 게이트선 구동 IC로서 복수의 IC 칩을 탑재할 필요가 없어져, 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 게이트선(9)을 각각 IC 칩(7)으로부터 모두 평행하게 연장시킬 수 있으므로, 게이트선(9)끼리의 지연차도 생기지 않아, 협액연화할 수도 있다.

Description

집적 회로 칩 및 이것을 이용한 표시 장치{INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은, 집적 회로(IC) 칩에 관한 것으로, 특히 액정 표시 장치(LCD)나 일렉트로 루미네센스(EL) 표시 장치와 같은 기기의 유리 기판 위에 실장하기 위한 IC 칩에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터 등의 정보 처리 장치뿐만 아니라, 텔레비전이나 가전 제품, 자동차 등, 각종 기계에 이것을 제어하는 IC 칩이 탑재되어 있다.
도 6은, LCD(100)를 도시한 사시도이다. LCD(100)는, 유리로 이루어지는 제1 본체 기판(2)과 제2 본체 기판(3) 사이에 액정을 봉입하여, 표시 영역을 형성하고 있다. 표시 영역의 제1 본체 기판(2) 위에는, 복수의 화소 전극(4)과 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT)를 포함하는 스위칭 소자(5)가 행렬 형상으로 배치되어 있다. 그리고, 표시 영역 전면의 제2 기판 위에는 공통 전극(6)이 배치되어 있다. LCD(100)는, 화소 전극(4)과 공통 전극(6) 사이에 전압을 인가하여 액정을 구동하여 표시하는 표시 장치이다. 표시 영역의 주위에는, 복수의 게이트선 구동 IC(101)와 복수의 신호선 구동 IC(8)가 배치되어 있다. 게이트선 구동 IC(101)로부터는, 복수의 게이트선(9)이 연장되어 있고, 게이트선 구동 IC(101)는 게이트선(9)을 순차적으로 선택하여 게이트 신호를 인가하고, 이것에 접속된TFT(5)를 온한다. 신호선 구동 IC(8)로부터는, 복수의 신호선(10)이 연장되어 있고, 신호선 구동 IC(8)는 온 상태의 TFT(5)를 통해 화소 전극(4)으로 영상 신호를 공급한다. 게이트선 구동 IC(101), 구동 IC(8)는 본체 기판에 탑재되는 IC 칩이다.
일반적으로 IC 칩은, 반도체로 이루어지는 IC 기판 위에 반도체막, 도전막, 절연막 등을 적층한 회로 소자가 복수개 형성되어 있다. 본 명세서에서는, LCD(100)를 구성하는 기판을 본체 기판, IC 칩을 구성하는 기판을 IC 기판과 구별하여 표기한다.
도 7은, IC 칩을 구성하는 회로 소자의 일례로서의 MOS 트랜지스터(120)를 도시한 단면도이다. MOS 트랜지스터(120)의 구성에 대하여, 이하에 설명한다. 실리콘 기판(121) 위에, 실리콘 기판(121)을 열 산화하여 얻어지는 게이트 절연막(122), 소자 분리 영역(123)이 배치되어 있다. 게이트 절연막(122) 위에는, 게이트 전극(124)이 배치되고, 게이트 전극(124)을 마스크로 하여 반도체 기판(121)에 이온 주입하여 얻어지는 확산층(125a, 125b)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)을 피복하여 제1 층간 절연막(126)이 배치되고, 층간 절연막(126)에 형성된 컨택트홀을 개재하여 제1 배선(127)이 배치되어 있다. 제1 배선(127) 위에는 제2 층간 절연막(128)이 배치되고, 층간 절연막(126, 128)에 형성된 컨택트홀을 개재하여 제2 배선(129)이 배치되어 있다.
IC 칩(8, 101)은, 도 8에 도시한 바와 같이 잉곳(ingot)이라고 하는 단결정 실리콘 덩어리로부터 잘라낸 반도체 웨이퍼(130)에 복수의 IC 칩을 동시에 형성하고, 점선으로 나타낸 스크라이브 라인(131)을 따라 분리함으로써 제조된다.
잉곳을 작성하기 위해서는 전용 도가니가 필요하며, 이 곳으로부터 잘라낸 반도체 웨이퍼(130)의 크기는 일정한 한계가 있다. 따라서, 1개의 반도체 웨이퍼(130)로부터 추출되는 IC 칩의 개수에도 한계가 있다. 또한, 사이즈가 큰 반도체 웨이퍼는, 일반적으로 비싸다. 따라서, 제조 비용 삭감에 방해가 된다.
따라서, 본 발명은, 제조 비용을 더 저감시킬 수 있는 IC 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, LCD(100)에 탑재되는 IC 칩(8, 101)의 경우, 본체 기판(2) 위에 압착하여 실장된다. 따라서, 유리 기판과 반도체 기판의 열팽창율의 차이에 의하여, 또는 사용하는 환경 조건에 따라서는 IC 칩이 박리되어 떨어지는 문제가 발생하여, 고장의 원인이 된다.
따라서, 본 발명은, 보다 고장이 적은 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 IC 칩을 탑재한 표시 장치를 도시한 사시도.
도 2는 유리의 IC 기판 위에 형성된 MOS 트랜지스터를 도시한 단면도.
도 3은 마더 유리 위에 형성된 IC 칩을 도시한 사시도.
도 4는 게이트선 구동 IC 및 게이트선을 도시한 평면도.
도 5는 회로 기판에 본 발명의 IC 칩을 실장하는 공정을 도시한 사시도.
도 6은 종래의 IC 칩을 탑재한 표시 장치를 도시한 사시도.
도 7은 반도체의 IC 기판 위에 형성된 MOS 트랜지스터를 도시한 단면도.
도 8은 반도체 웨이퍼 위에 형성된 IC 칩을 도시한 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 100 : 표시 장치
2, 3 : 본체 기판
4 : 화소 전극
5 : 스위칭 소자(TFT)
6 : 공통 전극
7, 8, 101 : IC 칩
9 : 게이트선
10 : 신호선
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, IC 기판 위에 복수의 회로 소자 및 이들을 연결하는 배선이 형성된 집적 회로 칩에 있어서, IC 기판은 유리로 이루어지며, 회로 소자 중 적어도 일부는, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어지는 집적 회로 칩이다.
또한, 유리로 이루어지는 본체 기판 위에 복수의 화소 전극이 배치된 표시영역을 갖고, 본체 기판 위에는 화소 전극에 영상 신호를 공급하는 구동 집적 회로 칩이 탑재된 표시 장치에 있어서, 구동 집적 회로 칩은, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
또한, 유리로 이루어지는 본체 기판과, 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 본체 기판 위에 형성되며, 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자를 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 있어서, 본체 기판에는 스위칭 소자에 접속된 복수의 구동 집적 회로 칩이 탑재되며, 구동 집적 회로 칩 중 적어도 일부는, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
또한, 유리로 이루어지는 제1 본체 기판과, 제1 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 제1 본체 기판 위에 형성되며, 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와, 제1 본체 기판에 대향하는 유리로 이루어지는 제2 본체 기판과, 제2 본체 기판 위에 형성된, 복수의 화소 전극에 대향하는 공통 전극과, 제1 및 제2 본체 기판사이에 밀봉된 액정을 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 있어서, 제1 본체 기판에는 스위칭 소자에 접속된 복수의 구동 집적 회로가 탑재되고, 구동 집적 회로 중 적어도 일부는, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
또한, 유리로 이루어지는 본체 기판과, 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 본체 기판 위에 형성되며, 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와, 본체 기판 위에 형성되며, 스위칭 소자의 게이트에 접속되는 게이트선과, 본체 기판 위에 형성되며, 스위칭 소자를 개재하여 화소 전극에 접속되는 신호선을 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 있어서, 게이트선에 접속된 게이트선 구동 집적 회로 칩과, 신호선에 접속된 신호선 구동 집적 회로 칩이 탑재되고, 게이트선 혹은 신호선 구동 집적 회로 칩 중 적어도 한쪽은 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
또한, 유리로 이루어지는 본체 기판과, 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 본체 기판 위에 형성되며, 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와, 본체 기판 위에 형성되며, 스위칭 소자의 게이트에 접속되는 게이트선과, 본체 기판 위에 형성되며, 스위칭 소자를 개재하여 화소 전극에 접속되는 신호선을 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 있어서, 게이트선에 접속된 게이트선 구동 집적 회로 칩과, 신호선에 접속된 신호선 구동 집적 회로 칩이 탑재되고, 게이트선 구동 집적 회로 칩은 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되고, 신호선 구동 집적 회로 칩은 단결정 실리콘으로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
또한, 본체 기판 위에 형성된 복수의 스위칭 소자는, 비정질 실리콘으로 이루어지는 활성층을 갖고, IC 기판 위에 형성된 복수의 소자는 다결정 실리콘으로 이루어지는 활성층을 갖는다.
또한, 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이다.
또한, 게이트선 구동 집적 회로 칩은, 표시 영역의 한 변을 따라 하나만 배치되고, 게이트선 구동 집적 회로 칩으로부터 표시 영역을 향하여, 게이트선이 상호 거의 평행하게 연장되어 있다.
<발명의 실시예>
도 1은, LCD(1)를 도시한 사시도이다. LCD(1)는, 유리로 이루어지는 제1 본체 기판(2)과 제2 본체 기판(3) 사이에 액정을 봉입하여, 표시 영역을 형성하고 있다. 표시 영역의 제1 본체 기판(2) 위에는, 복수의 화소 전극(4)과 박막 트랜지스터를 포함하는 스위칭 소자(5)가 행렬 형상으로 배치되어 있다. 그리고, 표시 영역 전면의 제2 기판 위에는 공통 전극(6)이 배치되어 있다. LCD(1)는 화소 전극(4)과 공통 전극(6)사이에 전압을 인가하여 액정을 구동하여 표시하는 표시 장치이다. 표시 영역 주위에는, 하나의 게이트선 구동 IC(7)와 복수의 신호선 구동 IC(8)가 배치되어 있다. 게이트선 구동 IC(7)로부터는, 화소 각 행마다 복수의 게이트선(9)이 연장되어 있고, 게이트선 구동 IC(7)는 게이트선(9)을 순차적으로 선택하여 게이트 신호를 인가하고, 이것에 접속된 TFT(5)를 온한다. 신호선 구동 IC(8)로부터는, 화소 각 열마다 복수의 신호선(10)이 연장되어 있고, 신호선 구동 IC(8)는 온 상태로 된 TFT(5)를 개재하여 화소 전극(4)에 영상 신호를 공급한다. 게이트선 구동 IC(7)와 신호선 구동 IC(8)는 모두 본체 기판(2) 위에 탑재되는 IC 칩이다.
상기 게이트선 구동 IC(7)와 신호선 구동 IC(8)는 기판 위에 복수의 소자나 배선이 형성된 IC 칩이다. 일반적으로 IC 칩은, 반도체의 IC 기판 위에 반도체막, 도전막, 절연막 등을 적층하여 형성되어 있지만, 본 실시예의 게이트선 구동 IC(7)는 유리 기판을 이용하고 있다. 도 2는, 본 실시예의 게이트선 구동 IC(7)를 구성하는 회로 소자의 일례로서 MOS 트랜지스터(20)를 도시한 단면도이다. 나트륨 등의 알칼리 원소를 포함하지 않은 무알카리 유리로 이루어지는 IC 기판(21) 위에, IC 기판으로부터의 불순물 확산을 방지하기 위한 버퍼층(22)이 형성되어 있다. 버퍼층(22) 위에 활성층으로서 다결정 실리콘막(23)이 배치되고, 이것을 피복하여 게이트 절연막(24)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(24) 위에는 다결정 실리콘막(23)의 일부에 중첩되어 게이트 전극(25)이 배치되며, 이것을 피복하여 제1 층간 절연막(26)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(26) 위에는 컨택트홀을 개재하여 다결정 실리콘막(23)에 접속된 제1 배선(27)이 배치되며, 이것을 피복하여 제2 층간 절연막(28)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(28) 위에는 제1, 제2 층간 절연막에 형성된 컨택트홀을 개재하여 다결정 실리콘막(23)에 접속된 제2 배선(29)이 형성되어 있다.
이어서, 유리의 IC 기판(21) 위에 MOS 트랜지스터를 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 유리의 연화 온도는, 대략 750℃이기 때문에, 통상 반도체 프로세스에서 이용되는 750℃ 이상의 열 처리를 이용하지는 못한다. 따라서, 막의 적층은 기본적으로 스퍼터나 화학적 기상 퇴적(Chemical Vapor Deposition ; CVD)법, 도포 등과 같이 재료를 중첩해 가는 방법밖에 이용하지 못한다. 먼저, IC 기판(21) 위에 버퍼층(22)을 CVD법을 이용하여 형성하고, 계속해서 CVD법으로 비정질 실리콘막을 형성한다. 이 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저를 조사함으로써 국소적으로 가열하여 이것을 결정화하여, 다결정 실리콘막을 형성할 수 있다. 패터닝은 통상의 포토리소그래피, 에칭을 이용할 수 있다. 이어서, CVD법으로 게이트 절연막(24),스퍼터법으로 게이트 전극(25)을 형성한다. 제1 층간 절연막은 CVD법으로 얻어지는 산화 실리콘막과 질화실리콘막과의 적층 구조이다. 배선(27, 29)은 스퍼터법으로 형성할 수 있다. 제2 층간 절연막(28)은 아크릴 등의 유기 수지를 도포하여 얻어진다.
유리의 IC 기판을 갖는 게이트선 구동 IC(7)는, 도 3에 도시한 바와 같이 큰 판의 유리 기판인 마더 유리(30) 위에, 복수의 IC를 동시에 형성하고, 점선으로 도시한 스크라이브 라인(31)을 따라 분리함으로써 제조한다. 유리 기판은 한 변이 예를 들면 수십 ㎝×수십 ㎝인 장방형으로, 직경 20㎝ 정도의 원형인 반도체 웨이퍼와 비교하여, 종래의 게이트선 구동 IC(101)와 동일한 면적의 것을 제조하는 경우, IC를 취할 수 있는 수를 수배로 증가시켜, 대폭 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 유리 IC 기판을 이용함으로써, 게이트선 구동 IC(7)의 길이를 길게 할 수 있다. 본 실시예의 게이트선 구동 IC(7)는, 도 1에 도시한 바와 같이 표시 영역의 측변과 거의 동일한 길이를 갖는다. 이하에, 게이트선 구동 IC(7)를 길게 하는 것의 장점에 대하여 설명한다. 도 4는, 종래의 반도체 기판을 이용한 게이트선 구동 IC의 확대도이다. 게이트선(9)은, 화소 각 행에 배치되기 때문에, 게이트선 구동 IC의 출력은, 화소의 행 피치까지 넓힐 필요가 있다. 화소 수가 많아지면 그 만큼 게이트선의 개수도 많아져, 넓어져야하는 폭 L은 더 확대된다. 그런데, 게이트선 구동 IC의 바로 옆에 배치되는 게이트선과 가장 먼 위치에 배치되는 게이트선에서는, 게이트선 구동 IC(101)로부터 표시 영역까지의 거리가 다르기 때문에, 게이트선 구동 IC로부터 멀어질수록 게이트 신호의 지연이 생긴다. 그 때문에, 종래에는 게이트선 구동 IC(101)의 IC 칩을 일정 간격마다 설치하여, 신호 지연을 동작 가능 범위 내로 해 둘 필요가 있었다. 이것에 대하여, 본 실시예는 게이트선 구동 IC(7)가 표시 영역과 거의 같은 길이를 갖으므로, 게이트선에 의한 배치 위치의 확대를 할 필요는 없고, 모든 게이트선은 실질적으로 평행하게 배치되어, 표시 영역까지의 길이도 동일하게 할 수 있다. 따라서, 회로 지연이 각 행마다 동일하다. 따라서, 게이트선 구동 IC(7)를 복수의 IC 칩으로 분산하여 배치할 필요는 없고, 하나의 게이트선 구동 IC(7)로 할 수 있는 것이다. 또한, 종래에는 게이트선 구동 IC로부터 연장되는 게이트선을 폭 L로 넓히기 위해, 거리 D가 필요하지만, 본 실시예에서는 그 거리 D를 삭감할 수 있어, 표시 장치를 소형화, 협액연화할 수 있다.
또한, 게이트선 구동 IC로서 복수의 IC 칩을 실장하는 데 대신하여, 하나의 게이트선 구동 IC로 하면, 실장하는데 필요한 공정수를 당연히 삭감할 수 있다.
이러한 긴 IC 칩은 반도체 기판을 이용하여 제조하는 것은 그다지 현실적이지 않다. 상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼는 단결정 실리콘의 잉곳을 절단하여 제조하지만, 잉곳을 제조할 때는, 특수한 도가니를 이용하여 행하기 때문에, 일정한 이상의 사이즈로 하는 것은 곤란하다. 또한, 반도체 웨이퍼는 일반적으로 도 8에 도시한 바와 같이, 일부를 잘라낸 원형이므로, 너무 가늘고 긴 형상의 IC를 만들면, 한 장의 웨이퍼로부터 취할 수 있는 수가 매우 적어져, 효율적이지 않다. 이것과 비교하여, 유리 기판을 이용하여 IC 칩을 형성하면, 마더 유리(30)는 장방형이므로, 가늘고 긴 IC를 만들어도 효율이 떨어지는 일은 특별히 없다. 또한,LCD의 본체 기판(2)에는, TFT가 제조되어 있지만, 이 본체 기판(2)을 제조하는 설비가 있으면, 그것과 동일한 길이의 IC 칩은 본체 기판(2)의 제조 설비를 유용하여, 추가의 설비 투자를 전혀 하지 않고 제조할 수 있다.
또한, 유리의 본체 기판(2) 위에, 유리의 IC 기판을 탑재하므로, 본체 기판(2)과 게이트선 구동 IC(7)는 열팽창율이 동일하다. 따라서, 열팽창의 차이에 의해 게이트선 구동 IC(7)가 박리되는 일이 적으므로, 고장 발생율을 저감시킬 수 있다.
그런데, 상술한 바와 같이, 유리의 IC 기판(21)을 이용하면, 실리콘의 IC 기판과 달리, 기판을 열 산화하여 게이트 절연막으로 할 수 없어, CVD법으로 적층해야한다. 그러나, CVD법에 의한 게이트 절연막은, 열 산화에 의한 게이트 절연막과 비교하여, 구성 분자의 밀도가 낮아, 동일한 막 두께로서는 동등한 절연성을 얻지 못한다. 그 때문에, 게이트 절연막(24)을 두껍게 형성할 필요가 있다. 또한, 다결정 실리콘막(23)은, 결정 영역이 복수개 형성되어 있고, 결정끼리의 경계, 즉 입계가 다수개 존재하여, 다결정 실리콘으로 이루어지는 활성층은, 단결정 실리콘의 활성층과 비교하면, 전자 이동도가 낮다. 반도체 기판 위에 형성하는 MOS-TFT와 비교하여 특성이 낮으므로, 반도체 기판의 IC만큼 미세화하는 것은 곤란하다. 그래서, 본 실시예에서, 신호선 구동 IC(8)는, 종래와 마찬가지로 반도체 기판의 IC 칩을 이용하고 있다. 게이트선 구동 IC(7)가 수평 동기 기간에 한번 시프트 레지스터가 동작하는 데 비하여, 신호선 구동 IC(8)는 수평 동기 기간사이에 1행분의 화소 전극에 영상 신호의 공급을 끝낼 필요가 있기 때문에, 고속 동작을 할 필요가있다. 또한, 신호선 구동 IC가 공급하는 영상 신호는, 다계조화를 위한 아날로그의 전압 신호이다. 그 때문에, 신호선 구동 IC 내에는 연산 증폭기 등의 아날로그 소자가 포함되어 있다. 이러한 회로를 화소 피치 한도 내에서 배치하기 위해서는, 유리 기판보다도 반도체 기판을 이용한 IC가 유리하다. 따라서, 본 실시예에서는 신호선 구동 IC(8)에는 전자 이동도가 더 높은 반도체로 이루어지는 IC 기판을 이용하였다. 즉, 동작 속도가 느린 게이트선 구동 IC이기 때문에, IC 기판으로서 유리를 채용할 수도 있다. 물론, 신호선 구동 IC를 유리의 IC 기판을 이용하여 작성하는 것은 불가능한 것이 아니며, 마더 유리(30)로부터 다수의 신호선 구동 IC를 한번에 제조하는 장점을 중시하여, 신호선 구동 IC도 유리 기판으로 제조해도 된다.
이어서, 유리 기판을 이용한 IC 칩의 또 다른 장점에 대하여 설명한다. 도 5는, 유리 기판 IC 칩을 실장하는 모습을 도시한 사시도이다. 프린트 회로 기판이나 본체 기판인 회로 기판(40)에는, 각종 소자, 배선이 형성됨과 함께, IC 칩을 실장하기 위한 기판측 단자(41)가 형성되어 있다. 기판측 단자(41)에 탑재되는 IC 칩(42)은, 유리 기판 위에 각종 소자, 배선이 형성됨과 함께, 기판측 단자(41)에 대응하는 위치에 칩측 단자(43)가 형성되어 있다. 기판측 단자(43)에는, 금속으로 이루어진 돌기인 범프가 형성되어, 미세한 도전 입자를 포함한 수지 접착제에 의해 단자끼리 압착되어 고정된다. 이 때, 단자끼리 어긋나면, 도통 불량의 원인이 되는데, 본 실시예의 경우, IC 칩(42)은 유리 기판을 이용하여 형성되므로, 회로 기판(40) 위의 단자(41)가, IC 칩(42)을 통해 눈으로 식별되어, 용이하게 정확한 위치 정렬을 행할 수 있어, 제조 효율을 높일 수 있다.
본 실시예에서, 표시 영역 내에 설치되는 TFT(5)의 능동 소자는, 다결정 실리콘을 이용해도 되지만, 비정질 실리콘으로도 충분하다. 각 화소마다 스위칭 소자로서 설치되는 TFT는, 1 수직 동기 기간에 한번 접속된 화소에만 필요한 전하를 공급하면 되므로, 주변 구동 회로와 비교하여 큰 전류 구동 능력이 요구되지 않기 때문이다. 따라서, 본체 기판(2)에서는 비정질 반도체막을 형성한 후, 엑시머 레이저의 조사에 의한 다결정화 공정을 삭감하여, 제조 비용을 더 억제할 수 있다.
이상에서 설명한 표시 장치는 TFT를 이용한 액티브 매트릭스형의 LCD를 예시하여 설명했지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. 구동 방식은, 패시브라도 되며, 스위칭 소자는 박막 트랜지스터 외에도 다이오드 등을 생각할 수 있다. 또한, 액정뿐 아니라, 유기 EL 표시 장치나, 형광 표시 장치, LED 표시 장치에도 적용될 수 있다.
물론, 유리 기판을 이용한 IC 칩은, 표시 장치의 구동 회로 외에, 여러 회로에 적용할 수 있다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명은, 유리로 이루어지는 IC 기판에 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어지는 회로가 배치된 IC 칩이므로, 반도체 웨이퍼를 이용한 기판보다도 염가로 IC 칩을 제조할 수 있다.
또한, 유리의 본체 기판 위에 유리의 IC 기판을 이용한 IC 칩을 탑재함으로써, 기판끼리의 열팽창율이 동일하여, 온도 변화에 따른 칩의 박리가 방지된다.
특히, 본체 기판으로서 유리를 이용하는 기기로서는, 액정이나 EL 등의 표시 장치가 대표적이며, 이것에 탑재되는 IC 칩으로는 게이트선 구동 IC나 신호선 구동 IC가 대표적이다.
또한, 유리로 이루어지는 본체 기판과, 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 본체 기판 위에 형성되며, 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자를 갖는 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 있어서, 본체 기판에는 스위칭 소자에 접속된 복수의 구동 IC 칩이 탑재되고, 구동 IC 칩 중 적어도 일부는 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 표시 장치이다.
특히, 게이트선 구동 IC 칩은, 신호선 구동 IC 칩보다도 동작 속도가 느려, 아날로그 동작을 행하는 회로 소자를 포함하지 않으므로, 유리 기판으로 하는데 최적이다. 한편으로, 신호선 구동 IC 칩은, 반도체 기판을 이용하는 것이 더 나은 경우도 있다.
또한, 본체 기판 위의 활성층을 비정질 실리콘, IC 기판 위의 활성층을 다결정 실리콘으로 형성하면, 본체 기판에서의 결정화 공정을 삭감하고, 필요 충분한 소자 특성을 유지하면서, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 게이트선 구동 IC 칩을 유리 기판으로 함으로써, 표시 영역의 한 변을 따라 하나만 배치하는 것이 가능해지므로, 게이트선 구동 IC 칩으로부터 표시 영역을 향하여, 게이트선을 상호 거의 평행하게 배치할 수 있다. 따라서, 게이트선마다의 신호 지연량을 동등하게 하여, 표시 장치의 동작을 확실하게 함과 함께, 복수의 게이트선 구동 IC 칩을 배치하는 데 비하여, 실장 비용을 삭감시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. IC 기판 위에 복수의 회로 소자 및 이들을 연결하는 배선이 형성된 집적 회로 칩에 있어서,
    상기 IC 기판은, 유리로 이루어지며,
    상기 회로 소자 중 적어도 일부는, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 회로 칩.
  2. 유리로 이루어지는 본체 기판 위에 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역을 가지며, 상기 본체 기판 위에는 상기 화소 전극에 영상 신호를 공급하는 구동 집적 회로 칩이 탑재된 표시 장치에 있어서,
    상기 구동 집적 회로 칩은, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 유리로 이루어지는 본체 기판과, 상기 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과, 상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자를 갖는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서,
    상기 본체 기판에는 상기 스위칭 소자에 접속된 복수의 구동 집적 회로 칩이 탑재되며,
    상기 구동 집적 회로 칩 중 적어도 일부는, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에복수의 소자를 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 유리로 이루어지는 제1 본체 기판과,
    상기 제1 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과,
    상기 제1 본체 기판 위에 형성되며, 상기 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와,
    상기 제1 본체 기판에 대향하는 유리로 이루어지는 제2 본체 기판과,
    상기 제2 본체 기판 위에 형성된, 상기 복수의 화소 전극에 대향하는 공통 전극과,
    상기 제1 및 제2 본체 기판사이에 밀봉된 액정을 갖는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서,
    상기 제1 본체 기판에는 상기 스위칭 소자에 접속된 복수의 구동 집적 회로가 탑재되며,
    상기 구동 집적 회로 중 적어도 일부는, 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 유리로 이루어지는 본체 기판과,
    상기 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 스위칭 소자의 게이트에 접속되는 게이트선과,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 스위칭 소자를 개재하여 상기 화소 전극에 접속되는 신호선을 갖는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서,
    상기 게이트선에 접속된 게이트선 구동 집적 회로 칩과,
    상기 신호선에 접속된 신호선 구동 집적 회로 칩이 탑재되며,
    상기 게이트선 혹은 신호선 구동 집적 회로 칩 중 적어도 한쪽은 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 유리로 이루어지는 본체 기판과,
    상기 본체 기판 위에 형성된 복수의 화소 전극이 배치된 표시 영역과,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 화소 전극에 접속된 복수의 스위칭 소자와,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 스위칭 소자의 게이트에 접속되는 게이트선과,
    상기 본체 기판 위에 형성되며, 상기 스위칭 소자를 개재하여 상기 화소 전극에 접속되는 신호선을 갖는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서,
    상기 게이트선에 접속된 게이트선 구동 집적 회로 칩과,
    상기 신호선에 접속된 신호선 구동 집적 회로 칩이 탑재되며,
    상기 게이트선 구동 집적 회로 칩은 유리로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되고,
    상기 신호선 구동 집적 회로 칩은 단결정 실리콘으로 이루어지는 IC 기판 위에 복수의 소자를 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체 기판 위에 형성된 복수의 스위칭 소자는, 비정질 실리콘으로 이루어지는 활성층을 갖고,
    상기 IC 기판 위에 형성된 복수의 소자는 다결정 실리콘으로 이루어지는 활성층을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 게이트선 구동 집적 회로 칩은, 상기 표시 영역의 한 변을 따라 하나만 배치되고,
    상기 게이트선 구동 집적 회로 칩으로부터 상기 표시 영역을 향하여, 상기 게이트선이 상호 거의 평행하게 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653321B1 (ko) * 2003-06-17 2006-12-04 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 화소어레이를 구비한 화상표시장치
KR101048983B1 (ko) * 2004-08-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 부분 결정화된 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치 및그 제조방법

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040028469A (ko) 2002-09-30 2004-04-03 엘지전자 주식회사 1 회 기록 가능한 광디스크의 디펙트 영역 관리방법
US7233550B2 (en) * 2002-09-30 2007-06-19 Lg Electronics Inc. Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information on write-once optical disc
MXPA05006119A (es) 2002-12-11 2005-08-16 Lg Electronics Inc Metodo para gestionar la sobre-escritura y metodo para registrar la informacion de gestion de un disco optico de una sola escritura.
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US7355934B2 (en) 2003-01-27 2008-04-08 Lg Electronics Inc. Optical disc of write once type, method, and apparatus for managing defect information on the optical disc
US7672204B2 (en) 2003-01-27 2010-03-02 Lg Electronics Inc. Optical disc, method and apparatus for managing a defective area on an optical disc
WO2004100157A1 (en) 2003-05-09 2004-11-18 Lg Electronics Inc. Write once optical disc, and method and apparatus for recovering disc management information from the write once optical disc
MXPA05012044A (es) 2003-05-09 2006-02-03 Lg Electronics Inc Disco optico de una sola escritura, metodo y aparato par recuperacion de informacion de administracion de disco del disco optico de una sola escritura.
JP2007528563A (ja) * 2003-05-09 2007-10-11 エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド 記録媒体の少なくともデータ領域を管理するためのデータ構造を有する記録媒体、並びに記録再生方法及び装置
KR20050009031A (ko) 2003-07-15 2005-01-24 엘지전자 주식회사 1회 기록 가능한 광디스크 및 광디스크의 관리정보 기록방법
US7313065B2 (en) 2003-08-05 2007-12-25 Lg Electronics Inc. Write-once optical disc, and method and apparatus for recording/reproducing management information on/from optical disc
US7566001B2 (en) 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
WO2005024791A2 (en) 2003-09-08 2005-03-17 Lg Electronics Inc. Write-once optical disc and method for recording management information thereon
WO2005024793A2 (en) 2003-09-08 2005-03-17 Lg Electronics Inc. Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information thereon
WO2005024792A2 (en) 2003-09-08 2005-03-17 Lg Electronics Inc. Write-once optical disc, and method and apparatus for management information thereon
JP4651926B2 (ja) * 2003-10-03 2011-03-16 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
JP4228948B2 (ja) * 2004-03-16 2009-02-25 日本電気株式会社 表示装置
JP2006066868A (ja) * 2004-03-23 2006-03-09 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子および固体素子デバイス
CN100544046C (zh) * 2004-03-23 2009-09-23 丰田合成株式会社 固态元件装置
JP2007139912A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Sharp Corp 駆動素子実装表示装置
JP2007148222A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
US20070158804A1 (en) * 2006-01-10 2007-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and RFID tag
JP5437626B2 (ja) * 2007-12-28 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
CN103871330B (zh) * 2009-05-02 2017-09-12 株式会社半导体能源研究所 电子书
US9420707B2 (en) * 2009-12-17 2016-08-16 Intel Corporation Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same
US8207453B2 (en) * 2009-12-17 2012-06-26 Intel Corporation Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same
CN102891132A (zh) * 2011-07-22 2013-01-23 微创高科有限公司 一种电子设备
CN103797448B (zh) * 2011-09-13 2018-09-04 祥闳科技股份有限公司 视觉界面系统
WO2013133827A1 (en) 2012-03-07 2013-09-12 Intel Corporation Glass clad microelectronic substrate
US9001520B2 (en) 2012-09-24 2015-04-07 Intel Corporation Microelectronic structures having laminated or embedded glass routing structures for high density packaging
US9615453B2 (en) 2012-09-26 2017-04-04 Ping-Jung Yang Method for fabricating glass substrate package
US10622310B2 (en) 2012-09-26 2020-04-14 Ping-Jung Yang Method for fabricating glass substrate package
CN106019657B (zh) * 2016-07-27 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种绑定方法及绑定装置
CN110114822A (zh) * 2017-10-31 2019-08-09 华为技术有限公司 显示组件及其制造方法、显示器以及终端设备
WO2019167966A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 京セラ株式会社 表示装置、ガラス基板およびガラス基板の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61142759A (ja) * 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｉｃパツケ−ジ用基板
US4851363A (en) * 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
US5148301A (en) * 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
US5426526A (en) * 1991-04-05 1995-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type single crystal silicon substrate liquid crystal display device and system
JPH05165413A (ja) * 1991-12-17 1993-07-02 Sony Corp 表示装置
US5738731A (en) * 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
JPH07333645A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 G T C:Kk 表示素子
JP3272873B2 (ja) * 1994-08-15 2002-04-08 株式会社東芝 液晶表示装置
US5564592A (en) * 1994-10-21 1996-10-15 Wilshire Partners Cover assembly for a beverage dispenser
US5536950A (en) * 1994-10-28 1996-07-16 Honeywell Inc. High resolution active matrix LCD cell design
JP3512496B2 (ja) * 1994-11-25 2004-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ型半導体集積回路の作製方法
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JPH10153785A (ja) * 1996-09-26 1998-06-09 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3063831B2 (ja) * 1997-08-11 2000-07-12 日本電気株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2958474B2 (ja) * 1998-05-28 1999-10-06 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体装置、光弁装置およびプロジェクション装置
KR100551440B1 (ko) 1998-09-15 2006-05-16 삼성전자주식회사 칩 온 글라스 타입의 엘씨디 패널
JP2001100705A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2001272929A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp 平面表示装置用アレイ基板の製造方法
JP2002353242A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Sony Corp スイッチング素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法ならびに電気光学装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653321B1 (ko) * 2003-06-17 2006-12-04 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 화소어레이를 구비한 화상표시장치
KR101048983B1 (ko) * 2004-08-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 부분 결정화된 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치 및그 제조방법

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