JPH07333645A - 表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 液晶セル用ガラス基板と同一の熱膨張係数を
有する薄膜周辺駆動回路チップ用ガラス基板と、この基
板上にポリシリコン薄膜を用いて形成された走査側及び
信号側薄膜周辺駆動回路と、この回路のそれぞれの端末
にアクティブマトリクス基板１１の走査側及び信号側電
極配線の接続端子の間隔以上の間隔で設けられた接続端
子とからなる走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ
１２,１３を、このチップの接続端子とアクティブマト
リクス基板１１の走査側及び信号側接続端子とがそれぞ
れ接続されるように、アクティブマトリクス基板１１上
に直接実装する。 【効果】 熱応力による端子接続の切断がなく、この表
示素子を用いて大容量、大画面のメータサイズ液晶ディ
スプレイを高歩留まり、高信頼性で製造することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
駆動型液晶ディスプレイに用いられ、特に大面積のアク
ティブマトリクス駆動型液晶ディスプレイに好適に用い
られる表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイなどの表示素子の駆動
方法としては種々のものがあるが、なかでもアクティブ
マトリクス方式は、高画質化、大表示容量化が可能なこ
とから近年注目を集めている。

【０００３】この方式は、透明な液晶セル用ガラス基板
上にマトリクス状に形成された画素電極に印加される電
圧を、各画素電極に対応してマトリクス状に形成された
薄膜ダイオードや薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子によって断続することにより、各画素となる液晶セル
を直接駆動するものである。これらのスイッチング素子
の駆動は、液晶セル用のガラス基板の周辺等に配置され
た外部駆動用集積回路からなる周辺駆動回路により行わ
れる。なお、このように液晶セル用ガラス基板上にスイ
ッチング素子がマトリクス状に形成されたものをアクテ
ィブマトリクス基板という。

【０００４】図３は、スイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタを用いたアクティブマトリクス駆動方式を利用
したアクティブマトリクス駆動型液晶ディスプレイの等
価回路を示したものであり、図中、符号３０は薄膜トラ
ンジスタ、符号３１は走査側電極配線（以下、「走査
線」と略記する）、符号３２は信号側電極配線（以下、
「信号線」と略記する）、符号３３は液晶セル、符号３
４は走査側周辺駆動回路、符号３５は信号側周辺駆動回
路である。各走査線３１と信号線３２とによって区画さ
れた部分に、薄膜トランジスタ３０と、それに接続され
た液晶セル３３とをそれぞれ配設して液晶ディスプレイ
の一画素が構成される。なお、図３では、走査側及び信
号側周辺駆動回路３４,３５内の回路構成は図示せず省
略してある。

【０００５】この図３に示した等価回路を有するアクテ
ィブマトリクス駆動型液晶ディスプレイは、２枚の液晶
セル用ガラス基板の一方に、マトリクス状に配置された
薄膜トランジスタ３０、各薄膜トランジスタ３０に接続
された画素電極、薄膜トランジスタ３０を各行毎に共通
接続した走査線３１及び薄膜トランジスタ３０を各列毎
に共通接続した信号線３２を形成してアクティブマトリ
クス基板とし、もう一方のガラス基板上には共通電極を
形成し、これら２枚のガラス基板を対向させてその間に
液晶を注入して液晶セル３３とし、走査線３１及び信号
線３２の端末に走査側周辺駆動回路３４及び信号側周辺
駆動回路３５をそれぞれ接続して構成される。なお、カ
ラーディスプレイの場合は、ガラス基板の下側にカラー
フィルタを形成した、カラーフィルタ基板が設けられ
る。

【０００６】この様なアクティブマトリクス駆動型液晶
ディスプレイの周辺駆動回路３４,３５には、高画質表
示、高速駆動、低消費電力などの特性が要求されるた
め、液晶ディスプレイの画素数にみあった複数個の集積
回路が、走査側及び信号側の外部駆動用集積回路として
アクティブマトリクス基板周辺に実装される。周辺駆動
回路の実装方法としては、テープキャリアを用いて実装
するＴＡＢ方式や、液晶セル用のガラス基板上に直接実
装するチップオングラス（ＣＯＧ）方式等が用いられて
いる。

【０００７】また最近、周辺駆動回路３４,３５とし
て、薄膜トランジスタ等の薄膜素子を用いた薄膜周辺駆
動回路を、スイッチング素子マトリクスと同一面上に一
体化して液晶セル用のガラス基板上に作製する技術が注
目されている。一体作製により外部回路との接続端子の
数および外部駆動用集積回路の数の大幅な削減が可能と
なり、高密度かつ多数の端子接続工程から生ずる信頼性
の問題を解決できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】近年では、高品位テレ
ビ（ＨＤＴＶ）に代表される大容量、大画面の情報表示
装置への要求が高まり、表示面の対角寸法が１メートル
以上のディスプレイ、いわゆるメータサイズのディスプ
レイの実現が望まれているが、このメータサイズのディ
スプレイとして上記の様な液晶ディスプレイを利用する
技術が注目されている。このメータサイズのディスプレ
イを上記アクティブマトリクス駆動型液晶ディスプレイ
で実現するには、画素数を数百万個以上とし、走査線や
信号線をそれぞれ千本以上にしなくてはならない。この
様なディスプレイを、信頼性を低下させることなく、生
産性よく製造するためには、対角寸法が１メートル以上
の液晶セル用のガラス基板の周辺に、多数個の外部駆動
用集積回路を千箇所以上無欠陥で端子接続するか、ある
いはメータサイズのディスプレイの一辺に対応する長さ
の薄膜周辺駆動回路を液晶セル用のガラス基板上に高歩
留まりで一体成形する必要がある。

【０００９】ところが、プリント基板を用いる前記ＴＡ
Ｂ方式では、液晶セル用のガラス基板とプリント基板が
物理的に分離されているため、機械的な強度が弱く、端
子接続の信頼性に問題がある。

【００１０】集積回路を液晶セル用のガラス基板上にＣ
ＯＧ方式で直接実装する場合は、上記ＴＡＢ方式による
実装の様な基板の分離による機械的な強度の問題はない
が、液晶セル用のガラス基板とこれに実装された外部駆
動用集積回路のシリコンチップとの間に、ガラスとシリ
コンとの熱膨張係数の相違により発生する熱応力によっ
て、微細な端子接続が切断するなどの問題が生じ、やは
り信頼性が低下する。

【００１１】薄膜周辺駆動回路をスイッチング素子と一
体作製する方式では、上記ＴＡＢ方式やＣＯＧ方式の様
な端子接続の信頼性低下の問題は少ないが、その一方、
メータサイズのディスプレイの一辺に対応する長さの薄
膜周辺駆動回路を無欠陥で作製することは現状のプロセ
ス技術では難しい。それゆえ、薄膜周辺駆動回路の製造
歩留まりの悪さが液晶ディスプレイ装置全体の製造歩留
まりを低下させる大きな要因となっている。

【００１２】本発明は前記課題を解決するためになされ
たものであり、大容量、大面積のメータサイズの液晶デ
ィスプレイ用として用いても信頼性が高くかつ製造歩留
まりも高い表示素子を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、周辺駆動
回路として、液晶セル用のガラス基板周辺または該ガラ
ス基板上に実装した外部駆動用集積回路や、該ガラス基
板上にスイッチング素子と一体作製した大規模な薄膜周
辺駆動回路の代わりに、液晶セル用のガラス基板と同一
の熱膨張係数を有する同種のガラスからなるガラス基板
上に、ポリシリコンを用いた薄膜周辺駆動回路を別工程
で形成した薄膜周辺駆動回路チップを用い、この薄膜周
辺駆動回路チップをアクティブマトリクス基板上に直接
実装して表示素子を構成することにより達成される。

【００１４】液晶セル用及び薄膜周辺駆動回路チップ用
のガラス基板としては、歪点が６５０℃以上、軟化点が
９００℃以上、熱膨張係数が５ｘ１０^-6／℃のガラスが
好適に用いられる。ポリシリコン薄膜の形成は、５５０
℃程度の温度で行われるため、耐熱性の低いガラスでは
変形が大きく、薄膜トランジスタの微細パターンの形成
には不都合だからである。上記物理的特性をみたすガラ
ス基板としては、高耐熱性の無アルカリガラスが挙げら
れる。なお、ガラスの歪点及び軟化点は、ガラスの"粘
度-温度"特性を測定することにより決定される。

【００１５】本発明の表示素子において、薄膜周辺駆動
回路チップ以外の部分のアクティブマトリクス基板の回
路構成は、従来のアクティブマトリクス基板と同様に構
成することができる。すなわち本発明の表示素子を用い
たアクティブマトリクス駆動型液晶ディスプレイの等価
回路の一例を図３を利用して説明すれば、走査側及び信
号側周辺駆動回路３４,３５を上述した走査側及び信号
側薄膜周辺駆動回路チップに形成された走査側及び信号
側薄膜周辺駆動回路とし、走査側及び信号側薄膜周辺駆
動回路チップの図示しない接続端子と、アクティブマト
リクス基板の走査線及び信号線の端末に設けられた図示
しない接続端子（以下、「走査側及び信号側接続端子」
と略称する）とを接続して、本発明の表示素子の回路構
成とすることができる。

【００１６】なお、前述した通り、アクティブマトリク
ス基板においては、スイッチング素子が液晶セル用ガラ
ス基板上にマトリクス状に形成されているが、本発明の
表示素子のアクティブマトリクス基板においては、この
スイッチング素子としてアモルファスシリコンやポリシ
リコンを用いた薄膜トランジスタや薄膜ダイオードを利
用できる。

【００１７】本発明の表示素子における薄膜周辺駆動回
路チップには、液晶ディスプレイ用の走査側及び信号側
の薄膜周辺駆動回路チップの２種類がある。走査側薄膜
周辺駆動回路チップには、シフトレジスタとバッファ回
路等で構成された走査側薄膜周辺駆動回路が形成され
る。信号側薄膜周辺駆動回路チップには、電圧セレクタ
回路とアナログスイッチからなるアナログスイッチ方
式、又はサンプルホールドタイミング発生回路とサンプ
ルホールドとアナログオペアンプからなるアナログオペ
アンプ方式等で構成された信号側薄膜周辺駆動回路が形
成される。

【００１８】この走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路に
は、ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタが主に用い
られる。ポリシリコンは主として減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶ
Ｄ）法やレーザアニール法等の成膜方法によって形成さ
れる。減圧ＣＶＤ法は、シランガスを原料として加熱さ
れたガラス基板上に直接ポリシリコンを形成する方法
で、メータサイズの大面積のガラス基板を用いることが
できる。レーザアニール法は、ガラス基板上にあらかじ
め形成されたポリシリコンにレーザ光を照射して溶融再
結晶化する方法で、キャリア移動度を１００ｃｍ²／ｖ
ｓ以上と大きくすることができる。このため、大面積液
晶ディスプレイ用として必要な高速駆動（例えば数十Ｍ
Ｈｚ以上）の周辺駆動回路が、薄膜周辺駆動回路チップ
で実現できる。

【００１９】本発明における薄膜周辺駆動回路チップは
一度に複数個製造され、無欠陥の薄膜周辺駆動回路チッ
プのみ選別して使用することができる

【００２０】本発明の表示素子に実装される、走査側及
び信号側薄膜周辺駆動回路チップの数は、単数であって
も複数であってもよいが、同一の回路を有する複数の薄
膜周辺駆動回路チップに分割して実装した場合、薄膜周
辺駆動回路チップの製造で生じる欠陥品の量を最小限と
することができ製造歩留まりが良いので好ましい。

【００２１】走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ
をアクティブマトリクス基板に実装する際の接続は、走
査側及び信号側薄膜周辺駆動回路の端末に設けられた走
査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップの接続端子と、
アクティブマトリクス基板の走査側及び信号側接続端子
との間で行われる。

【００２２】走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ
の接続端子の寸法を大きくし、実装の際の端子接続工程
を容易にし、さらに端子接続の強度を高めるため、接続
端子の間隔は可能な限り大きくすることが好ましい。従
って、信号側薄膜周辺駆動回路チップをマトリクスの列
方向の両端に設け、各信号線の接続を上端と下端の交互
に行う上下交互接続とすることにより、信号側薄膜周辺
駆動回路チップの接続端子の間隔をアクティブマトリク
ス基板の信号線の間隔の２倍とするのが好ましい。一
方、走査側駆動回路の制約から走査線は左右交互接続す
ることはできないため、走査側薄膜周辺駆動回路チップ
の接続端子の間隔は、アクティブマトリクス基板の走査
線の間隔と同一とした場合が最大となり、好ましい間隔
である。

【００２３】アクティブマトリクス基板及び薄膜周辺駆
動回路チップの接続端子としては電気抵抗の小さい配線
電極材料を用いるのが好ましい。この様な材料として
は、アルミニウムが挙げられる。アルミニウムは最も電
気抵抗の小さい配線電極材料の一つであり、製造コスト
も安価で済む。

【００２４】本発明の表示素子において、上記薄膜周辺
駆動回路チップは上記アクティブマトリクス基板上に、
チップオングラス（ＣＯＧ）方式で直接実装することが
できる。この場合のＣＯＧ方式としては、アクティブマ
トリクス基板上の薄膜トランジスタ等からなる回路と薄
膜周辺駆動回路チップ上の薄膜周辺駆動回路とが直接向
かい合って接するフェイスダウン方式を用いることがで
きる。

【００２５】ＣＯＧ方式には、高価な金バンプを用いる
方法など各種あるが、金属材料を用いた場合は高価なフ
ォトリソグラフィー工程を行わなければならない。しか
し、本発明においてはアクティブマトリクス基板と薄膜
周辺駆動回路チップのそれぞれの接続端子のサイズを３
００〜４００μｍ角と大きくすることができ、電気的特
性及び機械的強度の点で制約が通常の集積回路実装と比
べて緩いので、現状で最も安価な各種実装法を選択する
ことができる。

【００２６】例えば、導電性ポリマーを接続端子間の接
続材料として用いた場合、スクリーン印刷などの安価な
方法で接続端子上にパターン形成ができるため、好都合
である。本発明において、接続材料として用いられる導
電性ポリマーの例としては、主として可溶性ポリアニリ
ン、あるいはポリピロールやポリチオフェン等が挙げら
れる。

【００２７】

【作用】本発明の表示素子は、周辺駆動回路として外部
駆動用集積回路を用いる代わりに、液晶セルのガラス基
板上に形成された薄膜周辺駆動回路チップを用いること
により、液晶セル用のガラス基板と周辺駆動回路チップ
との間の熱応力の問題を完全に回避することができるの
で、高信頼の端子接続が実現できる。

【００２８】また、液晶セル用のガラス基板上に薄膜周
辺駆動回路をを一体作製する代わりに、液晶セル用のガ
ラス基板と同一の熱膨張係数を有する同種のガラスから
なるガラス基板上に薄膜周辺駆動回路を別工程で形成し
た薄膜周辺駆動回路チップを用いることにより、無欠陥
の薄膜周辺駆動回路チップを選別して使用することがで
きるので、液晶ディスプレイ全体としての製造歩留まり
を向上できる。

【００２９】さらにシリコンチップを用いた外部駆動用
集積回路では、通常の大規模集積回路製造プロセスから
生ずるシリコンチップのサイズ（通常１０ｍｍ角程度）
上の制約により、接続端子間の寸法が１００μｍ以下、
接続端子自体の寸法が数十μｍ以下と微細なものを用い
なければならないのに対し、ガラス基板を用いた薄膜周
辺駆動回路チップは、サイズ上の制約は、例えば液晶セ
ル用のガラス基板の一辺程度と大きくすることもでき、
ほとんど無いと言えるので、接続端子間の寸法を液晶セ
ル用のガラス基板の電極配線間の寸法（例えば約５００
μｍ）とし、接続端子自体の寸法を例えば３００〜４０
０μｍ程度と大きくすることができる。このため端子接
続工程が極めて容易になり、無欠陥化が達成される。ま
た、端子接続の強度が飛躍的に増大するので、信頼性が
大幅に向上する。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。本実施例として、表示画面の対角寸法が１１００ｍ
ｍ、アスペクト比が１６対９、画面サイズが９６０ｍｍ
ｘ ５４０ｍｍ、画素数が１９２０ｘ１０３５、一画素
のサイズが０.５１ｍｍ ｘ ０.５３ｍｍの仕様の液晶デ
ィスプレイに用いられる表示素子を作製した。

【００３１】図１に、本発明における表示素子の一実施
例の構成を示す。基板サイズが６００ｍｍ ｘ １０００
ｍｍのアクティブマトリクス基板１１上に、チップサイ
ズが６０ｍｍ ｘ １０ｍｍの薄膜周辺駆動回路チップ１
２,１３をＣＯＧ方式により実装した。薄膜周辺駆動回
路チップ１２,１３は、９個の走査側薄膜周辺駆動回路
チップ１２と３２個の信号側薄膜周辺駆動回路チップ１
３とで構成した。信号側の駆動は、信号側薄膜周辺駆動
回路チップ１３をアクティブマトリクス基板１１の上側
及び下側にそれぞれ１６個ずつ実装して、交互取り出し
方式とした。

【００３２】アクティブマトリクス基板１１用のガラス
基板としては、歪点６５０℃以上、軟化点９００℃以
上、熱膨張係数５ｘ１０^-6／℃以下の、耐熱性に優れた
無アルカリガラスからなり、サイズが６００ｍｍ ｘ １
０００ｍｍの矩形の、液晶セル用のガラス基板を用い
た。

【００３３】薄膜周辺駆動回路チップ１２,１３用のガ
ラス基板としては、上記アクティブマトリクス基板１１
に用いた液晶セル用のガラス基板と同一性状、同一サイ
ズのガラス基板を用いた。このガラス基板上に後述する
方法で１０００個の同一の薄膜周辺駆動回路を形成した
後、このガラス基板を１０００等分に切り出して６０ｍ
ｍ ｘ １０ｍｍ角の薄膜周辺駆動回路チップ１２,１３
とした。

【００３４】アクティブマトリクス基板１１の作製方法
を、図３を利用して説明すれば、以下の通りである。ま
ず上記液晶セル用ガラス基板上に、減圧ＣＶＤ法及びレ
ーザアニール法を用いて、ポリシリコン薄膜を形成し
た。次に通常の大面積微細パターン形成プロセスを用い
て、１９２０ｘ３ｘ１０３５個の液晶セル３３駆動用の
スイッチング素子として薄膜トランジスタ３０をマトリ
クス状に形成した。このとき全てのプロセス温度が液晶
セル用ガラスの歪点６５０℃以下となるようにした。液
晶画面の開口率が８５％以上となるように、薄膜トラン
ジスタ３０のゲート長は１０μｍと微細にした。走査線
３１及び信号線３２の間隔は、それぞれ５２０μｍ及び
１６６μｍとした。また、走査線３１及び信号線３２の
各配線端末に、薄膜周辺駆動回路チップと接続するため
の、３００μｍ角の走査側及び信号側接続端子を設け
た。

【００３５】一方、走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路
チップ１２,１３用のガラス基板上にも、減圧ＣＶＤ法
及びレーザアニール法を用いて、それぞれポリシリコン
薄膜を形成した。次に、走査側薄膜周辺駆動回路チップ
１２用のガラス基板上に、通常の大面積微細パターン形
成プロセスを用いて、１０００個の同一の走査側薄膜周
辺駆動回路を形成した。同様の方法により、信号側薄膜
周辺駆動回路チップ１３用のガラス基板上に、１０００
個の同一の信号側薄膜周辺駆動回路を形成した。このと
き全てのプロセス温度の履歴が液晶セル用ガラス基板の
履歴と同じになるようにした。信号側薄膜周辺駆動回路
は、１０ＭＨｚ以上の高速駆動ができるように、２μｍ
の微細パターンプロセスを用いて形成した。薄膜周辺駆
動回路の各端末に、アクティブマトリクス基板１１の走
査側及び信号側接続端子と接続するための、３００μｍ
角の接続端子を設けた。走査側及び信号側薄膜周辺駆動
回路チップの接続端子の間隔は、それぞれ５２０μｍ及
び３３２μｍとした。次にダイヤモンドソーを用いたガ
ラス切断機で、それぞれ１０００個の走査側及び信号側
薄膜周辺駆動回路チップ１２,１３として切り出した。

【００３６】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板１１及び薄膜周辺駆動回路チップ１２,１
３から、アクティブマトリクス回路検査装置及び駆動回
路検査装置を用いて、それぞれ良品を選別した。その
際、完全無欠陥でないものでも、欠陥箇所が少ないもの
でかつ欠陥原因が断線又はショートと明確なものは、レ
ーザリペア装置により欠陥を修復した。このためアクテ
ィブマトリクス基板１１、走査側薄膜周辺駆動回路チッ
プ１２、及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ１３の製造
歩留まりを、それぞれ９０％、８５％及び７５％以上と
することができた。

【００３７】次に、上述の用に選別されたアクティブマ
トリクス基板１１、走査側薄膜周辺駆動回路チップ１
２、及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ１３を用いて表
示素子を組み立てた。図２は、本実施例におけるアクテ
ィブマトリクス基板１１と薄膜周辺駆動回路チップ１
２,１３との接続部分の断面図である。薄膜周辺駆動回
路チップ１２,１３の実装は、導電性ポリマー２３を用
いてＣＯＧ方式で行った。アクティブマトリクス基板１
１の接続端子２４及び薄膜周辺駆動回路チップ１２,１
３の接続端子２５の材料はいずれもアルミニウムとし
た。まずアクティブマトリクス基板１１の接続端子２４
の上に導電性ポリマー２３を２５μｍの厚さで印刷形成
した。同様に、薄膜周辺駆動回路チップ１２,１３の接
続端子２５の上に導電性ポリマー２３を２５μｍの厚さ
で印刷形成した。次いで、対応するアクティブマトリク
ス１１の接続端子２４と薄膜周辺駆動回路チップ１２,
１３の接続端子２５とを接触させ、約２００ｇ／ｃｍ²
の圧力を加えて圧接した。同時に１５０℃で１０分間加
熱して導電性ポリマー２３を硬化させた。

【００３８】この様にして製造された表示素子に、通常
の液晶ディスプレイ製造プロセスと同様の方法で、共通
電極基板を対向させて接着し、液晶を注入・封止してさ
らにカラーフィルタ基板と接着して液晶ディスプレイを
作製した。その結果、対角寸法１１００ｍｍ、総画素数
が約６百万個の大表示容量の高画質液晶ディスプレイを
高い歩留まりで実現することができた。

【００３９】

【発明の効果】本発明の表示素子は、液晶セル用のガラ
ス基板と同一の膨張係数を有する同種のガラスからなる
ガラス基板上に、ポリシリコンを用いた薄膜周辺駆動回
路を別工程で形成した薄膜周辺駆動回路チップを用い、
この薄膜周辺駆動回路チップをアクティブマトリクス基
板上に直接実装して構成されるので、熱応力による端子
接続の切断がなく、この表示素子を用いて大容量、大画
面のメータサイズ液晶ディスプレイを高歩留まり、高信
頼性で製造することができる。

【００４０】また、液晶セル用及び薄膜周辺駆動回路チ
ップ用ガラス基板として、歪点が６５０℃以上、軟化点
が９００℃以上、熱膨張係数が５×１０^-6／℃以下のガ
ラス、特に耐熱性の無アルカリガラスを用いることによ
り、ポリシリコン薄膜形成時のガラス基板の変形を防ぐ
ことができる。

【００４１】また、走査側薄膜周辺駆動回路チップの接
続端子の間隔をアクティブマトリクス基板の走査側接続
端子の間隔と同一とし、信号側薄膜周辺駆動回路チップ
の接続端子の間隔をアクティブマトリクス基板の信号側
接続端子の間隔の２倍とした場合、それぞれの薄膜周辺
駆動回路チップの接続端子の間隔を最大値とすることが
できるので、接続端子の寸法を大きくすることができ、
より高強度の端子接続が可能である。

【００４２】アクティブマトリクス基板及び薄膜周辺駆
動回路チップの接続端子の材料をアルミニウムとした場
合、接続部分の電気抵抗を低く抑えることができ、また
製造コストを下げることが可能である。

【００４３】接続端子間の接続材料として導電性ポリマ
ーを用いた場合は、スクリーン印刷等の印刷方法を利用
できるため、実装における接続工程の費用を安価に抑え
ることができる。

【００４４】スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を用いた場合は、高いスイッチング特性が得られる。

【００４５】走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ
の実装方法としてＣＯＧ方式を利用することにより、機
械的強度の強い接続が得られる。

【００４６】走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップ
をそれぞれ複数個のチップで構成した場合、薄膜周辺駆
動回路チップの製造で生じる欠陥品の量を最小限とする
ことができるので、より高い製造歩留まりを達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の表示素子の実施例を示す構成図であ
る。

【図２】 本発明の表示素子における、アクティブマト
リクス基板と薄膜周辺駆動回路チップの接続の例を示す
断面図である。

【図３】 薄膜トランジスタをスイッチング素子として
用いたアクティブマトリクス駆動型液晶ディスプレイの
等価回路図である。

【符号の説明】

１０……表示素子、１１……アクティブマトリクス基
板、１２……走査側薄膜周辺駆動回路チップ、１３……
信号側薄膜周辺駆動回路チップ、２３……導電性ポリマ
ー、２４……アクティブマトリクス基板の接続端子、２
５……薄膜周辺駆動回路チップの接続端子、３０……薄
膜トランジスタ、３１……走査側電極配線、３２……信
号側電極配線。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配列された複数のスイッ
   チング素子と、各スイッチング素子に対応するように配
   列された画素電極と、スイッチング素子を各行毎に共通
   接続した走査側電極配線と、スイッチング素子を各列毎
   に共通接続した信号側電極配線と、走査側及び信号側電
   極配線のそれぞれの端末に設けられた走査側及び信号側
   接続端子とが透明なガラスからなる液晶セル用ガラス基
   板上に形成されたアクティブマトリクス基板を有する表
   示素子において、 このアクティブマトリクス基板が走査側及び信号側薄膜
   周辺駆動回路チップを有し、 この走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップが、上記
   液晶セル用ガラス基板のガラスと同一の熱膨張係数を有
   するガラスからなる薄膜周辺駆動回路チップ用ガラス基
   板と、この薄膜周辺駆動回路チップ用ガラス基板上にポ
   リシリコン薄膜を用いて形成された走査側及び信号側薄
   膜周辺駆動回路と、上記アクティブマトリクス基板の走
   査側及び信号側電極配線の接続端子の間隔以上の間隔で
   この走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路のそれぞれの端
   末に設けられた接続端子とからなり、 この走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップが、上記
   走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チップの接続端子と
   上記アクティブマトリクス基板の走査側及び信号側接続
   端子とがそれぞれ接続されるように、上記アクティブマ
   トリクス基板上に直接実装されていることを特徴とする
   表示素子。
2. 【請求項２】 液晶セル用ガラス基板及び薄膜周辺駆動
   回路チップ用ガラス基板が、歪点が６５０℃以上、軟化
   点が９００℃以上、熱膨張係数が５×１０^-6／℃以下の
   ガラスからなることを特徴とする請求項１記載の表示素
   子。
3. 【請求項３】 液晶セル用ガラス基板及び薄膜周辺駆動
   回路チップ用ガラス基板が無アルカリガラスからなるこ
   とを特徴とする請求項２記載の表示素子。
4. 【請求項４】 走査側薄膜周辺駆動回路チップの接続端
   子の間隔が、アクティブマトリクス基板の走査側電極配
   線の間隔と同一であることを特徴とする請求項１記載の
   表示素子。
5. 【請求項５】 信号側薄膜周辺駆動回路チップの接続端
   子の間隔が、アクティブマトリクス基板の信号側電極配
   線の間隔の２倍であることを特徴とする請求項１記載の
   表示素子。
6. 【請求項６】 アクティブマトリクス基板の走査側及び
   信号側接続端子と走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チ
   ップの接続端子とがアルミニウムからなり、これらが導
   電性ポリマーからなる接続材料を介して接続されている
   ことを特徴とする請求項１記載の表示素子。
7. 【請求項７】 スイッチング素子が薄膜トランジスタで
   あることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
8. 【請求項８】 走査側及び信号側薄膜周辺駆動回路チッ
   プがアクティブマトリクス基板上にチップオングラス方
   式で実装されていることを特徴とする請求項１記載の表
   示素子。
9. 【請求項９】 それぞれ複数個の走査側及び信号側薄膜
   周辺駆動回路チップがアクティブマトリクス基板上に直
   接実装されていることを特徴とする請求項１記載の表示
   素子。