KR20020092176A - 네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴형성 방법 - Google Patents

네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020092176A
KR20020092176A KR1020020022663A KR20020022663A KR20020092176A KR 20020092176 A KR20020092176 A KR 20020092176A KR 1020020022663 A KR1020020022663 A KR 1020020022663A KR 20020022663 A KR20020022663 A KR 20020022663A KR 20020092176 A KR20020092176 A KR 20020092176A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
paste
negative
film
ray
photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020020022663A
Other languages
English (en)
Inventor
고지마다이수크
이마이겐지
Original Assignee
간사이 페인트 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 간사이 페인트 가부시키가이샤 filed Critical 간사이 페인트 가부시키가이샤
Publication of KR20020092176A publication Critical patent/KR20020092176A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

본 발명은 네가티브형 감에너지선성(actinic ray-sensitive) 조성물에 도전성 분말 및 필요에 따라 열에 의해 융착하는 무기 분말을 첨가하여 제조한 네가티브형 감에너지선성 페이스트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은
(1a) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 기재 표면에 적층하여 페이스트막 층을 형성시키는 단계;
(2a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
(3a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

Description

네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법 {NEGATIVE ACTINIC RAY-SENSITIVE PASTE AND PATTERN-FORMING METHOD BY USE OF THE SAME}
발명의 배경
본 발명은 네가티브형 감에너지선성(actinic ray-sensitive) 페이스트 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
배경 기술의 설명
종래, 노광 기술을 이용한 리소그래피는 예컨대 플라스틱, 무기 물질 등에 패턴을 형성시키는 방법으로서 배선판(printed - circuit board), 디스플레이 패널 등에 이용되어 왔다.
전술한 패턴을 형성하는 방법으로는, 예컨대, 감광성 화합물에 도전성 금속 미립자, 중합 개시제 및 유리 프릿(glass frit)을 배합하여 제조한 감광성 페이스트(일본 특허 공개 공보 제97-304923호 참조)를 기재 표면에 피복하여 감광성 도전층을 형성한 후, 그 감광성 도전층의 표면 상에 가시광선을 조사하고, 이어서 경화된 도전층을 현상 처리함으로써 원하는 도전성 패턴을 얻은 후, 소성시킴으로써 원하는 패턴을 얻는 패턴 형성 방법이 당업계에 공지되어 있다. 그러나, 상기 패턴 형성 방법은 배선판의 정밀도가 떨어진다고 하는 결점이 있었다. 또한, 도전층의 감광성이 충분하지 않기 때문에 샤프한 패턴을 형성시킬 수 없다고 하는 결점이 있었다. 또한, 도전층의 막 두께를 두껍게 하는 것이 어렵기 때문에 용도가 제한된다고 하는 문제도 있었다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 고정밀도를 갖는 배선판 등을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 샤프한 패턴을 형성할 수 있고 충분한 감광성을 나타내는 도전층을 형성시킬 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 용도에 제한이 없는 고성능의 두꺼운 도전층을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 네가티브형 감에너지선성 조성물에 도전성 분말 및 필요에 따라 열에 의해 융착하는 무기 분말을 첨가하여 제조한 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 제공한다.
본 발명은
(1a) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 기재 표면에 적층하여 페이스트막 층을 형성시키는 단계;
(2a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
(3a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명은
(1b) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막(release film) 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 건조막 내의 페이스트막 표면이 기재 표면과 대향하여 접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시킨 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계;
(2b) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
(3b) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명은
(1c) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 페이스트막의 표면이 기재 표면과 대향하여 접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시키는 단계;
(2c) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 건조막의 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사한 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계; 및
(3c) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 네가티브형 감에너지선성 페이스트는 네가티브형 감에너지선성 조성물에 도전성 분말 및 필요에 따라 열에 의해 융착하는 무기 분말을 첨가하여 제조한다.
상기 네가티브형 감에너지선성 조성물의 예로는, 가시광선, 자외선 또는 열선 등의 에너지선이 조사된 피막 지점은 경화되어 현상액에 불용성으로 되고, 한편, 상기 에너지선의 미조사 피막 지점은 현상액에 용해됨으로써 레지스트 패턴 피막을 형성할 수 있는 것으로서, 예를 들어, 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물, 네가티브형 자외선 감광성 수지 조성물, 네가티브형 감열선성 수지 조성물 등이 있다.
상기 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물로는 예를 들어 광경화성 수지, 광반응 개시제 및 필요에 따라 감광화제(photosensitizer)를 함유하는 당업계에 공지된 임의의 수지 조성물을 사용할 수 있다.
상기 광경화성 수지는 광조사에 의해 가교될 수 있는 광경화성기 및 이온성기(즉, 음이온성기 또는 양이온성기)를 갖는 임의의 공지된 광경화성 수지로서, 상기 수지 속의 미노광부 피막이 알칼리성 현상액 또는 산성 현상액에 용해되어 제거될 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 광경화성 수지에 함유되는 광경화성기로서의 불포화기의 예로는 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 스티릴기, 알릴기 등을 들 수 있다.
상기 이온성기 중 음이온성기로서는 카르복실기를 대표적인 예로 들 수 있다. 상기 카르복실기의 함량은 수지의 산가로 약 10∼700 ㎎KOH/g, 특히 약 20∼600 ㎎KOH/g 범위의 것이 바람직하다. 산가가 약 10 ㎎KOH/g 이하인 경우에는, 현상액을 사용한 현상 처리 중에 미경화 피막의 용해성이 뒤떨어지기 때문에 충분히 제거할 수 없다고 하는 결점이 있다. 한편, 산가가 약 700 ㎎KOH/g 이상인 경우에는, 레지스트 피막부 또는 경화 피막부가 탈락되기 쉬워져서 충분한 패턴을 형성할 수 없다고 하는 결점이 있다. 또한, 상기 양이온성기로서는 아미노기를 대표적인 예로 들 수 있다. 아미노기의 함량은 수지의 아민가로 약 20∼650, 특히 약 30∼600 범위의 것이 바람직하다. 아민가가 약 20 이하인 경우에는, 전술한 바와 마찬가지로 미경화 피막을 충분히 제거할 수 없다고 하는 결점이 있다. 한편, 아민가가 약 650 이상인 경우에는, 레지스트 막이 탈락하기 쉬워진다고 하는 결점이 있기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 음이온성 수지로서는, 예컨대, 폴리카르복실산 수지를 예컨대, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 모노머와 반응시켜 수지 내에 불포화기와 카르복실기를 도입한 것을 들 수 있다.
상기 양이온성 수지로서는, 예컨대, 수산기 및 제3급 아미노기 함유 수지에,수산기 함유 불포화 화합물과 디이소시아네이트 화합물의 반응 생성물을 부가 반응시켜 제조한 수지를 들 수 있다.
상기 음이온성 수지 및 양이온성 수지에 대한 상세한 정보는 일본 특허 공개 공보 제91-223759호에 공개되어 있는 광경화성 수지를 참고할 수 있다.
광반응 개시제로서는 당업계에 공지된 광반응 개시제, 예컨대, 벤조페논, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤질크산톤, 티오크산톤, 안트라퀴논 등의 방향족 카르보닐 화합물; 아세토페논, 프로피오페논, α-하이드록시이소부틸페논, α, α'-디클로로-4-페녹시아세토페논, 1-하이드록시-1-사이클로헥실아세토페논, 디아세틸아세토페논 등의 아세토페논류; 벤조일 퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸디퍼옥시이소프탈레이트, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 유기 과산화물; 디페닐요오도늄 브로마이드, 디페닐요오도늄 클로라이드 등의 디페닐 할로늄염; 테트라브롬화탄소, 클로로포름, 요오드포름 등의 유기 할로겐화물; 3-페닐-5-이소옥사졸론, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진벤즈안트론 등의 복소환식 및 다환식 화합물; 2,2'-아조(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-이조비스이소부틸로니트릴, 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸부틸로니트릴) 등의 아조 화합물; 철-알렌 착체(유럽 특허 공보 제152377호 참조); 티타노센 화합물(일본 특허 공개 공보 제88-221110호 참조), 비스이미다졸계 화합물; N-아릴글리시딜계 화합물; 아크리딘계 화합물; 방향족 케톤과 방향족 아민의 조합; 퍼옥시케탈(일본 특허 공개 공보 제94-321895호 참조) 등을 들 수 있다. 전술한 라디칼 광중합 개시제 중에서도, 디-t-부틸디퍼옥시이소프탈레이트, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 철-알렌 착체 및 티타노센 화합물은 가교 또는 중합에 대한 활성이 높으므로 바람직하다.
또한, 라디칼 광중합 개시제의 상품명으로서는 예컨대 이르가큐어(Irgacure) 651(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 아세토페논계 라디칼 광중합 개시제), 이르가큐어 184(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 아세토페논계 라디칼 광중합 개시제), 이르가큐어 1850(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 아세토페논계 라디칼 광중합 개시제), 이르가큐어 907(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 아미노알킬페논계 라디칼 광중합 개시제), 이르가큐어 369(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 아미노알킬페논계 라디칼 광중합 개시제), 루시린 TPO(BASF사에서 제조한 상품의 상품명, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀 옥사이드), 카야큐어(Kayacure) DETXS(니혼카야쿠 가부시키가이샤에서 제조한 상품의 상품명), CGI-784(시바가이기사에서 제조한 상품의 상품명, 티탄 착체 화합물) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도 티타노센 화합물이 특히 바람직하다.
상기 광반응 개시제의 배합량은 광경화성 수지 100 중량부에 대하여 0.1∼25 중량부, 바람직하게는 0.2∼10 중량부 범위이다.
상기 감광화제로는 공지된 감광화제 염료를 들 수 있다.
감광화제 염료로서는, 예컨대, 티오크산텐계, 크산텐계, 케톤계, 티오피릴륨염계, 베이스 스티릴계, 메로시아닌계, 3-치환 쿠마린계, 3,4-치환 쿠마린계, 시아닌계, 아크리딘계, 티아진계, 페노티아진계, 안트라센계, 코로넨계, 벤즈안트라센계, 페릴렌계, 메로시아닌계, 케토쿠마린계, 푸마린계, 보레이트계 등의 염료를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 보레이트계 감광화제 염료로서는, 예컨대, 일본 특허 공개 공보 제93-241338호, 일본 특허 공개 공보 제95-5885호 및 일본 특허 공개 공보 제95-225474호 등에 공개된 것을 들 수 있다.
이들 중에서도 특히 보레이트계, 및 쿠마린계 감광화제 염료, NKX-1595 (상표명, 10-(2-벤조티아졸릴)-2,3,6,7-테트라하이드로-1,1,7,7-테트라메틸1H,5H,11H-[1]벤조피라노[6,7,8ij]퀴놀리진-11-온)가 바람직하다.
전술한 수지 이외에 포화 수지를 사용할 수도 있다. 이러한 포화 수지는 광중합성 조성물의 용해성을 억제하기 위한 목적으로 사용할 수 있다. 예를 들어, 레지스트 막의 알칼리 현상액에 대한 용해성이나 광경화 피막의 제거에서 사용하는 강알칼리액에 대한 용해성을 억제하기 위한 억제제로서 사용할 수 있다. 상기 포화 수지로서는, 예컨대, 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, (메트)아크릴 수지, 비닐 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 천연 수지, 합성 고무, 실리콘 수지, 탄화불소 수지, 폴리우레탄 수지 등이 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.
상기 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물의 유기 용제형의 것으로서는, 상기 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물을 유기 용제(예를 들어, 케톤류, 에스테르류, 에테르류, 셀로솔브류, 방향족 탄화수소류, 알콜류, 할로겐화 탄화수소류 등)에 용해 또는 분산시켜 제조한 것 등이 있다.
또한, 상기 가시광 감광성 수지 조성물 이외에, 수 현상성(water-developable) 가시광 감광성 수지 조성물을 사용할 수 있다. 이러한 수 현상성 가시광 감광성 수지 조성물서는, 예컨대, 노볼락 페놀형 에폭시 수지에 광중합성 불포화기와 이온 형성기를 갖는 수성 수지를 사용할 수 있다. 상기 수성 수지는 노볼락 페놀형 에폭시 수지에 포함된 일부 에폭시기와 (메트)아크릴산을 부가 반응시킴으로써 광중합성 수지를 제조하는 단계, 및 상기 에폭시기와 예컨대 제3급 아민 화합물을 반응시킴으로써 수용성의 오늄염 기(onium salt group)를 형성시키는 단계를 포함하는 방법으로 제조할 수 있다. 상기 수지는, 노광된 부분은 광경화되어 수불용성으로되지만, 미노광 부분은 이온 형성기로 인해 수 현상성이 있다. 또한, 상기 수지를 약 140∼200℃에서 10∼30분간 후가열시켜 상기 이온 형성기를 휘발시킴에 의하여 소수성 피막을 형성시킬 수 있기 때문에, 상기 알칼리 또는 산 현상성 광경화성 조성물과 같이 레지스트막 내에 친수성기(예, 카르복실기, 아미노기 등) 및 이들의 염(즉, 현상액에 의한 염)이 포함되지 않은, 우수한 레지스트성을 나타내는 피막을 형성시킬 수 있다. 전술한 수성 수지 이외에, 예컨대 글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시 사이클로헥실 알킬 (메트)아크릴레이트, 비닐 글리시딜에테르 등의 에폭시기 함유 라디칼 중합성 불포화 모노머의 동 중합체 (homopolymer) 또는 이들 1종 이상의 모노머와 기타 라디칼 중합성 불포화 모노머 [예컨대, 탄소수 1∼24의 알킬 또는 사이클로알킬(메트)아크릴산 에스테르류, 라디칼 중합성 불포화 방향족 화합물 등]의 공중합체, 및 (메트)아크릴산을 부가 반응시킴으로써 광중합성 수지를 제조하고, 또한 상기 에폭시기와 예컨대 제3급 아민화합물을 반응시킴으로써 수용성 오늄염기를 형성시킴으로써 얻어지는 라디칼 중합체도 사용할 수 있다.
또한, 상기 수지 조성물은 예컨대, 롤러 피복, 롤 코터 피복, 스핀 코터 피복, 커튼 롤 코터 피복, 스프레이 피복, 정전 피복, 침지 피복, 실크 인쇄, 스핀 피복 등의 수단에 의해 기재 상에 피복할 수 있다. 그 다음, 필요에 따라 세팅(setting)한 후, 건조시킴으로써 레지스트 피막을 수득할 수 있다.
또한, 노광하여 경화시키기 전에, 감광성 레지스트 막 표면을 커버 코트층으로 피복할 수 있다. 이 커버 코트층은 공기중의 산소를 차단하여 노광에 의해 발생한 라디칼이 산소에 의해 실활하는 것을 방지함으로써, 노광에 의한 감광 재료의 경화를 원활하게 진행시키기 위한 차단막으로 사용할 수 있다.
네가티브형 가시광 감광성 수지 수성 레지스트 조성물은 전술한 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물을 물에 용해 또는 분산시킴으로써 수득할 수 있다.
수성 감광성 수지 조성물의 수용해 또는 수분산은 광중합성 조성물중의 음이온성기(예컨대, 카르복실기)를 알칼리(중화제)로 중화시키거나, 또는 광중합성 조성물중의 양이온성기(예컨대, 아미노기)를 산(중화제)으로 중화시킴으로써 수행할 수 있다. 수 현상성 조성물은 물에 직접 분산 또는 용해될 수 있다.
유기 용제계 또는 수성 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물을 기재상에 피복하여 수득한 네가티브형 가시광 감광성 수지 피막은 원하는 레지스트 막 또는 인쇄 화상(printed image)을 수득할 수 있도록 광선에 직접 노광시켜 미노광 부분의 피막을 현상액으로 현상 처리하여 제거한다.
광경화에 사용되는 광원으로는, 예컨대, 초고압 수은등, 고압 수은등, 중압 수은등, 저압 수은등, 케미컬 램프등, 카본 아크등, 크세논등, 메탈할라이드등, 텅스텐등 등을 비롯하여 당업계에 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 가시광 영역에 발진선(發振線; oscillating curve)을 갖는 각종 레이저도 사용할 수 있다. 특히, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚), YAG-SHG 레이저(발진선 532 ㎚), UV 레이저(발진선 351∼364 ㎚)를 사용할 수 있다.
음이온성 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물은 알칼리성 현상 처리를 행하고, 양이온성 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물은 산 현상 처리를 행할 수 있다.
네가티브형 가시광 감광성 건조막은, 예컨대, 상기 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 박리지(release paper)에 피복하고, 건조시켜 물이나 유기 용제를 휘발시킴으로써 수득할 수 있다. 이것을 사용할 때에는 박리지를 제거할 수 있다.
상기 네가티브형 자외 감광성 수지 조성물로서는, 예컨대, 상기 광경화성 수지 및 상기 광반응 개시제를 함유한 것을 사용할 수 있다. 상기 네가티브형 자외 감광성 수지 조성물은 상기 네가티브형 가시광 감광성 수지 조성물과 같은 방법으로 패턴을 형성시킬 수 있다. 광경화에 사용되는 광원으로서는 당업계에 공지된 광원, 예컨대, 초고압 수은등, 고압 수은등, 중압 수은등, 저압 수은등, 케미컬 램프등, 카본 아크등, 크세논등, 메탈할라이드등, 텅스텐등 등을 사용할 수 있다.
상기 네가티브형 감열성 수지 조성물 중에서 유기 용제계의 네가티브형 감열성 수지 조성물로서는, 적외선 등의 열선에 의해 가교가능한 수지 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시켜 제조한 것을 사용할 수 있다. 이 수지 조성물로서는, 당업계에 공지된 수지 조성물, 예컨대, 수산기 함유 수지/아미노 수지, 수산기 함유 수지/블록 이소시아네이트, 멜라민 수지, 가수 분해성기(예, 알콕시실릴기, 하이드록시실릴기 등) 함유 실리콘 수지 또는 아크릴계 수지, 에폭시 수지/페놀 수지, 에폭시 수지/(무수)카르복실산, 에폭시 수지/폴리아민, 불포화 수지/라디칼 중합 촉매(예, 퍼옥사이드 등), 카르복실기 및/또는 하이드록시페닐기/에테르 결합 함유 올레핀성 불포화 화합물 등을 들 수 있다.
상기 수성 네가티브형 감열성 수지 조성물로서는, 적외선 등의 열선에 의해 가교가능한 수지에 산성기 또는 염기성기를 함유시키고, 이것을 각각 염기 화합물 또는 산성 화합물의 중화제로 중화시킨 것을 물에 용해 또는 분산시킨 것을 사용할 수 있다.
네가티브형 감열성 건조막은, 예컨대, 상기 네가티브형 감열성 수지 조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 박리지에 피복하고, 건조시켜 물이나 유기 용제를 휘발시킴으로써 수득할 수 있다. 이것을 사용할 때에는 박리지를 제거할 수 있다.
상기 네가티브형 감열성 수지 조성물로부터 형성된 피막은 원하는 피막 패턴을 얻기 위하여 열선으로 직접 감열시킨 후, 유기 용제, 산, 알칼리 등의 적당한 현상액으로 현상 처리하여 미노광 부분의 피막을 제거한다. 열선으로는, 예컨대, 반도체 레이저(830 ㎚), YAG 레이저(1.06 ㎛) 등을 들 수 있다.
감에너지선 피막 층의 레지스트 패턴 피막의 형성 후, 노출된 비감에너지선성 피막은 현상 처리에 의해 제거할 수 있다.
상기 현상 처리에 있어서의 현상 처리액이나 현상 처리 조건은 상기 네가티브형 감광성 수지 조성물에 관하여 기재한 것과 같은 것을 사용하여 상기 현상 처리를 수행할 수 있다.
본 발명의 페이스트에 사용하는 도전성 분말로는 당업계에 공지된 도전성 안료, 예컨대 은, 동, 철, 망간, 니켈, 알루미늄, 코발트, 크롬, 납, 아연, 비스무트, 인듐 주석 옥사이드 (ITO) 등의 금속류, 이들의 1종 이상 합금류, 이들의 산화물, 또한 절연 재료 표면에 이들 도전 재료가 코팅 또는 증착되어 있는 것 등을 들 수 있다. 또한, 이들 안료는 도전성을 갖는 것이면 금속 이외의 것, 예컨대 도전성 중합체 등도 사용할 수 있다.
또한, 안티몬을 도핑한 이산화주석 분말[이하에서, 이것을 "산화주석/안티몬 (도핑)"이라 약칭하는 경우가 있음]도 사용할 수 있다. 이것은 반도성 물질인 이산화주석 성분을 안티몬 성분으로 도핑함으로써 전자의 도너 레벨을 형성하여 도전성을 높인 것이다. 그 예로는 산화주석/안티몬(도핑) 단품 또는 다른 기재에 산화주석/안티몬(도핑)을 피복한 피복품을 들 수 있다. 상기 산화주석/안티몬(도핑)을 피복시키기 위해서 사용하는 다른 기재로서는, 예컨대, 산화티탄, 티탄산칼륨, 붕산알루미늄, 황산바륨, 운모, 실리카 등을 들 수 있다.
도전성 분말의 배합량은 10∼90 중량%, 바람직하게는 50∼80 중량%이다.
본 발명 페이스트에는 유리 기판과의 밀착성을 좋게 하기 위해 유리 프릿을배합할 수 있다. 유리 기판 상으로 플라즈마 디스플레이 열처리를 행하는 경우에는, 유리 성분의 유리 전이 온도(Tg) 및 유리 연화점(Ts)은 각각 300∼800℃ 및 400∼600℃인 것이 바람직하다. Tg가 400∼600℃인 것이 더욱 바람직하다. Tg가 300℃ 이하가 되면, 중합체 바인더나 모노머 등의 유기 성분이 증발하기 전에 소결이 시작되기 때문에 바람직하지 못하다.
유리 프릿의 배합량은 1∼10 중량%인 것이 바람직하다. 1∼5 중량%가 더욱 바람직하다. 플라즈마 디스플레이 전극의 저저항화를 도모하기 위해서는 유리 성분의 배합량을 가능한 한 적게 하는 것이 바람직하다. 유리 프릿은 전기 절연성이기 때문에, 배합량이 10 중량%를 넘으면 전극의 저항이 증대하기 때문에 바람직하지 못하다. 배합량이 1 중량% 이하인 경우에는 전극막과 유리 기판과의 강고한 접착 강도를 얻기 어렵다. 나아가서는, 각 성분의 배합량이 다음에 나타내는 양인 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트에는, 필요에 따라 기타 착색제, 예를 들어, 카본 블랙 등의 착색 안료 및 염료 등, 충전제 및 첨가제 등을 함유시킬 수 있다.
상기 유기 용제계 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물은 상기 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물을 각각 유기 용제, 예를 들어, 케톤류, 에스테르류, 에테르류, 셀로솔브류, 방향족 탄화수소류, 알콜류, 할로겐화 탄화수소류 등에 용해 또는 분산시켜 제조할 수 있다.
수성 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물은 상기 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물을 각각 물에 용해 또는 분산시킴으로써 제조할 수 있다.
수성 감광성 또는 감열성 수지 조성물의 용해 또는 분산은 상기 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물 중의 카르복실기 또는 아미노기를 알칼리 또는 산(중화제)으로 중화시킴으로써 수행할 수 있다.
상기 유기 용제계 또는 수성 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물은 예컨대, 롤러, 롤 코터, 스핀 코터, 커튼 플로우 코터, 스프레이, 정전 피복, 침지 피복, 실크 인쇄, 스핀 피복 등의 피복 방법으로 기재 상에 피복할 수 있다. 그 다음, 필요에 따라 세팅한 후, 건조시킴으로써 페이스트 피막을 수득할 수 있다.
또한, 상기 수성 또는 유기 용제계의 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 시트 등의 박리 시트(release sheet) 표면에 피복 또는 인쇄한 후, 실온 건조, 또는 열처리(예, 80℃에서 30분간)함으로써 경화 또는 미경화의 페이스트 피막을 형성시켜 제조한 건조막도 사용할 수 있다.
이하에서 본 발명의 패턴 형성 방법을 설명한다.
본 발명은
(1a) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 기재 표면에 적층하여 페이스트막 층을 형성시키는 단계;
(2a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
(3a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
단계 (1a):
단계 (1a)에서 사용되는 상기 네가티브형 감에너지선성 페이스트로서는, 상기 수성 또는 유기 용제계의 네가티브형 감광성 또는 감열성 수지 조성물 각각에 도전성 분말 및 무기 분말을 배합하여 제조한 액상 페이스트를 사용할 수 있다.
상기 페이스트의 고형분 함량은 10∼90 중량%가 바람직하며, 50∼80 중량%가 특히 바람직하다.
상기 페이스트는 예컨대, 롤러, 롤 코터, 스핀 코터, 커튼 플로우 코터, 스프레이, 정전 피복, 침지 피복, 실크 인쇄, 스핀 피복 등의 피복 방법에 의해 기재 상에 피복 또는 인쇄할 수 있다. 그 다음, 필요에 따라 세팅한 후, 가열함으로써 페이스트 피막을 수득할 수 있다. 가열은 통상 50∼130℃, 특히 80∼120℃에서 5∼60분간, 특히 10∼30분간 수행하는 것이 바람직하다.
페이스트막 층의 두께는 사용되는 용도에 따라 다르지만, 블랙 매트릭스 등의 피복이나 인쇄의 경우에는 약 1∼100 ㎛, 특히 약 2∼80 ㎛이 바람직하고, 성형 가공(fabrication) 등을 행하여 기재로서 사용하는 경우에는 약 100 ㎛∼10 ㎜, 특히 약 200 ㎛∼5 ㎜ 범위가 바람직하다.
상기 페이스트는 특별한 제한 없이 필요한 임의 기재를 선택하여 피복할 수 있다. 상기 기재로서는, 예컨대, 유리 기재, 도전성 금속 증착 기판(예, ITO 기판, 알루미늄판, 크롬판 등), 세라믹 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
단계 (2a):
단계 (2a) 사용되는 페이스트막 표면에 조사하는 에너지선의 광원으로는 당업계에 공지된 것, 예컨대, 초고압 수은등, 고압 수은등, 중압 수은등, 저압 수은등, 케미컬 램프등, 카본 아크등, 크세논등, 메탈할라이드등, 텅스텐등, 태양광 등의 광원을 사용할 수 있다. 또한, 가시 영역에 발진선을 갖는 각종 레이저도 사용할 수 있다. 특히, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚), YAG-SHG 레이저(발진선 532 ㎚), UV 레이저(발진선 351∼364 ㎚) 등의 레이저를 사용할 수 있다. 조사량은 10-1∼103mJ/㎠, 특히 1∼102mJ/㎠가 바람직할 수 있다.
상기 열선으로서는, 예컨대, 반도체 레이저, YAG 레이저 등을 사용할 수 있다.
단계 (3a):
단계 (3a)에서 사용되는 페이스트막 층의 현상 처리는, 예컨대, 페이스트막 속에 산성기를 함유시킨 경우에는 알칼리성 현상액을 사용하고, 페이스트막 속에 염기성기를 함유시킨 경우에는 산성 현상액을 사용하여 수행할 수 있으며, 수지 속에 친수성기를 함유시킨 경우에는 수 현상액을 사용하고, 페이스트막을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 경우에는 유기 용제 현상액을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 알칼리성 현상액으로는 알칼리 화합물의 수용액, 예컨대, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 트리이소프로필아민, 모노부틸아민, 디부틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 암모니아, 가성 소다, 가성 칼륨, 메트규산나트륨, 메트규산칼륨, 탄산나트륨, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 등을 들 수 있다.
상기 현상액 내의 알칼리성 물질의 함량은 0.05∼10 중량%의 범위가 바람직하다.
상기 산 현상액으로는 산 화합물의 수용액, 예를 들어, 포름산, 크로톤산, 초산, 프로피온산, 락트산, 염화수소산, 황산, 질산, 인산 등을 들 수 있다.
상기 유기 용제로서는, 예컨대, 헥산, 헵탄, 옥탄, 톨루엔, 크실렌, 디클로로메탄, 클로로포름, 4염화탄소, 트리클로로에틸렌 등의 탄화수소계, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜계, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 에틸비닐에테르, 디옥산, 프로필렌옥사이드, 테트라하이드로푸란, 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 에테르계, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 이소포론, 사이클로헥사논 등의 케톤계, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸 등의 에스테르계, 피리딘, 포름아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 기타 용제 등을 들 수 있다.
상기 현상 처리는 10∼80℃, 바람직하게는 15∼50℃의 현상액 온도 및 10초∼20분, 바람직하게는 15초∼15분의 현상 시간 조건 하에서 분무나 침지하여 수행할 수 있다.
페이스트막 층은 최종적으로 형성되는 막의 체적 고유 저항이 10-4Ω·㎝ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은
(1b) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막(release film) 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 건조막 내의 페이스트막 표면이 기재 표면과 대향하여 접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시킨 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계;
(2b) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
(3b) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
단계 (1b):
박리막으로는 당업계에서 건조막으로 사용되는 임의의 막, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리비닐 알콜, 폴리염화비닐, 아크릴 중합체 등으로 제조된 막을 들 수 있다. 박리막 두께는 5∼200 ㎛, 특히 10∼50 ㎛가 바람직하다. 건조는 통상 50∼130℃, 특히 80∼120℃에서 5∼60분간, 특히 10∼30분간 수행한다.
단계 (2b) 및 (3b)는 전술한 바와 같은 방법으로 수행할 수 있다.
또한, 본 발명은
(1c) 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 페이스트막의 표면이 기재 표면과 대향하여 접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시키는 단계;
(2c) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 건조막의 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사한 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계; 및
(3c) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 본 발명의 방법은 건조막 표면에 에너지선이나 열선을 조사한 후, 박리막을 페이스트막 층 표면으로부터 박리시키는 단계 및 현상 처리를 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 현상 처리 후에, 예컨대, 약 300℃∼800℃에서 약 20∼60분간 상기 페이스트막 층을 소성함으로써 도전성 피막을 형성시킬 수 있다.
상기 소성 단계에 의해 페이스트 수지 성분을 휘발시켜 잔류 도전성 안료 성분이나 유리 프릿의 융착, 용융 등에 의해 도전성 피막을 형성시킬 수 있다.
본 발명에 의해 형성된 페이스트막은 예컨대, 블랙 매트릭스용 도전성 패턴, 컬러 필터용 도전성 패턴, 각종 표시 패널의 도전성 패턴, 플라스틱 기판이나 보강용(build-up) 기판에 설치되는 도전성 패턴 등에 이용할 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 방법을 조합함으로써, 예컨대 투명 전극 패턴층 표면의 전체 또는 일부에 흑색 도전성 피막 층 또는 은 도전성 피막 층이 적층된 플라즈마 디스플레이의 버스 전극이나 어드레스 전극의 패턴을 형성시킬 수 있다.
본 발명은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 고정밀도를 갖는 배선판 등을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 샤프한 패턴을 형성할 수 있고 충분한 감광성을 나타내는 도전층을 형성시킬 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 용도에 제한이 없는 고성능의 두꺼운 도전층을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
실시예
하기 제조예 및 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 제조예 및 실시예에서, "부" 및 "%"는 각각 "중량부" 및 "중량%"를 나타낸다.
제조예 1: 수성 네가티브형 감광성 음이온 조성물을 사용한 페이스트 A의 제조예
아크릴 수지(수지 산가 293 ㎎KOH/g, 스티렌/아크릴산=80/20 중량비) 100 중량부를 글리시딜 메타크릴레이트 125 중량부와 반응시켜 광경화성 수지(수지 고형분 55 중량%, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 유기 용제, 수지 산가 65 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 약 2만)를 제조하였다. 상기 광경화성 수지 100부(고형분 함량 기준)에 광중합성 개시제(CGI-784, 상품명, 시바가이기사에서 제조, 티타노센 화합물) 3부 및 감광화제(WKX-1595, 상품명, 하야시바라 바이오케미컬 래보러토리즈 인크. 사에서 제조) 1부를 첨가하여 감광성 용액을 수득하였다.
상기 감광성 용액 100부(고형분 함량 기준)에 트리에틸아민 9부를 혼합 교반한 후, 탈이온수 내에 분산시켜 수분산 수지 용액(고형분 15%)을 수득하였다.
상기 수분산 수지 용액 100부(고형분 함량 기준)에 은분 660부 및 유리 프릿(P60 60%, B2O320%, SiO215%, Al2O35%, 평균 입자 지름 1-6 ㎛의 분체) 33부를 첨가한 후, 페블 밀(pebble mill)로 안료 분산을 행하여 은 페이스트를 수득하였다.
제조예 2: 유기 용제계 네가티브형 감광성 조성물의 페이스트 B의 제조예
제조예 1의 감광성 용액을 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 용제에 용해시켜 유기 용제계 수지 용액(고형분 함량 30%)을 수득하였다.
상기 유기 용제계 수지 용액 100부(고형분 함량 기준)에 은분 660부 및 유리 프릿(P60 60%, B2O320%, SiO215%, Al2O35%, 평균 입자 지름 1-6 ㎛의 분체) 33부를 첨가한 후, 페블 밀로 안료 분산을 행하여 은 페이스트를 수득하였다.
제조예 3: 수성 네가티브형 감광성 양이온 조성물을 사용한 페이스트 C의 제조예
메틸 아크릴레이트/스티렌/부틸 아크릴레이트/글리시딜 메타크릴레이트/디메틸아미노에틸 메타크릴레이트(중량비)=20/10/22/30/18의 아크릴 공중합체 100부에 아크릴산 15부를 부가 반응시켜서 광경화성 수지(아민가 약 56, 불포화도 1-83 몰/Kg)를 수득하였다.
상기 광경화성 수지 100부에, 제조예 1에서 사용한 감광화제 0.5부, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트 55부, 제조예 1에서 사용한 티타노센 화합물 20부를 첨가한 후, 혼합하여 감광성 용액을 수득하였다.
상기 감광성 용액 100부(고형분 함량 기준)에 초산 1부를 혼합 교반한 후, 탈이온수 속에 분산시켜 수분산 수지 용액(고형분 함량 15%)을 수득하였다.
상기 수분산 수지 용액 100부(고형분 함량 기준)에 은분 660부 및 유리 프릿(P60 60%, B2O320%, SiO215%, Al2O35%, 평균 입자 지름 1-6 ㎛의 분체) 33부를 첨가한 후, 페블 밀로 안료 분산을 행하여 은 페이스트를 수득하였다.
제조예 4: 유기 용제계 네가티브형 감열성 조성물의 페이스트 D의 제조예
수산기 함유 아크릴 수지[메틸 메타크릴레이트/에틸 아크릴레이트/하이드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산(중량비)=51/21.5/15/12.5의 아크릴 공중합체] 및 멜라민 수지[니카랙(Nikalac) MX-600, 산와케미컬 가부시키가이샤에서 제조한 상품의 상품명]를 7 대 3의 고형분 함량 중량비로 혼합하여 고형분 함량 50 중량%의 톨루엔 수지 용액을 수득하였다.
상기 감광성 용액 100부(고형분 함량 기준)에 트리에틸아민 7부를 혼합 교반한 후, 탈이온수 속에 분산시켜 수분산 수지 용액(고형분 함량 15%)을 수득하였다.
상기 수분산 수지 용액 100부(고형분 함량 기준)에 은분 660부 및 유리 프릿(P60 60%, B2O320%, SiO215%, Al2O35%, 평균 입자 지름 1-6 ㎛의 분체) 33부를 첨가한 후, 페블 밀로 안료 분산을 행하여 은 페이스트를 수득하였다.
제조예 5: 네가티브형 건조막(I)의 제조예
폴리에틸렌 테레프탈레이트 막에 상기 페이스트 A를 건조 막 두께가 20 ㎛가 되도록 롤러 피복하고, 세팅한 후 120℃에서 10분간 가열하여 네가티브형 건조막(I)을 수득하였다.
제조예 6: 네가티브형 건조막(II)의 제조예
폴리에틸렌 테레프탈레이트 막에 상기 페이스트 C를 건조 막 두께가 20 ㎛가 되도록 롤러 피복하고, 세팅한 후 120℃에서 10분간 가열하여 네가티브형 건조막 (II)을 수득하였다.
제조예 7: 네가티브형 건조막(III)의 제조예
폴리에틸렌 테레프탈레이트 막에 상기 페이스트 C를 건조 막 두께가 20 ㎛가 되도록 롤러 피복하고, 세팅한 후 120℃에서 10분간 가열하여 네가티브형 건조막 (III)을 수득하였다.
실시예 1
투명한 유리판(200 ×200 ×0.1 ㎜)상에 라인(패턴폭)/스페이스=100/20 ㎛의 스트라이프형으로 패터닝된 투명 전극을 표면에 갖는 기판의 표면 전체에 상기 페이스트 A를 스핀 코터로 피복하여 막 두께 약 5 ㎛의 도전 재료용 피막 A를 형성시켰다. 그 다음, 상기 피막 A가 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚) 70 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 네가티브형 감광성 음이온 피막 표면에 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리 현상액(a)(탄산나트륨 수용액 0.25 중량%)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 2
하기 사항을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 수행하였다. 페이스트 A 대신에 페이스트 B를 사용하여 투명한 유리판에 상기 페이스트 B를 형성하였다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚) 20 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리 현상액(b)(1% 초산 수용액)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 3
하기 사항을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 수행하였다. 페이스트 A 대신에 페이스트 C를 사용하여 투명한 유리판에 상기 페이스트 C를 형성하였다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚) 20 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리 현상액(a)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 4
하기 사항을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 수행하였다. 페이스트 A 대신에 페이스트 D를 사용하여 투명한 유리판에 상기 페이스트 D를 형성하였다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 적외선(발진선 830 ㎚) 100 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리 현상액(a)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 5
유리 기재 상에 건조막(I)의 감광성 표면이 겹치도록 건조막(I)을 적층한 후, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 박리막을 박리하여 도전 재료용 피막을 형성시켰다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚) 70 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리성 현상액(a)(탄산나트륨 수용액 0.25 중량%)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 6
유리 기재 상에 건조막(II)의 감광성 표면이 겹치도록 건조막(II)를 적층한 후, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 박리지를 박리하여 도전 재료용 피막을 형성시켰다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 아르곤 레이저(발진선 488 ㎚) 20 mj/㎠를 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 산성 현상액(b)에 침지하여 상기 도전 재료용 피막의 노광부를 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간 방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
실시예 7
하기 사항을 제외하고는 실시예 5와 동일한 과정을 수행하였다. 건조막(I) 대신에 건조막(III)을 사용하여 투명한 유리판에 도전 재료용 피막을 형성시켰다. 그 다음, 도전 재료용 피막이 현상 후에 원하는 전극 패턴이 되도록, 전술한 적외선을 라인/스페이스=50/100 ㎛가 되도록 직접 조사하여 노광한 후, 25℃에서 60초간 알칼리성 현상액(a)에 침지하여 현상 처리하였다. 그 다음, 450℃에서 30분간방치한 후, 575℃에서 30분간 소성하여 기판을 형성시켰다. 그 결과, 라인 잔존성, 스페이스 현상성, 소성후의 라인 형상은 각각 양호하였다. 또한, 생성된 도전 재료 피막(전극막)의 체적 고유 저항은 10-4Ω·㎝ 이하로 양호하였다.
본 발명은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 고정밀도를 갖는 배선판 등을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 특정 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 사용함으로써 샤프한 패턴을 형성할 수 있고 충분한 감광성을 나타내는 도전층을 형성시킬 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 용도에 제한이 없는 고성능의 두꺼운 도전층을 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.

Claims (12)

  1. 네가티브형 감에너지선성 조성물에 도전성 분말 및 필요에 따라 열에 의해 융착하는 무기 분말을 첨가하여 제조한 네가티브형 감에너지선성 페이스트 (negative actinic ray-sensitive paste).
  2. 제1항에 있어서, 네가티브형 감에너지선성 조성물이 네가티브형 가시광 감광성 조성물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  3. 제1항에 있어서, 네가티브형 감에너지선성 조성물이 네가티브형 자외선 감광성 조성물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  4. 제1항에 있어서, 네가티브형 감에너지선성 조성물이 네가티브형 감열성 조성물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  5. 제2항에 있어서, 네가티브형 가시광 감광성 조성물이 광경화성 수지, 광중합 개시제 및 감광화제(photosensitizer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  6. 제5항에 있어서, 광중합 개시제가 티타노센 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  7. 제5항에 있어서, 감광화제가 디피로메텐 붕소 착화합물 및 10-(2-벤조티아졸릴)-2,3,6,7-테트라하이드로-1,1,7,7-테트라메틸11H, 5H, 11H-[1]벤조피라노[6,7, 8ij]퀴놀리진-11-온에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  8. 제3항에 있어서, 네가티브형 자외선 감광성 조성물이 광경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감에너지선성 페이스트.
  9. (1a) 제1항에서 청구한 바와 같은 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 기재 표면에 적층하여 페이스트막 층을 형성시키는 단계;
    (2a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
    (3a) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  10. (1b) 제1항에서 청구한 바와 같은 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막(release film) 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 건조막 내의 페이스트막 표면이 기재 표면과 대향하여접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시킨 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계;
    (2b) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 페이스트막 층 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사하는 단계; 및
    (3b) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  11. (1c) 제1항에서 청구한 바와 같은 네가티브형 감에너지선성 페이스트를 박리막 표면에 피복하고, 필요에 따라 건조시켜 페이스트막 층을 갖는 건조막을 수득한 후, 상기 페이스트막의 표면이 기재 표면과 대향하여 접합될 수 있도록 상기 건조막을 기재 표면 상에 적층시키는 단계;
    (2c) 원하는 패턴을 얻기 위하여 상기 건조막의 표면 상에 에너지선이나 열선을 마스크를 통해 또는 직접 조사한 후, 상기 박리막을 상기 페이스트막 층의 표면으로부터 박리시키는 단계; 및
    (3c) 원하는 패턴를 얻기 위하여 상기 페이스트막 층을 현상 처리에 의해 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 네가티브형 감에너지선성 페이스트로서는 열에 의해 융착하는 무기 분말을 필수 성분으로서 함유하는 페이스트를 사용하고, 또한 단계 (3a), (3b) 또는 (3c) 후에 각각 소성시키 단계를 포함하는것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
KR1020020022663A 2001-04-25 2002-04-25 네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴형성 방법 KR20020092176A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00126834 2001-04-25
JP2001126834A JP2002323756A (ja) 2001-04-25 2001-04-25 ネガ型感エネルギー線性ペースト及びそれを使用したパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020092176A true KR20020092176A (ko) 2002-12-11

Family

ID=18975804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020022663A KR20020092176A (ko) 2001-04-25 2002-04-25 네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴형성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20020158235A1 (ko)
JP (1) JP2002323756A (ko)
KR (1) KR20020092176A (ko)
TW (1) TWI235888B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180128449A (ko) * 2016-03-29 2018-12-03 도요보 가부시키가이샤 전연성 도전 페이스트 및 곡면 프린트 배선판의 제조 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581971B1 (ko) * 2003-02-11 2006-05-22 주식회사 동진쎄미켐 미세 전극 형성용 고점도 Ａｇ 페이스트 조성물 및 이를이용하여 제조된 미세 전극
JP4344589B2 (ja) * 2003-11-11 2009-10-14 富士通株式会社 導電性樹脂組成物、導電性樹脂膜、電子装置の製造方法
US20060290018A1 (en) * 2004-03-12 2006-12-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Process for produicng stamper for direct mastering, and stamper produced by such process and optical disc
JP4615987B2 (ja) * 2004-12-20 2011-01-19 株式会社フルヤ金属 金属ペースト及びそれを用いた導電膜の製造方法
US7608784B2 (en) * 2006-07-13 2009-10-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
JP2009149745A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Taiyo Ink Mfg Ltd ペースト組成物
JP5417747B2 (ja) * 2008-06-20 2014-02-19 東レ株式会社 ネガ型感光性ペースト、パターンの形成方法および平面ディスプレイパネル用部材の製造方法。
WO2010064386A1 (ja) * 2008-12-04 2010-06-10 国立大学法人大阪大学 パターン形成方法
US20140360763A1 (en) * 2012-01-19 2014-12-11 Toray Industries, Inc. Conductive paste and method for producing conductive pattern

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304923A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Toray Ind Inc 感光性ペースト
KR19990063489A (ko) * 1997-12-27 1999-07-26 기타지마 요시토시 감광성 도체 페이스트
KR20000034811A (ko) * 1998-03-02 2000-06-26 카와하라 미쯔오 감광성 조성물 및 그것을 이용해서 얻은 소성물 패턴
JP2000236157A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法
KR20010033829A (ko) * 1998-11-02 2001-04-25 사사키 요시오 패턴 형성 방법
KR20020043166A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 사사키 요시오 도전성 패턴 형성 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304923A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Toray Ind Inc 感光性ペースト
KR19990063489A (ko) * 1997-12-27 1999-07-26 기타지마 요시토시 감광성 도체 페이스트
KR20000034811A (ko) * 1998-03-02 2000-06-26 카와하라 미쯔오 감광성 조성물 및 그것을 이용해서 얻은 소성물 패턴
KR20010033829A (ko) * 1998-11-02 2001-04-25 사사키 요시오 패턴 형성 방법
JP2000236157A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法
KR20020043166A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 사사키 요시오 도전성 패턴 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180128449A (ko) * 2016-03-29 2018-12-03 도요보 가부시키가이샤 전연성 도전 페이스트 및 곡면 프린트 배선판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002323756A (ja) 2002-11-08
US20020158235A1 (en) 2002-10-31
TWI235888B (en) 2005-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100470467B1 (ko) 도전성 패턴 형성 방법
KR20020043166A (ko) 도전성 패턴 형성 방법
US4579806A (en) Positive-working photosensitive recording materials
KR100298422B1 (ko) 네가티브형감광성수지조성물및레지스트패턴의형성방법
US6664029B1 (en) Method of forming pattern
JPH09235356A (ja) エポキシ樹脂組成物及びフォトソルダーレジストインク並びにプリント配線板及びその製造方法
KR20020092176A (ko) 네가티브형 감에너지선성 페이스트 및 그것을 사용한 패턴형성 방법
JP3869517B2 (ja) ブラックマトリクス用レジスト組成物およびそれを用いてなるブラックマトリクス
CN104246613A (zh) 处理光敏结构的方法
CA2003933A1 (en) Method of making a pattern
KR100421068B1 (ko) 액상 광경화성 조성물, 수계 광경화성 조성물 및 이들을사용하는 레지스트 패턴 형성 방법
JP2000194141A (ja) レジストパタ―ン形成方法
JP2000321785A (ja) パターン形成用３層積層被膜及びパターン形成方法
JP2000321775A (ja) パターン形成用３層積層被膜及びパターン形成方法
JP2000221691A (ja) レジストパターン形成方法
JP3583455B2 (ja) 回路板の製造方法
JP2000063451A (ja) 光重合性組成物、ネガ型感光性レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2001201870A (ja) パターン形成用積層体
JP4385241B2 (ja) レジスト被膜パターン形成用水性現像液
JP2003098663A (ja) 感光性エレメント、及びこれを用いたレジストパターンの製造法
KR20010051542A (ko) 패턴 형성용 적층체
KR20010021196A (ko) 패턴 형성용 적층체
JP2001133983A (ja) パターン形成用積層被膜、その積層被膜の製造方法及びその被膜を使用したパターン形成方法
KR20000055254A (ko) 감광성수지 조성물 및 컬러필터
JPH11255865A (ja) 樹脂組成物、フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application