KR20020079187A - 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 기판 상에 신호선들과, 화소와, 적어도 1개 이상 형성되는 TFT 및 상기 TFT와 전기적으로 연결되어 빛을 투과시키는 화소용 전극을 포함하는 평판 표시 장치에 있어서,상기 화소용 전극은 기판의 상부면에 형성되고,상기 TFT는상기 기판의 상부면에 상기 화소용 전극과 소정간격 이격되어 형성되는 반도체층;상기 반도체층의 상부에 형성되어 상기 반도체층과 상부전극을 절연시키는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부면 중에서 상기 반도체층과 대응되는 소정부분에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성되어 상기 게이트 전극과 상부전극을 절연시키며, 상기 반도체층의 양측 단부 소정부분과 상기 화소용 전극의 소정부분이 외부로 노출되도록 컨택홀들이 형성된 층간 절연막;상기 층간 절연막의 상부면 중에서 상기 반도체층의 일측 단부와 대응되는 부분에서 소정의 상기 신호선까지 연장 형성되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 반도체층에 연결되는 소스전극;일단이 상기 컨택홀을 통해 상기 반도체층의 타측과 연결되고 타단이상기 화소용 전극과 연결되는 드레인 전극을 포함하며,상기 화소용 전극과 대응되는 부분에는 상기 화소용 전극을 상기 게이트 절연막과 상기 층간 절연막의 외부로 노출시켜 빛의 손실을 방지하는 화소용 컨택홀이 소정크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 기판 상에 게이트선들, 데이터선들 및 전원인가선들이 매트릭스 형태로 배열되는 신호선들과, 상기 신호선들의 교차영역에 형성되어 정보를 표시하는 화소영역 및 상기 화소영역 내에 형성되며 상기 신호선들과 연결되는 제 1, 제 2 TFT와, 상기 제 1, 제 2 TFT와 전기적으로 연결되는 충전용 캐패시터 및 상기 제 2 TFT와 전기적으로 연결되며 전류의 흐름에 의해 빛을 자체적으로 발산하는 유기 전계 발광 표시 소자를 포함하는 평판 표시 장치에 있어서,상기 제 1 및 제 2 TFT는상기 기판의 상부면에 상기 신호선들과 인접하게 형성되는 반도체층;상기 반도체층의 상부에 형성되어 상기 반도체층과 상부전극을 절연시키는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부면 중에서 상기 반도체층과 대응되는 소정부분에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성되어 상기 게이트 전극과 상부전극을 절연시키며, 상기 반도체층의 양측 단부 소정부분과 상기 화소용 전극의 소정부분이 외부로 노출되도록 컨택홀들이 형성된 층간 절연막;상기 층간 절연막의 상부면 중에서 상기 게이트 전극을 기준으로 상기 반도체층의 일측 단부와 타측 단부에 각각 형성되고 상기 컨택홀을 통해 상기 반도체층과 충전용 캐패시터 및 유기 전계 발광표시소자와 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며,상기 충전용 캐패시터는상기 게이트 전극과 함께 형성되며, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 1 TFT의 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극;상기 제 1 전극의 상부면에 형성되는 유전체 및상기 유전층의 상부면에 형성되고, 소스/드레인 전극과 함께 형성되며 상기 전원인가선에 연결되는 제 2 전극으로 구성되며,상기 유기 전계 발광 소자는상기 기판의 상부면에 상기 반도체층과 소정간격 이격되어 형성되며 상기 층간 절연막에 형성된 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 TFT의 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극;상기 게이트 및 층간 절연막 중에서 상기 애노드 전극과 대응되는 부분에 형성되어 빛의 손실을 방지하도록 상기 애노드 전극을 상기 게이트 및 층간 절연막의 외부로 노출시키는 화소용 컨택홀;상기 화소용 컨택홀에 형성되어 상기 애노드 전극과 접촉되며, 전류의 흐름에 의해 소정 색의 빛을 발광시키는 발광 소자층 및상기 발광 소자층의 상부면에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 것을특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극 및 상기 제 2 전극의 상부면에는 상기 제 1 및 제 2 TFT와 상기 충전용 캐패시터를 외부환경으로부터 보호하고, 상기 애노드 전극과 대응되는 부분에는 상기 애노드 전극을 외부로 노출시키기 위한 상기 화소용 컨택홀이 형성되는 보호막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 층간 절연막이 상기 충전용 캐패시터의 유전체로 사용되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 신호선들과, 적어도 1개 이상의 TFT 및 화소용 전극을 구비하는 평판 표시 장치의 제조방법에 있어서,기판의 상부면에 빛을 투과시키는 투명한 금속을 도포하고, 상기 투명한 금속을 패터닝하여 상기 화소용 전극을 형성하는 단계;상기 화소용 전극을 덮도록 상기 기판 상에 실리콘을 도포하고, 도포된 실리콘을 패터닝하여 상기 화소용 전극과 소정간격 이격된 부분에 반도체층을 형성하는 단계;상기 화소용 전극과 상기 반도체층이 형성된 상기 기판의 전면에 소정의 절연물질을 도포하여 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막의 상부면에 게이트 메탈을 증착시키고 상기 게이트 메탈을 패터닝하여 상기 제 1 절연막의 상부면 중에서 상기 반도체층과 대응되는 소정부분에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 절연물질을 도포하여 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막 중에서 상기 반도체층의 양측 단부와 대응되는 소정부분에 컨택홀을 형성하여 상기 반도체층의 소정부분을 노출시키고, 상기 화소용 전극과 대응되는 부분에 빛의 효율을 상승시키기 위한 화소용 컨택홀을 형성하여 상기 제 1 및 제 2 절연막의 외부로 상기 화소용 컨택홀을 노출시키는 단계;상기 컨택홀이 형성된 상기 제 2 절연막의 상부면에 소스/드레인 메탈을 증착시키고, 상기 소스/드레인 메탈을 패터닝하여 상기 반도체층의 양측에 상기 컨택홀을 통해 상기 반도체층과 연결되며 상기 화소용 전극과 직접 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기판과 상기 반도체층 사이에는 상기 기판에서 형성된 불순물들이 상기 반도체층으로 유입되는 것을 방지하기 위한 버퍼층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
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