KR100513647B1 - 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100513647B1 KR100513647B1 KR10-1998-0045038A KR19980045038A KR100513647B1 KR 100513647 B1 KR100513647 B1 KR 100513647B1 KR 19980045038 A KR19980045038 A KR 19980045038A KR 100513647 B1 KR100513647 B1 KR 100513647B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- pixel electrode
- electrode
- light emitting
- organic light
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터의 사이즈를 줄이지 않고도, 개구 면적을 확보할 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법을 개시한다.
개시된 본 발명은, 기판과, 기판상에 일정거리만큼 이격되어 배치된 화소 전극과, 상기 화소 전극과 화소 전극사이의 기판상에 배치되는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 형성되는 채널층과, 채널층의 일측 상부에 배치되는 소오스 전극 및 채널층의 타측 상부에 배치되며 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 화소 전극 및 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극 부분 상부에 형성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광측 상부에 배치되는 반사 전극층, 및 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 포함한다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 개구율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 유기 전계 발광 표시 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 유리 기판(1) 상에 보호층(2)을 형성한다음, 보호층 상부의 소정 부분에 게이트 전극(3)을 형성한다. 이어, 게이트 전극(3)이 형성된 보호층 상부에 게이트 절연막(4)을 증착한다음, 게이트 절연막 상부의 소정 부분에 채널층(5)을 형성한다. 그다음으로, 채널층(5)의 유실을 방지하기 위하여, 채널층(5) 상부에 에치 스톱퍼(6)를 형성하고, 에치 스톱퍼(6) 양측의 채널층(5) 상부에 소오스, 드레인 전극(7a,7b)을 형성하여, 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.
이어, 게이트 절연막(4) 상부에 드레인 전극(7b)과 소정 부분 콘택되도록 ITO(indium tin oxide)로 된 화소 전극(8)을 형성한다.
그런다음, 결과물 상부에 보호층(9)을 형성한다음, 화소 전극(8)이 오픈되도록 보호층(9)을 패터닝한다.
그리고나서, 전체 구조물 상부에 유기 발광층(10)과 반사 전극층(11)을 순차적으로 형성한다음, 화소 전극(8)과 동일한 형태로 패터닝한다.
이와같은 구성을 갖는 유기 전계 발광 표시 소자는, 화소 전극(8)과 반사 전극층(11) 사이에 전계가 형성되면, 그 사이에 존재하는 유기 발광층(10)이 발광되어, 색상을 나타내게 된다.
상기한 종래의 유기 전계 발광 표시 소자는 화소 전극(8)과 반사 전극층(11) 사이의 전계 형성으로 유기 발광층(10)이 발광되는 것으로, 결국 유기 전계 발광 표시 소자의 개구 면적은 화소 전극(8)의 면적이 된다.
이에따라, 유기 전계 발광 표시 소자의 개구 면적을 넓게 하기 위하여는 화소 전극(8)의 면적을 증대시켜야 한다.
그러나, 한정된 공간에 화소 전극(8)의 면적을 증대시키기 위하여는 박막 트랜지스터(TFT)의 면적을 줄여야 하는데, 이 박막 트랜지스터(TFT)는 패널 사이즈에 따라 미리 정하여진 것으로, 그 면적을 줄이는데에는 어려움이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 박막 트랜지스터의 사이즈를 줄이지 않고도, 개구 면적을 확보할 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예의 구성은 다음과 같다.
기판과, 기판상에 일정거리만큼 이격되어 배치된 화소 전극과, 상기 화소 전극과 화소 전극사이의 기판상에 배치되는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 형성되는 채널층과, 채널층의 일측 상부에 배치되는 소오스 전극 및 채널층의 타측 상부에 배치되며 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 화소 전극 및 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극 부분 상부에 형성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광측 상부에 배치되는 반사 전극층, 및 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예의 구성은 다음과 같다.
기판상에 소정 간격을 두고 다수의 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 사이의 공간에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층을 상기 화소 전극 및 박막 트랜지스터와 화소 전극이 접촉되는 부분이 노출되도록 패터닝하는 단계와, 상기 노출된 부분에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 상부에 반사전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 화소 전극을 박막 트랜지스터가 형성되기 전에 인접하는 화소 전극과 맞닿지 않을 정도로 먼저 형성하므로써, 박막 트랜지스터의 면적에 구애없이 화소 전극의 사이즈를 확장할 수 있다. 따라서, 개구율을 향상시킬 수 있다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자를 설명하기 위한 각 공정별 단면도이다.
먼저, 도 2a를 참조하여, 유리 기판(20) 상부에 ITO층을 증착한다음 소정 부분 패터닝하여, 화소 전극(21)을 형성한다. 이때, 화소 전극(21)은 이웃하는 화소 전극과 접하지 않을 정도로 형성하고, 바람직하게는 화소 전극(21)간의 폭(g)은 이후에 형성될 게이트 전극의 선폭과 같거나, 약간 크게 형성함이 바람직하다.
그런다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소 전극(21)이 형성된 기판(20) 상부에 층간 절연막(22)을 증착한다음, 층간 절연막(22)상에 게이트 전극용 금속막을 증착한다. 그후에, 게이트 전극용 금속막을 상기 화소 전극(21)간 공간에 배치될 수 있도록 패터닝하여, 게이트 전극(23)을 형성한다. 그리고나서, 게이트 전극(23)이 형성된 유리 기판(20) 상부에 게이트 절연막(24)을 증착한다음, 게이트 절연막(24) 상부에 반도체층(25)을 증착한다. 여기서, 반도체층(25)은 폴리실리콘층, 비정질 실리콘층, 미세 결정질층 또는 CdSe층이 사용될 수 있다. 그후에, 게이트 전극(23)을 포함하는 반도체층(25) 상부에 에치 스톱퍼(26)를 공지의 방식으로 형성한다음, 에치 스톱퍼(26)를 마스크로 하여, n형의 불순물을 이온 주입하여, 도핑된 반도체층(27)을 형성한다. 이때, 에치 스톱퍼(26) 하단에는 비도핑 상태이다.
그다음으로, 도 2c에서와 같이, 도핑된 반도체층(27)과, 게이트 절연막(24), 층간 절연막(22)을 박막 트랜지스터 형태로 패터닝하여, 화소 전극(21)을 노출시킨다. 그 후에 결과물 상부에 금속막을 증착한다음, 상기 금속막을 에치스톱퍼(26) 양측 도핑된 반도체층(27) 상부에 각각 존재하도록 패터닝하여 소오스, 드레인 전극(28a,28b)을 형성하여, 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 그러고나서, 결과물 상부에 보호층(29)을 형성한다.
그후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 보호층(29)을 박막 트랜지스터(TFT)를 감싸도록 즉, 화소 전극(21)이 오픈될 수 있도록 패터닝한다. 이때, 보호층(29)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(28a)과 화소 전극(21)이 콘택되는 부분이 오픈될 수 있도록 패터닝됨이 바람직하다. 그런다음, 결과물 상부에 유기 발광층(30)과 반사 전극층(31)을 순차적으로 적층한다. 이때, 반사 전극층(31)으로는 알루미늄, 티타늄, 금 또는 은 물질이 이용될 수 있으며, 반사 전극층(31)은 열증착법, 스핀 코팅법, 솔-젤(sol-gel)법으로 형성될 수 있다. 이러한 유기 발광층(30)과 반사 전극층(31)은 보호층(29)으로 둘러싸여진 박막 트랜지스터(TFT) 사이에 존재하도록 패터닝하여, 유기 전계 발광 표시 소자를 완성한다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 화소 전극을 박막 트랜지스터가 형성되기 전에 인접하는 화소 전극과 맞닿지 않을 정도로 먼저 형성하므로써, 박막 트랜지스터의 면적에 구애없이 화소 전극의 사이즈를 확장할 수 있다. 따라서, 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 화소 전극이 단차없이 평탄하게 형성되므로, 유기 발광층에 전하를 안정적으로 공급할 수 있다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 표시 소자를 나타낸 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자를 설명하기 위한 각 공정별 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
20 : 기판 21 : 화소 전극
22 ː 층간 절연막 23 : 게이트 전극
24 : 게이트 절연막 25 : 반도체층
26 : 에치 스톱퍼 27 : 도핑된 반도체층
28a,28b : 소오스, 드레인 전극 29 : 보호층
30 : 유기 발광층 31 : 반사 전극층
Claims (5)
- 기판;기판상에 일정거리만큼 이격되어 배치된 화소 전극;상기 화소 전극과 화소 전극사이의 기판상에 배치되는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 형성되는 채널층과, 채널층의 일측 상부에 배치되는 소오스 전극 및 채널층의 타측 상부에 배치되며 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;상기 화소 전극 및 화소 전극과 콘택되는 드레인 전극 부분 상부에 형성되는 유기 발광층;상기 유기 발광측 상부에 배치되는 반사 전극층; 및상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 채널층은 폴리실리콘층, 비정질 실리콘층, 미세 결정질층 또는 CdSe층 중 선택되는 하나의 물질로 되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 전극층은 알루미늄, 티타늄, 금 또는 은 물질중 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자.
- 기판상에 소정 간격을 두고 다수의 화소 전극을 형성하는 단계;상기 화소 전극 사이의 공간에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층을 상기 화소 전극 및 박막 트랜지스터와 화소 전극이 접촉되는 부분이 노출되도록 패터닝하는 단계;상기 노출된 부분에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 상부에 반사전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 반사 전극층은 열증착법, 스핀 코팅법 또는 솔-젤(sol-gel)법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0045038A KR100513647B1 (ko) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0045038A KR100513647B1 (ko) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000027171A KR20000027171A (ko) | 2000-05-15 |
| KR100513647B1 true KR100513647B1 (ko) | 2005-11-25 |
Family
ID=19555497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0045038A KR100513647B1 (ko) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100513647B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495702B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2005-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100669709B1 (ko) * | 2004-02-14 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100721942B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
-
1998
- 1998-10-27 KR KR10-1998-0045038A patent/KR100513647B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000027171A (ko) | 2000-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101043047B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US7554118B2 (en) | Thin film transistor, flat panel display having the same and a method of fabricating each | |
| US6204520B1 (en) | Thin film transistor, liquid crystal display and fabricating methods thereof | |
| US7102164B2 (en) | Semiconductor device having a conductive layer with a light shielding part | |
| US6617203B2 (en) | Flat panel display device and method of manufacturing the same | |
| KR101540341B1 (ko) | 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법 | |
| KR100600848B1 (ko) | 평판표시장치 및 그 제조방법 | |
| US7482208B2 (en) | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same | |
| KR20140108026A (ko) | 박막 반도체 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 | |
| US9570482B2 (en) | Manufacturing method and manufacturing equipment of thin film transistor substrate | |
| KR20180085850A (ko) | 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| US20020149054A1 (en) | Flat panel display device and method of manufacturing the same | |
| WO2020037850A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板 | |
| KR101246790B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR100513647B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 | |
| KR20110058356A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| JP4441299B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| KR20160053383A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치 | |
| KR100870017B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR0179066B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR100611651B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 | |
| KR101277220B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판과 이의 제조방법 | |
| KR100212270B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR101018752B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
| KR20080004799A (ko) | 폴리실리콘 박막트랜지스터의 금속 배선 구조 및 그 제조방법. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120814 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130830 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |