JPH09318973A - 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法Info
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- JPH09318973A JPH09318973A JP13331396A JP13331396A JPH09318973A JP H09318973 A JPH09318973 A JP H09318973A JP 13331396 A JP13331396 A JP 13331396A JP 13331396 A JP13331396 A JP 13331396A JP H09318973 A JPH09318973 A JP H09318973A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート電極／配線を陽極酸化した後は不要と
なるゲート電極／配線どうし間の給電配線を除去するに
際して、給電配線残渣を完全に除去する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に薄膜トランジスタと
画素電極２とがマトリクス状に配置され、薄膜トランジ
スタにおけるゲート電極／配線４どうし間にゲート電極
／配線４を陽極酸化するために設けた給電配線１４への
通電によりゲート電極／配線４を陽極酸化し、陽極酸化
により不要となった給電配線１４を切断分離するように
除去するに際して、ゲート電極／配線４とドレイン電極
１１とを分離する開口部１２を形成するときのエッチン
グにより給電配線１４を除去し、画素電極２上を開口す
るときの追加のエッチングにより給電配線１４下の層間
絶縁膜３をも除去して層間絶縁膜３上の給電配線残渣１
４ａを完全に除去する。
なるゲート電極／配線どうし間の給電配線を除去するに
際して、給電配線残渣を完全に除去する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に薄膜トランジスタと
画素電極２とがマトリクス状に配置され、薄膜トランジ
スタにおけるゲート電極／配線４どうし間にゲート電極
／配線４を陽極酸化するために設けた給電配線１４への
通電によりゲート電極／配線４を陽極酸化し、陽極酸化
により不要となった給電配線１４を切断分離するように
除去するに際して、ゲート電極／配線４とドレイン電極
１１とを分離する開口部１２を形成するときのエッチン
グにより給電配線１４を除去し、画素電極２上を開口す
るときの追加のエッチングにより給電配線１４下の層間
絶縁膜３をも除去して層間絶縁膜３上の給電配線残渣１
４ａを完全に除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等に
用いられる薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
に関するものである。
用いられる薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタアレイ（ＴＦＴアレ
イ）を用いたアクティブマトリクス表示装置は、通常２
枚の基板間に液晶等の表示材料を挟み、それぞれの基板
に電極を設けることで、この表示材料に電圧を印加する
ような構成になっている。このような構成において、一
方の基板上に画素電極をマトリクス状に配列し各画素電
極毎に電解効果トランジスタ等の非線形素子を設け、対
向する他方の基板上には透明導電膜およびカラーフィル
タ等を設け、各画素電極を選択的に動作させることによ
り表示を行う。
イ）を用いたアクティブマトリクス表示装置は、通常２
枚の基板間に液晶等の表示材料を挟み、それぞれの基板
に電極を設けることで、この表示材料に電圧を印加する
ような構成になっている。このような構成において、一
方の基板上に画素電極をマトリクス状に配列し各画素電
極毎に電解効果トランジスタ等の非線形素子を設け、対
向する他方の基板上には透明導電膜およびカラーフィル
タ等を設け、各画素電極を選択的に動作させることによ
り表示を行う。
【０００３】以下、従来のこの種のアクティブマトリク
ス表示装置について図５、図６、図７、図８を参照して
説明する。図５は従来のＴＦＴアレイの概略構成を示す
平面図、図６は図５におけるＣ−Ｃ′線矢視の詳細断面
図、図７は従来のＴＦＴアレイの給電配線部分を示す平
面図、図８（ａ）〜（ｃ）は図７におけるＤ−Ｄ′線矢
視の断面図で、給電配線の除去の過程を示す図である。
ス表示装置について図５、図６、図７、図８を参照して
説明する。図５は従来のＴＦＴアレイの概略構成を示す
平面図、図６は図５におけるＣ−Ｃ′線矢視の詳細断面
図、図７は従来のＴＦＴアレイの給電配線部分を示す平
面図、図８（ａ）〜（ｃ）は図７におけるＤ−Ｄ′線矢
視の断面図で、給電配線の除去の過程を示す図である。
【０００４】これらの図において、１は透明絶縁基板、
２は画素電極、３は画素電極２をオーバコートする透明
な層間絶縁膜、４はゲート電極／配線、５はゲート絶縁
膜、６は真性半導体膜、７はパッシベーション膜（不動
態膜）、８はオーミックコンタクト半導体膜、９はコン
タクトホール、１０はソース電極／配線、１１はドレイ
ン電極、１２は開口部、１３は保護膜、１４はゲート電
極／配線４につながる給電配線である。
２は画素電極、３は画素電極２をオーバコートする透明
な層間絶縁膜、４はゲート電極／配線、５はゲート絶縁
膜、６は真性半導体膜、７はパッシベーション膜（不動
態膜）、８はオーミックコンタクト半導体膜、９はコン
タクトホール、１０はソース電極／配線、１１はドレイ
ン電極、１２は開口部、１３は保護膜、１４はゲート電
極／配線４につながる給電配線である。
【０００５】この従来のアクティブマトリクス表示装置
の製造方法について説明する。主に図６に示されている
ように、まず、透明絶縁基板１上の所要箇所に画素電極
２を形成し、画素電極２を覆うように層間絶縁膜３を形
成した後、ＴＦＴを操作するためのゲート電極／配線４
を形成する。この際、全ゲート配線４を陽極酸化するた
めに、ゲート電極／配線４どうしを一時的に電気的に短
絡させる共通配線としての給電配線１４を、ゲート電極
／配線４の形成と同時に形成する。そして、この給電配
線１４に通電することによりゲート電極／配線４の一部
を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する。
の製造方法について説明する。主に図６に示されている
ように、まず、透明絶縁基板１上の所要箇所に画素電極
２を形成し、画素電極２を覆うように層間絶縁膜３を形
成した後、ＴＦＴを操作するためのゲート電極／配線４
を形成する。この際、全ゲート配線４を陽極酸化するた
めに、ゲート電極／配線４どうしを一時的に電気的に短
絡させる共通配線としての給電配線１４を、ゲート電極
／配線４の形成と同時に形成する。そして、この給電配
線１４に通電することによりゲート電極／配線４の一部
を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する。
【０００６】次に、ゲート絶縁膜５、真性半導体膜６、
パッシベーション膜７をこの順に形成し、エッチングに
よりパッシベーション膜７をゲート電極／配線４よりも
小さくなる状態に形成する。次に、パッシベーション膜
７および真性半導体膜６を覆うようにオーミックコンタ
クト半導体膜８を形成した後、ドライエッチング法によ
り画素電極２とドレイン電極１１とを接続するためのコ
ンタクトホール９を形成する。このコンタクトホール９
を形成するときに、ゲート電極／配線４を１本ずつに独
立分離するために、まず、図８（ａ）に示すように、ゲ
ート電極／配線４を陽極酸化するための給電配線１４の
上部のゲート絶縁膜５を除去しておく。
パッシベーション膜７をこの順に形成し、エッチングに
よりパッシベーション膜７をゲート電極／配線４よりも
小さくなる状態に形成する。次に、パッシベーション膜
７および真性半導体膜６を覆うようにオーミックコンタ
クト半導体膜８を形成した後、ドライエッチング法によ
り画素電極２とドレイン電極１１とを接続するためのコ
ンタクトホール９を形成する。このコンタクトホール９
を形成するときに、ゲート電極／配線４を１本ずつに独
立分離するために、まず、図８（ａ）に示すように、ゲ
ート電極／配線４を陽極酸化するための給電配線１４の
上部のゲート絶縁膜５を除去しておく。
【０００７】次に、画素電極２およびオーミックコンタ
クト半導体膜８を覆うようにソース電極／配線１０およ
びドレイン電極１１となるべき層を形成し、その層をソ
ース電極／配線１０とドレイン電極１１とに分離するた
めに、その層においてパッシベーション膜７に達する開
口部１２をエッチングにより形成するが、この開口部１
２を形成するときに、図８（ｂ）に示すように、給電配
線１４の一部を切断分離するように除去する。
クト半導体膜８を覆うようにソース電極／配線１０およ
びドレイン電極１１となるべき層を形成し、その層をソ
ース電極／配線１０とドレイン電極１１とに分離するた
めに、その層においてパッシベーション膜７に達する開
口部１２をエッチングにより形成するが、この開口部１
２を形成するときに、図８（ｂ）に示すように、給電配
線１４の一部を切断分離するように除去する。
【０００８】次に、図８（ｃ）に示すように、保護膜１
３を形成し、最後に画素電極２の上部を開口する（図６
参照）。
３を形成し、最後に画素電極２の上部を開口する（図６
参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術の薄膜トランジスタアレイの製造方法におい
て、ゲート電極／配線４の陽極酸化後は、ゲート電極／
配線４どうし間の電気的短絡を招くことから給電配線１
４が不必要になり、この給電配線１４の一部ををエッチ
ングにて切断分離するように除去するが、図８（ｃ）に
示すように、残された層間絶縁膜３上に給電配線１４の
残渣１４ａが残っている場合があり、この場合にはゲー
ト電極／配線４どうし間で電気的な短絡を生じてしま
い、画像表示した際に隣接ショートとなって線欠陥が発
生するという問題がある。
来の技術の薄膜トランジスタアレイの製造方法におい
て、ゲート電極／配線４の陽極酸化後は、ゲート電極／
配線４どうし間の電気的短絡を招くことから給電配線１
４が不必要になり、この給電配線１４の一部ををエッチ
ングにて切断分離するように除去するが、図８（ｃ）に
示すように、残された層間絶縁膜３上に給電配線１４の
残渣１４ａが残っている場合があり、この場合にはゲー
ト電極／配線４どうし間で電気的な短絡を生じてしま
い、画像表示した際に隣接ショートとなって線欠陥が発
生するという問題がある。
【００１０】本発明は、上記従来の薄膜トランジスタア
レイの課題を解決するためになされたもので、給電配線
残渣による電気的短絡を無くすことができる薄膜トラン
ジスタアレイおよびその製造方法を提供することを目的
とする。
レイの課題を解決するためになされたもので、給電配線
残渣による電気的短絡を無くすことができる薄膜トラン
ジスタアレイおよびその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ゲート電極／配線どうし間の給電配線に
通電してゲート電極／配線を陽極酸化した後、不要とな
った給電配線をエッチングにより除去した後、さらに追
加のエッチング工程によりゲート電極／配線下の層間絶
縁膜をも除去し、層間絶縁膜上の給電配線残渣を除去す
るようにしたものである。層間絶縁膜上の給電配線残渣
は層間絶縁膜の除去によって完全に除去されることにな
り、ゲート電極／配線どうし間の電気的短絡を確実に無
くすことができる。
成するために、ゲート電極／配線どうし間の給電配線に
通電してゲート電極／配線を陽極酸化した後、不要とな
った給電配線をエッチングにより除去した後、さらに追
加のエッチング工程によりゲート電極／配線下の層間絶
縁膜をも除去し、層間絶縁膜上の給電配線残渣を除去す
るようにしたものである。層間絶縁膜上の給電配線残渣
は層間絶縁膜の除去によって完全に除去されることにな
り、ゲート電極／配線どうし間の電気的短絡を確実に無
くすことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る請求項１の薄膜トラ
ンジスタアレイは、透明絶縁基板上に薄膜トランジスタ
と画素電極とがマトリクス状に形成され、前記薄膜トラ
ンジスタにおけるゲート電極／配線どうし間にこのゲー
ト電極／配線を陽極酸化するために設けた共通配線から
なる給電配線への通電により前記ゲート電極／配線が陽
極酸化されており、陽極酸化により不要となった給電配
線の一部を切断分離するように除去してある薄膜トラン
ジスタアレイであって、前記給電配線の除去が前記透明
絶縁基板に至るまで行われていることを特徴としてい
る。ゲート電極／配線を陽極酸化するために設けた給電
配線は陽極酸化後はゲート電極／配線どうしが短絡する
ので不要となり、除去しなければならないが、この給電
配線の除去を従来の技術のように層間絶縁膜までで止め
てしまうのではなく、透明絶縁基板に至るまで給電配線
の除去を進めてあるので、層間絶縁膜上の給電配線残渣
が完全に除去されることになり、ゲート電極／配線どう
し間の電気的短絡を確実に無くすことができ、したがっ
て、画像表示した際の隣接ショートによる線欠陥の発生
を確実に防止することができる。
ンジスタアレイは、透明絶縁基板上に薄膜トランジスタ
と画素電極とがマトリクス状に形成され、前記薄膜トラ
ンジスタにおけるゲート電極／配線どうし間にこのゲー
ト電極／配線を陽極酸化するために設けた共通配線から
なる給電配線への通電により前記ゲート電極／配線が陽
極酸化されており、陽極酸化により不要となった給電配
線の一部を切断分離するように除去してある薄膜トラン
ジスタアレイであって、前記給電配線の除去が前記透明
絶縁基板に至るまで行われていることを特徴としてい
る。ゲート電極／配線を陽極酸化するために設けた給電
配線は陽極酸化後はゲート電極／配線どうしが短絡する
ので不要となり、除去しなければならないが、この給電
配線の除去を従来の技術のように層間絶縁膜までで止め
てしまうのではなく、透明絶縁基板に至るまで給電配線
の除去を進めてあるので、層間絶縁膜上の給電配線残渣
が完全に除去されることになり、ゲート電極／配線どう
し間の電気的短絡を確実に無くすことができ、したがっ
て、画像表示した際の隣接ショートによる線欠陥の発生
を確実に防止することができる。
【００１３】本発明に係る請求項２の薄膜トランジスタ
アレイの製造方法は、薄膜トランジスタを操作するゲー
ト電極／配線どうし間にこのゲート電極／配線を陽極酸
化するための共通配線の給電配線を設け、この給電配線
への通電により前記ゲート電極／配線を陽極酸化し、そ
の後に、エッチングにより前記給電配線をこの給電配線
と透明絶縁基板との間の層間絶縁膜まで除去し、さらに
追加のエッチングにより前記除去したゲート電極／配線
の下の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板に至るまで除去す
ることを特徴としている。追加のエッチングによりゲー
ト電極／配線の下の層間絶縁膜を透明絶縁基板に至るま
で除去するので、給電配線残渣が完全に除去されて、ゲ
ート電極／配線どうし間の電気的短絡が無く、画像表示
した際の隣接ショートによる線欠陥の発生の無い薄膜ト
ランジスタアレイを製造することができる。
アレイの製造方法は、薄膜トランジスタを操作するゲー
ト電極／配線どうし間にこのゲート電極／配線を陽極酸
化するための共通配線の給電配線を設け、この給電配線
への通電により前記ゲート電極／配線を陽極酸化し、そ
の後に、エッチングにより前記給電配線をこの給電配線
と透明絶縁基板との間の層間絶縁膜まで除去し、さらに
追加のエッチングにより前記除去したゲート電極／配線
の下の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板に至るまで除去す
ることを特徴としている。追加のエッチングによりゲー
ト電極／配線の下の層間絶縁膜を透明絶縁基板に至るま
で除去するので、給電配線残渣が完全に除去されて、ゲ
ート電極／配線どうし間の電気的短絡が無く、画像表示
した際の隣接ショートによる線欠陥の発生の無い薄膜ト
ランジスタアレイを製造することができる。
【００１４】本発明に係る請求項３の薄膜トランジスタ
アレイの製造方法は、上記請求項２において、追加のエ
ッチングにより層間絶縁膜を透明絶縁基板に至るまで除
去するのに、ＣＦ4 ／Ｏ2 ガスを使用したドライエッチ
ング法、もしくは、ＢＨＦエッチング液を使用したウェ
ットエッチング法を用いることを特徴としている。この
方法によれば、層間絶縁膜の透明絶縁基板に至るまでの
除去を確実なものとできる。
アレイの製造方法は、上記請求項２において、追加のエ
ッチングにより層間絶縁膜を透明絶縁基板に至るまで除
去するのに、ＣＦ4 ／Ｏ2 ガスを使用したドライエッチ
ング法、もしくは、ＢＨＦエッチング液を使用したウェ
ットエッチング法を用いることを特徴としている。この
方法によれば、層間絶縁膜の透明絶縁基板に至るまでの
除去を確実なものとできる。
【００１５】以下、本発明に係る薄膜トランジスタアレ
イおよびその製造方法の実施の形態について、図面に基
づいて詳細に説明する。
イおよびその製造方法の実施の形態について、図面に基
づいて詳細に説明する。
【００１６】図１は実施の形態に係るアクティブマトリ
クス表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイの概
略構成を示す平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ′線矢
視の断面図、図３は薄膜トランジスタアレイ基板の給電
配線部分を示す平面図、図４（ａ）〜（ｃ）は図３にお
けるＢ−Ｂ′線矢視の断面図で、給電配線の除去の過程
を示す図である。
クス表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイの概
略構成を示す平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ′線矢
視の断面図、図３は薄膜トランジスタアレイ基板の給電
配線部分を示す平面図、図４（ａ）〜（ｃ）は図３にお
けるＢ−Ｂ′線矢視の断面図で、給電配線の除去の過程
を示す図である。
【００１７】まず図２において、ガラス等の透明絶縁基
板１上に酸化錫を含む酸化インジウム等の透明導電膜を
スパッタリング法等で堆積する。この後、ホトリソグラ
フィ等の方法で画素電極２を形成する。次に、この画素
電極２を覆うように酸化珪素等による透明な層間絶縁膜
３を常圧化学気相成長（常圧ＣＶＤ）法等で堆積する。
次いでスパッタリング法等でアルミニウム等のゲート材
料を堆積し、フォトプロセス並びにエッチング加工によ
り、薄膜トランジスタを操作するためのゲート電極／配
線４と給電配線１４（図３）を形成する。給電配線１４
は、ゲート電極／配線４を陽極酸化するためにゲート電
極／配線４どうし間に設けた共通配線である。図１にお
いて、１５は薄膜トランジスタアレイ上の給電配線部分
を示している。給電配線１４に通電することにより、各
ゲート電極／配線４の表面を陽極酸化してゲート絶縁膜
とする。
板１上に酸化錫を含む酸化インジウム等の透明導電膜を
スパッタリング法等で堆積する。この後、ホトリソグラ
フィ等の方法で画素電極２を形成する。次に、この画素
電極２を覆うように酸化珪素等による透明な層間絶縁膜
３を常圧化学気相成長（常圧ＣＶＤ）法等で堆積する。
次いでスパッタリング法等でアルミニウム等のゲート材
料を堆積し、フォトプロセス並びにエッチング加工によ
り、薄膜トランジスタを操作するためのゲート電極／配
線４と給電配線１４（図３）を形成する。給電配線１４
は、ゲート電極／配線４を陽極酸化するためにゲート電
極／配線４どうし間に設けた共通配線である。図１にお
いて、１５は薄膜トランジスタアレイ上の給電配線部分
を示している。給電配線１４に通電することにより、各
ゲート電極／配線４の表面を陽極酸化してゲート絶縁膜
とする。
【００１８】次に、窒化珪素によるゲート絶縁膜５をプ
ラズマＣＶＤ法等により堆積し、次いで非ドープ水素化
アモルファスシリコン等の真性半導体膜６およびそれに
対して充分なエッチング選択比を有するパッシベーショ
ン膜７である窒化珪素等をプラズマＣＶＤ法等により堆
積する。次に、パッシベーション膜７をエッチング法に
より少なくともゲート電極／配線４よりも小さくなる状
態で薄膜トランジスタのチャンネル部に島状に形成した
後、リン等をドープした水素化アモルファスシリコン等
のオーミックコンタクト半導体膜８をプラズマＣＶＤ法
等で堆積する。
ラズマＣＶＤ法等により堆積し、次いで非ドープ水素化
アモルファスシリコン等の真性半導体膜６およびそれに
対して充分なエッチング選択比を有するパッシベーショ
ン膜７である窒化珪素等をプラズマＣＶＤ法等により堆
積する。次に、パッシベーション膜７をエッチング法に
より少なくともゲート電極／配線４よりも小さくなる状
態で薄膜トランジスタのチャンネル部に島状に形成した
後、リン等をドープした水素化アモルファスシリコン等
のオーミックコンタクト半導体膜８をプラズマＣＶＤ法
等で堆積する。
【００１９】次に、画素電極２とドレイン電極１１とを
接続するためのコンタクトホール９をドライエッチング
法等により形成する。このコンタクトホール９を形成す
るときに、ゲート電極／配線４を１本ずつに独立分離す
るために、まず、図４（ａ）に示すように、給電配線部
分１５においてゲート電極／配線４を陽極酸化するため
の給電配線１４の上部のゲート絶縁膜５を切断分離する
ように除去しておく。
接続するためのコンタクトホール９をドライエッチング
法等により形成する。このコンタクトホール９を形成す
るときに、ゲート電極／配線４を１本ずつに独立分離す
るために、まず、図４（ａ）に示すように、給電配線部
分１５においてゲート電極／配線４を陽極酸化するため
の給電配線１４の上部のゲート絶縁膜５を切断分離する
ように除去しておく。
【００２０】次に、アルミニウム等の金属をスパッタリ
ング法等により堆積し、ソース電極／配線１０およびド
レイン電極１１となるべき層を形成し、その層をソース
電極／配線１０とドレイン電極１１とに分離するため
に、フォトプロセス並びにエッチング加工を行う。その
とき、パッシベーション膜７に達する開口部１２を形成
するが、この開口部１２を形成するときに、図４（ｂ）
に示すように、給電配線部分１５において給電配線１４
の一部を切断分離するように層間絶縁膜３まで除去す
る。場合によっては、層間絶縁膜３上に給電配線残渣１
４ａが残っていることがある。
ング法等により堆積し、ソース電極／配線１０およびド
レイン電極１１となるべき層を形成し、その層をソース
電極／配線１０とドレイン電極１１とに分離するため
に、フォトプロセス並びにエッチング加工を行う。その
とき、パッシベーション膜７に達する開口部１２を形成
するが、この開口部１２を形成するときに、図４（ｂ）
に示すように、給電配線部分１５において給電配線１４
の一部を切断分離するように層間絶縁膜３まで除去す
る。場合によっては、層間絶縁膜３上に給電配線残渣１
４ａが残っていることがある。
【００２１】次に、保護膜１３をプラズマＣＶＤ法等に
より堆積し、フォトプロセス並びにドライエッチング法
等により画素電極２の上部を開口するが、このとき同時
に、図４（ｃ）に示すように、給電配線部分１５におい
て層間絶縁膜３の一部を切断分離するように透明絶縁基
板１に至るまで除去することにより、従来の技術の場合
に層間絶縁膜３上に残った給電配線残渣１４ａを確実に
除去してしまう。このとき、層間絶縁膜３を透明絶縁基
板１に至るまで除去するドライエッチングにＣＦ4 ／Ｏ
2 ガスを用いると、層間絶縁膜３の除去が確実に行われ
る。
より堆積し、フォトプロセス並びにドライエッチング法
等により画素電極２の上部を開口するが、このとき同時
に、図４（ｃ）に示すように、給電配線部分１５におい
て層間絶縁膜３の一部を切断分離するように透明絶縁基
板１に至るまで除去することにより、従来の技術の場合
に層間絶縁膜３上に残った給電配線残渣１４ａを確実に
除去してしまう。このとき、層間絶縁膜３を透明絶縁基
板１に至るまで除去するドライエッチングにＣＦ4 ／Ｏ
2 ガスを用いると、層間絶縁膜３の除去が確実に行われ
る。
【００２２】上記プロセスに示すように、ゲート電極／
配線４を陽極酸化するために設けたが、陽極酸化後には
不要となった給電配線１４を除去するために、コンタク
トホール９を形成する際のドライエッチングによりまず
ゲート絶縁膜５を除去し、次いで、ソース電極／配線１
０とドレイン電極１１とを分離するための開口部１２を
形成するときエッチングにより給電配線１４を除去し、
最後に画素電極２上に開口を形成する際のエッチングに
より層間絶縁膜３を透明絶縁基板１に至るまで除去し
て、層間絶縁膜３上の給電配線残渣１４ａをも確実に除
去する。すなわち、給電配線１４を除去した後に、さら
に追加のエッチング工程を経ることにより、層間絶縁膜
３とともに給電配線残渣１４ａを確実に除去してしま
う。このように、層間絶縁膜３上に残る可能性のある給
電配線残渣１４ａを層間絶縁膜３の除去により確実に除
去してしまうので、ゲート電極／配線４どうし間の電気
的短絡を確実に無くすことができ、したがって、画像表
示した際の隣接ショートによる線欠陥の発生を確実に防
止することができる。
配線４を陽極酸化するために設けたが、陽極酸化後には
不要となった給電配線１４を除去するために、コンタク
トホール９を形成する際のドライエッチングによりまず
ゲート絶縁膜５を除去し、次いで、ソース電極／配線１
０とドレイン電極１１とを分離するための開口部１２を
形成するときエッチングにより給電配線１４を除去し、
最後に画素電極２上に開口を形成する際のエッチングに
より層間絶縁膜３を透明絶縁基板１に至るまで除去し
て、層間絶縁膜３上の給電配線残渣１４ａをも確実に除
去する。すなわち、給電配線１４を除去した後に、さら
に追加のエッチング工程を経ることにより、層間絶縁膜
３とともに給電配線残渣１４ａを確実に除去してしま
う。このように、層間絶縁膜３上に残る可能性のある給
電配線残渣１４ａを層間絶縁膜３の除去により確実に除
去してしまうので、ゲート電極／配線４どうし間の電気
的短絡を確実に無くすことができ、したがって、画像表
示した際の隣接ショートによる線欠陥の発生を確実に防
止することができる。
【００２３】なお、上記実施の形態では、層聞絶縁膜３
を酸化珪素としたが、追加エッチングで除去できる膜で
あれば、これ以外のものでも使用できることはいうまで
もない。
を酸化珪素としたが、追加エッチングで除去できる膜で
あれば、これ以外のものでも使用できることはいうまで
もない。
【００２４】また、上記実施の形態では、ドライエッチ
ングにより追加エッチングを行っているが、層間絶縁膜
３を除去できるなら、ウェットエッチングでも適用でき
ることはいうまでもない。例えば、ＢＨＦエッチング液
を用いたウェットエッチング法でも層間絶縁膜３を透明
絶縁基板１に至るまで確実に除去することができる。
ングにより追加エッチングを行っているが、層間絶縁膜
３を除去できるなら、ウェットエッチングでも適用でき
ることはいうまでもない。例えば、ＢＨＦエッチング液
を用いたウェットエッチング法でも層間絶縁膜３を透明
絶縁基板１に至るまで確実に除去することができる。
【００２５】また、上記実施の形態は、ゲート電極／配
線４どうしをつなぐ給電配線１４に適用したものである
が、ソース電極／配線１０どうしをつなぐ給電配線に上
記の方法を適用してもよく、同様の効果が得られる。
線４どうしをつなぐ給電配線１４に適用したものである
が、ソース電極／配線１０どうしをつなぐ給電配線に上
記の方法を適用してもよく、同様の効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ゲート
電極／配線を陽極酸化するためにゲート電極／配線どう
し間に設けた給電配線を除去するに当たり、給電配線を
エッチングにより除去した後、さらに追加のエッチング
によりゲート電極／配線下の層間絶縁膜をも除去し、層
間絶縁膜上の給電配線残渣を除去するようにしたもので
あるから、層間絶縁膜上の給電配線残渣は完全に除去さ
れることになり、ゲート電極／配線どうし間の電気的短
絡を確実に無くし、画像表示した際の隣接ショートによ
る線欠陥の発生を確実に防止することができる。
電極／配線を陽極酸化するためにゲート電極／配線どう
し間に設けた給電配線を除去するに当たり、給電配線を
エッチングにより除去した後、さらに追加のエッチング
によりゲート電極／配線下の層間絶縁膜をも除去し、層
間絶縁膜上の給電配線残渣を除去するようにしたもので
あるから、層間絶縁膜上の給電配線残渣は完全に除去さ
れることになり、ゲート電極／配線どうし間の電気的短
絡を確実に無くし、画像表示した際の隣接ショートによ
る線欠陥の発生を確実に防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタア
レイの概略構成を示す平面図である。
レイの概略構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ′線矢視の詳細断面図であ
る。
る。
【図３】実施の形態における薄膜トランジスタアレイの
給電配線部分を示す平面図である。
給電配線部分を示す平面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ′線矢視の断面図で、給電
配線の除去の過程を示す図である。
配線の除去の過程を示す図である。
【図５】従来の技術に係る薄膜トランジスタアレイの概
略構成を示す平面図である。
略構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるＣ−Ｃ′線矢視の詳細断面図であ
る。
る。
【図７】従来の技術における薄膜トランジスタアレイの
給電配線部分を示す平面図である。
給電配線部分を示す平面図である。
【図８】図７におけるＤ−Ｄ′線矢視の断面図で、給電
配線の除去の過程を示す図である。
配線の除去の過程を示す図である。
１……透明絶縁基板 ２……画素電極 ３……層間絶縁膜 ４……ゲート電極／配線 ５……ゲート絶縁膜 ６……真性半導体膜 ７……パッシベーション膜 ８……オーミックコンタクト半導体膜 ９……コンタクトホール １０……ソース電極／配線 １１……ドレイン電極 １２……開口部 １３……保護膜 １４……給電配線 １４ａ…給電配線残渣 １５……給電配線部分
Claims (3)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に薄膜トランジスタと画
素電極とがマトリクス状に形成され、前記薄膜トランジ
スタにおけるゲート電極／配線どうし間にこのゲート電
極／配線を陽極酸化するために設けた共通配線からなる
給電配線への通電により前記ゲート電極／配線が陽極酸
化されており、陽極酸化により不要となった給電配線の
一部を切断分離するように除去してある薄膜トランジス
タアレイであって、前記給電配線の除去が前記透明絶縁
基板に至るまで行われていることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタアレイ。 - 【請求項２】 薄膜トランジスタを操作するゲート電極
／配線どうし間にこのゲート電極／配線を陽極酸化する
ための共通配線の給電配線を設け、この給電配線への通
電により前記ゲート電極／配線を陽極酸化し、その後
に、エッチングにより前記給電配線をこの給電配線と透
明絶縁基板との間の層間絶縁膜まで除去し、さらに追加
のエッチングにより前記除去したゲート電極／配線の下
の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板に至るまで除去するこ
とを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。 - 【請求項３】 追加のエッチングにより層間絶縁膜を透
明絶縁基板に至るまで除去するのに、ＣＦ4 ／Ｏ2 ガス
を使用したドライエッチング法、もしくは、ＢＨＦエッ
チング液を使用したウェットエッチング法を用いること
を特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタアレイ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13331396A JPH09318973A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13331396A JPH09318973A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09318973A true JPH09318973A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15101769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13331396A Pending JPH09318973A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09318973A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495702B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2005-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2009182015A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 回路基板及び電子素子の製造方法並びに回路基板 |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13331396A patent/JPH09318973A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495702B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2005-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US6958252B2 (en) | 2001-04-13 | 2005-10-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display device and method of manufacturing the same |
| US7264981B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-09-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display device and method of manufacturing the same |
| US7319243B2 (en) | 2001-04-13 | 2008-01-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display device and method of manufacturing the same |
| JP2009182015A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 回路基板及び電子素子の製造方法並びに回路基板 |
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