KR20020070321A - 기판의 연마 또는 평탄화 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속, 금속 산화물, 금속 복합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기판 표면의 적어도 일부를 금속 산화물 연마제 및 액상 담체를 포함하는 조성물로 연마시키는 것을 포함하며, 여기서 조성물은 pH가 약 7 이하이고, 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도는 약 3 히드록실기/nm2이하인, 기판의 연마 또는 평탄화 방법에 관한 것이다.

Description

기판의 연마 또는 평탄화 방법 {Method of Polishing or Planarizing a Substrate}
금속, 금속 산화물 또는 금속 복합물을 포함하는 기판을 연마 또는 평탄화하는 조성물은 당해 기술분야에 공지되어 있다. 이러한 조성물은 전형적으로 수용액 중에 연마 물질을 함유하며, 연마 슬러리로 알려져 있다. 연마 슬러리는 보통 슬러리 조성물로 적신 연마 패드와 기판 표면을 접촉시킴으로써 기판 표면에 도포한다. 전형적인 연마 물질에는 이산화 규소, 산화 세륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄 및 산화 주석이 포함된다. 예를 들면, 미국 특허 제5,527,423호는 수성 매질 중에 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 슬러리와 표면을 접촉시킴으로써 금속층을 화학-기계적으로 연마하는 방법에 대해 기재하고 있다.
종래의 연마 조성물은 때때로 금속, 금속 산화물 또는 금속 복합물을 포함하는 기판을 연마 또는 평탄화하는데 완전히 만족스럽지는 못하다. 특히, 연마 슬러리의 연마 물질은 연마 또는 평탄화될 기판에 부착해서 연마 및 후속적인 세척 후 기판 표면에 연마 물질이 남을 수 있다. 화학-기계적 연마에서의 이러한 연마 슬러리의 사용은 찌꺼기 슬러리 침착물로 인해 불량한 표면 품질을 유발할 수 있다.기판의 성능은 그의 표면의 평탄성 및 침착 입자의 부재와 직접 연관되기 때문에, 기판 표면상의 잔류 슬러리 입자를 최소로하면서 고품질의 연마가 되게 하는 연마 조성물의 사용이 중요하다.
바람직한 연마 또는 평탄화 효율, 균일성 및 제거율를 나타내면서 연마 또는 평탄화 후 기판 상에 남는 잔류 연마 물질을 최소화하거나 없게 하는, 기판의 연마 또는 평탄화 방법이 여전히 요구되고 있다. 본 발명은 이러한 방법을 제공하고자 하는 것이다. 본 발명의 이러한 이점 및 기타 이점은 본원에서 제공되는 발명의 기재로부터 명백해질 것이다.
<발명의 개요>
본 발명은 금속, 금속 산화물, 금속 복합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기판 표면의 적어도 일부를 금속 산화물 연마제 및 액상 담체를 포함하는 조성물로 연마시키는 것을 포함하며, 여기서 조성물은 pH가 약 7 이하이고, 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도는 약 3 히드록실기/nm2이하인, 기판의 연마 또는 평탄화 방법을 제공한다.
본 발명은 기판, 특히 반도체 기판의 연마 또는 평탄화 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판을 연마 또는 평탄화하는 방법을 제공한다. 이 방법은 기판을 금속 산화물 연마 조성물과 접촉시키고, 금속 산화물 연마제를 기판에 대해 이동시켜 기판 표면의 적어도 일부를 연마시키는 것을 포함한다. 이러한 접촉 및 연마는 임의의 적합한 기술에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 연마 조성물을 기판 표면에 도포하고, 연마 패드를 사용하여 기판 표면의 적어도 일부를연마시키는 데에 사용할 수 있다.
기판은 금속, 금속 산화물, 금속 복합물 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 기판은 임의의 적합한 금속을 포함하거나, 임의의 적합한 금속이 주성분으로 구성되거나, 임의의 적합한 금속으로 구성될 수 있다. 적합한 금속으로는 예를 들어 구리, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 금, 백금, 이리듐, 루테늄 및 이들의 조합물 (예, 합금 또는 혼합물)이 포함된다. 기판의 금속이 텅스텐인 것이 바람직하다. 기판은 또한 임의의 적합한 금속 산화물을 포함하거나, 임의의 적합한 금속 산화물이 주성분으로 구성되거나, 임의의 적합한 금속 산화물로 구성될 수 있다. 적합한 금속 산화물로는 예를 들어 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합물이 포함된다. 기판의 금속 산화물이 실리카인 것이 바람직하다. 또한, 기판은 임의의 적합한 금속 복합물을 포함하거나, 임의의 적합한 금속 복합물이 주성분으로 구성되거나, 임의의 적합한 금속 복합물로 구성될 수 있다. 적합한 금속 복합물로는 예를 들어 금속 질화물 (예, 질화티타늄 및 질화텅스텐), 금속 탄화물 (예, 탄화규소 및 탄화텅스텐) 및 니켈-인이 포함된다. 규소가 주성분으로 구성되거나, 또는 전체가 규소로 구성되어 있는 기판은 본 발명의 방법에 적합한 기판이 아니다. 본 발명은 특히 메모리 또는 경질 디스크, 금속 (예, 귀금속), ILD 층, 집적 회로, 반도체, 초소형-전기-기계 시스템, 강유전체, 자기 헤드, 고분자 필름 및 저 및 고 유전 상수 필름을 평탄화 또는 연마하기에 적합하다.
금속 산화물 연마제는 연마제로서 기능할 수 있는 적합한 금속 산화물이라면어느 것이라도 가능다. 적합한 금속 산화물로는 알루미나, 실라키, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합물이 포함된다. 금속 산화물 연마제가 실리카인 것이 바람직하다. 금속 산화물 연마제가 열분해법 실리카인 것이 보다 바람직하다.
금속 산화물 연마제는 금속 산화물 연마제로 연마된 후, 특히 후속적인 세척 후 기판에 금속 산화물 연마제의 부착이 만족스러운 수준을 넘지 않을 정도로 (예, 기판에 금속 산화물 연마제가 거의 또는 전혀 부착되지 않음) 충분히 적은 히드록실기 총표면 밀도를 갖는 특징이 있다. 원하는 히드록실기 총표면 밀도는 특정 금속 산화물 연마제에 대한 히드록실기 총표면 밀도 포화 정도 미만이다. 포화 시, 예를 들어 실리카의 히드록실기 총표면 밀도는 약 4.7 내지 5 히드록실기/nm2이다.
금속 산화물 연마제는 통상적으로 히드록실기 총표면 밀도가 약 4 히드록실기/nm2이하인 특징을 갖는다. 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도가 약 3 히드록실기/nm2이하인 것이 바람직하다. 히드록실기 총표면 밀도가 약 2.8 히드록실기/nm2이하, 예를 들어 2 내지 2.8 히드록실기/nm2인 것이 보다 바람직하다. 히드록실기 총표면 밀도가 약 2.5 히드록실기/nm2이하인 것이 가장 바람직하다. 히드록실기 총표면 밀도는 또한 약 2 히드록실기/nm2이하, 예를 들어 1 내지 2 히드록실기/nm2, 또는 심지어 약 1 히드록실기/nm2이하, 예를 들어 0.7 내지 1 히드록실기/nm2일 수 있다. 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도는 임의의 적합한 방법에 의해 정량적으로 분석될 수 있다.
상기한 히드록실기 총표면 밀도를 갖는 금속 산화물 연마제는 임의의 적합한 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 이러한 금속 산화물 연마제는 금속 산화물 제조 공정의 직접적인 결과물이고(거나) 히드록실기 총표면 밀도를 감소시키기 위해 후처리한 것일 수 있다. 히드록실기 총표면 밀도를 감소시키기에 적합한 방법으로는 예를 들어 (i) 총표면 히드록실기를 커플링제와 반응시키는 방법, (ii) 총표면 히드록실기를 알콜로 에스테르화하는 방법, 및 (iii) 총표면 히드록실기를 고온에 노출시켜 (예, 금속 산화물을 가열시켜) 탈수 축합시키는 방법이 있다. 원하는 히드록실기 총표면 밀도를 갖는 금속 산화물 연마제의 제조 방법이 미국 특허 제4,664,679호에 기재되어 있다.
금속 산화물 연마제의 표면 히드록실 밀도를 감소시키기 위해 임의의 적합한 커플링제를 사용할 수 있다. 적합한 커플링제에는 예를 들어 실란 커플링제 (즉, 메틸트리메톡시실란 도는 헥사메틸디실란), 알루미늄 커플링제 (즉, 아세토알콕시 알루미늄 디이소프로필레이트), 유기티타늄 커플링제 (즉, 이소프로필-트리이소스테아로일 티타네이트), 및 유기인 커플링제 (즉, 디부틸 2-메트알릴옥시에틸 포스페이트)가 포함된다. 커플링제로 처리하기 위한 임의의 적당한 방법, 예를 들어 액상 처리법 또는 기체상 처리법을 이용할 수 있다. 또한, 커플링제 처리는 임의의 적합한 방법, 예를 들어 금속 산화물 연마제 중의 탄소 함량의 유기 원소 분석에 의해 평가할 수 있다.
금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도를 감소시키기 위해 임의의 적합한 알콜을 사용할 수 있다. 적합한 알콜에는 예를 들어 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 포화 1가 알콜, 예컨대 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소-프로판올, n-부탄올 또는 t-부탄올이 포함된다. 에스테르화 처리는 사용되는 알콜의 비점 내지 350 ℃의 온도를 갖는 기체상에서 수행하는 것이 바람직하다.
금속 산화물 연마제의 히드록실기의 탈수 축합을 위해 임의의 적합한 온도를 사용할 수 있다. 금속 산화물 연마제를 바람직하게는 약 500 ℃ 이상 (예, 약 550 내지 600 ℃)의 온도에서 가열한다. 금속 산화물 연마제를 보다 고온, 예를 들면 800 ℃ 이상 또는 심지어 1000 ℃ 이상의 온도에서 가열할 수 있다.
본 발명의 방법에서 사용되는 조성물은 금속 산화물 연마제 이외에 액상 담체를 포함한다. 금속 산화물 연마 조성물에 임의의 적합한 액상 담체를 사용할 수 있다. 연마 또는 평탄화될 적합한 기판 표면으로 금속 산화물 연마제의 도포를 용이하게 하기 위해 담체를 사용한다. 바람직한 액상 담체는 물이다.
금속 산화물 연마 조성물의 pH는 약 7 이하이다. 이러한 pH는 금속 산화물 연마제의 가수분해를 억제한다. pH가 약 7보다 큰 경우에는, 금속 산화물 연마제는 적당한 시간 후에 재가수분해되어 히드록실기 총표면 밀도가 사실상 포화점 (즉, 약 4.7 내지 5 히드록실기/nm2)에 도달한다. 따라서, 히드록실기 총표면 밀도가 포화 미만인 금속 산화물 연마 조성물이 어느 순간 몇군데에서 보다 높은 pH와 만나게 되면, 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도는 바람직하지 않게 증가할 수 있기 때문에, 금속 산화물 연마 조성물의 제조 공정 내내 pH가 약 7 이하로 유지되는 것이 바람직하다.
금속 산화물 연마 조성물의 pH는 약 6 이하, 예를 들어 약 5 내지 6인 것이 바람직하다. 조성물의 pH는 약 5 이하, 예를 들어 약 4 내지 5인 것이 보다 바람직하다. 이러한 비교적 낮은 pH는 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도를 감소시키는 작용을 하는 것이 아니라, 오히려 상당한 기간, 예를 들어 연마 또는 평탄화 공정에 사용하기 전에 금속 산화물 연마 조성물을 보관하는 중에 금속 산화물 연마제에 대해 감소된 히드록실기 총표면 밀도를 유지시키기 위해 제공한다. 금속 산화물 연마제는 또한 금속 산화물 연마 조성물의 보관 중에 가수분해를 억제시키기 위해 화학적으로 처리할 수도 있다.
금속 산화물 연마 조성물의 pH는 필요하다면 임의의 적합한 방법, 예를 들면 pH 조절제를 조성물에 첨가시켜 조정할 수 있다. 적합한 pH 조절제로는 예를 들어 수산화칼륨, 수산화암모늄, 탄산나트륨 및 이들의 조합물과 같은 염기, 및 또한 무기산 (예, 질산 및 황산) 및 유기산 (예, 아세트산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 타르타르산 및 옥살산)과 같은 산이 포함된다.
금속 산화물 연마 조성물은 경우에 따라 1종 이상의 다른 첨가제를 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로는 계면활성제 (예, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 플루오르화 계면활성제 및 이들의 혼합물), 중합 안정화제 또는 기타 표면 활성 분산제 (예, 인산, 유기산, 산화주석 및 포스폰산염 화합물), pH 완충제 (예, 인산 칼륨), 및 촉매, 산화제, 킬레이팅제 및 착화제와 같은 연마 가속화제 (예, 금속, 특히 철의 질산염, 황산염, 할로겐화물 (플루오르화물, 염화물, 브롬화물 및 요오드화물 포함)), 카르복실레이트기, 히드록실기, 술폰기 및(또는) 인산기를 갖는 화합물, 디-, 트리-, 멀티 및 폴리-카르복실산 및 염 (예컨대, 타르타르산 및 타르타르산염, 말산 및 말산염, 말론산 및 말론산염, 글루콘산 및 글루콘산염, 시트르산 및 시트르산염, 프탈산 및 프탈산염, 피로카테콜, 피로갈롤, 갈산 및 갈산염, 탄닌산 및 탄닌산염), 아민-함유 화합물 (예컨대, 1급, 2급, 3급 및 4급 아민 및 아미노산), 과산화물, 과요오드산 및 염, 과브롬산 및 염, 과염소산 및 염, 과붕산 및 염, 요오드산 및 염, 과망간산염, 칼륨 페리시아나이드, 염소산염, 과탄산염, 과황산염, 브롬산염, 크롬산염, 세륨 화합물 및 이들의 혼합물)이 포함된다.
특허, 특허 출원 및 공개를 비롯하여 본원에서 인용된 모든 문헌은 그 전체 기재내용이 참고로 본원에 포함된다.
바람직한 실시태양을 강조하여 본 발명을 기재하였지만, 바람직한 실시태양의 변형법이 사용될 수 있으며, 본 발명을 본원에 구체적으로 기재된 것과 달리 실시할 수 있다는 것이 당업계의 숙련자들에게는 명백하다. 따라서, 본 발명에는 하기의 청구항에 의해 한정된 발명의 취지 및 범주 내에 포함되는 모든 변경이 포함된다.

Claims (16)

  1. 금속, 금속 산화물, 금속 복합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기판 표면의 적어도 일부를 금속 산화물 연마제 및 액상 담체를 포함하는 조성물로 연마시키는 것을 포함하며, 여기서 조성물은 pH가 약 7 이하이고, 금속 산화물 연마제의 히드록실기 총표면 밀도는 약 3 히드록실기/nm2이하인, 기판의 연마 또는 평탄화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판이 금속을 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 기판의 금속이 구리, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 금, 백금, 이리듐, 루테늄 및 이들의 조합물로 구성된 군 중에서 선택되는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 기판의 금속이 텅스텐인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 기판이 금속 산화물을 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 기판의 금속 산화물이 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합물로 구성된 군 중에서 선택되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 기판의 금속 산화물이 실리카인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 기판이 금속 복합물을 포함하는 방법.
  9. 제2항에 있어서, 기판의 금속 복합물이 질화티타늄, 질화텅스텐 및 니켈-인인 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합물로 구성된 군 중에서 선택되는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 실리카인 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 열분해법 실리카인 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 히드록실기 총표면 밀도가 약 2.8 히드록실기/nm2이하인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 히드록실기 총표면 밀도가 약 2.5 히드록실기/nm2이하인 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 연마 조성물의 pH가 약 6 이하인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 연마 조성물의 pH가 약 5 이하인 방법.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6656241B1 (en) 2001-06-14 2003-12-02 Ppg Industries Ohio, Inc. Silica-based slurry
US20030003747A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Jae Hong Kim Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same
US7416680B2 (en) * 2001-10-12 2008-08-26 International Business Machines Corporation Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate
TW200300168A (en) 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing fluid and polishing method
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US20030162399A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 University Of Florida Method, composition and apparatus for tunable selectivity during chemical mechanical polishing of metallic structures
US6716771B2 (en) * 2002-04-09 2004-04-06 Intel Corporation Method for post-CMP conversion of a hydrophobic surface of a low-k dielectric layer to a hydrophilic surface
US6953532B2 (en) * 2003-03-06 2005-10-11 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a lanthanide substrate
WO2005019364A1 (en) * 2003-08-14 2005-03-03 Ekc Technology, Inc. Periodic acid compositions for polishing ruthenium/high k substrates
JP4012180B2 (ja) * 2004-08-06 2007-11-21 株式会社東芝 Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
US20080283502A1 (en) * 2006-05-26 2008-11-20 Kevin Moeggenborg Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates
JP2010028079A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333741B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010041027A (ja) * 2008-02-18 2010-02-18 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333739B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333743B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028077A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028078A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
KR101563023B1 (ko) * 2008-02-18 2015-10-23 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법
JP5333742B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333740B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
WO2009104465A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
JP5333744B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法
JP2009224767A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010016344A (ja) * 2008-02-18 2010-01-21 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2009224771A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010034497A (ja) * 2008-02-18 2010-02-12 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
CN102358824B (zh) * 2011-07-29 2013-08-21 清华大学 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物
CN102358825B (zh) * 2011-08-05 2013-08-21 清华大学 一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物
US9803109B2 (en) * 2015-02-03 2017-10-31 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition for silicon nitride removal
CN106752969A (zh) * 2016-11-22 2017-05-31 启东市清清蔬果农地股份专业合作社 一种铝合金外壳的抛光液
CN108527012A (zh) * 2018-05-21 2018-09-14 浙江工业大学 一种利用液态金属抛光液进行大平面抛光的装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61136909A (ja) * 1984-12-04 1986-06-24 Mitsubishi Chem Ind Ltd 無水ケイ酸の水分散液組成物
JPH01317155A (ja) * 1988-03-04 1989-12-21 Mitsubishi Kasei Corp セラミック成形体の製造法
US5226930A (en) * 1988-06-03 1993-07-13 Monsanto Japan, Ltd. Method for preventing agglomeration of colloidal silica and silicon wafer polishing composition using the same
US5352277A (en) * 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP3303544B2 (ja) * 1994-07-27 2002-07-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および配線層表面研磨用のスラリーおよび配線層表面研磨用のスラリーの製造方法
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US5664990A (en) * 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
JPH10166258A (ja) * 1996-12-06 1998-06-23 Tadahiro Omi 研磨剤組成物
US6126853A (en) * 1996-12-09 2000-10-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6309560B1 (en) * 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US6294105B1 (en) * 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
EP1102821A4 (en) * 1998-06-10 2004-05-19 Rodel Inc COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL
JP2003516626A (ja) * 1999-12-07 2003-05-13 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 化学的機械研磨方法

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