KR20020067670A - 자기정렬된 절연 충전체를 갖는 유기 전계발광장치 및그의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000945 filler Substances 0.000 title claims description 17
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- -1 8-quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)-n-[4-[4-(4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical class C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- AQBJYBGRQPCHEL-UHFFFAOYSA-L iron(2+);iron(3+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Fe+2].[Fe+3] AQBJYBGRQPCHEL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/2457—Parallel ribs and/or grooves
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
- Y10T428/24669—Aligned or parallel nonplanarities
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Abstract
유기 전계발광장치에서, 절연기판 (11) 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 하부전극 (12a) 이 형성되고, 이 하부전극들 사이에 비정질 탄소로 이루어진 복수 개의 충전체가 충전된다. 그 충전체들 및 그 하부전들 상에 유기 박막층들이 형성된다. 이 유기 박막층 상에 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극이 형성된다.
Description
본 발명은 유기 전계발광장치 및 그 장치의 제조방법에 관한 것이다.
유기 전계발광장치는, 전계가 이 장치에 인가될 때, 애노드로부터 주입된 정공들과 캐소드로부터 주입된 전자들의 전하 재결합에 반응하여 형광재가 광을 방출하는 원리를 이용하는 발광장치이다. 그런 유기전계발광장치가, C. W. Tang 외 다수가 1987년 9월 21일, Applied physics Lett. 51(12), pp.913-915, "Organic Electroluminescent Diodes"를 발행한 이후로 계속해서 개발되었다.
Tang 외 등은 발광층 내에 트리스(tris)(8-퀴놀리놀 알루미늄 (quinolinol aluminum)) 및 정공-수송층 내에는 트리페닐디아민 (triphenyldiamine) 유도체를 사용하는 스택구조의 전계발광장치를 보고했다. 이런 스택구조는 발광층 내로의 정공의 주입효율이 향상될 수 있고, 캐소드로부터 주입되는 전자가 차단되어 전하 재결합으로부터의 여기자 생성효율을 증가시킬 수 있으며, 발광층 내로 여기자를 가둘 수 있다는 이점을 갖는다. 유기 전계발광장치로서 정공-주입층, 정공 수송층, 전자-수송층 및 발광층으로 구성되는 2층구조 또는 정공-주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자-주입층 및 전자 수송층으로 구성되는 3층구조와 같은 다층구조가 공지되어 있다. 주입된 정공 및 전자의 재결합 효율을 증가시키기 위해, 다양한 개선점들이 그 구조 및 다층구조의 제조공정에 도입되었다.
제 1 종래기술의 유기 전계발광장치는, 투명절연기판, 이 투명절연기판 상에 형성되는 인듐 주석 산화물 (ITO) 로 이루어진 줄무늬 모양의 하부전극들, 이 하부전극들 상에 형성되는 발광층, 및 이 발광층 상에 형성되는 줄무늬 모양의 상부전극들로 구성된다. 이 경우, 그 상부전극들은 제 1 방향을 따라 형성되고, 이 제 1 방향에 수직인 제 2 방향을 따라 그 하부전극들이 형성되어 있다. 필요에 따라, 그 하부전극들 및 그 발광층 사이에 정공-수송층이 삽입되고, 그 발광층 및 그 상부전극들 사이에 전자-수송층이 삽입되어, 그 발광층 내로의 전공 및 전자와같은 캐리어들의 주입효율을 향상시키도록 한다. 그 발광층, 정공-수송층 및 전자-수송층은 유기재로 이루어진다는 것을 주목한다.
그러나, 상술한 제 1 종래기술의 유기 전계발광장치에서는, 그 하부전극들의 모서리에서 단차 (step) 가 존재하므로, 하부전극들의 그 단차 근처에서 정공-수송층, 발광층 및 전자-수송층의 일부분이 얇아진다. 특히, 발광층이 매우 얇으므로 (즉, 대략 100 nm 의 두께), 그 하부전극들의 단차 근처에서 발광층의 일부가 더 얇아지면, 발광층의 그 더욱 얇은 부분들을 통해 하부전극 및 상부전극간에 쇼트-회로가 발생하여 유기 전계발광장치에 손상을 줄 수 있다.
제 2 종래기술의 유기 전계발광장치는 하부전극들 사이에 충전된 소자들을 갖는 절연 패턴층을 포함하여 그 하부전극들의 모서리를 거의 매끄럽게 만들어서, 발광층을 포함하는 유기층들을 통한 상부전극과 하부전극간의 쇼트-회로를 피할 수 있다 (참조: JP-A-3-250583, JP-A-3-274694 & JP-A-4-51494).
그러나, 상술한 제 2 종래기술의 유기 전계발광장치에서는, 그 절연 패턴층을 형성하기 위해 포토리소그래피 공정 및 에칭공정이 요구되므로, 제조비용이 증가한다.
제 3 종래기술의 유기 전계발광장치에서는, 그 하부전극들을 형성하는 동일한 포토레지스트 패턴층으로 그 하부전극들 사이에 충전되는 절연층을 형성함으로써, 제조비용을 감소시킨다 (참조: JP-A-2000-123978 의 도 6). 즉, 먼저, 투명절연기판 상에 ITO 층을 증착시킨다. 그런 후, 그 ITO 층 상에 포토레지스트패턴층을 포토리소그래피 공정으로 형성하고 그 포토레지스트 패턴층을 마스크로서 사용하는 에칭공정으로 그 ITO 층을 패턴화하여 하부전극들을 형성한다. 그런 후, 그 포토레지스트 패턴층을 제거하지 않은 그 전체표면 상에 절연층을 증착시키고, 그 포토레지스트 패턴층에 소위 리프트-오프 (lift-off) 공정을 수행하여, 그 포토레지스트 패턴층 및 그 포토레지스트 패턴층 상의 절연층의 부분을 동시에 제거하도록 한다. 그 결과, 그 하부전극들 사이에 그 절연층의 나머지 부분이 충전체로서 충전된다.
그러나, 상술한 제 3 종래기술의 유기 전계발광장치에서는, 그 절연층이 형성되는 챔버와 상이한 챔버 내에서 에칭공정에 의해 그 하부전극들이 형성되므로, 제조비용이 여전히 고가이다.
본 발명의 목적은 제조비용을 증가시키지 않고 쇼트-회로를 방지하는 유기 전계발광장치 및 이 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 유기 전계발광장치에서, 절연기판 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 하부전극을 형성하고, 그 하부전극들 사이에 비정질 탄소로 이루어진 복수 개의 충전체를 충전시킨다. 그 충전체들 및 그 하부전극들 상에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층을 형성한다. 그 유기 박막층 상에 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극들을 형성한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계발광장치의 제조방법에서, 절연기판 상에 도전층을 형성한다. 그런 후, 그 도전층 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 소자를 갖는 포토레지스트 패턴층을 형성한다. 그런 후, 챔버 내에서 그 포토레지스트 패턴층을 에칭마스크로서 사용하며 제 1 플라즈마 가스를 사용하는 건식 에칭공정으로 그 도전층을 에칭하여 줄무늬 모양의 하부전극들을 형성한다. 그런 후, 상기 챔버 내에서 제 2 플라즈마 가스를 사용하는 플라즈마 증착공정으로 그 포토레지스트 패턴층 및 그 하부전극들 사이의 절연기판 상에 절연층을 증착한다. 그런 후, 그 포토레지스트 패턴층에 리프트-오프 공정을 수행하여, 그 포토레지스트 패턴층 및 그 포토레지스트 패턴층 상의 절연층의 부분을 제거한다. 그런 후, 그 절연기판 및 하부전극들 상에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층을 형성한다. 마지막으로, 그 유기 박막층 상에 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극을 형성한다.
도 1a, 1b, 1c, 1d 및 1e 는 본 발명에 따른 유기 전계발광장치를 제조하는 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2a, 2b, 2c, 2d, 2e 및 2f 는 본 발명에 따른 유기 전계발광장치를 제조하는 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3a, 3b, 3c, 3d, 3e 및 3f 는 도 1e 및 도 2f 의 정공-수송층용 재료의 화학적 구조를 나타내는 도이다.
도 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, 4g, 4h, 4i 는 4j 는 도 1e 및 도 2f 의 전자-수송층용 재료의 화학적 구조를 나타내는 도이다.
첨부한 도면들을 참조하여, 이하 본 발명을 명확히 설명한다.
제 1 실시예
도 1a, 1b, 1c, 1d 및 1e 를 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계발광장치를 제조하는 방법의 제 1 실시예를 설명한다.
먼저, 도 1a 를 참조하면, 유리로 이루어진 투명절연기판 (11) 상에 약 80nm 두께의 ITO 층 (12) 을 스퍼터링 공정으로 증착한다.
다음으로, 도 1b 를 참조하면, ITO 층 (12) 상에 포토레지스트층을 스핀-코팅 공정으로 코팅한다. 그런 후, 그 포토레지스트층을 포토리소그래피 및 현상공정으로 패턴화하여, 소정의 방향을 따라 줄무늬 모양의 소자들을 갖는 포토레지스트 패턴층 (13) 을 형성한다.
다음으로, 도 1c 를 참조하면, 투명절연기판 (11)을 반응성이온에칭 (RIE) 챔버 내에 넣고, CH4/H4혼합가스를 사용하는 RIE 공정으로 ITO 층 (12) 을 에칭하여, 하부전극 (12a) 들을 형성한다. 이 경우, 압력, 유량 및 가스 혼합비와 같은 플라즈마 발생조건들을 변화시켜, ITO 층 (12) 의 에칭과 동시에 약 80nm 두께의 비정질 탄소층 (14) 을 증착한다.
다음으로, 도 1d 를 참조하면, 포토레지스트 패턴층 (13) 에 소위 리프트-오프 공정을 수행하여, 포토레지스트 패턴층 (13) 및 그 위의 비정질 탄소층 (14) 의 부분을 동시에 제거한다. 그 결과, 하부전극 (12a) 들 사이에 비정질 탄소충전체 (14a) 들이 충전된다. 이 경우, 필요에 따라, 비정질 탄소충전체 (14a) 에 화학적-기계적 연마 (CMP) 공정과 같은 평탄화 공정을 수행한다. 비정질 탄소충전체 (14a) 들은 5nm 내지 1㎛ 의 두께이며, 20nm 내지 300nm 의 두께인 것이 바람직하다.
마지막으로, 도 1e 를 참조하면, 약 50nm 두께의 정공-수송층 (15), 약 70nm 두께의 발광층 (16) 및 약 20nm 두께의 전자-수송층 (17) 을 진공증착공정으로 순차적으로 증착한다. 그런 후, 마그네슘-은 합금으로 이루어진 약 150nm 두께의 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (18) 을 진공 공동-증착 (co-evaporation) 공정으로 형성한다. 이 경우, 상부전극 (18) 들은, ITO 층 (14) 에 의해 형성된 하부전극들과 수직이다. 그런 후, 상부전극 (18) 들을 수지로 밀봉하여 유기 전계발광장치를 완성한다.
본 발명자의 실험에 따르면, 도 1e 의 유기 전계발광장치가 구동되어 104이상의 정류비를 갖는 뛰어난 다이오드 특성을 나타냈다.
따라서, 제 1 실시예에서는, 하부전극 (12a) 들 및 이 하부전극 (12a) 들 사이에 충전된 비정질 탄소충전체 (14a) 들이 동일한 RIE 챔버 내에서 형성되므로, 제조비용이 감소될 수 있다.
제 2 실시예
다음으로, 도 2a, 2b, 2c, 2d, 2e 및 2f 를 참조하여, 본 발명에 따른 유기 전계발광장치를 제조하는 방법의 제 2 실시예를 설명한다.
먼저, 도 2a 를 참조하면, 유리로 이루어진 투명절연기판 (21) 상에 약 80nm 두께의 ITO 층 (22) 을 스퍼터링 공정으로 증착한다.
다음으로, 도 2b 를 참조하면, ITO 층 (22) 상에 포토레지스트층을 스핀-코팅 공정으로 코팅한다. 그런 후, 그 포토레지스트층을 포토리소그래피 및 현상공정으로 패턴화하여, 소정의 방향을 따라 줄무늬 모양의 소자들을 갖는 포토레지스트 패턴층 (23) 을 형성한다.
다음으로, 도 2c 를 참조하면, 투명절연기판 (21) 을 RIE 챔버 내에 넣고, HI/Ar 혼합 가스를 사용하는 RIE 공정으로 ITO 층 (22) 을 에칭하여, 하부전극 (22a) 들을 형성한다.
다음으로, 도 2d 를 참조하면, 도 2c 에 도시한 단계에서의 그 동일한 RIE챔버 내에서 CH4/H4혼합가스를 사용하는 반응성이온공정으로 약 80nm 두께의 비정질 탄소층 (24) 을 증착한다.
다음으로, 도 2e 를 참조하면, 포토레지스트 패턴층 (23) 에 소위 리프트-오프 공정을 수행하여, 포토레지스트 패턴층 (23) 및 그 위의 비정질 탄소층 (24) 의 부분을 동시에 제거한다. 그 결과, 하부전극 (22a) 들 사이에 비정질 탄소충전체 (22a) 들이 충전된다. 이 경우, 필요에 따라, 비정질 탄소충전체 (24a) 에 CMP 공정과 같은 평탄화 공정을 수행한다. 비정질 탄소충전체 (24a) 들은 5nm 내지 1㎛ 의 두께이며, 20nm 내지 300nm 의 두께인 것이 바람직하다.
마지막으로, 도 2f 를 참조하면, 약 50nm 두께의 정공-수송층 (25), 약 70nm 두께의 발광층 (26) 및 약 20nm 두께의 전자-수송층 (27) 을 진공증착공정으로 순차적으로 증착한다. 그런 후, 마그네슘-은 합금으로 이루어진 약 150nm 두께를 갖는 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (28) 들을 진공증착공정으로 형성한다. 이 경우, 상부전극 (28) 들은, ITO 층 (24) 에 의해 형성된 하부전극들과 수직이다. 그런 후, 상부전극 (28) 들을 수지로 밀봉하여 유기 전계발광장치를 완성한다.
본 발명자의 실험에 따르면, 도 2f 의 유기 전계발광장치가 구동되어 104이상의 정류비를 갖는 뛰어난 다이오드 특성을 나타냈다.
제 2 실시예에서도, 하부전극 (22a) 들 및 이 하부전극 (22a) 들 사이에 충전된 비정질 탄소충전체 (24a) 들이 동일한 RIE 챔버 내에서 형성되므로, 제조비용이 감소될 수 있다.
이 제 2 실시예에서, 충전체 (24a) 들은 비정질 탄소로 이루어지지만, 충전체 (24a) 들이 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 여타의 재료들로 이루어질 수도 있다.
상술한 실시예들에서, 정공-수송층 (15, 25), 발광층 (16, 26) 및 전자-수송층 (17, 27) 은 하부전극 (12a, 22a) 들과 상부전극 (18, 28) 들에 의해 샌드위치된다. 그러나, 정공-수송층 (15, 25) 및/또는 전자-수송층 (17, 27) 은 생략될 수 있다.
또한, 하부전극들은 ITO 로 이루어진다. 그러나, 하부전극들은, 발광층 (16, 26) 또는 정공-수송층 (15, 25) 내로 정공을 주입하기 위해 발광층 (16, 26) 의 재료에 따라 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 여타의 재료들로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, IZO (IDIXO) 또는 주석 산화물 (NESA) 과 같은 금속산화물, 금, 은, 백금 또는 구리가 사용될 수 있다.
정공-수송층 (15, 25) 의 재료에 대한 특별한 제한은 없다. 어떠한 통상의 정공-수송 재료도 사용될 수 있다. 예를 들어, 정공-수송층 (15, 25) 은, 비스 (bis) (디 (di) (p-톨릴(tolyl)) 아미노페닐(aminophenyl))-1, 1-시클로헥산 (cyclohexane) (도 3a 참조), N, N'-디페닐 (diphenyl)-N, N'-비스(bis) (3-메틸페닐(methylphenyl))-1, 1'-비페닐(biphenyl)-4, 4'-디아민(diamine) (도 3b 참조), 또는 N, N'-디페닐(diphenyl)-N, N'-비스(bis)(1-나프틸(naphtyl))-1, 1'-비페닐(biphenyl)-4, 4'-디아민(diamine) (도 3c 참조)와 같은 트리페니(tripheny) /디아민 (diamine), 스타 버스트 (star burst) 분자들 (도 3d, 3e 및 3f 참조), 폴리(poly)(p-페닐린비닐린(phenylenevynylene)) 유도체, 폴리아닐라인 (polyaniline) 유도체 또는 폴리티오핀 (polythiophene) 유도체로 이루어진다. 또한, 정공-수송층 (15, 25) 은 여타의 도전성 중합체들로 이루어진다. 또한, 정공-수송층 (15, 25) 은 도전성 중합체 및 염화(Ⅲ)철 (FeCl3) 과 같은 루이스 (Lewis) 산의 혼합으로 이루어진다.
발광층 (16, 26) 의 재료에 대한 특별한 제한은 없다. 어떠한 통상의 발광 재료도 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광층 (16, 26) 은 디스티릴라릴린 (distyrylarylene) 유도체 (JP-A-2-247278 & JP-A-5-17765 참조), 쿠마린 (coumarine) 유도체, 디시아노메틸린프레인 (dicyanomethylenephrane) 유도체, 페릴린 (perylene) 유도체 (JP-A-63-264692), 방향족 유도체 (JP-A-8-298186 & JP-A-9-268284), 앤트라신 (anthracene) 합성물 (JP-A-9-157643, JP-A-9-268283 & JP-A-10-72581 참조), 또는 퀴나크리돈 (quinacridone) 유도체 (JP-A-5-70773) 으로 이루어진다.
전자-수송층 (17, 27) 의 재료에 대한 특별한 제한은 없다. 어떠한 통상의 전자-수송 재료도 사용될 수 있다. 예를 들어, 전자-수송층 (17, 27) 은 2-(4-비페닐(biphenyl))-5-(4-t-부티르페닐(butyrphenyl))-1, 3, 4-옥사디아졸 (oxadiazole) 유도체 (도 4a 참조) 또는 비스 (bis) {2-(4-t-부티르페닐 (butryphenyl))-1, 3, 4-옥사디아졸(oxadiazole)}-m- 페닐린(phenylene) (도 4b 참조) 와 같은 옥사디아졸(oxadiazole) 유도체, 트리아졸(triazole) 유도체 (도 4c 및 도 4d 참조), 퀴놀리놀(quinolinol) 금속 복합체 (도 4e, 4f, 4g 및 4h 참조), 바토페난트롤린 (bathophenanthroline) (도 4i 참조), 또는 바토쿠프롤린 (bathocuprolene) (도 4j 참조) 로 이루어진다.
상부전극 (18, 28) 은, 발광층 (16, 26) (또는, 전자-수송층 (17, 27)) 내로 전자를 주입하기 위해 작은 일함수를 갖는 도전재로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상부전극 (18, 28) 은 인듐, 알루미늄, 마그네슘, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 알루미늄-리튬 합금, 알루미늄-스칸듐-리튬 합금 또는 마그네슘-은 합금으로 이루어진다. 이 경우, 애노드로서 기능하는 하부전극이 투명하므로, 캐소드로서 기능하는 상부전극 (18, 28) 은, 발광층 (16, 26) 으로부터 방출되는 광을 반사시키기 위해, 고 반사성을 갖는 도전재로 이루어지는 것이 바람직하다.
상술한 실시예들에서, ITO 층 (12, 22) 은 스퍼터링 공정으로 형성된다. 그러나, ITO 층 (12, 22) 은 진공증착공정, 이온-플레이팅 공정, 화학기상증착 (CVD) 공정, 졸-겔 (sol-gel) 코팅공정, 스프레이 공정 또는 스핀-코팅 공정으로 형성될 수도 있다.
또한, 정공-수송층 (15, 25), 발광층 (16, 26) 및 전자-수송층 (17, 27)과 같은 유기층들은 진공증착공정으로 형성된다. 그러나, 유기층들은 분자 빔 에피택시 (MBE) 공정, 침지 (dipping) 공정, 또는 재료들의 용액들을 사용하는 스핀-코팅 공정, 캐스팅 공정, 바(bar)-코팅 공정 또는 롤(roll)-코팅 공정과 같은 코팅공정으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 유기층들의 두께는 최적화될 수 있다. 즉, 각각의 유기층들이 얇아질수록, 핀홀과 같은 더 많은 결함이 발생한다. 반대로, 각각의 유기층들이 두꺼워질수록, 유기층에 캐리어를 주입하기 위해 더 높은 전압이 인가되어야 한다. 이런 점에서, 각각의 유기층들의 두께는, 수 nm 내지 1㎛ 인 것이 바람직하다.
또한, 상부전극 (18, 28) 은 진공증착공정으로 형성된다. 그러나, 상부전극 (18, 28) 은 마그네트론 스퍼터링 공정, 이온-플레이팅 공정, CVD 공정, 졸-겔 (sol-gel) 코팅공정, 스프레이 공정 또는 스핀-코팅 공정으로 형성될 수도 있다.
상술한 실시예들에서, RIE 공정대신 플라즈마 에칭공정과 같은 여타의 건식에칭 공정들이 사용될 수도 있다. 또한, RIE 공정에서, 다양한 종류의 가스가 사용될 수 있다. 예를 들어, CF4가스와 같은 할로겐 가스, CH4가스와 같은 탄화수소가스, Ar가스와 같은 불활성가스, 또는 수소가스가 사용될 수 있다. 또한, 비정질 탄소를 증착할 때, CH4가스와 같은 여타의 탄소가스가 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 하부전극들 및 그 하부전극들 사이의 충전체들이 동일한 챔버 내에서 형성되므로, 제조비용이 감소될 수 있다.
Claims (21)
- 절연기판 (11);상기 절연기판 상에 제 1 방향을 따라 형성되는 복수 개의 줄무늬 모양의 하부전극 (12a);상기 하부전극들 사이에 충전되는 비정질 탄소로 이루어진 복수 개의 충전체 (14a);상기 충전체들 및 상기 하부전극들 상에 형성되는 발광층 (16) 을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층; 및상기 유기 박막층 상에 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 형성되는 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (18) 을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부전극들은 애노드이고, 상기 상부전극들은 캐소드인것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 하부전극들과 상기 발광층 사이에 정공-수송층 (15) 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 발광층과 상기 상부전극들 사이에 전자-수송층 (17) 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연기판은 투명하고, 상기 하부전극들은 투명한 도전층들을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 투명한 도전층들은 인듐 주석 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향과 거의 수직인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치.
- 절연기판 (11, 21) 상에 도전층 (12, 22) 을 형성하는 단계;상기 도전층 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 소자를 갖는 포토레지스트 패턴층 (13, 23) 을 형성하는 단계;챔버 내에서 상기 포토레지스트 패턴층을 에칭 마스크로서 사용하여, 제 1 플라즈마 가스를 사용하는 건식 에칭으로 상기 도전층을 에칭하여 줄무늬 모양의 하부전극 (12a, 22a) 들을 형성하는 단계;상기 챔버 내에서 상기 포토레지스트 패턴층 상 및 상기 하부전극들 사이의 상기 절연기판 상에 제 2 플라즈마 가스를 사용하는 플라즈마 증착공정으로 절연층 (14, 24) 을 증착하는 단계;상기 포토레지스트 패턴층에 리프트-오프 공정을 수행하여 상기 포토레지스트 패턴층 및 상기 포토레지스트 패턴층 상의 상기 절연층의 부분을 제거하는 단계;상기 절연층 및 상기 하부전극들 상에 발광층 (16, 26) 을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층을 형성하는 단계; 및상기 유기 박막층 상에 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (18, 28) 을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 가스를 유입하는 조건은 상기 제 2 플라즈마 가스를 유입하는 조건과 동일한 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 가스 및 상기 제 2 플라즈마 가스 각각은 탄화수소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 가스를 유입하는 조건은 상기 제 2 플라즈마 가스를 유입하는 조건과 상이한 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 가스는 할로겐 가스를 포함하고, 상기 제 2 플라즈마 가스는 탄화수소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 하부전극들은 애노드이고, 상기 상부전극들은 캐소드인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 하부전극들과 상기 발광층 사이에 정공-수송층 (15, 25) 을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 발광층과 상기 상부전극들 사이에 전자-수송층 (17, 27) 을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 절연기판은 투명하고, 상기 하부전극들은 투명한 도전층들을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 투명한 도전층들은 인듐 주석 산화물을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향과 거의 수직인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 절연층은 비정질 탄소를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 절연기판 (11) 상에 도전층 (12) 을 형성하는 단계;상기 도전층 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 소자를 갖는 포토레지스트 패턴층 (13) 을 형성하는 단계;챔버 내에서 상기 포토레지스트 패턴층을 에칭 마스크로서 사용하여 탄화수소가스를 포함하는 가스를 사용하는 건식 에칭공정으로 상기 도전층을 에칭하여 줄무늬 모양의 하부전극 (12a) 들을 형성한 후, 상기 챔버 내에서 상기 포토레지스트 패턴층 상 및 상기 하부전극들 사이의 상기 절연기판 상에 탄화수소가스를 포함하는 상기 가스를 사용하는 플라즈마 증착공정으로 절연층 (14) 을 증착하는 단계;상기 포토레지스트 패턴층에 리프트-오프 공정을 수행하여 상기 포토레지스트 패턴층 및 상기 포토레지스트 패턴층 상의 상기 절연층의 부분을 제거하는 단계;상기 절연층 및 상기 하부전극들 상에 발광층 (16) 을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층을 형성하는 단계; 및상기 유기 박막층 상에 상기 제 1 방향과 상이한 상기 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (18) 을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
- 절연기판 (21) 상에 도전층 (22) 을 형성하는 단계;상기 도전층 상에 제 1 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 소자를 갖는 포토레지스트 패턴층 (23) 을 형성하는 단계;챔버 내에서 상기 포토레지스트 패턴층을 에칭 마스크로서 사용하며 할로겐화물 가스를 포함하는 가스를 사용하는 건식 에칭공정으로 상기 도전층을 에칭하여 줄무늬 모양의 하부전극들 (22a) 을 형성하는 단계;상기 챔버내에서 상기 포토레지스트 패턴층 상 및 상기 하부전극들 사이의 상기 절연기판 상에 탄화수소가스를 함유하는 가스를 사용하는 플라즈마 증착공정으로 절연층 (24) 을 증착하는 단계;상기 포토레지스트 패턴층에 리프트-오프 공정을 수행하여 상기 포토레지스트 패턴층 및 상기 포토레지스트 패턴층 상의 상기 절연층의 부분을 제거하는 단계;상기 절연층 및 상기 하부전극들 상에 발광층 (26) 을 포함하는 하나 이상의 유기 박막층을 형성하는 단계; 및상기 유기 박막층 상에 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향을 따라 복수 개의 줄무늬 모양의 상부전극 (28) 을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광장치의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2001-00038808 | 2001-02-15 | ||
| JP2001038808A JP4139085B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020067670A true KR20020067670A (ko) | 2002-08-23 |
| KR100462865B1 KR100462865B1 (ko) | 2004-12-17 |
Family
ID=18901723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0008133A KR100462865B1 (ko) | 2001-02-15 | 2002-02-15 | 자기정렬된 절연 충전체를 갖는 유기 전계발광장치 및그의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20020110703A1 (ko) |
| JP (1) | JP4139085B2 (ko) |
| KR (1) | KR100462865B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835160B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2008-06-04 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이 및 그 제조 방법 |
| US8134156B2 (en) | 2005-11-15 | 2012-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including zinc oxide containing semiconductor film |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100573132B1 (ko) * | 2004-02-14 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
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| JP4464370B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2010-05-19 | 株式会社日立製作所 | 照明装置及び表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2814435B2 (ja) | 1987-03-02 | 1998-10-22 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
| US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
| JPH07119407B2 (ja) | 1989-03-20 | 1995-12-20 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2734464B2 (ja) | 1990-02-28 | 1998-03-30 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JPH03274694A (ja) | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP2911552B2 (ja) | 1990-06-18 | 1999-06-23 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JPH0517765A (ja) | 1991-07-16 | 1993-01-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2974835B2 (ja) | 1991-09-12 | 1999-11-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08298186A (ja) | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH1072581A (ja) | 1995-09-25 | 1998-03-17 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3666086B2 (ja) | 1995-12-11 | 2005-06-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3511825B2 (ja) | 1996-01-29 | 2004-03-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3564859B2 (ja) | 1996-04-01 | 2004-09-15 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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-
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- 2001-02-15 JP JP2001038808A patent/JP4139085B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-15 KR KR10-2002-0008133A patent/KR100462865B1/ko active IP Right Grant
- 2002-02-15 US US10/075,761 patent/US20020110703A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4139085B2 (ja) | 2008-08-27 |
| KR100462865B1 (ko) | 2004-12-17 |
| US6921627B2 (en) | 2005-07-26 |
| US20020110703A1 (en) | 2002-08-15 |
| JP2002246173A (ja) | 2002-08-30 |
| US20040091819A1 (en) | 2004-05-13 |
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| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131129 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141128 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171129 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181126 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191202 Year of fee payment: 16 |