JP2006331685A - 電極付き基板及びその製造方法、電気光学装置、エレクトロルミネッセント(el)装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電極付き基板1は基板10上に所定のパターンで形成された複数の電極20を有するもので、電極20は側面21若しくは側面21及びその近傍部分が他部分23と異なる組成を有し絶縁性を有する絶縁部22となっている。電極付き基板1は例えば、基板10に導電層20Aを形成し、導電層20Aの上に複数の電極20のパターンに応じたレジストパターン30を形成し、レジストパターン30をマスクとして導電層20Aをエッチングして複数の電極20をパターン形成し、複数の電極20に絶縁化ガスGを接触させ、レジストパターン30を除去して、製造されたものである。
【選択図】 図2
Description
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成し、該導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記導電層に絶縁化ガスを接触させて該導電層の組成を部分的に変えて前記絶縁部を形成し、前記レジストパターンを除去して、製造されたものであることを特徴とするものである。
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成し、該導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングして前記複数の電極をパターン形成し、該複数の電極の電極間隙に前記電極の側面を覆う前記電極材料とは異なる材料の前記絶縁部を形成し、前記レジストパターンを除去して、製造されたものであることを特徴とするものである。
図面を参照して、本発明に係る電極付き基板の第1実施形態とその製造方法について説明する。図1は電極付き基板の厚み方向断面図、図2は図1に対応した製造工程図である。図1及び図2は電極の配列方向の断面図である。縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
図面を参照して、本発明に係る電極付き基板の第2実施形態とその製造方法について説明する。図3及び図4は第1実施形態の図1及び図2に対応した図であり、第1実施形態と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。本実施形態においても、複数の電極がストライプ状に形成されたパッシブマトリクス型用の電極付き基板を例として説明する。
図面を参照して、本発明に係る電極付き基板の第3実施形態とその製造方法について説明する。図5(a)及び図6は第1実施形態の図1及び図2に対応した図であり、第1実施形態と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。本実施形態においても、複数の電極がストライプ状に形成されたパッシブマトリクス型用の電極付き基板を例として説明する。
図面を参照して、本発明に係る有機EL装置(電気光学装置)の実施形態について説明する。図7(a)は有機EL装置の一画素を示す平面図(基板については省略)、図7(b)はA−A’断面図、図7(c)はB−B’断面図である。視認しやすくするため、図7(a)では上部電極50と隔壁60とをわずかにずらして図示してある。
4 有機EL装置(電気光学装置)
10 基板
20 電極(下部電極)
20A 導電層
21 電極の側面
22、24 絶縁部
30 レジストパターン
40 発光層
40R、40G、40B 発光層
50 対向電極(上部電極)
G 絶縁化ガス
Claims (12)
- 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極を有する電極付き基板において、
前記電極は、側面若しくは側面及び側面近傍部分が他部分と異なる組成を有し絶縁性を有することを特徴とする電極付き基板。 - 前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成し、該導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングして前記複数の電極をパターン形成し、該複数の電極に絶縁化ガスを接触させ、前記レジストパターンを除去して、製造されたものであることを特徴とする請求項1に記載の電極付き基板。
- 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極と該複数の電極の電極間隙に形成された絶縁部とを有する電極付き基板において、
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成し、該導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記導電層に絶縁化ガスを接触させて該導電層の組成を部分的に変えて前記絶縁部を形成し、前記レジストパターンを除去して、製造されたものであることを特徴とする電極付き基板。 - 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極と該複数の電極の電極間隙に形成された絶縁部とを有する電極付き基板において、
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成し、該導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングして前記複数の電極をパターン形成し、該複数の電極の電極間隙に前記電極の側面を覆う前記電極材料とは異なる材料の前記絶縁部を形成し、前記レジストパターンを除去して、製造されたものであることを特徴とする電極付き基板。 - 前記絶縁部は、前記レジストパターンとは異なる親疎水性を有する材料により形成されたものであることを特徴とする請求項4に記載の電極付き基板。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の電極付き基板の上に、少なくとも発光層又は液晶層を介して前記複数の電極との間で電界が印加される単数又は複数の対向電極が配置された電極構造を有することを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の電極付き基板の上に、少なくとも発光層を介して前記複数の電極との間で電界が印加される単数又は複数の対向電極が配置されたものであることを特徴とするエレクトロルミネッセント装置。
- 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極を有する電極付き基板の製造方法において、
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成する工程(A)と、
前記導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成する工程(B)と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングして前記複数の電極をパターン形成する工程(C)と、
前記複数の電極に絶縁化ガスを接触させる工程(D)と、
前記レジストパターンを除去する工程(E)とを順次有することを特徴とする電極付き基板の製造方法。 - 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極と該複数の電極の電極間隙に形成された絶縁部とを有する電極付き基板の製造方法において、
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成する工程(A)と、
前記導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成する工程(B)と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層に絶縁化ガスを接触させて該導電層の組成を部分的に変えて前記絶縁部を形成する工程(F)と、
前記レジストパターンを除去する工程(E)とを順次有することを特徴とする電極付き基板の製造方法。 - 基板上に所定のパターンで形成された複数の電極と該複数の電極の電極間隙に形成された絶縁部とを有する電極付き基板の製造方法において、
前記基板に電極材料を成膜して導電層を形成する工程(A)と、
前記導電層の上に前記複数の電極のパターンに応じたレジストパターンを形成する工程(B)と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングして前記複数の電極をパターン形成する工程(C)と、
前記複数の電極の電極間隙に前記電極の側面を覆う前記電極材料とは異なる材料の前記絶縁部を形成する工程(G)と、
前記レジストパターンを除去する工程(E)とを順次有することを特徴とする電極付き基板の製造方法。 - 前記工程(C)においては、該工程後の前記レジストパターンと前記複数の電極のパターンとが略同一パターンとなるよう前記エッチングを実施することを特徴とする請求項10に記載の電極付き基板の製造方法。
- 前記工程(C)と前記工程(G)との間に、前記複数の電極のパターン幅より大きいパターン幅の前記レジストパターンに対して、該レジストパターンと前記複数の電極のパターンとが略同一パターンとなるようパターン幅を狭小化する工程(H)をさらに有することを特徴とする請求項10に記載の電極付き基板の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015079510A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社日立製作所 | 電流計測装置、電流計測方法、及び電流計測キット |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10172761A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Tdk Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法と有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2002025781A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002246173A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Nec Corp | 有機elデバイスおよびこの製造方法 |
JP2004259561A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源の製造方法 |
WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864628B2 (en) * | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
JP2002359083A (ja) | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント表示装置およびその製造方法 |
JP4014901B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出による材料の配置方法および表示装置の製造方法 |
JP4299059B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-07-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
US20050057154A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-03-17 | Optrex Corporation | Organic EL display device and method for fabricating the same |
JP2006287096A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
-
2005
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-
2006
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10172761A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Tdk Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法と有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2002025781A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002246173A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Nec Corp | 有機elデバイスおよびこの製造方法 |
JP2004259561A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源の製造方法 |
WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015079510A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社日立製作所 | 電流計測装置、電流計測方法、及び電流計測キット |
JP6062569B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-01-18 | 株式会社日立製作所 | 電流計測装置、電流計測方法、及び電流計測キット |
JPWO2015079510A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-03-16 | 株式会社日立製作所 | 電流計測装置、電流計測方法、及び電流計測キット |
US10908143B2 (en) | 2013-11-27 | 2021-02-02 | Hitachi, Ltd. | Current measuring device, current measuring method, and current measuring kit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8003913B2 (en) | 2011-08-23 |
US20060262375A1 (en) | 2006-11-23 |
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