KR20020061031A - 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 각 공정을 수행하기 전·후에 웨이퍼 상에 잔존하는 폴리머 등의 부산물이나 파티클 등의 불순물을 제거하도록 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법에 관한 것으로서, 이를 구현하기 위한 구성은, 분리 수용하는 복수 케미컬을 인가되는 공급 제어신호에 따라 각각의 공급량을 제어하는 세정액 공급부와; 공급되는 각 케미컬을 혼합되게 수용하는 세척조와; 상기 세척조의 외측으로 인가되는 순환 제어신호에 따라 세정액이 순환 유동시키고, 세정액의 설정 상태를 유지시키도록 하는 순환부와; 상기 세정액 공급부와 세척조 및 순환부로부터 인가되는 배출 제어신호에 따라 잉여분의 케미컬과 세정액을 배출하게 되는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부에 각각 공급 제어신호, 순환제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. 이에 따르면 세정액의 공급관계를 용이하게 변경할 수 있어 하나의 세척조에 대하여 두 개 이상의 세정액 환경을 짧은 시간에 용이하게 변경하게 됨으로써 그 작업성과 효율성 및 호환성이 향상되고, 순환부의 각 구성에 의해 세정액 사용수명의 연장되는 등의 경제적 이점이 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법{semiconductor wafer washing system and washing-solution supply method thereof}
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 각 공정을 수행하기 전·후에 공정 불량을 방지할 수 있도록 웨이퍼 상에 잔존하는 폴리머 등의 부산물이나 파티클 등의 불순물을 제거하도록하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 회로패턴층을 형성함으로써 이루어진다.
이러한 반도체장치 제조과정에서의 세정공정은, 웨이퍼 상에 각각의 공정 수행으로 회로패턴층을 형성함에 있어서, 식각 등 각 공정으로부터 충분히 제거되지 않은 불필요한 공정층과 공정 과정에서 생성되는 폴리머를 포함한 불순물 및 각종 형태의 파티클 등이 다음 공정에서의 공정 불량의 요인으로 작용하는 것을 방지하도록 제거하는 공정을 말한다.
이러한 세정공정에 사용되는 세정액은 적어도 하나 이상의 케미컬이 웨이퍼의 종류 및 공정상태 등의 세정 조건을 제시함에 대응하여 그 농도와 양 및 온도 상태 등의 조건을 매우 정확하게 형성 유지할 것이 요구되고, 이 요구에 따라 세정시스템에는 세정액의 농도 등의 상태를 광센서 등을 포함한 각종 센싱수단을 이용하여 약품성 또는 탈이온수의 양 및 온도 등의 조건을 제어할 수 있도록 구성된다.
이렇게 세정공정을 수행하는 세정시스템의 종래 기술 구성은, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 복수개 웨이퍼(W)가 카세트(K)에 수용된 상태로 이송 위치되어(ST10) 로딩부(10)에 순차적으로 로딩하게 된다(ST12).
이후 카세트(K)를 포함한 웨이퍼(W)는 계속해서 정렬부(12)로 이송되고, 이 정렬부(12)에서 웨이퍼(W)는 카세트(K)에 수용된 상태를 유지하며 웨이퍼(W)의 플랫존(도면의 단순화를 위하여 생략함)을 기준하여 정렬되며(ST14), 이어 웨이퍼(W)를 포함한 카세트(K)는 트랜스퍼(14)에 의해 제 1 트랜스부(16)로 이송된다(ST16).
이때 제 1 트랜스부(16)는 위치되는 웨이퍼(W)의 개수를 확인하게 되고(ST18), 동시에 카세트(K)로부터 웨이퍼(W)를 분리시켜(ST20) 그 상측에 대기하는 로봇척을 갖는 로봇수단(18)에 웨이퍼(W)를 인계하게 된다(ST22).
그리고, 카세트(K)는 다시 트랜스퍼(14)에 인계되어 대기부(20)로 이송되어 소정시간 대기한 후 후술하는 제 2 트랜스부(26)에 위치하게 되고(ST24)(ST26), 로봇수단(18)에 인계된 웨이퍼(W)는 로봇수단(18)의 구동에 따라 복수개가 인라인 배열된 세척조(22)에 순차적으로 이송되어 그 내부에 수용된 세정액에 투입되는 과정을 거치게 된다(ST28).
이렇게 웨이퍼(W)가 세정액에 투입되는 과정에서 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 각종 불순물은 세정액에 의한 화학반응으로 제거되고, 이후 웨이퍼(W)는 로봇수단의 계속적인 구동에 의해 이송되어 건조부(24)를 통과하는 과정에서 건조된다(ST30).
이러한 과정 이후 웨이퍼(W)는 로봇수단의 구동에 의해 제 2 트랜스부(26)로 이송되며, 제 2 트랜스부(26)는 다시 웨이퍼(W)를 정렬시킴과 동시에 제 1 트랜스부(16)에서 확인된 웨이퍼(W) 개수와 세정 과정을 마친 웨이퍼(W) 개수가 일치하는지 여부를 확인하게 된다(ST32).
또한, 제 2 트랜스부(26)에서는 상술한 대기부(20)로부터 먼저 이송 위치된 카세트(K)에 웨이퍼(W)를 합체시키게 되고(ST34), 이렇게 합체된 상태의 웨이퍼(W)와 카세트(K)는 계속해서 언로딩되어 다음 공정 위치로 이송되는 과정을 거치게 된다(ST36).
따라서, 상술한 세정시스템의 각 구성은, 계속적으로 위치되는 웨이퍼(W)에 대하여 세정 작업이 연속적으로 이루어지도록 인라인 배치됨이 통상적이고, 이에 더하여 각 세척조(22)에 수용되는 세정액은 웨이퍼(W)의 종류나 공정 상태 등을 포함한 각 조건에 대응하여 소정량과 그에 따른 농도 및 온도 등을 포함한 조건이 설정된 상태로 있을 것이 요구된다.
이러한 관계에 있어서, 종래 세정시스템의 세정액 공급 관계는, 도 3에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 케미컬이 혼합되어 이루어진 세정액은 세정액 공급부(28)로부터 연장 연결된 배관(S)을 통해 세척조(22)에 소정량 공급되게 되고, 이렇게 공급되는 세정액은 이후의 세정공정에서 불순물과의 화학반응으로 그 특성이 변질됨으로써 소정 주기를 정하여 배출부(29)를 통해 배출되는 일련의 과정을 거치게 된다.
여기서, 상술한 세정액은, 앞서 기술한 바와 같이, 그 특성을 이루는 케미컬의 종류 및 그에 따른 농도 등의 조건이 반도체장치로 제조되는 웨이퍼(W)의 종류와 그 공정 상태에 따른 조건 등에 대응하여 결정되는 것이다.
이에 따라 종래의 세정시스템에 있어서, 새로운 조건을 제시하는 웨이퍼(W)에 대하여 세정액 환경을 형성하고자 할 경우에는, 단지 기존의 세척조(22)와 세정액 공급부(28)를 충분히 세척한 후 특정 조건을 갖춘 세정액을 공급하도록 하는 작업의 번거로움과 많은 작업시간이 요구되며, 기존의 세정액은 그 수명에 관계없이 재활용이 불가능하게 배출되어 버려지는 비경제적인 문제가 있게 된다.
또한, 다시 기존의 세정액 조건의 세정시스템으로 형성하는데는 상술한 과정을 반복해야 하는 등 비효율성과 비합리성 및 비경제적인 문제를 갖게 된다.
한편, 사용되는 세정액의 특성을 포함한 세정 조건이 웨이퍼(W)의 종류 및 그 공정 상태에 따라 변화됨에 대응하여 새로운 세척조(22)를 별도로 더 구비하고자 할 경우에는, 기존 세정시스템의 한정된 공간 내에 세척조 설치 공간을 확보하기 어려운 관계로 기존의 세척조(22)를 포함한 각 구성을 철거하여 새로운 구성으로 재배치해야 하는 작업의 번거로움과 작업자의 노동력 및 많은 작업시간이 소요되는 등의 문제가 있게 된다.
그리고, 다른 세척조(22)를 추가 형성하기 위한 다른 한 방편은, 다른 세척조(22)가 더 구비된 세정시스템을 제작하는 방법이 있을 수 있으나 이 경우에 있어서 세정시스템 설치 규모가 기존에 비교하여 보다 확장될 경우 생산라인의 공간이 축소되거나 이미 설정된 공간 내에 그 설치가 불가능한 문제가 발생된다.
또한, 이것은 많은 시설 투자비를 포함하여 세정시스템을 개조하는 것 이상의 노동력과 작업시간이 소요되는 비경제적인 문제를 갖는다.
한편, 이렇게 사용되는 세정액은, 상술한 바와 같이, 적어도 하나 이상의 케미컬이 혼합된 것으로서, 시간이 경과됨에 따라 점차 경화되거나 증발 및 다른 불순물과의 화학반응 등에 의해 그 특성이 변하게 된다.
이에 대응하여 사용되는 세정액은 소정 주기로 교환하여 사용하게 되지만 그 교환 주기가 짧아 세정액이 낭비되는 비경제적인 문제가 있었다.
그리고, 새로운 종류의 웨이퍼(W)에 대응하는 새로운 세정액 환경을 형성하기 어렵고, 복수개의 세척조(22)가 더 구비될 경우에도 그 세정액의 요구되는 농도를 형성 및 유지가 어려운 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술의 문제 해결과 요구 사항을 충족시키기 위한 것으로서, 새로운 종류의 웨이퍼에 대응하여 기존의 세척조 구성 및 배치를 유지한 상태에서 세정액의 특성 및 조건을 짧은 시간에 용이하게 형성하여 대체할 수 있도록 함으로써 그 작업성과 효율성 및 호환성을 높이도록 하고, 그에 따른 작업시간을 단축시키도록 하며, 세정액 사용수명의 연장과 작업자의 노동력을 절감할 수 있도록 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법을 제공함에 있다.
도 1은 종래 세정시스템의 구성 및 이들 구성의 배치 관계를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 세정시스템의 각 구성에 따른 구동 관계를 나타낸 흐름도이다.
도 3은 도 1에 도시된 어느 하나의 세척조에 대한 세정액의 공급 관계를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급 관계를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급관계를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 로딩부 12: 정렬부
14: 트랜스퍼 16: 제 1 트랜스부
18: 로봇수단 20: 대기부
22, 32: 세척조 24: 건조부
26: 제 2 트랜스부28, 30: 세정액 공급부
29, 36: 배출부34: 순환부
38: 케미컬 탱크40: 필터
42: 유량계44: 정량공급부
46: 정량조48: 레벨센서
50: 커버52: 퍼지가스 공급관
54: 펌프56: 제 1 유도배출관
58: 제 2 유도배출관60: 열교환기
62: 압력게이지64: 체크밸브
66: 드레인베스70: 저장부
72: 저장조
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 세정시스템 구성은, 복수 케미컬을 각각 분리 수용하며, 상기 복수 케미컬 각각을 인가되는 공급 제어신호에 따라 소정 비율을 이루도록 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬이 세정액을 이루도록 혼합되게 수용하는 세척조와; 상기 세척조 외측으로 순환관이 연통 설치되고, 인가되는 순환 제어신호에 따라 상기 세척조에 수용되는 세정액을 상기 순환관을 통해 순환시키도록 하며, 이 과정에서 세정액을 세정액 설정 상태로 유지되도록 하는 순환부와; 상기 세정액 공급부와 세척조 및 순환부 상에 인가되는 배출 제어신호에 따라 잉여분의 케미컬 또는 세정액을 선택적으로 유도 배출토록 하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 구비된 조작부 도는 프로그램을 통해 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예의 구성은, 복수 케미컬을 인가되는 공급 제어신호에 따라 각각 소정 비율을 이루도록 하여 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬을 세정액 상태로 혼합하여 수용하는 세척조와; 상기 세척조에 수용된 세정액을 인가되는 배출 제어신호에 따라 선택적으로 배출시키도록 하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 구비된 조작부 도는 프로그램을 통해 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 포함한 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서, 상기 세정액 공급부는, 각각의 케미컬을 독립되게 수용하는 케미컬 탱크와; 상기 각 케미컬 탱크에서 각 세척조를 포함한 소정 부위로 적어도 하나 이상의 케미컬 유동통로를 이루는 배관과; 상기 각 배관 상에, 인가되는 공급 제어신호에 대응하여 케미컬의 유동량을 제어하도록 적어도 하나 이상 설치되는 밸브;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
그리고, 상기 적어도 어느 하나의 배관 상에, 케미컬에 함유된 불순물을 필터링하고, 과도한 공급압력을 제어하며, 필터링된 불순물과 잉여 공급되는 케미컬을 연장 분기된 배출관을 통해 상기 배출부로 배출토록 하는 필터;를 설치토록 함이 바람직하다.
또한, 상기 배관 상에는 케미컬의 유동량을 측정하여 그 신호를 상기 콘트롤러에 인가하는 유량계;를 더 설치토록 하거나, 상기 각 케미컬 탱크에 수용되는 각각의 케미컬 중 적어도 하나 이상의 것이 정확한 비율을 이루며 공급될 수 있도록 상기 각 배관 또는 각 배관으로부터 분기된 배관 상에 정량공급부를 설치토록 하여 구성될 수 있다.
한편, 상기 정량공급부는, 상기 각 배관 또는 각 배관으로부터 분기된 배관 상에 연통 설치되어 소정량의 케미컬을 수용하도록 형성된 정량조와; 상기 정량조에 수용되는 케미컬의 양을 측정하고, 그 신호를 콘트롤러에 인가하여 정량조로 유입되는 케미컬의 유동을 제어하도록 하는 레벨센서;를 포함하여 구성함이 바람직하다.
또한, 상기 정량조의 소정 부위에 그 내부를 밀폐시키도록 하는 커버가 설치되고, 상기 커버를 포함한 상기 정량조 소정 부위에 퍼지가스를 공급하도록 퍼지가스 공급관을 관통 설치토록 하거나, 상기 정량조에서 세척조 사이의 배관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 선택적으로 케미컬의 유동압을 제공하는 펌프를 설치토록 하여 이루어질 수 있으며, 전자의 경우 상기 정량조에서 세척조로의 케미컬 유동은 상기 퍼지가스 공급관을 통해 공급된 정량조 내부의 압력에 의해 이루어지도록 함이 효과적이다.
그리고, 상기 정량조 내부에 상기 레벨센서에 의한 설정량 이상의 케미컬을 유도 배출토록 하는 유도 배출수단을 구비함이 바람직하고, 상기 유도 배출수단으로는, 굴곡된 형상으로 일측 단부가 상기 커버를 포함한 상기 정량조 상부를 관통하여 요구되는 케미컬 수위 위치에 있도록 소정의 구동수단에 의해 수직 승·하강 가능하게 설치되고, 타측 단부는 상기 정량조 외측의 상기 배출부에 연통 연결되게 설치되는 제 1 유도배출관으로 구성될 수 있다.
또는, 상기 정량조 하부에 수직 관통하여 상측 단부가 요구되는 케미컬의 수위 위치에 있도록 소정의 구동수단에 의해 수직 승·하강 가능하게 설치되는 제 2 유도배출관으로 구성될 수도 있는 것이다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예의 구성은, 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 세정액을 수용하며, 웨이퍼가 투입 위치되는 메인부와 상기 메인부로부터 넘치는 세정액을 수용하는 보조부로 구성된 세척조와; 상기 세척조에 수용된 세정액을 그 상태에 따라 선택적으로 배출시키는 배출부; 및 이들 각 부의 구성을 제어하는 콘트롤러를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서, 상기 세척조의 메인부와 보조부 사이로 세정액을 순환시키도록 하고, 이 과정에서 세정액의 설정 상태를 유지시키도록 하는 순환부;가 설치됨을 특징으로 한다.
여기서, 상기 순환부는, 상기 보조부와 메인부의 외측에서 세정액이 순환 가능하도록 연통 연결하는 순환관과; 상기 순환관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동을 제어하도록 적어도 하나 이상 설치되는 밸브와; 상기 순환관을 통해 유동하는 세정액으로부터 함유된 불순물을 필터링 하도록 적어도 하나 이상 설치되는 필터와; 상기 순환관 상에 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동압을 선택적으로 제공하는 펌프;를 포함하여 구성함이 바람직하다.
또한, 상기 순환관 상에 유동하는 세정액을 소정의 온도 상태로 유지시키도록 설치되는 열교환기와; 상기 펌프에 연이은 순환관 상에 상기 펌프에 의한 세정액의 유동압을 측정하여 그 신호를 콘트롤러에 인가하여 상기 펌프의 구동을 제어하도록 하는 압력게이지;를 더 설치토록 함이 바람직하다.
그리고, 상기 순환관을 통한 세정액의 과도한 유동압에 따른 잉여분의 세정액을 분기된 형상으로 연결되는 배출관으로 배출토록 하고, 그 신호를 콘트롤러에 인가하는 체크밸브;를 더 설치하여 구성함이 바람직하다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예의 구성은, 각각의 케미컬을 소정 비율의 세정액으로 형성하여 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 세정액을 수용하는 세척조와; 상기 세척조에 수용된 세정액의 상태에 따라 선택적으로 배출시키는 배출부; 및 이들 각 부의 구성을 제어하는 콘트롤러를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서, 상기 세척조의 소정 부위에 연통 설치되어 수용되는 세정액을 세척조와 분리되게 저장하는 저장부가 설치됨을 특징으로 한다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예의 구성은, 복수의 케미컬을 분리 수용하여 이들 각각의 공급량을 제어하는 세정액 공급부와; 공급되는 각 케미컬을 세정액 상태로 혼합하여 수용하는 메인부와, 상기 메인부로부터 넘치는 세정액을 수용하는 보조부로 구분된 세척조와; 상기 보조부와 메인부 외측으로 연통하는 순환관을 설치하여 세정액이 순환 유동하도록 하는 과정에서 세정액의 설정 상태를 유지하도록 하는 순환부와; 상기 세정액 공급부와 세척조 및 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액을 수용하여 선택적으로 배출토록 하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부의 구동을 제어하는 콘트롤러;를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서, 상기 순환관 상의 소정 부위에 세정액이 순환토록 분기된 연결관 상에 세정액을 소정량 수용하도록 하여 그 상태를 유지토록 하는 저장부가 설치됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 저장부는, 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동을 제어하도록 하는 밸브와; 상기 연결관을 통해 유동하는 세정액 소정량을 저장하도록 밀폐된 공간을 형성하는 저장조와; 상기 연결관 또는 저장조에 연통 설치되어 상기 저장조에 수용되는 세정액을 상기 순환관을 통해 재순환 할 수 있도록 유동압을 제공하는 유동압 제공수단;을 포함하여 구성함이 바람직하다.
여기서, 상기 유동압 제공수단은, 상기 저장조의 소정 부위에 관통 설치되어 상기 콘트롤러의 신호에 따라 선택적으로 퍼지가스를 공급하도록 설치되는 퍼지가스 공급관 또는 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 구동하는 펌프로 구성함이 바람직하다.
또한, 상기 배출부는, 상기 필터에 배출관과, 정량조에 연통 설치되는 제 1, 제 2 유도배출관을 포함한 유도 배출수단과, 체크밸브에 연결된 배출관으로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 수명을 마친 세정액을 일시적으로 수용하여 다른 일측으로 연통 연결된 배출관을 통해 배출토록 하는 적어도 하나 이상의 드레인베스;를 설치하여 구성함이 바람직하다.
그리고, 상기 배출부는, 상기 필터에 배출관과, 정량조에 연통 설치되는 제1, 제 2 유도배출관을 포함한 유도 배출수단과, 체크밸브에 연결된 배출관으로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 수명을 마친 세정액을 일시적으로 수용하여 다른 일측으로 연통 연결되는 배출관을 통해 배출토록 하는 적어도 하나 이상의 드레인베스를 설치하고, 상기 각 케미컬 탱크 중 적어도 하나는 상기 다른 케미컬 탱크로부터 공급되는 케미컬을 희석토록 하거나 경화되는 현상을 포함한 변질을 방지하기 위하여 상기 각 정량조, 메인부, 보조부 및 각 드레인베스에 순수를 선택적으로 공급하도록 복수개 분기된 배관을 갖는 구성으로 형성함이 효과적이다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법은, 복수의 케미컬을 분리 수용하고, 이들 각각의 유동량을 제어하는 세정액 공급부와; 공급되는 각 케미컬을 혼합된 세정액을 이루도록 하는 메인부와, 상기 메인부로부터 넘치는 세정액을 수용하는 보조부로 구분된 세척조와; 상기 보조부와 메인부 외측으로 세정액이 순환 유동하도록 하는 과정에서 세정액의 설정 상태를 유지하도록 하는 순환부와; 상기 세정액 공급부와 세척조 및 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액을 수용하여 선택적으로 배출하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부의 구동을 제어하는 콘트롤러;를 구비하여, 상기 세정액 공급부를 통해 요구되는 각 케미컬이 세척조의 메인부를 넘치는 소정 양과 비율을 이루도록 공급하는 단계와; 상기 메인부로부터 넘쳐 보조부에 수용되는 세정액을 소정시간 순환시켜 상기 메인부에 웨이퍼를 투입할 수 있도록 혼합시키는 단계; 및 상기 세정액 공급부와 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 일시적으로 수용하여 배출시키는 단계;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
또한, 상기 세척조에 세정액을 공급하는 단계는, 각각의 케미컬이 수용되는 각 케미컬 탱크로부터 연통 연결된 배관 상에 유량계와 밸브 및 필터를 설치하고, 상기 콘트롤러는 상기 유량계로부터 인가되는 신호에 대응하여 상기 밸브를 통한 케미컬의 유동량을 제어하여 필터에 의해 필터링된 각 케미컬이 상호 소정 비율을 이루도록 공급함이 바람직하다.
그리고, 상기 세척조에 세정액을 공급하는 단계는, 각각의 케미컬이 수용되는 각 케미컬 탱크로부터 연통 연결된 배관 상에 각 케미컬 소정량을 수용하도록 레벨센서가 구비된 각각의 정량조와 밸브 및 필터를 설치하고, 상기 각 정량조에 각각의 케미컬이 상호 소정 비율을 이루며 수용됨에 따른 레벨센서의 신호를 통해 상기 콘트롤러로 하여금 밸브를 개방토록 하여 필터에 의해 필터링된 각 케미컬을 공급토록 함이 바람직하다.
한편, 상기 정량조에서 상기 배관을 통한 케미컬의 유동압은 상기 정량조 내부를 밀폐된 공간으로 형성하고, 상기 정량조의 일측에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급관을 연통하도록 설치하여, 상기 퍼지가스 공급관을 통해 상기 저장조 내부를 소정의 압력 상태로 형성함과 동시에 상기 밸브를 개방하여 공급토록 하여 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 정량조에 수용되는 케미컬 양은, 굴곡된 형상으로 소정 구동수단에 의해 수직 승·하강 가능하게 설치되며, 일측 단부가 상기 정량조 상부로부터 기밀 유지토록 관통하고, 타측 부위가 상기 배출부에 연통 연결되게 제 1 유도배출관을 설치하여, 상기 정량조에서 세척조로 이어지는 배관 상의 밸브를 차단한 상태에서, 상기 정량조 내측으로 관통하는 제 1 유도배출관의 단부를 요구되는 케미컬 양에 대응하는 수위 위치에 있도록 위치시키고, 잉여의 케미컬이 제 1 유도배출관을 통해 배출되도록 상기 퍼지가스 공급관을 통해 퍼지가스를 소정 압력으로 공급토록 하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 정량조에 수용되는 케미컬 양은, 상측 단부가 상기 정량조의 하부로부터 관통하여 소정 구동수단에 의해 수직 승·하강 위치되고, 하측 단부는 상기 배출부와 연통 연결되는 제 2 유도배출관을 설치하고, 상기 정량조에서 세척조로 이어지는 배관 상의 밸브를 차단한 상태에서, 상기 정량조 내측으로 관통하는 제 2 유도배출관의 단부를 요구되는 케미컬 양에 대응하는 수위 위치에 있도록 위치시키고, 잉여의 케미컬이 제 2 유도배출관을 통해 배출되도록 하여 이루어질 수 있다.
한편, 상기 메인부와 보조부 사이의 세정액을 순환시키는 단계는, 상기 보조부에서 메인부로 세정액이 순환할 수 있는 순환관을 연통 연결하고, 상기 순환관 상에 복수개의 밸브, 복수개의 필터, 펌프 및 열교환기를 설치하여, 상기 각 밸브를 개방한 상태에서 상기 펌프를 구동시켜 세정액의 계속적인 순환이 이루어지도록 함과 동시에 유동하는 케미컬에 함유된 불순물 제거와 온도 상태가 유지되도록 함이 바람직하다.
또한, 상기 순환관 상에 상기 펌프에 의한 세정액의 유동압을 측정하도록 하는 압력게이지와 세정액의 과도한 유동압에 대응하여 순환관으로부터 분기되어 배출부로 이어지는 배출관을 개방토록 하는 체크밸브를 더 설치하여, 상기 압력게이지에 의한 필터의 교체 주기를 확인토록 함과 동시에 펌프의 구동을 제어하도록 하고, 필터가 정상적으로 기능할 수 있는 압력 상태를 형성토록 함이 효과적이다.
그리고, 상기 순환관 상에 분기된 형상으로 세정액이 순환 가능하도록 하는 연결관을 연통 설치하고, 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러에 의해 제어되는 밸브와, 소정량의 세정액을 밀폐된 환경 내에서 수용하도록 형성된 저장조와, 상기 연결관 또는 저장조에 연통하여 상기 저장조와 순환관 사이의 연결관을 통해 세정액의 유동압을 제공하도록 하는 유동압 제공수단을 포함한 저장부를 적어도 하나 이상 연통 설치하고, 상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 세정액을 연결관을 통해 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와; 상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 새로운 케미컬의 비율로 다른 세정액을 이루도록 각각의 케미컬을 공급하는 단계;를 더 구비함이 효과적이다.
또한, 상기 세정액을 저장조에 저장하는 단계 이후에 상기 세척조와 순환관 및 상기 순환관 상의 각 구성에 대하여 다른 세정액의 소정 시간 계속적인 공급 및 순환시켜 다른 세정액 환경을 세척하여 배출시키는 단계;를 더 구비함이 바람직하다.
한편, 상기 다른 세정액 환경에서 상기 저장조에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서, 상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관을 통해 다른 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와; 상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 기존의 세정액 환경으로 케미컬 비율을 형성 공급하여 상기 세척조와 순환관 및 순환관 상에 설치되는 각 구성을 세정하여 배출시키는 단계와; 상기 제 1 저장조에 수용된 세정액을 상기 순환관으로 공급하여 순환토록 하는 단계;를 더 구비함이 바람직하다.
또한, 상기 다른 세정액 환경에서 상기 저장조에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서, 상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관을 통해 다른 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와; 상기 제 1 저장조에 수용된 기존 세정액을 상기 순환관으로 공급하여 상기 세척조와 순환관 및 순환관 상에 설치되는 각 구성을 세정하여 배출시키는 단계; 및 상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 기존의 세정액 환경을 이루도록 케미컬 비율을 형성 공급하여 순환토록 하는 단계;를 더 구비하여 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조를 포함한 순환부 상에 세정액을 구성하는 각 케미컬을 소정 비율로 보충 공급하는 단계;를 더 구비하여 이루어질 수 있다.
한편, 상기 배출부는 상기 세정액 공급부와 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 일시적으로 수용함에 있어서, 상기 세정액 공급부로부터 각각의 케미컬 중 다른 각 케미컬을 희석시키도록 순수를 포함한 케미컬을 추가 공급하도록 하는 단계;를 더 구비함이 효과적이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4와 도 5는 본 발명의 각 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 구성 및 세정액 공급 관계를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 개념도로서, 종래와 동일한 부분에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템은, 도 4 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 케미컬을 각각 분리 수용하고, 이들 각각에 대응하여 연통 연결된 배관(S) 상에서 케미컬의 유동량을 제어하는 세정액 공급부(30)가 있고, 이 세정액 공급부(30)로부터 각 케미컬이 공급되어 세정액 상태로 혼합 수용하게 되는 세척조(32)가 구비된다.
상술한 세척조(32)는, 도 4 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 세정액 공급부(30)로부터 공급되는 각 케미컬이 요구되는 세정액 상태로 혼합되어 소정량 수용되고, 이러한 세정액에 웨이퍼(W)가 투입 위치될 수 있도록 형성된 메인부(A)와, 이 메인부(A)로부터 넘치는 세정액을 수용하도록 형성된 보조부(B)로 분리 구분된다.
또한, 상술한 세척조(32)와 연통하는 소정 위치에는 세척조(32)를 구성하는 메인부(A)와 보조부(B)에 수용되는 세정액을 순환시키도록 함과 동시에 세정액의 소정 상태를 유지시키도록 하는 순환부(34)가 설치되고, 상술한 세정액 공급부(30)와 세척조(32) 및 순환부(34) 상에 잉여분의 소정 케미컬 또는 세정액 및 교체가 요구되는 세정액을 선택적으로 유도 배출토록 하는 배출부(36)가 구비된다.
그리고, 상술한 세정액 공급부(30)와 세척조(32)와 순환부(34) 및 배출부(36)를 이루는 각 구성의 구동은 작업자가 용이하게 조작할 수 있도록 조작부를 포함한 콘트롤러(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 의해 제어되는 구성으로이루어진다.
이러한 반도체장치 세정시스템의 구성에 있어서, 각 부 구성을 보다 상세히 설명하면, 다음과 같다.
먼저, 상술한 세척조(32)에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급부(30)의 구성을 살펴보면, 도 4 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 세정액을 조성하는 적어도 두 개 이상의 케미컬 각각을 복수개 케미컬 탱크(38) 각각에 상호 분리 수용하게 되고, 이들 각 케미컬 탱크(38)에는 일측으로부터 적어도 하나 이상의 밸브(V)가 구비된 배관(S)이 대응하는 세척조(32)에 이르도록 연결 설치된다.
이러한 배관(S)들 중에는 이를 통해 유동하는 케미컬이 불순물을 함유하고 있거나 쉽게 경화되는 등의 변질된 성질의 것을 필터링 하여 순수한 케미컬만이 유동할 수 있도록 하는 필터(40)가 연통하여 설치되고, 이 필터(40)의 소정 부위에는 필터링된 불순물 또는 변질된 케미컬 찌꺼기 등을 배출토록 하거나 과도한 양의 케미컬 통과에 대한 잉여분의 케미컬을 상술한 배출부(36)로 유도 배출시키기 위한 배출관(D)이 연통하여 설치된다.
또한, 상술한 각각의 배관(S) 상에는, 배관(S)을 통한 케미컬의 유동량을 측정하여 그 측정된 신호를 상술한 콘트롤러에 인가하도록 하는 유량계(42)가 설치되고, 이 유량계(42)의 신호를 받은 콘트롤러는 배관(S) 상에 적어도 하나 이상 설치되는 각 밸브(V)의 구동을 제어하여 케미컬의 유동량을 제어하도록 구성된다.
이러한 케미컬의 유동량 제어는, 유량계(42)와 콘트롤러에 의해 제어되는 밸브(V)에 의해 어느 정도 범위로 제어가 가능하지만 소정 케미컬에 대하여 특성이강하고, 상호 정확한 혼합 비율이 요구될 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 상술한 각 배관(S) 또는 이들 각 배관(S)으로부터 분기된 배관(S') 상에 별도의 정량공급부(44)를 설치하여 구성함이 바람직하다.
상술한 정량공급부(44)의 구성은, 도 5에 도시된 바와 같이, 각각의 케미컬 탱크(38)로부터 연통 연장된 각 배관(S) 또는 이들 각 배관(S)으로부터 분기된 배관(S') 상에 소정량의 케미컬을 수용할 수 있도록 형성된 정량조(46)가 연통하도록 설치된다.
그리고, 이 정량조(46)의 내부에는, 수용되는 케미컬의 양을 수위 개념으로 측정하는 레벨센서(48)가 설치되고, 이 레벨센서(48)는 측정된 신호를 상술한 콘트롤러에 인가하여 콘트롤러로 하여금 밸브(V)의 구동을 제어토록 함으로써 정량조(46)유입되는 케미컬의 유동을 제어하도록 구성된다.
또한, 상술한 케미컬 중에는 공기 중에 노출됨에 따라 그 변질되는 것이 있으며, 이에 대응하여 정량조(46)의 개방된 상측 부위에는 그 내부를 선택적으로 밀폐된 공간을 형성토록 개폐 가능한 커버(50)가 구비되고, 이 커버(50)를 포함한 정량조(46)의 소정 부위에는 케미컬이 공기와 반응하는 것을 방지하기 위하여 반응성이 약한 질소 등의 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급관(52)이 관통하여 설치된다.
그리고, 상술한 정량조(46)에서 세척조(32)로 케미컬을 유동시키기 위한 구성은, 그 사이에 설치되는 배관(S, S') 상에 상술한 콘트롤러의 신호에 따라 선택적으로 케미컬의 유동압을 제공토록 하는 펌프(54)를 설치한 구성으로 형성될 수있다.
또는, 상술한 배관(S, S')의 단부를 정량조(46)의 하부 소정 위치에 연통하도록 하고, 밀폐된 분위기에서 상술한 퍼지가스 공급관(52)을 통해 퍼지가스를 공급하여 그에 따른 정량조(46) 내부의 압력에 의해 케미컬이 배관(S, S')을 통해 유동하도록 구성될 수도 있는 것이다.
이에 더하여 상술한 정량조(46)에 수용되는 케미컬은 그 유동 관계에 의해 초과 수용되는 경우가 발생되며, 이에 대응하여 정확한 양의 케미컬을 확보할 수 있도록 하기 위하여 정량조(46)에는 잉여분의 케미컬을 보다 효과적으로 배출시키도록 하는 유도 배출수단이 더 구비된다.
상술한 유도 배출수단의 구성은, 소정 길이를 갖는 관 형상으로 일측 단부가 상술한 커버(50)를 포함한 정량조(46)의 상부로부터 관통하고, 타측 단부는 정량조(46) 상부 소정 부위에서 외측방향 하측으로 굴곡되어 상술한 배출부(36)로 이어지며, 이러한 상태를 유지하며 소정의 구동수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)을 통해 승·하강 가능하게 설치되는 제 1 유도배출관(56)으로 구성될 수 있다.
이러한 제 1 유도배출관(56)에 의하면, 케미컬 탱크(38)로부터의 케미컬 유입과 세척조(32)로의 케미컬 공급을 차단한 밀폐된 분위기에서 정량조(46) 내부에 위치하는 제 1 유도배출관(56)의 일측 단부를 정량조(46) 내에 요구되는 케미컬 양의 수위 위치에 있도록 한다.
이후, 이러한 상태에서 상술한 퍼지가스 공급관(52)을 통해 퍼지가스를 소정 압력으로 공급함으로써 정도 이상으로 공급된 잉여분의 케미컬은 제 1유도배출관(56)의 일측 단부를 통해 상대측 단부가 연결된 배출부(36)로 밀리도록 하여 유도 배출된다.
또한, 상술한 유도 배출수단의 다른 구성은, 소정 길이를 갖는 관 형상으로 상측 단부가 정량조(46)의 하부를 기밀 유지토록 수직 관통하여 소정 구동수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 의해 승·하강 가능하게 설치되고, 정량조(46) 외부 하측으로 연장된 상대측 단부는 상술한 배출부(36)와 통상의 방법으로 연결되는 제 2 유도배출관(58)으로 구성될 수도 있는 것이다.
이러한 제 2 유도배출관(58)에 의하면, 케미컬 탱크(38)로부터의 케미컬 유입과 세척조(32)로의 케미컬 공급을 차단한 밀폐된 분위기에서 제 2 유도배출관(58)의 상측 단부가 정량조(46) 내의 요구되는 케미컬 수용량에 대응하는 수위 위치에 있도록 한 상태에서 상술한 퍼지가스 공급관(52)을 통해 퍼지가스를 정량조(46) 내부에 소정 압력으로 공급함으로써 정도 이상으로 공급된 잉여분의 케미컬은 제 2 유도배출관(58)의 상측 단부를 통해 상대측에 연결된 배출부(36)로 유도 배출되게 된다.
그리고, 상술한 유도 배출수단의 구성에 있어서, 상술한 제 1, 제 2 유도배출관(56, 58)은 각각 단독으로 사용될 수 있고, 또 이들 각 구성을 함께 사용할 수도 있는 것이며, 이들 제 1, 제 2 유도배출관(56, 58) 상에는 케미컬을 강제적으로 유도 배출하도록 하는 펌프 등 별도의 유동압 제공수단이 구비된 구성으로 형성될 수도 있다.
한편, 상술한 각 케미컬 탱크(38) 중 적어도 어느 하나에 수용되는 케미컬은다른 케미컬을 소정 농도로 희석시키기 위하여 또는 경화되는 것을 방지하기 위하여 순수 또는 소정의 희석액이 사용된다.
이러한 희석액이 수용되는 케미컬 탱크(38)로부터 연통 연장되는 배관(S) 또는 이 배관(S)으로부터 분기된 배관(S')은, 상술한 세척조(32)의 메인부(A)와 보조부(B), 그리고 적어도 하나 이상의 정량조(46) 및 세정액 공급부(30)에서 잉여분의 케미컬이 배출되는 각 부위에 대응하여 콘트롤러의 제어에 따라 희석액을 소정량 제공하도록 설치된다.
이상의 설명에서와 같이, 상술한 구성의 세정액 공급부(30)에 의하면, 요구되는 각 케미컬의 조성비를 선택적으로 형성하여 세척조(32)에 공급할 수 있는 구성을 이루게 된다.
한편, 상술한 반도체 웨이퍼 세정시스템의 구성 중 순환부(34)의 구성은, 도 4 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 세척조(32)의 메인부(A)와 보조부(B) 외측에서 각 케미컬이 상호 소정 비율로 혼합되어 이루어진 세정액을 순환할 수 있도록 순환관(R)이 연통하도록 연결된다.
또한, 순환관(R) 상에는, 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동을 제어하도록 적어도 하나 이상의 밸브(V)와, 유동하는 세정액에 함유된 불순물 등을 필터링 하는 적어도 하나 이상의 필터(40)와, 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동압을 선택적으로 제공하는 펌프(54) 등의 구성이 연통하여 설치된다.
이러한 구성에 더하여 상술한 순환관(R) 상에는, 유동하는 세정액의 온도 상태를 항시 일정하게 형성 유지할 수 있도록 하는 열교환기(60)가 설치되며, 상술한펌프(54)에 연이은 순환관(R) 상에는 펌프(54)에 의한 세정액의 유동압을 측정하여 그 신호를 콘트롤러에 인가하는 압력게이지(62)가 추가적으로 설치된다.
그리고, 상술한 순환관(R) 상에는, 과도한 세정액의 유동압에 대응하여 잉여분의 유동압에 대한 세정액을 분기된 배출관(D)을 통해 배출토록 하는 체크밸브(64)가 더 설치된 구성으로 이루어진다.
이러한 구성의 순환부(34)에 따르면, 세정액 공급부(30)로부터 공급되는 각각의 케미컬은, 세척조(32)의 메인부(A)에 먼저 수용되는 과정에서 상호 혼합되어 요구되는 세정액 상태를 이루게 되고, 이러한 세정액은 메인부(A)의 용적량 이상으로 공급되어 메인부(A)에서 넘쳐 그 외측을 둘러싸는 형상의 보조부(B)에 수용된다.
이후 콘트롤러는 순환관(R) 상의 각 밸브(V)를 개방토록 구동시키고, 동시에 펌프(54)를 구동시켜 보조부(B)에 수용된 세정액을 다시 메인부(A)로 순환시키게 된다.
이때 순환하는 세정액은 순환관(R) 상에 설치되는 필터(40)를 통과하는 과정에서 세정액에 함유된 불순물 또는 경화된 상태의 케미컬 등이 필터링 되고, 펌프(54)에 의한 유동압이 정도 이상으로 높을 경우에 압력게이지(62)는 그 신호를 콘트롤러에 인가함으로써 펌프(54)의 구동을 제어하게 된다.
또한, 콘트롤러에 의한 펌프(54)의 구동을 제어하기까지 발생된 세정액의 유동압은 체크밸브(64)를 통과하는 과정에서 그 잉여분의 유동압에 대한 세정액을 분기된 배출관(D)을 통해 배출부(36)로 유도 배출시키게 된다.
이러한 과정을 소정시간 계속적으로 수행하게 됨에 따라 세정액을 조성하는 각각의 케미컬은 충분히 혼합되게 되고, 이러한 상태에서 웨이퍼(W)가 투입될 수 있는 상태를 이루게 된다.
한편, 반도체 웨이퍼 세정시스템의 배출부(36) 구성은, 도 4 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 각 케미컬 탱크(38)로부터 케미컬이 유동하는 배관(S) 상에 설치되는 필터(40)의 구성에서 필터(40)에서 분기된 형상으로 연통 설치되는 배출관(D)과, 정량조(46)에서 잉여분의 케미컬을 배출토록 하는 제 1, 제 2 유도배출관(56, 58)을 포함한 유도 배출수단과, 상술한 체크밸브(64)로부터 잉여분의 세정액을 배출토록 하는 배출관(D)으로부터 배출되는 잉여분의 케미컬 또는 세정액을 일시적으로 수용하여 다른 일측으로 연통 연결된 배출관(D')을 통해 배출시키도록 하는 적어도 하나 이상의 드레인베스(66)를 포함하여 구성된다.
또한, 상술한 순환관(R)의 소정 부위에 수명이 다된 세정액을 배출토록 순환관(R)으로부터 적어도 하나 이상 분기된 형상을 이루는 각각의 배출관(D)이 더 구비되고, 이들 배출관(D) 상에는 콘트롤러의 신호에 따라 제어되는 밸브(V)가 구비되어 선택적으로 배출시키게 된다.
이러한 배출부(36) 구성에 더하여, 각각의 드레인베스(66)로 배출되는 잉여분의 케미컬은 공기 중에 노출됨에 의해 경화되는 것이 있게 되며, 이에 대하여 상술한 콘트롤러는 케미컬 탱크(38) 중 순수 또는 이 순수를 포함한 희석액이 수용된 케미컬 탱크(38)로부터 연장 분기된 배관(S)의 밸브(V)를 개방하여 배출관(D)의 막힘 등의 현상을 방지하도록 하고, 배출되는 케미컬에 의한 다른 설비의 오염을 방지하도록 하게 된다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 다른 실시예의 구성은, 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이, 종래 기술 구성에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 순환부(34)의 구성을 더 구비한 상태(도면의 단순화를 위하여 생략함)와 본 발명의 일 실시예에 따른 구성에 더하여 순환관(R) 상에 세척조(32) 및 순환관(R)을 유동하는 소정 조성비를 갖는 세정액을 선택적으로 수용하도록 형성된 저장부(70)가 설치된 구성을 이룬다.
이러한 저장부(70)의 구성은, 상술한 순환관(R)으로부터 분기된 형상으로 세정액의 유동을 다시 순환관(R)으로 회귀하도록 연통 연결되는 연결관(C)이 설치되고, 이 연결관(C) 상에 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동을 선택적으로 제어하게 되는 밸브(V)가 연통 설치된다.
또한, 상술한 연결관(C) 상에는, 유동하는 세정액을 소정량 저장 수용할 수 있도록 밀폐된 공간을 형성하는 저장조(72)가 연통 설치되며, 상술한 연결관 또는 저장조 상에는 세정액의 유동압을 제공하는 유동압 제공수단이 설치된다.
이러한 유동압 제공수단은, 저장조(72)의 소정 부위에 관통 설치되어 콘트롤러의 신호에 따라 선택적으로 퍼지가스를 공급하도록 하는 퍼지가스 공급관(52)으로 구성될 수 있고, 또는 연결관(C) 상에 콘트롤러의 신호에 따라 구동하는 펌프(54)를 설치한 구성으로 형성될 수도 있으며, 이들 퍼지가스 공급관(52)과 펌프(54)의 구성을 함께 설치하는 구성으로 형성될 수도 있다.
이러한 저장부(70)의 구성에 의하면, 세정액 공급부(30)에서 공급된 소정 조성비를 갖는 세정액으로 이에 대응하는 조건을 제시하는 웨이퍼(W)를 세정하는 과정에서 다른 종류 또는 다른 공정상태의 웨이퍼(W)에 대한 새로운 세정액 환경이 요구됨에 대응하여 세척조(32)와 순환관(R)을 순환 유동하는 세정액을 상술한 어느 하나의 연결관(C)을 통해 저장조(72)에 수용토록 할 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예의 반도체 웨이퍼 세정시스템에 의하면, 복수개의 케미컬이 각각의 케미컬 탱크(38)에 분리 수용되어 콘트롤러의 신호에 따라 유량계(42) 또는 정량조(46)를 포함한 각 구성으로부터 소정 비율을 이루며 세척조(32)의 메인부(A)에 공급되어 혼합되고, 이 메인부(A)의 용적량 이상으로 공급되어 혼합된 상태를 이루는 소정량의 세정액은 메인부(A)에서 보조부(B)로 넘쳐 유동하게 된다.
이후, 콘트롤러는 순환관(R) 상에 연통 설치되는 각 구성을 구동시켜 보조부(B)에 수용되는 세정액을 다시 메인부(A)로 유도 공급토록 함으로써 선택적이며 계속적인 세정액의 순환 유동이 이루어지고, 이 과정에서 세정액을 조성하는 각각의 케미컬은 충분히 혼합된 상태를 이루게 되며, 세정이 요구되는 소정 조건을 제시하는 웨이퍼(W)를 메인부(A)에 투입하여 세정할 수 있는 상태를 이루게 된다.
또한, 상술한 배출부(36)는 세정액 공급부(30)와 순환부(34)로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 드레인베스(66)를 통해 일시적으로 수용하게 되고, 이렇게 배출된 잉여분의 케미컬 또는 세정액에 대하여 소정량의 순수 또는 각각의 케미컬의 농도 및 특성을 순화시키도록 하는 희석액을 공급하여 배출관(D)을 통해 배출하게 된다.
이에 따라 세정액 공급부(30)에 의해 세척조(32)로 공급되는 세정액 즉, 각각의 케미컬은 배관(S) 상에 설치된 필터(40)를 통과하는 과정에서 각종 형태의 불순물이 제거된 순수한 상태의 케미컬이 소정 비율을 이루며 세척조(32)에 공급되는 과정을 거치게 된다.
여기서, 상술한 정량조(46)를 통과하게 되는 케미컬은, 레벨센서(48)의 신호에 대응하여 콘트롤러가 제 1, 제 2 유도배출관(56, 58)의 위치를 조절토록 한 상태에서 퍼지가스 공급관(52)을 통한 퍼지가스의 압력으로 잉여분의 케미컬을 배출시켜 정확한 비율을 이루게 된다.
이러한 비율 상태의 케미컬을 세척조(32)로 유동시키는 방법은, 세척조(32)로 이어지는 배관(S)을 개방한 상태에서 이 부위를 제외한 정량조(46) 내부의 밀폐된 공간상에서 퍼지가스 공급관(52)을 통해 퍼지가스를 공급함으로써 그에 따른 압력 조건으로 수용된 케미컬을 세척조(32)로 유동시키게 된다.
이렇게 공급되는 각각의 케미컬은, 세척조(32)의 메인부(A) 용적량 보다 초과하여 공급되어 메인부(A) 내에 수용되는 과정에서 혼합되어 세정액 상태를 이루고, 넘치는 세정액은 보조부(B)에 일시적으로 수용되어 연통하는 순환관(R)을 포함한 순환부(34)의 구동에 의해 다시 메인부(A)로 유동하는 순환 과정을 소정시간 계속적으로 수행하게 된다.
이때 순환부(34)의 순환관(R) 상에 설치되는 밸브(V), 필터(40), 펌프(54), 압력게이지(62), 열교환기(60) 및 체크밸브(64) 등의 구성을 통해 세정액을 충분히 정화시킴과 동시에 온도 상태를 유지시키게 되고, 또 콘트롤러를 통해 세정액의 순환 유동압을 제어하게 됨에 따라 안정적으로 순환이 이루어지게 된다.
또한, 상술한 체크밸브(64)와 더불어 압력게이지(62)는, 정상적인 펌프(54)의 구동에 대응하여 연이어 설치되는 필터(40) 사이의 순환관(R) 상의 압력을 측정하게 됨에 따라 필터(40)의 교체 주기를 확인할 수 있게 된다.
한편, 상술한 순환부(34)에 더하여 저장부를 구성한 반도체 웨이퍼 세정시스템에 의하면, 순환관(R)으로부터 분기된 형상으로 연통 설치되는 연결관(C)을 통해 선택적으로 세정액의 유동을 유도하게 됨에 따라 세척조(32)와 순환관(R) 상을 유동하는 소정 조성비를 갖는 세정액을 저장조(72)에 저장하게 되고, 이후 다른 웨이퍼(W)가 제시하는 세정 조건에 대응하여 세정액 공급부(30)는 새로운 조건의 세정액을 소정의 케미컬 탱크(38)를 선택하여 세척조(32)에 공급함으로써 새로운 조건의 세정시스템 환경을 형성할 수 있게 된다.
또한, 세정액을 저장조(72)에 저장하는 과정 이후에 세척조(32)와 순환관(R) 및 순환관(R) 상의 각 구성에 대하여 다른 세정액의 소정 시간 계속적인 공급과 순환을 소정 시간 계속적으로 수행하여 다른 세정액 환경으로 형성함과 동시에 기존의 세정액 등으로부터 오염된 새로운 세정액은 배출시키도록 하는 과정이 더 추가된다.
한편, 다른 세정액 환경에서 저장조(72)에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서는, 메인부(A)와 보조부(B) 및 순환관(R) 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관(C)을 통해 다른 저장조(72)로 유도하여 저장토록 하고, 세정액 공급부(30)를 통해 세척조(32)에 기존의 세정액 환경 조건의 케미컬 비율을 형성 공급하여 세척조(32)와 순환관(R) 및 순환관(R) 상에 설치되는 각 구성을 세정하며 배출시켜 기존 세정액 환경으로 형성한 후 상술한 저장조(72)에 수용된 세정액을 다시 순환관(R)을 통해 순환하도록 함으로써 이루어질 수 있게 된다.
이것은, 다른 세정액 환경에서 저장조(72)에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서, 메인부(A)와 보조부(B) 및 순환관(R) 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관(C)을 통해 다른 저장조(72)로 유도하여 저장토록 하고, 저장조(72)에 수용된 기존 세정액을 순환관(R)을 포함한 세척조(32)를 순환토록 하여 그 환경을 세정하며, 이 과정에서 세정 목적으로 순환하는 세정액을 배출관(D)을 통해 배출시킨 후 상술한 세정액 공급부(30)를 통해 세척조(32)에 기존의 세정액 환경을 이루도록 케미컬 비율을 형성하여 공급하고 순환토록 함으로써 이루어질 수 있게 된다.
그리고, 세정액 공급부(30)를 통해 세척조(32)를 포함한 순환부(34) 상에 세정액을 구성하는 각 케미컬을 소정 비율로 보충하여 공급토록 함이 바람직하고, 이에 더하여 상술한 변경전 세정액 환경을 형성하는 과정에서 세척조(32)와 순환부(34)의 각 구성의 세정을 별도의 케미컬 탱크(38)에 순수 또는 별도의 세정수단을 더 구비하여 세척하는 것으로 대체할 수도 있는 것이다.
한편, 상술한 배출부(36)는, 세정액 공급부(30)와 순환부(34)로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 일시적으로 수용함에 있어서, 세정액 공급부(30)의 케미컬 탱크(38) 중 순수 또는 별도의 희석액이 수용된 케미컬 탱크(38)로부터 순수 또는 희석액을 추가적으로 공급토록 함이 바람직하다 할것이다.
따라서, 본 발명에 의하면, 세정액의 공급관계를 용이하게 변경할 수 있도록 함으로써 더 이상의 세척조를 구비하지 않은 상태에서도 하나의 세척조를 통해 새로운 종류의 웨이퍼에 대응하는 새로운 세정액 환경과 기존의 세정액 환경을 짧은 시간에 용이하게 변경하게 됨으로써 그 작업성과 효율성 및 호환성이 향상되고, 세정액 사용수명이 연장되며, 동시에 작업자의 노동력이 절감되는 등의 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (35)

  1. 복수 케미컬을 각각 분리 수용하고, 이들 각각을 인가되는 공급 제어신호에 따른 제어된 양으로 공급하게 되는 세정액 공급부와;
    상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬을 혼합되게 수용하는 세척조와;
    상기 세정액 공급부와 세척조에 연통 연결되어 인가되는 배출 제어신호에 따라 각 상태의 케미컬을 배출하게 되는 배출부; 및
    상기 세정액 공급부와 배출부 각각에 공급 제어신호와 배출 제어신호를 선택적으로 인가하는 콘트롤러;
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액 공급부는, 복수 케미컬에 대응하여 각각 독립되게 수용하는 복수개의 케미컬 탱크와;
    상기 각 케미컬 탱크로부터 적어도 하나 이상의 케미컬 유동통로를 이루는 배관; 및
    상기 각 배관 상에, 인가되는 공급제어신호에 대응하여 케미컬의 유동을 제어하도록 적어도 하나 이상 설치되는 밸브;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 배관 상에는, 케미컬에 함유되어 유동하는 불순물을 필터링하여 잉여 유동압에 의한 소정량의 케미컬과 함께 일측으로 분기된 형상으로 연통 연결되는 배출관을 통해 상기 배출부로 유도 배출되도록 하는 필터;가 연통하게 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 각 배관 상에는, 케미컬의 유동량을 측정하여 그 신호를 상기 콘트롤러에 인가하는 유량계;
    가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 배관 상에는, 상기 각 케미컬 탱크로부터의 케미컬 양이 소정 공급되도록 하는 정량공급부;
    가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정량공급부는, 상기 각 배관 상에 연통하게 설치되어 소정량의 케미컬을 수용하도록 형성된 정량조와;
    상기 정량조에 수용되는 케미컬 양을 측정하고, 그 신호를 상기 콘트롤러에 인가하여 상기 정량조로 유입되는 케미컬 유동량을 제어할 수 있도록 하는 레벨센서;
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 정량조의 소정 부위에는, 그 내부를 밀폐시키도록 설치되는 커버와;
    상기 커버를 포함한 상기 정량조 소정 부위에 관통 설치되어 상기 콘트롤러로부터 인가되는 신호에 따라 그 내부가 소정 압력 상태를 이루도록 퍼지가스를 공급하게 되는 퍼지가스 공급관;
    이 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 정량조에서 세척조 사이의 배관 상에는, 상기 콘트롤러로부터 인가되는신호에 따라 선택적으로 케미컬의 유동압을 제공하는 펌프;
    가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 정량조에서 세척조로의 케미컬 유동은, 상기 퍼지가스 공급관을 통해 공급된 정량조 내부의 압력에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 정량조에는, 상기 레벨센서에 의한 설정량 이상의 케미컬을 유도 배출토록 하는 유도 배출수단;
    이 더 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 유도 배출수단은, 굴곡된 형상으로 일측 단부가 상기 커버를 포함한 상기 정량조 상부를 관통하여 수용되는 케미컬 수위에 대향하하여 수직 승·하강 가능하게 위치되고, 타측 단부는 상기 정량조 외측으로 연장되어 상기 배출부에 연통연결되게 설치되는 제 1 유도배출관과;
    상기 콘트롤러로부터 인가되는 신호에 따라 상기 제 1 유도배출관을 수직 승·하강 위치시키는 구동수단;
    을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 유도 배출수단은, 관 형상으로 일측 단부가 상기 정량조 하부에 기밀 유지토록 수직 승·하강 가능하게 관통하여 설치되고, 타측 단부는 상기 정량조 외측으로 연장되어 상기 배출부에 연통 연결되게 설치되는 제 2 유도배출관과;
    상기 콘트롤러로부터 인가되는 신호에 따라 상기 제 2 유도배출관을 수직 승·하강 위치시키는 구동수단;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  13. 복수 케미컬을 인가되는 공급 제어신호에 따라 각각 소정 비율을 이루도록 하여 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬을 세정액 상태로 혼합하여 수용하며, 웨이퍼 투입 위치되는 메인부와; 상기 메인부로부터 넘치는 세정액을 수용하는 보조부로 구분되는 세척조와; 상기 세척조에 수용된 세정액을 인가되는 배출 제어신호에 따라 선택적으로 배출시키도록 하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 구비된 조작부 도는 프로그램을 통해 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 포함한 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서,
    상기 세척조의 메인부와 보조부 사이로 세정액을 순환시키도록 하고, 이 과정에서 세정액의 설정 상태를 유지시키도록 하는 순환부;가 설치됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 순환부는, 상기 세척조의 메인부와 보조부 외측으로 세정액이 순환 유동이 가능하게 연통 설치되는 순환관과;
    상기 순환관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 순환 유동을 제어하도록 적어도 하나 이상 설치되는 밸브와;
    상기 순환관 상에 순환 유동하는 세정액에 함유된 불순물을 필터링 하도록 적어도 하나 이상 설치되는 필터와;
    상기 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동압을 선택적으로 제공하는 펌프;
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 순환관 상에는, 유동하는 세정액을 소정의 온도 상태로 유지시키도록 하는 열교환기;
    가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 펌프에 연이은 순환관 상에는, 상기 펌프에 의한 세정액의 유동압을 측정하여 그 신호를 콘트롤러에 인가하는 압력게이지와;
    상기 순환관을 통한 세정액의 과도한 유동압에 따른 잉여분의 세정액을 분기된 배출관으로 배출토록 하고, 그 신호를 콘트롤러에 인가하는 체크밸브;
    가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  17. 복수 케미컬을 인가되는 공급 제어신호에 따라 각각 소정 비율을 이루도록 하여 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬을 세정액 상태로 혼합하여 수용하는 세척조와; 상기 세척조에 수용된 세정액을 인가되는 배출 제어신호에 따라 선택적으로 배출시키도록 하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 구비된 조작부 도는 프로그램을 통해 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 포함한 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서,
    상기 세척조의 소정 부위에 연통 설치되어 수용되는 세정액을 세척조와 분리되게 저장하는 저장부가 설치됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  18. 복수 케미컬을 각각 분리 수용하며, 상기 복수 케미컬 각각을 인가되는 공급 제어신호에 따라 소정 비율을 이루도록 공급하는 세정액 공급부와;
    상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬이 세정액을 이루도록 혼합되게 수용하는 세척조와;
    상기 세척조 외측으로 순환관이 연통 설치되고, 인가되는 순환 제어신호에 따라 상기 세척조에 수용되는 세정액을 상기 순환관을 통해 순환시키도록 하며, 이 과정에서 세정액을 세정액 설정 상태로 유지되도록 하는 순환부와;
    상기 순환관에 분기된 형상으로 연결관을 연통 연결하여 인가되는 저장 제어신호에 따라 상기 세척조와 순환부를 순환하는 세정액을 분리토록 저장하는 저장부와;
    상기 세척조에 수용된 세정액을 인가되는 배출 제어신호에 따라 선택적으로 배출시키도록 하는 배출부; 및
    상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 구비된 조작부 도는 프로그램을 통해 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 저장부는, 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 세정액의 유동량을 제어하도록 적어도 하나 이상 설치되는 밸브와;
    상기 연결관을 통해 유동하는 세정액 소정량을 저장하도록 밀폐된 공간을 형성하는 저장조와;
    상기 연결관 또는 저장조에 연통 설치되어 인가되는 순환 제어신호에 따라 세정액의 유동압을 제공하는 유동압 제공수단;
    을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 유동압 제공수단은, 상기 저장조의 소정 부위에 관통 설치되어 상기 콘트롤러의 신호에 따라 선택적으로 퍼지가스를 공급하도록 형성된 퍼지가스 공급관;
    으로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 유동압 제공수단은, 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러의 신호에 따라 유동압을 제공하도록 구동하는 펌프;
    로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.
  22. 인가되는 공급 제어신호에 따라 분리 수용되는 각각의 케미컬을 소정 비율로 공급하는 세정액 공급부와; 상기 세정액 공급부로부터 공급되는 각 케미컬이 세정액을 이루도록 혼합되게 수용하는 메인부와 상기 메인부에서 넘치는 세정액을 수용하는 보조부로 구분된 세척조와; 상기 세척조의 메인부와 보조부를 그 외측으로 연통하도록 연결되는 순환관을 통해 인가되는 순환 제어신호에 따라 세정액이 순환 유동과 세정액의 설정 상태를 유지하도록 하는 순환부와; 상기 세정액 공급부와 세척조 및 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액을 인가되는 배출 제어신호에 따라 배출하는 배출부; 및 상기 세정액 공급부와 순환부 및 배출부 각각에 공급 제어신호와 순환 제어신호 및 배출 제어신호를 인가하는 콘트롤러;를 구비하여,
    상기 세정액 공급부를 통해 요구되는 각 케미컬이 세척조의 메인부를 넘치는 소정 양과 비율을 이루도록 공급하는 단계와;
    상기 메인부로부터 넘쳐 보조부에 수용되는 세정액을 소정시간 순환시켜 상기 메인부에 웨이퍼를 투입할 수 있도록 혼합시키는 단계; 및
    상기 세정액 공급부와 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 일시적으로 수용하여 배출시키는 단계;
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 세정액 공급방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 세척조에 세정액을 공급하는 단계는, 각각의 케미컬이 수용되는 각 케미컬 탱크로부터 연통 연결된 배관 상에 유량계와 밸브 및 필터를 설치하고, 상기 콘트롤러는 상기 유량계로부터 인가되는 신호에 대응하여 상기 밸브를 통한 케미컬의 유동량을 제어하며 필터링된 각 케미컬을 소정 비율로 공급하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템 세정액 공급방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 세척조에 세정액을 공급하는 단계는, 각각의 케미컬이 수용되는 각 케미컬 탱크로부터 연통 연결된 배관 상에 각 케미컬 소정량을 수용하도록 레벨센서가 구비된 각각의 정량조와 밸브 및 필터를 설치하고,
    상기 각 정량조에 각각의 케미컬이 상호 소정 비율을 이루며 수용됨에 따른 레벨센서의 신호를 통해 상기 콘트롤러로 하여금 밸브를 개방토록 하여 필터링된 각 케미컬을 공급토록 하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템 세정액 공급방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 정량조에서 상기 배관을 통한 케미컬의 유동압은 상기 정량조 내부를 밀폐된 공간으로 형성하고, 상기 정량조의 일측에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급관을 연통하도록 설치하여,
    상기 퍼지가스 공급관을 통해 상기 저장조 내부를 소정의 압력 상태로 형성함과 동시에 상기 밸브를 개방하여 공급토록 하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템 세정액 공급방법.
  26. 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 정량조에 수용되는 케미컬 양은, 굴곡된 형상으로 구동수단에 의해 수직 승·하강 가능하게 설치되며, 일측 단부가 상기 정량조 상부로부터 기밀 유지토록 관통하고, 타측 부위가 상기 배출부에 연통 연결되게 제 1 유도배출관을 설치하여,
    상기 정량조에서 세척조로 이어지는 배관 상의 밸브를 차단한 상태에서, 상기 제 1 유도배출관의 일측 단부를 요구되는 케미컬 양에 따른 수위에 위치시키고, 상기 퍼지가스 공급관을 통해 퍼지가스를 소정 압력으로 공급토록 하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  27. 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 정량조에 수용되는 케미컬 양은, 상측 단부가 상기 정량조의 하부로부터 관통하여 구동수단에 의해 수직 승·하강 위치되고, 하측 단부는 상기 배출부와 연통 연결되는 제 2 유도배출관을 설치하고,
    상기 정량조에서 세척조로 이어지는 배관 상의 밸브를 차단한 상태에서, 상기 제 2 유도배출관의 일측 단부를 요구되는 케미컬 양에 따른 수위에 위치시키고, 잉여의 케미컬이 제 2 유도배출관을 통해 배출되도록 하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  28. 제 22 항에 있어서,
    상기 메인부와 보조부 사이의 세정액을 순환시키는 단계는, 상기 보조부에서 메인부로 세정액이 순환할 수 있는 순환관을 연통 연결하고, 상기 순환관 상에 복수개의 밸브, 복수개의 필터, 펌프 및 열교환기를 설치하여,
    상기 각 밸브를 개방한 상태에서 상기 펌프를 구동시켜 세정액의 계속적인 순환이 이루어지도록 함과 동시에 유동하는 케미컬에 함유된 불순물 제거와 온도 상태가 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 순환관 상에 상기 펌프에 의한 세정액의 유동압을 측정하도록 하는 압력게이지와 세정액의 과도한 유동압에 대응하여 순환관으로부터 분기되어 배출부로 이어지는 배출관을 개방토록 하는 체크밸브를 더 설치하여,
    상기 압력게이지에 의한 필터의 교체 주기를 확인토록 함과 동시에 펌프의 구동을 제어하도록 하고, 필터가 정상적으로 기능할 수 있는 압력 상태를 형성토록 하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 순환관 상에 분기된 형상으로 세정액이 순환 가능하도록 하는 연결관을 연통 설치하고, 상기 연결관 상에 상기 콘트롤러에 의해 제어되는 밸브와, 소정량의 세정액을 밀폐된 환경 내에서 수용하도록 형성된 저장조와, 상기 연결관 또는 저장조에 연통하여 상기 저장조와 순환관 사이의 연결관을 통해 세정액의 유동압을 제공하도록 하는 유동압 제공수단을 포함한 저장부를 적어도 하나 이상 연통 설치하고,
    상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 세정액을 연결관을 통해 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와;
    상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 새로운 케미컬의 비율로 다른 세정액을 이루도록 각각의 케미컬을 공급하는 단계;
    가 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의세정액 공급방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 세정액을 저장조에 저장하는 단계 이후에 상기 세척조와 순환관 및 상기 순환관 상의 각 구성에 대하여 다른 세정액의 소정 시간 계속적인 공급 및 순환시켜 다른 세정액 환경을 세척하여 배출시키는 단계;
    가 더 구비되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 다른 세정액 환경에서 상기 저장조에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서,
    상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관을 통해 다른 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와;
    상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 기존의 세정액 환경으로 케미컬 비율을 형성 공급하여 상기 세척조와 순환관 및 순환관 상에 설치되는 각 구성을 세정하여 배출시키는 단계와;
    상기 제 1 저장조에 수용된 세정액을 상기 순환관으로 공급하여 순환토록 하는 단계;
    를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 다른 세정액 환경에서 상기 저장조에 수용된 기존 세정액 환경으로 변경함에 있어서,
    상기 메인부와 보조부 및 순환관 상을 유동하는 다른 세정액을 다른 연결관을 통해 다른 저장조로 유도하여 저장토록 하는 단계와;
    상기 제 1 저장조에 수용된 기존 세정액을 상기 순환관으로 공급하여 상기 세척조와 순환관 및 순환관 상에 설치되는 각 구성을 세정하여 배출시키는 단계; 및
    상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조에 기존의 세정액 환경을 이루도록 케미컬 비율을 형성 공급하여 순환토록 하는 단계;
    를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  34. 제 22 항 내지 제 33 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 세정액 공급부를 통해 상기 세척조를 포함한 순환부 상에 세정액을 구성하는 각 케미컬을 소정 비율로 보충 공급하는 단계;
    가 더 구비되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
  35. 제 22 항 내지 제 33 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 배출부는 상기 세정액 공급부와 순환부로부터 잉여분의 케미컬 또는 세정액 및 이들에 함유된 불순물을 일시적으로 수용함에 있어서,
    상기 세정액 공급부로부터 각각의 케미컬 중 다른 각 케미컬을 희석시키도록 순수를 포함한 케미컬을 추가 공급하도록 하는 단계;
    를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정액 공급방법.
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