KR20020033024A - 촬상용 반도체 장치 - Google Patents

촬상용 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020033024A
KR20020033024A KR1020010016808A KR20010016808A KR20020033024A KR 20020033024 A KR20020033024 A KR 20020033024A KR 1020010016808 A KR1020010016808 A KR 1020010016808A KR 20010016808 A KR20010016808 A KR 20010016808A KR 20020033024 A KR20020033024 A KR 20020033024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lens
semiconductor chip
substrate
imaging
light
Prior art date
Application number
KR1020010016808A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100756314B1 (ko
Inventor
혼다토시유키
키다스스무
스즈끼히데오
Original Assignee
아끼구사 나오유끼
후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아끼구사 나오유끼, 후지쯔 가부시끼가이샤 filed Critical 아끼구사 나오유끼
Publication of KR20020033024A publication Critical patent/KR20020033024A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100756314B1 publication Critical patent/KR100756314B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/911—Light sensitive array adapted to be scanned by electron beam, e.g. vidicon device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 수광 소자를 갖는 반도체 소자와 촬상용 렌즈를 패키지한 촬상용 반도체 장치에 관한 것이며, 종래 장치보다 두께가 작고 면적도 작은 촬상용 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
촬상용 렌즈(18)가 부착된 렌즈 부착부(16)가 TAB 테이프 기판(14)에 부착된다. 렌즈 부착부(16)의 반대측에 촬상용 반도체 칩(12)을 실장한다. 렌즈(18)와 반도체 칩(12)의 수광 소자와는 TAB 테이프 기판(14)에 형성된 개구(14a)를 통해서 서로 대향한다. TAB 테이프 기판(14)을 투과하여 반도체 칩(12)을 향하는 광을 차광판(60)에 의해서 차단하여, 수광 소자에의 영향을 실질적으로 배제한다.

Description

촬상용 반도체 장치{IMAGE-PICKUP SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 촬상용 반도체 장치에 관한 것이며, 특히 수광 소자를 갖는 반도체 소자와 촬상용 렌즈를 패키지한 촬상용 반도체 장치에 관한 것이다.
근년 소형 카메라가 장치된 휴대 전화기나 핸디 퍼스널 컴퓨터(휴대형 PC)가 개발되어 있다. 예를 들면 소형 카메라를 구비한 휴대 전화기는 통화자의 영상을 소형 카메라에 의해서 촬상하여 화상 데이터로서 입력하여, 통화 상대방에게 그 화상 데이터를 송신한다. 이와 같은 소형 카메라는 일반적으로 C-MOS 센서와 렌즈에의해서 구성된다.
휴대 전화기나 핸디 퍼스널 컴퓨터는 더 한층의 소형화가 진행되고 있으며, 이들에 사용되는 소형 카메라에도 소형화가 요구되고 있다. 이와 같은 카메라에의 소형화의 요구를 만족시키기 위해서, 렌즈와 C-MOS 센서를 일체화하여 형성된 반도체 장치 패키지가 개발되고 있다.
일본 특원평11-17997호 공보는 촬상용 렌즈와 C-MOS 센서를 갖는 반도체 칩을 일체화한 구성의 반도체 장치 패키지를 개시하고 있다. 이 반도체 장치 패키지에 있어서, C-MOS 센서를 갖는 반도체 칩은 그 수광면이 위를 향한 상태에서, 강성을 갖는 프린트 기판의 위에 탑재되고, 프린트 기판에 와이어 본딩되어 있다. 촬상용 렌즈는 반도체 칩의 수광면 위쪽의 소정 위치에 배치되도록 프린트 기판에 대하여 고정되어 있다. 따라서 일본 특원평11- 17997호 공보에 개시된 종래의 소형 카메라용의 반도체 장치 패키지는, 기판 위에 반도체 칩이 탑재되고, 그 위에 렌즈가 배치되는 등의 구성이다.
상술의 구성의 반도체 장치 패키지는, 그 구조에 기인해서 이하와 같은 문제를 갖고 있다.
1) 수광 소자를 갖는 반도체 칩의 제조 과정에 있어서, 반도체 칩의 두께를 작게 하기 위해서, 반도체 칩의 배면을 연마기로 깎고 있다. 이 때문에 반도체 칩의 두께는 웨이퍼마다 변동한다. 변동의 범위는 통상 ±15㎛ 정도이지만, 허용범위로서는 ±30㎛ 정도이다. 반도체 칩의 두께가 변동하면, 반도체 칩의 수광면과 렌즈 사이의 거리가 변동하게 된다. 즉 렌즈는 프린트 기판의 표면에서 소정의 거리에 배치되고, 또한 반도체 칩의 수광면은 프린트 기판의 표면에서 반도체 칩의 두께만큼 떨어진 위치에 배치되므로, 반도체 칩의 두께가 증대되면 수광면은 렌즈에 접근하고, 반도체 칩의 두께가 감소되면 수광면은 렌즈로부터 멀어진다.
렌즈와 반도체 칩의 수광면 사이의 거리는, 렌즈의 초점 거리와 같게 설정되어 있어, 렌즈에 의한 상(像)이 수광면에서 정확하게 결상하도록 되어 있다. 따라서 상술과 같이 렌즈와 수광면 사이의 거리가 변동되면, 초점 어긋남이 발생하여 화상이 흐려지는 등의 문제가 발생한다.
2) 반도체 칩을 프린트 기판에 탑재할 때, 다이스 부착 장치를 사용하여 반도체 칩을 프린트 기판의 표면에 접착하여 고정한다. 다이스 부착 장치로는 칩의 표면(수광 소자가 형성된 면)을 흡착해서 보지하고, 프린트 기판 상에 반송하여 재치한다. 이 때문에 반도체 칩의 표면은 흡착 장치로 덮어지게 되어, 수광 소자의 형성된 면을 화상 인식할 수가 없다. 따라서 반도체 칩의 외형을 화상 인식하고, 이 외형을 프린트 기판 상에서 반도체 칩을 위치 맞춤하기 위한 기준으로 하고 있다. 그러나 반도체 칩의 수광면과 외형과는 꼭 일정한 위치관계로는 되어 있지 않다. 즉 반도체 칩은 웨이퍼를 다이싱하여 분할함으로써 개편(片)화된다. 그 때에 반도체 칩의 외형이 형성되지만, 다이싱에 의한 절단 위치가 변동함으로써, 반도체 칩의 외형에 대한 수광면의 위치는 일정하게는 되지 않는다. 따라서 렌즈의 초점 위치가 정확하게 수광면의 중심에 일치 하지 않는 경우가 있다.
3) 반도체 칩은 와이어 본딩에 의해서 프린트 기판에 탑재되므로, 와이어 본딩용의 패드를 반도체 칩의 주위에 배치하지 않으면 안된다. 따라서 본딩 패드를 배치하는 부분을 프린트 기판에 설치할 필요가 있으나, 이는 반도체 장치 패키지의 소형화의 장해가 된다.
4) 반도체 장치 패키지로서 실질적으로 필요한 두께는, 렌즈의 초점 거리에 반도체 칩의 두께를 가한 거리이다. 그러나 상술의 종래의 반도체 장치 패키지로서는, 반도체 칩의 렌즈의 반대측에 프린트 기판이 배치되어 있기 때문에 반도체 장치 패키지의 실제의 두께는, 렌즈의 초점 거리에 반도체 칩의 두께를 가한 거리에 프린트 기판의 두께를 더 가한 거리로 된다. 따라서 프린트 기판의 두께만큼 반도체 장치 패키지의 두께가 증대되고 있다.
5) 프린트 기판은 세라믹 또는 유리·에폭시 등의 강성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 따라서 프린트 기판은 굴곡되지 않아, 반도체 장치 패키지를 기기에 장착할 때에 배치의 자유도가 작다는 문제가 있다. 즉 소형 카메라를 형성하는 반도체 장치 패키지를 휴대 전화기나 핸디 퍼스널 컴퓨터 내의 주기판에 전기적으로 접속하기 위해서는, 패키지를 직접 주기판에 실장하거나, 또는 주기판과 반도체 장치 패키지 사이에 플렉시블 배선 기판을 설치할 필요가 있는 등의 제약이 있다. 이와 같은 제약은 휴대 전화기나 핸디 퍼스널 컴퓨터의 케이싱체 설계의 자유도를 낮게 한다.
본 발명은 상기의 점에 비추어서 된 것으로서, 종래 장치보다 두께가 작고, 면적도 작은 패키지된 촬상용 반도체 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
도1a는 본 발명의 제1실시예에 의한 촬상용 반도체 장치의 단면도이고, b는 반도체 칩의 수광면의 평면도.
도2a는 도1에 나타낸 TAB 테이프 기판의 평면도이고, b는 반도체 칩을 와이어 본딩하는 경우의 프린트 기판의 평면도.
도3은 도1a에 나타낸 촬상용 반도체 장치를 기기에 장치하기 위한 구성을 나타낸 도면.
도4는 도1a의 A부의 확대도.
도5는 도1에 나타낸 차광판의 작용을 설명하기 위한 단면도.
도6은 차광판의 변형례를 나타낸 단면도.
도7은 차광판을 통해서 렌즈 부착부의 본체와 반도체 칩을 접속하는 예를 나타낸 단면도.
도8은 도1에 나타낸 B부의 확대도.
도9는 조리개부에 의해서 반사되는 광의 광로를 설명하기 위한 도면.
도10은 본 발명의 제2실시예에 의한 촬상용 반도체 장치의 단면도.
도11은 본 발명의 제3실시예에 의한 촬상용 반도체 장치의 단면도.
도12는 본 발명의 제4실시예에 의한 촬상용 반도체 장치의 단면도.
도13은 도12에 나타낸 나사 접속부 부근의 확대 단면도.
도14는 도12에 나타낸 하측 부분의 나사 접속부에 설치되는 돌기부의 사시도.
도15는 도14에 나타낸 돌기부의 단면도.
도16은 도15에 나타낸 돌기부의 변형례를 나타낸 단면도.
도17은 나사 접속부에 설치되는 빠짐 방지의 다른 예를 나타낸 단면도.
도18은 나사 접속부에 설치되는 회전 멈춤을 나타낸 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
10, 70, 80, 90 촬상용 반도체 장치
12 반도체 칩
12a 회로 형성면
12b 범프
12c 수광부
14 TAB 테이프 기판
14A 폴리이미드 테이프
14B, 52 배선
14a 개구
14b 위치 맞춤 구멍
14c 배선 인출부
16 렌즈 부착부
16)A 본체
16A-1 상측 부분
16A-2 하측 부분
20 이방성 도전 수지
22 렌즈 누름 덮개
24, 26 접착제
30 조리개부
32 IR 필터
50 프린트 기판
54 땜납
60, 62, 64 차광판
상기의 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 다음에 언급하는 각 수단을 강구하는 것을 특징으로 한다.
청구항1 기재의 발명은 촬상용 반도체 장치로서,
촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부와,
상기 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 수광 소자가 회로 형성면에 형성된 반도체 칩과,
상기 렌즈 부착부와 상기 반도체 칩 사이에 설치되고, 상기 반도체 칩에 의해서 생성된 화상 신호를 외부 회로에 공급하는 유연성을 갖는 기판과,
이 기판을 투과하여 상기 반도체 칩을 향하는 광을 차단하여, 상기 수광 소자에의 영향을 실질적으로 배제하는 차광판을 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항1 기재의 발명에 의하면, 반도체 칩을 실장하기 위한 기판은 반도체 칩의 회로 형성면과 촬상용 렌즈 사이에 배치된다. 이에 의해서 기판의 두께를 촬상용 렌즈와 반도체 장치의 회로 형성면에 형성된 수광 소자 사이의 거리, 즉 촬상용 렌즈의 초점 거리 내에 배치할 수 있다. 따라서 촬상용 반도체 장치의 두께는 실질적으로 촬상용 렌즈의 초점 거리와 반도체 칩의 두께와의 합계와 같아진다. 즉 기판의 두께는 장치 전체의 두께에 포함되지 않기 때문에 장치 전체의 두께를 감소할 수 있다. 또 유연성을 갖는 기판은 광을 투과하는 특성을 갖고 있지만, 차광판을 설치함으로써 기판을 통과한 광을 차단하여 수광 소자에의 영향을 실질적으로 배제할 수 있어, 화질의 열화를 방지할 수 있다.
청구항2 기재의 발명은 청구항1 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 반도체 칩은 상기 회로 형성면이 상기 기판을 향한 상태에서 상기 기판에 실장되고, 상기 회로 형성면에 형성된 상기 수광 소자는 상기 기판에 설치된 개구를 통해서 상기 촬상용 렌즈와 대향하고 있는 것을 특징으로 한다.
청구항2 기재의 발명에 의하면, 기판에 개구가 형성되어 있기 때문에, 플립칩 실장 등에 의해서 반도체 칩을 기판에 실장하여도 회로 형성면에 형성된 수광 소자를, 개구를 통해서 기판의 반대측에 부착된 촬상용 렌즈에 대향시킬 수 있다. 또 반도체 칩을 기판에 실장할 때에, 반도체 칩의 회로 형성면의 반대측의 배면을 지지할 수 있기 때문에, 회로 형성면을 화상 인식하면서 실장을 행할 수 있다. 이에 의해서 반도체 칩을 높은 위치 정밀도로 기판에 실장할 수 있다.
청구항3 기재의 발명은 청구항1 또는 2기재의 촬상용 반도체 장치로서, 상기 렌즈 부착부는 위치 맞춤 핀을 갖고 있고, 상기 기판은 위치 맞춤 구멍을 갖고 있고, 상기 위치 맞춤 핀이 상기 위치 맞춤 구멍에 감합한 상태에 있어서, 상기 렌즈 부착부는 상기 반도체 칩이 실장된 상기 기판 면의 반대측 면에 접착제에 의해서 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항3 기재의 발명에 의하면, 기판에 형성된 위치 맞춤 구멍에 렌즈 부착부의 위치 맞춤 핀을 감합함으로써 렌즈 부착부를 높은 위치 정밀도로 기판에 부착시킬 수 있다. 반도체 칩도 기판에 대하여 높은 위치 정밀도로 실장할 수 있기 때문에 촬상용 렌즈와 반도체 칩을 높은 위치 정밀도로 조립할 수 있다.
청구항4 기재의 발명은, 청구항1 내지 3 중 어느 1항 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 차광판은 상기 기판의 개구 내에서 상기 렌즈 부착부에서 상기 반도체 칩을 향해서 뻗어나와 있는 것을 특징으로 한다.
청구항4 기재의 발명에 의하면, 렌즈 부착부의 일부로서 차광판을 형성할 수 있어, 용이하게 수광 소자에 대한 차광 효과를 얻을 수 있다.
청구항5 기재의 발명은 청구항4 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 차광판은 탄성을 갖는 재료로 형성되어 있고, 선단이 상기 반도체 칩의 상기 회로 형성면에 맞닿아 있는 것을 특징으로 한다.
청구항5 기재의 발명에 의하면, 차광판이 반도체 칩의 회로 형성 면에 맞닿음으로써, 기판을 투과하는 광을 차광판에 의해서 완전히 차단할 수 있다. 또 차광판이 회로 형성면에 맞닿아도 차광판은 탄성 변형하므로 회로 형성면의 손상을 주는 일은 없다.
청구항6 기재의 발명은, 청구항2 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 차광판은 상기 렌즈 부착부에 일체적으로 형성되어 있고, 상기 차광판의 선단은 상기 반도체 칩의 상기 회로 형성면에 접착제에 의해서 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항6 기재의 발명에 의하면, 차광판을 통해서 렌즈 부착부를 반도체 칩의 회로 형성면에 직접 고정할 수 있다. 따라서 수광 소자에의 주위에서의 광의 영향을 배제하는 동시에, 기판 두께의 불균일에 의한 촬상용 렌즈와 수광 소자 사이의 거리에의 영향을 배제할 수 있다.
청구항7 기재의 발명은 청구항1 내지 6 중의 어느 1항 기재의 촬상용 반도체장치로서,
상기 렌즈 부착부는 상기 촬상용 렌즈에 대한 조리개로서 작용하는 개구를 형성하는 조리개부를 갖고 있고, 이 개구를 형성하는 상기 조리개부의 단부는 상기 촬상용 렌즈의 광축에 대하여 소정 각도 경사된 경사면인 것을 특징으로 한다.
청구항7 기재의 발명에 의하면, 조리개부의 단면에 의해서 반사된 광이 수광 소자에 입사되는 것을 방지할 수 있어, 화상의 열화를 방지할 수 있다.
청구항8 기재의 발명은 청구항1 내지 7 중의 어느 1항 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 기판은 외부 회로에 접속되기 위한 배선 인출부를 갖고 있으며, 이 배선 인출부에 전자 부품이 탑재되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항8 기재의 발명에 의하면 배선 인출부에 전자 부품을 탑재함으로써, 스페이스를 유효하게 이용할 수 있어, 실장 밀도를 향상할 수 있다.
청구항9 기재의 발명은 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부와, 상기 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 수광 소자가 형성된 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 실장된 기판을 갖는 촬상용 반도체 장치로서,
상기 렌즈 부착부는, 상기 촬상용 렌즈가 부착된 상측 부분과, 상기 기판에 고정된 하측 부분을 갖고, 상기 상측 부분은 상기 하측 부분에 대하여 상기 기판에 접근 또는 이간되는 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 상기 촬상용 렌즈와 상기 반도체 칩 사이의 거리는 가변인 것을 특징으로 한다.
청구항9 기재의 발명에 의하면, 촬상용 렌즈와 반도체 칩 사이의 거리가 변경됨으로써, 촬상용 렌즈의 초점은 항상 수광 소자에 일치되도록 조정할 수 있다. 이에 의해서 항상 초점이 맞는 화상을 얻을 수 있다.
청구항10 기재의 발명은 청구항9 기재의 촬상용 반도체 장치로서,
상기 상측 부분이 상기 기판으로부터 이간되는 방향으로 이동하였을 때에, 상기 상측 부분이 상기 하측 부분으로부터 빠지지 않도록 빠짐 방지 기구가 설치된 것을 특징으로 한다.
청구항9 기재의 발명에 의하면, 촬상용 렌즈와 반도체 칩 사이의 거리가 변경됨으로써, 촬상용 렌즈의 초점은 항상 수광 소자에 일치되도록 조정할 수 있다. 이에 의해서 항상 초점이 맞는 화상을 얻을 수 있다.
청구항10 기재의 발명에 의하면 렌즈가 설치된 상측 부분이 하측 부분으로부터 빠지지 않도록 빠짐 방지 기구가 설치됨으로써, 예를 들면 장치의 진동에 의해서 상측 부분의 나사 접속부가 느슨해져서 빠져나가는 것을 방지할 수 있다.
실시예
다음에 본 발명의 실시형태에 대하여 도면과 함께 설명하겠다.
도1a는 본 발명의 제1실시예에 의한 촬상용 반도체 장치의 단면도이고, 도1b는 도1a에 나타낸 반도체 칩의 수광면의 평면도이다. 본 발명의 제1실시예에 의한 촬상용 반도체 장치(10)는, 고체 촬상용 반도체 칩(12)과, TAB 테이프 기판(14)과, 렌즈 부착부(16)에 의해서 이루어진다.
반도체 칩(12)은 TAB 테이프 기판(14)에 위에 플립칩 실장된다. 렌즈 부착부(16)는 렌즈(대물렌즈)(18)를 포함한 광학시스템을 구성하고 있고, TAB 테이프 기판(14)에 대하여, 반도체 칩(12)의 반대측에 탑재된다. 즉 반도체 칩(12)과 렌즈 부착부 (16)는, TAB 테이프 기판(14)을 끼고 그 양측에 탑재된다.
반도체 칩(12)의 회로 형성면(수광면) (12a)에는 촬상용의 수광 소자로서 C-MOS 센서가 형성되어 있다. 반도체 칩(12)은 회로 형성면(12a)을 TAB 테이프 기판(14)을 향한 상태에서, TAB 테이프 기판(14)에 대하여 플립칩 실장된다.
TAB 테이프 기판(14)에는 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)에 형성된 C-MOS 센서(수광 소자)에 대응하는 위치에 개구 (14a)가 설치되어 있다. 따라서 반도체 칩(12)이 TAB 테이프 기판(14)에 실장된 상태에서, 반도체 칩(12)의 C-MOS 센서는, TAB 테이프 기판(14)의 개구(14a) 내에 위치하게 된다.
TAB 테이프 기판(14)은 폴리이미드 테이프(14A)에 배선 (14B)이 형성된 것이다. 배선(14B)은 폴리이미드 테이프(14A)에 동박을 접합하고, 동박을 패턴 형성함으로써 형성된다. 반도체 칩(12)에는 외부 접속용 단자로서 범프(12b)가 형성되어 있다. 범프(12b)는 TAB 테이프 기판(14)의 배선(14B)의 일부로서 형성된 본딩 패드에 이방성 도전 수지(20)에 의해서 접합된다. 또 폴리이미드 테이프(14A)는 이에 한정되지 않고, 적당한 유연성을 갖는 재료, 예를 들면 폴리에스테르 테이프라도 좋다. 또 배선(14B)을 형성하는 재료는 동박으로 한정되지 않고, 예를 들면 알루미늄박 등을 사용하는 것으로 하여도 좋다.
렌즈 부착부(16)의 본체(16A)는 중앙부에 관통한 개구를 갖고 있고, 이 개구의 상부를 덮는 상태로 렌즈(18)가 설치되어 있다. 렌즈(18)는 본체(16A)의 개구의 상부에 끼워져 렌즈 누름 덮개(22)에 의해서 고정된다. 렌즈 누름 덮개(22)는 접착제(24)에 의해서 본체(16A)에 고정된다.
렌즈 부착부(16)는 본체(16A)의 개구가 TAB 테이프 기판(14)의 개구(14a)에 일치된 상태에서, TAB 테이프 기판(14)에 대하여 접착제(26)로 고정된다. 본체(16A)에는 위치 맞춤용 핀(28)이 설치되어 있고, 렌즈 부착부(16)의 본체(16A)는 위치 맞춤용 핀(28)이 TAB 테이프 기판(14)에 설치된 위치 맞춤 구멍(14b)에 감합함으로써 정확하게 위치 맞춤된다.
TAB 테이프 기판(14)에 설치된 위치 맞춤 구멍(14b)은 배선 패턴용의 위치 맞춤 구멍을 기준으로 하여 에칭 등에 의해서 형성되므로 배선 패턴에 대하여 높은 위치 정밀도로 형성된다. 따라서 위치 맞춤 구멍(14b)에 위치 맞춤 핀(28)을 감합함으로써, 렌즈 부착부(16)는 TAB 테이프 기판(14)에 대하여 높은 위치 정밀도로 부착된다.
렌즈 부착부(16) 본체(16A)의 개구의 렌즈(18)의 하측에는, 조리개부(30)가 형성되어 있다. 또 조리개부(30)의 더 하측에는 IR필터(32)가 배치되어 있다.
상술과 같은 구성에 있어서, 렌즈(18)에 의해서 집광된 광은 조리개부(30) 및 IR필터(32)를 통과하여, 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)에 형성된 C-MOS 센서에 입사된다. 렌즈(18)와 회로 형성면(12a) 사이의 거리는, 렌즈(18)의 초점 거리와 같아지도록 설정되어 있다. 따라서 렌즈(18)에 입사된 광은 C-MOS 센서 상에 집광되어서 결상된다.
그리고 C-MOS 센서 상의 상은 C-MOS 센서에 의해서 상기 신호로 변환되어, 화상 신호로서 TAB 테이프 기판(14)의 배선 인출부(14c)를 통해서 외부장치에 공급된다.
도2a는 상술의 TAB 테이프 기판(14)의 평면도이다. 도2b는 도2a에 나타낸 TAB 테이프 기판(14)과 비교하기 위한 예를 나타낸 도면이고, 반도체 칩(12)을 와이어 본딩에 의해서 기판에 탑재하는 경우의 기판의 평면도이다.
도2b에 나타낸 기판(40)으로서는, 반도체 칩(12)의 주위에 와이어 본딩용의 패드(42)를 설치하여, 반도체 칩(12)의 전극을 본딩 와이어(44)에 의해서 패드에 전기적으로 접속한다. 따라서 반도체 칩(12)의 주위에는 패드(42)를 설치하는 영역이 필요하다.
한편 도2a에 나타낸 TAB 테이프 기판(14)에서는 반도체 칩(12)은 플립칩 실장되므로 TAB 테이프 기판(14)의 패드는 반도체 칩(12)의 전극에 겹치는 위치로 된다. 이와 같이 패드를 설치하는 영역은 반도체 칩(12)의 내측으로 되어, 도2b에 나타낸 예와 같이 패드를 설치하는 영역을 반도체 칩(12)의 주위에 설치할 필요는 없다. 따라서 도2a에 나타낸 본 실시예에 의한 TAB 테이프 기판(14)의 면적(외형 치수)은 도2b에 나타낸 예의 기판보다 작게 할 수 있고, 촬상용 반도체 장치(10)의 전체 치수도 작게 할 수 있다.
도3은 도1a에 나타낸 촬상용 반도체 장치(10)를 외부 회로에 접속한 예를 나타낸 도면이다. 촬상용 반도체 장치(10)는, 예를 들면 휴대 전화기에 장치되는 경우, 휴대 전화기 내에 설치된 프린트 기판(50)에 접속된다. 구체적으로는 촬상용 반도체 장치(10)의 TAB 테이프 기판(14)의 배선 인출부(14c)는 프린트 기판(50)의 배선(52)에 땜납(54)에 의해서 접속된다.
여기서 TAB 테이프 기판(14)은 폴리이미드 등의 유연성을 갖는 재료로 형성되어 있기 때문에 땜납접속 후에 TAB 테이프 기판(14)을 자유로이 구부릴 수 있다. 도3에 나타낸 예에서는, TAB 테이프 기판(14)을 굴곡하여 촬상용 반도체 장치(10)를 프린트 기판(50)의 위쪽에 배치하고 있다. 이와 같이 유연성을 갖는 TAB 테이프 기판(14)을 사용함으로써, 촬상용 반도체 장치(10)가 장치되는 기기(여기서는 휴대 전화기)의 케이싱체 설계에 자유도를 갖도록 할 수 있다.
TAB 테이프 기판(14) 대신으로 유연성을 갖지 않은 기판을 사용한 경우는, 촬상용 반도체 장치(10)와, 프린트 기판(50) 사이에 플렉시블 기판을 설치하여 접속함으로써, 촬상용 반도체 장치(10)의 위치의 자유도는 증가된다. 그러나 플렉시블 기판을 부착하는 분만큼 여분의 면적이 필요하게 되어 제조공정도 복잡하게 되고 만다.
도4는 도1a에 있어서의 A부의 확대도이다. 렌즈 부착부 (16)의 본체의 저면에는, 차광판(60)이 형성되어 있다. 차광판(60 )은 렌즈 부착부(16)가 TAB 테이프 기판(14)에 탑재되었을 때에, TAB 테이프 기판(14)의 개구(14a)의 내면을 전체 둘레에 걸쳐서 덮도록 설치된다(도1b 참조).
도5는 차광판(60)의 작용을 설명하기 위한 도면으로서, 도5a는 차광판(60)을 설치하지 않는 상태를 나타내고, 도5b는 차광판(60)을 설치한 상태를 나타낸다.
차광판(60)이 설치되어 있지 않는 경우, 도5a에 나타낸 것과 같이, TAB 테이프 기판(14)의 폴리이미드 테이프(14A)를 투과한 광(도면 중, 화살표로 나타낸)이 개구(14a) 내에 입사된다. 즉 유연성을 갖는 기판으로 하기 위해서, 폴리이미드 테이프 또는 폴리에틸렌 테이프 등의 수지 테이프를 사용하면, 이들의 테이프는 비교적 광을 투과하기 쉽기 때문에 TAB 테이프 기판(14)의 개구(14a) 내에 광이 들어가고 만다. 개구(14a) 내에 들어 간 광의 일부는 반도체 칩(12)의 수광부(12c) (C-MOS센서)에 입사하여, 홀레이션(halation)을 발생하여 화상을 열화시킨다.
그러나 본 실시예에서는, 도1b 및 도5b에 나타낸 것과 같이 차광판(60)에 의해서 개구(14a)의 내면이 덮여 있으므로, 폴리이미드 테이프(14A)를 투과한 광(도면 중 화살표로 나타낸다)은 차광판(60)에 의해서 가려져서 반도체 칩(12)의 수광부(12c)에는 도달하지 않는다. 따라서 차광판(60)을 설치함으로써, TAB 테이프 기판(14)을 투과해오는 광에 기인한 홀레이션의 발생을 방지할 수 있어, 화상의 열화를 막을 수 있다.
또 차광판(60)과 반도체 칩의 회로 형성면(수광면) 사이에는 약간의 간극이 형성되고, 그 간극으로부터 광이 새는 일은 있으나, 이 새는 광의 양은 비상시에는 약간이며, 수광면에 대하여 실질적으로 영향을 미치지 않는다.
도6은 차광판(60)의 변형례를 나타낸 단면도이다. 도6에 나타낸 차광판(62)은 탄성을 갖는 재료로 작성되어 있고, 렌즈 부착부(16)의 본체(16A)에 부착되어 있다. 부착방법은 차광판(62 )의 일부를 수용하는 감합부를 본체(16A)에 형성해두고, 차광판(62)을 사이에 끼워 넣어서 고정하거나 또는 접착제 등으로 고정하여도 좋다.
차광판(62)이 본체(16A)의 저면으로부터 돌출하는 치수는, 본체(16A)의 저면으로부터 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)까지의 거리보다 약간 크게 해둔다. 이에 의해서 렌즈 부착부(16)와 반도체 칩(12)이 TAB 테이프 기판(14)에 탑재된 상태에서, 차광판(62)은 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)에 맞닿아서, 차광판 (62)과 회로 형성면(12a) 사이에는 간극이 형성되지 않는다. 따라서 TAB 테이프(14)를 투과한 광은 차광판(62)에 의해서 완전히 차단되어, 개구(14a) 내의 수광면에 도달하는 일은 없다. 또 차광판(62)은 탄성을 갖는 재료로 형성되므로 차광판(62)이 회로 형성면(12a)에 맞닿아도 탄성 변형되어 회로 형성면(12a)에 손상을 주는 일은 없다.
도7은 차광판을 포함한 렌즈 부착부(16)의 부착 구조의 변형례를 나타낸 단면도이다. 도7에 나타낸 변형례에서는 차광판(64)은 렌즈 부착부(16)의 본체(16A)의 일부로서 비교적 큰 두께를 갖고 있다. 그리고 본체(16A)는 차광판(64)을 거쳐서 도체 칩의 회로 형성면(12a)에 접착제(66)에 의해서 고정되어 있다. 즉 렌즈 부착부(16)는 TAB 테이프 기판(14)에 탑재되는 것은 아니며, 반도체 칩(12)에 고정된다.
도7에 나타낸 것과 같은 부착 구조에 의하면, 광학계를 구성하는 렌즈 부착부(16)를 TAB 테이프 기판(14)으로부터 분리해 둘 수 있다. 이에 의해서 렌즈 부착부(16)에 작용하는 외력이 TAB 테이프 기판(14)에 직접 작용하는 것을 방지할 수 있다.
예를 들면 본 실시예에 의한 촬상용 반도체 장치(10)가 휴대 전화기에 장치된 경우, 렌즈 부착부(16)는 휴대 전화기의 케이싱체에 부착된다. 이 설치시 렌즈 부착부(16)에는 외력이 작용하고, 이 외력이 TAB 테이프 기판(14)과 같은 상기 신호에 의한 부분에 작용하면 전기적인 부분에 불량이 발생하여 신뢰성이 저하되는 일이 있다.
그러나 도7에 나타낸 예에서는, 렌즈 부착부(16)의 본체 (16A)는 TAB 테이프 기판(14)에 접촉하고 있지 않으므로, 상술과 같은 렌즈 부착부(16)에 작용하는 외력에 기인한 문제는 생기지 않는다. 또 본체(16A)에 일체적으로 형성된 차광판(64)이 접착제(66)에 의해서 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)에 고정되므로 TAB 테이프 기판(14)을 투과한 광도 완전히 차단할 수 있다.
도8은 도1의 B부의 확대도이다. 도8에 나타낸 것과 같이, 본 실시예에 있어서의 조리개부(30)의 선단 부분에는, 렌즈의 광축에 대하여 소정의 각도θ만큼 경사진 경사면(30a)이 설치되어 있다. 도9는 경사면(30a)이 설치되어 있지 않은 경우의, 광의 경로를 나타낸 도면이지만, 이 경우 렌즈(18)를 투과하여 조리개부(30)의 단면에 도달한 광은 단면에 의해서 반사되어서 수광면에 입사하여 화상의 열화의 원인으로 된다.
그래서 본 실시예에서는, 렌즈의 광축에 대하여 소정의 각도θ 경사진 경사면(30a)을 설치함으로써, 렌즈를 투과한 광이 조리개부(30)의 단면에서 반사하여 수광면에 도달하지 않도록 구성되어 있다.
다음에 본 발명의 제2실시예에 대하여 도10을 참조하면서 설명하겠다. 도10은 본 발명의 제2실시예에 의한 촬상용 반도체 장치(70)의 단면도이다. 또 도10에 있어서 도1에 나타낸 구성 부품과 동등한 부품에는 같은 참조 부호를 매겨서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 제2실시예에 의한 촬상용 반도체 장치로는 TAB 테이프 기판(14)의 폴리이미드 테이프(14A)에, 반도체 칩(12)이 들어 가는 개구를 미리 형성해둔다. 또 동박 등을 에칭에 의해서 패턴 형성한 배선(14B)에 대하여 주석도금을 실시해둔다. 그리고 반도체 칩(12)의 범프(12b)를 금 범프로서 형성하고, 금 범프(12b)와 배선(14B)를 ILB접속(금 주석 공정 접속)에 의해서 접합한다. 금 범프(12b)와 배선(14B)을 접속한 후, 충전 수지(72)를 금 범프(12b)의 접합부 부근에 포팅하여 충전한다. 그리고 렌즈 부착부(16)를 충전 수지(72)의 위에 배치하여 접착제(26)에 의해서 고정한다.
본 실시예에 의하면 TAB 테이프 기판(14)을 상술의 제1실시예와는 반대방향에서 사용하고 있으며, 렌즈 부착부(16)와 반도체 칩(12) 사이에 TAB 테이프 기판(14)의 폴리이미드 테이프(14A)는 개재하고 있지 않다. 따라서 폴리이미드 테이프(14A)의 두께에 불균일이 있어도, 렌즈(18)와 반도체 칩(12) 사이의 거리는 일정하게 유지된다. 또 폴리이미드 테이프(14A)를 투과하는 광을 차광하기 위한 차광부를 설치할 필요는 없다.
다음에 본 발명의 제3실시예에 대하여 도11을 참조하면서 설명하겠다. 도11은 본 발명의 제3실시예에 의한 촬상용 반도체 장치(80)의 단면도이다. 또 도11에 있어서 도1에 나타낸 구성 부품과 동등한 부품에는 같은 참조 부호를 매겨서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 제3실시예에 의한 촬상용 반도체 장치로는 TAB 테이프 기판(14)의 폴리이미드 테이프(14A)에, 반도체 칩(12)이 들어 가는 개구를 미리 형성해둔다.또 동박 등을 에칭에 의해서 패턴 형성한 배선(14B)에 대하여 금도금을 실시해둔다. 그리고 금도금이 실시된 배선(14B)과 반도체 칩(12)의 범프(12b)를, 싱글 포인트 본딩으로 접속한다. 범프(12b)와 배선(14B)를 접속한 후, 충전 수지(72)를 금 범프(12b)의 접합부 부근에 포팅하여 충전한다. 그리고 도7에 나타낸 것과 같은 구성의 렌즈 부착부(16)를 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a) 상에 배치하여 접착제(66)로써 고정한다.
본 실시예에 의하면 TAB 테이프 기판(14)을 상술의 제1실시예와는 반대방향으로 사용하고 있고, 렌즈 부착부(16)와 반도체 칩(12) 사이에 TAB 테이프 기판(14)의 폴리이미드 테이프(14A)는 개재하고 있지 않다. 따라서 폴리이미드 테이프(14A)의 두께가 불균일하여도, 렌즈(18)와 반도체 칩(12) 사이의 거리는 일정하게 유지된다. 또 렌즈 부착부(16)는 반도체 칩(12)의 회로 형성면(12a)에 직접 접착되어 있기 때문에 렌즈 부착부(16)와 반도체 칩(12) 사이에 간극이 형성되는 일은 없어, 반도체 칩(12)의 수광면에 불필요한 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다.
다음에 본 발명의 제4실시예에 대하여 도12를 참조하면서 설명하겠다. 도12는 본 발명의 제4실시예에 의한 촬상용 반도체 장치(90)의 단면도이다. 또 도12에 있어서 도1에 나타낸 구성 부품과 동등한 부품에는 같은 참조 부호를 매겨서 그 설명은 생략한다.
도12에 나타낸 촬상용 반도체 장치(90)는, 기본적으로 도1에 나타낸 촬상용 반도체 장치(10)와 같은 구성을 갖지만, 렌즈 부착부(16)의 본체(16A)는 상측부분(16A-1)과 하측 부분(16A-2)으로 분할되어 있는 것이 다르다. 또 본 실시예에서는 TAB 테이프 기판(14)의 배선 인출부(14c)에 실장 부품(92)을 탑재하여 납땜하고, 배선 인출부(14c)를 유효 이용하여 고밀도의 실장을 실현하고 있다.
상측 부분(16A-1)은 렌즈(18)가 부착되고, 하측 부분(16A-2)에는 조리개부(30), IR필터(32) 및 차광판(60)이 설치된다. 그리고 상측 부분(16A-1)과 하측 부분(16A-2)과는 서로 나사로 접속되어 있고, 상측 부분(16A-1)을 하측 부분(16A-2)으로부터 분리할 수 있다. 즉 광학계에 있어서의 렌즈(18)를 촬상용 반도체 장치(90)로부터 떼낼 수 있는 구성으로 되어 있다.
실장 부품(92)을 TAB 테이프 기판(14)에 납땜할 때, 땜납 리플로에 의해서 탑재하지만, 렌즈(18)는 플라스틱 렌즈이기 때문에 땜납 리플로시의 열로 플라스틱 렌즈가 손상을 받을 우려가 있다. 그래서 본 실시예에서는 렌즈(18)를 포함한 상측 부분(16A-1)을 땜납 리플로시에 촬상용 반도체 장치(90)로부터 떼 낼 수 있다. 땜납 리플로가 종료된 후에 상측 부분(16A-1)을 하측 부분(16A-2)에 나사 접속함으로써, 렌즈(18)를 용이하게 장착할 수 있다.
또 본 실시예 및 상술의 실시예에서는 필요하지 않으나, 렌즈(18)와 반도체 칩(12)의 회로 형성면(수광면) (12a) 사이의 거리를 가변으로 할 수도 있다. 즉 상측 부분(16A-1)을 하측 부분(16A-2)에 대하여 회전함으로써, 렌즈(18)의 위치는 상하 방향으로 이동하여, 렌즈(18)와 회로 형성면(12a) 사이의 거리를 바꿀 수 있다.
도13은 상측 부분(16A-1)과 하측 부분(16A-2)의 나사 접속 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 나사 접속은 진동 등에 의해서 나사부가 느슨하게 되어서 회전하여, 렌즈(18)와 반도체 칩(12) 사이의 거리가 변하게 되거나 상측 부분(16A-1)이 빠지거나 할 우려가 있다.
그래서 본 실시예에서는 상측 부분(16A-2)의 땜납이나 회전 멈춤을 실시함으로써, 상술의 문제점에 대처하고 있다. 우선 빠짐 방지에 대하여 도14 내지 17를 참조하면서 설명하겠다.
도14는 하측 부분(16A-2)의 나사 접속 부분의 사시도이다. 나사 접속 부분의 선단부에는 직경 방향 상에 대향한 부분에 한쌍의 돌기부(92)가 설치된다. 각 돌기부(92)는 세로방향으로 설치된 한쌍의 슬릿 홈(슬릿)(94) 사이에 설치된다. 슬릿 홈(94) 사이의 부분은 직경 방향으로 외력이 작용한 경우에 용이하게 탄성 변형할 수 있는 정도의 폭으로 되어 있다.
도15는 돌기부(92)가 설치된 부분의 확대 단면도이다. 돌기부(92)가 설치되는 부분은, 그 반경 방향의 두께도 작아져 있고, 반경 방향으로 용이하게 탄성 변형 가능하게 되어 있다. 돌기부(92)는 나사 접속부보다 반경 방향 위의 외측에 돌출되어 있다. 돌기부(92)의 상단면에는 적당한 경사가 설치되어 있고, 상측 부분 (16A-1)의 나사 접속부가 하측 부분(16A-2)의 나사 접속 부분에 비틀어 넣을 때에, 용이하게 반경 방향 내측으로 탄성 변형할 수 있다. 즉 돌기부(92)의 상단면에 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부를 압압함으로써, 돌기부(92)는 반경 방향 내측으로 탄성 변형되어, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부를 용이하게 하측 부분 (16A-2)의 나사 접속부에 비틀어 넣을 수 있다.
상측 부분(16A-1)의 나사 접속부가 하측 부분(16A-2)의 나사 접속부에 비틀어 넣으면, 탄성 변형되어 있었든 돌기부(92)는 원래의 위치로 되돌아간다. 따라서 상측 부분(16A-1)이 떨어지는 방향으로 이동하였을 때에, 그 나사 접속부는 돌기부(92)의 하단면에 맞닿는다. 이에 의해서 예를 들면 진동에 의해서 상측 부분이 회전하여 빠지는 방향으로 이동하는 바와 같은 경우에는, 돌기부(92)의 하단면에 의해서 그 이상의 이동이 방지된다. 따라서 돌기부(92)의 하단면은 상측 부분(16A-1)의 빠짐 방지로서 작용한다.
다만 상측 단부(16A-1)를 떼내고자 하는 경우에는, 강제적으로 상측 부분(16A-1)을 빼는 방향으로 돌림으로써 돌기부(92)는 반경 방향 내측으로 탄성 변형되어, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부의 이동을 허용한다. 즉 돌기부(92)는 진동 등에 의한 작은 회전력이 상측 부분(16A-1)에 작용한 경우는 빠짐 방지로서 작용하여 큰 회전력이 작용한 경우는 상측 부분의 이동을 허용한다.
도16은 돌기부(92)의 다른 예를 나타낸 단면도이다. 도16a에 나타낸 돌기부(92A)는, 그 상단면과 하단면이 둥그스름하게 되어 있어, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부가 돌기부(92A) 상을 원활하게 접동 가능하도록 되어 있다.
또 도16b에 나타낸 돌기부(92B)는 그 상단면은 둥그스름하게 되어 있지만, 하단면은 직각으로 절삭되어 있다. 돌기부(92B)의 형상에 의하면, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부는 용이하게 하측 부분의 나사 접속 부분에 스크류잉할 수는 있으나, 일단 비틀어 넣은 후는 상측 부분(16A-1)에 큰 회전력이 작용하였어도 접속부의 이동은 돌기부(92B)의 하단면에 의해서 저지된다.
도17은 상측 부분의 빠짐 방지의 다른 예를 나타낸 단면도이다. 도17에 나타낸 예에서는 하측 부분(16A-2)의 나사 접속부의 선단부의 외주에 홈(96)을 설치하고, 홈(96) 내에 빠짐 방지용의 링(98)을 배치하고 있다. 링(98)은 도17b에 나타낸 것과 같이 일부가 제거된 원형상이며, 탄성을 갖는 금속 와이어 또는 수지에 의해서 형성된다.
링(98)은 도17a에 나타낸 것과 같이 단면의 대략 절반이 홈(96)에서 외측으로 나오는 원형으로 형성되어 있다. 링(98)은 미리 홈(96)에 끼워져 있고, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부가 비틀어 넣어질 때에, 내측으로 압축되어서 그 직경이 작아진다. 즉 링(98)은 홈(96) 내에 수용된 상태로 되어, 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부는 용이하게 링(98) 부분을 통과할 수 있다.
상측 부분(16A-1)의 나사 접속부가 링(98) 부분을 통과하게 되면, 링(98)은 원래의 형상으로 되돌아가서 도17a에 나타낸 상태로 된다. 따라서 상측 부분(16A-1)이 빠지는 방향으로 이동하여도 링(98)은 빠짐 방지로서 작용하고, 상측 부분(16A-1)은 링(98)을 넘어서 이동할 수는 없다.
또 링(98)을 형상 기억 합금으로 형성하여, 상측 부분을 비틀어 넣은 후에, 링(98)을 가열하여 원래의 형상으로 되돌리기로 하여도 좋다. 즉 링(98)의 형상을 도17a에 나타낸 상태로서 기억시켜두고, 홈(96)에 끼워 넣을 때는 직경을 작게 해둔다. 즉 링(98)은 처음에는 작은 직경으로 홈(96)에 전체가 들어가도록 해둔다. 그리고 상측 부분(16A-1)이 비틀어 넣은 후에 링 (98)을 가열하여 원래의 형상으로 되돌린다. 즉 상측 부분(16A-1)이 비틀어 넣어진 후에 링(98)을 가열하여 도17a에 나타낸 상태로 함으로써 링(98)은 빠짐 방지로서 작용한다.
도18은 상측 부분과 하측 부분 사이에 회전 멈춤을 설치한 예를 나타낸 단면도이다. 도18에 나타낸 예에서는 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부에 홈(100)을 설치하고, 홈(100) 내에 고무 등의 탄성 재료의 O링(102)을 설치하고 있다. O링(102)이 하측 부분(16A-2)의 나사 접속부의 상단부의 외주면에 맞닿도록, 홈(100)의 형상 및 O링의 형상을 설정한다. 이에 의해서 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부가 어느 정도 비틀린 시점에서 O링(102)이 하측 부분(16A-2)의 나사 접속부에 접촉한다. 그 후 O링(102)이 탄성 변형된 상태로, 상측 부분(16A-1)을 더욱 비틀어 넣는다. 이에 의해서 상측 부분(16A-1)의 나사 접속부와 하측 부분(16A-2) 사이에는 O링(102)이 탄성 변형된 상태로 설치되어, O링(102)의 마찰에 의해서 상측 부분(16A-1)은 용이하게 돌지 않는 상태로 된다. 이에 의해서 진동 등으로 상측 부분(16A-1)이 회전하여 렌즈(18)와 수광면 사이의 거리가 변화되는 것을 방지할 수 있다.
상술과 같이 본 발명에 의하면, 다음에 언급하는 여러가지 효과를 실현할 수 있다. 청구항1 기재의 발명에 의하면, 반도체 칩을 실장하기 위한 기판은 반도체 칩의 회로 형성면과 촬상용 렌즈 사이에 배치된다. 이에 의해서 기판의 두께를 촬상용 렌즈와 반도체 장치의 회로 형성면에 형성된 수광 소자 사이의 거리, 즉 촬상용 렌즈의 초점 거리 내에 배치할 수 있다. 따라서 촬상용 반도체 장치의 두께는, 실질적으로 촬상용 렌즈의 초점 거리와 반도체 칩의 두께와의 합계와 같아진다. 즉 기판의 두께는 장치 전체의 두께에 포함되지 않기 때문에, 장치 전체의 두께를 감소시킬 수 있다. 또 유연성을 갖는 기판은 광을 투과하는 특성을 갖고 있으나, 차광판을 설치함으로써 기판을 통과한 광을 차단하여 수광 소자에의 영향을 실질적으로 배제할 수 있어, 화질의 열화를 방지할 수 있다.
청구항2 기재의 발명에 의하면, 기판에 개구가 형성되어 있기 때문에, 플립칩의 실장 등에 의해서 반도체 칩을 기판에 실장하여도 회로 형성면에 형성된 수광 소자를, 개구를 통해서 기판의 반대측에 부착된 촬상용 렌즈에 대향시킬 수 있다. 또 반도체 칩을 기판에 실장할 때에, 반도체 칩의 회로 형성면의 반대측의 배면을 지지할 수 있기 때문에, 회로 형성면을 화상 인식하면서 실장을 할 수 있다. 이에 의해서 반도체 칩을 높은 위치 정밀도로 기판에 실장할 수 있다.
청구항3 기재의 발명에 의하면, 기판에 형성된 위치 맞춤 구멍에 렌즈 부착부의 위치 맞춤 핀을 감합함으로써, 렌즈 부착부를 높은 위치 정밀도로 기판에 부착시킬 수 있다. 반도체 칩도 기판에 대하여 높은 위치 정밀도로 실장할 수 있기 때문에, 촬상용 렌즈와 반도체 칩을 높은 위치 정밀도로 조립할 수 있다.
청구항4 기재의 발명에 의하면, 렌즈 부착부의 일부로서 차광판을 형성할 수 있어, 용이하게 수광 소자에 대한 차광 효과를 얻을 수 있다.
청구항5 기재의 발명에 의하면, 차광판이 반도체 칩의 회로 형성면에 맞닿음으로써, 기판을 투과하는 광을 차광판에 의해서 완전히 차단할 수 있다. 또 차광판이 회로 형성면에 맞닿아도, 차광판은 탄성 변형되므로 회로 형성면의 손상을 주는 일은 없다.
청구항6 기재의 발명에 의하면, 차광판을 통해서 렌즈 부착부를 반도체 칩의회로 형성면에 직접 고정할 수 있다. 따라서 수광 소자에의 주위에서의 광의 영향을 배제하는 동시에, 기판 두께의 불균일에 의한 촬상용 렌즈와 수광 소자 사이의 거리에의 영향을 배제할 수 있다.
청구항7 기재의 발명에 의하면, 조리개부의 단면에 의해서 반사된 광이 수광 소자에 입사되는 것을 방지할 수 있어, 화상의 열화를 방지할 수 있다.
청구항8 기재의 발명에 의하면, 배선 인출부에 전자 부품을 탑재함으로써, 스페이스를 유효하게 이용할 수 있어, 실장 밀도를 향상시킬 수 있다.
청구항9 기재의 발명에 의하면, 촬상용 렌즈와 반도체 칩 사이의 거리가 변경됨으로써, 촬상용 렌즈의 초점이 항상 수광 소자에 일치되도록 조정할 수 있다. 이에 의해서 항상 초점이 맞는 화상을 얻을 수 있다.
청구항10 기재의 발명에 의하면, 렌즈가 설치된 상측 부분이 하측 부분으로부터 빠지지 않도록 빠짐 방지 기구가 설치됨으로써, 예를 들면 장치의 진동에 의해서 상측 부분의 나사 접속부가 느슨해져서 빠지게 되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부와,
    상기 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 수광 소자가 회로 형성면에 형성된 반도체 칩과,
    상기 렌즈 부착부와 상기 반도체 칩 사이에 설치되고, 상기 반도체 칩에 의해서 생성된 화상 신호를 외부 회로에 공급하는 유연성을 갖는 기판과,
    이 기판을 투과하여 상기 반도체 칩을 향하는 광을 차단하여, 상기 수광 소자에의 영향을 실질적으로 제거하는 차광판
    을 갖는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 상기 회로 형성면이 상기 기판을 향한 상태로 상기 기판에 실장되고, 상기 회로 형성면에 형성된 상기 수광 소자는 상기 기판에 설치된 개구를 통해서 상기 촬상용 렌즈와 대향하고 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 소자.
  3. 제1 또는 2항에 있어서,
    상기 렌즈 부착부는 위치 맞춤 핀을 갖고 있고, 상기 기판은 위치 맞춤 구멍을 갖고 있고, 상기 위치 맞춤 핀이 상기 위치 맞춤 구멍에 감합(嵌合)된 상태에 있어서, 상기 렌즈 부착부는 상기 반도체 칩이 실장된 상기 기판 면의 반대측 면에접착제에 의해서 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  4. 제1 내지 3 중의 어느 1항 기재에 있어서,
    상기 차광판은 상기 기판의 개구 내에 있어서, 상기 렌즈 부착부에서 상기 반도체 칩을 향해서 뻗어나와 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 차광판은 탄성을 갖는 재료로 형성되어 있고, 선단이 상기 반도체 칩의 상기 회로 형성면에 맞닿아 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 차광판은 상기 렌즈 부착부에 일체적으로 형성되어 있고, 상기 차광판의 선단은 상기 반도체 칩의 상기 회로 형성면에 접착제에 의해서 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  7. 제1 내지 6항 중의 어느 1항에 있어서,
    상기 렌즈 부착부는 상기 촬상용 렌즈에 대한 조리개로서 작용하는 개구를 형성하는 조리개부를 갖고 있고, 이 개구를 형성하는 상기 조리개부의 단부는 상기 촬상용 렌즈의 광축에 대하여 소정 각도 경사진 경사면인 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  8. 제1 내지 7 중의 어느 1항에 있어서,
    상기 기판은 외부 회로에 접속되기 위한 배선 인출부를 갖고 있고, 이 배선 인출부에 전자 부품이 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  9. 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부와, 상기 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 수광 소자가 형성된 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 실장된 기판을 갖는 촬상용 반도체 장치로서,
    상기 렌즈 부착부는 상기 촬상용 렌즈가 부착된 상측 부분과, 상기 기판에 고정된 하측 부분을 갖고, 상기 상측 부분은 상기 하측 부분에 대하여, 상기 기판에 접근 또는 이간되는 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 상기 촬상용 렌즈와 상기 반도체 칩 사이의 거리는 가변인 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상측 부분이 상기 기판으로부터 이간되는 방향으로 이동하였을 때에, 상기 상측 부분이 상기 하측 부분으로부터 빠지지 않도록 빠짐 방지 기구가 설치된 것을 특징으로 하는 촬상용 반도체 장치.
KR1020010016808A 2000-10-19 2001-03-30 촬상용 반도체 장치 KR100756314B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-320001 2000-10-19
JP2000320001A JP3887162B2 (ja) 2000-10-19 2000-10-19 撮像用半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020033024A true KR20020033024A (ko) 2002-05-04
KR100756314B1 KR100756314B1 (ko) 2007-09-07

Family

ID=18798354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010016808A KR100756314B1 (ko) 2000-10-19 2001-03-30 촬상용 반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6476417B2 (ko)
JP (1) JP3887162B2 (ko)
KR (1) KR100756314B1 (ko)
TW (1) TW488070B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422040B1 (ko) * 2001-09-11 2004-03-11 삼성전기주식회사 촬상소자 모듈 패키지
KR20050000722A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 카스크테크놀러지 주식회사 소형 카메라 광학계
KR100630705B1 (ko) * 2004-10-20 2006-10-02 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조방법
KR100691436B1 (ko) * 2005-11-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈 및 이를 이용한 카메라 모듈
KR100769723B1 (ko) * 2006-09-22 2007-10-24 삼성전기주식회사 카메라 모듈
KR100808854B1 (ko) * 2003-08-13 2008-03-03 시티즌 덴시 가부시키가이샤 소형 촬상모듈
KR100950918B1 (ko) * 2008-08-06 2010-04-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조방법

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4004705B2 (ja) * 2000-02-29 2007-11-07 松下電器産業株式会社 撮像装置と撮像装置組立方法
US6798031B2 (en) * 2001-02-28 2004-09-28 Fujitsu Limited Semiconductor device and method for making the same
US6635941B2 (en) * 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
FR2824953B1 (fr) * 2001-05-18 2004-07-16 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a lentille incorporee et blindage
JP2003060948A (ja) * 2001-06-05 2003-02-28 Seiko Precision Inc 固体撮像装置
CN1249991C (zh) * 2001-08-07 2006-04-05 日立麦克赛尔株式会社 照相机组件
JP2003274294A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JP4082573B2 (ja) * 2002-07-01 2008-04-30 ローム株式会社 イメージセンサモジュール
CN1332231C (zh) 2002-07-01 2007-08-15 罗姆股份有限公司 图像传感器组件
JP2005072978A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Renesas Technology Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US7005310B2 (en) * 2002-08-14 2006-02-28 Renesas Technology Corporation Manufacturing method of solid-state image sensing device
GB0226014D0 (en) * 2002-11-08 2002-12-18 Nokia Corp Camera-LSI and information device
US20040109080A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-10 Chan Wai San Fixed-focus digital camera with defocus correction and a method thereof
JP2004242166A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
EP1471730A1 (en) 2003-03-31 2004-10-27 Dialog Semiconductor GmbH Miniature camera module
CN100403778C (zh) * 2003-04-22 2008-07-16 柯尼卡美能达精密光学株式会社 成像装置和安装该成像装置的便携式终端设备
JP4510403B2 (ja) * 2003-05-08 2010-07-21 富士フイルム株式会社 カメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
US7122787B2 (en) * 2003-05-09 2006-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Imaging apparatus with three dimensional circuit board
KR100541650B1 (ko) * 2003-08-12 2006-01-10 삼성전자주식회사 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법
DE10344767B4 (de) 2003-09-26 2010-06-17 Continental Automotive Gmbh Optisches Modul und optisches System
TWI234884B (en) * 2003-12-31 2005-06-21 Advanced Semiconductor Eng Image sensor package and method for manufacturing the same
US7872686B2 (en) * 2004-02-20 2011-01-18 Flextronics International Usa, Inc. Integrated lens and chip assembly for a digital camera
US7796187B2 (en) * 2004-02-20 2010-09-14 Flextronics Ap Llc Wafer based camera module and method of manufacture
FR2869158A1 (fr) * 2004-04-20 2005-10-21 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a moyen compressible de reglage
JP2005327842A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Citizen Electronics Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
CN100364101C (zh) * 2004-07-08 2008-01-23 日月光半导体制造股份有限公司 影像感应器封装构造及其制造方法
FR2875055B1 (fr) * 2004-09-06 2006-12-01 Kingpak Tech Inc Structure de module de capteur d'image
JP3936365B2 (ja) * 2004-09-14 2007-06-27 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 機能素子実装モジュール及びその製造方法
US7186587B2 (en) * 2004-09-20 2007-03-06 Advanced Semiconductor Engineering Singulation method used in image sensor packaging process and support for use therein
EP1648181A1 (en) 2004-10-12 2006-04-19 Dialog Semiconductor GmbH A multiple frame grabber
KR100630040B1 (ko) * 2004-11-03 2006-09-27 삼성전자주식회사 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치
US7227236B1 (en) 2005-04-26 2007-06-05 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and its manufacturing method
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
CN1885909A (zh) * 2005-06-24 2006-12-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 数码相机模块
US7576401B1 (en) 2005-07-07 2009-08-18 Amkor Technology, Inc. Direct glass attached on die optical module
US7423334B2 (en) * 2005-11-17 2008-09-09 Kingpak Technology Inc. Image sensor module with a protection layer and a method for manufacturing the same
TWI299427B (en) * 2005-12-02 2008-08-01 Premier Image Technology Corp Digital camera
KR100744925B1 (ko) * 2005-12-27 2007-08-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지
JP2007184801A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Alps Electric Co Ltd カメラモジュール
JP2007194930A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2007288755A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Optopac Co Ltd カメラモジュール
KR20070105723A (ko) * 2006-04-27 2007-10-31 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지
US8092102B2 (en) 2006-05-31 2012-01-10 Flextronics Ap Llc Camera module with premolded lens housing and method of manufacture
KR101200573B1 (ko) 2006-06-28 2012-11-13 삼성전자주식회사 촬상 소자 장착 구조 및 촬상 소자 장착 방법
CN101174017A (zh) * 2006-11-02 2008-05-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镜头模组及其组装方法
KR100832073B1 (ko) * 2006-11-15 2008-05-27 삼성전기주식회사 비접촉식 광 센서 모듈
US20080136956A1 (en) * 2006-11-17 2008-06-12 Tessera North America Internal noise reducing structures in camera systems employing an optics stack and associated methods
WO2008133943A1 (en) 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip chip assembly
US7825985B2 (en) * 2007-07-19 2010-11-02 Flextronics Ap, Llc Camera module back-focal length adjustment method and ultra compact components packaging
JP4883310B2 (ja) * 2007-08-16 2012-02-22 コニカミノルタオプト株式会社 撮像装置及び携帯端末
US9350976B2 (en) 2007-11-26 2016-05-24 First Sensor Mobility Gmbh Imaging unit of a camera for recording the surroundings with optics uncoupled from a circuit board
DE102007057172B4 (de) * 2007-11-26 2009-07-02 Silicon Micro Sensors Gmbh Stereokamera zur Umgebungserfassung
TW200937642A (en) * 2007-12-19 2009-09-01 Heptagon Oy Wafer stack, integrated optical device and method for fabricating the same
US8488046B2 (en) 2007-12-27 2013-07-16 Digitaloptics Corporation Configurable tele wide module
JP5256790B2 (ja) * 2008-03-11 2013-08-07 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及びカメラモジュールの製造方法
JP5517684B2 (ja) * 2010-03-17 2014-06-11 三菱電機株式会社 ロック機構
KR20110127913A (ko) * 2010-05-20 2011-11-28 삼성전자주식회사 카메라 모듈
JP5450295B2 (ja) * 2010-07-05 2014-03-26 オリンパス株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法
US10009528B2 (en) * 2011-02-24 2018-06-26 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Autofocus camera module packaging with circuitry-integrated actuator system
JP2012199844A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Tdk Corp 電子部品実装用基板
TW201307983A (zh) * 2011-08-11 2013-02-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 相機模組
JP5645786B2 (ja) * 2011-09-22 2014-12-24 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びカメラモジュール
US9060111B2 (en) * 2012-09-06 2015-06-16 Apple Inc. Electronic device with compact camera module
US9116022B2 (en) 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP6303287B2 (ja) * 2013-04-30 2018-04-04 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
JP6133988B2 (ja) 2013-08-14 2017-05-24 日立オートモティブシステムズ株式会社 撮像モジュール、車載用ステレオカメラ、及び撮像モジュール用遮光部材
TWM503584U (zh) * 2015-01-23 2015-06-21 Topray Mems Inc 一種取像裝置
JP6670621B2 (ja) * 2016-02-01 2020-03-25 アイホン株式会社 カメラモジュール及びカメラ付玄関子機
CN109698894B (zh) * 2017-10-20 2023-06-30 宁波舜宇光电信息有限公司 基于金属支架的感光组件和摄像模组
JP6551489B2 (ja) * 2017-10-25 2019-07-31 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
KR20210101238A (ko) 2018-12-06 2021-08-18 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 패시브 디바이스 조립체가 포함된 통합 디바이스 패키지
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308375A (ja) * 1987-06-10 1988-12-15 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
JP3136702B2 (ja) * 1991-10-07 2001-02-19 株式会社ニコン 撮像装置
JP3493682B2 (ja) * 1993-04-14 2004-02-03 株式会社ニコン 鏡筒支持装置及び露光装置
EP0773673A4 (en) * 1995-05-31 2001-05-23 Sony Corp IMAGE RECORDING DEVICE, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, IMAGE RECORDING ADAPTER, DEVICE AND METHOD FOR THE SIGNAL AND INFORMATION PROCESSING
JP3887081B2 (ja) * 1997-10-01 2007-02-28 ペンタックス株式会社 デジタルスチルカメラ
JP3582634B2 (ja) 1998-04-10 2004-10-27 松下電器産業株式会社 固体撮像装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422040B1 (ko) * 2001-09-11 2004-03-11 삼성전기주식회사 촬상소자 모듈 패키지
KR20050000722A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 카스크테크놀러지 주식회사 소형 카메라 광학계
KR100808854B1 (ko) * 2003-08-13 2008-03-03 시티즌 덴시 가부시키가이샤 소형 촬상모듈
KR100630705B1 (ko) * 2004-10-20 2006-10-02 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조방법
KR100691436B1 (ko) * 2005-11-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈 및 이를 이용한 카메라 모듈
KR100769723B1 (ko) * 2006-09-22 2007-10-24 삼성전기주식회사 카메라 모듈
KR100950918B1 (ko) * 2008-08-06 2010-04-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3887162B2 (ja) 2007-02-28
US6476417B2 (en) 2002-11-05
US20020047119A1 (en) 2002-04-25
TW488070B (en) 2002-05-21
KR100756314B1 (ko) 2007-09-07
JP2002135632A (ja) 2002-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100756314B1 (ko) 촬상용 반도체 장치
KR100770690B1 (ko) 카메라모듈 패키지
EP1237202B1 (en) Semiconductor device and method for making the same
US8199250B2 (en) Camera module package
KR100721163B1 (ko) 이미지 센서 모듈과 이를 이용한 카메라 모듈 및 카메라모듈의 제조방법
US20050258502A1 (en) Chip package, image sensor module including chip package, and manufacturing method thereof
CN101459782B (zh) 光电转换元件单元和摄像设备
JP2008263550A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2010252164A (ja) 固体撮像装置
JP2000049319A (ja) 固体撮像装置
CN111371975A (zh) 摄像模块封装结构
KR20080051445A (ko) 이미지센서 모듈과 그 제조 방법 및 이를 포함하는 카메라모듈
KR100658149B1 (ko) 이미지센서 모듈과 이를 포함하는 카메라 모듈 패키지
KR100510625B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
US20050237419A1 (en) Camera module, holder for use in a camera module, camera system and method of manufacturing a camera module
JP2008263551A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP5479972B2 (ja) 撮像装置
KR100691436B1 (ko) 이미지센서 모듈 및 이를 이용한 카메라 모듈
JP2008263552A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR100688762B1 (ko) 모바일용 카메라 렌즈 모듈 및 그 제조 방법
JP2001320036A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP2013165402A (ja) 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120821

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130822

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140825

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180730

Year of fee payment: 12